JP2014241406A5 - - Google Patents

Claims (1)

1. 絶縁表面上の第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記第１のゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の第１のゲート絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
   前記第１のゲート絶縁膜と異なる面で前記酸化物半導体膜と接する第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる第２のゲート電極と、
   を有するトランジスタを有し、
   前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の側面はそれぞれ、前記酸化物半導体膜の側面より外側に位置し、
   基板温度を６０℃とし、暗室下において前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極に＋３０Ｖを印加し、時間ｘ（時間）に対するしきい値電圧（Ｖ）の変化量ｙ（ΔＶ）の近似曲線を、式（１）で表したときに、ｂの値が１／√３未満であり、且つ前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極に負荷を与える時間が０．１時間のときのしきい値電圧の変動量が０．５Ｖ未満であることを特徴とする半導体装置。