JP2018098364A5 - - Google Patents
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Description
また、酸化物TFT1において、トップゲート電極18の横幅は、ソース電極161とドレイン電極162との間隙の横幅よも大きくなっている。ボトムゲート電極12の横幅は、エッチストップ膜15の横幅よりも広くなっている。酸化物半導体層14において、ゲート絶縁膜13との界面の一部に、第1のチャネル領域141が形成される。より具体的には、平面視でエッチストップ膜15と重なる界面の領域が第1のチャネル領域141となる。第1のチャネル領域141はボトムゲート電極12の電圧により、キャリア密度を制御可能な領域である。また、酸化物半導体層14において、エッチストップ膜15との界面の一部に、第2のチャネル領域142が形成される。より具体的には、平面視でソース電極161とドレイン電極162の間隙に重なる界面の領域が第2のチャネル領域142となる。第2のチャネル領域142はトップゲート電極18の電圧により、キャリア密度を制御可能な領域である。第1のチャネル領域141において、図1及び図2の紙面横方向の長さLBを第1のチャネル長という。第2のチャネル領域142において図1及び図2の紙面横方向の長さLTを第2のチャネル長という。図1及び図2に示すように、本実施の形態の酸化物TFT1において、第2のチャネル長LTは第1のチャネル長LBよりも短くなっている。
本実施の形態において、以上のように構成された酸化物TFT1を駆動する際には、トップゲート電極18には、ソース電極161の電位Vs又はドレイン電極162の電位Vdの電位のうち低い方の電位以上の電位を印加する。トップゲート電極18の電位をVtgと表す。上述した本実施の形態における酸化物TFT1の特徴を式で表現すると、以下の式(1)かつ(2)、または、式(1)かつ(3)となる。
Vtg≧Vs かつ Vs<Vd … (2)
Vtg≧Vd かつ Vs>Vd … (3)
但し
Vtg:トップゲート電極18の電位
Vs:ソース電極161の電位
Vd:ドレイン電極162の電位
Vtg≧Vd かつ Vs>Vd … (3)
但し
Vtg:トップゲート電極18の電位
Vs:ソース電極161の電位
Vd:ドレイン電極162の電位
本実施の形態において、以上のように構成された酸化物TFT2を駆動する際には、ボトムゲート電極22にソース電極281の電位Vs又はドレイン電極282の電位Vdのうちの低い方の電位以上の電位を印加する。ボトムゲート電極22の電位をVbgと表す。上述した本実施の形態における酸化物TFT1の特徴を式で表現すると、以下の式(4)かつ(5)、または、式(4)かつ(6)となる。
Vbg≧Vs かつ Vs<Vd … (5)
Vbg≧Vd かつ Vs>Vd … (6)
但し
Vbg:ボトムゲート電極22の電位
Vs:ソース電極281の電位
Vd:ドレイン電極282の電位
Vbg≧Vd かつ Vs>Vd … (6)
但し
Vbg:ボトムゲート電極22の電位
Vs:ソース電極281の電位
Vd:ドレイン電極282の電位
Claims (3)
- ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極が接続された酸化物半導体から成るチャネル層と、
前記チャネル層の前記ソース電極及びドレイン電極が接する面とは反対側の第1の面側に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の前記チャネル層との第1の界面で、前記ソース電極が前記チャネル層と接する領域の端部から前記ドレイン電極が前記チャネル層と接する領域の端部にかけて形成される第1のチャネル領域に対向する面側に形成された第1のゲート電極と、
前記チャネル層の第2の面側に形成された第2の絶縁膜と、第2のゲート電極と、
前記第2の絶縁膜の前記チャネル層との第2の界面で、前記第2のゲート電極と前記チャネル層とが重なる領域から前記ソース電極及びドレイン電極と前記チャネル層とが重なる領域を除いた領域にかけて形成される第2のチャネル領域と
を備え、
前記ソース電極及びドレイン電極は間隙を間にして並置してあり、
前記第1のチャネル領域における前記ソース電極及びドレイン電極の並置方向の長さを第1のチャネル長とし、前記第2のチャネル領域における前記並置方向の長さを第2のチャネル長とした場合、
前記第2のチャネル長が、前記第1のチャネル長よりも短く、かつ、
前記第2のゲート電極に印加される電位が、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の電位のうちの低い方の電位以上である
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記第2の絶縁膜は単一の工程で形成されたパッシベーション膜であり、前記ソース電極及びドレイン電極は前記第1の絶縁膜又は前記チャネル層に接するように積層されたチャネルエッチ型トランジスタであり、
前記第2のゲート電極の長さが、前記ソース電極とドレイン電極のエッジ間の長さよりも短い
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 第1のゲート電極、第1の絶縁膜、酸化物半導体からなるチャネル層、第2の絶縁膜、第2のゲート電極、パッシベーション膜、ソース電極及びドレイン電極がこの順序で形成された薄膜トランジスタにおいて、
第1の絶縁膜とチャネル層との界面で、第1のゲート電極とチャネル層とが重なる領域に形成された第1のチャネル領域と、
第2の絶縁膜とチャネル層との界面で、第2のゲート電極とチャネル層とが重なる領域に形成された第2のチャネル領域と
を備え、
前記ソース電極及びドレイン電極は、前記第2のチャネル領域以外のチャネル層と接するように間隙を間にして並置してあり、
前記第1のチャネル領域における前記ソース電極及びドレイン電極の並置方向の長さを第1のチャネル長とし、前記第2のチャネル領域における前記並置方向の長さを第2のチャネル長とした場合、
前記第2のチャネル長が、前記第1のチャネル長よりも長く、かつ、
前記第1のゲート電極に印加される電位が、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の電位のうちの低い方の電位以上である
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
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Family Cites Families (16)
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WO2010071159A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | シャープ株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置及びそれらの製造方法 |
WO2011048923A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | E-book reader |
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US20120298999A1 (en) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102044667B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20150061302A (ko) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치 |
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CN106298883B (zh) * | 2015-06-04 | 2020-09-15 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 |
US10439069B2 (en) * | 2015-08-10 | 2019-10-08 | Nlt Technologies, Ltd. | Optical sensor element and photoelectric conversion device |
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