JP2012015502A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 第１のチャネル形成領域と、
   前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
   前記第１のゲート絶縁層上の前記第１のチャネル形成領域と重畳する第１のゲート電極と、
   前記第１のチャネル形成領域を挟む第１のソース領域および第１のドレイン領域と、を含む第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタ上の第２のチャネル形成領域を含む半導体層と、
   前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続する第２のソース電極および第２のドレイン電極と、
   前記第２のチャネル形成領域と重畳する第２のゲート電極と、
   前記第２のチャネル形成領域と前記第２のゲート電極との間の第２のゲート絶縁層と、を含む第２のトランジスタと、
   を有し、
   前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を主成分として構成され、
   前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んで構成され、
   前記第１のチャネル形成領域の側面の一部と、前記第１のゲート絶縁層の側面の一部と、前記第１のゲート電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致しており、
   前記第２のチャネル形成領域を含む半導体層の側面の一部と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致しており、
   前記第１のチャネル形成領域の側面は、前記第１のトランジスタのチャネル長方向に平行な側面であり、
   前記第２のチャネル形成領域を含む半導体層の側面は、前記第２のトランジスタのチャネル長方向に平行な側面であり、
   前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と、は、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のチャネル形成領域と、前記第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート電極と、には、同じ工程で加工可能な材料が用いられていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２のチャネル形成領域と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極とには、同じ工程で加工可能な材料が用いられていることを特徴とする半導体装置。