JP2012080092A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の導電層と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の導電層と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の導電層と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の導電層と電気的に接続され、
   前記第１の導電層は、第１の電位を伝達することができる機能を有し、
   前記第２の導電層は、第２の電位を伝達することができる機能を有し、
   前記第３の導電層は、第３の電位を伝達することができる機能を有し、
   前記第３の電位は、前記第１の電位及び前記第２の電位よりも低く、
   前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とは、同一の酸化物半導体膜に形成され、
   前記酸化物半導体膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第３の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極及び前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   第３のトランジスタを有し、
   前記第３のトランジスタは、前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、前記酸化物半導体膜に形成され、
   前記酸化物半導体膜は、第１の開口部と、第２の開口部と、を有し、
   前記第３のトランジスタのチャネル幅方向において、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間に設けられることを特徴とする半導体装置。