JP6371455B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
注目されている。トランジスタは集積回路(IC)や画像表示装置(表示装置)のような
電子デバイスに広く応用されている。
のような半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とするトランジスタが知られて
いる(特許文献1及び特許文献2参照)。
が提案されており、そのような半導体装置の作製工程においては、フォトリソグラフィ工
程を用いた加工法が多用されている。しかし、フォトリソグラフィ工程の増加はフォトマ
スク数や工程数の増加を招き、高コスト化及び生産性の低下を引き起こすという問題があ
る。
導体装置を提供することを目的の一とする。
良く半導体装置を提供することを目的の一とする。
複数のトランジスタ及び複数の配線を有する半導体装置において、第1配線と、第2配線
と、第1配線及び第2配線の間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線とを有し
、第1配線と第3配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第1トラ
ンジスタを介して電気的に接続され、第2配線と第3配線とはゲート電極層とソース電極
層とが電気的に接続された第2トランジスタを介して電気的に接続され、第1配線、第2
配線、第3配線の上方又は下方には、第1トランジスタ及び第2トランジスタの半導体領
域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。
び第2配線の間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線と、ドレイン電極層が第
1配線と電気的に接続され、かつゲート電極層及びソース電極層とが第3配線と電気的に
接続される第1トランジスタと、ドレイン電極層が第2配線と電気的に接続され、かつゲ
ート電極層及びソース電極層とが第3配線と電気的に接続される第2トランジスタとを有
し、第1配線、第2配線、第3配線の上方又は下方には、第1トランジスタ及び第2トラ
ンジスタの半導体領域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。
複数の開口を含む連続した酸化物半導体膜に設けられる。
タ、抵抗素子、及び/又は容量素子などを設けることができる。例えば、半導体装置の一
態様としては、第1の配線と電気的に接続するトランジスタと、第2の配線と電気的に接
続するトランジスタと、該トランジスタに電気的に接続する液晶素子を有し、第3配線が
容量配線である液晶表示装置、または、第1の配線と電気的に接続するトランジスタと、
第2の配線と電気的に接続するトランジスタと、該トランジスタに電気的に接続する発光
素子を有し、第3配線が電源線である発光装置が挙げられる。
体膜、ソース電極層及びドレイン電極層とが順に積層している構造を用いることができる
。
トマスク数や工程数も削減することができる。よって、より高い生産性で歩留まり良く半
導体装置を提供することができる。
電位な配線とゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタを設ける
ために、隣接する配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導体膜に設けられていても、
第1の配線と第2の配線とのリーク電流を防止することができる。よって信頼性の高い半
導体装置を提供することができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、
IGFET(Insulated Gate Field Effect Transi
stor)や薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)
を含む。
採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることが
ある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて
用いることができるものとする。
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置およびその作製方法について、図1
及び図2を参照して説明する。
図1に、本発明の一態様に係る半導体装置について示す。図1(A)は、半導体装置の平
面図であり、図1(B)は、図1(A)における一点鎖線A1−A2及び一点鎖線B1−
B2の断面に相当する。また、図1(C)は、図1(A)における領域170の等価回路
に相当する。
配線110a及び第2配線110bの間に、第1配線110a及び第2配線110bより
低電位な第3配線111とを有する。また、第1配線110aと第3配線111とは、ゲ
ート電極層103aとソース電極層とが接続された酸化物半導体膜106を介して電気的
に接続されており、第2配線110bと第3配線111とは、ゲート電極層103aとソ
ース電極層とが電気的に接続された酸化物半導体膜106を介して電気的に接続されてい
る。
ゲート電極層103aと、ゲート電極層103a上に設けられたゲート絶縁層104と、
ゲート絶縁層104上に設けられた酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106と電
気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第1トランジ
スタ160のソース電極層は、第3配線111に相当し、コンタクト126を介して、ゲ
ート電極層103aと接続されている。また、第1トランジスタ160のドレイン電極層
は、第1配線110aと電気的に接続されている。つまり、第1配線110aの一領域が
、第1トランジスタ160のドレイン電極層として機能する。
ゲート電極層103a上に設けられたゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層104上に設
けられた酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106と電気的に接続されるソース電
極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第2トランジスタ162のソース電極層
は、第3配線111に相当し、コンタクト126を介して、ゲート電極層103aと接続
されている。また、第2トランジスタ162のドレイン電極層は、第2配線110bと電
気的に接続されている。つまり、第2配線110bの一領域が、第2トランジスタ162
のドレイン電極層として機能する。
及び第2トランジスタ162等を覆うように、絶縁層114を設けてもよい。
06は、基板100のほぼ全面にわたって形成されている。これにより、酸化物半導体膜
106を島状に加工する必要がなくなるため、酸化物半導体膜106を島状に加工するた
めのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に
必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、高い生産性で歩留まり
よく半導体装置を提供することができる。
0a、第2配線110b、及び第3配線111間に、リーク電流が生じるおそれもある。
これらの配線間にリーク電流が生じると、半導体装置としての信頼性が低下してしまうお
それがある。
ジスタ162において、第3配線111と、ゲート電極層103aとを、コンタクト12
6を介して接続することにより、第1トランジスタ160及び第2トランジスタ162を
、ダイオードとして機能させる。また、第1配線110aと、第2配線110bと、第1
配線110a及び第2配線110bよりも低電位な第3配線111と、を設けている。こ
れらにより、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111の上方又は下方に、
連続した酸化物半導体膜が設けられている場合であっても、第1配線110a、第2配線
110b、第3配線111間に生じるリーク電流を防止することができる。よって、信頼
性の高い半導体装置を提供することができる。
は、コンタクトを介して接続されている。したがって、第1トランジスタ160、第2ト
ランジスタ162と同様なトランジスタが形成される。つまり、第1配線110aと第3
配線111とにより、第1トランジスタ160と同様なトランジスタが形成され、第2配
線110bと第3配線111とにより、第2トランジスタ162と同様なトランジスタが
形成される。これらのトランジスタもダイオードとして機能させることができる。したが
って、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111の上方又は下方に、連続し
た酸化物半導体膜が設けられている場合であっても、第1配線110a、第2配線110
b、第3配線111間に生じるリーク電流を防止することができる。
トランジスタ162が形成される領域170について、点線により明示したが、第1配線
110a、第2配線110b、第3配線111及びゲート電極層103aが延在する領域
においては、第1トランジスタ160、第2トランジスタ162が形成される。これによ
り、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111及びゲート電極層103aが
延在する領域においても、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111間に生
じるリーク電流を防止することができる。同様に、第1配線110a、第2配線110b
、第3配線111及びゲート電極層103bが延在する領域においても、第1配線110
a、第2配線110b、第3配線111間に生じるリーク電流を防止することができる。
うに、かつ第3配線111に沿って開口部124a、124bが設けられている。これに
より、連続した酸化物半導体膜106を用いた場合であっても、ゲート電極層102、ゲ
ート電極層103a及びゲート電極層103bにリーク電流が生じることを防止すること
ができる。
線110a及び第2配線110bより低電位な第3配線111と、を有する。また、第1
トランジスタ160のドレイン電極が第1配線110aと接続され、ゲート電極及びソー
ス電極が、第2トランジスタ162のゲート電極及びソース電極、及び第3配線111と
接続され、第2トランジスタ162のドレイン電極が、第2配線110bに接続されてい
る。
スタ164、トランジスタ166が電気的に接続されていてもよい。トランジスタ164
は、基板100上に設けられたゲート電極層102と、ゲート電極層102上に設けられ
たゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層104上に設けられた酸化物半導体膜106と、
酸化物半導体膜106と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有す
る。ここでトランジスタ164のソース電極層は、導電層112aに相当し、ドレイン電
極層は、第1配線110aの一領域に相当する。
ト電極層102上に設けられたゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層104上に設けられ
た酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106と電気的に接続されるソース電極層及
びドレイン電極層と、を有する。ここでトランジスタ166のソース電極層は、導電層1
12bに相当し、ドレイン電極層は、第2配線110bの一領域に相当する。
が用いられている。ここで、トランジスタ164の近傍には、トランジスタ164のチャ
ネル長方向に沿って、開口部120a、120bが設けられており、トランジスタ166
の近傍には、トランジスタ166のチャネル長方向に沿って、開口部122a、122b
が設けられている。これにより、連続した酸化物半導体膜106を用いた場合であっても
、トランジスタ164及びトランジスタ166に生じるリーク電流を防止することができ
る。よって、より信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
次に、図1に示す半導体装置の作製方法について、図2を参照して説明する。なお、図2
は、図1(A)の鎖線A1−A2断面に対応する。
り、導電層を選択的にエッチング除去し、ゲート電極層102、ゲート電極層103aを
形成する(図2(A)参照)。このとき、図1(A)に示すゲート電極層103bも形成
される(図示せず)。
の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、基板に透光性を要し
ない場合には、ステンレス合金等の金属の基板の表面に絶縁層を設けたものを用いてもよ
い。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。他に、石英
基板、サファイア基板などを用いることができる。また、基板100として、第3世代(
550mm×650mm)、第3.5世代(600mm×720mm、または620mm
×750mm)、第4世代(680mm×880mm、または730mm×920mm)
、第5世代(1100mm×1300mm)、第6世代(1500mm×1850mm)
、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)
、第9世代(2400mm×2800mm、2450mm×3050mm)、第10世代
(2950mm×3400mm)等のガラス基板を用いることができる。本実施の形態で
は、基板100にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。
せず)。下地となる絶縁層は、50nm以上300nm以下、好ましくは100nm以上
200nm以下の厚さで形成する。下地となる絶縁層は、窒化アルミニウム、酸化窒化ア
ルミニウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンから選
ばれた一又は複数の材料による単層構造又は積層構造により形成する。これらの膜は、基
板100からのアルカリ金属、アルカリ土類金属などの不純物元素の拡散を防止する機能
を有する。なお、本明細書等において、窒化酸化珪素とは、その組成として、酸素よりも
窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法(RBS:Ru
therford Backscattering Spectrometry)及び水
素前方散乱法(HFS:Hydrogen Forward Scattering)を
用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5〜30原子%、窒素が20〜55原子%
、珪素が25〜35原子%、水素が10〜30原子%の範囲で含まれるものをいう。下地
となる絶縁層は、スパッタリング法、CVD法、塗布法、印刷法等を適宜用いることがで
きる。
る。具体的には、基板100上に窒化シリコンを50nmの厚さで形成し、該窒化シリコ
ン上に酸化シリコンを150nmの厚さで形成する。なお、下地となる絶縁層中にリン(
P)や硼素(B)がドープされていても良い。
00からの不純物元素の拡散を防止する機能をさらに高めることができる。下地となる絶
縁層に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン質量分析計)を用いた分析
により得られる濃度ピークにおいて、1×1015/cm3以上1×1020/cm3以
下とすればよい。
酸化ガリウムと上記絶縁層の積層構造としてもよい。酸化ガリウムは帯電しにくい材料で
あるため、絶縁層のチャージアップによるしきい値電圧の変動を抑えることができる。
ング法、真空蒸着法、またはメッキ法を用いて100nm以上500nm以下、好ましく
は200nm以上300nm以下の厚さで形成する。また、ゲート電極層102及びゲー
ト電極層103aを形成するための導電層は、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タ
ングステン(W)タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr
)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)等の金属材料又はこれらを主成分とする合
金材料を用いて、単層又は積層して形成することができる。
料であるAlやCuを用いることが好ましい。AlやCuを用いることで、信号遅延を低
減し、高画質化を実現することができる。なお、Alは耐熱性が低く、ヒロック、ウィス
カー、あるいはマイグレーションによる不良が発生しやすい。Alのマイグレーションを
防ぐため、Alに、Mo、Ti、Wなどの、Alよりも融点の高い金属材料を積層するこ
とが好ましい。また、ゲート電極層102及びゲート電極層103a等に、Alを含む材
料を用いる場合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を380℃以下とすることが
好ましく、さらに好ましくは350℃以下とするとよい。
ションによる不良やCu元素の拡散を防ぐため、Mo、Ti、Wなどの、Cuよりも融点
の高い金属材料を積層することが好ましい。また、ゲート電極層102及びゲート電極層
103aにCuを含む材料を用いる場合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を4
50℃以下とすることが好ましい。
電層として、厚さ5nmのTi層を形成し、該Ti層上に厚さ250nmのCu層を形成
する。
よい。インクジェット法では、フォトマスクを使用しないため、更に製造コストを低減す
ることができる。また、レジストマスクはエッチング工程の後に剥離するものとし、各フ
ォトリソグラフィ工程における説明は省くこととする。
。その後、酸化物半導体膜106を形成する(図2(B)参照)。
800nm以下、好ましくは100nm以上600nm以下の厚さで形成する。また、ゲ
ート絶縁層104は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコ
ン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウ
ム、酸化タンタル、酸化ガリウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリ
ケート(HfSixOy(x>0、y>0))、窒素が導入されたハフニウムシリケート
、窒素が導入されたハフニウムアルミネート等を用いて、単層構造又は積層構造で形成す
る。
えば周波数2.45GHz)を用いた高密度プラズマCVD法などの形成方法を適用する
ことができる。
いる。具体的には、ゲート電極層102、ゲート電極層103a上に窒化シリコンを50
nmの厚さで形成し、該窒化シリコン上に酸化シリコンを100nmの厚さで形成する。
層103aにCuを含む場合、窒化シリコンを含む絶縁層で覆う構成とすることで、ゲー
ト電極層102からのCu拡散を防ぐことができる。
縁材料を用いてもよい。ゲート絶縁層104を異なる層の積層とする場合には、酸化物半
導体膜に接する絶縁層を、酸化物半導体と同種の成分を含む絶縁層とすればよい。このよ
うな絶縁層は酸化物半導体膜との相性が良く、これをゲート絶縁層104に用いることで
、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができるからである。ここで、「酸化
物半導体と同種の成分」とは、酸化物半導体の構成元素から選択される一または複数の元
素を意味する。例えば、酸化物半導体膜がIn−Ga−Zn系の酸化物半導体材料によっ
て構成される場合、同種の成分を含む絶縁層の材料としては、酸化ガリウムなどがある。
絶縁材料でなる膜と、該膜の成分材料とは異なる材料を含む膜との積層構造としても良い
。
法で形成することが望ましい。酸化物半導体膜に水素、水などの不純物がなるべく含まれ
ないようにするために、酸化物半導体膜の形成の前処理として、スパッタリング装置の予
備加熱室で基板100を予備加熱し、基板100やゲート絶縁層104に吸着した水素、
水などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段は
クライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこ
の予備加熱は、ゲート絶縁層104の形成前に、ゲート電極層102、ゲート電極層10
3aまで形成した基板100にも同様に行ってもよい。
三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−
Al−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−A
l−Zn系酸化物や、二元系金属酸化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物
、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物
や、In−Ga系酸化物、In系酸化物、Sn系酸化物、Zn系酸化物などを用いること
ができる。また、上記酸化物にSiO2が含まれていてもよい。
及びGaを含有する酸化物半導体である。酸化物半導体膜をi型(真性)とするため、こ
の後行う脱水化または脱水素化は有効である。
)、亜鉛(Zn)を有する酸化物、という意味であり、その組成比はとくに問わない。ま
た、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。
用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または
複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはG
a及びCoなどがある。
スパッタリング法により30nmの厚さで形成する。また、酸化物半導体膜は、希ガス(
代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下におい
てスパッタリング法により形成することができる。
比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]のターゲットを
用い、In−Ga−Zn−O膜を形成する。また、このターゲットの材料及び組成に限定
されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]のターゲ
ットを用いてもよい。
%以下である。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、形成した酸化
物半導体膜を緻密な膜とすることができる。
の不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
00℃以上600℃以下好ましくは300℃以上500℃以下として行う。なお、ゲート
電極層102、ゲート電極層103aの材料にAlが用いられている場合は、基板温度を
380℃以下、好ましくは350℃以下とする。または、ゲート電極層102、ゲート電
極層103aの材料にCuが用いられている場合は、基板温度を450℃以下とする。
水素化物、または水酸化物などの不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリ
ングによる損傷が軽減される。そして、形成室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が
除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成する。
、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手
段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライ
オポンプを用いて排気した形成室は、例えば、水素原子、水(H2O)など水素原子を含
む化合物(より好ましくは炭素原子を含む化合物も)等が排気されるため、当該形成室で
形成した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
、直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下の条件が適用さ
れる。なお、パルス直流電源を用いると、形成時に発生する粉状物質(パーティクル、ご
みともいう)が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
のアルカリ金属の濃度は、Naは5×1016cm−3以下、好ましくは1×1016c
m−3以下、さらに好ましくは1×1015cm−3以下、Liは5×1015cm−3
以下、好ましくは1×1015cm−3以下、Kは5×1015cm−3以下、好ましく
は1×1015cm−3以下とする。
まれていても問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソー
ダ石灰ガラスも使えると指摘されている(神谷、野村、細野、「アモルファス酸化物半導
体の物性とデバイス開発の現状」、固体物理、2009年9月号、Vol.44、pp.
621−633)しかし、このような指摘は適切でない。アルカリ金属は酸化物半導体を
構成する元素ではないため、不純物である。アルカリ土類金属も、酸化物半導体を構成す
る元素ではない場合において、不純物となる。特に、アルカリ金属のうちNaは、酸化物
半導体膜に接する絶縁層が酸化物である場合、当該絶縁層中に拡散してNa+となる。ま
た、Naは、酸化物半導体膜内において、酸化物半導体を構成する金属と酸素の結合を分
断する、或いは、その結合中に割り込む。その結果、例えば、閾値電圧がマイナス方向に
シフトすることによるノーマリオン化、移動度の低下等の、トランジスタの特性の劣化が
起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。この不純物によりもたらされるトランジスタ
の特性の劣化と、特性のばらつきは、酸化物半導体膜中の水素の濃度が十分に低い場合に
おいて顕著に現れる。したがって、酸化物半導体中の水素の濃度が5×1019cm−3
以下、特に5×1018cm−3以下である場合には、酸化物半導体中のアルカリ金属の
濃度を上記の値にすることが強く求められる。
水素(水や水酸基を含む)を除去(脱水化または脱水素化)し、酸化物半導体膜の構造を
整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。また、酸化物半導体膜
と、該酸化物半導体膜が接する絶縁層との界面に生じた欠陥を低減することができる。
囲気下、または超乾燥エア(CRDS(キャビティリングダウンレーザー分光法)方式の
露点計を用いて測定した場合の水分量が20ppm(露点換算で−55℃)以下、好まし
くは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気)雰囲気下で、250℃以上750
℃以下、または400℃以上基板の歪み点未満の温度で行う。ただし、第1のフォトリソ
グラフィ工程により形成されたゲート電極層102及びゲート電極層103aにAlが用
いられている場合は、加熱処理の温度を380℃以下、好ましくは350℃以下とし。ま
た、第1のフォトリソグラフィ工程により形成された配線層にCuが用いられている場合
は、加熱処理の温度を450℃以下とする。本実施の形態では、加熱処理装置の一つであ
る電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜に対して窒素雰囲気下で450℃、1時間の加
熱処理を行う。
輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTA(Gas
Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid
Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal An
neal)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライ
ドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧
水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置
である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスに
は、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しな
い不活性ガスが用いられる。
数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行
ってもよい。
なう場合は、これらの雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、加熱処
理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上好
ましくは7N(99.99999%)以上(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは
0.1ppm以下)とすることが好ましい。
グ除去し、コンタクト126を形成する(図2(C)参照)。このとき、図1(A)に示
す開口部120a、120b、122a、122b、124a、124bも形成される(
図示せず)。なお、第2のフォトリソグラフィ工程は、第1の熱処理の前に行っても良い
。
24a、124bも形成されるため、酸化物半導体膜106を島状に加工するためのフォ
トリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に必要なフ
ォトマスク数や工程数も削減することができる。
のフォトリソグラフィ工程により、導電層を選択的にエッチング除去し、第1配線110
a、第2配線110b、第3配線111、及び導電層112aを形成する(図2(D)参
照)。このとき、図1(A)に示す導電層112bも形成される(図示せず)。
ゲート電極層102、ゲート電極層103a等を形成するための導電層を形成する場合と
同様の方法及び同様の材料を用いて形成することができる。また、第1配線110a、第
2配線110b及び第3配線111等を形成するための導電層は、導電性の金属酸化物で
形成しても良い。導電性の金属酸化物としては、例えば、酸化インジウム(In2O3)
、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム酸化スズ(In2O3−
SnO2、ITOと略記する)、酸化インジウム酸化亜鉛(In2O3−ZnO)、また
はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
層を選択的にエッチングする際、開口部120a、120b等に設けられている導電層も
エッチングすることになる。この場合、開口部120a、120b等にゲート電極層10
2、ゲート電極層103a、103bが存在すると、導電層をエッチングする際に、ゲー
ト電極層102、ゲート電極層103a、103bがエッチングされないように、エッチ
ング条件を適宜設定する必要がある。
作製することができる(図2(D)参照)。このとき、図1(A)に示すトランジスタ1
66も作製される。
を形成する(図2(E)参照)。
様の材料を用いて形成することができる。なお、絶縁層114の形成は、水素や水などが
混入しにくいという点では、スパッタリング法を用いることが好適である。絶縁層114
に水素等が含まれると、その水素等が酸化物半導体膜へ浸入、又は水素等による酸化物半
導体膜中の酸素の引き抜きが生じ、酸化物半導体膜106が低抵抗化(n型化)するおそ
れがある。したがって、絶縁層114は、水素や水などが含まれない手段を用いて形成す
ることが重要である。
酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。酸化ガリウ
ムは帯電しにくい材料であるため、絶縁層のチャージアップによるしきい値電圧の変動を
抑えることができる。なお、半導体領域として酸化物半導体膜を用いる場合、絶縁層11
4として、または、絶縁層114と積層して、酸化物半導体と同種の成分を含む金属酸化
物層を形成してもよい。
グ法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実
施の形態では100℃とする。酸化シリコン層のスパッタリング法による形成は、希ガス
(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下に
おいて行うことができる。また、ターゲットには、酸化シリコンまたはシリコンを用いる
ことができる。例えば、シリコンをターゲットに用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタ
を行うと酸化シリコンを形成することができる。
ンプ(クライオポンプなど)を用いることが好ましい。クライオポンプを用いて排気した
形成室で形成した絶縁層114は、絶縁層114中に含まれる不純物の濃度を低減するこ
とができる。また、絶縁層114の形成室内の残留水分を除去するための排気手段として
は、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。
不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
気下で第2の加熱処理(好ましくは200℃以上600℃以下、例えば250℃以上55
0℃以下)を行ってもよい。ただし、第1のフォトリソグラフィ工程、及び第2のフォト
リソグラフィ工程により形成された配線層にAlが用いられている場合は、加熱処理の温
度を380℃以下、好ましくは350℃以下とし、また、上記配線層にCuが用いられて
いる場合は、加熱処理の温度を450℃以下とする。例えば、窒素雰囲気下で450℃、
1時間の第2の加熱処理を行ってもよい。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体膜の一
部(チャネル形成領域)が絶縁層114と接した状態で昇温され、絶縁層114に含まれ
る酸素を酸化物半導体膜へ供給することができる。なお、上記雰囲気に水、水素などが含
まれないことが好ましい。
エネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された酸化物半導体では、キャリア濃度が1×1
012/cm3未満、望ましくは、1×1011/cm3未満、より望ましくは1.45
×1010/cm3未満となる。例えば、室温(25℃)でのオフ電流(ここでは、単位
チャネル幅(1μm)あたりの値)は、100zA/μm(1zA(ゼプトアンペア)は
1×10−21A)以下、望ましくは、10zA/μm以下となる。また、85℃では、
100zA/μm(1×10−19A/μm)以下、望ましくは10zA/μm(1×1
0−20A/μm)以下となる。このように、i型化(真性化)または実質的にi型化さ
れた酸化物半導体を用いることで、極めて優れたオフ電流特性のトランジスタを得ること
ができる。
どの電気的特性に温度依存性がほとんど見られない。また、光劣化によるトランジスタ特
性の変動も少ない。
タは、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって安定した電気的特
性を有する酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
フィ工程が削減されるため、フォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、
より高い生産性で歩留まり良く半導体装置を提供することができる。
2b、124a、124bも形成されるため、酸化物半導体膜106を島状に加工するた
めのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に
必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。
ることによって、不必要に酸化物半導体膜106を除去する必要がなくなる。これにより
、酸化物半導体膜106が不必要に除去されることによって生じる段差などが形成されに
くくなる。このため、酸化物半導体膜106の後に形成される絶縁層や導電層の段切れな
どを防止することができる。よって、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
また、酸化物半導体膜106が不必要に除去されないため、本実施の形態の半導体装置を
表示装置の画素部などに適用する場合、画素部の開口率を向上させることができる。
低電位な第3配線と、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタ
を設けるため、第1配線、第2配線及び第3配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導
体膜に設けられていても、第1配線、第2配線及び第3配線間のリーク電流を防止するこ
とができる。つまり、半導体領域を島状の半導体層に加工しない場合であっても、トラン
ジスタ間や、配線間等にリーク電流が生じることを防止することができる。よって、信頼
性の高い半導体装置を提供することができる。
本実施の形態では、本明細書で開示する半導体装置の一例として液晶表示装置の例を図3
及び図4を用いて説明する。実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び
工程は、実施の形態1と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇
所の詳細な説明は省略する。
C2、一点鎖線C3−C4における断面図である。なお、図3(A)は、画素電極層30
7まで形成された基板300側の平面図であり、簡略化のため絶縁層306等は適宜省略
している。また、図4は図3(A)(B)に対応する液晶表示装置の等価回路図である。
おける画素部の一部分を示す。図3に示す液晶表示装置には、実施の形態1に示す半導体
装置が適用されている。つまり、第1配線311と、第2配線313と、第1配線311
及び第2配線313より低電位な第3配線310とを有する。また、第1配線311と第
3配線310とは、ゲート電極層とドレイン電極層とが接続された酸化物半導体膜303
を介して電気的に接続されており、第2配線313と、第3配線310とは、ゲート電極
層とソース電極層とが電気的に接続された酸化物半導体膜303を介して電気的に接続さ
れている。
第2トランジスタ332等を覆うように、絶縁層305及び絶縁層306が設けられてお
り、絶縁層305及び絶縁層306に設けられたコンタクト324を介して画素電極層3
07と導電層312とが接続されている。
30には液晶素子334が電気的に接続されている。この場合、第3配線310は、容量
配線として機能する。液晶素子334は、画素電極層307、電極層323、及び液晶層
326を含む。なお、液晶層326を挟持するように配向膜として機能する絶縁層321
a、321bが設けられている。電極層323は、基板320側に設けられ、画素電極層
307と電極層323とは液晶層326を介して積層する構成となっている。
ゲート電極層304と、ゲート電極層304上に設けられたゲート絶縁層302と、ゲー
ト絶縁層302上に設けられた酸化物半導体膜303と、酸化物半導体膜303と電気的
に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第1トランジスタ
331のソース電極層は、第3配線310に相当し、コンタクト325を介して、ゲート
電極層304と接続されている。また、第1トランジスタ331のドレイン電極層は、導
電層312と電気的に接続されている。つまり、導電層312の一領域が、第1トランジ
スタ331のドレイン電極層として機能する。ここで、ゲート電極層304、ゲート絶縁
層302、酸化物半導体膜303、導電層312は、容量素子333としても機能する。
と、ゲート電極層304上に設けられたゲート絶縁層302と、ゲート絶縁層302上に
設けられた酸化物半導体膜303と、酸化物半導体膜303と電気的に接続されるソース
電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第2トランジスタ332のソース電極
層は、第3配線310に相当し、コンタクト325を介して、ゲート電極層304と接続
されている。また、第2トランジスタ332のドレイン電極層は、第2配線313と電気
的に接続されている。つまり、第2配線313の一領域が、第2トランジスタ332のド
レイン電極層として機能する。
303は、ほぼ全面にわたって形成されている。これにより、酸化物半導体膜303を島
状に加工する必要がなくなるため、酸化物半導体膜303を島状に加工するためのフォト
リソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に必要なフォ
トマスク数や工程数も削減することができる。よって、高い生産性で歩留まりよく液晶表
示装置を提供することができる。
スタ332において、第3配線310と、ゲート電極層304とを、コンタクト325を
介して接続することにより、第1トランジスタ331及び第2トランジスタ332を、そ
れぞれダイオードとして機能させることができる。また、第1配線311及び第2配線3
13と、第1配線311及び第2配線313よりも低電位な第3配線310と、を設けて
いる。これらにより、第1配線311、第2配線313、第3配線310の上方又は下方
に、連続した酸化物半導体膜303が設けられている場合であっても、第1配線311、
第2配線313、第3配線310間に生じるリーク電流を防止することができる。よって
、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
いる。トランジスタ330は、液晶素子334と電気的に接続されている。なお、図示し
ないが、該液晶表示装置は、第2配線313と電気的に接続するトランジスタを有してお
り、該トランジスタは、液晶素子と電気的に接続されている。
301上に設けられたゲート絶縁層302と、ゲート絶縁層302上に設けられた酸化物
半導体膜303と、酸化物半導体膜303と電気的に接続されるソース電極層及びドレイ
ン電極層と、を有する。ここで、トランジスタ330のソース電極層は、導電層312に
相当し、ドレイン電極層は、第1配線311の一領域に相当する。なお、第2配線に接続
されるトランジスタにおいても、トランジスタ330と同様な構成である。
で、トランジスタ330の近傍には、トランジスタ330のチャネル長方向に沿って、開
口部335a、335bが設けられている。また、開口部335bは、画素電極層307
を囲むように設けられている。これにより、連続した酸化物半導体膜303を用いた場合
であっても、トランジスタ330に生じるリーク電流や、配線間に生じるリーク電流を防
止することができる。よって、より信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
体膜303を除去する必要がなくなる。これにより、酸化物半導体膜303が不必要に除
去されることによって生じる段差などが形成されにくくなる。このため、酸化物半導体膜
303の後に形成される絶縁層や導電層の段切れなどを防止することができる。よって、
液晶表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、酸化物半導体膜303が不必
要に除去されないため、画素の開口率を向上させることができる。
311及び第2配線313より低電位な第3配線310と、を有する。また、第1トラン
ジスタ330のゲート電極は、(ゲート電極層301を含む)ゲート線と接続され、ドレ
イン電極が第1配線311と接続され、ソース電極が液晶素子334の電極一方と、容量
素子333の電極一方と、トランジスタ331のドレイン電極と接続されている。また、
容量素子333の電極の他方と、トランジスタ331のゲート電極(ゲート電極層304
)及びソース電極、トランジスタ332のゲート電極(ゲート電極層304)及びソース
電極は、第3配線310に接続されている。また、トランジスタ332のドレイン電極は
、第2配線313に接続されている。
程が削減されるため、フォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、より高
い生産性で歩留まり良く液晶表示装置を提供することができる。
低電位な第3配線と、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタ
を設けるため、第1配線、第2配線及び第3配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導
体膜に設けられていても、第1配線、第2配線及び第3配線間のリーク電流を防止するこ
とができる。つまり、半導体領域を島状の半導体層に加工しない場合であっても、トラン
ジスタ間や、配線間等にリーク電流が生じることを防止することができる。よって、信頼
性の高い液晶表示装置を提供することができる。
本実施の形態では、本明細書で開示する半導体装置の一例として発光表示装置の例を、図
5及び図6を用いて説明する。実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分、及
び工程は、実施の形態1と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ
箇所の詳細な説明は省略する。
D2、一点鎖線D3−D4における断面図である。なお、図5(A)は、画素電極層20
7まで形成された基板200側の平面図であり、簡略化のため絶縁層206等は適宜省略
している。また、図6は、図5(A)(B)に対応する発光表示装置の等価回路図である
。
おける画素部の一部分を示す。図5に示す発光表示装置には、実施の形態1に示す半導体
装置が適用されている。つまり、第1配線211と、第2配線213と、第1配線211
及び第2配線213より低電位な第3配線210とを有する。また、第1配線211と第
3配線210とは、ゲート電極層とドレイン電極層とが接続された酸化物半導体膜203
を介して電気的に接続されており、第2配線213と、第3配線210とは、ゲート電極
層とソース電極層とが電気的に接続された酸化物半導体膜203を介して電気的に接続さ
れている。
第2トランジスタ232等を覆うように、絶縁層205及び絶縁層206が設けられてお
り、絶縁層205、及び絶縁層206に設けられたコンタクト224を介して画素電極層
207と導電層212とが接続されている。
30には発光素子234が電気的に接続されている。この場合、第3配線210は、電源
線として機能する。発光素子234は、画素電極層207、電極層223、及び発光層2
22を含む。なお、電極層223は、陰極として機能し、絶縁層221は隔壁として機能
する。
ゲート電極層204と、ゲート電極層204上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲー
ト絶縁層202上に設けられた酸化物半導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的
に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第1トランジスタ
231のソース電極層は、第3配線210に相当し、コンタクト225a、225bを介
して、ゲート電極層204と接続されている。また、第1トランジスタ231のドレイン
電極層は、導電層212と電気的に接続されている。つまり、導電層212の一領域が、
第1トランジスタ231のドレイン電極層として機能する。ここで、ゲート電極層204
、ゲート絶縁層202、酸化物半導体膜203、第3配線210は、容量素子233とし
ても機能する。
と、ゲート電極層204上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202上に
設けられた酸化物半導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的に接続されるソース
電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第2トランジスタ232のソース電極
層は、第3配線210に相当し、コンタクト225a、225bを介して、ゲート電極層
204と接続されている。また、第2トランジスタ232のドレイン電極層は、第2配線
213と電気的に接続されている。つまり、第2配線213の一領域が、第2トランジス
タ232のドレイン電極層として機能する。ここで、コンタクト225a、225bを介
して、ゲート電極層204と第3配線210とが、導電層216によって電気的に接続さ
れている。
203は、基板200のほぼ全面にわたって形成されている。これにより、酸化物半導体
膜203を島状に加工する必要がなくなるため、酸化物半導体膜203を島状に加工する
ためのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程
に必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、高い生産性で歩留ま
りよく発光表示装置を提供することができる。
スタ232において、第3配線210と、ゲート電極層204とを、コンタクト225a
、225bを介して接続することにより、第1トランジスタ231及び第2トランジスタ
232を、それぞれダイオードとして機能させることができる。また、第1配線211及
び第2配線213と、第1配線211及び第2配線213よりも低電位な第3配線210
と、を設けている。これらにより、第1配線211、第2配線213、第3配線210の
上方又は下方に、連続した酸化物半導体膜203が設けられている場合であっても、第1
配線211、第2配線213、第3配線210間に生じるリーク電流を防止することがで
きる。よって、信頼性の高い発光表示装置を提供することができる。
り、トランジスタ232は選択トランジスタとして機能する。また、第3配線210に電
気的に接続するトランジスタ235は、発光素子234と電気的に接続されており、発光
素子234を駆動するためのトランジスタとして機能する。なお、図示しないが、第2配
線213においても、電気的に接続するトランジスタを有している。
201上に設けられたゲート絶縁層202、ゲート絶縁層202上に設けられた酸化物半
導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン
電極層と、を有する。ここで、トランジスタ230のソース電極層は、導電層214に相
当し、ドレイン電極層は、第1配線211の一領域に相当する。ここで、コンタクト22
6a、226bを介して、導電層214と、ゲート電極層208とが、導電層215によ
って電気的に接続されている。
ト電極層208上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202上に設けられ
た酸化物半導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的に接続されるソース電極層及
びドレイン電極層と、を有する。ここで、トランジスタ232のソース電極層は、導電層
212に相当し、ドレイン電極層は、第3配線210の一領域に相当する。
る。ここで、トランジスタ230の近傍には、トランジスタ230のチャネル長方向に沿
って、開口部236a、236bが設けられている。また、開口部236bは、画素電極
層207を囲むように設けられている。これにより、連続した酸化物半導体膜203を用
いた場合であっても、トランジスタ230に生じるリーク電流や、配線間に生じるリーク
電流を防止することができる。よって、より信頼性の高い発光表示装置を提供することが
できる。
体膜203を除去する必要がなくなる。これにより、酸化物半導体膜203が不必要に除
去されることによって生じる段差などが形成されにくくなる。このため、酸化物半導体膜
203の後に形成される絶縁層や導電層の段切れを防止することができる。よって、発光
表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、酸化物半導体膜203が不必要に
除去されないため、画素の開口率を向上させることができる。
3配線210と、を有する。また、トランジスタ230は、(ゲート電極層201を含む
)ゲート線と接続され、ドレイン電極が第1配線211と接続され、ソース電極が容量素
子233の一方と、トランジスタ235のゲート電極と、接続されている。また、トラン
ジスタ235のドレイン電極と、トランジスタ231のドレイン電極と、発光素子234
の一方とが、接続されている。また、第3配線210は、トランジスタ231のソース電
極と、ゲート電極と、トランジスタ232のソース電極、ゲート電極と、トランジスタ2
35のソース電極と、容量素子233の他方と接続されている。また、トランジスタ23
2のドレイン電極は、第2配線213接続されている。
程が削減されるため、フォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、より高
い生産性で歩留まり良く発光表示装置を提供することができる。
低電位な第3配線と、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタ
を設けるため、第1配線、第2配線及び第3配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導
体膜に設けられていても、第1配線、第2配線及び第3配線間のリーク電流を防止するこ
とができる。つまり、半導体領域を島状の半導体層に加工しない場合であっても、トラン
ジスタ間や、配線間等にリーク電流が生じることを防止することができる。よって、信頼
性の高い半導体装置を提供することができる。
上記実施の形態1乃至3において、トランジスタの半導体膜に用いることのできる酸化物
半導体膜の一態様を、図7を用いて説明する。
半導体膜よりも厚い第2の結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造である。
CVD法またはスパッタリング法を用いて、50nm以上600nm以下の膜厚の酸化物
絶縁層を形成する。例えば、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、酸
化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜から選ばれた一
層またはこれらの積層を用いることができる。
。第1の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法によ
る成膜時における基板温度は200℃以上400℃以下とする。
In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])を用いて、基板とターゲ
ットの間との距離を170mm、基板温度250℃、圧力0.4Pa、直流(DC)電源
0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で膜厚5nmの第
1の酸化物半導体膜を成膜する。
を行う。第1の加熱処理の温度は、400℃以上750℃以下とする。第1の加熱処理に
よって第1の結晶性酸化物半導体膜450aを形成する(図7(A)参照)。
、膜の表面から内部に向かって結晶成長し、C軸配向した結晶が得られる。第1の加熱処
理によって、亜鉛と酸素が膜表面に多く集まり、上平面が六角形をなす亜鉛と酸素からな
るグラフェンタイプの二次元結晶が最表面に1層または複数層形成され、これが膜厚方向
に成長して重なり積層となる。加熱処理の温度を上げると表面から内部、そして内部から
底部と結晶成長が進行する。
物半導体膜450aとの界面またはその近傍(界面からプラスマイナス5nm)に拡散さ
せて、第1の結晶性酸化物半導体膜の酸素欠損を低減する。従って、下地絶縁層として用
いられる絶縁層437は、膜中(バルク中)、第1の結晶性酸化物半導体膜450aと絶
縁層437の界面、のいずれかには少なくとも化学量論比を超える量の酸素が存在するこ
とが好ましい。
体膜を形成する。第2の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、その成膜時
における基板温度は200℃以上400℃以下とする。成膜時における基板温度を200
℃以上400℃以下とすることにより、第1の結晶性酸化物半導体膜の表面上に接して成
膜する酸化物半導体膜にプリカーサの整列が起き、所謂、秩序性を持たせることができる
。
In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])を用いて、基板とターゲ
ットの間との距離を170mm、基板温度400℃、圧力0.4Pa、直流(DC)電源
0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で膜厚25nmの
第2の酸化物半導体膜を成膜する。
を行う。第2の加熱処理の温度は、400℃以上750℃以下とする。第2の加熱処理に
よって第2の結晶性酸化物半導体膜450bを形成する(図7(B)参照)。第2の加熱
処理は、窒素雰囲気下、酸素雰囲気下、或いは窒素と酸素の混合雰囲気下で行うことによ
り、第2の結晶性酸化物半導体膜の高密度化及び欠陥数の減少を図る。第2の加熱処理に
よって、第1の結晶性酸化物半導体膜450aを核として膜厚方向、即ち底部から内部に
結晶成長が進行して第2の結晶性酸化物半導体膜450bが形成される。
に行うことが好ましい。絶縁層437の形成から第2の加熱処理までの工程は、水素及び
水分をほとんど含まない雰囲気(不活性雰囲気、減圧雰囲気、乾燥空気雰囲気など)下に
制御することが好ましく、例えば、水分については露点−40℃以下、好ましくは露点−
50℃以下の乾燥窒素雰囲気とする。
らなる酸化物半導体積層を加工して島状の酸化物半導体積層からなる酸化物半導体膜45
3を形成する(図7(C)参照)。図では、第1の結晶性酸化物半導体膜450aと第2
の結晶性酸化物半導体膜450bの界面を点線で示し、酸化物半導体積層と説明している
が、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示し
ている。
該酸化物半導体積層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、
フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット
法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。
よい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
物半導体膜は、C軸配向を有していることを特徴の一つとしている。ただし、第1の結晶
性酸化物半導体膜及び第2の結晶性酸化物半導体膜は、単結晶構造ではなく、非晶質構造
でもない構造であり、C軸配向を有した結晶(C Axis Aligned Crys
tal; CAACとも呼ぶ)を含む酸化物を有する。なお、第1の結晶性酸化物半導体
膜及び第2の結晶性酸化物半導体膜は、一部に結晶粒界を有している。
うにすることと、当該結晶を種として結晶が成長されるようにすることが肝要である。そ
のためには、基板加熱温度を100℃〜500℃、好適には200℃〜400℃、さらに
好適には250℃〜300℃にすると好ましい。また、これに加えて、成膜時の基板加熱
温度よりも高い温度で、堆積された酸化物半導体膜を熱処理することで膜中に含まれるミ
クロな欠陥や、積層界面の欠陥を修復することができる。
り、四元系金属酸化物であるIn−Al−Ga−Zn系酸化物や、In−Al−Ga−Z
n系酸化物や、In−Si−Ga−Zn系酸化物や、In−Ga−B−Zn系酸化物や、
In−Sn−Ga−Zn系酸化物や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物
、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−B−Zn系酸化物、S
n−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物や、二
元系金属酸化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、
Zn−Mg系酸化物や、Zn系酸化物などがある。また、上記の材料にSiO2が含まれ
ていてもよい。
リ土類金属も、酸化物半導体を構成する元素ではない場合において、不純物となる。特に
、アルカリ金属のうちNaは、酸化物半導体膜に接する絶縁膜が酸化物である場合、当該
絶縁膜中に拡散してNa+となる。また、Naは、酸化物半導体膜内において、酸化物半
導体を構成する金属と酸素の結合を分断する、或いは、その結合中に割り込む。その結果
、例えば、閾値電圧がマイナス方向にシフトすることによるノーマリオン化、移動度の低
下等の、トランジスタの特性の劣化が起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。この不
純物によりもたらされるトランジスタの特性の劣化と、特性のばらつきは、酸化物半導体
膜中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著に現れる。従って、酸化物半導体膜中の
水素の濃度が5×1019cm−3以下、特に5×1018cm−3以下である場合には
、上記不純物の濃度を低減することが望ましい。具体的に、二次イオン質量分析法による
Na濃度の測定値は、5×1016/cm3以下、好ましくは1×1016/cm3以下
、更に好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。同様に、Li濃度の測定値は
、5×1015/cm3以下、好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。同様
に、K濃度の測定値は、5×1015/cm3以下、好ましくは1×1015/cm3以
下とするとよい。
に限定されず、第2の結晶性酸化物半導体膜の形成後に第3の結晶性酸化物半導体膜を形
成するための成膜と加熱処理のプロセスを繰り返し行って、3層以上の積層構造としても
よい。
に開示する半導体装置に適用できるトランジスタ(例えば、実施の形態1乃至3における
トランジスタ160、162、164、166、330、331、332、230、23
1、232、233)に、適宜用いることができる。実施の形態1乃至3におけるトラン
ジスタの電流は、主として、酸化物半導体積層の界面を流れるため、トランジスタに光照
射が行われ、またはBTストレスが与えられても、トランジスタ特性の劣化は抑制される
、または低減される。
膜の積層をトランジスタに用いることで、安定した電気的特性を有し、且つ、信頼性の高
いトランジスタを実現できる。
である。
実施の形態1乃至4で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置(表示
装置ともいう)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部また
は全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができ
る。
て、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図8(
A)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域と
は異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成され
た走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成さ
れた信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えら
れる各種信号及び電位は、FPC(Flexible printed circuit
)4018a、4018bから供給されている。
と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。
また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられて
いる。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシ
ール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図8
(B)及び図8(C)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲
まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半
導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図8(B)及び図8(C
)においては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004また
は画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている
。
の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動
回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一
部のみを別途形成して実装しても良い。
ip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape A
utomated Bonding)方法などを用いることができる。図8(A)は、C
OG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、
図8(B)は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図8(C
)は、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもし
くはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装
されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
おり、実施の形態1で一例を示したトランジスタを適用することができる。
発光表示素子ともいう)、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって
輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electro
Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作
用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
8(B)のM−Nにおける断面図に相当する。
を有しており、接続端子電極4015及び端子電極4016はFPC4018が有する端
子と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。
016は、トランジスタ4010、トランジスタ4011のソース電極及びドレイン電極
と同じ導電膜で形成されている。
、トランジスタを複数有しており、図9乃至図11では、画素部4002に含まれるトラ
ンジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示
している。
で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010、トランジスタ4
011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図9乃至図
11で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
に導電層が設けられていてもよい。当該導電層を酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重
なる位置に設けることによって、トランジスタの信頼性が向上し、例えばバイアス−熱ス
トレス試験(BT試験)において、BT試験前後におけるトランジスタ4011のしきい
値電圧の変化量を低減することができる。また、導電層の電位はトランジスタ4011の
ゲート電極の電位と同じでもよいし、異なっていても良く、第2のゲート電極として機能
させることもできる。また、導電層4040の電位がGND、0V、或いはフローティン
グ状態であってもよい。
ネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、及び液晶
層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜
4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側に
設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積
層する構成となっている。
、液晶層4008の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお、球状
のスペーサを用いていても良い。
、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの
液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラ
ルネマチック相、等方相等を示す。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。
ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短
く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜
を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こ
される静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減す
ることができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
1Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明
細書等における固有抵抗率の値は、20℃で測定した値とする。
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化
物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して
1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分であ
る。
における電流値(オフ電流値)を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号
の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よ
って、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果
を奏する。
較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置
の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。ま
た、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製するこ
とができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
lane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Swit
ching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液
晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対
して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられ
るが、例えば、MVA(Multi−Domain Vertical Alignme
nt)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)
モード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素(ピクセル)をいくつかの
領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチ
ドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。
防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基
板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用
いてもよい。
(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うこ
とができる。
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは
赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)
、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、
色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明の一態
様はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用す
ることもできる。
子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料
が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機E
L素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
て、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す
上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面
から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用する
ことができる。
4513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している
。なお、発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2
の電極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513か
ら取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる
。
材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
4031及び隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板400
1、第2の基板4006、及びシール材4005によって封止された空間には充填材45
14が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガ
スの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材
でパッケージング(封入)することが好ましい。
は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エ
チレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
る。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)も呼ばれており、紙と
同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能とい
う利点を有している。
、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数
分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプ
セル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するも
のである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移
動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む
)とする。
ゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
できる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用
いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の
電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法で
ある。
11の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイスト
ボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層間に配
置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行
う方法である。
れた第2の電極層4031との間には黒色領域4615a及び白色領域4615bを有し
、周りに液体で満たされているキャビティ4612を含む球形粒子4613が設けられて
おり、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材4614で充填されている。第2の電極
層4031が共通電極(対向電極)に相当する。第2の電極層4031は、共通電位線と
電気的に接続される。
ラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチ
ック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fibergla
ss−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド
)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。
また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシー
トを用いることもできる。
、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の
、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有
機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リン
ガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料
で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
ピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷等)、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコ
ーティング等を用いることができる。
部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して
透光性とする。
向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。
)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有
する導電性材料を用いることができる。
(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(N
b)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタ
ン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、
又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる
。
マーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ま
たはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若しくはその誘導
体等が挙げられる。
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表
示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等
の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など
様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。
である。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明
する。
2、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1ま
たは2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコ
ンピュータとすることができる。
外部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また、操作
用の付属品としてスタイラス3022がある。上記実施の形態で示した半導体装置を適用
することにより、より信頼性の高い携帯情報端末(PDA)とすることができる。
筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐
体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動
作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能
となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図12(C)では表示部2705)に文章を表示し、左側の
表示部(図12(C)では表示部2707)に画像を表示することができる。上記実施の
形態で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍2700とするこ
とができる。
筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備
えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一
面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の
裏面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部など
を備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持た
せた構成としてもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
れている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォ
ン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子
2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯型情報端末の充電を行う太陽
電池セル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐
体2801内部に内蔵されている。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することに
より、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
ている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力
される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能であ
る。スピーカー2803及びマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、
録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図
12(D)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。
であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部
メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応でき
る。
よい。
接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部(B)3055、バッテリー3056な
どによって構成されている。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することにより、
信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示
することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持し
た構成を示している。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することにより、信頼性
の高いテレビジョン装置9600とすることができる。
コン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から
出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
である。
102 ゲート電極層
103a ゲート電極層
103b ゲート電極層
104 ゲート絶縁層
106 酸化物半導体膜
110a 配線
110b 配線
111 配線
112a 導電層
112b 導電層
114 絶縁層
120a 開口部
120b 開口部
122a 開口部
122b 開口部
124a 開口部
124b 開口部
126 コンタクト
160 トランジスタ
162 トランジスタ
164 トランジスタ
166 トランジスタ
170 領域
200 基板
201 ゲート電極層
202 ゲート絶縁層
203 酸化物半導体膜
204 ゲート電極層
205 絶縁層
206 絶縁層
207 画素電極層
208 ゲート電極層
210 配線
211 配線
212 導電層
213 配線
214 導電層
215 導電層
216 導電層
221 絶縁層
222 発光層
223 電極層
224 コンタクト
225a コンタクト
225b コンタクト
226a コンタクト
226b コンタクト
230 トランジスタ
231 トランジスタ
232 トランジスタ
233 容量素子
234 発光素子
235 トランジスタ
236a 開口部
236b 開口部
300 基板
301 ゲート電極層
302 ゲート絶縁層
303 酸化物半導体膜
304 ゲート電極層
305 絶縁層
306 絶縁層
307 画素電極層
310 配線
311 配線
312 導電層
313 配線
320 基板
321a 絶縁層
321b 絶縁層
323 電極層
324 コンタクト
325 コンタクト
326 液晶層
330 トランジスタ
331 トランジスタ
332 トランジスタ
333 容量素子
334 液晶素子
400 絶縁層
437 絶縁層
450a 結晶性酸化物半導体膜
450b 結晶性酸化物半導体膜
453 酸化物半導体膜
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカー
2800 筐体
2801 筐体
2802 表示パネル
2803 スピーカー
2804 マイクロフォン
2805 操作キー
2806 ポインティングデバイス
2807 カメラ用レンズ
2808 外部接続端子
2810 太陽電池セル
2811 外部メモリスロット
3001 本体
3002 筐体
3003 表示部
3004 キーボード
3021 本体
3022 スタイラス
3023 表示部
3024 操作ボタン
3025 外部インターフェイス
3051 本体
3053 接眼部
3054 操作スイッチ
3055 表示部(B)
3056 バッテリー
3057 表示部(A)
335a 開口部
335b 開口部
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4018a FPC
4019 異方性導電膜
4021 絶縁層
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁膜
4033 絶縁膜
4040 導電層
4510 隔壁
4511 電界発光層
4513 発光素子
4514 充填材
4612 キャビティ
4613 球形粒子
4614 充填材
4615a 黒色領域
4615b 白色領域
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
Claims (1)
- 第1配線と、
第2配線と、
前記第1配線及び前記第2配線の間に、前記第1配線及び前記第2配線より低電位な第3配線と、
前記第1配線と前記第3配線とは第1の半導体領域と互いに電気的に接続する第1のゲート電極と第1のソース電極を有する第1トランジスタを介して電気的に接続され、
前記第2配線と前記第3配線とは第2の半導体領域と互いに電気的に接続する第2のゲート電極と第2のソース電極を有する第2トランジスタを介して電気的に接続され、
前記第1配線、前記第2配線、前記第3配線の上方又は下方には、前記第1と第2の半導体領域が設けられ、前記第1と第2の半導体領域は連続した酸化物半導体膜に設けられていることを特徴とする半導体装置。
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KR102389622B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
JP6692382B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2020-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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---|---|---|---|---|
JPS63169755A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 積層型半導体装置の製造方法 |
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JPH1020336A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
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CN1139837C (zh) * | 1998-10-01 | 2004-02-25 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP2001281690A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその修復方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
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US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4574158B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2010-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置及びその作製方法 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
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US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP5352041B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2013-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置を実装した電子機器の作製方法 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US20060091397A1 (en) | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Kengo Akimoto | Display device and method for manufacturing the same |
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US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
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US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
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JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
US20070084650A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Schwei Mark C | Method of sanitizing a shopping cart |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101117948B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP5135709B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-02-06 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP2008046427A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP2008218468A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Univ Of Ryukyus | 3次元集積回路装置及びその製造方法 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5414161B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2014-02-12 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ回路、発光表示装置と及びそれらの駆動方法 |
KR101576813B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2015-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP5430846B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2014-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101441384B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2014-09-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP4917582B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-04-18 | 住友化学株式会社 | アクティブマトリクス基板、ディスプレイパネル、表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP4909323B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-04-04 | 住友化学株式会社 | アクティブマトリクス基板、ディスプレイパネル、表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
TWI424506B (zh) * | 2008-08-08 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2010038819A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR20200085934A (ko) * | 2008-10-03 | 2020-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
EP2172977A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP2172804B1 (en) * | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
CN101719493B (zh) * | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR102469154B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2022-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101631454B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리회로 |
JP4844617B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ基板および表示装置 |
JP5587592B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2014-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5587591B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2014-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
EP2515337B1 (en) * | 2008-12-24 | 2016-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
JP5607349B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI475616B (zh) * | 2008-12-26 | 2015-03-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101648927B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2016-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR20180112107A (ko) * | 2009-07-18 | 2018-10-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
TWI634642B (zh) * | 2009-08-07 | 2018-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
KR20120091243A (ko) * | 2009-10-30 | 2012-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102345456B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2021-12-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
-
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