JP2014225713A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014225713A5
JP2014225713A5 JP2014185212A JP2014185212A JP2014225713A5 JP 2014225713 A5 JP2014225713 A5 JP 2014225713A5 JP 2014185212 A JP2014185212 A JP 2014185212A JP 2014185212 A JP2014185212 A JP 2014185212A JP 2014225713 A5 JP2014225713 A5 JP 2014225713A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductivity type
well region
semiconductor layer
region
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014185212A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5931149B2 (ja
JP2014225713A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2014185212A priority Critical patent/JP5931149B2/ja
Priority claimed from JP2014185212A external-priority patent/JP5931149B2/ja
Publication of JP2014225713A publication Critical patent/JP2014225713A/ja
Publication of JP2014225713A5 publication Critical patent/JP2014225713A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5931149B2 publication Critical patent/JP5931149B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2014185212A 2010-04-26 2014-09-11 半導体装置 Active JP5931149B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014185212A JP5931149B2 (ja) 2010-04-26 2014-09-11 半導体装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010100553 2010-04-26
JP2010100553 2010-04-26
JP2010195358 2010-09-01
JP2010195358 2010-09-01
JP2014185212A JP5931149B2 (ja) 2010-04-26 2014-09-11 半導体装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012512749A Division JP5619152B2 (ja) 2010-04-26 2011-04-07 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014225713A JP2014225713A (ja) 2014-12-04
JP2014225713A5 true JP2014225713A5 (OSRAM) 2015-01-22
JP5931149B2 JP5931149B2 (ja) 2016-06-08

Family

ID=44861309

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012512749A Active JP5619152B2 (ja) 2010-04-26 2011-04-07 半導体装置
JP2014185212A Active JP5931149B2 (ja) 2010-04-26 2014-09-11 半導体装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012512749A Active JP5619152B2 (ja) 2010-04-26 2011-04-07 半導体装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8860039B2 (OSRAM)
JP (2) JP5619152B2 (OSRAM)
KR (1) KR101464846B1 (OSRAM)
CN (1) CN102859696B (OSRAM)
DE (1) DE112011101442B4 (OSRAM)
WO (1) WO2011135995A1 (OSRAM)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101230680B1 (ko) 2009-04-30 2013-02-07 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9190468B2 (en) * 2011-12-01 2015-11-17 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP2014038963A (ja) * 2012-08-17 2014-02-27 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2015053462A (ja) * 2013-08-06 2015-03-19 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US9214572B2 (en) 2013-09-20 2015-12-15 Monolith Semiconductor Inc. High voltage MOSFET devices and methods of making the devices
US9991376B2 (en) 2013-09-20 2018-06-05 Monolith Semiconductor Inc. High voltage MOSFET devices and methods of making the devices
JP6119564B2 (ja) * 2013-11-08 2017-04-26 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6183200B2 (ja) * 2013-12-16 2017-08-23 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
WO2015193965A1 (ja) * 2014-06-17 2015-12-23 株式会社日立製作所 半導体装置、パワーモジュール、電力変換装置、鉄道車両、および半導体装置の製造方法
JP6523621B2 (ja) * 2014-06-19 2019-06-05 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9293533B2 (en) * 2014-06-20 2016-03-22 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor switching devices with different local transconductance
US9985124B2 (en) 2014-06-27 2018-05-29 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide semiconductor device
JP2016058530A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2016058661A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体装置
WO2016052261A1 (ja) * 2014-10-01 2016-04-07 三菱電機株式会社 半導体装置
CN106158650A (zh) * 2015-04-16 2016-11-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶体管及其形成方法
WO2017064887A1 (ja) * 2015-10-16 2017-04-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP1555474S (OSRAM) * 2015-10-26 2016-08-08
JP1555473S (OSRAM) * 2015-10-26 2016-08-08
DE112016005685B4 (de) 2015-12-11 2025-01-09 Rohm Co., Ltd. Halbleiterbauteil und Leistungswandler
US10600871B2 (en) * 2016-05-23 2020-03-24 General Electric Company Electric field shielding in silicon carbide metal-oxide-semiconductor (MOS) device cells using body region extensions
US10892319B2 (en) * 2016-08-19 2021-01-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
WO2018037701A1 (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6844228B2 (ja) * 2016-12-02 2021-03-17 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR102056037B1 (ko) * 2017-02-14 2019-12-13 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6715210B2 (ja) * 2017-04-19 2020-07-01 株式会社豊田中央研究所 窒化物半導体装置の製造方法
JP7026314B2 (ja) * 2018-02-07 2022-02-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 炭化珪素半導体装置
US11075295B2 (en) * 2018-07-13 2021-07-27 Cree, Inc. Wide bandgap semiconductor device
JP2020072214A (ja) * 2018-11-01 2020-05-07 富士電機株式会社 窒化ガリウム系半導体装置
JP7070393B2 (ja) * 2018-12-25 2022-05-18 株式会社デンソー 半導体装置
JP6973422B2 (ja) * 2019-01-21 2021-11-24 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
CN111146291B (zh) * 2019-12-31 2025-09-02 北京燕东微电子科技有限公司 半导体器件及其制造方法
CN111192924B (zh) * 2019-12-31 2025-08-12 北京燕东微电子科技有限公司 半导体器件及其制造方法
CN111063740B (zh) * 2019-12-31 2025-03-28 北京燕东微电子科技有限公司 半导体器件及其制造方法
CN115053351A (zh) * 2020-02-13 2022-09-13 三菱电机株式会社 碳化硅半导体装置以及电力转换装置的制造方法
JP7381424B2 (ja) * 2020-09-10 2023-11-15 株式会社東芝 半導体装置
CN113644124B (zh) * 2021-08-20 2024-03-22 深圳市伟安特电子有限公司 新型的低噪声低损耗igbt
TWI819771B (zh) * 2022-09-01 2023-10-21 鴻揚半導體股份有限公司 半導體裝置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6439069A (en) 1987-04-14 1989-02-09 Nec Corp Field-effect transistor
JP2857200B2 (ja) 1990-02-06 1999-02-10 松下電子工業株式会社 半導体装置
JP3156300B2 (ja) * 1991-10-07 2001-04-16 株式会社デンソー 縦型半導体装置
JP4540146B2 (ja) * 1998-12-24 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
DE10008570B4 (de) 2000-02-24 2006-05-04 Infineon Technologies Ag Kompensations-Halbleiterbauelement
US6781194B2 (en) 2001-04-11 2004-08-24 Silicon Semiconductor Corporation Vertical power devices having retrograded-doped transition regions and insulated trench-based electrodes therein
US6784486B2 (en) 2000-06-23 2004-08-31 Silicon Semiconductor Corporation Vertical power devices having retrograded-doped transition regions therein
WO2002084745A2 (en) 2001-04-11 2002-10-24 Silicon Wireless Corporation Power semiconductor devices and methods of forming same
JP2003086800A (ja) 2001-09-12 2003-03-20 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
EP1267415A3 (en) 2001-06-11 2009-04-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor device having resurf layer
JP4537646B2 (ja) 2002-06-14 2010-09-01 株式会社東芝 半導体装置
JP4595327B2 (ja) * 2003-01-16 2010-12-08 富士電機システムズ株式会社 半導体素子
AU2003236078A1 (en) * 2003-04-10 2004-11-04 Fujitsu Limited Semiconductor device and its manufacturing method
JP2005333068A (ja) 2004-05-21 2005-12-02 Toshiba Corp 半導体装置
JP4996848B2 (ja) * 2005-11-30 2012-08-08 株式会社東芝 半導体装置
KR101007478B1 (ko) 2006-02-07 2011-01-12 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2007243092A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Toyota Motor Corp 半導体装置とその製造方法
JP2007281034A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Toshiba Corp 電力用半導体素子
JP4412344B2 (ja) * 2007-04-03 2010-02-10 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP2009004668A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP4786621B2 (ja) * 2007-09-20 2011-10-05 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP5046886B2 (ja) 2007-11-27 2012-10-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5693851B2 (ja) 2008-02-06 2015-04-01 ローム株式会社 半導体装置
KR101230680B1 (ko) 2009-04-30 2013-02-07 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5616665B2 (ja) * 2010-03-30 2014-10-29 ローム株式会社 半導体装置
US9006819B2 (en) 2010-04-06 2015-04-14 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device and method for manufacturing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014225713A5 (OSRAM)
JP2015057850A5 (OSRAM)
JP2015005734A5 (OSRAM)
SG10201805116YA (en) Semiconductor devices and manufacturing methods thereof
JP2016529720A5 (OSRAM)
JP2016506081A5 (OSRAM)
JP2016028423A5 (ja) トランジスタ
JP2015053477A5 (ja) 半導体装置
JP2012169610A5 (ja) 半導体装置
JP2015119178A5 (OSRAM)
JP2015135959A5 (ja) トランジスタ
JP2013190804A5 (OSRAM)
EP2963688A3 (en) Semiconductor device with a vertical channel
JP2013236068A5 (ja) 半導体装置
JP2018504778A5 (OSRAM)
JP2013115433A5 (ja) 半導体素子
EP2755237A3 (en) Trench MOS gate semiconductor device and method of fabricating the same
JP2013038402A5 (OSRAM)
JP2012256877A5 (ja) 半導体装置の作製方法、及び半導体装置
JP2012235153A5 (OSRAM)
JP2014033200A5 (OSRAM)
JP2018046255A5 (OSRAM)
GB2540285A (en) Carbon nanotube transistor having extended contacts
JP2015005732A5 (ja) 半導体装置
JP2012015502A5 (OSRAM)