JP2014209622A5 - - Google Patents

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様々な実験によって、プラズマグリッドを使用した結果、極めて良好な選択性、プロファイル角、Ｉ／Ｄローディング、中心からエッジへの均一性を伴うエッチングプロセスが得られることが示された。いくつかの例において、選択性（すなわち、Ｓｉのエッチング速度：酸化物のエッチング速度）は、約１０より大きいか、または約１００よりも大きい。実際に、いくつかの例では、プラズマグリッドを用いることで、無限大の選択性が得られる場合がある。このような場合、酸化物材料がエッチングされることは略なく、むしろ、酸化物表面に少量の堆積が生じることがある。多くのケースにおいて得られるプロファイル角は、略垂直（例えば、約８９°超）である。いくつかの実現形態において、Ｉ／Ｄローディングは、約２°未満であることが示された。また、いくつかの実現形態における中心からエッジへの均一性は、約２ｎｍ未満であった。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
プラズマを処理する方法であって、
反応チャンバ内に基板を受け取るステップであって、前記反応チャンバが、前記反応チャンバの内部を、プラズマ発生器の近傍の上部サブチャンバと、基板ホルダの近傍の下部サブチャンバと、に分割するグリッド構造を備えるステップと、
プラズマ発生ガスを前記上部サブチャンバに流すステップと、
前記上部サブチャンバ内で、前記プラズマ発生ガスから、第１の電子密度を有する第１のプラズマを発生させ、前記下部サブチャンバ内で、第２のプラズマを発生させるステップであって、前記第２のプラズマが、前記第１の電子密度の約１０分の１未満の第２の電子密度を有するイオン−イオンプラズマであるステップと、
前記第２のプラズマを用いて前記基板を処理して、ソースドレインリセスエッチング、ＦｉｎＦＥＴゲートエッチング、ダミーポリシリコン除去、シャロートレンチ・アイソレーション・エッチング、またはフォトレジスト・リフローでのステップを行うステップと
を含む方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、
前記第１のプラズマが、約２ｅＶ以上の第１の電子温度を有し、前記第２のプラズマが、約１ｅＶ以下の第２の実効電子温度を有する、方法。
適用例３：
適用例１または２の方法であって、
前記第２の電子密度が、約５×１０ 9 ｃｍ -3 以下である、方法。
適用例４：
適用例１から３のいずれか一項の方法であって、
前記第２のプラズマ中の負イオン：正イオンの比が、約０．５〜１の間である、方法。
適用例５：
適用例１から４のいずれか一項の方法であって、
ソースドレインリセスをエッチングするために行われ、
前記基板を垂直方向にエッチングするために第１のエッチングプロセスを行って、垂直エッチングフィーチャを形成するステップと、
前記垂直エッチングフィーチャの内部で前記基板を水平方向にエッチングするために、第２のエッチングプロセスを行うステップと、
前記垂直エッチングフィーチャ内部に酸化層を形成するために、酸化プロセスを行うステップと、
前記垂直エッチングフィーチャ内にソースドレインリセスを形成するために前記方法を繰り返すステップと、を含み、
前記第１のエッチングプロセス、第２のエッチングプロセス、および酸化プロセスがすべて、各プロセスでの前記第２のプラズマがイオン−イオンプラズマであるように、前記グリッド構造を有する前記反応チャンバ内で行われる、方法。
適用例６：
適用例５の方法であって、
前記第１のエッチングプロセスが、Ｃｌ 2 を含む第１のプラズマ発生ガスを用いて行われ、前記第２のエッチングプロセスが、ＮＦ 3 およびＣｌ 2 を含む第２のプラズマ発生ガスを用いて行われ、前記酸化プロセスが、酸素を含む第３のプラズマ発生ガスを用いて行われる、方法。
適用例７：
適用例５の方法であって、
凹角形状を有する垂直エッチングフィーチャを形成するために、前記方法が繰り返される、方法。
適用例８：
適用例１から７のいずれか一項の方法であって、
シャロートレンチ・アイソレーション・エッチングを行うために行われ、
前記プラズマ発生ガスが、ＨＢｒを含み、
前記基板が、前記エッチング中に約３００〜１２００Ｖの間にバイアスされる、方法。
適用例９：
適用例８の方法であって、
前記プラズマ発生ガスが、約５０〜５００ｓｃｃｍの間の流量で流れ、さらに、Ｃｌ 2 を含む、方法。
適用例１０：
適用例８の方法であって、
前記エッチングプロセスが、少なくとも第１のフィーチャ形状と第２のフィーチャ形状を同時にエッチングするステップを含み、前記第１のフィーチャ形状が、約１０以上のアスペクト比を有し、前記第２のフィーチャ形状が、約１以下のアスペクト比を有し、
エッチング後、前記第１のフィーチャのエッチング深さが、前記第２のフィーチャの前記エッチング深さの少なくとも約９５％である、方法。
適用例１１：
適用例１０の方法であって、
エッチング後、前記第１のフィーチャが、少なくとも約８８°のエッチングプロファイルを有し、前記第２のフィーチャが、少なくとも約８５°のエッチングプロファイルを有する、方法。
適用例１２：
適用例１から１１のいずれか一項の方法であって、
フォトレジスト・リフロープロセスを行うために行われ、
前記反応チャンバ内に受け取られる前記基板が、パターン形成されたフォトレジストを上に有し、
前記フォトレジスト・リフロープロセスが、
前記基板上の前記パターン形成されたフォトレジストをリフローするために、第１のプラズマプロセスを行うステップと、
前記基板上のフット領域内のフォトレジストの一部分を除去するために、第２のプラズマプロセスを行うステップと、を含み、
前記第１のプラズマプロセスと第２のプラズマプロセスがどちらも、前記グリッドを有する前記反応チャンバ内で行われ、
前記第１のプラズマプロセスおよび前記第２のプラズマプロセス中の前記第２のプラズマが、イオン−イオンプラズマである、方法。
適用例１３：
適用例１２の方法であって、
前記第１のプラズマプロセス中の前記プラズマ発生ガスが、Ｈ 2 を含み、前記第２のプラズマプロセス中の前記プラズマ発生ガスが、不活性ガスを含む、方法。
適用例１４：
適用例１３の方法であって、
前記第１および第２のプラズマプロセス後の前記パターン形成されたフォトレジストの最終的な高さが、前記第１および第２のプラズマプロセス前の前記パターン形成されたフォトレジストの初期高さの少なくとも約５０％であり、前記第１および第２のプラズマプロセス後の最終的な線幅粗さが、前記第１および第２のプラズマプロセス前の初期線幅粗さの約７５％以下である、方法。
適用例１５：
ＦｉｎＦＥＴゲート領域を画定するために、半製造された集積回路上のポリシリコンをエッチングする方法であって、
上にポリシリコンの層を有する基板を反応チャンバ内に受け取るステップであって、前記反応チャンバが、前記反応チャンバの内部を、プラズマ発生器の近傍の上部サブチャンバと、基板ホルダの近傍の下部サブチャンバと、に分割するグリッド構造を備えるステップと、
プラズマ発生ガスを前記上部サブチャンバに流すステップと、
前記上部サブチャンバ内で前記プラズマ発生ガスから第１のプラズマを発生させ、前記下部サブチャンバ内で第２のプラズマを発生させるステップであって、前記第２のプラズマが、イオン−イオンプラズマであるステップと、
前記基板に提供された前記ポリシリコン層をエッチングし、それによりＦｉｎＦＥＴゲート領域を画定するステップと、を含む方法。
適用例１６：
適用例１５の方法であって、
前記ポリシリコン層をエッチングし、それによりＦｉｎＦＥＴゲート領域を画定するステップが、前記ポリシリコンをエッチングして、完成された集積回路においてＦｉｎＦＥＴゲートの近傍となる位置にキャビティを形成するステップを含む、方法。
適用例１７：
適用例１６の方法であって、
前記ポリシリコン層の上に位置決めされたマスク層の厚さが、前記エッチング中に約１０％未満だけ減少する、方法。
適用例１８：
適用例１６の方法であって、
前記エッチング中の前記反応チャンバ内の圧力が、約５〜２０ｍＴｏｒｒの間である、方法。
適用例１９：
適用例１６の方法であって、
オンフィン領域とオフフィン領域との間のエッチングプロファイル・ローディングが、実質的に存在しない、方法。
適用例２０：
適用例１９の方法であって、
前記エッチングされた領域の側壁が、エッチング中に凹まない、方法。
適用例２１：
適用例１５から２０のいずれか一項の方法であって、
前記ポリシリコン層をエッチングし、それによりＦｉｎＦＥＴゲート領域を画定するステップが、前記ポリシリコンをエッチングして、完成された集積回路においてＦｉｎＦＥＴゲートが配される位置にキャビティを形成するステップを含む、方法。
適用例２２：
ＨＢｒを含む第１のプラズマ発生ガスを用いた第１の繰返しと、Ｃｌ 2 を含む第２のプラズマ発生ガスを用いた第２の繰返しとで行われ、前記第１および第２のプラズマ発生ガスが、実質的に酸素含有反応物を含まない適用例２１の方法。
適用例２３：
適用例２２の方法であって、
前記反応チャンバ内の圧力が、前記第１の繰返し中に約２０〜８０ｍＴｏｒｒの間であり、前記第２の繰返し中に約４〜８０ｍＴｏｒｒの間である、方法。
適用例２４：
適用例２１の方法であって、
異なるフィーチャ密度で配されたエッチング後の複数のフィーチャの間のエッチングプロファイル・ローディングが、実質的に存在しない、方法。
適用例２５：
適用例１５から２４のいずれか一項の方法であって、
前記第２のプラズマでの実効電子温度が、約１ｅＶ以下であり、前記第１のプラズマでの実効電子温度未満である、方法。
適用例２６：
適用例２５の方法であって、
前記第２のプラズマでの電子密度が、約５×１０ 9 ｃｍ -3 以下であり、前記第１のプラズマ内での電子密度よりも小さい、方法。
適用例２７：
適用例１５から２６のいずれか一項の方法であって、
前記グリッド構造が、２つ以上のグリッドを備え、前記グリッドの少なくとも１つが、他のものに対して移動可能である、方法。

Claims (53)

  1. プラズマを処理する方法であって、
    反応チャンバ内に基板を受け取るステップであって、前記反応チャンバが、前記反応チャンバの内部を、プラズマ発生器の近傍の上部サブチャンバと、基板ホルダの近傍の下部サブチャンバと、に分割するグリッド構造を備えるステップと、
    プラズマ発生ガスを前記上部サブチャンバに流すステップと、
    前記上部サブチャンバ内で、前記プラズマ発生ガスから、第１の電子密度を有する第１のプラズマを発生させ、前記下部サブチャンバ内で、第２のプラズマを発生させるステップであって、前記第２のプラズマが、前記第１の電子密度の約１０分の１未満の第２の電子密度を有するイオン−イオンプラズマであるステップと、
    前記第２のプラズマを用いて前記基板を処理して、ソースドレインリセスエッチングでのステップを行うステップであって、
    （ａ）前記基板を垂直方向にエッチングするために第１のエッチングプロセスを行って、垂直エッチングフィーチャを形成するステップと、
    （ｂ）前記垂直エッチングフィーチャの内部で前記基板を水平方向にエッチングするために、第２のエッチングプロセスを行うステップと、
    （ｃ）前記垂直エッチングフィーチャ内部に酸化層を形成するために、酸化プロセスを行うステップと、
    （ｄ）前記垂直エッチングフィーチャ内にソースドレインリセスを形成するために（ａ）〜（ｃ）を少なくとも１回繰り返すステップと、を含むステップとを含み、
    前記第１のエッチングプロセス、第２のエッチングプロセス、および酸化プロセスがすべて、各プロセスでの前記第２のプラズマがイオン−イオンプラズマであるように、前記グリッド構造を有する前記反応チャンバ内で行われる、方法。
  2. 請求項１に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマが、約２ｅＶ以上の第１の電子温度を有し、前記第２のプラズマが、約１ｅＶ以下の第２の実効電子温度を有する、方法。
  3. 請求項１に記載の方法であって、
    前記第２の電子密度が、約５×１０9ｃｍ-3以下である、方法。
  4. 請求項１に記載の方法であって、前記第２のプラズマ中の負イオン：正イオンの比が、約０．５〜１の間である、方法。
  5. 請求項１に記載の方法であって、
    前記垂直エッチングフィーチャが、（ｃ）の後に凹角形状を有する、方法。
  6. プラズマを処理する方法であって、
    反応チャンバ内に基板を受け取るステップであって、前記反応チャンバの内部を、プラズマ発生器の近傍の上部サブチャンバと、基板ホルダの近傍の下部サブチャンバと、に分割するグリッド構造を、前記反応チャンバが備える、ステップと、
    プラズマ発生ガスを前記上部サブチャンバに流すステップと、
    前記上部サブチャンバ内で、前記プラズマ発生ガスから、第１の電子密度を有する第１のプラズマを発生させ、前記下部サブチャンバ内で、第２のプラズマを発生させるステップであって、前記第２のプラズマが、前記第１の電子密度の少なくとも約１０分の１未満の第２の電子密度を有するイオン−イオンプラズマであり、前記第１のプラズマが、誘導結合プラズマであるステップと、
    前記第２のプラズマを用いて前記基板を処理して、シャロートレンチ・アイソレーション・エッチングを行うステップと、を含み、
    前記基板が、前記エッチング中に約３００〜１２００Ｖの間にバイアスされる、方法。
  7. 請求項６に記載の方法であって、
    前記エッチングプロセスが、少なくとも第１のフィーチャ形状と第２のフィーチャ形状を同時にエッチングするステップを含み、前記第１のフィーチャ形状が、約１０以上のアスペクト比を有し、前記第２のフィーチャ形状が、約１以下のアスペクト比を有し、
    エッチング後、前記第１のフィーチャのエッチング深さが、前記第２のフィーチャの前記エッチング深さの少なくとも約９５％である、方法。
  8. ＦｉｎＦＥＴゲート領域を画定するために、半製造された集積回路上のポリシリコンをエッチングする方法であって、
    （ａ）上にポリシリコン層を有する基板を反応チャンバ内に受け取るステップであって、前記反応チャンバが、前記反応チャンバの内部を、プラズマ発生器の近傍の上部サブチャンバと、基板ホルダの近傍の下部サブチャンバと、に分割するグリッド構造を備えるステップと、
    （ｂ）プラズマ発生ガスを前記上部サブチャンバに流すステップと、
    （ｃ）前記上部サブチャンバ内で前記プラズマ発生ガスから第１のプラズマを発生させ、前記下部サブチャンバ内で第２のプラズマを発生させるステップであって、前記第２のプラズマが、イオン−イオンプラズマであるステップと、
    （ｄ）前記基板に提供された前記ポリシリコン層をエッチングし、それによりＦｉｎＦＥＴゲート領域を画定するステップと、
    （ｅ）（ａ）〜（ｄ）を繰り返すステップと、を含み、
    （ａ）〜（ｄ）の第１の繰り返し中において、前記プラズマ発生ガスが、第１の組成を有する第１のプラズマ発生ガスであり、（ａ）〜（ｄ）の第２の繰り返し中において、前記プラズマ発生ガスが、第２の組成を有する第２のプラズマ発生ガスであり、前記第１の組成が、前記第２の組成と異なる、方法。
  9. 請求項８に記載の方法であって、
    （ｄ）において前記ポリシリコン層をエッチングするステップが、完成された集積回路においてＦｉｎＦＥＴゲートの近傍となる位置にキャビティを形成する、方法。
  10. 請求項９に記載の方法であって、
    前記エッチング中の前記反応チャンバ内の圧力が、約５〜２０ｍＴｏｒｒの間である、方法。
  11. 請求項９に記載の方法であって、
    オンフィン領域とオフフィン領域との間のエッチングプロファイル・ローディングが、実質的に存在しない、方法。
  12. 請求項８に記載の方法であって、
    （ｄ）において前記ポリシリコン層をエッチングするステップが、完成された集積回路においてＦｉｎＦＥＴゲートが配される位置にキャビティを形成する、方法。
  13. 前記第１のプラズマ発生ガスがＨＢｒを含み、前記第２のプラズマ発生ガスがＣｌ 2 を含み、前記第１および第２のプラズマ発生ガスが、実質的に酸素含有反応物を含まない請求項１２に記載の方法。
  14. 請求項１３に記載の方法であって、
    前記反応チャンバ内の圧力が、前記第１の繰り返し中に約２０〜８０ｍＴｏｒｒの間であり、前記第２の繰り返し中に約４〜８０ｍＴｏｒｒの間である、方法。
  15. 請求項８に記載の方法であって、
    前記第２のプラズマでの実効電子温度が、約１ｅＶ以下であり、前記第１のプラズマでの実効電子温度未満である、方法。
  16. 請求項１５に記載の方法であって、
    前記第２のプラズマでの電子密度が、約５×１０9ｃｍ-3以下であり、前記第１のプラズマ内での電子密度よりも小さい、方法。
  17. 請求項８に記載の方法であって、
    前記グリッド構造が、２つ以上のグリッドを備え、前記グリッドの少なくとも１つが、他のものに対して移動可能である、方法。
  18. 請求項１に記載の方法であって、
    （ａ）における前記第１のエッチングプロセスが、第１のプラズマ発生ガスを用いて行われ、（ｂ）における前記第２のエッチングプロセスが、第２のプラズマ発生ガスを用いて行われ、前記第１のプラズマ発生ガスの組成が、前記第２のプラズマ発生ガスの組成と異なり、（ｃ）における前記酸化プロセスが、酸素を含む第３のプラズマ発生ガスを用いて行われる、方法。
  19. 請求項１８に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスが、Ｃｌ 2 を含み、前記第２のプラズマ発生ガスが、ＮＦ 3 およびＣｌ 2 を含む、方法。
  20. 請求項６に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマが、約２ｅＶ以上の第１の電子温度を有し、前記第２のプラズマが、約１ｅＶ以下の第２の実効電子温度を有する、方法。
  21. 請求項６に記載の方法であって、
    前記第２の電子密度が、約５×１０ 9 ｃｍ -3 以下である、方法。
  22. 請求項６に記載の方法であって、
    前記第２のプラズマ中の負イオン：正イオンの比が、約０．５〜１の間である、方法。
  23. 請求項６に記載の方法であって、さらに、
    前記基板に印加された前記バイアスをパルス化するステップを含む、方法。
  24. 請求項６に記載の方法であって、
    前記基板に印加された前記バイアスが、ＤＣバイアスである、方法。
  25. 請求項７に記載の方法であって、
    エッチング後、前記第１のフィーチャが、少なくとも約８８°のエッチングプロファイルを有し、前記第２のフィーチャが、少なくとも約８５°のエッチングプロファイルを有する、方法。
  26. 請求項９に記載の方法であって、
    前記ポリシリコン層の上に位置決めされたマスク層の厚さが、（ｄ）における前記エッチング中に約１０％未満だけ減少する、方法。
  27. 請求項８に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマが、連続波プラズマである、方法。
  28. 請求項８に記載の方法であって、
    異なるフィーチャ密度で配された前記基板上に位置するエッチング後の複数のフィーチャの間のエッチングプロファイル・ローディングが、実質的に存在しない、方法。
  29. 請求項８に記載の方法であって、
    前記反応チャンバ内の圧力が、（ａ）〜（ｄ）の前記第１の繰り返し中に約２０〜８０ｍＴｏｒｒの間であり、（ａ）〜（ｄ）の前記第２の繰り返し中に約４〜８０ｍＴｏｒｒの間である、方法。
  30. 請求項１１に記載の方法であって、
    前記エッチングされた領域の側壁が、エッチング中に凹まない、方法。
  31. フォトレジストをリフローする方法であって、
    反応チャンバ内にパターン形成されたフォトレジストを有する基板を受け取るステップであって、前記反応チャンバが、前記反応チャンバの内部を、プラズマ発生器の近傍の上部サブチャンバと、基板ホルダの近傍の下部サブチャンバと、に分割するグリッド構造を備えるステップと、
    第１のプラズマ発生ガスを前記上部サブチャンバに流すステップと、
    前記上部サブチャンバ内で、前記第１のプラズマ発生ガスから、第１の電子密度を有する第１のプラズマを発生させ、前記下部サブチャンバ内で、第２のプラズマを発生させるステップであって、前記第２のプラズマが、前記第１の電子密度の約１０分の１未満の第２の電子密度を有するイオン−イオンプラズマであるステップと、
    前記フォトレジストを平滑化するために前記基板を前記第２のプラズマに曝すステップと、
    第２のプラズマ発生ガスを前記上部サブチャンバに流すステップと、
    前記上部サブチャンバ内で、前記第２のプラズマ発生ガスから、第３の電子密度を有する第３のプラズマを発生させ、前記下部サブチャンバ内で第４のプラズマを発生させるステップであって、前記第４のプラズマが、前記第３の電子密度の少なくとも約１０分の１未満の第４の電子密度を有するイオン−イオンプラズマであるステップと、
    前記基板を前記第４のプラズマに曝すステップと、を含み、
    前記基板を前記第２のプラズマに曝す前は、前記フォトレジストが、初期線幅粗さを有し、前記基板を前記第４のプラズマに曝した後は、前記フォトレジストが、前記初期線幅粗さの約７５％以下である最終的な線幅粗さを有する、方法。
  32. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記基板を前記第４のプラズマに曝すステップが、前記フォトレジストのフット領域内のフォトレジストを除去する、方法。
  33. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスが、Ｈ 2 、Ａｒ、ＨＢｒ、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つのガスを含む、方法。
  34. 請求項３３に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスが、さらに、Ｎ 2 および／またはＨｅＳＴＧを含む、方法。
  35. 請求項３３に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスが、Ｈ 2 を含む、方法。
  36. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記第２のプラズマ発生ガスが、Ａｒ、ＨＢｒ、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つのガスを含む、方法。
  37. 請求項３６に記載の方法であって、
    前記第２のプラズマ発生ガスが、Ａｒを含む、方法。
  38. 請求項３７に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスが、Ｈ 2 を含む、方法。
  39. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記基板を前記第２のプラズマに曝すステップが、（ｉ）前記フォトレジストの平滑化、および（ｉｉ）前記フォトレジストのフット領域内の前記フォトレジストの除去、の両方を行う方法。
  40. 請求項３９に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスが、Ｈ 2 、Ｎ 2 、ＨｅＳＴＧを含む、方法。
  41. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記フォトレジストが、極端紫外線フォトレジストを含む、方法。
  42. 請求項３１に記載の方法であって、さらに、
    前記基板が前記第４のプラズマに曝されている間に、約２００Ｖ以下のバイアス電圧を前記基板に印加することを含む、方法。
  43. 請求項４２に記載の方法であって、
    前記バイアス電圧が、約３０Ｖよりも大きい、方法。
  44. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記基板を前記第２のプラズマに曝す前は、前記フォトレジストが、初期高さを有し、
    前記基板を前記第４のプラズマに曝した後は、前記フォトレジストが、前記初期高さの少なくとも約５０％である最終的な高さを有する、方法。
  45. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記最終的な線幅粗さが、前記初期線幅粗さの約６５％以下である、方法。
  46. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマが、約２ｅＶ以上の第１の電子温度を有し、前記第２のプラズマが、約１ｅＶ以下の第２の実効電子温度を有する、方法。
  47. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記第２の電子密度が、約５×１０9ｃｍ-3以下である、方法。
  48. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記第２のプラズマ中の負イオン：正イオンの比が、約０．５〜１の間である、方法。
  49. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマが、約３００〜１０００ワット／基板の電力で生成される誘導結合プラズマである、方法。
  50. 請求項４９に記載の方法であって、
    前記基板に印加されたバイアスが、約５０〜２００Ｖの間である、方法。
  51. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記フォトレジストの平滑化後、前記基板が、約３．０ｎｍ未満の線幅粗さを有する、方法。
  52. 請求項３１に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスおよび前記第２のプラズマ発生ガスが、異なる組成を有する、方法。
  53. 請求項５２に記載の方法であって、
    前記第１のプラズマ発生ガスがＨ 2 を含み、前記第２のプラズマ発生ガスがＨ 2 を含まない、方法。
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