JP2014093514A - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、セラミック素体と、互いに重なる領域を有し、上記重なる領域が上記セラミック素体の一面に露出する第１及び第２リード部をそれぞれ有する第１及び第２内部電極と、上記セラミック素体の一面に形成され、上記第１及び第２リード部にそれぞれ連結される第１及び第２リード連結部と、上記第１及び第２リード連結部の一端から上記セラミック素体の上記第１及び第２リード部が露出する面に垂直な一面に延長し、外部に露出する第１及び第２外部端子部と、をそれぞれ含む第１及び第２外部電極と、上記セラミック素体の一面に形成され、上記セラミック素体の一面に露出する上記第１及び第２リード部と上記第１及び第２リード連結部を覆う第１絶縁層と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。

セラミック材料を用いる電子部品としては、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスター及びサーミスタなどが挙げられる。

上記セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ；Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、小型で、かつ、高容量が保障されて、実装が容易な利点を有する電子部品である。

上記積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末（ＰＤＡ；Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）及び携帯電話など多くの電子製品の回路基板に装着されて電気を充電または放電する機能を果すチップ形態のコンデンサである。

上記積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層と、一つの誘電体層を挟んで対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続される外部電極と、を含むことができる。

近年、電子製品の小型化に伴い、このような電子製品に用いられる積層セラミックキャパシタにも超小型化及び超高容量化が要求されている。

これに対して、製品の超小型化のために誘電体層及び内部電極の厚さを薄くし、製品の超高容量化のために内部電極が形成された誘電体層の積層数を増加させたセラミックキャパシタが製造されているが、このような構成だけで製品の容量を増加させるには限界があった。

一方、従来技術には、内部電極を何れか一つの同一面（下面）に露出して下面実装を可能にした積層セラミックキャパシタが開示されている。

しかし、従来の積層セラミックキャパシタは、内部電極が実装面に対して垂直に配置されるため、水平実装が要求されるところに適用することが困難であるという問題点があった。

下記の先行技術文献１及び先行技術文献２には、第１及び第２内部電極の引き出し部が誘電体層の端部を介して露出し、第１及び第２外部電極もセラミック素体の両端部に上記第１及び第２内部電極の引き出し部と電気的に連結されるように形成される構造について開示されている。

韓国特許登録公報第１０−０５８７００６号 韓国特許登録公報第１０−１１４１４３４号

本発明は、優れた静電容量を有し、内部電極を水平に配置して下面実装を可能にした積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面は、セラミック素体と、互いに重なる領域を有し、上記重なる領域が上記セラミック素体の一面に露出する第１及び第２リード部をそれぞれ有する第１及び第２内部電極と、上記セラミック素体の一面に形成され、上記第１及び第２リード部にそれぞれ連結される第１及び第２リード連結部と、上記第１及び第２リード連結部の一端から上記セラミック素体の上記第１及び第２リード部が露出する面に垂直な一面に延長し、外部に露出する第１及び第２外部端子部と、をそれぞれ含む第１及び第２外部電極と、上記セラミック素体の一面に形成され、上記セラミック素体の一面に露出する上記第１及び第２リード部と上記第１及び第２リード連結部を覆う第１絶縁層と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２内部電極は、上記セラミック素体の上記第１及び第２外部端子部が形成される面に対して水平に配置されることができる。

本発明の一実施例において、上記第１リード連結部は上記第１リード部の上記第２リード部と重ならない領域に連結され、上記第２リード連結部は上記第２リード部の上記第１リード部と重ならない領域に連結されることができる。

本発明の一実施例において、上記第１絶縁層は、上記第１及び第２リード部と、上記第１及び第２リード連結部を全て覆うように形成されることができる。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２外部電極は、上記第１及び第２リード連結部の他端から上記セラミック素体の上記第１及び第２外部端子部が形成される面に対向する面に延長し、外部に露出する第３及び第４外部端子部をそれぞれさらに含むことができる。

本発明の一実施例において、上記第１内部電極は上記セラミック素体の一面に露出する二つ以上の第１リード部を有し、上記複数の第１リード部は上記第２リード部とそれぞれ重なる領域を形成し、上記追加された第１リード部に連結される第１外部電極をさらに含むことができる。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２内部電極は、上記セラミック素体の一面に対向する他面に露出する第３及び第４リード部をそれぞれ有し、上記第３及び第４リード部が互いに重なる領域を有することができる。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２外部電極は、上記セラミック素体の一面に対向する他面に形成され、上記第３及び第４リード部にそれぞれ連結され、上記第１及び第２外部端子部の一端にそれぞれ連結される第３及び第４リード連結部をそれぞれさらに含むことができる。

本発明の一実施例において、上記第３リード連結部は、上記第３リード部の上記第４リード部と重ならない領域に連結され、上記第４リード連結部は、上記第４リード部の上記第３リード部と重ならない領域に連結されることができる。

本発明の一実施例において、上記セラミック素体の一面に対向する他面に形成され、上記セラミック素体の他面に露出する上記第３及び第４リード部と、上記第３及び第４リード連結部を覆う第２絶縁層をさらに含むことができる。

本発明の一実施例において、上記第２絶縁層は、上記第３及び第４リード部と、上記第３及び第４リード連結部を全て覆うように形成されることができる。

本発明の他の側面は、第１セラミックシート上に、第１リード部が上記第１セラミックシートの一端面を介して露出するように第１内部電極を形成する段階と、第２セラミックシート上に、第２リード部が上記第１リード部と互いに重なる領域を有し、上記第２セラミックシートの一端面を介して露出するように第２内部電極を形成する段階と、上記第１及び第２内部電極が形成された上記第１及び第２セラミックシートを交互に複数個積層して焼成し、セラミック素体を形成する段階と、上記セラミック素体の一面に、上記第１及び第２リード部にそれぞれ連結されるように第１及び第２リード連結部を形成する段階と、上記セラミック素体の上記第１及び第２リード部が露出する面に垂直な一面に上記第１及び第２リード連結部の一端から延長し、外部に露出する第１及び第２外部端子部を形成する段階と、上記セラミック素体の一面に、上記第１及び第２リード部と上記第１及び第２リード連結部を覆うように第１絶縁層を形成する段階と、を含む積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２リード連結部を形成する段階において、上記第１リード連結部は、上記セラミック素体の一面における上記第１リード部の上記第２リード部と重ならない領域に、上記第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って形成され、上記第２リード連結部は、上記セラミック素体の一面における上記第２リード部の上記第１リード部と重ならない領域に、上記第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って形成されることができる。

本発明の一実施例において、上記第１絶縁層を形成する段階は、上記セラミック素体の一面に、上記第１及び第２リード部と、上記第１及び第２リード連結部を全て覆うようにセラミックスラリーを塗布して形成することができる。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２外部端子部を形成する段階後に、上記第１及び第２外部端子部が形成される面に対向する面に、上記第１及び第２リード連結部の他端から延長し、外部に露出する第３及び第４外部端子部を形成する段階をさらに含むことができる。

本発明の一実施例において、上記第１内部電極を形成する段階は、上記第１セラミックシートの一端面を介して露出するように二つ以上の第１リード部を形成し、上記複数の第１リード部が上記第２リード部とそれぞれ重なる領域を有するように形成し、上記第１リード連結部及び上記第１外部端子部を形成する段階において、上記追加された第１リード部に連結される第１リード連結部及び第１外部端子部をさらに形成することができる。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２内部電極を形成する段階は、上記第１及び第２セラミックシートの一端面に対向する他端面を介して露出する第３及び第４リード部をそれぞれさらに形成し、上記第３及び第４リード部が互いに重なる領域を有するように形成することができる。

本発明の一実施例において、上記第１及び第２リード部を形成する段階後に、上記セラミック素体の一面に対向する他面に、上記第３及び第４リード部にそれぞれ連結され、上記第１及び第２外部端子部の一端にそれぞれ連結される第３及び第４リード連結部を形成する段階をさらに含むことができる。

本発明の一実施例において、上記第３及び第４リード連結部を形成する段階において、上記第３リード連結部は、上記セラミック素体の他面における上記第３リード部の上記第４リード部と重ならない領域に、上記第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って形成され、上記第４リード連結部は、上記セラミック素体の他面における上記第４リード部の上記第３リード部と重ならない領域に、上記第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って形成されることができる。

本発明の一実施例において、上記第１絶縁層を形成する段階後に、上記セラミック素体の一面に対向する他面に、上記第３及び第４リード部と、上記第３及び第４リード連結部を全て覆うようにセラミックスラリーを塗布して第２絶縁層を形成する段階をさらに含むことができる。

本発明の一実施形態によると、第１及び第２内部電極が重なる部分を最大化して積層セラミックキャパシタの容量を増加させることができるという効果がある。

また、内部電極を幅マージンなしに形成し、セラミック素体の内部電極が露出する面に絶縁層を形成することにより、マージンのアライメントを考慮することなく、使用者が所望する所定の厚さにマージンを形成することができるという効果がある。

また、内部電極が実装面となる外部端子部に対して水平に配置されることにより、積層セラミックキャパシタが基板上に水平に実装されてフィレットの高さを低減させることができ、超高容量の機種で発生するアコースティックノイズを低減させることができるという効果がある。

本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す透明斜視図である。 図１の積層セラミックキャパシタを実装方向に示す透明斜視図である。 図１の積層セラミックキャパシタの第１及び第２内部電極の構造を示す横断面図である。 図３に第１絶縁層をさらに形成した構造を示す横断面図である。 図１の積層セラミックキャパシタの形成過程を順に説明するための斜視図である。 図１の積層セラミックキャパシタの形成過程を順に説明するための斜視図である。 図１の積層セラミックキャパシタの形成過程を順に説明するための斜視図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。 図６の積層セラミックキャパシタから第１絶縁層を除去した状態を示す斜視図である。 図６の積層セラミックキャパシタの第１及び第２内部電極の構造を示す横断面図である。 図８に第１絶縁層をさらに形成した構造を示す横断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す透明斜視図である。 図１０の積層セラミックキャパシタから第１絶縁層を除去した状態を示す透明斜視図である。 図１０の積層セラミックキャパシタの第１及び第２内部電極の構造を示す横断面図である。 図１０に第１及び第２絶縁層をさらに形成した構造を示す横断面図である。 図１０の積層セラミックキャパシタを製造する過程のうちＢＭＰ（ｂｉｓｃｕｉｔ ｍａｒｇｉｎ ｐｕｎｃｈｉｎｇ）法により第１及び第２絶縁層を形成する過程を順に説明するための平面図である。 図１０の積層セラミックキャパシタを製造する過程のうちＢＭＰ（ｂｉｓｃｕｉｔ ｍａｒｇｉｎ ｐｕｎｃｈｉｎｇ）法により第１及び第２絶縁層を形成する過程を順に説明するための平面図である。 図１０の積層セラミックキャパシタを製造する過程のうちＢＭＰ（ｂｉｓｃｕｉｔ ｍａｒｇｉｎ ｐｕｎｃｈｉｎｇ）法により第１及び第２絶縁層を形成する過程を順に説明するための平面図である。

以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。

しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。

また、本発明の実施形態は当該技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

図面に図示された構成要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがある。

図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す透明斜視図であり、図２は図１の積層セラミックキャパシタを実装方向に示す透明斜視図であり、図３は図１の積層セラミックキャパシタの第１及び第２内部電極の構造を示す横断面図であり、図４は図３に第１絶縁層をさらに形成した構造を示す横断面図であり、図５ａから図５ｃは図１の積層セラミックキャパシタの形成過程を順に示す斜視図である。

本発明の一実施形態によると、ｘ−方向は第１及び第２外部電極が所定の間隔おきに形成される方向であり、ｙ−方向は第１及び第２内部電極１２１、１２２が誘電体層１１１を挟んで積層される方向であり、ｚ−方向は第１及び第２内部電極１２１、１２２が形成されるセラミック素体１１０の幅方向であることができる。

本実施形態による積層セラミックキャパシタは２端子水平積層型キャパシタであることができる。

「水平積層型（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｌｙ ｌａｍｉｎａｔｅｄ ｏｒ ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ）」とは、キャパシタ内の積層された内部電極が回路基板の実装領域面に水平に配置されることを意味し、「２端子（２−ｔｅｒｍｉｎａｌ）」とは、キャパシタの端子として二つの端子が回路基板に接続されることを意味する。

図１から図５ｃを参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、セラミック素体１１０と、セラミック素体１１０の内部に形成される第１及び第２内部電極１２１、１２２と、セラミック素体１１０の一面に形成される絶縁層１４０と、第１及び第２外部電極と、を含むことができる。

本実施形態において、セラミック素体１１０は、互いに対向する第１面１及び第２面２と、第１面１及び第２面２を連結する第３面３、第４面４、第５面５及び第６面６と、を有することができる。

この際、セラミック素体１１０の形状は特に制限されないが、図示されたように、第１面〜第６面を有する六面体状であることができる。また、本発明の一実施形態によると、セラミック素体１１０の第５面５は、回路基板の実装領域に配置される実装面になることができる。

また、セラミック素体１１０の寸法は特に制限されず、例えば、０．６ｍｍ×０．３ｍｍの大きさに構成して１．０μＦ以上の高容量を有する積層セラミックキャパシタ１００を構成することができる。

このようなセラミック素体１１０は、複数の誘電体層１１１を積層してから焼成して形成することができる。

この際、セラミック素体１１０を構成する複数の誘電体層１１１は焼結された状態であり、隣接する誘電体層１１１同士の境界が確認できないほど一体化していることができる。

誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤及び有機バインダーを含むセラミックグリーンシートの焼成により形成されることができる。上記セラミック粉末は、高い誘電率を有する物質であって、これに制限されるものではないが、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系材料、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）系材料などを用いることができる。

第１及び第２内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１を形成するセラミックシート上に形成され、一つの誘電体層１１１を挟んで互いに対向するようにセラミック素体１１０のｙ−方向に積層されることができる。

このような第１及び第２内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１の少なくとも一面に導電性金属を含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。

上記導電性金属は、これに制限されるものではないが、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、またはこれらの合金であることができる。

また、上記導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などが挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。

また、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、互いに異なる極性を有する一対の電極からなることができ、誘電体層１１１の積層方向に沿って互いに対向するように配置されることができ、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に絶縁される。

本実施形態によると、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、積層セラミックキャパシタの実装面、即ち、第５面５に対して水平に配置されることができる。

本実施形態において、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、互いに異なる極性を有する第１及び第２外部電極に連結されるためにそれぞれ第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａを有し、第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａは、セラミック素体１１０の第１面１に露出することができる。

本発明の一実施形態によると、第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａは、第１及び第２内部電極１２１、１２２を形成する導体パターンのうち幅（Ｗ）が増加してセラミック素体１１０の第１面１に露出する領域を意味することができる。

通常、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、互いに重なる領域により静電容量を形成し、互いに異なる極性を有する第１及び第２外部電極に連結される第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａは重なる領域を有しない。

しかし、本実施形態によると、第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａは、互いに重なる領域を有することができる。即ち、第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａは第１面１に露出し、露出した領域の一部が重なってキャパシタの静電容量を増加させることができる。

図３の右側の図面は、第２内部電極１２２と重なる第１内部電極１２１を点線で表示しており、左側の図面は、第１内部電極１２１と重なる第２内部電極１２２を点線で表示している。

第１及び第２外部電極は、第１及び第２リード部にそれぞれ連結される第１及び第２リード連結部１３３、１３４と、第１及び第２リード連結部１３３、１３４の一端からセラミック素体１１０の第５面５に折り曲げられて延長される第１及び第２外部端子部１３１、１３２と、を含むことができる。

第１リード連結部１３３は、それぞれの第１リード部１２１ａの第２リード部１２２ａと重ならない領域に垂直に連結され、第２リード連結部１３４は、それぞれの第２リード部１２２ａの第１リード部１２１ａと重ならない領域に垂直に連結されることができる。

第１及び第２外部端子部１３１、１３２は、セラミック素体１１０の第５面５に外部に露出するように形成され、セラミック素体１１０の第５面５が実装面になるようにすることができる。

従って、積層セラミックキャパシタを下面電極パターンの構造に構成する場合にも実装面が既存の製品と同様であり、水平積層方式の積層セラミックキャパシタとして活用することができるという効果がある。

一方、第１及び第２外部電極は、第１及び第２リード連結部１３３、１３４の他端からセラミック素体１１０の第６面６に折り曲げられて延長される第３及び第４外部端子部（不図示）をさらに含むことができる。

この際、第３及び第４外部端子部は、セラミック素体１１０の第６面６に外部に露出するように形成されて、セラミック素体１１０の第６面６が実装面になるようにすることができる。

第１絶縁層１４０は、セラミック素体１１０の第１面１に形成され、セラミック素体１１０の第１面１に露出する第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａと、第１及び第２リード連結部１３３、１３４を覆うように形成されることができ、第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａが重なる領域を全て覆うように形成されることができる。

第１絶縁層１４０は、セラミック素体１１０の第１面１に露出した第１及び第２内部電極１２１、１２２の第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａと、第１及び第２リード連結部１３３、１３４を覆うことにより、内部電極と外部電極の短絡を防止し、耐湿特性低下などの内部欠陥を防止することができる。

図６は本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図７は図６の積層セラミックキャパシタから第１絶縁層を除去した状態を示す斜視図であり、図８は図６の積層セラミックキャパシタの第１及び第２内部電極の構造を示す横断面図であり、図９は図８に第１絶縁層をさらに形成した構造を示す横断面図である。

以下、上述した一実施形態と異なる構成要素を中心に説明し、同一の構成要素に対する詳細な説明は省略する。

本実施形態による積層セラミックキャパシタ２００は、３端子水平積層セラミックキャパシタであることができる。

ここで、「３端子（３−ｔｅｒｍｉｎａｌ）」とは、キャパシタの端子として三つの端子が回路基板に接続されることを意味する。

図６から図９を参照すると、本実施形態の積層セラミックキャパシタ２００は、第１極性の第１内部電極２２１と第２極性の第２内部電極２２２を一対にすることができ、一つの誘電体層２１１を挟んで互いに対向するようにｙ−方向に配置されることができる。

この際、第１外部電極は、二つの第１リード連結部２３３、２３３'と、二つの第１外部端子部２３１、２３１'と、を含むことができる。

二つの第１リード連結部２３３、２３３'は、セラミック素体２１０の第１面１に形成され、二つの第１外部端子部２３１、２３１'は、二つの第１リード連結部２３３、２３３'の一端から実装面となるセラミック素体２１０の第５面５に延長して形成されることができる。

第１及び第２内部電極２２１、２２２は、互いに異なる極性を有する二つの第１リード連結部２３３、２３３'及び一つの第２リード連結部２３４に連結されるために、それぞれ二つの第１リード部２２１ａ、２２１ｂ及び一つの第２リード部２２２ａを有し、このような第１及び第２リード部２２１ａ、２２１ｂ、２２２ａは、セラミック素体２１０の第１面１に露出することができる。

この際、二つの第１リード部２２１ａ、２２１ｂは、それぞれ第２内部電極２２２の第２リード部２２２ａと互いに重なる領域を有することができる。

図８の右側の図面は、第２内部電極２２２と重なる第１内部電極２２１を点線で表示しており、左側の図面は、第１内部電極２２１と重なる第２内部電極２２２を点線で表示している。

セラミック素体２１０の第１面１には二つの第１リード部２２１ａ、２２１ｂ及び一つの第２リード部２２２ａと、二つの第１リード連結部２３３、２３３'及び一つの第２リード連結部２３４を覆うように第１絶縁層２４０が形成されることができ、第１絶縁層２４０は、第１及び第２リード部２２１ａ、２２１ｂ、２２２ａが重なる領域を全て覆うように形成されることができる。

本実施形態において、第１及び第２は互いに異なる極性を意味し、第１及び第３は同一の極性を意味し、第２及び第４は同一の極性を意味することができる。

図１０は本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す透明斜視図であり、図１１は図１０の積層セラミックキャパシタから第１絶縁層を除去した状態を示す透明斜視図であり、図１２は図１０の積層セラミックキャパシタの第１及び第２内部電極の構造を示す横断面図であり、図１３は図１０に第１及び第２絶縁層をさらに形成した構造を示す横断面図である。

以下、上述した一実施形態と異なる構成要素を中心に説明し、同一の構成要素に対する詳細な説明は省略する。

本実施形態による積層セラミックキャパシタ３００は、４端子水平積層セラミックキャパシタであることができる。

ここで、「４端子（４−ｔｅｒｍｉｎａｌ）」とは、キャパシタの端子として四つの端子が回路基板に接続されることを意味する。

図１０から図１３を参照すると、本実施形態の積層セラミックキャパシタ３００は、第１極性の第１内部電極３２１と第２極性の第２内部電極３２２を一対にすることができ、一つの誘電体層３１１を挟んで互いに対向するようにｙ−方向に配置されることができる。

第１及び第２内部電極３２１、３２２は、互いに異なる極性を有する第１及び第２外部電極に連結されるために、それぞれ第１リード部３２１ａ及び第３リード部３２１ｂと、第２リード部３２２ａ及び第４リード部３２２ｂと、を有することができる。

第１及び第２内部電極３２１、３２２の第１及び第２リード部３２１ａ、３２２ａは、セラミック素体３１０の第１面１に露出し、露出した領域の一部が互いに重なることができ、第１及び第２内部電極３２１、３２２の第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂは、これに対向するセラミック素体３１０の第２面２に露出し、露出した領域の一部が互いに重なることができる。

図１２の右側の図面は、第２内部電極３２２と重なる第１内部電極３２１を点線で表示しており、左側の図面は、第１内部電極３２１と重なる第２内部電極３２２を点線で表示している。

セラミック素体３１０の第１面１には、第１及び第２リード部３２１ａ、３２２ａにそれぞれ連結されるように第１及び第２リード連結部３３３、３３４が形成されることができ、セラミック素体３１０の第２面２には、第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂにそれぞれ連結されるように第３及び第４リード連結部３３５、３３６が形成されることができる。

第１リード連結部３３３と第３リード連結部３３５は、セラミック素体３１０の第５面５に形成された第１外部端子部３３１の両端にそれぞれ連結され、第２リード連結部３３４と第４連結部３３６は、セラミック素体３１０の第５面５に形成された第２外部端子部３３２の両端にそれぞれ連結され、基板のような外部極性に連結されることができる。

セラミック素体３１０の第１面１には、第１及び第２リード部３２１ａ、３２２ａと、第１及び第２リード連結部３３３、３３４を覆うように第１絶縁層３４０が形成されることができ、第１絶縁層３４０は、第１及び第２リード部３２１ａ、３２２ａが重なる領域を全て覆うように形成されることができる。

また、セラミック素体３１０の第２面２には、第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂと、第３及び第４リード連結部３３５、３３６を覆うように第２絶縁層３５０が形成されることができ、第２絶縁層３５０は、第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂが重なる領域を全て覆うように形成されることができる。

本実施形態において、第１及び２は互いに異なる極性を意味することができ、第１及び第３と、第２及び第４とはそれぞれ同一の極性を意味することができる。

以下、本発明の積層セラミックキャパシタを製造する方法に対する実施形態について説明する。

先ず、複数の第１及び第２セラミックシートを製造する。

上記第１及び第２セラミックシートは、セラミック素体の誘電体層を形成するためのものであって、セラミック粉末、ポリマー及び溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法などの方法により、数μｍの厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）状に製造することができる。

上記セラミック粉末は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含むことができる。しかし、本発明はこれに制限されず、上記セラミック粉末は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）にカルシウム（Ｃａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）などが一部固溶された（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ_１−ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３、（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙ）Ｚｒ_ｙ）Ｏ_３またはＢａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３などを含むことができる。

このようなセラミック粉末物質に、セラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤及び分散剤を配合し、バスケットミル（ｂａｓｋｅｔ ｍｉｌｌ）を用いてスラリーを製造することができる。

次に、それぞれの第１及び第２セラミックシートの少なくとも一面に、所定の厚さ、例えば０．１〜２．０μｍの厚さで導電性ペーストを印刷して第１及び第２内部電極をそれぞれ形成する。

この際、第１内部電極が第１セラミックシートの一面を介して露出するように二つ以上の第１リード部を形成することができ、この場合、後述する第１リード連結部もこれに合わせて二つ以上を形成する。

第１及び第２内部電極は、第１及び第２リード部が第１及び第２セラミックシートの一端面を介してそれぞれ露出するように形成し、第１及び第２リード部は互いに重なる領域を有するように形成することができる。

上記導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などが挙げられ、上記導電性ペーストは、金属粉末、セラミック粉末及びシリカ（ＳｉＯ_２）粉末などを含むことができる。

次に、第１及び第２内部電極が形成された複数の第１及び第２セラミックシートを交互に積層し、積層方向から加圧して、積層された第１及び第２セラミックシートと第１及び第２内部電極とを互いに圧着する。

これにより、複数の誘電体層と複数の第１及び第２内部電極が交互に積層された積層体を構成する。

次に、上記積層体をそれぞれの積層セラミックキャパシタに対応する領域ごとに切断してチップ化し、切断したチップを高温でか焼及び焼成してから研磨し、第１及び第２内部電極１２１、１２２を有するセラミック素体１１０を完成する。

次に、セラミック素体１１０の第１面１に、第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａの露出する部分にそれぞれ接触して電気的に連結されるように第１及び第２リード連結部１３３、１３４を形成する。

この際、第１リード連結部１３３は、セラミック素体１１０の第１面１における第１リード部１２１ａの第２リード部１２２ａと重ならない領域に、第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って垂直に長く形成することができる。

また、第２リード連結部１３４は、セラミック素体１１０の第１面１における第２リード部１２２ａの第１リード部１２１ａと重ならない領域に、上記第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って垂直に長く形成することができる。

次に、セラミック素体１１０の第５面５に、第１及び第２リード連結部１３３、１３４の一端から延長し、外部に露出するように第１及び第２外部端子部１３１、１３２を形成する。

この際、第１及び第２外部端子部１３１、１３２が形成される面に対向する第６面６に、第１及び第２リード連結部１３３、１３４の他端から延長し、外部に露出する第３及び第４外部端子部（不図示）をさらに形成することができる。

このような構成により、セラミック素体１１０の第５面５または第６面６が基板などに実装するための実装面になることができる。

次に、セラミック素体１１０の第１面１に露出している第１及び第２リード部１２１ａ、１２２ａと、第１及び第２リード連結部１３３、１３４を全て覆うようにセラミックスラリーを塗布して第１絶縁層１４０を形成する。

上記スラリーを塗布する方法としては、例えば、スプレー方式またはローラーを用いる方法が挙げられ、本発明はこれに限定されるものではない。

一方、４端子構造を有する水平積層セラミックキャパシタを製造する場合、下記のような内容をさらに追加することができる。

図１０から図１３を参照すると、先ず、第１及び第２内部電極を形成する段階において、第１及び第２セラミックシートの第２面２を介して露出する第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂをそれぞれさらに形成し、第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂが互いに重なる領域を有するように形成することができる。

また、第１及び第２セラミックシートの第２面２には第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂにそれぞれ連結され、第１及び第２外部端子部３３１、３３２の一端にそれぞれ連結される第３及び第４リード連結部３３５、３３６を形成することができる。

第３リード連結部３３５は、セラミック素体３１０の第２面２における第３リード部３２１ｂの第４リード部３２２ｂと重ならない領域に、第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って形成し、第４リード連結部３３６は、セラミック素体３１０の第２面２における第４リード部３２２ｂの第３リード部３２１ｂと重ならない領域に、第１及び第２セラミックシートの積層方向に沿って形成することができる。

その後、セラミック素体３１０の第２面２に、第３及び第４リード部３２１ｂ、３２２ｂと、第３及び第４リード連結部３３５、３３６を全て覆うようにセラミックスラリーを塗布して第２絶縁層３５０を形成することができる。

この際、第１及び第２絶縁層３４０、３５０はＢＭＰ法を適用して形成することができる。

図１４ａから図１４ｂを参照すると、先ず、上記ＢＭＰ法を適用して、第１及び第２面１、２側に、第１及び第２内部電極のマージンがなく、複数の第１及び第２外部電極が形成されて仮焼成されたセラミック素体３１０を形成する。

このように仮焼成されたセラミック素体３１０は、磁力などを用いて自動整列することができる。この際、可塑化の範囲は、セラミック素体３１０に所定の水準の強度を与えるために、焼成収縮率５〜１６％に限定することが好ましい。

次に、仮焼成されたセラミック素体３１０の第１面１が前方に向かうように複数のセラミック素体３１０を配置する。

また、セラミック素体３１０の第１及び第２面１、２に、ガラスの含量がセラミック素体と同一または１〜２．５倍増量したり、マグネシウム（Ｍｇ）酸化物またはマンガン（Ｍｎ）酸化物などの添加剤を１〜２．５倍増量して得た物質により形成された所定厚さのカバーシート３４１、３５１を対称に重ねて、それぞれのカバーシート３４１、３５１上に工程を施した後、カバーシートに他の部材が付着することを防止するための離型フィルム４１０を配置する。

また、離型フィルム４１０上にゴムなどの材質からなるクッション部材４２０を配置し、第１面１側のクッション部材４２０上にアルミニウムなどの金属からなる支持板５００を配置した後、広い範囲の圧縮圧力、圧縮時間及び圧縮温度の条件下で１次圧縮を施してセラミック素体３１０の第１及び第２面１、２にカバーシート３４１、３５１を均一な厚さで付着することができる。

この際、圧縮圧力が低すぎると第１及び第２面にカバーシート３４１、３５１が十分に付着されない可能性があり、圧縮圧力が高すぎるとセラミック素体３１０が破損される可能性がある。

本実施形態では、先ず、仮焼成を行い、セラミック素体３１０が一部収縮されているため、さらに収縮される可能性が少ないため、絶縁層３４０、３５０の形成によるクラック発生の可能性を低減させることができる。

その後、カバーシート３４１、３５１をセラミック素体３１０の大きさに合わせて切断すると、図１４ｃに図示されるように絶縁層３４０、３５０が形成された積層セラミックキャパシタ３００が完成される。

即ち、本実施形態は、第１及び第２内部電極３２１、３２２が両方対称に露出しており、第１及び第２外部電極が９０゜に折り曲げられてセラミック素体１１０の３面にかけて形成されているため、外部電極を形成する際、別途に方向の整列をする必要がなく、作業性を向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的事項から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当該技術分野において通常の知識を有する者には自明であろう。

１ 第１面
２ 第２面
３ 第３面
４ 第４面
５ 第５面
６ 第６面
１００、２００、３００ 積層セラミックキャパシタ
１１０、２１０、３１０ セラミック素体
１１１、２１１、３１１ 誘電体層
１２１、２２１、３２１ 第１内部電極
１２２、２２２、３２２ 第２内部電極
１２１ａ、２２１ａ、２２１ｂ、３２１ａ 第１リード部 １２２ａ、２２２ａ、３２２ａ 第２リード部
１３１、２３１、２３１'、３３１ 第１外部端子部
１３２、２３２、３３２ 第２外部端子部
１３３、２３３、２３３'、３３３ 第１リード連結部
１３４、２３４、３３４ 第２リード連結部
３２１ｂ 第３リード部
３２２ｂ 第４リード部
３３５ 第３リード連結部
３３６ 第４リード連結部
４１０ 離型フィルム
４２０ クッション部材
５００ 支持板

Claims (21)

1. セラミック素体と、
   互いに重なる領域を有し、前記重なる領域が前記セラミック素体の一面に露出する第１リード部を有する第１内部電極、及び前記重なる領域が前記セラミック素体の一面に露出する第２リード部を有する第２内部電極と、
   前記セラミック素体の一面に形成され、前記第１リード部に連結される第１リード連結部、及び前記第１リード連結部の一端から前記セラミック素体の一面に垂直な一面に延長し、外部に露出する第１外部端子部を含む第１外部電極と、
   前記セラミック素体の一面に形成され、前記第２リード部に連結される第２リード連結部、及び前記第２リード連結部の一端から前記セラミック素体の一面に垂直な一面に延長し、外部に露出する第２外部端子部を含む第２外部電極と、
   前記セラミック素体の一面に形成され、前記セラミック素体の一面に露出する前記第１リード部及び前記第２リード部、並びに前記第１リード連結部及び前記第２リード連結部を覆う第１絶縁層と
   を含む積層セラミックキャパシタ。
2. 前記第１内部電極及び前記第２内部電極は、前記セラミック素体の前記第１外部端子部及び前記第２外部端子部が形成される面に対して水平に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
3. 前記第１リード連結部は前記第１リード部の前記第２リード部と重ならない領域に連結され、前記第２リード連結部は前記第２リード部の前記第１リード部と重ならない領域に連結されることを特徴とする、請求項１または２に記載の積層セラミックキャパシタ。
4. 前記第１絶縁層は、前記第１リード部及び前記第２リード部、並びに前記第１リード連結部及び前記第２リード連結部を全て覆うように形成されることを特徴とする、請求項１から３の何れか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
5. 前記第１外部電極は、前記第１リード連結部の他端から前記セラミック素体の前記第１外部端子部及び前記第２外部端子部が形成される面に対向する面に延長し、外部に露出する第３外部端子部をさらに含み、
   前記第２外部電極は、前記第２リード連結部の他端から前記セラミック素体の前記第１外部端子部及び前記第２外部端子部が形成される面に対向する面に延長し、外部に露出する第４外部端子部をさらに含むことを特徴とする、請求項１から４の何れか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
6. 前記第１内部電極は前記セラミック素体の一面に露出する複数の第１リード部を有し、前記複数の第１リード部は前記第２リード部とそれぞれ重なる領域を形成し、二つ目以降の第１リード部に連結される第１外部電極をさらに含むことを特徴とする、請求項１から５の何れか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
7. 前記第１内部電極は前記セラミック素体の一面に対向する他面に露出する第３リード部を有し、前記第２内部電極は前記セラミック素体の一面に対向する他面に露出する第４リード部を有して、前記第３リード部及び前記第４リード部は互いに重なる領域を有することを特徴とする、請求項１から６の何れか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
8. 前記第１外部電極は、前記セラミック素体の一面に対向する他面に形成され、前記第３リード部に連結され、前記第１外部端子部の一端に連結される第３リード連結部をさらに含み、
   前記第２外部電極は、前記セラミック素体の一面に対向する他面に形成され、前記第４リード部に連結され、前記第２外部端子部の一端に連結される第４リード連結部をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の積層セラミックキャパシタ。
9. 前記第３リード連結部は、前記第３リード部の前記第４リード部と重ならない領域に連結され、前記第４リード連結部は、前記第４リード部の前記第３リード部と重ならない領域に連結されることを特徴とする、請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ。
10. 前記セラミック素体の一面に対向する他面に形成され、前記セラミック素体の他面に露出する前記第３リード部及び前記第４リード部と、前記第３リード連結部及び前記第４リード連結部とを覆う第２絶縁層をさらに含むことを特徴とする、請求項８または９に記載の積層セラミックキャパシタ。
11. 前記第２絶縁層は、前記第３リード部及び前記第４リード部と、前記第３リード連結部及び前記第４リード連結部とを全て覆うように形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
12. 第１セラミックシート上に、第１リード部が前記第１セラミックシートの一端面を介して露出するように第１内部電極を形成する段階と、
    第２セラミックシート上に、第２リード部が前記第１リード部と互いに重なる領域を有し、前記第２セラミックシートの一端面を介して露出するように第２内部電極を形成する段階と、
    前記第１内部電極が形成された前記第１セラミックシートと前記第２内部電極が形成された前記第２セラミックシートとを交互に複数個積層して焼成し、セラミック素体を形成する段階と、
    前記セラミック素体の一面に、前記第１リード部に連結されるように第１リード連結部を形成するとともに、前記第２リード部に連結されるように第２リード連結部を形成する段階と、
    前記セラミック素体の一面に垂直な一面に、前記第１リード連結部の一端から延長し、外部に露出する第１外部端子部を形成するとともに、前記第２リード連結部の一端から延長し、外部に露出する第２外部端子部を形成する段階と、
    前記セラミック素体の一面に、前記第１リード部及び前記第２リード部、並びに前記第１リード連結部及び前記第２リード連結部を覆うように第１絶縁層を形成する段階と
    を含む積層セラミックキャパシタの製造方法。
13. 前記第１リード連結部及び前記第２リード連結部を形成する段階において、前記第１リード連結部は、前記セラミック素体の一面における前記第１リード部の前記第２リード部と重ならない領域に、前記第１セラミックシート及び前記第２セラミックシートの積層方向に沿って形成され、前記第２リード連結部は、前記セラミック素体の一面における前記第２リード部の前記第１リード部と重ならない領域に、前記第１セラミックシート及び前記第２セラミックシートの積層方向に沿って形成されることを特徴とする、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
14. 前記第１絶縁層を形成する段階は、前記セラミック素体の一面に、前記第１リード部及び前記第２リード部、並びに前記第１リード連結部及び前記第２リード連結部を全て覆うようにセラミックスラリーを塗布して形成することを特徴とする、請求項１２または１３に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
15. 前記第１外部端子部及び前記第２外部端子部を形成する段階後に、前記第１外部端子部及び前記第２外部端子部が形成される面に対向する面に、前記第１リード連結部の他端から延長し、外部に露出する第３外部端子部を形成するとともに、前記第２リード連結部の他端から延長し、外部に露出する第４外部端子部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１２から１４の何れか１項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
16. 前記第１内部電極を形成する段階は、前記第１セラミックシートの一端面を介して露出するように複数の第１リード部を形成し、前記複数の第１リード部が前記第２リード部とそれぞれ重なる領域を有するように形成し、
    前記第１リード連結部を形成する段階において、二つ目以降の第１リード部に連結される第１リード連結部をさらに形成し、
    前記第１外部端子部を形成する段階において、二つ目以降の第１リード部に連結される第１外部端子部をさらに形成することを特徴とする、請求項１２から１５の何れか１項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
17. 前記第１内部電極を形成する段階は、前記第１セラミックシートの一端面に対向する他端面を介して露出する第３リード部をさらに形成し、前記第２内部電極を形成する段階は、前記第２セラミックシートの一端面に対向する他端面を介して露出する第４リード部をさらに形成し、前記第３リード部及び前記第４リード部は互いに重なる領域を有するように形成されることを特徴とする、請求項１２から１６の何れか１項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
18. 前記第１リード部及び前記第２リード部を形成する段階後に、前記セラミック素体の一面に対向する他面に、前記第３リード部に連結され、前記第１外部端子部の一端に連結される第３リード連結部を形成するとともに、前記第４リード部に連結され、前記第２外部端子部の一端に連結される第４リード連結部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１７に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
19. 前記第３リード連結部及び前記第４リード連結部を形成する段階において、前記第３リード連結部は、前記セラミック素体の他面における前記第３リード部の前記第４リード部と重ならない領域に、前記第１セラミックシート及び前記第２セラミックシートの積層方向に沿って形成され、前記第４リード連結部は、前記セラミック素体の他面における前記第４リード部の前記第３リード部と重ならない領域に、前記第１セラミックシート及び前記第２セラミックシートの積層方向に沿って形成されることを特徴とする、請求項１８に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
20. 前記第１絶縁層を形成する段階後に、前記セラミック素体の一面に対向する他面に、前記第３リード部及び前記第４リード部と、前記第３リード連結部及び前記第４リード連結部とを全て覆うようにセラミックスラリーを塗布して第２絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１８または１９に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
21. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層をＢＭＰ法により形成することを特徴とする、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

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