JP2003007568A - ヒューズ機能付き積層セラミック部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面実装が可能であり、ヒューズ導体部が溶
断した後でも耐湿性を低下させることがない、すなわ
ち、ヒューズの動作前後に関わらず、高い安全性、信頼
性を有する積層セラミック部品を提供すること。 【解決手段】 ヒューズ機能付き積層セラミック部品１
は、異なる電位に接続される複数の内部電極３の対を誘
電体２を介して少なくとも一方の側部に引き出しながら
多段に積層形成することで、互いに対向する第１及び第
２の側面の少なくとも一方に前記内部電極３の対を引き
出した積層体と、前記第１及び第２の側面に隣接し、実
装面及び前記実装面に対向する面とは異なる第３及び第
４の側面に、少なくとも一層ずつ夫々形成された外部電
極９（９′）の対と、前記内部電極３と前記外部電極９
（９′）を電気的に接続するように、前記積層体表面に
設けられたヒューズ導体部１０，１０とを備え、少なく
とも前記ヒューズ導体部１０，１０を絶縁層１１，１１
で被覆した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に広範
囲に用いられる積層セラミック部品に関するものであ
り、特にヒューズ機能を有する積層セラミック部品に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミック部品は誘電体層などを介
して内部電極が複数積層された構造のセラミック部品で
あり、内部電極のほかにプリント基板などへ実装するた
めの外部端子電極を有するものである。

【０００３】図４は従来の積層セラミックコンデンサ
の、内部電極構造と同積層構成および、外部電極の配置
を示す分解斜視図である。図５は従来の積層セラミック
コンデンサの、完成図を示す外観斜視図である。

【０００４】図４及び図５を参照すると、積層セラミッ
クコンデンサは、誘電体シート５３上に内部電極５４を
端部が積層される積層体の両端部に交互に露出するよう
に、印刷して積層して積層体を形成し、積層体の両端部
に、前記露出した内部電極の端部を覆うように、導体部
５５，５５を夫々形成したものである。

【０００５】近年、電子機器においては小型化に加えて
高い安全性を求める動きが強まっており、それに伴って
電子機器を支える電子部品に対する小型化、高信頼性化
への要求もますます強くなり、それ以外にも使用電圧の
高定格化などが求められている。

【０００６】また、積層セラミック部品においても、例
外なく同様な要求が高まっている。

【０００７】積層セラミック部品において、特性を維持
したまま小型化を実現する手法として、従来から誘電体
層などの内部電極間を絶縁する層を薄くすることが挙げ
られる。

【０００８】しかしながら、内部電極間を絶縁する層を
薄くすることは、同時に内部電極間距離を小さくするた
めに、絶縁性の低下、さらには電気的な短絡（ショー
ト）を引き起こす危険性が増加していることを示してい
る。仮に絶縁性を十分に有する積層部品であっても、何
らかの影響で積層セラミック部品に異常な大電流が進入
した揚合、積層セラミック部品の絶縁性を低下、あるい
はシヨートさせてしまう危険性があり問題である。使用
電圧が高くなる場合でも同様にショートの危険性が増加
する。

【０００９】このような問題を解決するために、従来、
何らかの原因で内部電極間がショートしても、周辺機器
に大電流が流れないようなヒューズ機能を有する積層セ
ラミック部品が提案されている。ヒューズ機能を有する
積層セラミック部品は以下の２つの方式に大別できる。

【００１０】（１）内部電極の形状を変化させてヒュー
ズ機能を設ける。 （２）内部電極と外部電極間に低融点、あるいは高抵抗
のヒューズ導体部を設ける。

【００１１】上記（１）の方式においては、例えば、特
開昭６３−３０５５０６号公報に開示されているよう
に、内部電極の一部を細くすることで、内部電極にショ
ートが発生した場合に、ジュール熱で内部電極の細い部
分を溶断することで異常電流を遮断するという方法があ
る。

【００１２】また、特開昭６３−３０５５０５号公報や
特開昭６４−６９００８号公報に開示されているように
内部電極の形状を変化させた部位に内部電極とは異なる
材質の低融点、または高抵抗の導電部を印刷してヒュー
ズ導体部を形成する方法がある。

【００１３】上記（２）の方式においては、例えば、実
開平３−１５１４号公報に開示されているように、通常
の外部端子電極が付与されている面とは異なる面に、内
部電極や接続電極を引き出し、外部端子電極とをヒュー
ズ導体部で導通させるという方法がある。

【００１４】また、特開昭６３−８６４１１号公報（以
下、従来技術１と呼ぶ）や特開平２−１８４００８号公
報に開示されているように、蒸着やスパッタリングなど
の薄膜形成法によりヒューズ導体部を、積層体の表面に
形成する方法がある。

【００１５】図６は従来技術１のヒューズ機能付きセラ
ミック部品の一例を示すヒューズ機能付き積層セラミッ
クコンデンサの内部電極構造と同積層構成および、外部
電極、ヒューズ導体部、絶縁層の配置を示す分解斜視図
である。図７は図６のヒューズ機能付きセラミック部品
の一例である、ヒューズ機能付き積層セラミックコンデ
ンサを示す外観斜視図である。

【００１６】図６及び図７を参照すると、ヒューズ付セ
ラミックコンデンサは、誘電体シータ５３上に内部電極
５４を一側に引き出しながら印刷して多段に積層し、こ
の積層体の一側の内部電極の露出部分を覆うように導体
部を形成するとともに、内部電極の露出した面に隣接す
るように互いに対向する導体部を夫々設けることによっ
て形成されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（１）の方式においては、積層部品にショートが生じ、
積層体内部に閉じ込められたヒューズ導体部が溶断した
場合、内部電極の溶解に伴う体積膨張により積層セラミ
ック部品の素体に大きなクラックを生成する。このクラ
ックは対向する内部電極だけでなく外部電極にまで到達
する場合も多く、その結果、ショート故障を完全に回避
できない場合が多いという問題があった。

【００１８】上記（２）の方式はヒューズ機能としては
有効であるが、近年では電子機器の小型化の動きに伴
い、セラミック部品においては、部品をそのままプリン
ト基板などへ実装する表面実装化が進んでいるために、
積層体素子の表面に露出した低融点の金属によるヒュー
ズ導体部や、薄膜形成法により形成したヒューズ導体部
は、表面実装の際に使用される数百℃にも熱せられる半
田によって変質、あるいはヒューズ導体部上に半田が付
着してしまうなどの問題があった。

【００１９】また、仮に特定の条件下で実装を行えたと
しても、特開昭６３−８６４１１号公報に示されるよう
なヒューズ導体部が実際に溶断すると、ヒューズ導体部
は素子表面に形成されているために、一般的な線ヒュー
ズのようなガラス管に収納され、空中に張られているヒ
ューズとは異なり、溶断後でも絶縁間距離が短くなって
しまうため、一度溶断した溶断部に再び電圧がかかると
放電を起こし、微少電流が流れ続けるため問題であっ
た。また、内部電極の取り出し口が外部に露出するた
め、耐湿性が低下し、特に、一度溶断したヒューズ導体
部に水分が付着することで再びショートを繰り返してし
まう。

【００２０】さらには、水分が内部電極面を伝わって積
層体内部まで侵入し、絶縁抵抗が低下し、最終的にはシ
ョートに至つてしまうという問題や、溶断後の絶縁間距
離が短いために、湿度下ではイオンマイグレーションが
容易に発生し、再び内部電極とヒューズ導体部でショー
トを繰り返してしまう問題があった。加えて、ヒューズ
導体部が溶断する際には、金属粒子が激しく放出される
場合もあり、安全性の面からも問題であった。このた
め、上記方式（１）及び（２）ともに実用的に使用でき
ない場合が多かった。

【００２１】そこで、本発明の目的は、以上の問題点を
解決することであり、その技術的課題は、表面実装が可
能であり、ヒューズ導体部が溶断した後でも耐湿性を低
下させることがない、すなわち、ヒューズの動作前後に
関わらず、高い安全性、信頼性を有する積層セラミック
部品を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、次の構
成からなるヒューズ機能付き積層セラミック部品によ
り、前記課題を解決することができる。

【００２３】即ち、本発明のヒューズ機能付き積層セラ
ミック部品では、異なる電位に接続される複数の内部電
極対が、誘電体を介して多段に積層されており、前記内
部電極対が、積層体の第１の側面と、第１の側面に対向
する第２の側面の少なくとも一方に引き出されており、
また、第１、第２の側面に隣接し、実装面と前記実装面
に対向する面とは異なる第３、第４の側面に単層、ある
いは多層の外部電極対を形成し、前記内部電極と前記外
部電極を電気的に接続する導体部を積層体表面に有する
積層セラミック電子部品において、少なくとも前記導体
部を絶縁層で被覆し、前記導体部は前記外部電極対に対
して、プリント配線との電気的接続を妨げないように、
あるいは前記絶縁層は前記外部電極対の第ｎ層目のさら
に外側に形成される、第（ｎ＋１）層目の外部電極対と
の電気的接続を妨げないように、外部電極を部分的に被
覆するか、あるいは外部電極を被覆しないことを特徴と
すしている。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、説明の便宜か
ら、本発明によるヒューズ機能付き積層セラミック部品
について、積層セラミック電子部品の一つである積層セ
ラミックコンデンサを例に用いて説明する。

【００２５】まず、本発明の実施の形態におけるヒュー
ズ機能付き積層セラミックコンデンサについて、図１及
び図２を用いて説明する。

【００２６】図１は本発明の実施の形態によるコンデン
サの一つの内部電極構造と同積層構成および、外部電
極、ヒューズ導体部、絶縁層の配置を示す分解斜視図で
あり、図２は図１のコンデンサの一つの完成例を示す外
観斜視図である。

【００２７】図１及び図２を参照すると、セラミックグ
リーンシート２からなる誘電体層（以下、セラミックグ
リーンシートを焼成した誘電体層も同じ符号で示す）に
電極を両側に引出部４を引き出すように、交互に印刷し
て、多段に積層した積層体を形成し、この積層体の両側
面の引出部４と、その対向面とを覆うように、ヒューズ
導体部１０，１０を夫々形成するとともに、このヒュー
ズ導体部１０，１０が形成された面に隣接する側面に外
部電極９，９を形成し、さらに、ヒューズ導体部１０，
１０が形成された両側面を絶縁膜１１，１１で夫々覆う
ことによって形成されている。

【００２８】このような構成の積層セラミックコンデン
サ等の積層セラミック部品の内部電極３には、Ｎｉ，Ｎ
ｉ合金、Ｐｄ，Ｐｄ合金などが使用される。

【００２９】例えば、内部電極３にＡｇ−Ｐｄを用いる
場合、Ａｇペーストを積層セラミック部品の外表面に焼
き付けると、内部電極以下の融点を有する導電材が得ら
れる。

【００３０】また、ＮｉやＮｉ合金を内部電極材料とし
て用いる場合には、たとえばＣｕペーストを積層セラミ
ック部品の外表面に焼き付けることで、同様に、内部電
極材料の融点よりも低い融点を有する導電材を得ること
ができる。

【００３１】このようにして、内部電極以下の融点を有
する導電材料をヒューズ導体部１０，１０として内部電
極３と接続することで、積層セラミック部品に過電流が
生じ、対向する内部電極３，３間で絶縁性が低下した場
合、内部電極３よりも先に溶断するヒューズ導体部１
０，１０を形成することが可能であり、その溶断箇所
は、内部電極と導体部（ヒューズ導体部）１０の接続部
分にあたるヒューズ導体部１０である。

【００３２】さらに、積層電子部品の絶縁性と同等以上
の絶縁性を有し、ヒューズ導体部１０の融点よりも十分
に低い軟化点を有するガラスや樹脂でヒューズ導体部１
０を封止することで、ヒューズの動作を妨げることのな
く、信頼性の高い絶縁層１１を形成することができる。
すなわち、絶縁層１１の軟化点がヒューズ導体部の融点
よりも低く、ヒューズ導体部１０の融点が内部電極１
０，１０の融点よりも低いことで、ヒューズ導体部１０
が溶断する際の発熱において、最初に絶縁層１１が軟化
してからヒューズ導体部１０が溶断し、ヒューズ導体部
１０の溶断によって電流は遮断され、ヒューズ導体部１
０が溶断するときに放出する金属粒子は絶縁層１１中に
拡散し、溶断後、絶縁層１１は再び緩やかに硬化に向か
い、ヒューズ導体部１０の溶断部分に回り込むなどして
絶縁性は確実なものとなり、内部電極３については外部
に露出することなく硬化を完了する作用がある。

【００３３】本発明の実施の形態によると、絶縁層１１
に熱硬化型樹脂やガラスペーストを用いることで、絶縁
層１１を印刷法やディップ法で薄く形成することが可能
であるが、両者の耐熱性をリフローやフローの半田処理
温度以上に設定することで、表面実装が可能となる作用
がある。

【００３４】また、本発明の実施の形態において、セラ
ミック誘電体の原料として鉛系材料を使用し、絶縁層１
１にガラスを用いる場合、絶縁層１１に用いるガラスペ
ーストは、一般的に広く使われている亜鉛系、鉛系のい
ずれを主成分としたものを用いたとしても本発明の範囲
に含まれることとなるが、亜鉛系においては耐アルカリ
性には優れるが、鉛系に比べて耐酸性に劣るという問題
があり、一方で鉛系はＰｂＯを主成分とするために環境
面から問題があるため、選択には十分な注意が必要とさ
れる。

【００３５】一方で、セラミック誘電体の原料としてチ
タン酸バリウムなど材料を使用し、内部電極３に卑金属
を用いる揚合、絶縁層１１に用いるガラスペーストは、
亜鉛などを主成分とし、還元雰囲気中で焼き付けできる
ものを選択する必要がある。

【００３６】また、ガラスとセラミック素体とは、５０
０℃を超える温度において、ガラスがセラミック素体に
浸透して接合を行うため、セラミックとガラスの熱膨張
係数の差を小さくすることや、ガラスの浸透過剰による
セラミック強度の低下、浸透不足による接合不測が生じ
ないようにすることが重要である。具体的には、最終的
に、外部電極９（９’）とヒューズ導体部１０、ヒュー
ズ導体部１０と内部電極３のそれぞれの接続が、機械
的、電気的に十分な強度を確保できるような、焼き付け
条件の選定が必要である。そして、これらの困難を克服
することで、後に示す多大な効果を得ることが可能とな
る。

【００３７】次に、本発明の実施の形態によるヒューズ
機能付き積層セラミック部品としてのセラミックコンデ
ンサの製造の具体例について説明する。

【００３８】誘電体材料として鉛系リラクサ粉末をバイ
ンダーと有機溶剤中で分散混合させて、セラミックスラ
リーとし、ドクターブレード法によりセラミックグリー
ンシート２を作製した。

【００３９】セラミックグリーンシート２に、銀（Ａ
ｇ）とパラジウム（Ｐｄ）からなる内部電極３をスクリ
ーン印刷法によって形成し、これを繰り返し積層したも
のを焼結してセラミック積層体１を得た。ここで、内部
電極３の取出部４は、焼結後に幅が４００μｍになるよ
うに設定されており、セラミック積層体１の第１の側面
５と第２の側面６に交互に引き出した。次に、ＳｉＯ_２
−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスを含むＡｇペーストを、内部電極の
取出部４を覆い、外部に対して露出することがないよう
にスクリーン印刷によって付加し、焼き付けることでヒ
ューズ導体部１０を形成した。ヒューズ導体部１０の厚
みは焼き付け後で４±２μｍとした。

【００４０】さらに、第１、第２の側面５，６に隣接
し、実装面と同実装面に対向する面とは異なる側面７、
８には銀ぺーストを塗布、焼き付けすることで第１層目
の外部電極対９を形成した。ここで、この例において
は、ヒューズ導体部を形成する際の整列作業が生じない
ように、内部電極の取出部４のない部分についても、同
様にして導体部を形成した。ヒューズ導体部１０は対向
する電位を有する外部電極やヒューズ導体部と電気的短
絡（ショート）を生じないように付加されている。図２
に示す第１の側面５、または第１の側面５に対向する第
２の側面６における、異なる電位に接続されるヒューズ
導体部間の距離は５００μｍとした。次に、第１層目の
外部電極９，９を覆うようにガラス成分をほとんど含ま
ないＡｇを主成分とした第２層目の外部電極９′を形成
した。次に亜鉛を主成分とし、軟化点が５００℃のガラ
スペーストを、ヒューズ導体部１０が形成されている第
１及び第２の側面５，６に対し、前記ヒューズ導体部１
０を完全に被覆するように印刷し、焼成することで絶縁
層１１を形成した。絶縁層１１の厚みは焼成後で１５±
５μｍとした。

【００４１】ここで、図１及び図２に示す例は、本発明
の一例であり、たとえば、ヒューズ導体部１０、外部電
極９および外部電極９′の構成順序を変更したとして
も、本発明の範囲に含まれるものである。

【００４２】絶縁部１１をこの例に示すように、最後に
付加する場合には、外部電極９（９′）のプリント基板
との接続部分に絶縁層１１が回り込まないように付加す
ればよい。一方で外部電極９を形成し、続いて絶縁層１
１を形成し、最後に外部電極９′を形成する場合には、
外部電極９と外部電極９′が絶縁されないように、絶縁
層１１を接続すればよい。本発明のヒューズ機能付き積
層セラミックコンデンサの電気特性、機械特性、信頼性
などを、同様な材料を用いて形成した図４及び図５に示
す従来の積層セラミックコンデンサおよび、図６及び図
７に示す従来のヒューズ構造を有する積層セラミックコ
ンデンサと併せて表１に示す。

【００４３】いずれもセラミックグリーンシート２とし
て、同一の誘電体材料を用い、定格電圧は１００ＶＤ
Ｃ、初期特性は静電容量が３．３μＦ、絶縁抵抗が１Ｅ
９〜ＩＥ１０となるように作製した。

【００４４】

【表１】

【００４５】上記表１から、本発明の実施の形態の一例
であるヒューズ機能付き積層セラミックコンデンサの電
気特性、機械特性、信頼性は、従来の積層セラミックコ
ンデンサに比較して、特に破壊電圧、半田耐熱性、高温
高圧負荷試験における特性が優れていることがわかる。

【００４６】まず、破壊電圧については、積層セラミッ
クコンデンサに関わらず、積層電子部品に対し、電圧を
徐々に上昇させながら印加した場合、誘電体層間で最も
絶縁性の低いところから破壊が生じ、最初に破壊した最
も低い電圧でショートに至る。比較例による従来の積層
セラミックコンデンサにおいても、同様に破壊してショ
ートに至っているがヒューズ機能付きコンデンサにおい
ては、最ち絶縁性の低い誘電体層間でショートが生じて
も、ヒューズ導体部が溶断し、最終的に、すべての誘電
体層間でショートが生じてヒューズ導体部が溶断するま
で、完全にショ一トしてしまうことがないことが確認さ
れた。

【００４７】しかしながら、絶縁層のない従来のヒュー
ズ機能付きコンデンサにおいては、ショートした層でヒ
ューズ導体部が溶断するものの、動作した部位、すなわ
ち溶断部分における内部電極とヒューズ導体部の絶縁間
距離が数μｍ〜数十μｍと近接しているため、そこで放
電が生じ、絶縁性が低下してしまうことが確認された。

【００４８】一方、絶縁層１１を有する本発明の一例で
ある積層セラミックコンデンサにおいては、溶断時に軟
化した絶縁層１１がすばやく溶断部位に回り込み、放電
を防ぐため、溶断部分における内部電極３とヒューズ導
体部１０の絶縁間距離が数μｍ〜十数μｍと近接してい
ても、高い絶縁性を維持することができる。

【００４９】次に、半田耐熱性については、ヒューズ機
能付き積層セラミックコンデンサの第１の側面５および
第１の側面５に対向する第２の側面６に形成されるヒュ
ーズ導体部１０，１０が、厚み数μｍ〜十数μｍという
薄さで形成されるため、表面実装する際の半田との接触
で、僅かに銀が半田へ溶出するだけで特性の変化が生じ
てしまう。

【００５０】そこで、本発明の一例であるヒューズ機能
付き積層セラミックコンデンサに示すような絶縁層１１
を設けたところ、１２０秒の半田浸漬においても、コン
デンサの静電容量、等価直列抵抗が変化せず、外観上も
異常がないことが確認された。

【００５１】また、半田槽へ浸漬した時間と、そのとき
の特性変化の関係（半田耐熱性）を、従来のヒューズ機
能付き積層セラミックコンデンサと併せて、図３に示
す。

【００５２】さらに、高温高圧負荷試験においては、故
意に積層セラミックコンデンサを破壊することを目的と
し、３００Ｖ、１２５℃、２ａｔｍの条件下で、試料数
１００個で試験を行った。試験開始から１０００時間
後、一部の従来の積層セラミックコンデンサがショート
故障を生じるのに対し、従来のヒューズ機能付き積層セ
ラミックコンデンサの一部は、絶縁抵抗値１×１０^６〜
１０^７台へ低下した。これは、ショートした内部電極３
のヒューズ導体部１０が溶断したものの、絶縁間距離が
短いため、絶縁抵抗を測定する際の放電によってＩＲが
低下しているものである。

【００５３】また、溶断部においては、銀のイオンマイ
グレーションによる素子表面の汚れが観察された。

【００５４】一方で、本発明の一例におけるヒューズ機
能付き積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗値は、すべ
てが１×１０^９を示し、銀のイオンマイグレーション
も、一切発生していないことが確認された。

【００５５】以上説明したのは、本発明の実施の形態に
よる積層セラミックコンデンサに関するものであるが、
同様なことが積層セラミック圧電アクチュエータなど類
似構造を有する電子部品に適応可能である。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のヒューズ
機能付き積層セラミック部品によれば、内部電極と外部
電極とを接続する導体部を、半田処理温度に耐えるだけ
の耐熱性を有する絶縁層で被覆することで、プリント基
板などに対する表面実装が可能となる。

【００５７】また、本発明のヒューズ機能付き積層セラ
ミック部品によれば、何らかの原因で誘電体間の絶縁性
が低下し、ショート状態になり、この内部電極と外部電
極とを接続する導体部の、内部電極と導体部の接点が溶
断すると、同接点含むヒューズ導体部を被覆する絶縁層
の軟化点がヒューズ導体部の融点よりも低いため、ヒュ
ーズ導体部が溶断する際の発熱において、最初に絶縁層
が軟化してからヒューズ導体部が溶断し、ヒューズ導体
部の溶断によって電流は遮断され、ヒューズ導体部が溶
断するときに放出する金属粒子は絶縁層中に拡散し、溶
断後、絶縁層は再び緩やかに硬化に向かい、ヒューズ導
体部の溶断部分に回り込むなどして絶縁性は確実なもの
となる効果がある。

【００５８】また、本発明のヒューズ機能付き積層セラ
ミック部品によれば、内部電極および導体部は依然とし
て外部に露出することがないため、ヒューズ導体部が溶
断した後でもイオンマイグレーションを発生せず、絶縁
性がヒューズ導体部が溶断する前と同等の値を得られる
効果がある。

【００５９】さらに、本発明により、積層セラミック部
品のショート故障がより確実に防がれるため、電子機器
の安全性に対する貢献はきわめて大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のヒューズ機能付きセラミック部品の一
実施の形態としてのヒューズ機能付き積層セラミックコ
ンデンサの内部電極構造と同積層構成および、外部電
極、ヒューズ導体部、絶縁層の一配置例を示す分解組立
斜視図である。

【図２】図１のヒューズ機能付き積層セラミックコンデ
ンサを示す外観斜視図である。

【図３】本発明の実施の形態によるヒューズ機能付積層
セラミックコンデンサの半田浸漬と電気特性を示す図で
ある。

【図４】従来の積層セラミックコンデンサの、内部電極
構造と同積層構成および、外部電極の配置を示す分解組
立斜視図である。

【図５】従来の積層セラミックコンデンサの、完成図を
示す外観斜視図である。

【図６】従来のヒューズ機能付きセラミック部品の一例
である、ヒューズ機能付き積層セラミックコンデンサの
内部電極構造と同積層構成および、外部電極、ヒューズ
導体部、絶縁層の配置を示す分解組立斜視図である。

【図７】従来のヒューズ機能付きセラミック部品の一例
である、ヒューズ機能付き積層セラミックコンデンサを
示す外観斜視図である。

【符号の説明】

１ セラミック積層体 ２，５３ セラミックグリーンシート ３，５４ 内部電極 ４ 取出部 ５ 第１の側面 ６ 第２の側面 ７ 第３の側面 ８ 第４の側面 ９，５５，５９ 第１層目の外部電極 ９´，５５′，５９´ 第２層目の外部電極 １０ 導体部（ヒューズ導体部） １１ 絶縁層 ５１ 従来の積層セラミックコンデンサ ５２ 従来のヒューズ機能付き積層セラミックコンデ
ンサ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 異なる電位に接続される複数の内部電極
   対を誘電体を介して少なくとも一方の側部に引き出しな
   がら多段に積層形成することで、互いに対向する第１及
   び第２の側面の少なくとも一方に前記内部電極対を引き
   出した積層体と、前記第１及び第２の側面に隣接し、実
   装面及び前記実装面に対向する面とは異なる第３及び第
   ４の側面に、少なくとも一層ずつ夫々形成された外部電
   極対と、前記内部電極と前記外部電極を電気的に接続す
   るように、前記積層体表面に設けられた導体部とを備え
   た積層セラミック電子部品において、少なくとも前記導
   体部を絶縁層で被覆したことを特徴とするヒューズ機能
   付き積層セラミック部品。
2. 【請求項２】 請求項１記載のヒューズ機能付き積層セ
   ラミック部品において、前記導体部及び前記絶縁層の内
   の少なくとも一方は、前記外部電極対に対して、当該積
   層セラミック電子部品が搭載される基板の導体との電気
   的接続を妨げないように、又は、前記絶縁層は前記外部
   電極対の第ｎ層目のさらに外側に形成される、第（ｎ＋
   １）層目の外部電極対との電気的接続を妨げないよう
   に、前記外部電極を多くとも一部分を被覆した構成を備
   えていることを特徴とするヒューズ機能付き積層セラミ
   ック部品。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のヒューズ機能付き
   積層セラミック部品において、前記絶縁層は前記導体部
   よりも低い融点の材料で形成されていることを特徴とす
   るヒューズ機能付き積層セラミック部品。