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  1. 複数のダイパッドを備えるリードフレームと、
    前記リードフレームの第１のダイパッドに結合されたドライバ集積回路（ＩＣ）と、
    前記リードフレームの共通のダイパッドに結合された第１群の縦導通型パワートランジスタ及び前記リードフレームにおいて分離したダイパッドに個別に結合された第２群の縦導通型パワートランジスタを含む複数の縦導通型パワートランジスタと、
    前記第２群の縦導通型パワートランジスタの一つの底面電極に電気的に接続された、前記第１群の縦導通型パワートランジスタの一つの上面電極と、
    前記ドライバＩＣ及び前記複数の縦導通型パワートランジスタの一つの間に直接的な電気的接続を与える少なくとも一つのワイヤボンドと
    を備える、パワー・カッド・フラット・ノーリード（ＰＱＦＮ）半導体パッケージ。
  2. 前記ＰＱＦＮ半導体パッケージはフルブリッジパワーデバイスとして構成されている、請求項１記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  3. 前記リードフレームは接着性向上のために選択的に銀でめっきされている、請求項１記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  4. 前記第１群の縦導通型パワートランジスタは前記パッケージの第１の端縁の近くに置かれ、前記第２群の縦導通型パワートランジスタは前記パッケージの第２の端縁の近くに置かれている、請求項１記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  5. 前記パッケージのフットプリントは１２ｍｍ×１２ｍｍ以上である、請求項１記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  6. 前記複数の縦導通型パワートランジスタはパワーＭＯＳＦＥＴを含む、請求項１記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  7. 前記複数の縦導通型パワートランジスタはＩＧＢＴを含む、請求項１記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  8. リードフレームと、
    前記リードフレームに結合されたドライバ集積回路（ＩＣ）と、
    前記リードフレームに結合された複数のハイサイドトランジスタ及び複数のローサイドトランジスタを含む複数の縦導通型パワートランジスタと、
    前記リードフレームの一部分に電気的に接続され、前記リードフレームの一部分は前記複数の縦導通型パワートランジスタの別の一つの底面電極に電気的に接続された、前記複数の縦導通型パワートランジスタの一つの上面電極と、
    前記ドライバＩＣ及び前記複数の縦導通型パワートランジスタの第１の間に直接的な電気的接続を与える少なくとも一つのワイヤボンドと
    を備える、パワー・カッド・フラット・ノーリード（ＰＱＦＮ）半導体パッケージ。
  9. 前記ＰＱＦＮ半導体パッケージはフルブリッジパワーデバイスとして構成されている、請求項８記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  10. 前記リードフレームは接着性向上のために選択的に銀でめっきされている、請求項８記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  11. 前記パッケージのフットプリントは１２ｍｍ×１２ｍｍ以上である、請求項８記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  12. 前記複数の縦導通型パワートランジスタは６個の縦導通型パワートランジスタを有する、請求項８記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  13. 前記複数の縦導通型パワートランジスタはパワーＭＯＳＦＥＴを含む、請求項８記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  14. 前記複数の縦導通型パワートランジスタはＩＧＢＴを含む、請求項８記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  15. リードフレームと、
    前記リードフレームに結合されたドライバ集積回路（ＩＣ）と、
    前記リードフレームの共通のダイパッドに結合された第１群の縦導通型パワートランジスタを含む複数の縦導通型パワートランジスタと、
    前記リードフレームの一部分に電気的に接続され、前記リードフレームの一部分は前記複数の縦導通型パワートランジスタの別の一つの底面電極に電気的に接続された、前記複数の縦導通型パワートランジスタの一つの上面電極と、
    前記ドライバＩＣ及び前記複数の縦導通型パワートランジスタの第１の間に直接的な電気的接続を与える少なくとも一つのワイヤボンドと
    を備える、パワー・カッド・フラット・ノーリード（ＰＱＦＮ）半導体パッケージ。
  16. 前記ＰＱＦＮ半導体パッケージはフルブリッジパワーデバイスとして構成されている、請求項１５記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  17. 前記複数の縦導通型パワートランジスタは、前記ＰＱＦＮ半導体パッケージの第１の端縁の近くの前記共通のダイパッド上に置かれた前記第１の群と前記ＰＱＦＮ半導体パッケージの第２の端縁の近くの個別のダイパッド上に置かれた第２の群に分けられ、前記第１の群は前記複数の縦導通型パワートランジスタの前記一つを含み、前記第２の群は前記複数の縦導通型パワートランジスタの前記別の一つを含む、請求項１５記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  18. 前記パッケージのフットプリントは１２ｍｍ×１２ｍｍ以上である、請求項１５記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  19. 前記複数の縦導通型パワートランジスタはパワーＭＯＳＦＥＴを含む、請求項１５記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。
  20. 前記複数の縦導通型パワートランジスタはＩＧＢＴを含む、請求項１５記載のＰＱＦＮ半導体パッケージ。

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