JP2001135765A - 複合リードフレームの製造方法および製造装置 - Google Patents
複合リードフレームの製造方法および製造装置Info
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレームとダイパッドの反りが修正され
た複合リードフレームの製造方法と、この製造方法を効
率よく実施するための製造装置を提供する。 【解決手段】所定の配線パターンを形成した絶縁テープ
３を打抜装置２の打抜金型１４に供給するとともに、打
抜金型１４の下方のヒートブロック１１上にリードフレ
ーム６を供給し、打抜金型１１により絶縁テープ３を配
線パターンの単位毎に打ち抜くことにより、打ち抜いた
打抜片をヒートブロック１１によって加熱されたリード
フレーム１１のダイパッド１６に貼着した後、このリー
ドフレーム６を、表面がストレートのロール１８と表面
に凸型クラウン２４を形成したロール１９の組み合わせ
によるロール装置１７に送り込み、これによりリードフ
レーム６に挟圧力を加える。
た複合リードフレームの製造方法と、この製造方法を効
率よく実施するための製造装置を提供する。 【解決手段】所定の配線パターンを形成した絶縁テープ
３を打抜装置２の打抜金型１４に供給するとともに、打
抜金型１４の下方のヒートブロック１１上にリードフレ
ーム６を供給し、打抜金型１１により絶縁テープ３を配
線パターンの単位毎に打ち抜くことにより、打ち抜いた
打抜片をヒートブロック１１によって加熱されたリード
フレーム１１のダイパッド１６に貼着した後、このリー
ドフレーム６を、表面がストレートのロール１８と表面
に凸型クラウン２４を形成したロール１９の組み合わせ
によるロール装置１７に送り込み、これによりリードフ
レーム６に挟圧力を加える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合リードフレー
ムの製造方法および製造装置に関し、特に、リードフレ
ームとこれが有するダイパッドの反りが修正された複合
リードフレームの製造方法と製造装置に関する。
ムの製造方法および製造装置に関し、特に、リードフレ
ームとこれが有するダイパッドの反りが修正された複合
リードフレームの製造方法と製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】搭載される半導体チップの小型化に伴
い、リードフレームのインナーリードと半導体チップの
ボンディングピッチは、益々狭小化する傾向にある。し
かし、インナーリードの形成には狭小化において限界が
あり、このため、半導体チップを搭載するためのダイパ
ッドに、接続の中継用として小ピッチの配線バターン有
する配線基板を貼着した複合リードフレームが使用され
ている。
い、リードフレームのインナーリードと半導体チップの
ボンディングピッチは、益々狭小化する傾向にある。し
かし、インナーリードの形成には狭小化において限界が
あり、このため、半導体チップを搭載するためのダイパ
ッドに、接続の中継用として小ピッチの配線バターン有
する配線基板を貼着した複合リードフレームが使用され
ている。
【０００３】図２の（ａ）は、このタイプのリードフレ
ームを使用した半導体装置の構成を示す。２６ａはイン
ナーリード、２６ｂはアウターリード、１６はダイパッ
ド、２７はダイパッド１６に接着層２８を介して搭載さ
れた半導体チップ、２９は接着層３０によりダイパッド
１６に貼着された配線基板、３１は配線基板２９と半導
体チップ２７の間、およびインナーリード２６ａと配線
基板２９の間を接続したボンディングワイヤ、３２は以
上の各構成要素を被覆した封止樹脂を示す。
ームを使用した半導体装置の構成を示す。２６ａはイン
ナーリード、２６ｂはアウターリード、１６はダイパッ
ド、２７はダイパッド１６に接着層２８を介して搭載さ
れた半導体チップ、２９は接着層３０によりダイパッド
１６に貼着された配線基板、３１は配線基板２９と半導
体チップ２７の間、およびインナーリード２６ａと配線
基板２９の間を接続したボンディングワイヤ、３２は以
上の各構成要素を被覆した封止樹脂を示す。
【０００４】図２の（ｂ）は、この半導体装置を構成す
るために使用されるリードフレームの平面構造を示す。
リードフレーム６には、中央にダイパッド１６が形成さ
れ、このダイパッド１６の周縁にロの字型の配線基板２
９が貼着されており、さらに、ダイパッド１６に近接し
てインナーリードおよびアウターリードを構成するため
の多数のリード２６が形成されている。
るために使用されるリードフレームの平面構造を示す。
リードフレーム６には、中央にダイパッド１６が形成さ
れ、このダイパッド１６の周縁にロの字型の配線基板２
９が貼着されており、さらに、ダイパッド１６に近接し
てインナーリードおよびアウターリードを構成するため
の多数のリード２６が形成されている。
【０００５】配線基板２９としては、様々な構成のもの
が使用される。図３は、その構成例を示したものであ
る。配線基板２９は、ポリイミドテープ等の絶縁テープ
３の片面に所定の配列の配線３４を有した配線パターン
３３を形成し、さらに、配線パターン３３の各配線３４
の両端にワイヤボンディング用のボンディングパッド３
５を形成した構成を有する。
が使用される。図３は、その構成例を示したものであ
る。配線基板２９は、ポリイミドテープ等の絶縁テープ
３の片面に所定の配列の配線３４を有した配線パターン
３３を形成し、さらに、配線パターン３３の各配線３４
の両端にワイヤボンディング用のボンディングパッド３
５を形成した構成を有する。
【０００６】図 ３の（ａ）に示される配線基板２９
は、２枚の基板単位２９ａ、２９ｂを間隔を置いて対向
させた構成を有し、図３の（ｂ）の配線基板２９は、ロ
の字型の構成を有し、そして、図３の（ｃ）の配線基板
２９は、コの字型の基板単位２９ｃ、２９ｄをロ字型に
対向させた構成を有する。いずれの配線基板も、この構
成および配置のまま図２の（ｂ）のダイパッド１６に貼
着される。
は、２枚の基板単位２９ａ、２９ｂを間隔を置いて対向
させた構成を有し、図３の（ｂ）の配線基板２９は、ロ
の字型の構成を有し、そして、図３の（ｃ）の配線基板
２９は、コの字型の基板単位２９ｃ、２９ｄをロ字型に
対向させた構成を有する。いずれの配線基板も、この構
成および配置のまま図２の（ｂ）のダイパッド１６に貼
着される。
【０００７】従来、以上の構成を有する複合リードフレ
ームは、次のようにして製造されている。配線基板２９
は、多数の配線パターン３３を形成した長尺の絶縁テー
プから、図３に例示される形状に金型で打ち抜かれる。
打抜金型の下方には、リードフレーム６が所定の位置に
セットされており、打ち抜かれた打抜片（配線基板２
９）は、打ち抜き動作の延長においてリードフレーム６
のダイパッド１６に押し付けられる。
ームは、次のようにして製造されている。配線基板２９
は、多数の配線パターン３３を形成した長尺の絶縁テー
プから、図３に例示される形状に金型で打ち抜かれる。
打抜金型の下方には、リードフレーム６が所定の位置に
セットされており、打ち抜かれた打抜片（配線基板２
９）は、打ち抜き動作の延長においてリードフレーム６
のダイパッド１６に押し付けられる。
【０００８】絶縁テープには、その片面に予め図２の
（ａ）の接着層３０に相当する熱可塑性接着層が形成さ
れており、一方、打抜金型の下方では、リードフレーム
６が、ヒートブロックの上で所定の温度に加熱されて待
機している。打抜金型により配線基板２９の形状に打ち
抜かれた打抜片は、リードフレーム６の加熱されたダイ
パッド１６に圧着され、その結果、打抜片は、ダイパッ
ド１６の所定の位置に加熱接着され、これにより所定の
複合リードフレームが完成する。
（ａ）の接着層３０に相当する熱可塑性接着層が形成さ
れており、一方、打抜金型の下方では、リードフレーム
６が、ヒートブロックの上で所定の温度に加熱されて待
機している。打抜金型により配線基板２９の形状に打ち
抜かれた打抜片は、リードフレーム６の加熱されたダイ
パッド１６に圧着され、その結果、打抜片は、ダイパッ
ド１６の所定の位置に加熱接着され、これにより所定の
複合リードフレームが完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の複合リ
ードフレームの製造方法によると、ダイパッド１６に加
熱接着される配線基板２９とリードフレーム６との熱膨
張の違いから、ダイパッド１６の幅方向と長さ方向（リ
ードフレームの長さ方向。以下同じ）、およびリードフ
レーム６の幅方向に反りが発生する問題がある。
ードフレームの製造方法によると、ダイパッド１６に加
熱接着される配線基板２９とリードフレーム６との熱膨
張の違いから、ダイパッド１６の幅方向と長さ方向（リ
ードフレームの長さ方向。以下同じ）、およびリードフ
レーム６の幅方向に反りが発生する問題がある。
【００１０】リードフレーム６を４２合金より構成する
とき、この反りは特に大きなものとなり、このため、ダ
イパッド１６に半導体チップ２７を搭載したときにダイ
パッド１６とチップ２７の間に隙間が生じたり、あるい
は、これを原因として半導体装置を構成した後のリフロ
ー時において、半導体チップ２７あるいはこれを内蔵し
たパッケージにクラックが発生することがある。
とき、この反りは特に大きなものとなり、このため、ダ
イパッド１６に半導体チップ２７を搭載したときにダイ
パッド１６とチップ２７の間に隙間が生じたり、あるい
は、これを原因として半導体装置を構成した後のリフロ
ー時において、半導体チップ２７あるいはこれを内蔵し
たパッケージにクラックが発生することがある。
【００１１】また、リードフレーム６の幅方向の反りが
大きな場合には、半導体装置の組立ラインにおいて搬送
に支障を来すことがあり、このため、組立ラインを混乱
させる要因ともなる。反りは、銅製のリードフレームを
使用するときにも、程度の差こそあれ発生する。
大きな場合には、半導体装置の組立ラインにおいて搬送
に支障を来すことがあり、このため、組立ラインを混乱
させる要因ともなる。反りは、銅製のリードフレームを
使用するときにも、程度の差こそあれ発生する。
【００１２】従って、本発明の目的は、リードフレーム
とダイパッドの反りが修正された複合リードフレームの
製造方法と、この製造方法を高い効率のもとに実施する
ことのできる製造装置を提供することにある。
とダイパッドの反りが修正された複合リードフレームの
製造方法と、この製造方法を高い効率のもとに実施する
ことのできる製造装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、リードフレームの半導体チップを搭載す
るためのダイパッドに、搭載される前記半導体チップと
前記リードフレームのインナーリードの接続を中継する
ための配線基板を貼着する複合リードフレームの製造方
法において、所定の配線パターンを形成した絶縁テープ
を前記ダイパッドの上方に供給し、前記絶縁テープを前
記所定の配線パターンを単位として打ち抜いて打抜片を
形成するとともに打ち抜き動作の延長において前記打抜
片を前記ダイパッドに貼着し、前記ダイパッドに前記打
抜片を貼着した前記リードフレームを一対のロールの間
に送り込むことにより前記リードフレームと前記ダイパ
ッドの反りの修正を行うことを特徴とする複合リードフ
レームの製造方法を提供するものである。
達成するため、リードフレームの半導体チップを搭載す
るためのダイパッドに、搭載される前記半導体チップと
前記リードフレームのインナーリードの接続を中継する
ための配線基板を貼着する複合リードフレームの製造方
法において、所定の配線パターンを形成した絶縁テープ
を前記ダイパッドの上方に供給し、前記絶縁テープを前
記所定の配線パターンを単位として打ち抜いて打抜片を
形成するとともに打ち抜き動作の延長において前記打抜
片を前記ダイパッドに貼着し、前記ダイパッドに前記打
抜片を貼着した前記リードフレームを一対のロールの間
に送り込むことにより前記リードフレームと前記ダイパ
ッドの反りの修正を行うことを特徴とする複合リードフ
レームの製造方法を提供するものである。
【００１４】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、リードフレームの半導体チップを搭載するためのダ
イパッドに、搭載される前記半導体チップと前記リード
フレームのインナーリードの接続を中継するための配線
基板を貼着した複合リードフレームの製造装置におい
て、所定の配線パターンを多数有して連続的に供給され
る絶縁テープを前記所定の配線パターンの単位に打ち抜
いて打抜片を形成するとともに打ち抜き動作の延長にお
いて前記打抜片を前記リードフレームのダイパッドに貼
着する打抜金型と、前記打抜金型の下方に位置し、前記
リードフレームを上に載せて加熱するとともに前記打抜
片の前記ダイパッドへの貼着時の貼着圧を発生させるヒ
ートブロックと、一対のロールより構成され、前記ヒー
トブロック上より供給される前記打抜片を貼着された前
記リードフレームに挟圧力を加えることによって前記リ
ードフレームと前記ダイパッドの反りを修正するロール
装置と、リードフレーム供給部から前記リードフレーム
を前記ヒートブロック上に供給し、前記ヒートブロック
上の前記リードフレームを前記ロール装置に送り込み、
かつ前記ロール装置を通過した前記リードフレームを所
定の位置に払い出す搬送機構より構成されることを特徴
とする複合リードフレームの製造装置を提供するもので
ある。
め、リードフレームの半導体チップを搭載するためのダ
イパッドに、搭載される前記半導体チップと前記リード
フレームのインナーリードの接続を中継するための配線
基板を貼着した複合リードフレームの製造装置におい
て、所定の配線パターンを多数有して連続的に供給され
る絶縁テープを前記所定の配線パターンの単位に打ち抜
いて打抜片を形成するとともに打ち抜き動作の延長にお
いて前記打抜片を前記リードフレームのダイパッドに貼
着する打抜金型と、前記打抜金型の下方に位置し、前記
リードフレームを上に載せて加熱するとともに前記打抜
片の前記ダイパッドへの貼着時の貼着圧を発生させるヒ
ートブロックと、一対のロールより構成され、前記ヒー
トブロック上より供給される前記打抜片を貼着された前
記リードフレームに挟圧力を加えることによって前記リ
ードフレームと前記ダイパッドの反りを修正するロール
装置と、リードフレーム供給部から前記リードフレーム
を前記ヒートブロック上に供給し、前記ヒートブロック
上の前記リードフレームを前記ロール装置に送り込み、
かつ前記ロール装置を通過した前記リードフレームを所
定の位置に払い出す搬送機構より構成されることを特徴
とする複合リードフレームの製造装置を提供するもので
ある。
【００１５】上記の一対のロールとしては、表面に凸型
クラウンを有するロールと表面がストレートのロールの
組み合わせが好ましく、その場合、凸型クラウンを有す
るロールの側に反りの凸側を位置させ、表面がストレー
トのロールの側に反りの凹側を位置させることが好まし
い。このようなロールの組み合わせと、反りの凹側およ
び凸側へのロールの表面形状の配置が最も効果的な反り
の修正を可能にする。表面がストレートなロールの代わ
りに表面に凹型クラウンを有するロールを使用すること
は可能であり、その場合にも高い反り修正の効果を得る
ことができる。
クラウンを有するロールと表面がストレートのロールの
組み合わせが好ましく、その場合、凸型クラウンを有す
るロールの側に反りの凸側を位置させ、表面がストレー
トのロールの側に反りの凹側を位置させることが好まし
い。このようなロールの組み合わせと、反りの凹側およ
び凸側へのロールの表面形状の配置が最も効果的な反り
の修正を可能にする。表面がストレートなロールの代わ
りに表面に凹型クラウンを有するロールを使用すること
は可能であり、その場合にも高い反り修正の効果を得る
ことができる。
【００１６】ロールの表面には、ロール径の精度のバラ
ツキを吸収するとともにダイパッド中央点への局部的な
加圧を避けるため、ゴム等の弾性材料をライニングする
ことが好ましい。ライニング層は、一対のロールの一方
だけに形成してもよく、あるいは双方のロールに形成し
てもよい。ライニング材としては、たとえば、９０゜程
度の硬度を有した耐摩耗性に富むポリウレタンが使用さ
れる。
ツキを吸収するとともにダイパッド中央点への局部的な
加圧を避けるため、ゴム等の弾性材料をライニングする
ことが好ましい。ライニング層は、一対のロールの一方
だけに形成してもよく、あるいは双方のロールに形成し
てもよい。ライニング材としては、たとえば、９０゜程
度の硬度を有した耐摩耗性に富むポリウレタンが使用さ
れる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明による複合リードフ
レームの製造方法と製造装置の実施の形態を説明する。
図１の（ａ）は、製造装置の全容を示す平面図であり、
１ａ、１ｂ、１ｃは、その組み合わせによって本発明に
いう搬送機構を構成する搬送装置を示す。２は搬送装置
１ａと１ｂの間に設置された打抜装置を示し、この打抜
装置２には、所定の配線パターンを片面に連続して有
し、反対面に熱可塑性接着層を形成した長尺の絶縁テー
プ３が供給される。
レームの製造方法と製造装置の実施の形態を説明する。
図１の（ａ）は、製造装置の全容を示す平面図であり、
１ａ、１ｂ、１ｃは、その組み合わせによって本発明に
いう搬送機構を構成する搬送装置を示す。２は搬送装置
１ａと１ｂの間に設置された打抜装置を示し、この打抜
装置２には、所定の配線パターンを片面に連続して有
し、反対面に熱可塑性接着層を形成した長尺の絶縁テー
プ３が供給される。
【００１８】絶縁テープ３は、送り出し側４より巻き取
り側５に向けて配線パターンの単位長さずつ寸送りさ
れ、その過程で打抜装置２により配線パターンの単位毎
に打ち抜かれる。一方、リードフレーム供給部に積層さ
れ、所定の構成単位が複数個形成されたリードフレーム
６は、吸着機７ａに吸着されて搬送路８ａに送られ、搬
送路８ａ上を往復する搬送機９ａによって打抜装置２に
運ばれる。
り側５に向けて配線パターンの単位長さずつ寸送りさ
れ、その過程で打抜装置２により配線パターンの単位毎
に打ち抜かれる。一方、リードフレーム供給部に積層さ
れ、所定の構成単位が複数個形成されたリードフレーム
６は、吸着機７ａに吸着されて搬送路８ａに送られ、搬
送路８ａ上を往復する搬送機９ａによって打抜装置２に
運ばれる。
【００１９】図１の（ｂ）は、打抜装置２の構成を示し
たものである。同図において、１０はシリンダ、１１は
シリンダ１０の先端に取り付けられたスライド板１２の
上に設置されたヒートブロック、１３は加圧シリンダ、
１４は固定板１５の上にセットされた打抜金型を示す。
たものである。同図において、１０はシリンダ、１１は
シリンダ１０の先端に取り付けられたスライド板１２の
上に設置されたヒートブロック、１３は加圧シリンダ、
１４は固定板１５の上にセットされた打抜金型を示す。
【００２０】打抜金型１４は、図３に示されるような配
線基板２９を打ち抜くためのオスメス係合による打抜パ
ンチとダイ（いずれも図示せず）を有しており、これら
のうち打抜パンチは、加圧シリンダ１３の先端に取り付
けられ、一方、ダイは、その下方に打抜パンチと対向し
て配置されている。
線基板２９を打ち抜くためのオスメス係合による打抜パ
ンチとダイ（いずれも図示せず）を有しており、これら
のうち打抜パンチは、加圧シリンダ１３の先端に取り付
けられ、一方、ダイは、その下方に打抜パンチと対向し
て配置されている。
【００２１】打抜パンチによる下方向への打ち抜き動作
が開始すると、上部にリードフレーム６を載せたヒート
ブロック１１が上昇し、これにより絶縁テープ３から打
ち抜かれた打抜片（配線基板２９）が、図２の（ｂ）の
ダイパッド１６の所定の位置に貼着される。
が開始すると、上部にリードフレーム６を載せたヒート
ブロック１１が上昇し、これにより絶縁テープ３から打
ち抜かれた打抜片（配線基板２９）が、図２の（ｂ）の
ダイパッド１６の所定の位置に貼着される。
【００２２】リードフレーム６は、予めヒートブロック
１１によって所定の温度に加熱されており、従って、打
抜片は、絶縁テープ３が有する接着層によってダイパッ
ド１６に接着されることになり、これにより所定の形状
の配線基板２９を有した複合リードフレームが製造され
る。
１１によって所定の温度に加熱されており、従って、打
抜片は、絶縁テープ３が有する接着層によってダイパッ
ド１６に接着されることになり、これにより所定の形状
の配線基板２９を有した複合リードフレームが製造され
る。
【００２３】図１の（ａ）において、１７は搬送装置１
ｂと１ｃの間に設置されたロール装置を示す。打抜装置
２においてダイパッド１６に配線基板２９を貼着された
リードフレーム６は、搬送路８ｂの上を往復する搬送機
９ｂによってヒートブロック１１上よりロール装置１７
に送り込まれ、ダイパッド１６と自身の反りを修正され
る。
ｂと１ｃの間に設置されたロール装置を示す。打抜装置
２においてダイパッド１６に配線基板２９を貼着された
リードフレーム６は、搬送路８ｂの上を往復する搬送機
９ｂによってヒートブロック１１上よりロール装置１７
に送り込まれ、ダイパッド１６と自身の反りを修正され
る。
【００２４】図１の（ｃ）は、ロール装置１７の構成を
示す。１８と１９はスタンド２０に取り付けられた上下
一対のロール、２１は駆動源であるモータを示し、その
回転軸２２は、ロール１９の側に連結しており、他方の
ロール１８は、フリーに回転するように構成されてい
る。２３はロール１８と１９の間のクリアランスを調整
するためのネジを示す。
示す。１８と１９はスタンド２０に取り付けられた上下
一対のロール、２１は駆動源であるモータを示し、その
回転軸２２は、ロール１９の側に連結しており、他方の
ロール１８は、フリーに回転するように構成されてい
る。２３はロール１８と１９の間のクリアランスを調整
するためのネジを示す。
【００２５】ロール１８は、ストレートな表面形状を有
しており、一方、ロール１９の表面には、その全長に亙
って凸型クラウン２４が形成されている。これらのロー
ルの表面には、９０゜の硬度を有した厚さが５ｍｍのポ
リウレタンが、ロール表面のストレート形状および凸型
クラウン形状を損なわないように精密にライニングされ
ている。
しており、一方、ロール１９の表面には、その全長に亙
って凸型クラウン２４が形成されている。これらのロー
ルの表面には、９０゜の硬度を有した厚さが５ｍｍのポ
リウレタンが、ロール表面のストレート形状および凸型
クラウン形状を損なわないように精密にライニングされ
ている。
【００２６】打抜装置２より搬出されたリードフレーム
６は、配線基板２９との熱膨張の違いからくる反りを発
生させており、多くの場合、図１の（ｂ）の下側が凸側
となった反りを発生させている。また、この反りは、ダ
イパッド１６においては、幅方向と長さ方向の双方に発
生しているのが普通であり、一方、リードフレーム６に
おいては、幅方向に発生しているのが普通である。
６は、配線基板２９との熱膨張の違いからくる反りを発
生させており、多くの場合、図１の（ｂ）の下側が凸側
となった反りを発生させている。また、この反りは、ダ
イパッド１６においては、幅方向と長さ方向の双方に発
生しているのが普通であり、一方、リードフレーム６に
おいては、幅方向に発生しているのが普通である。
【００２７】搬送装置１ｂによりロール１８と１９の間
に送り込まれたリードフレーム６は、ロール１８と１９
から、これらに設定されたクリアランス、およびライニ
ング層の厚さと硬さに基づいた所定の挟圧力を加えら
れ、反りが修正される。凸型クラウン２４の中央部で最
大となり、両サイドに漸減するこの挟圧力は、湾曲した
形の反りの修正には最適であり、これによりリードフレ
ーム６とダイパッド１６の反りは、実害のない状態にま
で修正される。
に送り込まれたリードフレーム６は、ロール１８と１９
から、これらに設定されたクリアランス、およびライニ
ング層の厚さと硬さに基づいた所定の挟圧力を加えら
れ、反りが修正される。凸型クラウン２４の中央部で最
大となり、両サイドに漸減するこの挟圧力は、湾曲した
形の反りの修正には最適であり、これによりリードフレ
ーム６とダイパッド１６の反りは、実害のない状態にま
で修正される。
【００２８】ダイパッド１６の反りと自身の反りを修正
されたリードフレーム６は、次に、図１の（ａ）の搬送
路８ｃ上を往復する搬送機９ｃによってロール装置１７
から搬送路８ｃの所定の位置まで運ばれ、その後、吸着
機７ｃによって製品収納箱２５に払い出される。以上の
動作が繰り返される結果、作業は効率的に進行する。
されたリードフレーム６は、次に、図１の（ａ）の搬送
路８ｃ上を往復する搬送機９ｃによってロール装置１７
から搬送路８ｃの所定の位置まで運ばれ、その後、吸着
機７ｃによって製品収納箱２５に払い出される。以上の
動作が繰り返される結果、作業は効率的に進行する。
【００２９】表１は、以上の製造方法と製造装置に基づ
いて複合リードフレームを実際に製造したときの、配線
基板２９の貼着後におけるダイパッド１６とリードフレ
ーム６の反りのデータを集成したものである。ダイパッ
ド１６およびリードフレーム６のいずれにも、大きな反
りが発生していることが認められる。
いて複合リードフレームを実際に製造したときの、配線
基板２９の貼着後におけるダイパッド１６とリードフレ
ーム６の反りのデータを集成したものである。ダイパッ
ド１６およびリードフレーム６のいずれにも、大きな反
りが発生していることが認められる。
【表１】
【００３０】なお、この実施例におけるリードフレーム
６としては、厚さが０．１２５ｍｍの４２合金板からエ
ッチングにより製造され、図２の（ｂ）において、４３
本のインナーリード２６を有したリードフレームを使用
した。インナーリード２６の表面には、厚さが３μｍの
Ａｇメッキが形成されている。
６としては、厚さが０．１２５ｍｍの４２合金板からエ
ッチングにより製造され、図２の（ｂ）において、４３
本のインナーリード２６を有したリードフレームを使用
した。インナーリード２６の表面には、厚さが３μｍの
Ａｇメッキが形成されている。
【００３１】一方、絶縁テープ３としては、接着剤で貼
り付けた厚さが５０μｍの銅箔を片面に有し、厚さが１
０μｍの熱可塑性接着層を他面に有したポリイミドテー
プに、銅箔へのレジスト塗布、配線パターンの露光と現
像、およびエッチング加工を施すことによって得られた
絶縁テープを使用した。
り付けた厚さが５０μｍの銅箔を片面に有し、厚さが１
０μｍの熱可塑性接着層を他面に有したポリイミドテー
プに、銅箔へのレジスト塗布、配線パターンの露光と現
像、およびエッチング加工を施すことによって得られた
絶縁テープを使用した。
【００３２】表２は、ロール装置１７による反りの修正
を施した後のリードフレーム６とダイパッド１６の反り
のデータを集成したものである。表２によれば、ダイパ
ッド１６の幅方向と長さ方向の反り、およびリードフレ
ーム６の幅方向の反りのいずれもが、実害のない水準に
修正されており、本発明による効果が明白に現れてい
る。
を施した後のリードフレーム６とダイパッド１６の反り
のデータを集成したものである。表２によれば、ダイパ
ッド１６の幅方向と長さ方向の反り、およびリードフレ
ーム６の幅方向の反りのいずれもが、実害のない水準に
修正されており、本発明による効果が明白に現れてい
る。
【表２】
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による複合
リードフレームの製造方法および製造装置によれば、所
定の配線パターンを形成した絶縁テープを配線パターン
の単位に打ち抜くと同時にダイパッドに貼着して配線基
板を形成した後、これを一対のロールの間に送り込むた
め、配線基板の形成時に発生した反りは、ロールによる
挟圧力によって修正されることになり、従って、反りの
ために生ずるダイパッドとチップ間の隙間、およびこれ
を原因としたリフロー時のチップとパッケージのクラッ
ク発生等の問題を効果的に解決することができる。
リードフレームの製造方法および製造装置によれば、所
定の配線パターンを形成した絶縁テープを配線パターン
の単位に打ち抜くと同時にダイパッドに貼着して配線基
板を形成した後、これを一対のロールの間に送り込むた
め、配線基板の形成時に発生した反りは、ロールによる
挟圧力によって修正されることになり、従って、反りの
ために生ずるダイパッドとチップ間の隙間、およびこれ
を原因としたリフロー時のチップとパッケージのクラッ
ク発生等の問題を効果的に解決することができる。
【００３４】また、所定の配線パターンを形成した絶縁
テープの打抜金型への連続供給と、搬送機構による打抜
金型へのリードフレームの連続供給に基づいて配線基板
をダイパッドに貼着し、引き続きこのリードフレームを
搬送機構によりロール装置に導入することで反りを修正
し、反りを修正したリードフレームを搬送機構により所
定の位置に払い出すように工程が進行するため、効率的
な複合リードフレームの製造を実施することができる。
テープの打抜金型への連続供給と、搬送機構による打抜
金型へのリードフレームの連続供給に基づいて配線基板
をダイパッドに貼着し、引き続きこのリードフレームを
搬送機構によりロール装置に導入することで反りを修正
し、反りを修正したリードフレームを搬送機構により所
定の位置に払い出すように工程が進行するため、効率的
な複合リードフレームの製造を実施することができる。
【図１】本発明による複合リードフレームの製造方法お
よび製造装置の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）
は製造装置の全容の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ方向か
ら見たときの打抜装置の構成、（ｃ）は（ａ）の同じく
Ａ方向から見たときのロール装置の構成を示す。
よび製造装置の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）
は製造装置の全容の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ方向か
ら見たときの打抜装置の構成、（ｃ）は（ａ）の同じく
Ａ方向から見たときのロール装置の構成を示す。
【図２】複合リードフレームを使用した半導体装置を示
す説明図であり、（ａ）は半導体装置の構成、（ｂ）は
複合リードフレームの構成を示す。
す説明図であり、（ａ）は半導体装置の構成、（ｂ）は
複合リードフレームの構成を示す。
【図３】配線基板の構成例を示す説明図。
１ａ、１ｂ、１ｃ 搬送装置 ２ 打抜装置 ３ 絶縁テープ ６ リードフレーム ７ａ、７ｃ 吸着機 ８ａ、８ｂ、８ｃ 搬送路 ９ａ、９ｂ、９ｃ 搬送機 １０ シリンダ １１ ヒートブロック １２ スライド板 １３ 加圧シリンダ １４ 打抜金型 １５ 配線基板 １６ ダイパッド １７ ロール装置 １８、１９ 一対のロール ２４ 凸型クラウン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 綿引 輝行 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 Ｆターム(参考） 3C060 AA11 AB01 BD03 BF02 BF06 4E003 BA02 5F067 AA11 BE00 DF09
Claims (6)
- 【請求項１】リードフレームの半導体チップを搭載する
ためのダイパッドに、搭載される前記半導体チップと前
記リードフレームのインナーリードの接続を中継するた
めの配線基板を貼着する複合リードフレームの製造方法
において、 所定の配線パターンを形成した絶縁テープを前記ダイパ
ッドの上方に供給し、 前記絶縁テープを前記所定の配線パターンを単位として
打ち抜いて打抜片を形成するとともに打ち抜き動作の延
長において前記打抜片を前記ダイパッドに貼着し、 前記ダイパッドに前記打抜片を貼着した前記リードフレ
ームを一対のロールの間に送り込むことにより前記リー
ドフレームと前記ダイパッドの反りの修正を行うことを
特徴とする複合リードフレームの製造方法。 - 【請求項２】前記反りの修正は、前記反りの凸側に位置
させられた表面に凸型クラウンを有するロールと、前記
反りの凹側に位置させられた表面がストレートのロール
を組み合わせた前記一対のロールによって行うことを特
徴とする請求項１項記載の複合リードフレームの製造方
法。 - 【請求項３】前記反りの修正は、前記反りの凸側に位置
させられた表面に凸型クラウンを有するロールと、前記
反りの凹側に位置させられた表面に凹型クラウンを有す
るロールを組み合わせた前記一対のロールによって行う
ことを特徴とする請求項１項記載の複合リードフレーム
の製造方法。 - 【請求項４】前記反りの修正は、少なくともその一方の
表面にゴム等の弾性材料をライニングした前記一対のロ
ールによって行うことを特徴とする請求項１〜３項記載
の複合リードフレームの製造方法。 - 【請求項５】リードフレームの半導体チップを搭載する
ためのダイパッドに、搭載される前記半導体チップと前
記リードフレームのインナーリードの接続を中継するた
めの配線基板を貼着した複合リードフレームの製造装置
において、 所定の配線パターンを多数有して連続的に供給される絶
縁テープを前記所定の配線パターンの単位に打ち抜いて
打抜片を形成するとともに打ち抜き動作の延長において
前記打抜片を前記リードフレームのダイパッドに貼着す
る打抜金型と、 前記打抜金型の下方に位置し、前記リードフレームを上
に載せて加熱するとともに前記打抜片の前記ダイパッド
への貼着時の貼着圧を発生させるヒートブロックと、 一対のロールより構成され、前記ヒートブロック上より
供給される前記打抜片を貼着された前記リードフレーム
に挟圧力を加えることによって前記リードフレームと前
記ダイパッドの反りを修正するロール装置と、 リードフレーム供給部から前記リードフレームを前記ヒ
ートブロック上に供給し、前記ヒートブロック上の前記
リードフレームを前記ロール装置に送り込み、かつ前記
ロール装置を通過した前記リードフレームを所定の位置
に払い出す搬送機構より構成されることを特徴とする複
合リードフレームの製造装置。 - 【請求項６】前記一対のロールは、前記反りの凸側に位
置する側が表面に凸型クラウンを有し、前記反りの凹側
に位置する側が表面がストレートであることを特徴とす
る請求項５項記載の複合リードフレームの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31563699A JP2001135765A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 複合リードフレームの製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31563699A JP2001135765A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 複合リードフレームの製造方法および製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001135765A true JP2001135765A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18067757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31563699A Pending JP2001135765A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 複合リードフレームの製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001135765A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100402961B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2003-10-22 | 삼성테크윈 주식회사 | 히터 블록 조립체 |
| JP2014179587A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-25 | Internatl Rectifier Corp | 多相電力段用のリードフレームアイランドを備えたパワー・カッド・フラット・ノーリード（ｐｑｆｎ）半導体パッケージ |
| US9324638B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-26 | Infineon Technologies Americas Corp. | Compact wirebonded power quad flat no-lead (PQFN) package |
| US9355995B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-05-31 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor packages utilizing leadframe panels with grooves in connecting bars |
| US9362215B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-06-07 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package with leadframe islands for multi-phase power inverter |
| US9443795B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having bootstrap diodes on a common integrated circuit (IC) |
| US9449957B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe |
| US9524928B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having control and driver circuits |
| US9620954B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
| US9659845B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
| US9711437B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-07-18 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
-
1999
- 1999-11-05 JP JP31563699A patent/JP2001135765A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100402961B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2003-10-22 | 삼성테크윈 주식회사 | 히터 블록 조립체 |
| US9449957B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe |
| US9324638B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-26 | Infineon Technologies Americas Corp. | Compact wirebonded power quad flat no-lead (PQFN) package |
| US9355995B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-05-31 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor packages utilizing leadframe panels with grooves in connecting bars |
| US9362215B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-06-07 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package with leadframe islands for multi-phase power inverter |
| US9443795B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having bootstrap diodes on a common integrated circuit (IC) |
| US9524928B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having control and driver circuits |
| US9530724B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-27 | Infineon Technologies Americas Corp. | Compact power quad flat no-lead (PQFN) package |
| US9620954B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
| US9659845B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
| US9711437B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-07-18 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
| US9899302B2 (en) | 2010-12-13 | 2018-02-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
| US10438876B2 (en) | 2010-12-13 | 2019-10-08 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
| JP2014179587A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-25 | Internatl Rectifier Corp | 多相電力段用のリードフレームアイランドを備えたパワー・カッド・フラット・ノーリード（ｐｑｆｎ）半導体パッケージ |
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