JP2013534054A5 - - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 22
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000000087 stabilizing Effects 0.000 claims description 5
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M Perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M Sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NPDODHDPVPPRDJ-UHFFFAOYSA-N permanganate Chemical compound [O-][Mn](=O)(=O)=O NPDODHDPVPPRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 claims description 2
- -1 amino, bromo, bromomethyl Chemical group 0.000 claims 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 claims 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 4
- 229910003617 SiB Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 3
- 229920003237 carborane-containing polymer Polymers 0.000 claims 3
- 230000001808 coupling Effects 0.000 claims 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 claims 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims 2
- LZPWAYBEOJRFAX-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2$l^{2}-dioxaborolane Chemical group CC1(C)O[B]OC1(C)C LZPWAYBEOJRFAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000090 borane Inorganic materials 0.000 claims 2
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;N-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- DMJZZSLVPSMWCS-UHFFFAOYSA-N diborane Chemical compound B1[H]B[H]1 DMJZZSLVPSMWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 claims 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims 2
- 125000001476 phosphono group Chemical group [H]OP(*)(=O)O[H] 0.000 claims 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-Aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropylurea Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC(N)=O LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GXNYYWOKRARRQN-UHFFFAOYSA-N B.C1CCNCC1 Chemical compound B.C1CCNCC1 GXNYYWOKRARRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-L CHEBI:8154 Chemical class [O-]P([O-])=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N Dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N Methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N N'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N Silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L Sodium thiosulphate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N Triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N Trimethylsilyl chloride Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](CC)(OC(C)=O)OC(C)=O KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- YJROYUJAFGZMJA-UHFFFAOYSA-N boron;morpholine Chemical compound [B].C1COCCN1 YJROYUJAFGZMJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 claims 1
- 239000012038 nucleophile Substances 0.000 claims 1
- NJRWNWYFPOFDFN-UHFFFAOYSA-L phosphonate(2-) Chemical compound [O-][P]([O-])=O NJRWNWYFPOFDFN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- LPGWNCNRGQANGC-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium-1-ylboranuide Chemical compound [BH3-][N+]1=CC=CC=C1 LPGWNCNRGQANGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims 1
- YOQDYZUWIQVZSF-UHFFFAOYSA-N sodium borohydride Substances [BH4-].[Na+] YOQDYZUWIQVZSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims 1
- ODGROJYWQXFQOZ-UHFFFAOYSA-N sodium;boron(1-) Chemical compound [B-].[Na+] ODGROJYWQXFQOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003750 conditioning Effects 0.000 description 2
- 230000000877 morphologic Effects 0.000 description 1
Images
Description
例示的な実施形態において、銅酸化物層はグレインを有し、調整の後にはこれらグレインは250ナノメータ以下のサイズを有する。別の実施形態において、銅酸化物層はグレインを有し、調整の後にはこれらグレインは200ナノメータ以下のサイズを有する。いくつかの実施形態において、銅酸化物層はグレインを有し、調整の後にはこれらグレインは実質的に不規則に配向している。
銅表面は、銅表面を酸化剤に暴露することによって安定化される。例示の実施形態において、酸化剤は亜塩素酸ナトリウム、過酸化水素、過マンガン酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、オゾン、又はこれら物質の混合物のうちのいずれか1つ以上から選択される。銅表面を安定化させるステップは、室温〜約80℃の範囲の温度で行うことができる。
例示の実施形態において、銅酸化物層は非常に分散したグレイン構造を有し、調整の後にはグレインは200ナノメータ以下のサイズを有する。別の実施形態において、銅酸化物層はグレインを有し、調整の後にはこれらグレインは100ナノメータ以下のサイズを有する。いくつかの実施形態において、銅酸化物はグレインを有し、調整の後にはこれらグレインは実質的にランダムに配向している。
図3Aは、ノジュール状グレイン及び長距離秩序の結晶構造を反映する一方向性グレイン成長を有する、従来の電解銅表面(すなわち、滑らかな銅表面、若しくは言い換えると粗化されていない銅表面)の典型的なモルフォロジーを示す、50,000倍の例示的SEM写真である。比較として、本発明の方法に従って処理された電解銅表面のモルフォロジーが、図3Bに示されている。非常に明確であるように、図3Bに示された、処理された銅表面上の安定化層は、グレインがより細かく、グレイン成長が一方向性ではなく、均一性がより高いモルフォロジーを示している。対照的に、図3Cは既存の黒色酸化物表面を示し、この表面は非常に厚く、壊れやすい繊維状構造を示している。図3Dは、既存のマイクロエッチされた銅表面の例示的SEM写真であり、この表面は非常に不均一なマイクロな畝状モルフォロジーを示している。
Claims (17)
- 銅表面と有機基板との間の接着を促進する、プリント配線板を製造する方法であって、
前記銅表面上に銅酸化物層を形成することによって前記銅表面を安定化すると共に、1つ以上の分子を前記銅酸化物層にカップリングするステップであって、前記銅表面が、前記銅表面を50〜80℃の温度で酸化剤と1%未満の表面活性部分(SAM)とに暴露することによって安定化され、前記1つ以上の分子が、前記表面活性部分であり、前記表面活性部分が、式A (4−x) SiB x Yによって特徴づけられるシランであり、式中、Aは独立に加水分解性基であり、x=1〜3であり、Bは独立にアルキル又はアリール基であり、Yはアリール官能基もしくはアルキル付着基、又はその両方である、ステップと、
前記銅酸化物層を還元剤で還元することによって安定化された前記銅表面を調整するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 調整後の前記銅酸化物層は、約200ナノメータ以下の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 調整後の前記銅酸化物層は、実質的にアモルファス構造から成ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記銅酸化物層はグレインを有し、調整後には前記グレインは250ナノメータ以下のサイズを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記銅酸化物層はグレインを有し、調整後には前記グレインは200ナノメータ以下のサイズを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記銅酸化物層はグレインを有し、調整後には前記グレインは実質的に不規則に配向していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化剤は、亜塩素酸ナトリウム、過酸化水素、過マンガン酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、オゾン、又はこれら物質の混合物のいずれか1つ以上から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記還元剤は、ホルムアルデヒド、チオ硫酸ナトリウム、ほう化水素酸ナトリウム、一般式BH3NHRR’(R及びR’はそれぞれH、CH3、CH2CH3から成る群から選択される)によって表される、ジメチルアミンボラン(DMAB)を含むボラン還元剤、モルホリンボラン、ピリジンボラン、ピペリジンボランを含む環状ボランのうちのいずれか1つ以上から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記銅酸化物層を調整するステップは、室温〜約50℃の温度で行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 約2〜20分の時間で行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 銅表面をアルカリ溶液及び/又は過酸化物溶液で予備洗浄するステップと、
前記銅表面上に銅酸化物層を形成することによって前記銅表面を安定化すると共に、1つ以上の分子を前記銅酸化物層にカップリングするステップであって、前記銅表面は、前記銅表面を50〜80℃の温度で酸化剤と1%未満の表面活性部分(SAM)とに暴露することによって安定化され、前記1つ以上の分子が、前記表面活性部分であり、前記表面活性部分が、式A (4−x) SiB x Yによって特徴づけられるシランであり、式中、Aは独立に加水分解性基であり、x=1〜3であり、Bは独立にアルキル又はアリール基であり、Yはアリール官能基もしくはアルキル付着基、又はその両方である、ステップと、
還元剤で前記銅酸化物層を調整するステップと、
処理された前記銅表面を樹脂と接合するステップと、
を含む、プリント回路板を製造する方法。 - 銅表面をアルカリ溶液及び/又は過酸化物溶液で予備洗浄するステップと、
前記銅表面上に銅酸化物の層を形成することによって前記銅表面を安定化すると共に、1つ以上の分子を前記銅酸化物にカップリングするステップであって、前記銅表面は、前記銅表面を50〜80℃の温度で酸化剤と1%未満の表面活性部分(SAM)とに暴露することによって安定化され、前記1つ以上の分子が、前記表面活性部分であり、前記表面活性部分が、式A (4−x) SiB x Yによって特徴づけられるシランであり、式中、Aは独立に加水分解性基であり、x=1〜3であり、Bは独立にアルキル又はアリール基であり、Yはアリール官能基もしくはアルキル付着基、又はその両方である、ステップと、
前記銅酸化物と前記表面活性部分との間の自己制御式反応によって前記銅酸化物の形成を停止させるステップと、
処理された前記銅表面を樹脂と接合するステップと、
を含む、プリント配線板を製造する方法。 - 前記アリール官能基は、アセタート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシラート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se−アセチルセレノ、Se−アセチルセレノメチル、S−アセチルチオ、S−アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、2−(トリメチルシリル)エチニル、ビニル、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上から選択される官能基を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アルキル付着基は、アセタート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシラート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se−アセチルセレノ、Se−アセチルセレノメチル、S−アセチルチオ、S−アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、2−(トリメチルシリル)エチニル、ビニル、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上から選択される官能基を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つの付着基は、アルコール又はホスホン酸塩を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つの付着基は、アミン、アルコール、エーテル、他の求核試薬、フェニルエチン、フェニルアリル基、ホスホナート、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の分子は、シラン、テトラオルガノ‐シラン、アミノエチル‐アミノプロピルートリメトキシシラン、(3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、(1‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]ウレア)、(3‐アミノプロピル)トリエトキシシラン、(3‐クロロプロピル)トリメトキシシラン、(3‐グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、3‐(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート、エチルトリアセトキシシラン、トリエトキシ(イソブチル)シラン、トリエトキシ(オクチル)シラン、トリス(2‐メトキシエトキシ)(ビニル)シラン、クロロトリメチルシラン、メチルトリクロロシラン、四塩化ケイ素,テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、クロロトリエトキシシラン、エチレン‐トリメトキシシラン、又は以上の物質のいずれかの組み合わせの群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2010/041091 WO2012005723A1 (en) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Methods of treating copper surfaces for enhancing adhesion to organic substrates for use in printed circuit boards |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013162185A Division JP5946802B2 (ja) | 2013-08-05 | 2013-08-05 | プリント配線板 |
JP2015031986A Division JP6069735B2 (ja) | 2015-02-20 | 2015-02-20 | プリント配線板を製造する方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013534054A JP2013534054A (ja) | 2013-08-29 |
JP2013534054A5 true JP2013534054A5 (ja) | 2015-04-16 |
JP5946827B2 JP5946827B2 (ja) | 2016-07-06 |
Family
ID=45441463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013518360A Active JP5946827B2 (ja) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | プリント配線板を製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9345149B2 (ja) |
EP (1) | EP2591645B1 (ja) |
JP (1) | JP5946827B2 (ja) |
KR (2) | KR101730983B1 (ja) |
CN (2) | CN107072072B (ja) |
WO (1) | WO2012005723A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2010-07-06 KR KR1020157018089A patent/KR101730983B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-06 WO PCT/US2010/041091 patent/WO2012005723A1/en active Application Filing
- 2010-07-06 CN CN201710252287.0A patent/CN107072072B/zh active Active
- 2010-07-06 CN CN201080067927.7A patent/CN103120037B/zh active Active
- 2010-07-06 JP JP2013518360A patent/JP5946827B2/ja active Active
- 2010-07-06 EP EP10854525.2A patent/EP2591645B1/en active Active
- 2010-07-06 KR KR1020137003172A patent/KR101774906B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-06 US US13/142,588 patent/US9345149B2/en active Active
-
2016
- 2016-04-15 US US15/130,167 patent/US9795040B2/en active Active
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