JP2013242957A - 磁気メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気メモリ装置、それを装着したメモリ・モジュール及びメモリシステムに係り、該磁気メモリ装置(MRAM)は、磁化方向により、少なくとも2種状態間を可変する磁気メモリセルを含み、MRAMの複数動作オプションを支援するモードレジスタを含む。該メモリ・モジュールは、モジュールボードと、モジュールボード上に装着される少なくとも一つ以上のMRAMチップとを含み、モジュールボード上に装着され、MRAMチップの動作を管理するバッファチップをさらに含む。該メモリシステムは、MRAMと通信するメモリ・コントローラを含み、MRAMとメモリ・コントローラとの間に連結される光連結装置を介して、電光変換信号または光電変換信号を通信させる。
【選択図】図2
Description
11 メモリ・コントローラ
12 メモリ装置(MRAM)
14 制御ロジック
15 モードレジスタ
16 アドレスバッファ
17 ロウアドレス・マルチプレクサ
18 バンク制御ロジック部
19 カラムアドレス・カウンタ及びラッチ
20 アドレスラッチ及びデコーダ
21 メモリバンク
22 センスアンプ
23 カラムデコーダ
24 I/OゲーティングDMロジック
25 データ読み取りラッチ
26 マルチプレクサ
27 データドライバ
28 ストローブ信号発生部
29 DLL
30 メモリセル
32 ワードライン駆動部
34 ソースライン回路
35 データレシーバ
36 入力レジスタ
37 書き込みFIFO及びドライバ
40 MTJ素子
41 自由層
42 トンネル層
43 固定層
44 基準電圧発生部
45 書き込み/読み取りバイアス発生部
Claims (24)
- 磁化方向により、少なくとも2種状態間を可変する磁気メモリセルを含むMRAM(magnetic random access memory)において、
前記MRAMの複数動作モードを支援するモードレジスタを具備し、
動作モードそれぞれは、前記MRAMの動作特性グループと関連することを特徴とするMRAM。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMの読み取りコマンドまたは書き込みコマンドに対してアクセスすることができるカラムロケーションの最大数を示すバースト長(BL)をセッティングし;
前記MRAMで出力されるデータのデータターミナル上での順序を定義する読み取りバーストタイプ(RBT)をセッティングし;
前記MRAMの読み取りコマンドと、有効な出力データの最初のビットとのクロックサイクル遅延を定義するCASレイテンシ(CL)をセッティングし;
前記MRAMのテストモード(TM)をセッティングし;
前記MRAMのDLLリセット特性を提供し;
前記MRAMの自動プリチャージのためのライトリカバリ及び読み取りコマンド・ツー・プリチャージ(WR and RTP)特性を提供し;
前記MRAMのプリチャージパワー・ダウンモード間DLL使用を選択する。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMのDLL(delay-locked loop)イネーブルまたはディセーブルを選択し;
前記MRAMの出力ドライバ・インピーダンス制御(ODIC)のために使われ;
前記MRAMのアディティブ・レイテンシ(AL)を選択し;
前記MRAMのクロックとストローブとのスキューを補償するためにライトレベリング(Level)特性を提供し;
前記MRAMのオンダイ・ターミネーション(ODT)特性を提供し;
前記MRAMのさらなるターミネーション抵抗出力をイネーブルさせるターミネーション・データストローブ(TDQS)機能を提供し;
前記MRAMの出力ドライバイネーブルまたはディセーブルを提供する。 - 前記モードレジスタは、
前記MRAMのコマンドのない動作で選択されるノーミナル・ターミネーション(RTT_NOM)またはパーク・ターミネーション(RTT_PARK)、及びライトコマンドがレジスタされたときに選択されるダイナミック・ターミネーション(RTT_WR)を提供するために使用されることを特徴とする請求項1に記載のMRAM。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMの内部ライト命令と、有効な入力データの最初のビットとのクロックサイクル遅延によって定義されるCASライトレイテンシ(CWL)機能を提供し;
前記MRAMとメモリ・コントローラとの間に伝送されるデータのCRC(cyclic redundancy check)計算をイネーブルさせるライトCRC(WCRC)機能を提供する。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMのあらかじめ設定されたシステムタイミング・キャリブレーション・ビットシーケンスを読み取るMPR(multipurpose register)機能を提供し;
前記MRAMの1/2レート(1N)クロックモードまたは1/4レート(2N)クロックモードを選択するギアダウンモード(GD)を提供し;
前記MRAMのライトコマンド・レイテンシ(WCL)を制御し;
前記MRAMのモードレジストに保存されたデータを読み取るモードレジスタ読み取りモードを制御する。 - 前記モードレジスタは、
前記MRAMのマルチ読み取り/書き込み時、トレーニングパターン、CA(command and address)パリティエラーログ、またはモードレジスタ読み取り(MRS readout)の機能を提供することを特徴とする請求項6に記載のMRAM。 - 前記モードレジスタは、
1つのランク内のMRAMに、他のODTまたは基準電圧(Vref)値をプログラムするためのパーMRAMアドレッシング(PDA)モードを提供するために使用されることを特徴とする請求項1に記載のMRAM。 - 前記モードレジスタは、
前記MRAMのCRCとDMとがいずれもイネーブルされたとき、前記WCLによって、コマンドバッファに入って来たコマンドを、所定のクロックサイクルほど遅延させることを特徴とする請求項6に記載のMRAM。 - 前記モードレジスタは、
全てのDQレーンに同一のパターンがリターンされるシリアル・データリターン、前記DQレーンにパラレルに読み取るパラレル・データリターン、または1つのMPRに対する読み取り命令が発行された後、DQレーンで互いに異なるMPRレジスタがリターンされるスタッガ・データリターンの方式で読み取ることを特徴とする請求項6に記載のMRAM。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMの最も低いパワー消耗モードを提供する最大パワーダウンモード(PD)を制御し;
前記MRAMの内部DQ基準電圧(VrefDQ)の動作電圧レンジ、ステップサイズ、Vrefステップ時間、Vrefフルステップ時間、またはVref有効レベルのパラメータをモニタリングする機能を提供し;
前記MRAMのコマンド発行後、コマンド/アドレスレシーバがイネーブルされるクロックサイクル時間によって定義されるコマンドアドレス・レイテンシ(CAL)機能を制御し;
前記MRAMのスキューを補償するリードレベリング(read leveling)のために、DQS(data strobe)のリードプリアンブル・トレーニング(RPT)機能を提供し;
前記MRAMのDQSが、DQデータ出力前に、所定のプリアンブル時間を有するように、リードプリアンブル(WP)機能を提供し;
前記MRAMのDQSが、DQデータ入力前に、所定のプリアンブル時間を有するように、読み取りプリアンブル(RP)機能を提供する。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMのコマンド信号とアドレス信号とのパリティ計算されたC/Aパリティを、所定クロックサイクルほど遅延させるC/Aパリティレイテンシ(PL)機能を提供し;
前記MRAMで生じたエラーがCRCエラーであるか、あるいはアドレス/パリティエラーであるかを区別するように、前記MRAMのCRCエラー(CRC)状態を知らせ;
前記MRAMで生じたエラーがCRCエラーであるか、あるいはアドレス/パリティエラーであるかを区別するように、前記MRAMのC/Aパリティエラー(PE)状態を知らせ;
前記MRAMのODT入力バッファパワーダウン機能を制御し;
前記MRAMのデータマスク(DM)機能を提供し;
前記MRAMの電力消耗を減らすために、書き込みデータを反転させる書き込みDBI(data bus inversion)機能を提供し;
前記MRAMの電力消耗を減らすために、読み取りデータを反転させる読み取りDBI機能を提供する。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMのVDDQ電圧を基準に、VrefDQトレーニング機能を提供し;
前記MRAMのCAS・ツー・CASコマンド遅延時間を定義するtCCDタイミング(tCCD_L)を制御する。 - 前記モードレジスタは、下記動作モードの一つ以上を支援することを特徴とする請求項1に記載のMRAM:
前記MRAMの書き込みデータのCRC値を伝送するときに設定されるレイテンシを提供し;
前記MRAMの読み取りデータのCRC値を伝送するときに設定されるレイテンシを提供する。 - 少なくとも一つ以上の貫通電極と、
前記貫通電極を介して電気的に連結され、磁化方向により、少なくとも2種状態間を可変する磁気メモリセルを含むMRAM(magnetic random access memory)で構成される半導体レイヤと、を具備し、
前記半導体レイヤは、前記MRAMの複数動作オプションを支援するモードレジスタを具備し、
動作モードそれぞれは、前記MRAMの動作特性グループと関連することを特徴とする半導体装置。 - モジュールボードと、
前記モジュールボード上に装着され、磁化方向により、少なくとも2種状態間を可変する磁気メモリセルを含む少なくとも一つ以上のMRAMチップと、を具備し、
前記MRAMチップは、複数動作オプションを支援するモードレジスタを具備し、
動作モードそれぞれは、前記MRAMの動作特性グループと関連することを特徴とするメモリ・モジュール。 - 前記メモリ・モジュールは、
前記モジュールボード上に装着され、前記MRAMチップの動作を管理するバッファチップをさらに具備することを特徴とする請求項16に記載のメモリ・モジュール。 - 磁化方向により、少なくとも2種状態間を可変する磁気メモリセルを含むMRAM(magnetic random access memory)と、
前記MRAMと通信するメモリ・コントローラと、を具備し、
前記MRAMチップは、複数動作オプションを支援するモードレジスタを具備し、
前記メモリ・コントローラは、
複数の動作モードのうちいずれか一つを選択し、動作特性のグループをセッティングするモードレジスタ状態を含み、他のモードレジスタ状態を選択する所定のビットセットを含む第1モードレジスタセットコードを選択し、
前記第1モードレジスタセットコードを含む第1コマンドを出力し、
前記所定のビットセットのビットそれぞれは、動作特性の第1グループと係わる第1動作モードを選択する特定値を有し、
前記第1モードレジスタセットコードは、前記動作特性の第1グループと係わる前記MRAMの動作を制御することを特徴とするメモリシステム。 - 前記メモリシステムは、
前記MRAMと、前記メモリ・コントローラとの間に連結される光連結装置をさらに具備し、
前記光連結装置を介して、電光変換信号または光電変換信号を通信させることを特徴とする請求項18に記載のメモリシステム。 - 磁化方向により、少なくとも2種状態間を可変する磁気メモリセルを含むMRAM(magnetic random access memory)の動作を制御する方法において、
動作特性のグループをセッティングするモードレジスタ状態を含み、他のモードレジスタ状態を選択する所定のビットセットを含む第1モードレジスタセットコードを選択する段階と、
前記所定のビットセットのビットそれぞれは、動作特性の第1グループと係わる第1動作モードを選択する特定値を有し、前記第1モードレジスタセットコードを含む第1コマンドを出力する段階と、を含み、
前記第1モードレジスタセットコードは、前記動作特性の第1グループと係わる前記MRAMの動作を制御することを特徴とするMRAM動作制御方法。 - 所定のビットセットを含む第2モードレジスタセットコードを選択する段階と、
前記所定のビットセットのビットそれぞれは、動作特性の第2グループと係わる第2動作モードを選択する特定値を有し、前記第2モードレジスタセットコードを含む第1コマンドを出力する段階と、をさらに含み、
前記第2モードレジスタセットコードは、前記動作特性の第2グループと係わる前記MRAMの動作を制御することを特徴とする請求項20に記載のMRAM動作制御方法。 - 前記所定のビットセットは、前記第1モードレジスタセットコード、及び前記第2モードレジスタセットコードいずれについても、前記モードレジスタセットコード内の同一位置を有するビットのセットであることを特徴とする請求項21に記載のMRAM動作制御方法。
- 前記動作特性の第1グループは、
前記MRAMの読み取りコマンドまたは書き込みコマンドに対してアクセスすることができるカラムロケーションの最大数を示すバースト長(BL)と、
前記MRAMで出力されるデータのデータターミナル上での順序を定義する読み取りバーストタイプ(RBT)と、
前記MRAMの読み取りコマンドと、有効な出力データの最初のビットとのクロックサイクル遅延を定義するCASレイテンシ(CL)と、
前記MRAMのテストモード(TM)と、
前記MRAMのDLLリセット特性と、
前記MRAMの自動プリチャージのためのライトリカバリ及び読み取りコマンド・ツー・プリチャージ(WR and RTP)特性と、
前記MRAMのプリチャージパワー・ダウンモード間のDLL使用と、のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項20に記載のMRAM動作方法。 - 前記動作特性の第2グループは、
前記MRAMのDLLイネーブルまたはディセーブルと、
前記MRAMの出力ドライバ・インピーダンス制御(ODIC)と、
前記MRAMのアディティブ・レイテンシ(AL)と、
前記MRAMのクロックとストローブとのスキューを補償するためのライトレベリング特性と、
前記MRAMのオンダイ・ターミネーション(ODT)特性と、
前記MRAMのさらなるターミネーション抵抗出力をイネーブルさせるターミネーション・データストローブ(TDQS)機能と、
前記MRAMの出力ドライバイネーブルまたは出力ドライバディセーブルと、のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項21に記載のMRAM動作方法。
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