CN104698917B - 半导体装置的操作模式设定电路和利用其的数据处理系统 - Google Patents
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Abstract
一种半导体装置的操作模式设定电路包括：模式寄存器组，其被配置成响应于初步信息设定信号，根据初步信息数据来更新半导体装置内部产生的操作模式信息；以及初步信息提供块，其被配置成响应于初步信息设定信号，将选自多个预存的初步信息数据中的初步信息数据提供至模式寄存器组，选中的初步信息数据与响应于初步信息设定信号检测出的检测操作参数相对应。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年12月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0153067的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
各种实施例总体而言涉及一种半导体装置，且更具体地，涉及一种半导体装置的操作模式设定电路和利用所述操作模式设定电路的数据处理系统。
背景技术
半导体装置通常在若干不同的操作环境下操作。不同的操作模式可以与一个或更多个不同的操作环境相关。在许多情况下，半导体装置利用操作模式设定电路来设定半导体装置的操作模式。
操作环境可以通过若干不同的操作参数来限定。这种操作参数的实例包括但不限制于：供应至半导体装置的外部时钟循环的周期时间、半导体装置的外部温度、半导体装置的内部温度以及供应至半导体装置的电源电压。
在许多情况下，限定半导体装置的操作环境的一个或更多个操作参数变化。
发明内容
半导体装置的操作模式设定电路的一个实施例可以包括：模式寄存器组，其被配置成响应于初步信息设定信号，基于初步信息数据来更新在半导体装置内部产生的操作模式信息；以及初步信息提供块，其被配置成响应于初步信息设定信号来将选自多个预存的初步信息数据中的初步信息数据提供至模式寄存器组，选中的初步信息与响应于初步信息设定信号检测出的操作参数中的检测出的变化相对应。
在一个实施例中，一种数据处理系统可以包括：控制器，其被配置成提供初步信息设定信号；以及半导体装置，其被配置成响应于初步信息设定信号，基于选自多个预存的初步信息数据中的初步信息数据来更新模式寄存器组的操作模式信息，选中的初步信息数据与操作参数中检测出的变化相对应。
在一个实施例中，一种半导体装置的操作模式设定电路可以包括：模式寄存器，其被配置成响应于初步信息设定信号，基于初步信息数据来更新在半导体装置处产生的操作模式信息；以及初步信息提供块，其被配置成响应于初步信息设定信号来将选自多个预存的初步信息数据中的初步信息数据提供至模式寄存器，选中的初步信息数据与操作参数的检测值相对应。
附图说明
将结合附图来描述本发明的特征、方面和实施例，其中：
图1是示出半导体装置的操作模式设定电路的一个实施例的框图；
图2是示出半导体装置的操作模式设定电路的一个实施例的框图；
图3是图2中所示的检测单元的框图；
图4是图2中所示的初步模式寄存器组的框图；
图5是示出半导体装置的操作模式设定电路的一个实施例的框图；
图6是图5中所示的检测单元的框图；
图7是示出半导体装置的操作模式设定电路的一个实施例的框图；
图8是示出图7中所示的可编程熔丝阵列与初步模式寄存器组之间的电耦接关系的框图；
图9是示出半导体装置的操作模式设定电路的一个实施例的框图；
图10是示出半导体装置的操作模式设定电路的一个实施例的框图；以及
图11是示出数据处理系统的一个实施例的框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来描述半导体装置的操作模式设定电路以及使用所述电路的数据处理系统的各种实施例。
如图1中所示，半导体装置的操作模式设定电路1的一个实施例包括模式寄存器组(MRS)20。半导体装置可以被配置成将与不同操作模式中的两种或更多种相关的操作模式信息储存在模式寄存器组(MRS)20中。
半导体装置包括若干功能电路块30。模式寄存器组20可以被配置成将操作模式信息的初始设定提供至功能电路块30。
模式寄存器组20可以被配置成响应于来自半导体装置的外部的器件、在半导体装置处接收到的操作模式设定命令MRS_SET来复位操作模式信息。这种外部器件的一个实例是控制半导体装置的操作的控制器。
模式寄存器组20可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来更新操作模式信息。初步信息模式设定信号PDMRS_SET可以来自半导体装置的外部的器件、在半导体装置处接收。这种器件的一个实例是控制半导体装置的操作的控制器。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以是响应于与半导体装置的初始化相关的信号而在半导体装置内部产生的信号。与半导体装置的初始化相关的信号的实例是加电信号(PWR)。
模式寄存器组20可以被配置成将复位操作模式信息传送至功能电路块30。功能电路块30根据模式寄存器组20提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
如图2中所示，半导体装置的操作模式设定电路100的一个实施例可以包括模式寄存器组200和初步信息提供块300。
模式寄存器组200可以被配置成根据并响应于半导体装置处接收到的操作模式设定命令MRS_SET，来设定操作模式信息。
模式寄存器组200可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，基于半导体装置内部产生的初步信息数据PDMRS来更新操作模式信息。
操作模式设定命令MRS_SET可以是用于复位模式寄存器组200上的操作模式信息的命令。操作模式设定命令MRS_SET可以从半导体装置的外部的器件接收。这种外部器件的一个实例是控制半导体装置的操作的控制器。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以是响应于与半导体装置的初始化相关的信号而在半导体装置内部产生的信号。与半导体装置的初始化相关的信号一个实例是加电信号(PWR)。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以从控制器被提供至半导体装置。
在控制器将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置的情况下，控制器可以采用命令的形式将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置。半导体装置可以在内部产生用于设定操作模式信息的初步信息数据PDMRS，并且可以响应于接收到的初步信息设定信号PDMRS_SET，基于内部产生的初步信息数据PDMRS来执行操作模式信息更新操作。
模式寄存器组200将操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息，来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，例如数据的输入/输出。
在一个实施例中，初步信息提供块300可以被配置成将与一个或更多个操作参数中检测出的变化或改变相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。在一个实施例中，初步信息提供块300可以被配置成将与操作参数中的一个或更多个的检测值相对应的初步信息数据提供至模式寄存器组200。操作参数的变化的一个实例是外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的变化。响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部时钟信号CLK的周期时间tCK。
初步信息提供块300可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)，以及输出代表检测出的一个周期时间(tCK)的更新控制信号N。
初步信息提供块300可以被配置成将与响应于初步信息设定信号PDMRS_SET产生的更新控制信号N相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。
初步信息提供块300可以包括检测单元400和初步模式寄存器组500。
检测单元400可以被配置成响应于在检测单元400处接收到的外部时钟信号CLK和初步信息设定信号PDMRS_SET来产生更新控制信号N。检测单元400将更新控制信号N传送至初步模式寄存器组500。
初步模式寄存器组500可以被配置成储存多个初步信息数据，其中多个初步信息数据中的每个与不同值的更新控制信号N相关。初步模式寄存器组500可以被配置成将与接收到的更新控制信号N相对应的多个预存的初步信息数据PDMRS中的一个提供至模式寄存器组200。
如图3中所示，检测单元400可以包括：控制部410、内部时钟发生部420、分频部430、比较计数器440以及计数器450。
控制部410可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET和从计数器450接收到的计数信号CNT来产生第一使能信号EN1和第二使能信号EN2。
控制部410可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来将第一使能信号EN1或/和第二使能信号EN2激活，以及响应于计数信号CNT来将第一使能信号EN1或/和第二使能信号EN2去激活。
控制部410以在第一使能信号EN1的激活时段期间发生第二使能信号EN2的激活时段的方式，来产生第一使能信号EN1和第二使能信号EN2。
控制部410可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来将第一使能信号EN1激活。控制部410可以被配置成在第一使能信号EN1的上升沿之后，将第二使能信号EN2激活预定的时间时段。换言之，控制部410可以被配置成在第一使能信号EN1的上升沿之后，将第二使能信号EN2的激活延迟预定的时间时段。
控制部410可以被配置成当计数信号CNT的值达到预定值时将第二使能信号EN2去激活，并且在第二使能信号EN2的下降沿之后，将第一使能信号EN1去激活预定的时间时段。换言之，控制部410可以被配置成在去激活的第二使能信号EN2的下降沿之后，将第一使能信号EN1的去激活延迟预定的时间时段。
内部时钟发生部420从控制部410中接收第一使能信号EN1。内部时钟发生部420可以被配置成在第一使能信号EN1的激活时段期间产生内部时钟信号iCLK。
内部时钟发生部420可以包括振荡器。
分频部430可以被配置成接收来自内部时钟发生部420的内部时钟信号iCLK。分频部430可以被配置成根据预定的分频比来将内部时钟信号iCLK分频，并且产生分频时钟信号iCLK_DIV。
比较计数器440可以被配置成接收外部时钟信号CLK、内部时钟信号iCLK以及第二使能信号EN2作为输入。比较计数器440可以被配置成在第二使能信号EN2的激活时段期间将分频时钟信号iCLK_DIV与时钟信号CLK进行比较，以及产生更新控制信号N。
比较计数器440可以被配置成在第二使能信号EN2的激活时段期间，将分频时钟信号iCLK_DIV与时钟信号CLK进行比较。比较计数器440可以被配置成对在第二使能信号的激活时段期间分频时钟信号iCLK_DIV的上升沿出现的次数计数，以及产生代表比较结果的更新控制信号N。比较计数器440可以被配置成对在第二使能信号的激活时段期间分频时钟信号iCLK_DIV的下降沿出现的次数计数，以及产生代表比较结果的更新控制信号N。
也就是说，更新控制信号N可以包括关于在外部时钟信号CLK的单个周期(tCK)期间内部时钟信号iCLK出现的次数的信息。
在外部时钟信号CLK的单个周期(tCK)比内部时钟信号iCLK的个单个周期更长的情况下，可以延长第一使能信号EN1的激活时段。内部时钟发生部420可以被配置成基于第一使能信号EN1延长的激活时段来产生延长的内部时钟信号iCLK。分频部可以被配置成通过预定的分频比来将延长的内部时钟信号iCLK分频，以产生延长的分频时钟信号iCLK_DIV。比较计数器440可以被配置成将延长的分频时钟信号iCLK_DIV与外部时钟信号CLK进行比较，以产生更新控制信号N。
初步信息提供块300的一个实施例被配置成如上所述的将分频时钟信号iCLK_DIV与外部时钟信号CLK进行比较。在一个实施例中，初步信息提供块300可以被配置成将内部时钟信号iCLK与外部时钟信号CLK进行比较。
计数器450可以被配置成对内部时钟信号iCLK计数，以及产生计数信号CNT。计数信号CNT来自计数器450、在控制部410处接收。控制部410可以被配置成响应于计数信号CNT来将第一使能信号EN1和/或第二使能信号EN2去激活。
初步模式寄存器组500可以被配置成接收更新控制信号N作为输入，以及产生与接收到的更新控制信号N的值相关的初步信息数据PDMRS。如图4中所示，初步模式寄存器组500可以包括多个初步模式寄存器510和多路复用部520。
多个初步模式寄存器510可以被配置成储存多个初步信息数据PDMRS，其中每个初步信息数据PDMRS与更新控制信号N的值相对应。
多路复用部520可以被配置成从储存在多个初步模式寄存器510中的多个初步信息数据PDMRS中选择初步信息数据PDMRS，选中的初步信息数据PDMRS与来自检测单元400、在初步模式寄存器组500处接收的更新控制信号N的值相对应。初步模式寄存器组500将选中的初步信息数据PDMRS传送至模式寄存器组200。
上述半导体装置的操作模式设定电路100的实施例自动地检测外部时钟信号CLK的周期(tCK)的变化或改变，以及响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来产生代表检测出的改变或变化的更新控制信号N。在一个实施例中，半导体装置的操作模式设定电路100自动地检测外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的值，以及响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来产生代表检测出的周期时间(tCK)的更新控制信号N。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET由半导体装置内部产生。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET从控制器中接收。如上所述，初步模式寄存器组200将选自储存在初步寄存器组500上的多个初步数据PDMRS中的初步信息数据PDMRS转送至模式寄存器组200。转送的初步信息数据PDMRS与更新控制信号N的值相对应。操作模式设定电路100使用接收到的初步信息数据PDMRS来更新模式寄存器组200上的操作模式信息。
模式寄存器组200将更新的操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
如图5中所示，半导体装置的操作模式设定电路101的一个实施例可以包括模式寄存器组200和初步信息提供块301。
模式寄存器组200可以被配置成根据并响应于半导体装置处接收到的操作模式设定命令MRS_SET，来设定操作模式信息。
模式寄存器组200可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，基于半导体装置产生的初步信息数据PDMRS来更新操作模式信息。
操作模式设定命令MRS_SET可以是用于复位模式寄存器组200上的操作模式信息的命令。模式设定命令MRS_SET可以从半导体装置的外部的器件接收。这种外部器件的一个实例是控制半导体装置的操作的控制器。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以是响应于与半导体装置的初始化相关的信号而在半导体装置内部产生的信号。与半导体装置的初始化相关的信号的一个实例是加电信号(PWR)。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以从控制器提供至半导体装置。
在控制器将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置的情况下，控制器可以采用命令的形式将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置。半导体装置可以在内部产生用于设定操作模式信息的初步信息数据PDMRS，并且可以响应于接收到的初步信息设定信号PDMRS_SET来执行操作模式信息更新操作。
模式寄存器组200将操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息，来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，例如数据的输入/输出。
在一个实施例中，初步信息提供块301可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测出的变化或改变相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。在一个实施例中，初步信息提供块301可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测值相对应的初步信息数据提供至模式寄存器组200。操作参数的一个实例是外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)。响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部时钟信号CLK的周期时间tCK。
初步信息提供块301可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)，以及输出代表检测出的周期时间(tCK)的更新控制信号N。
初步信息提供块301可以被配置成将与响应于初步信息设定信号PDMRS_SET产生的更新控制信号N相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。
初步信息提供块301可以包括检测单元401和初步模式寄存器组500。
检测单元401可以被配置成响应于在检测单元401上接收的外部时钟信号CLK和初步信息设定信号PDMRS_SET来产生更新控制信号N。检测单元401将更新控制信号N传送至初步模式寄存器组500。
初步模式寄存器组500可以被配置成储存多个初步信息数据PDMRS，其中多个初步信息数据PDMRS中的每个与不同值的更新控制信号N相关。初步模式寄存器组500可以被配置成将与接收到的更新控制信号N相对应的多个预存的初步信息数据中的一个提供至模式寄存器组200。
初步模式寄存器组500可以如图4中所示来配置。
如图6中所示，检测单元401可以包括同步电路402和锁存器403。
同步电路402可以包括延迟锁定环(DLL)电路或相位锁定环(PLL)电路。
半导体装置可以使用延迟锁定环(DLL)电路或相位锁定环(PLL)电路，其用于半导体装置处接收到的外部时钟信号CLK的域交叉以及半导体装置的内部信号处理时序。
延迟锁定环(DLL)电路或相位锁定环(PLL)电路执行外部时钟信号CLK的延迟锁定或相位锁定，以将外部时钟信号CLK与半导体装置的内部时序同步，由此产生关于外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的信息。
同步电路402中的锁存器403可以被配置成将关于外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的信息锁存。锁存器403可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，以更新控制信号N的形式发出关于外部时钟信号CLK的周期时间tCK的信息。
锁存器403的配置是如下机制的一个实例，可以使用锁存器403来将关于由使用延迟锁定环(DLL)电路或相位锁定环(PLL)电路产生的外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的信息产生为更新控制信号N。
上述半导体装置的操作模式设定电路101的实施例可以响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，使用关于通过使用延迟锁定环(DLL)电路或相位锁定环(PLL)电路产生的外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的信息来发出更新控制信号N。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET由半导体装置内部产生。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET通过控制器来提供。检测单元401将更新控制信号N转送至初步模式寄存器200。
初步模式寄存器组500可以被配置成将与接收到的更新控制信号N相对应的多个预存的初步信息数据PDMRS中的一个提供至模式寄存器组200。
操作模式设定电路101使用接收到的初步信息数据PDMRS来更新模式寄存器组200上的操作模式信息。
模式寄存器组200将更新的操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
如图7中所示，半导体装置的操作模式设定电路102的一个实施例可以包括模式寄存器组200和初步信息提供块302。
模式寄存器组200可以被配置成根据并响应于在半导体装置处接收到的操作模式设定命令MRS_SET来设定操作模式信息。
模式寄存器组200可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，根据半导体装置内部产生的初步信息数据PDMRS来更新操作模式信息。
操作模式设定命令MRS_SET可以是用于复位从半导体装置的外部的器件接收到的、在模式寄存器组200上的操作模式信息的命令。这种外部器件的一个实例是控制半导体装置的操作的控制器。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以是响应于与半导体装置的初始化相关的信号而在半导体装置内部产生的信号。与半导体装置的初始化相关的信号的一个实例是加电信号(PWR)。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以从控制器提供至半导体装置。
在控制器将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置的情况下，控制器可以采用命令的形式将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置。半导体装置可以在内部产生用于设定操作模式信息的初步信息数据PDMRS，并且可以响应于接收到的初步信息设定信号PDMRS_SET基于内部产生的初步信息数据PDMRS来执行操作模式信息更新操作。
模式寄存器组200将操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，例如数据的输入/输出。
在一个实施例中，初步信息提供块302可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测出的变化或改变相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。在一个实施例中，初步信息提供块302可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测值相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。操作参数的一个实例是外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)。响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部时钟信号CLK的周期时间tCK。
初步信息提供块302可以被配置成储存多个初步信息数据PDMRS。初步信息提供块302可以被配置成响应于初步信息控制命令MRS_SET2来控制多个预存的初步信息数据PDMRS的值。
初步信息控制命令MRS_SET2可以从半导体装置的外部的器件提供至半导体装置。这种器件的一个实例是控制器。初步信息控制命令MRS_SET2可以包括测试模式命令。
初步信息提供块302可以被配置成检测外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)，以及输出代表检测出的周期时间(tCK)的更新控制信号N。
初步信息提供块302可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，将对应于与外部时钟信号CLK的检测出的周期时间(tCK)相关的更新控制信号N的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。
初步信息提供块302可以包括检测单元400、初步模式寄存器组501以及可编程熔丝阵列600。
检测单元400可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET和外部时钟信号CLK来产生更新控制信号N。在一个实施例中，检测单元400可以如图3中所示来配置。在一个实施例中，检测单元400可以如图6中所示来配置。检测单元400将更新控制信号N转送至初步模式寄存器组501。
初步模式寄存器组501可以被配置成储存多个初步信息数据PDMRS，其中多个初步信息数据PDMRS中的每个与不同值的更新控制信号N相关。初步模式寄存器组501可以被配置成将与更新控制信号N相对应的多个预存的初步信息数据中的一个提供至模式寄存器组200。
可编程熔丝阵列600可以被配置成响应于初步信息控制命令MRS_SET2来控制初步模式寄存器组501中的多个预存的初步信息数据PDMRS的值。
尽管未示出，可编程熔丝阵列600也可以包括熔丝阵列、和用于根据初步信息控制命令MRS_SET2来控制熔丝阵列的电耦接状态的熔丝控制单元。
如图8中所示，初步模式寄存器组501可以包括多个初步模式寄存器511和多路复用部520。
多个初步模式寄存器511可以被配置成储存多个初步信息数据PDMRS，其中每个初步信息数据PDMRS与更新控制信号N的值相对应。
多个初步模式寄存器511可以被配置使得多个预存的初步信息数据PDMRS的相应值可以由可编程熔丝阵列600来控制。
多路复用部520可以被配置成从储存在多个初步模式寄存器511中的多个初步信息数据PDMRS中选择初步信息数据PDMRS，其与来自检测单元400的、在初步模式寄存器组501处接收到的更新控制信号N的值相对应。初步模式寄存器组501将选中的初步信息数据PDMRS传送至模式寄存器组200。
半导体装置的操作模式设定电路102的一个实施例自动地检测外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的变化或改变，以及响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来产生代表外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的检测出的变化或改变的更新控制信号N。半导体装置的操作模式设定电路102的一个实施例响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来自动地检测外部时钟信号CLK的周期时间(tCK)的值。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET由半导体装置内部产生。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET从控制器中接收。检测单元401将更新控制信号N转送至初步模式寄存器200。
当初步信息控制命令MRS_SET2被操作模式设定电路102处理时，操作模式设定电路102控制预存在初步模式寄存器组501中的多个初步信息数据PDMRS的相应值。
操作模式设定电路102使用初步模式寄存器组501产生的并且与检测单元400产生的更新控制信号N相对应的初步信息数据PDMRS，来更新模式寄存器组200处的操作模式信息。
模式寄存器组200将更新的操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
如图9中所示，半导体装置的操作模式设定电路103的一个实施例可以包括模式寄存器组200和初步信息提供块303。
模式寄存器组200可以被配置成根据外部并响应于在半导体装置处接收到的操作模式设定命令MRS_SET来设定操作模式信息。
模式寄存器组200可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，基于半导体装置内部产生的初步信息数据PDMRS来更新操作模式信息。
操作模式设定命令MRS_SET可以是用于复位模式寄存器组200上的操作模式信息的命令。操作模式设定命令MRS_SET可以从半导体装置外部的器件中接收。这种器件的一个实例是控制半导体装置的操作的控制器。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以是响应于与半导体装置的初始化相关的信号而在半导体装置内部产生的信号。与半导体装置的初始化相关的信号的一个实例是加电信号(PWR)。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以从控制器提供至半导体装置。
在控制器将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置的情况下，控制器可以采用命令的形式将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置。半导体装置可以内部产生用于设定操作模式信息的初步信息数据PDMRS，以及可以响应于接收到的初步信息设定信号PDMRS_SET来执行操作模式信息更新操作。
模式寄存器组200将操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
在一个实施例中，初步信息提供块303可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测出的变化或改变相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。在一个实施例中，初步信息提供块303可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测值相对应的初步信息数据提供至模式寄存器组200。操作参数的一个实例是外部温度。响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部温度。
初步信息提供块303可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部温度，以及输出代表检测出的外部温度信息的更新控制信号N。
初步信息提供块303可以被配置成将与响应于初步信息设定信号PDMRS_SET产生的更新控制信号N的值相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。
初步信息提供块303可以包括检测单元，其包括温度传感器402和初步模式寄存器组500。
温度传感器402可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测温度，以及输出代表检测出的温度的更新控制信号N。温度传感器402将更新控制信号N转送至初步模式寄存器组500。
温度传感器402可以包括数字型温度传感器。在一个实施例中，温度传感器402可以被配置成检测半导体装置内部的温度。在一个实施例中，温度传感器402可以被配置成检测半导体装置外部的温度。
初步模式寄存器组500可以被配置成将与接收到的更新控制信号N相对应的多个预存的初步信息数据PDMRS中的一个提供至模式寄存器组200。
初步模式寄存器组500可以如图4中所示来配置。
半导体装置的操作模式设定电路103的一个实施例自动地检测温度的变化或改变，以及响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来产生代表检测出的改变或变化的更新控制信号N。半导体装置的操作模式设定电路103的一个实施例自动地检测温度，以及产生代表温度的检测值的更新控制信号N。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET在半导体装置内部产生。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET从控制器中接收。
如上所述，初步模式寄存器组500将选自储存在初步寄存器组500上的多个初步数据PDMRS中的初步信息数据PDMRS转送至模式寄存器组200。转送的初步信息数据PDMRS与更新控制信号N相对应。操作模式设定电路103使用初步信息数据PDMRS来更新模式寄存器组200上的操作模式信息。
模式寄存器组200将更新的操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
如图10中所示，半导体装置的操作模式设定电路104的一个实施例可以包括模式寄存器组200和初步信息提供块304。
模式寄存器组200可以被配置成根据并响应于半导体装置处接收到的操作模式设定命令MRS_SET来设定操作模式信息。
模式寄存器组200可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET，根据半导体装置内部产生的初步信息数据PDMRS来更新操作模式信息。
操作模式设定命令MRS_SET可以是用于复位模式寄存器组200的操作模式信息的命令。模式设定命令MRS_SET可以从半导体装置的外部的器件中接收。这种外部器件的一个实例是控制半导体装置的操作的控制器。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以是响应于与半导体装置的初始化相关的信号而在半导体装置内部产生的信号。与半导体装置的初始化相关的信号的一个实例是加电信号(PWR)。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以从控制器提供至半导体装置。
在控制器将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置的情况下，控制器可以采用命令的形式将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置。半导体装置可以在内部产生用于设定操作模式信息的初步信息数据PDMRS，以及可以响应于接收到的初步信息设定信号PDMRS_SET来执行操作模式信息更新操作。
模式寄存器组200将操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
在一个实施例中，初步信息提供块304可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测出的变化或改变相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。在一个实施例中，初步信息提供块304可以被配置成将与一个或更多个操作参数的检测值相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。操作参数的一个实例是供应至半导体装置的外部电压(电源电压)。响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部电压。
在一个实施例中，初步信息提供块304可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部电压的变化，以及输出代表性的更新控制信号N。在一个实施例中，初步信息提供块304可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部电压的值，以及输出代表性的更新控制信号N。
初步信息提供块304可以被配置成将与响应于初步信息设定信号PDMRS_SET产生的更新控制信号N相对应的初步信息数据PDMRS提供至模式寄存器组200。
初步信息提供块304可以包括电压检测单元403和初步模式寄存器组500。
在一个实施例中，电压检测单元403可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部电压，即电源电压(VDD)的变化，以及输出代表性的更新控制信号N。在一个实施例中，电压检测单元403可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测外部电压，即电源电压(VDD)的值，以及输出代表性的更新控制信号N。
初步模式寄存器组500可以被配置成将与接收到的更新控制信号N相对应的多个预存的初步信息数据中的一个提供至模式寄存器组200。
初步模式寄存器组500可以如图4中所示来配置。
半导体装置的操作模式设定电路104的一个实施例自动地检测电源电压(VDD)的变化或改变，以及响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来输出代表检测出的改变或变化的更新控制信号N。半导体装置的操作模式设定电路104的一个实施例自动地检测电源电压VDD的值，以及响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来输出代表检测值的更新控制信号N。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET在半导体装置内部产生。在一个实施例中，初步信息设定信号PDMRS_SET从控制器中接收。
如上所述，初步模式寄存器组500将选自储存在初步寄存器组500上的多个初步数据PDMRS中的初步信息数据PDMRS转送至模式寄存器组200。操作模式设定电路104使用初步信息数据PDMRS来更新模式寄存器组200上的操作模式信息。
模式寄存器组200将更新的操作模式信息提供至功能电路块30。
功能电路块30根据模式寄存器组200提供的操作模式信息来执行与半导体装置的操作相关的相应功能，包括例如数据的输入/输出。
如图11中所示，数据处理系统1000的一个实施例可以包括控制器2000和半导体装置3000。在一个实施例中，半导体装置3000是存储器件，而控制器2000是存储器控制器。
控制器2000可以被配置成将外部时钟信号CLK、电源电压VDD、命令CMD以及初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置3000。
半导体装置3000可以包括命令解码器3100、初步信息提供块305以及模式寄存器组200。
操作模式设定命令MRS_SET可以被编码在命令CMD中。
初步信息设定信号PDMRS_SET是从控制器2000发出至半导体装置3000的命令，以执行模式寄存器组200上的操作模式信息更新操作。用于复位操作模式信息的信息由半导体装置3000内部产生。
初步信息设定信号PDMRS_SET可以通过地址引脚、数据输入/输出引脚或单独的冗余引脚被提供至半导体装置3000。
可以将初步信息设定信号PDMRS_SET编码在命令CMD中。控制器2000将编码有初步信息设定信号PDMRS_SET的命令CMD提供至半导体装置3000。
在由控制器2000提供至半导体装置3000的这些要素的操作参数发生变化或改变的情况下，控制器2000可以将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置3000。由控制器2000提供至半导体装置3000的要素的实例包括但不限于外部时钟信号CLK和电源电压VDD。其他操作参数的实例包括但不限于半导体装置内部温度和半导体外部温度。
命令编码器3100接收命令CMD作为输入，以及可以被配置成将命令CMD解码来产生操作模式设定命令MRS_SET。
初步信息提供块305可以包括如下的一种或更多种不同类型的初步信息提供块：图2中的初步信息提供块300、图5中的初步信息提供块301、图7中的初步信息提供块302、图9中的初步信息提供块303以及图10中的初步信息提供块304。
半导体装置3000可以被配置成响应于接收到的操作模式设定命令MRS_SET来复位操作模式信息。
半导体装置3000的一个实施例可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测一个或更多个操作参数的变化。半导体装置的一个实施例可以被配置成响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来检测一个或更多个操作参数的值。这种操作参数的实例包括但不限于外部时钟信号CLK、电源电压VDD以及温度。半导体装置3000可以被配置成当接收到初步信息设定信号PDMRS_SET时，使用初步信息提供块305在内部产生初步信息数据PDMRS。半导体装置3000基于初步信息数据PDMRS在内部执行模式寄存器组200上的操作模式信息更新操作。
以上参照图2至图10给出了由半导体装置3000执行用于检测操作参数的变化，并且因此更新操作模式信息的操作的描述。以上参照图2至图10给出了由半导体装置3000执行用于检测操作参数的值，并且因此更新操作模式信息的操作的描述。
在数据处理系统1000的一个实施例中，控制器2000检测与由控制器2002提供至半导体装置3000的一个或更多个要素相关的操作参数的变化，以及将初步信息设定信号PDMRS_SET提供至半导体装置3000。
在一个实施例中，半导体装置3000响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来直接检测一个或更多个操作参数的变化，以及执行模式寄存器组200上的操作模式信息更新。在一个实施例中，半导体装置3000响应于初步信息设定信号PDMRS_SET来直接检测一个或更多个操作参数的值，以及执行模式寄存器组上的操作模式信息更新。
在一个实施例中，可以基于一个或更多个操作参数中检测出的变化来自动地更新操作模式信息。在一个实施例中，可以基于一个或更多个操作参数的检测值来自动地更新操作模式信息。
尽管以上已经描述了某些实施例，但是对于本领域的技术人员将理解的是描述的实施例仅仅是示例性的。因此，不应基于所描述的实施例来限定本文描述的半导体装置的操作模式设定电路和利用所述操作模式设定电路的数据处理系统。更确切地说，应当仅根据所附权利要求并结合以上描述和附图来限定本文描述的半导体装置的操作模式设定电路和利用所述操作模式设定电路的数据处理系统。
通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
技术方案1.一种半导体装置的操作模式设定电路，包括：
模式寄存器组，其被配置成响应于初步信息设定信号，根据初步信息数据来更新所述半导体装置内部产生的操作模式信息；以及
初步信息提供块，其被配置成响应于所述初步信息设定信号，将选自多个预存的初步信息数据中的所述初步信息数据提供至所述模式寄存器组，所述选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的操作参数的检测出的变化相对应。
技术方案2.如技术方案1所述的操作模式设定电路，其中，响应于与所述半导体装置的初始化相关的信号而在所述半导体装置内部产生所述初步信息设定信号。
技术方案3.如技术方案1所述的操作模式设定电路，还包括：
多个功能电路块，其被配置成根据从所述模式寄存器组接收到的所述操作模式信息来执行所述半导体装置的操作。
技术方案4.如技术方案1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成响应于初步信息控制命令来控制所述多个初步信息数据的值。
技术方案5.如技术方案1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成将选自所述多个初步信息数据中的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，选中的初步信息与响应于所述初步信息设定信号检测出的时钟信号的周期时间变化相对应。
技术方案6.如技术方案5所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和所述时钟信号来产生更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
技术方案7.如技术方案6所述的操作模式设定电路，其中，所述检测单元被配置成将响应于所述初步信息设定信号产生的内部时钟信号与所述时钟信号进行比较，以及根据所述比较来产生所述更新控制信号。
技术方案8.如技术方案6所述的操作模式设定电路，其中，所述检测单元包括延迟锁定环电路和相位锁定环电路中的一个。
技术方案9.如技术方案6所述的操作模式设定电路，其中，所述检测单元包括：
控制部，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和计数信号来产生使能信号；
内部时钟发生部，其被配置成在所述使能信号的激活时段期间产生内部时钟信号；以及
比较计数器，其被配置成在所述使能信号的所述激活时段期间比较分频时钟信号与所述时钟信号，以及根据所述比较来产生所述更新控制信号。
技术方案10.如技术方案6所述的操作模式设定电路，其中，所述初步模式寄存器组包括：
多个初步模式寄存器，其被配置成储存所述多个初步信息数据；以及
多路复用部，其被配置成选择储存在所述多个初步模式寄存器中、与所述更新控制信号的值相对应的所述多个初步信息数据中的一个。
技术方案11.如技术方案5所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和所述时钟信号来产生更新控制信号；
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组；以及
可编程熔丝阵列，其被配置成响应于所述初步信息控制命令来控制储存在所述初步模式寄存器组的所述多个初步信息数据的值。
技术方案12.如技术方案1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成将选自所述多个初步信息数据中的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，所述选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的所述半导体装置外部的外部温度变化相对应。
技术方案13.如技术方案12所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
温度传感器，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部温度，以及输出代表检测出的温度的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
技术方案14.如技术方案12所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
温度传感器，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部温度，以及输出代表检测出的温度的更新控制信号；
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组；以及
可编程熔丝阵列，其被配置成响应于初步信息控制命令来控制所述多个初步信息数据的值。
技术方案15.如技术方案1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成将选自所述多个初步信息数据的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的外部电压的变化相对应。
技术方案16.如技术方案15所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
电压检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部电压的变化，以及输出代表检测出的电压变化的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
技术方案17.如技术方案15所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
电压检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部电压的变化，以及输出代表检测出的电压变化的更新控制信号；
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组；以及
可编程熔丝阵列，其被配置成响应于所述初步信息控制命令来控制所述多个初步信息数据的值。
技术方案18.一种数据处理系统，包括：
控制器，其被配置成提供初步信息设定信号；以及
半导体装置，其被配置成响应于所述初步信息设定信号，根据选自多个预存的初步信息数据中的初步信息数据来更新模式寄存器组的操作模式信息，选中的初步信息数据与操作参数检测出的变化相对应。
技术方案19.如技术方案18所述的数据处理系统，其中，所述控制器被配置成将操作模式设定命令提供至所述半导体装置，以直接复位所述模式寄存器组中的所述操作模式信息。
技术方案20.如技术方案18所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置被配置成响应于所述初步信息设定信号来将选自所述多个初步信息数据中的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的操作参数相对应，其中所述操作参数选自时钟信号的周期时间、外部温度变化以及外部电压变化。
技术方案21.如技术方案20所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置包括：
检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和所述时钟信号来产生更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
技术方案22.如技术方案20所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置包括：
温度传感器，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部温度，以及输出代表检测出的温度的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
技术方案23.如技术方案20所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置包括：
电压检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部电压的变化，以及输出代表检测出的电压变化的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
技术方案24.一种半导体装置的操作模式设定电路，包括：
模式寄存器，其被配置成响应于初步信息设定信号，根据初步信息数据来更新所述半导体装置内部产生的操作模式信息；以及
初步信息提供块，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来将选自多个预存的初步信息数据中的所述初步信息数据提供至模式寄存器，选中的初步信息数据与操作参数的检测值相对应。
技术方案25.如技术方案24所述的操作模式设定电路，其中，所述选中的初步信息数据与时钟循环的周期时间的检测值相对应。
技术方案26.如技术方案24所述的操作模式设定电路，其中，所述选中的初步信息数据与所述半导体装置外部的外部温度的检测值相对应。
技术方案27.如技术方案24所述的操作模式设定电路，其中，所述选中的初步信息数据与电源电压的检测值相对应。
技术方案28.如技术方案24所述的操作模式设定电路，其中，所述半导体装置是存储器件，并且所述初步信息设定信号从存储器控制器中接收。
Claims (28)
1.一种半导体装置的操作模式设定电路，包括：
模式寄存器组，其被配置成响应于操作模式设定命令来设定操作模式信息，并响应于初步信息设定信号更新所述半导体装置内部产生的初步信息数据来作为所述操作模式信息；以及
初步信息提供块，其被配置成将选自多个预存的初步信息数据中的所述初步信息数据提供至所述模式寄存器组，
其中，所述选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的操作参数的变化相对应。
2.如权利要求1所述的操作模式设定电路，其中，响应于与所述半导体装置的初始化相关的信号而在所述半导体装置内部产生所述初步信息设定信号。
3.如权利要求1所述的操作模式设定电路，还包括：
多个功能电路块，其被配置成根据从所述模式寄存器组接收到的所述操作模式信息来执行所述半导体装置的操作。
4.如权利要求1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成响应于初步信息控制命令来控制所述多个初步信息数据的值。
5.如权利要求1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成将选自所述多个初步信息数据中的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，选中的初步信息与响应于所述初步信息设定信号检测出的时钟信号的周期时间变化相对应。
6.如权利要求5所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和所述时钟信号来产生更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
7.如权利要求6所述的操作模式设定电路，其中，所述检测单元被配置成将响应于所述初步信息设定信号产生的内部时钟信号与所述时钟信号进行比较，以及根据所述比较来产生所述更新控制信号。
8.如权利要求6所述的操作模式设定电路，其中，所述检测单元包括延迟锁定环电路和相位锁定环电路中的一个。
9.如权利要求6所述的操作模式设定电路，其中，所述检测单元包括：
控制部，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和计数信号来产生使能信号；
内部时钟发生部，其被配置成在所述使能信号的激活时段期间产生内部时钟信号；以及
比较计数器，其被配置成在所述使能信号的所述激活时段期间比较分频时钟信号与所述时钟信号，以及根据所述比较来产生所述更新控制信号。
10.如权利要求6所述的操作模式设定电路，其中，所述初步模式寄存器组包括：
多个初步模式寄存器，其被配置成储存所述多个初步信息数据；以及
多路复用部，其被配置成选择储存在所述多个初步模式寄存器中、与所述更新控制信号的值相对应的所述多个初步信息数据中的一个。
11.如权利要求5所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和所述时钟信号来产生更新控制信号；
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组；以及
可编程熔丝阵列，其被配置成响应于初步信息控制命令来控制储存在所述初步模式寄存器组的所述多个初步信息数据的值。
12.如权利要求1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成将选自所述多个初步信息数据中的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，所述选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的所述半导体装置外部的外部温度变化相对应。
13.如权利要求12所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
温度传感器，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部温度，以及输出代表检测出的温度的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
14.如权利要求12所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
温度传感器，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部温度，以及输出代表检测出的温度的更新控制信号；
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组；以及
可编程熔丝阵列，其被配置成响应于初步信息控制命令来控制所述多个初步信息数据的值。
15.如权利要求1所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块被配置成将选自所述多个初步信息数据的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的外部电压的变化相对应。
16.如权利要求15所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
电压检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部电压的变化，以及输出代表检测出的电压变化的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
17.如权利要求15所述的操作模式设定电路，其中，所述初步信息提供块包括：
电压检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部电压的变化，以及输出代表检测出的电压变化的更新控制信号；
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组；以及
可编程熔丝阵列，其被配置成响应于初步信息控制命令来控制所述多个初步信息数据的值。
18.一种数据处理系统，包括：
控制器，其被配置成提供初步信息设定信号；以及
半导体装置，其被配置成响应于操作模式设定命令来设定模式寄存器组的操作模式信息，并将选自多个预存的初步信息数据中的初步信息数据更新为所述模式寄存器组的所述操作模式信息，其中，所述选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的操作参数的变化相对应。
19.如权利要求18所述的数据处理系统，其中，所述控制器被配置成将所述操作模式设定命令提供至所述半导体装置，以直接复位所述模式寄存器组中的所述操作模式信息。
20.如权利要求18所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置被配置成响应于所述初步信息设定信号来将选自所述多个初步信息数据中的初步信息数据提供至所述模式寄存器组，选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的操作参数相对应，其中所述操作参数选自时钟信号的周期时间、外部温度变化以及外部电压变化。
21.如权利要求20所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置包括：
检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号和所述时钟信号来产生更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
22.如权利要求20所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置包括：
温度传感器，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部温度，以及输出代表检测出的温度的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
23.如权利要求20所述的数据处理系统，其中，所述半导体装置包括：
电压检测单元，其被配置成响应于所述初步信息设定信号来检测所述外部电压的变化，以及输出代表检测出的电压变化的更新控制信号；以及
初步模式寄存器组，其被配置成将与所述更新控制信号相对应的所述多个初步信息数据中的一个提供至所述模式寄存器组。
24.一种半导体装置的操作模式设定电路，包括：
模式寄存器，其被配置成响应于操作模式设定命令来设定操作模式信息，并响应于初步信息设定信号更新所述半导体装置内部产生的初步信息数据来作为所述操作模式信息；以及
初步信息提供块，其被配置成将选自多个预存的初步信息数据中的所述初步信息数据提供至模式寄存器，
其中，所述选中的初步信息数据与响应于所述初步信息设定信号检测出的操作参数的值相对应。
25.如权利要求24所述的操作模式设定电路，其中，所述选中的初步信息数据与时钟循环的周期时间的检测值相对应。
26.如权利要求24所述的操作模式设定电路，其中，所述选中的初步信息数据与所述半导体装置外部的外部温度的检测值相对应。
27.如权利要求24所述的操作模式设定电路，其中，所述选中的初步信息数据与电源电压的检测值相对应。
28.如权利要求24所述的操作模式设定电路，其中，所述半导体装置是存储器件，并且所述初步信息设定信号从存储器控制器中接收。
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