JP2013239210A - シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法 - Google Patents

シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013239210A
JP2013239210A JP2013183052A JP2013183052A JP2013239210A JP 2013239210 A JP2013239210 A JP 2013239210A JP 2013183052 A JP2013183052 A JP 2013183052A JP 2013183052 A JP2013183052 A JP 2013183052A JP 2013239210 A JP2013239210 A JP 2013239210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
received
serial
memory devices
devices
serial interconnect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013183052A
Other languages
English (en)
Inventor
Hong Beom Pyeon
ホン・ボム・ピョン
Hak June Oh
ハクジュン・オ
Jin-Ki Kim
ジン−キ・キム
A Przybylski Steven
スティーヴン・エー・プリジビルスキー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mosaid Technologies Inc
Original Assignee
Mosaid Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mosaid Technologies Inc filed Critical Mosaid Technologies Inc
Publication of JP2013239210A publication Critical patent/JP2013239210A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/20Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/42Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation
    • G06F13/4282Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a serial bus, e.g. I2C bus, SPI bus
    • G06F13/4291Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a serial bus, e.g. I2C bus, SPI bus using a clocked protocol
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1003Interface circuits for daisy chain or ring bus memory arrangements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/4402Internal storage of test result, quality data, chip identification, repair information

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Information Transfer Systems (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

【課題】
直列に接続されたデバイスの数を認識するとともに、直列に相互接続されたデバイスの出力待ち時間を認識するための装置および方法を提供する。
【解決手段】
シリアル相互接続構成にされた複数のメモリデバイスと、受信装置と、を備える。前記複数のメモリデバイスのそれぞれは入力接続部と出力接続部を備え、各デバイスの前記入力接続部と前記出力接続部は、それぞれ、前段のデバイスの前記出力接続部と、次段のデバイスの前記入力接続部に接続され、前記複数のメモリデバイスのそれぞれは、デバイス識別子(ID)を生成する生成器を備え、各デバイスにより生成された前記IDは、その次段のデバイスに供給される。また、前記受信装置は、前記シリアル相互接続構成の最後のデバイスから前記IDを受信すると共に、前記複数のメモリデバイスの前記シリアル相互接続構成の待ち時間を特定する。
【選択図】図9

Description

本発明は、シリアル相互接続されたデバイスにおいてデバイス識別子を生成するための装置および方法に関するものである。また、本発明は、直列に接続されたデバイスの数を認識するとともに、直列に相互接続されたデバイスの出力待ち時間を認識する、ための装置および方法に関するものである。
現在の家庭用電子機器は、メモリ装置を使用する。例えば、デジタルカメラ、携帯情報端末、携帯オーディオ/ビデオプレイヤ、移動端末などの携帯電子機器は、好ましくはかつてないほど増大した容量および速度性能を有する不揮発性メモリである、大容量記憶メモリを引き続き必要とする。不揮発性メモリおよびハードディスクドライブが好ましく、それは電力がなくてもデータが保持され、そのため電池寿命を延ばすからである。
既存のメモリ装置が現在の多くの家庭用電子機器にとって十分な速度で動作するとはいえ、そのようなメモリ装置は、将来の電子装置や高いデータ転送率が望まれる他の装置での使用には適していない可能性がある。例えば、高解像度の動画を記録する携帯マルチメディア機器は、現在のメモリ技術でのメモリモジュールよりも高いプログラミングスループットを有するメモリモジュールを必要とする可能性が高い。そのような問題を解決する手段は簡単であるように見えるが、そのような高い周波数では信号品質に関連する問題があり、その問題がメモリの動作周波数に対して実際的制限を加える。メモリは、並列入力/出力(I/O)ピンを使用して他の構成要素と通信する。前記ピンの数は、所望の構成に依存している。I/Oピンは、コマンド命令および入力データを受信するとともに、出力データを出力する。これは一般的にパラレルインターフェイスとして知られている。高速動作は、例えば漏話、信号スキュー、信号減衰など、通信の質を劣化させる効果をもたらす可能性があり、信号品質を劣化させる。
システムボード上でより高密度かつより高速の動作を取り入れるために、次の2つの設計技法がある。それは、シリアル相互接続構成と、マルチドロップ構成である。これらの設計技法は、ハードディスクとメモリシステムとの間でのメモリスワッピングの費用効率および動作効率を決定する、密度の問題を克服するために使用することができる。しかし、マルチドロップ構成は、メモリシステムのシリアル相互接続と比べて短所がある。例えば、マルチドロップメモリシステムでのドロップ数が増えると、各ピンの負荷効果の結果、遅延時間も増大し、そのためそのマルチドロップ構成の全体性能が低下する。これは、そのメモリ装置の配線抵抗容量負荷およびピンのキャパシタンスのためである。メモリ装
置などの装置内のシリアルリンクは、アドレス、コマンドおよびデータの全てをシリアルに受け取る単一のピン入力を利用することができる。このシリアルリンクは、シリアル相互接続構成を提供して、この構成を介してコマンドビット、アドレスビットおよびデータビットを効果的に制御することができる。シリアル相互接続構成を提供することによって、デバイス識別子(ID)番号がチェイン接続された各デバイスに割り当てられる。各デバイスへのID番号の割り当てでは、相互接続されたデバイスのIDを生成する必要がある。
本発明は、シリアル相互接続構成にされた複数のメモリデバイスと、受信装置と、を備えるシステムである。前記複数のメモリデバイスのそれぞれは入力接続部と出力接続部を備え、各デバイスの前記入力接続部と前記出力接続部は、それぞれ、前段のデバイスの前記出力接続部と、次段のデバイスの前記入力接続部に接続され、前記複数のメモリデバイスのそれぞれは、デバイス識別子(ID)を生成する生成器を備え、各デバイスにより生成された前記IDは、その次段のデバイスに供給される。また、前記受信装置は、前記シリアル相互接続構成の最後のデバイスから前記IDを受信すると共に、前記複数のメモリデバイスの前記シリアル相互接続構成の待ち時間を特定する。
本発明の一の態様によると、前記生成器は、前記入力接続部を介して前記前段のデバイスから前記IDを受信するID受信器と、前記受信したIDに応答してIDを生成するID発生器と、前記ID発生器により生成された前記IDを出力するID供給器と、を有する。また、前記ID発生器は、予め定められた所定の値を用いて前記受信したIDを計算する計算器を備えることとしてもよい。さらに、前記計算器は、前記受信したIDに前記所定の値を加算して新しいIDを算出する加算器を備えるものとすることができる。あるいは、前記計算器は、前記受信したIDから前記所定の値を減算して新しいIDを算出する減算器を備えるものとすることができる。
本発明の他の態様によると、前記ID受信器は、前記受信したIDをシリアルに記憶するレジスタと、前記記憶したIDを、それぞれパラレルに出力して前記計算のために供給する出力供給器と、を備える。
本発明の他の態様によると、前記受信器はプロセッサを備え、当該プロセッサは、前記最後のデバイスから前記IDを受信し、当該受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続構成における前記デバイスの数を特定するものとすることができる。
好適には、前記システムは、前記シリアル相互接続構成における最初のデバイスに初期IDを供給する供給装置を更に備えるものとすることができる。
本発明の他の態様によると、前記受信器はプロセッサを備え、当該プロセッサは、前記最後のデバイスからIDを受信し、当該受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続における前記複数のメモリデバイスの待ち時間を特定する。
本発明は、また、シリアル相互接続構成にされた複数メモリデバイスの特性を特定する方法である。前記複数のメモリデバイスのそれぞれは入力接続部と出力接続部を有し、各デバイスの入力接続部と出力接続部は、それぞれ前段のデバイスの出力接続部と次段のデバイスの入力接続部に接続されており、前記複数のメモリデバイスのそれぞれは、デバイス識別子(ID)を生成する生成器を備え、各デバイスで生成されたIDはそれぞれ次段のデバイスに供給される。そして、本方法は、前記シリアル相互接続構成における最後のデバイスから前記IDを受信するステップと、当該受信したIDに応じて、前記複数のメモリデバイスの前記シリアル相互接続構成の待ち時間を特定するステップと、を含む。
本発明の一の態様によると、シリアル相互接続構成にされた複数メモリデバイスの特性を特定する方法は、前記シリアル相互接続構成の前記複数のメモリデバイスの最初のデバイスに初期IDを供給するステップと、最後のデバイスからIDを供給して、前記シリアル相互接続構成のデバイス関連特性を特定するステップと、を更に備える。
本発明の他の態様によると、IDを生成する前記生成器は、予め定められた所定の値を用いて前記受信したIDを計算するステップを構成する。
本発明の他の態様によると、前記計算するステップは、前記受信したIDに前記所定の値を加算して新しいIDを生成するステップを含む。
本発明の他の態様によると、前記特定するステップは、前記受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続構成における前記デバイスの数を特定するステップを含む。
本発明の他の態様によると、前記特定するステップは、前記受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続構成における前記複数のメモリデバイスの待ち時間を特定するステップを含む。
本発明のその他の態様および特徴は、添付の図面に関連して与えられる、本発明の一実施形態の以下の説明を読むことで、当業者にとってより明らかとなる。
本発明の実施形態は、添付された図面に関連づけられて、一例としてのみ、説明されている。
本発明の実施形態が適用されたものであって、シリアル相互接続の形態を使用するメモリデバイスを示すブロック図である。 図1に示すデバイスの一つのブロック図である。 メモリデバイスのシングルデータレート(SDR)動作でのタイミング図を示す。 メモリデバイスのダブルデータレート(DDR)動作でのタイミング図を示す。 3つのメモリデバイスのシリアル相互接続配置を示すブロック図である。 図3Aに示すようにシリアル相互接続配置で構成されたデバイス同士の間の通信を示すタイミング図である。 各デバイスでデバイス識別子(ID)を設定するように動作するシリアル相互接続構成の複数のデバイスのブロック図である。 図4に示すデバイスの一つを示す。 図5に示すID発生回路の実施形態を示す。 IDを設定するための図4に示すデバイス同士の間で転送された信号のタイミング図である。 二元的リンク(dual link)でIDを設定するように動作するシリアル相互接続構成の複数のデバイスのブロック図である。 図8Aに示す装置同士の間で転送された信号のタイミング図である。 シリアル相互接続構成の複数のメモリデバイスのブロック図である。 図9に示すデバイスで実施されたプロトコルを示す概要図である。 ID発生回路の他の実施形態を示す。 図11に示すデバイスで実施されたプロトコルを示す概要図である。
以下に示す本発明の一例実施形態についての詳細な説明では、本願の一部を形成する添付図面を参照している。その図面は、本発明が実施され得る具体的な実施形態を示している。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できる程に十分詳細に説明されており、他の実施形態が利用でき、さらに論理的、電気的および他の変更が本発明の範囲から逸脱することなく可能である、ことが理解される。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されるものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって定義される。
一般に、本発明は、シリアル相互接続デバイスにおけるID作成を使用して直列入力データを取得する装置および処理する方法を提供する。
何らかのメモリサブシステムは、シリアルインターフェイスで複数のフラッシュデバイスを使用する。ここで、コマンド列は、該コマンドが前記デバイスの一つのみで実行される場合もあるにもかかわらず、全ての前記デバイスに供給される場合がある。コマンドが実行されるデバイスを選択するために、コマンド列はデバイス識別子(ID)を含むことができる。前記デバイス識別子(ID)は、コマンドが向けられるフラッシュデバイスを特定する。コマンド列を受信する各デバイスは、コマンド列に含まれたIDをデバイスに関連づけられたIDと比較する。2つのIDが一致した場合、そのデバイスは、前記コマンドが自分自身に向けられたものであると仮定するとともに、そのコマンドを実行する。
上記で説明された配置に関する問題は、各デバイスにIDを設定することを伴う。デバイスのためのIDを設定することに使用できる一つの技術は、固有に、デバイスの中にIDを、内部配線することである。しかしながら、この手法の一つの欠点は、多数のデバイスが使用された場合、各デバイスが確実に固有IDを持つようにするために、IDのサイズを非常に長くする必要があることである。大型デバイスIDを管理することは、デバイスに著しく複雑さを増加することとなり、デバイスの製造コストを増加させることとなる。さらに、デバイスIDを再生することは、既に使用されていないデバイスにIDが関連づけられることとなり、さらにこの構成の複雑さを増加させることとなる。
デバイスにIDを割り当てる他の手法は、各デバイスにIDを外部的に配線することを伴う。ここで、IDは、デバイスにIDを設定するためのある状態にデバイス上の多種のピンに配線することによって特定されることができる。デバイスは、ピンの配線状態を読み取るとともに、その読み取った状態から自身のIDを設定する。しかしながら、この手法の一つの欠点は、各デバイスにIDを割り当てるために外部配線が必要となる、ことである。これが、例えばメモリデバイスを保持するプリント回路基板(PCBs)の複雑さを増加させる。この手法の他の欠点は、IDの割り当てに専用されるピンを必要とすることである。これは、他の用途としてより良く使用できる貴重な資源を消費することとなる。さらに、IDの割り当てのための専用ピンは、前記ピンがIDの割り当てに使用されなかった場合、デバイスのためにより広い占有面積を要求する。
本発明の実施形態は、これらの欠点に向けたものである。IDのために特別な内部配線または外部配線を必要としない手法によって、例えば、シリアル相互接続において、デバイスに対して自動的にIDを設定する。本明細書に記載された技術の態様によれば、入力信号が、シリアル相互接続を介して、複数のデバイスを含む配置(例えば、シリアル相互接続配置)における第1デバイスに転送される。また、デバイスに他の情報(例えば、データ、コマンド、制御信号)を入力するために第1デバイスによって使用される入力を使用することで、前記入力信号が転送される。発生回路は、入力信号に対応してデバイスIDを生成する。そして、転送回路は、IDに対応する出力信号を、第1デバイスのシリアル出力を介して第2メモリデバイスに転送する。また、シリアル出力は、前記配置における他のデバイスに他の情報(例えば、信号、データ)を出力するために、第1デバイスによって使用され得る。
本明細書に記載された技術の実施形態では、デバイスへのID設定をもたらすID書き込み動作がシリアル相互接続配置のデバイスで開始される。第1デバイスは、第1デバイスの1つ以上の状態を取得することによって第1の値を受信する。次に、第1デバイスは、第1の値からデバイスIDを取得する。これは、デバイスに関連づけられた記憶装置(例えばデバイスIDレジスタ)に第1の値を置くことを含む。第1デバイスは、入力して獲得した状態から第2の値を生成する。第1デバイスは、第1デバイスからシリアル相互接続の第2デバイスに、第1デバイスの出力を通じて第2の値を出力する。第2デバイスは第1デバイスによって出力された値を入力するとともに、IDを設定するためにこのプ
ロセスを繰り返す。
本発明の実施形態は、ここで、MISL(multiple independent serial link:複数の独立シリアルリンク)に関連づけられて説明される。MISL製品は、コア構造を変化させることなく動作性能を高める、フラッシュメモリ領域におけるユニークな製品である。それは、フラッシュメモリにおけるインターフェースおよびデータ処理の革新である。フラッシュセル構造および前記セルの限定的な性能に起因して、フラッシュ性能の改善は、メモリ産業において解決されるべき重要な問題となっている。フラッシュメモリコアを有するほとんどの製品は、同時に全てのアドレスビットと、全てのコマンドビットと、全てのデータビットとそれぞれをラッチするパラレルポートを持っている。シリアルリンクは、全てのアドレス、コマンドおよびデータを直列に受信するためのシングルピン入力を利用する。MISLの細部は、2005年12月30日に出願された米国特許出願シリアル番号11/324,023号明細書と、2006年3月28日に出願された発明の名称「メモリデバイスのシリアル相互接続」の米国仮特許出願No.60/787,710号明細書と、2006年5月23日に出願された発明の名称「メモリデバイスのシリアル相互接続」の米国仮特許出願No.60/802,645号明細書とで説明されており、その全てが引用によって本明細書に完全に組み込まれている。
図1Aは、メモリコントローラとともに、様々な信号のための入力および出力を持つシリアル相互接続配置で構成された複数のシングルポートデバイスを有するデバイス構成の一例を示している。この実施形態では、デバイス構成はメモリデバイス1,2,3および4(120−1,120−2,130−3および120−4)を含む。相互接続されたデバイス120−1から120−4のそれぞれは、同一の構造をしている。メモリコントローラ110は、チップ選択/SCS、シリアル入力SI、入力ポートイネーブルSIPE、出力ポートイネーブルSOPE、クロックSCLK並びに他の制御およびデータ情報を有する信号112のグループをデバイスに提供する。
図1Bは、デバイス120−1から120−4のいずれか一つを表すデバイス120iの一つを示している。デバイス120iは、デバイス制御回路130とメモリ回路140とを含む。メモリ回路140は、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)セル、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)セル、またはフラッシュメモリセルなどを含んでいる。デバイス120iは、シリアル入力ポート(SIP)接続部、シリアル出力ポート(SOP)接続部、チップ選択入力部(/CS)、およびクロック入力部(CLK)を持つ。SIPは、デバイス120iに情報(例えば、コマンド、アドレスおよびデータ情報)を転送するために使用される。SOPは、デバイス120iからの情報を転送することに使用される。CLKは、クロック信号を受信する。/CSは、チップ選択信号/SCSを受信する。チップ選択信号/SCSは、同時に全てのデバイスの動作を可能にする。デバイス制御回路130は、入力信号(例えば、SI,SIPE,SOPE,SCLK)に対応して、メモリ回路140にアクセスして様々な制御およびプロセス機能を実行するとともに、次段デバイス120(i+1)にシリアル出力データを提供する。
図1Aおよび図1Bを参照すると、シリアル相互接続における前段デバイス120(i−1)のSOPがシリアル相互接続におけるデバイス120iのSIPに接続されるように、SIPおよびSOPは、シリアル相互接続配置におけるデバイス同士の間に接続されている。例えば、デバイス1,120−1のSOPは、デバイス2,120−2のSIPに接続されている。4つのデバイス120−1から120−4のそれぞれのクロック入力CLKには、メモリコントローラ110から、クロック信号SCLKが供給される。クロック信号SCLKは、共通リンクを介して全てのデバイスに配送される。以下でさらに説明されるように、クロック信号SCLKは、そのデバイスに含まれた様々なレジスタにおいて、デバイス120iへの情報入力をラッチするために使用される。/CSは、デバイスを選択するための従来のチップ選択入力である。/CSは、同時に全てのデバイス(120−1から120−4)がアサートされるように、チップ選択信号/SCSでイネーブルとなる共通リンクに接続されており、その結果、全てのデバイスを選択する。
さらに、デバイス120iは、入力ポートイネーブル入力(IPE)と、出力ポートイネーブル入力(OPE)と、入力ポートイネーブル出力(IPEQ)と、出力ポートイネーブル出力(OPEQ)とを持つ。IPEは、デバイス120iに入力ポートイネーブル信号SIPEiを入力するために使用される。IPEがアサートされるとき、SIPをイネーブルにするデバイスによって信号SIPEiが使用され、情報がSIPを通じてデバイス120iにシリアルに入力される。同様に、OPEは、デバイス120iに出力ポートイネーブル信号SOPEiを入力することに使用される。OPEがアサートされるとき、SOPをイネーブルにするデバイスによって信号SOPEiが使用され、情報がSOP
を通じてデバイス120iからシリアルに出力される。IPEGおよびOPEQは、それぞれ、デバイス120iから信号SIPEQiおよびSOPEQiを出力する出力である。/CSおよびCLKは、上記で説明されたように、それぞれ、4つのデバイス120−1から120−4に、チップ選択信号/SCSおよびクロック信号SCLKを配送するリンクを分離するように接続されている。
SIPおよびSOPは、上記で説明したように、シリアル相互接続配置における前段デバイス120(i−1)から次段デバイス120(i+1)へ接続されている。さらに、前段デバイス120(i−1)のIPEQおよびOPEQは、シリアル相互接続における現在デバイス120iの、IPEおよびOPEにそれぞれ接続されている。この構成は、シリアル相互接続方式において、信号SIPEおよびSOPEを、ある装置から次段装置へ(例えば、デバイス1,120−1からデバイス2,120−2へ)転送することができる。
デバイス120−1から120−4に転送された情報は、CLKに供給されたクロック信号SCLKの様々な時間でラッチすることができる。例えば、シングルデータレート(SDR)実施では、SIPでデバイス120iに入力する情報は、クロック信号SCLKの立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジのいずれかでラッチできる。あるいはまた、ダブルデータレート(DDR)実施では、クロック信号SCLKの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの両方が、SIPで入力した情報をラッチすることに使用できる。図2Aは、メモリデバイスのSDR動作での相対的なタイミングシーケンスを示す。図2Bは、メモリデバイスのDDR動作での相対的なタイミングシーケンスを示す。図2Aおよび図2Bのそれぞれは、1つのポートでの動作を示している。SDRおよびDDR動作のそれぞれでは、第1デバイスの入力データが最後のデバイスに伝達されるように、チップ選択信号は全てのデバイスを同時にイネーブルにするために共通に接続されている。
図3Aは、シリアル相互接続配置で構成された3つのメモリデバイス210−1から210−3を示す。図3Bは、図3Aに示すデバイス210−1から210−3同士の間で転送された信号を示す。図3Aおよび図3Bを参照すると、チップ選択信号/SCSは、デバイスを選択するために最初にアサートされる。IPEをアサートすることによって、およびクロック信号の連続した立ち上がりエッジでデバイス210−1の中にデータをクロッキングすることによって、情報は、シリアル相互接続において、デバイス1,210−1に転送される。入力ポートイネーブル信号SIPEは、信号IPE_Dで示すように、1サイクル未満で、デバイス1,210−1を介してデバイス2,210−2に伝達される。同様に、出力ポートイネーブル信号SOPEは、デバイス1を介してデバイス2に伝達される。伝搬時間間隔は、例えば半周期の時間間隔またはサイクルの割合に基づいた時間間隔に、システム要件に依存して変更することができる。前記情報の後の1周期で、デバイス1,210−1のSOPからデバイス2,210−2のSIPへクロックされた伝搬イネーブル情報は、デバイス1にクロックされる。このプロセスは、シリアル相互接続における連続したデバイスで繰り返される。例えば、デバイス1でのデータのラッチポイントからSCLKの第3立ち上がりエッジでシリアル相互接続において、情報がデバイス3,210−3に入力される。制御信号SIPEおよびSOPEは、シリアル相互接続における次段デバイスでこれらの信号のための適切な準備時間を確保するために、クロック信号SCLKの立ち上がりエッジに同期している。
図4は、シリアル相互接続構成の複数のデバイスを示す。デバイスは、DRAM、SRAM、NANDフラッシュメモリまたはNORフラッシュメモリあるいはメモリの混合型を含むことができる。図4を参照すると、N個のメモリデバイス310−1から310−Nは、シングルリンク配置で接続されているとともに、直列に相互接続されている。デバイス310−1から310−Nは、それぞれ、デバイス制御回路320−1から320−Nとメモリ回路315−1から315−Nとを含む。1つのデバイス310iが図5に示されている。デバイス310iのデバイス制御回路320iは、対応するメモリ回路315iに接続されている。デバイス制御回路320iは、制御/処理回路331と、ID発
生回路333と、IDレジスタ341と、出力回路336とを含む。デバイス310iのSIPへのシリアル入力SIは、コマンド、デバイス識別子(ID),IDii、および他の信号データを含む。制御/処理回路331は、シリアル入力SIi、入力ポートイネーブル信号SIPEi、および出力ポートイネーブル信号SOPEiを受信するとともに、制御およびデータ処理機能を実行する。ID発生回路333は、制御/処理回路331によって制御されて、次段デバイス310(i+1)のためのID,ID(i+1)を設定する。ID発生回路333は、シリアル出力ID信号355に含まれるID(i+1)を生成する。生成されたID(i+1)は、出力回路336を介して提供される。また、ID発生イネーブル信号323および処理データ信号325は、制御/処理回路331によって出力回路336に提供される。制御/処理回路331によって提供されたID書き込みイネーブル信号343に対応して、IDレジスタ341は、現在デバイス310iに受信されたID,IDiiを記録する。記録されたIDは、電源が切れるまでレジスタ341で保持される。
図6は、図5に示すID発生回路333および出力回路336の詳細な回路を示す。図4から図6を参照すると、ID発生回路333は、シリアル入力SIiをデバイスのSIPを介して受信するシリアル入力バッファ437を含む。前記ID発生モード設定動作で受信されたSIiは、デバイスID,IDiiに対応する値を含む。その値は、nビット(例えば8ビット)の値である。クロック信号SCLKは、一時的なIDレジスタ440に供給される。一時的なIDレジスタ440は、クロック信号SCLKのクロックに対応してIDレジスタ440に入力シリアルデータを記録する直列/並列変換レジスタである。ID発生モードにおいて、SIに含まれたn−ビットIDiiは、SCLKに対応して
レジスタ440の中で直列にシフトされるとともにそこに保持される。レジスタ440に保持されたn−ビットIDiiは、n−ビット信号447として並列に出力される。n−ビット信号447は、加算器450に供給される。加算器450は+1の加算値を持っている計算信号451を提供する。
加算器450は、IDiiに「1」を加算し、その結果、シリアル相互接続におけるデバイスIDに連続した次段デバイスのために、ID,IDii+1を含む計算信号451を生成する。デバイスID番号の選択されたシーケンスが小さい値から大きい値まで連続した整数であるとき、加算器450は、ID生成のための適切な機能を提供する。加算器450からの「加算されたIDii+1」の信号451は、出力IDレジスタ454に提供され、出力IDレジスタ454で選択されたn−ビットIDデータを記録することができる。出力IDレジスタ454は、並列/直列変換レジスタである。出力IDレジスタ454は、クロック信号SCLKに対応して、直列態様に記録されたデータをシリアル出力
ID信号355として出力する。シリアル出力ID信号355は、出力回路336のセレクタ456に供給される。また、セレクタ456は、デバイス310iのメモリ回路315iにアクセスする制御/処理回路331から処理データ信号323を受信する。ID発生イネーブル信号323が「ハイ」(ID発生モード)および「ロー」(通常モード)のそれぞれであるとき、制御/処理による発生コマンドから得られたID発生イネーブル信号323に対応して、セレクタ456は、シリアル出力ID信号355または処理データ信号325を選択する。セレクタ456からの選択信号は、シリアル出力バッファ458を介してシリアル相互接続の次段デバイス(310(i+1))に出力される。
ID発生回路333は、n−ビットID,IDiiを含むID信号335をIDレジスタ341に提供する。制御/処理回路331からのID書き込みイネーブル信号332に対応して、IDレジスタ341は、現在デバイス310iのために、受信されたID,IDiiを記録またはラッチする。記録されたIDは、電源が切れるまで保持される。IDレジスタ341は、初期に零状態にリセットされ、その結果、IDラッチが現れない場合、IDレジスタ341はゼロ状態を保持する。
図6について、例えば、上記のID発生プロセスは第1デバイス(デバイス1)の制御/処理回路331−1によって完了される。制御/処理回路331−1は、結果として生成されたデバイスIDを第2デバイス(デバイス2)310−2に出力する。デバイス310−2に配置された第2デバイスの制御/処理回路331−2は、第1デバイスの制御/処理回路331−1と同一の動作を実行し、結果として生成されたデバイスIDをデバイス310−3に転送する。このプロセスは、デバイスIDが全てのデバイスを通り抜けるまで、シリアル相互接続された全てのデバイス310−1から310−Nで繰り返される。
図7は、図4のデバイス同士の間で転送された信号を示す。この例の動作では、複数のデバイスのシリアル相互接続においてIDを生成する。図4から図6に示すシリアル相互接続の実施形態では、/SCSが再び「ロー」になった後に、シリアルID入力ストリームをラッチするために、OPEが選択されるように、IPEでのデバイスロジックが1バイトユニットに基づいてシリアル入力ストリームを取得するための機能を含んでいる。
図7では、時間T01と時間T02との間のID発生モード設定期間TCS1が、IDビット長+8サイクル(コマンドビット長)+シリアル相互接続構成に接続できる見積もられたデバイスの数に対応した事前に定義されたクロックサイクルと同じ期間である。コマンドは、「ID発生」コマンドを含む。SIは、ID(初期ID(’00000’))および入力ストリームとしての「書き込みIDエントリ」コマンドを含む。前記入力ストリームは、期間TCS1の間にIPEによって取得される。TCS1は、IDビットの総数のビットサイクル、例えば5サイクルを含む。IDビットは、内部IDレジスタのサイズによって設定される。例えば、どのデバイスも12ビットIDレジスタを持つ場合、OPEは12サイクルの間「ハイ」状態を保持する。これは、並列におよび非同期にID番号を転送するための既存のピンを使用する上記の実施のような、ピン制限も全くなく、4096個のデバイスがシリアル相互接続配置に物理的に接続されることを意味する。ID発生モード設定プロセスが完了した後、ID発生動作が時間T1で開始して、期間TIDGの満期で終了する。チップ選択サイクルTCS2の満期である時間T2で、/SCSは切り換えられるとともに、時間T2からの期間TIDEXの満期である時間T3で、ID発生が終了する。時間T2と時間T3の間である期間TIDEXは、システム(例えば、5クロックサイクルまたは時間T2の後のクロックパルスの5立ち上がりエッジ)に依存する各種クロックサイクルによって事前に定義されている。
図4から図7を参照すると、シリアル入力SIは、IDおよび「書き込みIDエントリ」を含む。2サイクル以上オーバーラップしない、OPEとOPEQとの間で、またはop1とop2との間で、信号を転送するために、例えば、ID増加および隣接デバイスへのデータ転送によって引き起こされる動作競合を避けるようにするべきである。OPEが各デバイス310−1から310−Nでアサートされた後、ラッチされたID入力データがデバイスのIDレジスタ(例えば、直列/並列変換レジスタ440)に記憶されるとともに、この入力の増加動作がOPEQをアサートする前に実行される(例えば、加算器450によって)。OPEでの信号の機能は、1ビットから、各メモリデバイスの中のIDレジスタに定義されたビットの最大数までのIDビットの数を判断することである。この機能のために、最下位ビット(LSB)から始めって最上位ビット(MSB)まで、順々に、デバイスIDに対応する信号が次段デバイスに転送される。IDは、表1に示されている。
Figure 2013239210
本実施形態では、Nが32であるとともに、相互接続されたデバイスの数が32(=N)である。他の実施形態では、Nは他のいかなる整数とすることができる。
IDレジスタ341に記憶されたIDは、シーケンスとそれ自身のID番号とに対応している。例えば、IDレジスタが10ビットの長さであり、かつ、OPEが5サイクル「ハイ」状態になる場合、5ビットがID生成に含まれるとともに、5ビットの結果に対応する信号が次段デバイスに転送される。残りのビットは、無視されるとともに、「ゼロ」の値がIDレジスタに保持される。
ID発生回路333は、小さい値から大きな値までの連続した整数としてデバイスID番号のシーケンスを生成する。結果として生成されたデバイスIDの割り当てが表2に示されている。
Figure 2013239210
図8Aは、二元的リンクについてのID生成ロジックの実施形態を使用して、各デバイスでIDを設定するように動作するシリアル相互接続構成の複数のデバイスを示す。図8Bは、IDを設定するために図8Aに示す装置同士の間で転送された信号のタイミング図を示す。メモリデバイスの接続は、図4のものと異なっている。図8Aは、シリアル相互接続配置におけるMISLデバイスの2本の入力ピンを使用して、どのようにIDを生成するかを説明する実施形態を示す。いかなるシリアル入力ピンおよび一つの制御ピンも、図8Aで表現されたものと同一の機能を持つことができる。
図9は、図6に示すID発生回路の実施形態を使用することで、各デバイスでIDを設定するように動作する、シリアル相互接続構成の複数のメモリデバイスを示す。図10は、図9に示すデバイスで実施されるプロトコルの実施形態を示す。
図9および図10を参照すると、メモリコントローラ840は、クロック信号SLKで動作する提供回路810および受信回路820を含む。また、クロック信号CLKは、直列に相互接続されたデバイス1−Nに共通リンクを介して供給される。メモリコントローラ840は、提供回路810を含む。提供回路810は、初期ID,ID0(例えば、値「0」)と、入力ポートイネーブル信号SIPEと、出力ポートイネーブル信号SOPEとを、シリアル相互接続の第1デバイス,デバイス1に提供する。各デバイスにおいて、シリアル入力SIに含まれた入力IDが、SIPE信号に対応して入力されるとともに、ID生成(+1)が実行される。したがって、IDが値+1だけ増加される。生成された
IDは、SOPE信号に対応して次段デバイスに出力される。IDの生成が各デバイス1−Nで実行されるとともに、生成されたIDが各デバイスから次段デバイスに転送される。また、メモリコントローラ840は、受信回路820を含む。受信回路820は、シリアル相互接続のデバイスNである最後のデバイスから、生成されたID,IDNおよび出力ポートイネーブル信号SOPEQを受信する。最後のデバイスNのID出力が、OPEQに同期して受信回路820に供給されたとき、受信回路820は、シリアル相互接続におけるデバイスの数Nを認識する。それは各デバイスのクロック待ち時間が同一であるとともに、その値はCLである、と仮定される。シリアル相互接続におけるN個のデバイス
の全体の待ち時間は、N×CLである。
図11は、ID発生回路の他の実施形態を示す。ID発生回路は、図6のものと同様である。相違点は、図11のID発生回路933が、図6の加算器450の代わりに減算器950を持っている点である。図10および図11を参照すると、メモリコントローラ840は、初期ID(例えば値「M」)をデバイス1に提供する。各デバイスの減算器950は、減算信号951を出力IDレジスタ454に供給するために、受信されたID,IDiiからの1の減算を実行する。出力IDレジスタ454は、並列/直列変換レジスタである。新たに生成されたIDは、レジスタ454から出力回路336に直列に出力されるとともに、次段デバイスに提供される。そのような減算によって、大きい値から小さい
値まで連続したIDが設定される。実施形態では、デバイスID番号のシーケンスは、大きい値から小さい値まで連続した整数とすることができる。提供回路810によって第1デバイス,デバイス1に提供された初期ID0は、IDMである。シーケンスは、Mから(M−N)まで1ずつ減少する。
図12は、図11に示すデバイスで実施されたプロトコルを示す。図11に示すデバイスによって生成されたデバイスID番号の連続したシーケンスが表3に示されている。
Figure 2013239210
本実施形態では、受信回路820がシリアル相互接続におけるデバイスの数Nを(M−N)の値から認識する。デバイスの同一クロック待ち時間CLを仮定すると、シリアル相互接続におけるN個のデバイス全体の待ち時間は、N×CLとなる。
上記で説明された実施形態にはバリエーションがある。加算器450または減算器950は、前記シーケンスができる代替の演算手段に置換することができる。例えば、加算器450は、他の事前に定義された数の他の計算手段に置換することができる。
上記で説明された実施形態では、簡潔さを目的として、動作がアクティブ「ハイ」信号に基づいて説明されている。前記回路は、設計優先に従って、「ロー」アクティブ信号に基づく動作を実行するように設計されることとしてもよい。前記制御信号は、命令コード割り当てに従って、2バイト以上のバイト数があることとしてもよい。タイミング制御は、コマンドタイプによってイネーブルにされる連続した複数のクロックから、選択されたシリアルレジスタをアクティブにする追加制御信号を伴うシングルクロックに、変更することができる。複数のクロックを出力するシーケンスは、タイミング、アドレスの配置、およびアドレスの長さ、それぞれの仕様に従って変更することができる。上記で説明したように、本実施形態は、シリアル・フラッシュメモリまたはシリアル入力ビットストリーム制御の製品に適用することができる。
上記で説明された実施形態では、簡単にするために、デバイス要素および回路は図に示すように相互に接続されている。本発明を装置、デバイス、要素、回路などへ実際的に適用する場合、相互に直接に接続されることとしてもよい。また、デバイス、要素、回路などは、装置の動作に必要とされる、他のデバイス、要素、回路などを介して、相互に間接的に接続されることとしてもよい。したがって、実際の構成では、回路素子およびデバイスが相互に直接にまたは間接的に結合または接続される。
本発明の上記で説明された実施形態は、単なる一例であることを意図している。本願に添付された特許請求の範囲によってのみ定義される本発明の範囲から逸脱することなく、変更、変形およびバリエーションが、当業者によって特定の実施形態をもたらすことが可能である。
110 メモリコントローラ
112 信号
120i メモリデバイス
130 デバイス制御回路
140 メモリ回路
315i メモリ回路
320i デバイス制御回路
331 制御/処理回路
333 ID発生回路
336 出力回路
341 IDレジスタ
437 シリアル入力バッファ
440 IDレジスタ
450 加算器
454 出力IDレジスタ
456 セレクタ
458 シリアル出力バッファ
810 提供回路
820 受信回路
840 メモリコントローラ
950 減算器

Claims (17)

  1. シリアル相互接続構成とした複数のメモリデバイスであって、
    前記複数のメモリデバイスのそれぞれは入力接続部と出力接続部を備え、各デバイスの前記入力接続部と前記出力接続部は、それぞれ前段のデバイスの前記出力接続部と次段のデバイスの前記入力接続部に接続され、前記複数のメモリデバイスのそれぞれは、デバイス識別子(ID)を生成する生成器を備え、各デバイスにより生成された前記IDは、その次段のデバイスに供給される、メモリデバイスと、
    前記シリアル相互接続構成の最後のデバイスから前記IDを受信すると共に、前記複数のメモリデバイスの前記シリアル相互接続構成の待ち時間を特定する受信装置と、
    を有するシステム。
  2. 前記生成器は、
    前記入力接続部を介して前記前段のデバイスから前記IDを受信するID受信器と、
    前記受信したIDに応答してIDを生成するID発生器と、
    前記ID発生器により生成された前記IDを出力するID供給器と、
    を有する、
    請求項1に記載のシステム。
  3. 前記ID発生器は、予め定められた所定の値を用いて前記受信したIDを計算する計算器を備える、請求項2に記載のシステム。
  4. 前記計算器は、前記受信したIDに前記所定の値を加算して新しいIDを算出する加算器を備える、請求項3に記載のシステム。
  5. 前記加算器は、前記受信したIDに1を加算する加算回路を備える、請求項4に記載のシステム。
  6. 前記計算器は、前記受信したIDから前記所定の値を減算して新しいIDを算出する減算器を備える、請求項3に記載のシステム。
  7. 前記減算器は、前記受信したIDから1を減算する減算回路を備える、請求項6に記載のシステム。
  8. 前記ID受信器は、
    前記受信したIDをシリアルに記憶するレジスタと、
    前記記憶したIDを、それぞれパラレルに出力して前記計算のために供給する出力供給器と、
    を備える、請求項4に記載のシステム。
  9. 前記受信装置はプロセッサを備え、当該プロセッサは、
    前記最後のデバイスから前記IDを受信し、
    当該受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続構成における前記デバイスの数を特定する、
    請求項1に記載のシステム。
  10. 前記シリアル相互接続構成における最初のデバイスに初期IDを供給する供給装置を更に備える、請求項8に記載のシステム。
  11. 前記受信装置はプロセッサを備え、当該プロセッサは、
    前記最後のデバイスからIDを受信し、
    当該受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続における前記複数のメモリデバイスの待ち時間を特定する、
    請求項1に記載のシステム。
  12. シリアル相互接続構成とした複数メモリデバイスの特性を特定する方法であって、
    前記複数のメモリデバイスのそれぞれは入力接続部と出力接続部を備え、各デバイスの前記入力接続部と前記出力接続部は、それぞれ前段のデバイスの前記出力接続部と次段のデバイスの前記入力接続部に接続され、前記複数のメモリデバイスのそれぞれは、デバイス識別子(ID)を生成する生成器を備え、各デバイスにより生成された前記IDは、その次段のデバイスに供給され、
    前記方法は、
    前記シリアル相互接続構成の最後のデバイスから前記IDを受信するステップと、
    当該受信したIDに応じて、前記複数のメモリデバイスの前記シリアル相互接続構成の待ち時間を特定するステップと、
    を含む、方法。
  13. 前記シリアル相互接続構成の前記複数のメモリデバイスの最初のデバイスに初期IDを供給するステップと、
    最後のデバイスからIDを供給して、前記シリアル相互接続構成のデバイス関連特性を特定するステップと、
    を更に備える、請求項12に記載の方法。
  14. IDを生成する前記生成器は、予め定められた所定の値を用いて前記受信したIDを計算するステップを構成する、請求項13に記載の方法。
  15. 前記計算するステップは、前記受信したIDに前記所定の値を加算して新しいIDを生成するステップを含む、請求項14に記載の方法。
  16. 前記特定するステップは、前記受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続構成における前記デバイスの数を特定するステップを含む、請求項14に記載の方法。
  17. 前記特定するステップは、前記受信したIDに応じて、前記シリアル相互接続構成における前記複数のメモリデバイスの待ち時間を特定するステップを含む、請求項14に記載の方法。
JP2013183052A 2006-12-20 2013-09-04 シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法 Pending JP2013239210A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/613,563 US8984249B2 (en) 2006-12-20 2006-12-20 ID generation apparatus and method for serially interconnected devices
US11/613,563 2006-12-20

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009541702A Division JP5398540B2 (ja) 2006-12-20 2007-12-03 シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013239210A true JP2013239210A (ja) 2013-11-28

Family

ID=39535924

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009541702A Expired - Fee Related JP5398540B2 (ja) 2006-12-20 2007-12-03 シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法
JP2013183052A Pending JP2013239210A (ja) 2006-12-20 2013-09-04 シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009541702A Expired - Fee Related JP5398540B2 (ja) 2006-12-20 2007-12-03 シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8984249B2 (ja)
EP (1) EP2122626A4 (ja)
JP (2) JP5398540B2 (ja)
KR (2) KR101468835B1 (ja)
CN (1) CN101611454A (ja)
CA (1) CA2671184C (ja)
TW (1) TWI480734B (ja)
WO (1) WO2008074126A1 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006057049A1 (ja) 2004-11-26 2006-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba カードおよびホスト機器
KR101494023B1 (ko) * 2007-02-16 2015-02-16 컨버전트 인텔렉츄얼 프로퍼티 매니지먼트 인코포레이티드 반도체 장치 및 상호접속된 장치들을 갖는 시스템에서의 전력 소비를 감소시키는 방법
US7865756B2 (en) 2007-03-12 2011-01-04 Mosaid Technologies Incorporated Methods and apparatus for clock signal synchronization in a configuration of series-connected semiconductor devices
US8467486B2 (en) 2007-12-14 2013-06-18 Mosaid Technologies Incorporated Memory controller with flexible data alignment to clock
US8781053B2 (en) 2007-12-14 2014-07-15 Conversant Intellectual Property Management Incorporated Clock reproducing and timing method in a system having a plurality of devices
KR100968865B1 (ko) * 2007-12-17 2010-07-09 주식회사 애트랩 시리얼 통신 시스템 및 이의 id 부여방법
US8677056B2 (en) * 2008-07-01 2014-03-18 Lsi Corporation Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array
US8560735B2 (en) * 2008-08-15 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Chained bus method and device
US8134852B2 (en) 2008-10-14 2012-03-13 Mosaid Technologies Incorporated Bridge device architecture for connecting discrete memory devices to a system
US7957173B2 (en) 2008-10-14 2011-06-07 Mosaid Technologies Incorporated Composite memory having a bridging device for connecting discrete memory devices to a system
US8549209B2 (en) 2008-11-04 2013-10-01 Mosaid Technologies Incorporated Bridging device having a configurable virtual page size
JP5388617B2 (ja) * 2009-02-13 2014-01-15 新日本無線株式会社 インターフェース方法およびシステム
US8521980B2 (en) 2009-07-16 2013-08-27 Mosaid Technologies Incorporated Simultaneous read and write data transfer
US8392614B2 (en) * 2009-07-27 2013-03-05 Sandisk Il Ltd. Device identifier selection
JP5150591B2 (ja) 2009-09-24 2013-02-20 株式会社東芝 半導体装置及びホスト機器
KR101157032B1 (ko) 2010-11-17 2012-06-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
JP5623259B2 (ja) * 2010-12-08 2014-11-12 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置
KR101190689B1 (ko) 2010-12-21 2012-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
JP6058551B2 (ja) * 2010-12-22 2017-01-11 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 照明デバイスユニットのアドレス初期化
US8825967B2 (en) 2011-12-08 2014-09-02 Conversant Intellectual Property Management Inc. Independent write and read control in serially-connected devices
CN102736996A (zh) * 2011-12-27 2012-10-17 华为技术有限公司 一种减少存储控制器接口占用的方法及高速存储器
US10114787B2 (en) * 2014-02-03 2018-10-30 Qualcomm Incorporated Device identification generation in electronic devices to allow external control of device identification for bus communications identification, and related systems and methods
US10146608B2 (en) 2015-04-06 2018-12-04 Rambus Inc. Memory module register access
US10095437B2 (en) 2015-08-03 2018-10-09 Intel Corporation Memory access control
US10417161B2 (en) * 2018-01-26 2019-09-17 Qualcomm Incorporated Efficient technique for communicating between devices over a multi-drop bus
US11462270B2 (en) 2018-12-31 2022-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and memory system including the same
KR102658831B1 (ko) 2018-12-31 2024-04-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치를 이용한 계산 방법
JP7335039B2 (ja) * 2020-12-02 2023-08-29 Necプラットフォームズ株式会社 装置、方法、及びプログラム

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133000A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Toshiba Corp メモリ混載ロジックlsi
JP2001092772A (ja) * 1999-07-16 2001-04-06 Texas Instr Inc <Ti> 同期固定レイテンシループを使用するデータバス
JP2003122625A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Fuji Xerox Co Ltd インターフェース回路
US20040148482A1 (en) * 2003-01-13 2004-07-29 Grundy Kevin P. Memory chain
JP2005122823A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Elpida Memory Inc 半導体装置および半導体チップ制御方法
WO2006017725A2 (en) * 2004-08-09 2006-02-16 Sandisk Corporation Ring bus structure and it's use in flash memory systems
JP2006195835A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JP2007157266A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Elpida Memory Inc 積層型半導体装置およびチップ選択回路

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4174536A (en) 1977-01-21 1979-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Digital communications controller with firmware control
US4360870A (en) * 1980-07-30 1982-11-23 International Business Machines Corporation Programmable I/O device identification
EP0179605B1 (en) 1984-10-17 1992-08-19 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having a serial data input circuit and a serial data output circuit
US4683555A (en) 1985-01-22 1987-07-28 Texas Instruments Incorporated Serial accessed semiconductor memory with reconfigureable shift registers
DE69030858T2 (de) 1989-03-15 1998-01-29 Oki Electric Ind Co Ltd Serielleingabe-parallelausgabe-umwandlungsschaltung
US5126808A (en) 1989-10-23 1992-06-30 Advanced Micro Devices, Inc. Flash EEPROM array with paged erase architecture
US5175819A (en) 1990-03-28 1992-12-29 Integrated Device Technology, Inc. Cascadable parallel to serial converter using tap shift registers and data shift registers while receiving input data from FIFO buffer
US5243703A (en) 1990-04-18 1993-09-07 Rambus, Inc. Apparatus for synchronously generating clock signals in a data processing system
US5204669A (en) 1990-08-30 1993-04-20 Datacard Corporation Automatic station identification where function modules automatically initialize
US5357621A (en) 1990-09-04 1994-10-18 Hewlett-Packard Company Serial architecture for memory module control
US5319598A (en) 1990-12-10 1994-06-07 Hughes Aircraft Company Nonvolatile serially programmable devices
US5430859A (en) 1991-07-26 1995-07-04 Sundisk Corporation Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus
US6230233B1 (en) 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
KR950000761B1 (ko) 1992-01-15 1995-01-28 삼성전자 주식회사 직렬 입력신호의 동기회로
JP3088180B2 (ja) 1992-03-26 2000-09-18 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 シリアル入力インタフェース回路
KR960000616B1 (ko) 1993-01-13 1996-01-10 삼성전자주식회사 불휘발성 반도체 메모리 장치
JPH06275069A (ja) 1993-03-20 1994-09-30 Hitachi Ltd シリアルメモリ
US5365484A (en) 1993-08-23 1994-11-15 Advanced Micro Devices, Inc. Independent array grounds for flash EEPROM array with paged erase architechture
JPH0793219A (ja) 1993-09-20 1995-04-07 Olympus Optical Co Ltd 情報処理装置
US5602780A (en) 1993-10-20 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Serial to parallel and parallel to serial architecture for a RAM based FIFO memory
US5452259A (en) 1993-11-15 1995-09-19 Micron Technology Inc. Multiport memory with pipelined serial input
US5404460A (en) * 1994-01-28 1995-04-04 Vlsi Technology, Inc. Method for configuring multiple identical serial I/O devices to unique addresses through a serial bus
US5596724A (en) 1994-02-04 1997-01-21 Advanced Micro Devices Input/output data port with a parallel and serial interface
DE4429433C1 (de) 1994-08-19 1995-10-26 Siemens Ag Adreßzuordnungsverfahren
US5473566A (en) 1994-09-12 1995-12-05 Cirrus Logic, Inc. Memory architecture and devices, systems and methods utilizing the same
KR0142367B1 (ko) 1995-02-04 1998-07-15 김광호 열 리던던씨를 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거 검증회로
US5636342A (en) 1995-02-17 1997-06-03 Dell Usa, L.P. Systems and method for assigning unique addresses to agents on a system management bus
US5835935A (en) 1995-09-13 1998-11-10 Lexar Media, Inc. Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory
JP3693721B2 (ja) 1995-11-10 2005-09-07 Necエレクトロニクス株式会社 フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ及びそのテスト方法
TW307869B (en) 1995-12-20 1997-06-11 Toshiba Co Ltd Semiconductor memory
KR100211760B1 (ko) 1995-12-28 1999-08-02 윤종용 멀티뱅크 구조를 갖는 반도체 메모리 장치의 데이타 입출력 경로 제어회로
KR0170723B1 (ko) 1995-12-29 1999-03-30 김광호 단일 ras 신호에 의해 동시 동작이 가능한 이중 뱅크를 갖는 반도체 메모리 장치
US5828899A (en) 1996-01-04 1998-10-27 Compaq Computer Corporation System for peripheral devices recursively generating unique addresses based on the number of devices connected dependent upon the relative position to the port
JPH09231740A (ja) 1996-02-21 1997-09-05 Nec Corp 半導体記憶装置
US5860080A (en) 1996-03-19 1999-01-12 Apple Computer, Inc. Multicasting system for selecting a group of memory devices for operation
JP3850067B2 (ja) 1996-04-24 2006-11-29 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステムおよびそれに用いられる半導体記憶装置
US5941974A (en) 1996-11-29 1999-08-24 Motorola, Inc. Serial interface with register selection which uses clock counting, chip select pulsing, and no address bits
KR100243335B1 (ko) 1996-12-31 2000-02-01 김영환 독립적인 리프레쉬 수단을 가지는 데이지 체인 구조의 반도체 장치
KR100272037B1 (ko) 1997-02-27 2000-12-01 니시무로 타이죠 불휘발성 반도체 기억 장치
US6442644B1 (en) 1997-08-11 2002-08-27 Advanced Memory International, Inc. Memory system having synchronous-link DRAM (SLDRAM) devices and controller
GB2329792A (en) 1997-08-20 1999-03-31 Nokia Telecommunications Oy Identification signals enable a transceiver module to correctly configure itself to an attached functional module
JPH1166841A (ja) 1997-08-22 1999-03-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR100240873B1 (ko) 1997-08-26 2000-01-15 윤종용 송수신 겸용의 레지스터를 갖는 직렬인터페이스장치
JP4039532B2 (ja) 1997-10-02 2008-01-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
US5937425A (en) 1997-10-16 1999-08-10 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system optimized for page-mode flash technologies
US6148364A (en) 1997-12-30 2000-11-14 Netlogic Microsystems, Inc. Method and apparatus for cascading content addressable memory devices
US6002638A (en) 1998-01-20 1999-12-14 Microchip Technology Incorporated Memory device having a switchable clock output and method therefor
WO1999045460A2 (en) 1998-03-02 1999-09-10 Lexar Media, Inc. Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system
US6085290A (en) 1998-03-10 2000-07-04 Nexabit Networks, Llc Method of and apparatus for validating data read out of a multi port internally cached dynamic random access memory (AMPIC DRAM)
US6144576A (en) 1998-08-19 2000-11-07 Intel Corporation Method and apparatus for implementing a serial memory architecture
US5995417A (en) 1998-10-20 1999-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Scheme for page erase and erase verify in a non-volatile memory array
JP2000149564A (ja) 1998-10-30 2000-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6304921B1 (en) 1998-12-07 2001-10-16 Motorola Inc. System for serial peripheral interface with embedded addressing circuit for providing portion of an address for peripheral devices
KR100284742B1 (ko) 1998-12-28 2001-04-02 윤종용 입출력 센스앰프의 개수가 최소화된 메모리장치
US6680904B1 (en) 1999-12-27 2004-01-20 Orckit Communications Ltd. Bi-directional chaining of network access ports
US20050160218A1 (en) 2004-01-20 2005-07-21 Sun-Teck See Highly integrated mass storage device with an intelligent flash controller
US6442098B1 (en) 2000-02-08 2002-08-27 Alliance Semiconductor High performance multi-bank compact synchronous DRAM architecture
WO2001069411A2 (en) 2000-03-10 2001-09-20 Arc International Plc Memory interface and method of interfacing between functional entities
US6816933B1 (en) * 2000-05-17 2004-11-09 Silicon Laboratories, Inc. Serial device daisy chaining method and apparatus
US6535948B1 (en) 2000-05-31 2003-03-18 Agere Systems Inc. Serial interface unit
US6317350B1 (en) 2000-06-16 2001-11-13 Netlogic Microsystems, Inc. Hierarchical depth cascading of content addressable memory devices
US6754807B1 (en) 2000-08-31 2004-06-22 Stmicroelectronics, Inc. System and method for managing vertical dependencies in a digital signal processor
US6317352B1 (en) 2000-09-18 2001-11-13 Intel Corporation Apparatus for implementing a buffered daisy chain connection between a memory controller and memory modules
US6853557B1 (en) 2000-09-20 2005-02-08 Rambus, Inc. Multi-channel memory architecture
US6658509B1 (en) 2000-10-03 2003-12-02 Intel Corporation Multi-tier point-to-point ring memory interface
FR2816751A1 (fr) 2000-11-15 2002-05-17 St Microelectronics Sa Memoire flash effacable par page
US6718432B1 (en) 2001-03-22 2004-04-06 Netlogic Microsystems, Inc. Method and apparatus for transparent cascading of multiple content addressable memory devices
US6732221B2 (en) 2001-06-01 2004-05-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd Wear leveling of static areas in flash memory
US6996644B2 (en) * 2001-06-06 2006-02-07 Conexant Systems, Inc. Apparatus and methods for initializing integrated circuit addresses
KR100413762B1 (ko) 2001-07-02 2003-12-31 삼성전자주식회사 뱅크 수를 가변할 수 있는 반도체 장치 및 그 방법
US6795360B2 (en) * 2001-08-23 2004-09-21 Integrated Device Technology, Inc. Fifo memory devices that support all four combinations of DDR or SDR write modes with DDR or SDR read modes
US6928501B2 (en) * 2001-10-15 2005-08-09 Silicon Laboratories, Inc. Serial device daisy chaining method and apparatus
US6763426B1 (en) 2001-12-27 2004-07-13 Cypress Semiconductor Corporation Cascadable content addressable memory (CAM) device and architecture
JP4204226B2 (ja) 2001-12-28 2009-01-07 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 デバイス識別方法、データ伝送方法、デバイス識別子付与装置、並びにデバイス
US7073022B2 (en) 2002-05-23 2006-07-04 International Business Machines Corporation Serial interface for a data storage array
US7269745B2 (en) * 2002-06-06 2007-09-11 Sony Computer Entertainment Inc. Methods and apparatus for composing an identification number
US7062601B2 (en) 2002-06-28 2006-06-13 Mosaid Technologies Incorporated Method and apparatus for interconnecting content addressable memory devices
KR100499686B1 (ko) 2002-07-23 2005-07-07 주식회사 디지털웨이 메모리 확장 가능한 휴대용 플래쉬 메모리 장치
CA2396632A1 (en) 2002-07-31 2004-01-31 Mosaid Technologies Incorporated Cam diamond cascade architecture
KR100487539B1 (ko) 2002-09-02 2005-05-03 삼성전자주식회사 직렬 에이티에이 케이블과 연결되는 불휘발성 반도체메모리 장치
ITVA20020045A1 (it) * 2002-09-06 2004-03-07 St Microelectronics Srl Dispositivo di memoria accessibile con piu' protocolli di
US7032039B2 (en) 2002-10-30 2006-04-18 Atmel Corporation Method for identification of SPI compatible serial memory devices
DE60229649D1 (de) 2002-11-28 2008-12-11 St Microelectronics Srl Nichtflüchtige Speicheranordnungsarchitektur, zum Beispiel vom Flash-Typ mit einer seriellen Übertragungsschnittstelle
KR100493884B1 (ko) 2003-01-09 2005-06-10 삼성전자주식회사 시리얼 플래시 메모리에서의 현지 실행을 위한 제어 장치및 그 방법, 이를 이용한 플래시 메모리 칩
US20040199721A1 (en) 2003-03-12 2004-10-07 Power Data Communication Co., Ltd. Multi-transmission interface memory card
JP4156986B2 (ja) 2003-06-30 2008-09-24 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US6903574B2 (en) 2003-07-29 2005-06-07 Lattice Semiconductor Corporation Memory access via serial memory interface
KR100705221B1 (ko) 2004-09-03 2007-04-06 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. 플래쉬 메모리 소자 및 이를 이용한 플래쉬 메모리 셀의소거 방법
US6950325B1 (en) 2004-10-07 2005-09-27 Winbond Electronics Corporation Cascade-connected ROM

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133000A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Toshiba Corp メモリ混載ロジックlsi
JP2001092772A (ja) * 1999-07-16 2001-04-06 Texas Instr Inc <Ti> 同期固定レイテンシループを使用するデータバス
JP2003122625A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Fuji Xerox Co Ltd インターフェース回路
US20040148482A1 (en) * 2003-01-13 2004-07-29 Grundy Kevin P. Memory chain
JP2005122823A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Elpida Memory Inc 半導体装置および半導体チップ制御方法
WO2006017725A2 (en) * 2004-08-09 2006-02-16 Sandisk Corporation Ring bus structure and it's use in flash memory systems
JP2006195835A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JP2007157266A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Elpida Memory Inc 積層型半導体装置およびチップ選択回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090102809A (ko) 2009-09-30
KR20140009586A (ko) 2014-01-22
TW200834310A (en) 2008-08-16
TWI480734B (zh) 2015-04-11
JP5398540B2 (ja) 2014-01-29
KR101392555B1 (ko) 2014-05-08
CN101611454A (zh) 2009-12-23
JP2010514016A (ja) 2010-04-30
CA2671184C (en) 2016-08-16
EP2122626A4 (en) 2010-12-15
KR101468835B1 (ko) 2014-12-03
CA2671184A1 (en) 2008-06-26
US8984249B2 (en) 2015-03-17
EP2122626A1 (en) 2009-11-25
US20080155219A1 (en) 2008-06-26
WO2008074126A1 (en) 2008-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5398540B2 (ja) シリアル相互接続されたデバイスのためのid発生装置および方法
US8331361B2 (en) Apparatus and method for producing device identifiers for serially interconnected devices of mixed type
JP5118130B2 (ja) シリアルで相互接続されたデバイス用にデバイス識別子を確立するための装置および方法
US8335868B2 (en) Apparatus and method for establishing device identifiers for serially interconnected devices
US8549250B2 (en) Apparatus and method for producing IDs for interconnected devices of mixed type
JP5613799B2 (ja) 直列入力データを取り込む装置および方法
US8626958B2 (en) Apparatus and method for producing device identifiers for serially interconnected devices of mixed type
CN1504900B (zh) 自内存读取数据的控制电路及其方法
WO2008067650A1 (en) Apparatus and method for producing device identifiers for serially interconnected devices of mixed type

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140501

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140731

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20140926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141021

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150109

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150203

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20150209

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426

Effective date: 20150223

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20150304

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150519