JP2013192338A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013192338A JP2013192338A JP2012056077A JP2012056077A JP2013192338A JP 2013192338 A JP2013192338 A JP 2013192338A JP 2012056077 A JP2012056077 A JP 2012056077A JP 2012056077 A JP2012056077 A JP 2012056077A JP 2013192338 A JP2013192338 A JP 2013192338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- holding
- semiconductor device
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/625—Regulating voltage or current wherein it is irrelevant whether the variable actually regulated is ac or dc
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
- G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
- H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/00006—Changing the frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
- H02M3/075—Charge pumps of the Schenkel-type including a plurality of stages and two sets of clock signals, one set for the odd and one set for the even numbered stages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】一実施の形態の半導体装置は、第1の昇圧電圧Vcp1を生成する昇圧回路の出力電圧の上昇に応じて第2の昇圧電圧V1を上昇させ、出力電圧が保持電圧レベルに達した時点の第2の昇圧電圧V1をそれ以降保持する電圧保持回路14と、第1の昇圧電圧Vcp1が出力される第1の出力端子と、第2の昇圧電圧V1が出力される第2の出力端子と、を出力電圧が保持電圧レベルに達するまでの間短絡させる第1のスイッチSW1と、を有する。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。以下で説明する実施の形態は、半導体装置として1つの昇圧回路によって出力される出力電圧から複数の昇圧電圧を生成する電圧生成回路について説明する。
実施の形態2では、実施の形態1にかかる半導体装置1に関する技術を接地電圧よりも低い負の昇圧電圧を生成する負昇圧回路に適用した実施例について説明する。
実施の形態3では、実施の形態1にかかる半導体装置1に関する技術により生成する昇圧電圧の種類を増加させる実施例について説明する。そこで、図15に実施の形態3にかかる半導体装置3のブロック図を示す。なお、実施の形態3にかかる半導体装置3において、実施の形態1にかかる半導体装置1と同じ構成要素については実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
実施の形態4では、実施の形態3にかかる半導体装置3の電圧検知回路52の別の形態について説明する。図20に、実施の形態4にかかる電圧検知回路521のブロック図を示す。図20に示した電圧検知回路521は、1つのコンパレータCMP521と検出電圧制御回路53とを用いて昇圧回路10の出力電圧が2つの保持電圧レベルを上回ったことを検出する。
実施の形態5では、実施の形態1にかかる電圧保持回路14の別の形態について説明する。図23に実施の形態5にかかる電圧レベル変換回路141の回路図を示す。電圧保持回路141は、実施の形態1で説明した電圧保持回路14の変形例の第1の例である。
実施の形態6では、実施の形態2にかかる電圧保持回路34の別の形態について説明する。図26に実施の形態6にかかる電圧レベル変換回路341の回路図を示す。電圧保持回路341は、実施の形態2で説明した電圧保持回路34の変形例の第1の例である。
実施の形態7では、実施の形態5にかかる電圧保持回路142の変形例について説明する。実施の形態7にかかる電圧保持回路143の回路図を図29に示す。図29に示す電圧保持回路143は、実施の形態1にかかる電圧保持回路14の変形例でもある。
実施の形態8にかかる半導体装置4のブロック図を図31に示す。図31に示すように、実施の形態8にかかる半導体装置4は、実施の形態1にかかる半導体装置1の別の形態を示すものである。実施の形態8にかかる半導体装置4は、第2の昇圧電圧V1のオーバーシュート量を低減するための構成を有する。なお、実施の形態8の説明において実施の形態1と同じ構成要素については、実施の形態1と同じ符号を用いて説明を省略する。
実施の形態9においても第2の昇圧電圧のオーバーシュートを防止するための構成を有する半導体装置について説明する。つまり、実施の形態9にかかる半導体装置5は、実施の形態8にかかる半導体装置4の別の形態を示すものである。なお、実施の形態9にかかる説明においては以前の実施の形態において説明した構成要素については、以前の実施の形態と同じ符号を付して説明を省略する。
実施の形態10では、上記実施の形態で説明した昇圧電圧を利用する不揮発性メモリセルを有する半導体装置6について説明する。図36に実施の形態10にかかる半導体装置6のブロック図を示す。
10、30 昇圧回路
11、31、51 制御回路
12、32、52、521、522 電圧検知回路
13、13a、13b、33 電圧レベル変換回路
14、14a、14b、34 電圧保持回路
141〜143、341、342 電圧保持回路
20 逆流防止回路
21〜2n 昇圧段回路
41〜4n 昇圧段回路
53、54 検出電圧制御回路
60 電流制御回路
61 制御論理回路
62 制御電圧生成回路
70、80 制御回路
71、81 電圧検知回路
72 発振回路
73、83 周波数制御回路
82 遅延回路
90 CPU
91 メモリ制御回路
92 Yデコーダ回路
93 Xデコーダ回路
94 メモリセルアレイ
95 センスラッチ
96 電源回路
97 電圧分配回路
SW1、SW1a、SW1b、SW3 第1のスイッチ
SW2、SW4 第2のスイッチ
SW11〜SW14 スイッチ
C21、C41 昇圧コンデンサ
Tr21、Tr41 トランジスタ
CV1、CV2 電圧保持コンデンサ
CMP12、CMP32、CMP52a、CMP52b、CMP521 比較器
BUF1、BUF2 バッファ回路
S11、S11a、S11b、S31 電圧検出信号
S11d 遅延電圧検出信号
S12、S12a、S12b、S32 切替信号
S71 周波数切替信号
S81 クロック切替信号
Claims (13)
- 入力電圧を昇圧して第1の昇圧電圧を生成する昇圧回路と、
前記第1の昇圧電圧よりも絶対値が小さい第2の昇圧電圧を保持する電圧保持回路と、
前記第1の昇圧電圧が出力される第1の出力端子と、
前記第2の昇圧電圧が出力される第2の出力端子と、
前記第1、第2の出力端子の間に設けられる第1のスイッチと、
前記昇圧回路の出力電圧が前記電圧保持回路に対して設定された保持電圧レベルに達したことに応じて前記第1のスイッチを閉状態から開状態に切り替える切替信号を生成する制御回路と、を有し、
前記電圧保持回路は、
前記切替信号が前記第1のスイッチを閉状態とすることを指示する期間は前記昇圧回路の前記出力電圧に応じて出力する前記第2の昇圧電圧の電圧値を上昇させ、
前記切替信号が前記第1のスイッチを開状態とすることを指示する期間は前記切替信号の値が切り替わった時点における前記第2の昇圧電圧の電圧値を維持する半導体装置。 - 前記電圧保持回路は、
前記切替信号に応じて前記出力電圧が前記保持電圧レベルよりも高い期間に開状態に制御される第2のスイッチと、
一端が前記第2のスイッチを介して前記出力電圧が生成される昇圧ノードに接続され、他端が所定の電圧が供給されるバイアス端子に接続される電圧保持コンデンサと、
を有する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2のスイッチと前記電圧保持コンデンサとを接続する電圧保持ノードの電圧に基づき前記第2の昇圧電圧を出力するバッファ回路をさらに有する請求項2に記載の半導体装置。
- 前記バッファ回路は、前記電圧保持ノードの電圧に基づき前記第2の昇圧電圧を出力するソースフォロワ回路である請求項3に記載の半導体装置。
- 前記電圧保持回路は、
前記ソースフォロワ回路において前記電圧保持ノードの電圧が制御端子に入力される第1のトランジスタと同一の導電型のトランジスタであって、ダイオード接続される第2のトランジスタを有し、
前記第2のスイッチは、前記第2のトランジスタを介して前記昇圧ノードに接続される請求項4に記載の半導体装置。 - 前記ソースフォロワ回路は、
前記電圧保持ノードの電圧が制御端子に入力される第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの動作電流を生成する電流制御回路と、を有し、
前記電流制御回路は、予め設定された値に応じて出力する電流量が制御される請求項4に記載の半導体装置。 - 前記制御回路は、
電源電圧と接地電圧とに基づき動作し、前記出力電圧が前記保持電圧レベルを超えたことを検出して電圧検出信号を出力する電圧検出回路と、
前記電圧検出信号の振幅の最大値を前記出力電圧に応じた電圧に変換する電圧レベル変換回路と、を有する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電圧保持回路は、複数の前記電圧保持回路を含み、
前記第1のスイッチは、複数の前記電圧保持回路に対応した複数の前記第1のスイッチを含み、
前記制御回路は、
前記出力電圧が複数の前記電圧保持回路のそれぞれに対して設定された複数の前記保持電圧レベルに達する毎に、検出した出力電圧の電圧値に対応した前記保持電圧レベルが設定される前記第1のスイッチと前記電圧保持回路との組みに前記切替信号を出力する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記制御回路は、
前記出力電圧が生成される昇圧ノードと所定の電圧が供給されるバイアス端子との間に直列に接続された第1、第2の抵抗と、
前記第1、第2の抵抗と直列に接続され、並列に接続される複数の抵抗を含む第3の抵抗と、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続ノードに生成される検出対象電圧と予め設定された基準電圧とを比較する比較器と、
前記比較器の出力がイネーブル状態となったことに応じて複数の前記切替信号のいずれかをイネーブル状態とする検出電圧制御回路と、を有し、
前記検出電圧制御回路は、複数の前記切替信号のいずれかをイネーブル状態とともに前記第3の抵抗に含まれる複数の抵抗のうち短絡状態とされる抵抗を切り替える請求項8に記載の半導体装置。 - 前記昇圧回路の動作クロックを生成する発振回路と、
前記動作クロックの周波数を切り替える周波数制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記出力電圧が、前記保持電圧レベルよりも絶対値が小さな周波数切替電圧レベルに達したことに応じて、所定の期間、前記周波数制御回路に前記動作クロックの周波数を低くすることを指示する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記昇圧回路の動作クロックを生成する発振回路と、
前記昇圧回路に対する前記動作クロックの供給状態を制御する周波数制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記出力電圧が前記保持電圧レベルに達したことに応じて、所定の期間前記周波数制御回路に前記動作クロックの供給と前記動作クロックの停止とを所定の間隔で切り替える指示を行う請求項1に記載の半導体装置。 - 少なくとも前記第1の昇圧電圧と前記第2の昇圧電圧とを制御電圧として利用するメモリセルアレイを備える請求項1に記載の半導体装置。
- 前記昇圧回路は、接地電圧よりも低い負の昇圧電圧を生成する負昇圧回路である請求項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012056077A JP5890207B2 (ja) | 2012-03-13 | 2012-03-13 | 半導体装置 |
US13/751,326 US9201439B2 (en) | 2012-03-13 | 2013-01-28 | Semiconductor device |
CN201310076866.6A CN103310845B (zh) | 2012-03-13 | 2013-03-12 | 半导体器件 |
US14/918,905 US9614439B2 (en) | 2012-03-13 | 2015-10-21 | Semiconductor device |
US15/435,873 US10192594B2 (en) | 2012-03-13 | 2017-02-17 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012056077A JP5890207B2 (ja) | 2012-03-13 | 2012-03-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013192338A true JP2013192338A (ja) | 2013-09-26 |
JP5890207B2 JP5890207B2 (ja) | 2016-03-22 |
Family
ID=49135967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012056077A Active JP5890207B2 (ja) | 2012-03-13 | 2012-03-13 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9201439B2 (ja) |
JP (1) | JP5890207B2 (ja) |
CN (1) | CN103310845B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102166913B1 (ko) * | 2014-01-03 | 2020-10-16 | 삼성전자주식회사 | 셀프 바이어스 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
CN104615183B (zh) * | 2014-12-30 | 2016-06-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 操作电压的控制电路及其存储器 |
KR20160139495A (ko) * | 2015-05-27 | 2016-12-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 초기화 동작을 수행하는 반도체장치 및 반도체시스템 |
KR20160148788A (ko) * | 2015-06-16 | 2016-12-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
JP6533135B2 (ja) * | 2015-09-16 | 2019-06-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
KR20170034578A (ko) * | 2015-09-21 | 2017-03-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 레귤레이터, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
US10236875B2 (en) * | 2016-04-15 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for operating the semiconductor device |
JP6756590B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2020-09-16 | エイブリック株式会社 | 昇圧回路及びそれを備えた不揮発性メモリ |
CN108346440B (zh) * | 2017-01-25 | 2020-11-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 偏压产生电路以及存储器的控制电路 |
WO2018158650A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の駆動方法 |
DE112018002796T5 (de) | 2017-05-31 | 2020-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vergleichsschaltung, Halbleitervorrichtung, elektronische Komponente und elektronisches Gerät |
CN109285572B (zh) * | 2017-07-21 | 2021-06-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种负升压电路、半导体器件及电子装置 |
US10523194B2 (en) * | 2017-09-27 | 2019-12-31 | Apple Inc. | Low leakage power switch |
US10630290B2 (en) * | 2017-09-27 | 2020-04-21 | Apple Inc. | Low leakage power switch |
CN108399930A (zh) * | 2018-02-12 | 2018-08-14 | 宁波宇喆电子科技有限公司 | 一种低功耗编程高电压产生电路 |
CN110956985A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-04-03 | 合肥格易集成电路有限公司 | 一种存储器控制电路、方法及非易失存储器 |
US10566892B1 (en) | 2019-02-06 | 2020-02-18 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Power stage overdrive extender for area optimization and operation at low supply voltage |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338493A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2005190533A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
JP2007189775A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Renesas Technology Corp | スイッチング電源装置 |
JP2008269727A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 昇圧回路、半導体記憶装置およびその駆動方法 |
JP2009301087A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Micron Technology Inc | 電圧調整系 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5197033A (en) * | 1986-07-18 | 1993-03-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions |
US5420798A (en) * | 1993-09-30 | 1995-05-30 | Macronix International Co., Ltd. | Supply voltage detection circuit |
JP3705842B2 (ja) * | 1994-08-04 | 2005-10-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP3935592B2 (ja) | 1997-08-27 | 2007-06-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 内部電位発生回路 |
KR100271840B1 (ko) | 1997-08-27 | 2000-11-15 | 다니구찌 이찌로오 | 회로 면적의 증대를 억제하면서 복수의 전위를 출력할 수 있는내부 전위 발생 회로 |
JP2002026254A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路および不揮発性メモリ |
US7362084B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-04-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | Fast voltage regulators for charge pumps |
US7265605B1 (en) * | 2005-10-18 | 2007-09-04 | Xilinx, Inc. | Supply regulator for memory cells with suspend mode capability for low power applications |
CN100536029C (zh) * | 2006-07-14 | 2009-09-02 | 威刚科技股份有限公司 | 非挥发性储存装置及其控制方法 |
JP4365873B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2009-11-18 | 株式会社東芝 | 電圧供給回路および半導体記憶装置 |
JP2010244671A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-28 | Toshiba Corp | 内部電源電圧発生回路 |
KR20130090632A (ko) * | 2012-02-06 | 2013-08-14 | 삼성전자주식회사 | 내부 전압 발생 회로, 이를 포함하는 반도체 메모리 장치, 및 내부 전압 발생 방법 |
-
2012
- 2012-03-13 JP JP2012056077A patent/JP5890207B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-28 US US13/751,326 patent/US9201439B2/en active Active
- 2013-03-12 CN CN201310076866.6A patent/CN103310845B/zh active Active
-
2015
- 2015-10-21 US US14/918,905 patent/US9614439B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-17 US US15/435,873 patent/US10192594B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338493A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2005190533A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
JP2007189775A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Renesas Technology Corp | スイッチング電源装置 |
JP2008269727A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 昇圧回路、半導体記憶装置およびその駆動方法 |
JP2009301087A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Micron Technology Inc | 電圧調整系 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9614439B2 (en) | 2017-04-04 |
US9201439B2 (en) | 2015-12-01 |
JP5890207B2 (ja) | 2016-03-22 |
US10192594B2 (en) | 2019-01-29 |
US20130241515A1 (en) | 2013-09-19 |
US20160043639A1 (en) | 2016-02-11 |
US20170162239A1 (en) | 2017-06-08 |
CN103310845A (zh) | 2013-09-18 |
CN103310845B (zh) | 2017-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5890207B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4749076B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10079066B2 (en) | Booster circuit capable of reducing noise in an output voltage generated thereby | |
CN107230487B (zh) | 半导体装置及其输出电路 | |
JP5342324B2 (ja) | 昇圧回路 | |
TWI737290B (zh) | 電壓產生電路以及半導體裝置 | |
US20170076800A1 (en) | Voltage generating circuit and semiconductor memory device | |
JP4989927B2 (ja) | 負電位放電回路 | |
JP6781750B2 (ja) | レギュレータ回路および半導体記憶装置 | |
US20110032783A1 (en) | Semiconductor storage apparatus, and method and system for boosting word lines | |
US8879338B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and nonvolatile semiconductor storage device | |
KR20100054484A (ko) | 고전압 발생기 | |
KR20080101168A (ko) | 반도체 소자의 전압 스위치 회로 | |
KR20100028193A (ko) | 고전압 스위치 회로 및 이를 구비한 불휘발성 메모리 소자 | |
JP5976077B2 (ja) | 内部電源電圧発生回路、半導体記憶装置及び半導体装置 | |
US11062760B1 (en) | Memory device including data input/output circuit | |
JP5255609B2 (ja) | 電圧制御回路および電圧制御方法 | |
JP2013219879A (ja) | 昇圧回路 | |
JP4698592B2 (ja) | 電圧制御回路および半導体装置 | |
JP5702175B2 (ja) | メモリ装置 | |
JP5315087B2 (ja) | 昇圧回路 | |
KR100861192B1 (ko) | 외부전원전압에 따른 순차적 제어가 가능한 내부전원전압발생장치 | |
KR20080095596A (ko) | 고전압 발생기 | |
KR20100088924A (ko) | 불휘발성 메모리 장치 | |
KR20070055921A (ko) | 전압레벨 검출회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5890207 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |