JP5702175B2 - メモリ装置 - Google Patents
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Description
2 メモリ部
3 電流比較回路
9 チャージポンプ
10 メモリセルマトリックス
Claims (5)
- 不揮発性のFET(電界効果トランジスタ)型メモリセルに記憶されたデータに対応して読出し電流を出力するメモリ部と、基準電流を発生する基準電流発生部と、前記読出し電流と前記基準電流とを大小比較してその比較結果を出力する電流比較部と、を備えるメモリ装置であって、
前記メモリ部は電源電圧を昇圧して昇圧電圧を発生する昇圧手段を有し、前記データの読出し時に前記昇圧電圧を前記メモリセルのゲート電圧として印加して前記読出し電流を出力し、
前記基準電流発生部は、前記昇圧電圧に応じた電圧が一方の入力端子に印加される差動増幅器と、前記差動増幅器の出力電圧に応じた電圧を前記差動増幅器の他方の入力端子に印加する帰還手段と、前記差動増幅器の出力電圧に応じて前記基準電流を生成する電流出力手段と、一端が前記昇圧手段の出力に接続され他端が接地されて前記昇圧電圧を分圧して分圧電圧を生成する分圧回路と、を有し、前記分圧電圧が前記差動増幅器の前記一方の入力端子に印加されることを特徴とするメモリ装置。 - 前記帰還手段は、前記差動増幅器の出力電圧がゲートに印加される第1のPチャンネルFETと、前記第1のPチャンネルFETのドレインに一端が接続された抵抗と、を有し、前記第1のPチャンネルFETのソースに前記電源電圧が印加され、前記抵抗の他端が接地され、前記第1のPチャンネルFETのドレインの電圧が前記差動増幅器の出力電圧に応じた電圧として前記差動増幅器の他方の入力端子に印加され、
前記電流出力手段は、前記差動増幅器の出力電圧がゲートに印加される第2のPチャンネルFETを有し、前記第2のPチャンネルFETのソースに前記電源電圧が印加され、前記第2のPチャンネルFETのドレインから前記基準電流が出力されることを特徴とする請求項1記載のメモリ装置。 - 前記メモリセルは、前記メモリ部にマトリックス状に配列された複数のメモリセルのうちのいずれか1のメモリセルであり、前記メモリ部はコントローラからの指令に応じて前記1のメモリセルを選択して、その選択したメモリセルからの前記読出し電流を出力することを特徴とする請求項1記載のメモリ装置。
- 前記基準電流発生部は、前記昇圧電圧を分圧して分圧電圧を生成する分圧回路を有し、前記分圧電圧が前記差動増幅器の前記一方の入力端子に印加されることを特徴とする請求項1又は2記載のメモリ装置。
- 前記昇圧手段はチャージポンプからなることを特徴とする請求項1記載のメモリ装置。
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