JP2013191820A - 積層セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、上記セラミック素体の中間部に位置した誘電体層上に形成され、上記セラミック素体の上下方向に沿って上記セラミック素体の両端面を通じて交互に露出した複数の第1及び第2内部電極と、上記セラミック素体の上下部に位置した誘電体層上にそれぞれ形成された複数のダミー電極と、上記セラミック素体の両端面に形成され、上記第1及び第2内部電極の露出した部分とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2外部電極と、を含み、上記ダミー電極の長さは、上記第1及び第2外部電極が上記セラミック素体を覆う長さより長く形成された積層セラミック電子部品を提供する。
【選択図】図3

Description

本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
セラミック材料を用いる電子部品としてキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ及びサーミスタ等がある。
上記セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタ(MLCC、Multi−Layered Ceramic Capacitor)は、小型でありながら、高容量が保障され、実装が容易であるという長所を有する電子部品である。
このような積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置(LCD、Liquid Crystal Display)及びプラズマ表示装置パネル(PDP、Plasma Display Panel)等の映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末機(PDA、Personal Digital Assistants)及び携帯電話等の多様な電子製品の回路基板に装着されて電気を充填または放電させる重要な役割をするチップ形態のコンデンサである。
最近、映像機器の大型化またはコンピュータの中央処理装置(CPU、Central Processing Unit)の速度上昇等のような理由によって電子機器の発熱が深化している。
従って、上記積層セラミックキャパシタには、電子機器に設置された集積回路(IC、Integrated Circuit)の安定的な動作のため、高い温度においても安定した容量及び信頼性の確保が求められている。
このような積層セラミックキャパシタは、セラミック積層体の両端面に伝導性物質を塗布して外部電極を形成する。
この際、上記外部電極は、上記積層体のコーナー部分に形成された厚さが積層体の中央部に形成された厚さに比べて薄く形成される。
従って、上記積層体のコーナー部分を通じて湿気、イオン及び導電性異物等が内部電極の露出した面に浸透して積層セラミック電子部品の絶縁抵抗の劣化及び信頼性の低下等の問題をもたらす可能性がある。
このような問題点を防止するため、積層セラミックキャパシタの内部電極は、誘電体層の周りに沿って所定のマージン部が備えた構造に印刷されるが、これによって、マージン部と内部電極が形成された領域との間の段差が発生するようになる。
よって、製造過程において、内部電極が印刷された複数のシートを積層してから同一圧力で圧搾する際、段差があるマージン部を収縮するのに限界があることから、このような段差によって、積層された誘電体層のうち一部が剥離されるデラミネーション(delamination)が発生するおそれがある。
従って、上記デラミネーションを通じて、上述した湿気、イオン及び導電性異物等が内部電極の露出した面に浸透するという現象が深化することがあり、このような問題は、特にシートの積層数が多い超高容量の製品からさらに深化する可能性がある。
先行技術文献1は、ダミー電極が第1及び第2内部電極の間に配置されると共に、ダミー電極がセラミック素体の上下部に形成された構造は開示していない。
韓国公開特許第10−2011−0027321号公報
当該技術分野では、積層セラミック電子部品のデラミネーションを抑制したり、デラミネーションが発生してもチップの信頼性に影響を及ぼさない方に発生するようにすることで、めっき及び駆動環境で内部電極が露出した面に湿気、イオン及び導電性異物等が浸透することを最小限にすることができる新たな方案が求められてきた。
本発明の一側面は、複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、上記セラミック素体の中間部に位置した誘電体層上に形成され、上記セラミック素体の上下方向に沿って上記セラミック素体の両端面を通じて交互に露出した複数の第1及び第2内部電極と、上記セラミック素体の上下部に位置した誘電体層上にそれぞれ形成された複数のダミー電極と、上記セラミック素体の両端面に形成され、上記第1及び第2内部電極の露出した部分とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2外部電極と、を含み、上記ダミー電極の長さは、上記第1及び第2外部電極が上記セラミック素体を覆う長さより長く形成された積層セラミック電子部品を提供する。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極は、一つの誘電体層上に離隔された状態で形成され、上記第1及び第2外部電極にそれぞれ接続される第1及び第2ダミー電極からなることができる。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2ダミー電極の長さは、それぞれ上記セラミック素体の長さの1/2より小さい長さに形成されることができる。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2ダミー電極は、同一長さに形成されることができる。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2ダミー電極は、異なる長さに形成されることができる。
本発明の一実施例において、上記第1及び第2ダミー電極の離隔間隔は、上記セラミック素体の長さの0.5〜1.5%であることができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極は、上記第1及び第2外部電極のうち一つに接続される第1ダミー電極と、上記第1及び第2外部電極のうち上記第1ダミー電極が接続されたものと他の外部電極に接続される第2ダミー電極と、を含み、上記第1及び第2ダミー電極は、上記セラミック素体の最外郭面に形成された内部電極と同一方向に露出したダミー電極が上記セラミック素体の上下部にそれぞれ形成されることができる。
本発明の一実施例において、上記セラミック素体は、上下部に誘電体カバー層をさらに含むことができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極は、上記セラミック素体の端面を通じて露出した部分のコーナー部が斜めに形成されることができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極は、上記セラミック素体の内側に位置した部分のコーナー部が斜めに形成されることができる。
本発明の他の側面は、複数の第1セラミックシート上に上記第1セラミックシートの一端面を通じて露出するように第1内部電極膜をそれぞれ形成する段階と、複数の第2セラミックシート上に上記第2セラミックシートの他端面を通じて露出するように第2内部電極膜をそれぞれ形成する段階と、複数の第3セラミックシート上に複数のダミー電極膜を形成する段階と、上記第3セラミックシートを複数個積層し、その上に上記第1セラミックシートと上記第2セラミックシートとを交互に複数個積層し、その上に上記第3セラミックシートをさらに複数個積層して積層体を形成する段階と、上記積層体を焼成する段階と、上記積層体の両端面に上記第1及び第2内部電極膜の露出した部分を覆うように第1及び第2外部電極を形成する段階と、を含み、上記ダミー電極膜の長さは、上記第1及び第2外部電極が上記積層体を覆う長さより長く形成する積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜を形成する段階は、一つの上記第3セラミックシート上に離隔された状態で両端面を通じてそれぞれ露出するように第1及び第2ダミー電極膜を形成して行われることができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜を形成する段階は、上記第1及び第2ダミー電極膜の長さをそれぞれ上記第3セラミックシートの長さの1/2より小さい長さに形成して行われることができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜を形成する段階は、上記第1及び第2ダミー電極膜を上記第3セラミックシートの中央を基準に対称型になるように同一長さに形成することができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜を形成する段階は、上記第1及び第2ダミー電極膜を上記第3セラミックシート上に異なる長さになるように形成することができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜を形成する段階は、上記第1及び第2ダミー電極膜の離隔間隔が上記第3セラミックシートの長さの0.5〜1.5%になるようにすることができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜は、上記第1及び第2外部電極のうち一つに接続される第1ダミー電極膜と、上記第1及び第2外部電極のうち上記第1ダミー電極が接続されたものと他の外部電極に接続される第2ダミー電極膜と、を含み、上記第1及び第2ダミー電極膜は、上記セラミック素体の最外郭面に形成された内部電極と同一方向に露出したダミー電極膜を上記セラミック素体の上下部にそれぞれ形成することができる。
本発明の一実施例において、上記積層体を焼成する段階の前に、上記積層体の上下部に誘電体カバー層をさらに形成することができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜を形成する段階は、上記ダミー電極膜が上記第3セラミックシートの端面を通じて露出した部分のコーナー部を斜めに形成することができる。
本発明の一実施例において、上記ダミー電極膜を形成する段階は、上記ダミー電極膜が上記第3セラミックシートの内側に位置した部分のコーナー部を斜めに形成することができる。
本発明の一実施例によると、セラミック素体の上下部にダミー電極を形成して段差を改善することで、デラミネーションを抑制したり、デラミネーションが発生してもダミー電極で発生するようにすることで、めっき及び駆動環境においてセラミック素体のコーナー部分を通じて湿気、イオン及び導電性異物等が内部電極の露出した面に浸透することを最小限にすると共に、積層セラミック電子部品の絶縁抵抗の劣化及び信頼性の低下を防止することができるという効果がある。
本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタの構造を示す概略斜視図である。 図1のA−A’線に沿った断面図である。 図2の積層セラミックキャパシタの誘電体層、第1内部電極、第2内部電極、ダミー電極及び上下誘電体カバー層を示す分解斜視図である。 図3の結合構造を示す斜視図である。 図3の第1ダミー電極が形成された誘電体層を示す斜視図である。 図4のコーナー部を示す顕微鏡による写真である。 本発明の他の実施例による積層セラミックキャパシタの誘電体層、第1内部電極、第2内部電極、ダミー電極及び上下誘電体カバー層を示す分解斜視図である。 図7の結合構造を示す斜視図である。 図7の第1ダミー電極が形成された誘電体層を示す斜視図である。 本発明のさらに他の実施例によるダミー電極を示す斜視図である。 本発明のさらに他の実施例によるダミー電極を示す斜視図である。
以下では、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明を容易に行えるようにするため、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例について以下の通り説明する。
しかしながら、本発明の実施例は、他の多様な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施例に限定されるものではない。
また、本発明の実施例は、当該技術分野における平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
従って、図面上における要素の形状及びサイズ等は、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ符号で示される要素は同一要素である。
また、類似した機能及び作用をする部分に対しては、図面全体にわたって同一符号を用いる。
なお、明細書全体において、ある構成要素を「含む」とは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
本発明はセラミック電子部品に関するもので、本発明の一実施例によるセラミック電子部品は、積層セラミックキャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、チップ抵抗及びサーミスタ等があり、以下では、セラミック電子製品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明する。
また、本実施例においては、説明の便宜のためにセラミック素体の外部電極が形成された面を左右両端面に設定し、これと垂直に交差される面を左右側面に設定して説明する。
図1から図5を参照すると、本実施例による積層セラミックキャパシタ100は、複数の誘電体層が積層されたセラミック素体110と、セラミック素体110の中間部に位置した誘電体層111上に形成され、セラミック素体110の上下方向に沿ってセラミック素体110の両端面を通じて交互に露出する複数の第1及び第2内部電極131、132と、セラミック素体110の上下部に位置した誘電体層114、115上に形成される複数のダミー電極133、134と、を含む。
また、セラミック素体110の両端面には第1及び第2内部電極131、132の露出した部分とそれぞれ接続して電気的に連結されるように第1及び第2外部電極121、122が形成される。
この際、ダミー電極133、134は、第1及び第2外部電極121、122がセラミック素体110を覆う長さより長くなるように形成される。
本実施例において、ダミー電極133、134は、一つの誘電体層111上に離隔された状態で形成され、第1及び第2外部電極121、122にそれぞれ接続されるようにセラミック素体110の両端面の一端面を通じて交互に露出する第1ダミー電極133a、134aと、第2ダミー電極133b、134bと、を含むことができる。
このようなダミー電極133、134は、セラミック素体110の段差を減らしてデラミネーションの発生を抑制したり、デラミネーションが発生しても第1及び第2内部電極131、132ではなくダミー電極133、134で発生するようにすることで、製品の信頼性を向上させることができる。
この際、ダミー電極133、134は、第1及び第2内部電極131、132間の段差発生を最小限にするために最大限に大きく形成されることが好ましく、その幅は、誘電体層114、115の幅に対して少なくとも50%以上の幅を有するように形成されることができる。
また、第1ダミー電極133a、134a及び第2ダミー電極133b、134bの長さは、それぞれセラミック素体110の長さaの1/2より小さい長さを有するように形成されることができる。
従って、本実施例の場合、第1ダミー電極133a、134aと第2ダミー電極133b、134bとの間には、全体セラミック素体の長さaの0.5〜1.5%に設定された離隔間隔bが存在するが、この離隔間隔bは、電極の形成の際に印刷にじみ等を防止するための用途として活用されることができる。
また、本実施例においては、第1ダミー電極133a、134a及び第2ダミー電極133b、134bを同一長さに形成して左右対称構造に構成したが、本発明がこれに限定されるものではない。
即ち、ダミー電極133、134は、必要の際には、第1ダミー電極133a、134a及び第2ダミー電極133b、134bの長さを異なるようにして非対称構造に構成する等、多様に変形することができる。
また、ダミー電極133、134は、あまりにも多くの数をセラミック素体110の上下に積層すると、チップのサイズが大きくなりすぎるという問題点がある。
従って、ダミー電極133、134を有する誘電体層114、115は、段差発生を抑制することができる範囲内で、例えば、第1及び第2内部電極131、132が形成された誘電体層111の厚さに対して10から20%程度の厚さに形成されることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
また、ダミー電極133、134を有する誘電体層114、115は、上下積層される数を同一にすることができるが、本発明はこれに限定されず、必要の際には、ダミー電極133、134を有する誘電体層114、115の上下積層される数が異なるようにして構成することができる。
なお、セラミック素体110の最外郭面、即ち、図面上の上下面には誘電体カバー層112、113を形成することができる。
この際、誘電体カバー層112は、必要の際には、2個以上を上下方向に積層して形成されることができる。
セラミック素体110は、複数の誘電体層111を積層して形成されることができる。
この際、セラミック素体110を構成する複数の誘電体層111は、焼結された状態で、隣接する誘電体層111間の境界が確認できないほど一体化されていることができる。
また、セラミック素体110は、その形状に特に制限されないが、一般的に直方体であることができる。
なお、セラミック素体110は、その寸法に特に制限されないが、例えば、0.6mm×0.3mm等のサイズに構成して1.0μF以上の高容量を有する積層セラミックキャパシタ100を構成することができる。
このようなセラミック素体110を構成する誘電体層111、114、115は、セラミック粉末、例えば、BaTiO系セラミック粉末等を含むことができる。
BaTiO系セラミック粉末は、BaTiOにCaまたはZr等が一部固溶された(Ba1−xCa)TiO、Ba(Ti1−yCa)O、(Ba1−xCa)(Ti1−yZr)OまたはBa(Ti1−yZr)O等であることができるが、これに限定されるものではない。
セラミック粉末の平均粒径は0.8μm以下であることができ、より好ましくは、0.05から0.5μmであることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
誘電体層111は、必要の際には、セラミック粉末と共に、遷移金属酸化物や炭化物、希土類元素またはMg、Alのうち少なくとも一つをさらに含むことができる。
また、誘電体層111の厚さは、積層セラミックキャパシタ100の容量設計によって任意に変形されることができる。
本実施例において、誘電体層111の厚さは、それぞれ1.0μm以下で構成されることができ、好ましくは、0.01から1.0μmであるが、本発明がこれに限定されるものではない。
第1及び第2内部電極131、132及びダミー電極133、134は、導電性金属を含む導電性ペーストによって形成されることができる。
この際、導電性金属は、Ni、Cu、Pdまたはこれらの合金であることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
このような第1及び第2内部電極131、132及びダミー電極133、134は、誘電体層111、114、115を形成するセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法またはグラビア印刷法のような印刷方法を通じて導電性ペーストで内部電極膜を印刷し、その内部電極膜が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成してセラミック素体110に形成することができる。
この際、第1及び第2内部電極131、132が重畳される領域によって静電容量を形成するようになる。
また、第1及び第2内部電極131、132の厚さは、用途に応じて決定されることができる。例えば、セラミック素体110のサイズを考慮して0.2から1.0μmの範囲内にあるように決定することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
上のように構成された本実施例の積層セラミックキャパシタ100の作用について説明する。
誘電体層111は、第1及び第2内部電極131、132の間に所定のマージン部を有する。
このようなマージン部は、それぞれの誘電体層111を積層してセラミック素体110を形成した後、第1及び第2内部電極131、132に異物が浸透することを防止する役割をすると共に、第1及び第2内部電極131、132を外部衝撃から保護して電気的短絡を防止する役割等をすることができる。
この際、第1及び第2内部電極131、132とマージン部との間の段差によって、印刷シートを積層してから圧搾すると、セラミック素体100のコーナー部分でデラミネーションが発生してその部分を通じて湿気、イオン及び導電性異物が第1及び第2内部電極131、132の露出した部分に浸透して絶縁抵抗の劣化及び信頼性の低下等の問題点が発生する可能性がある。
この際、全ての誘電体層111に第1及び第2内部電極131、132を形成すると、マージン部の幅が大きくなってこのような問題を改善することができる。
しかしながら、セラミック素体110のコーナー部分に対する段差の影響が大きくなり、圧搾段階で段差部への物質移動が足りなくなってマージン部の密度が低下することから、クラックが発生する可能性がある。
また、空いている段差部を覆うために内部電極が増えることで、内部電極の途切れが深化して信頼性が低下するおそれがある。
しかしながら、本実施例の積層セラミックキャパシタ100は、セラミック素体110の上下部に位置した誘電体層114、115上に形成された電極をダミー電極133、134として形成し、セラミック素体110のコーナー部分にマージン部を有するようにする。よって、実際に電気的接続の役割をする第1及び第2内部電極131、132は、異物の主な浸透経路となるこのようなコーナー部分から一定の間隔だけ離隔された位置に形成されるようにすると共に、デラミネーションが発生したとしてもダミー電極133、134で発生するようにして異物が第1及び第2内部電極に浸透することを防止することで、製品の信頼性を向上させることができる。
従って、このような構造によって電極の連結性を維持しながら、マージンが狭くてカバーが薄い超高容量の機種に対し、外部電極の塗布厚さが薄いコーナー部分への伝導性異物の浸透率を減らして信頼性を向上させることができる。
図7から図11は、本発明の他の実施例による積層セラミックキャパシタを示したものである。
ここで、セラミック素体110’の両端面に第1及び第2外部電極が形成される構造は、前述した一実施例と同一であるため、重複を避けるために具体的な説明は省略し、セラミック素体110’をなす構成要素のみを示した後、これを基礎として具体的に説明する。
図7から図9を参照すると、セラミック素体110’は、複数の誘電体層111、114、115が上下方向に沿って積層形成される。
このうち中間部に位置した誘電体層111上に第1及び第2内部電極131、132がセラミック素体110’の両端面を通じて交互に露出するように形成され、上下部に位置した誘電体層114、115上に第1及び第2ダミー電極135、136がそれぞれ形成されることができる。
この際、第1及び第2ダミー電極135、136は、セラミック素体110’の上下方向に沿って最外郭面に形成された内部電極の露出した端面と同一の端面を通じてのみ露出するように形成される。
例えば、本実施例において、セラミック素体110’の上部誘電体層114上に形成された第1ダミー電極135は、セラミック素体110’の最上面に形成された第1内部電極131が露出した左側端面を通じてのみ露出するように形成され、セラミック素体110’の下部誘電体層115上に形成された第2ダミー電極136は、セラミック素体110’の最下面に形成された第2内部電極132が露出した右側端面を通じてのみ露出するように形成される。
従って、積層された複数の誘電体層111、114、115を圧搾して積層体を形成する際、セラミック素体110’の上下部両端で内部電極とマージン部との段差によって、デラミネーションが発生することを抑制したり、デラミネーションが発生しても第1及び第2内部電極131、132と同一の誘電体層の端面に向かって露出するように形成された第1及び第2ダミー電極135、136のみに発生するようにすることで、湿気、イオン及び導電性異物が第1及び第2内部電極131、132に浸透することを防止して信頼性の低下を防止することができる。
図10及び図11は、本発明の他の実施例による第1及び第2ダミー電極の多様な形態を示すものである。
第1ダミー電極及び第2ダミー電極は、セラミック素体の中央を基準に対称した形態で、以下では第2ダミー電極に対する説明は重複を避けるために省略し、第1ダミー電極のみに対して具体的に説明する。
図10を参照すると、第1ダミー電極137は、誘電体層114の一端面を通じて露出する部分が内部に位置した部分より小さい幅を有するように形成されることができ、このため、第1ダミー電極137の左側コーナー部137aは、誘電体層114の一端面に向かって幅が狭くなるテーパ状に構成されることができる。
図11を参照すると、第1ダミー電極138は、誘電体層114の内側に位置した部分のコーナー部が斜めになるように形成されることができ、このため、第1ダミー電極138の右側コーナー部138aは、誘電体層114の内側に向かって幅が狭くなるテーパ状に構成されることができる。
以下では、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタ100の製造方法について説明する。
まず、複数のセラミックグリーンシートを用意する。
セラミックグリーンシートは、セラミック素体110の誘電体層111、114、115を形成するためのもので、セラミック粉末、ポリマー及び溶剤を混合してスラリーを製造し、そのスラリーをドクターブレード等の工法によって数μmの厚さを有するシート(sheet)状に製作して用意することができる。
その後、それぞれのセラミックグリーンシートの少なくとも一面に所定の厚さ、例えば、0.2から1.0μmの厚さで導電性ペーストを印刷して第1内部電極膜、第2内部電極膜及びダミー電極膜をそれぞれ形成する。
上記第1及び第2内部電極膜は、セラミックグリーンシートの縁部に沿ってマージン部が形成されるように導電性ペーストを印刷して形成することができる。
この際、上記第1内部電極膜は、第1セラミックシート上に第1セラミックシートの一端面を通じて露出するように形成し、上記第2内部電極膜は、第1内部電極膜と反対方向に第2セラミックシート上に第2セラミックシートの他端面を通じて露出するように形成することができる。
上記ダミー電極膜は、第3セラミックシート上に離隔された状態で両端面を通じてそれぞれ露出する第1及び第2ダミー電極膜が離隔された状態になるように形成することができる。
この際、上記第1及び第2ダミー電極膜は、それぞれ第3セラミックシート長さの1/2以下の長さに形成し、好ましくは、離隔間隔は第3セラミックシートの長さの0.5〜1.5%になるようにすることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
また、上記第1及び第2ダミー電極膜は、第3セラミックシートの中央を基準に対称型になるように同一長さに形成することができるが、本発明はこれに限定されるものではなく、必要の際、上記第1及び第2ダミー電極膜は、異なる長さに形成することができる。
上記導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法等を用いることができ、上記導電性ペーストは、金属粉末、セラミック粉末及びシリカ(SiO)粉末等を含むことができる。
また、上記導電性ペーストの平均粒径は、50から400nmであることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
なお、上記金属粉末は、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、コバルト(Co)及びアルミニウム(Al)のうち少なくとも一つであるか、または、それらの合金を用いることができる。
次に、上記第3セラミックシートを複数個積層し、その上に上記第1セラミックシート及び上記第2セラミックシートを交互に複数個積層し、その上に上記第3セラミックシートを複数個積層した後、積層方向から加圧して積層された上記複数の第1から第3セラミックシートと上記複数の第1から第3セラミックグリーンシート上に形成された第1及び第2内部電極膜とダミー電極膜とを上下方向に圧搾させて積層体を構成する。
この際、積層体の上下面に少なくとも一つの誘電体カバー層112、113をさらに積層することができる。
この誘電体カバー層112、113は、上記第1から第3セラミックシートと同一の組成を有するセラミックシートからなることができ、電極膜を含まない点において差異がある。
次いで、上記積層体をそれぞれの積層セラミックキャパシタに対応する領域ごとに切断してチップ化し、高温で焼成してセラミック素体110を完成させる。
最後に、セラミック素体110の両端面に第1及び第2内部電極膜の露出した部分を覆って電気的にそれぞれ連結されることができるように第1及び第2外部電極121、122を形成する。
この際、第1及び第2外部電極121、122は、その表面に必要の際、ニッケルまたはすず等でめっき処理を行うことができる。
一方、本発明のダミー電極膜は、他の実施例としてセラミックシートを圧搾して積層体を形成する際、積層体の最外郭面に形成された内部電極膜と同一の方向のみに露出するように積層体の上下部に第1または第2ダミー電極膜の一つの種類のみをそれぞれ形成して構成することができる。
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定される。
従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた、本発明の範囲に属する。
100 積層セラミックキャパシタ
110 セラミック素体
111、114、115 誘電体層
112、113 誘電体カバー層
121、122 第1及び第2外部電極
131、132 第1及び第2内部電極
133、134、135、136、137、138 ダミー電極

Claims (20)

  1. 複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、
    前記セラミック素体の中間部に位置した誘電体層上に形成され、前記セラミック素体の上下方向に沿って前記セラミック素体の両端面を通じて交互に露出した複数の第1及び第2内部電極と、
    前記セラミック素体の上下部に位置した誘電体層上にそれぞれ形成された複数のダミー電極と、
    前記セラミック素体の両端面に形成され、前記第1及び第2内部電極の露出した部分とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2外部電極と、を含み、
    前記ダミー電極の長さは、前記第1及び第2外部電極が前記セラミック素体を覆う長さより長く形成される、積層セラミック電子部品。
  2. 前記ダミー電極は、一つの誘電体層上に離隔された状態で形成され、前記第1及び第2外部電極にそれぞれ接続される第1及び第2ダミー電極からなる、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
  3. 前記第1及び第2ダミー電極の長さは、それぞれ前記セラミック素体の長さの1/2より小さい長さに形成される、請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
  4. 前記第1及び第2ダミー電極は同一長さに形成される、請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
  5. 前記第1及び第2ダミー電極は、異なる長さに形成される、請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
  6. 前記第1及び第2ダミー電極の離隔間隔は、前記セラミック素体の長さの0.5〜1.5%である、請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
  7. 前記ダミー電極は、前記第1及び第2外部電極のうち一つに接続される第1ダミー電極と、前記第1及び第2外部電極のうち前記第1ダミー電極が接続されたものと他の外部電極に接続される第2ダミー電極と、を含み、
    前記第1及び第2ダミー電極は、前記セラミック素体の最外郭面に形成された内部電極と同一の方向に露出したダミー電極が前記セラミック素体の上下部にそれぞれ形成される、積層セラミック電子部品。
  8. 前記セラミック素体の上下部に形成された誘電体カバー層をさらに含む、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
  9. 前記ダミー電極は、前記セラミック素体の端面を通じて露出した部分のコーナー部が斜めに形成される、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
  10. 前記ダミー電極は、前記セラミック素体の内側に位置した部分のコーナー部が斜めに形成される、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
  11. 複数の第1セラミックシート上に前記第1セラミックシートの一端面を通じて露出するように第1内部電極膜をそれぞれ形成する段階と、
    複数の第2セラミックシート上に前記第2セラミックシートの他端面を通じて露出するように第2内部電極膜をそれぞれ形成する段階と、
    複数の第3セラミックシート上に複数のダミー電極膜を形成する段階と、
    前記第3セラミックシートを複数個積層し、その上に前記第1セラミックシートと前記第2セラミックシートとを交互に複数個積層し、その上に前記第3セラミックシートをさらに複数個積層して積層体を形成する段階と、
    前記積層体を焼成する段階と、
    前記積層体の両端面に前記第1及び第2内部電極膜の露出した部分を覆うように第1及び第2外部電極を形成する段階と、を含み、
    前記ダミー電極膜の長さは、前記第1及び第2外部電極が前記積層体を覆う長さより長く形成する、積層セラミック電子部品の製造方法。
  12. 前記ダミー電極膜を形成する段階は、
    一つの前記第3セラミックシート上に離隔された状態で両端面を通じてそれぞれ露出するように第1及び第2ダミー電極膜を形成する、請求項11に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  13. 前記ダミー電極膜を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミー電極膜の長さをそれぞれ前記第3セラミックシートの長さの1/2より小さい長さに形成する、請求項12に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  14. 前記ダミー電極膜を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミー電極膜を前記第3セラミックシートの中央を基準に対称型になるように同一長さに形成する、請求項12に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  15. 前記ダミー電極膜を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミー電極膜を前記第3セラミックシート上に異なる長さになるように形成する、請求項12に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  16. 前記ダミー電極膜を形成する段階は、
    前記第1及び第2ダミー電極の離隔間隔が前記第3セラミックシートの長さの0.5〜1.5%になるようにする、請求項12に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  17. 前記ダミー電極膜は、前記第1及び第2外部電極のうち一つに接続される第1ダミー電極膜と、前記第1及び第2外部電極のうち前記第1ダミー電極が接続されたものと他の外部電極に接続される第2ダミー電極膜と、を含み、
    前記第1及び第2ダミー電極膜は、前記セラミック素体の最外郭面に形成された内部電極と同一の方向に露出したダミー電極膜を前記セラミック素体の上下部にそれぞれ形成する、請求項11に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  18. 前記積層体を焼成する段階の前に、
    前記積層体の上下部に誘電体カバー層をさらに形成する、請求項11に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  19. 前記ダミー電極膜を形成する段階は、
    前記ダミー電極膜が前記第3セラミックシートの端面を通じて露出した部分のコーナー部を斜めに形成する、請求項11に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
  20. 前記ダミー電極膜を形成する段階は、
    前記ダミー電極膜が前記第3セラミックシートの内側に位置した部分のコーナー部を斜めに形成する、請求項11に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015211209A (ja) * 2014-04-30 2015-11-24 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 積層セラミック電子部品
US10325722B2 (en) * 2017-10-02 2019-06-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer electronic component and board having the same
CN111029140A (zh) * 2018-10-10 2020-04-17 三星电机株式会社 多层陶瓷电子组件

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2682995A4 (en) * 2011-03-01 2014-10-22 Murata Manufacturing Co PIEZOELECTRIC ELEMENT AND PIEZOELECTRIC DEVICE THEREWITH
KR20150033385A (ko) * 2013-09-24 2015-04-01 삼성전기주식회사 적층형 인덕터
KR101565651B1 (ko) 2013-10-08 2015-11-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
JP6550737B2 (ja) * 2014-12-09 2019-07-31 Tdk株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR101740825B1 (ko) 2015-12-04 2017-05-26 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR102436222B1 (ko) * 2017-11-10 2022-08-25 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자 부품, 그 제조 방법 및 적층 세라믹 전자 부품 내장형 인쇄회로기판
JP6728260B2 (ja) * 2018-03-22 2020-07-22 株式会社東芝 積層型超音波トランスデューサ及び超音波検査装置
KR102101703B1 (ko) * 2018-08-01 2020-04-20 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
KR102127807B1 (ko) * 2018-09-17 2020-06-29 삼성전기주식회사 전자 부품 및 이의 제작 방법
KR102653215B1 (ko) * 2018-10-10 2024-04-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
JP7156197B2 (ja) * 2019-07-25 2022-10-19 株式会社村田製作所 インダクタ部品
KR20220037728A (ko) * 2020-09-18 2022-03-25 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335473A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2002075780A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型電子部品
JP2004179531A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP2004228514A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
WO2009139112A1 (ja) * 2008-05-16 2009-11-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP2013093374A (ja) * 2011-10-24 2013-05-16 Murata Mfg Co Ltd 電子部品

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335473A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2002075780A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型電子部品
JP2004179531A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP2004228514A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
WO2009139112A1 (ja) * 2008-05-16 2009-11-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP2013093374A (ja) * 2011-10-24 2013-05-16 Murata Mfg Co Ltd 電子部品

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015211209A (ja) * 2014-04-30 2015-11-24 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 積層セラミック電子部品
JP2018006781A (ja) * 2014-04-30 2018-01-11 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 積層セラミック電子部品
US10325722B2 (en) * 2017-10-02 2019-06-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer electronic component and board having the same
CN111029140A (zh) * 2018-10-10 2020-04-17 三星电机株式会社 多层陶瓷电子组件
CN111029140B (zh) * 2018-10-10 2022-09-23 三星电机株式会社 多层陶瓷电子组件

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