JP2013153137A - チップ抵抗器、および、電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】レーザーを照射する際に極端に正確な位置精度を必要とせず、且つ、基材の抵抗体が形成された側のメッキ層を、外部の導電層に接合できるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】基材１と、第１主面電極２１と、第１主面電極２１に対し第１方向Ｘ１に離間している第２主面電極と、第１主面電極２１および第２主面電極に接する抵抗体４と、抵抗体４、第１主面電極２１、および第２主面電極を覆うオーバーコート６と、第１主面電極２１およびオーバーコート６を覆う第１補助電極２５と、第１補助電極２５を覆う第１メッキ電極２７と、を備え、第１補助電極２５は、第１主面電極２１よりも、第１方向Ｘ１側に位置する部位２５９を有する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、チップ抵抗器、および、電子デバイスに関する。

従来からチップ抵抗器が知られている（たとえば特許文献１参照）。同文献に記載のチップ抵抗器は、絶縁基板と、抵抗体と、保護膜と、メッキと、を備える。抵抗体は絶縁基板の上面に形成されている。保護膜は絶縁基板の上面に形成されている。保護膜は抵抗体を覆っている。メッキは抵抗体に導通している。メッキは、絶縁基板の上面と下面とに形成された部位を有している。メッキにおける絶縁基板の上面側の部位を、メッキ上面部とし、メッキにおける絶縁基板の下面側の部位をメッキ下面部とする。

従来のチップ抵抗器が実装された状態においては、メッキ下面部を、チップ抵抗器の外部の導体に接合する。当該外部の導体は、絶縁樹脂層に形成されたビアホールの内面に形成される。なお絶縁樹脂層にビアホールを形成するには、絶縁樹脂層にレーザを照射することにより行う。

特開２０１１−１９９１８８号公報

しかしながら、場合によっては、メッキ上面部を、チップ抵抗器の外部の導体に接合したい、といった要望がある。メッキ上面部を導体に接合する際に、絶縁樹脂層にビアを形成するためのレーザを絶縁樹脂層に照射した場合、メッキ上面部の領域にレーザを確実に照射することは非常に困難である。従来のチップ抵抗器では、メッキ上面部の領域にレーザを確実に照射するためには、極端に正確な位置精度が要求されてしまう。

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、レーザを照射する際に極端に正確な位置精度を必要とせず、且つ、基材の抵抗体が形成された側のメッキ層を、外部の導電層に接合できるチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、主面を有する基材と、前記主面に形成された第１主面電極と、前記主面に形成され、前記第１主面電極に対し第１方向に離間している第２主面電極と、前記主面に形成され、前記第１主面電極および前記第２主面電極に接する抵抗体と、前記抵抗体、前記第１主面電極、および前記第２主面電極を覆うオーバーコートと、前記第１主面電極および前記オーバーコートを覆う第１補助電極と、前記第１補助電極を覆う第１メッキ電極と、を備え、前記第１補助電極は、前記第１主面電極よりも、前記第１方向側に位置する部位を有する、チップ抵抗器が提供される。

好ましくは、前記第１メッキ電極は、前記オーバーコートよりも、前記主面の主面の向く方向側に位置する部位を有する。

好ましくは、前記第１補助電極は、前記第１メッキ電極に覆われ、前記オーバーコートに接する補助電極表面を有し、前記オーバーコートは、前記主面の向く方向と同一方向側を向くオーバーコート表面を有し、前記補助電極表面は、前記オーバーコート表面と面一、もしくは、前記オーバーコート表面よりも前記主面側に位置する。

好ましくは、前記補助電極表面のうち、前記第１主面電極よりも前記第１方向側に位置する部分は全て、前記オーバーコート表面の最も前記主面の向く方向側の端部の位置との差が、前記主面の向く方向において０〜１０μｍの範囲内にある。

好ましくは、前記補助電極表面のうち、前記第１主面電極よりも前記第１方向側に位置する部分は全て、前記オーバーコート表面の最も前記主面の向く方向側の端部の位置との差が、前記主面の向く方向において０〜６μｍの範囲内にある。

好ましくは、前記第２主面電極および前記オーバーコートを覆う第２補助電極と、前記第２補助電極を覆う第２メッキ電極と、を備え、前記第２補助電極は、前記第２主面電極よりも、前記第１方向とは反対の第２方向側に位置する部位を有する。

好ましくは、前記基材は、前記主面とは反対側を向く裏面を有し、前記裏面に形成され、前記第１メッキ電極に覆われた第１裏面電極と、前記裏面に形成され、前記第２メッキ電極に覆われた第２裏面電極と、を更に備える。

好ましくは、前記第１メッキ電極は、前記主面側に位置する主面層を含み、前記主面層は、前記第１裏面電極よりも前記第１方向側に位置している部位を有する。

好ましくは、前記主面層の前記第１方向における寸法は、２００〜２６０μｍである。

好ましくは、前記第１メッキ電極は、前記裏面側に位置する裏面層を含み、前記裏面層は、前記第１補助電極よりも前記第１方向側に位置している部位を有する。

好ましくは、前記裏面層の前記第１方向における寸法は、２００〜２６０μｍである。

好ましくは、前記基材は、前記第１方向とは反対の第２方向を向く側面を有し、前記側面を覆う側面電極を更に備え、前記第１メッキ電極は、前記側面電極を覆っている。

好ましくは、前記側面電極は、スパッタによって形成されている。

好ましくは、前記第１メッキ電極は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる。

好ましくは、前記第１メッキ電極は、第１層および第２層を含み、前記第１層は、前記第２層と前記第１補助電極との間に介在している部分を有する。

好ましくは、前記第１層は、Ｎｉよりなり、前記第２層は、Ｃｕ、Ａｕ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる。

好ましくは、前記抵抗体と前記オーバーコートとの間に介在するアンダーコートを更に備える。

本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるチップ抵抗器と、前記チップ抵抗器を包囲している充填樹脂基板と、を備える、電子デバイスが提供される。

好ましくは、前記充填樹脂基板には、ビアが形成され、前記ビアを規定する内面に形成された導電層を更に備え、前記導電層は、前記第１メッキ電極に直接接している。

好ましくは、前記導電層は、前記第１メッキ電極のうち、前記基材の前記主面側に位置する部位に直接接している。

好ましくは、前記導電層は、前記第１メッキ電極のうち、前記基材の前記主面とは反対側の裏面側に位置する部位に直接接している。

好ましくは、前記導電層および前記第１メッキ電極は、いずれもＣｕよりなる。

本発明の実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図（一部透視化）である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図１から第１メッキ電極と第２メッキ電極とを省略した平面図（一部透視化）である。 図３から第１補助電極と第２補助電極とを省略した平面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の底面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の正面図である。 図１に示したチップ抵抗器の背面図である。 図１に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。 図２に示したチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 図２に示したチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の実施形態の変形例にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 本発明の実施形態の変形例にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 本発明の実施形態にかかる電子デバイスの断面図である。 本発明の実施形態にかかる電子デバイスの製造方法における一工程を示す断面図である。 図１６に続く一工程を示す断面図である。 本発明の実施形態の変形例にかかる電子デバイスの断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 本発明の実施形態の変形例にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 本発明の実施形態の変形例にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 本発明の実施形態の変形例にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。 本発明の実施形態の変形例にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。

図１は、本発明の実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図（一部透視化）である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。

これらの図に示すチップ抵抗器１００は、基材１と、第１電極部２と、第２電極部３と、抵抗体４と、アンダーコート５と、オーバーコート６と、を備える。図１の横方向におけるチップ抵抗器１００の寸法は、たとえば、５７０〜６３０μｍ程度であり、同図の縦方向におけるチップ抵抗器１００の寸法は、たとえば、２７０〜３３０μｍ程度であり、図２の縦方向における寸法は、たとえば、１５０μｍ以下である。

図３は、図１から第１メッキ電極と第２メッキ電極とを省略した平面図（一部透視化）である。図４は、図３から第１補助電極と第２補助電極とを省略した平面図（一部透視化）である。図５は、図１に示したチップ抵抗器の底面図（一部透視化）である。図６は、図１に示したチップ抵抗器の正面図である。図７は、図１に示したチップ抵抗器の背面図である。図８は、図１に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。図９は、図１に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。

図１〜図９に示す基材１は直方体状である。基材１は絶縁材料よりなる。このような絶縁材料としてはアルミナなどのセラミックが挙げられる。基材１は、主面１１と、裏面１２と、第１側面１３と、第２側面１４と、第３側面１５と、第４側面１６と、を有する。主面１１、裏面１２、第１側面１３、第２側面１４、第３側面１５、第４側面１６はいずれも平坦である。

主面１１および裏面１２は互いに反対側を向く。第１側面１３と第２側面１４と第３側面１５と第４側面１６とはいずれも、主面１１および裏面１２につながっている。第１側面１３および第２側面１４は互いに反対側を向く。具体的には、第１側面１３は第２方向Ｘ２を向き、第２側面１４は第１方向Ｘ１を向く。第３側面１５および第４側面１６は互いに反対側を向く。具体的には、第３側面１５は図１における下側を向き、第４側面１６は図１における上側を向く。

図１０は、図２に示したチップ抵抗器の部分拡大断面図である。

図１〜図４、図９、図１０に示すように、第１電極部２は、第１主面電極２１と、第１側面電極２２と、第１裏面電極２３と、第１補助電極２５と、第１メッキ電極２７と、を含む。第１電極部２は、基材１における第２方向Ｘ２側に形成されている。

第１主面電極２１は基材１の主面１１に形成されている。第１主面電極２１は主面１１における、第２方向Ｘ２側の領域に形成されている。本実施形態において第１主面電極２１は、主面１１と第１側面１３との境界に至っている。第１主面電極２１は、第１側面１３と面一の端面を有する。図４に示すように、本実施形態においては、第１主面電極２１の方向Ｙ１における寸法は、主面１１の方向Ｙ１における寸法より小さい。第１主面電極２１を構成する材料は、たとえば銀系メタルグレーズが挙げられる。本実施形態においては、第１主面電極２１は、印刷によって形成される。

本実施形態とは異なり、第１主面電極２１が主面１１と第１側面１３との境界まで至っていなくてもよい。また、本実施形態とは異なり、第１主面電極２１の方向Ｙ１における寸法が、主面１１の方向Ｙ１の寸法と同一であってもよい。

図８、図１０等に示す第１側面電極２２は基材１の第１側面１３に形成されている。本実施形態においては、第１側面電極２２は第１側面１３の全面を覆っている。本実施形態とは異なり、第１側面電極２２が第１側面１３の全面を覆っている必要はない。すなわち、第１側面電極２２から第１側面１３が露出していてもよい。第１側面電極２２を構成する材料は、たとえば、ＮｉやＣｒが挙げられる。本実施形態においては、第１側面電極２２はスパッタによって形成される。そのため、第１側面電極２２の厚さは非常に薄い。スパッタによって形成される第１側面電極２２の厚さは、たとえば、１００μｍである。本実施形態とは異なり、第１側面電極２２が印刷によって形成されていてもよい。第１側面電極２２は第１主面電極２１につながっている。これにより、第１側面電極２２は第１主面電極２１に導通している。本実施形態では、第１側面電極２２のスパッタ膜は、第１主面電極２１の上面には形成されていない。

図５、図１０等に示す第１裏面電極２３は基材１の裏面１２に形成されている。第１裏面電極２３は、裏面１２における、第２方向Ｘ２側の領域に形成されている。第１裏面電極２３は裏面１２と第１側面１３との境界に至っている。図５に示すように、第１裏面電極２３の方向Ｙ１における寸法は、裏面１２の方向Ｙ１における寸法と同一である。図５に示したのとは異なり、第１裏面電極２３の方向Ｙ１における寸法は、裏面１２の方向Ｙ１における寸法よりも小さくてもよい。本実施形態において、第１裏面電極２３を構成する材料は、たとえば、ＮｉやＣｒが挙げられる。本実施形態においては、第１裏面電極２３はスパッタによって形成される。そのため、第１裏面電極２３の厚さは非常に薄い。スパッタによって形成される第１裏面電極２３の厚さは、たとえば、１００μｍである。第１裏面電極２３は第１側面電極２２につながっている。これにより、第１裏面電極２３は第１側面電極２２に導通している。したがって、第１裏面電極２３と第１側面電極２２と第１主面電極２１とは互いに導通している。本実施形態とは異なり、第１裏面電極２３は、印刷によって形成されていてもよい（変形例として図２１に図示している）。本実施形態では、第１側面電極２２と第１裏面電極２３とは連続してつながっている。

なお、第１補助電極２５および第１メッキ電極２７についての説明は、オーバーコート６の説明をした後に行う。

図１１は、図２に示したチップ抵抗器の部分拡大断面図である。

第２電極部３は、第２主面電極３１と、第２側面電極３２と、第２裏面電極３３と、第２補助電極３５と、第２メッキ電極３７と、を含む。第２電極部３は、基材１における第１方向Ｘ１側に形成されている。

第２主面電極３１は基材１の主面１１に形成されている。第２主面電極３１は、第１主面電極２１に対し第１方向Ｘ１に離間している。第２主面電極３１は主面１１における、第１方向Ｘ１側の領域に形成されている。本実施形態において第２主面電極３１は、主面１１と第２側面１４との境界に至っている。第２主面電極３１は、第２側面１４と面一の端面を有する。図４に示すように、本実施形態においては、第２主面電極３１の方向Ｙ１における寸法は、主面１１の方向Ｙ１における寸法より小さい。第２主面電極３１を構成する材料は、たとえば銀系メタルグレーズが挙げられる。本実施形態においては、第２主面電極３１は、印刷によって形成される。

本実施形態とは異なり、第２主面電極３１が主面１１と第２側面１４との境界まで至っていなくてもよい。また、本実施形態とは異なり、第２主面電極３１の方向Ｙ１における寸法が、主面１１の方向Ｙ１の寸法と同一であってもよい。

図９、図１１等に示す第２側面電極３２は基材１の第２側面１４に形成されている。本実施形態においては、第２側面電極３２は第２側面１４の全面を覆っている。本実施形態とは異なり、第２側面電極３２が第２側面１４の全面を覆っている必要はない。すなわち、第２側面電極３２から第２側面１４が露出していてもよい。第２側面電極３２を構成する材料は、たとえば、ＮｉやＣｒが挙げられる。本実施形態においては、第２側面電極３２はスパッタによって形成される。そのため、第２側面電極３２の厚さは非常に薄い。スパッタによって形成される第２側面電極３２の厚さは、たとえば、１００μｍである。本実施形態とは異なり、第２側面電極３２が印刷によって形成されていてもよい。第２側面電極３２は第２主面電極３１につながっている。これにより、第２側面電極３２は第２主面電極３１に導通している。本実施形態では、第２側面電極３２のスパッタ膜は、第１主面電極３１の上面には形成されていない。

図５、図１１等に示す第２裏面電極３３は基材１の裏面１２に形成されている。第２裏面電極３３は、裏面１２における、第１方向Ｘ１側の領域に形成されている。第２裏面電極３３は裏面１２と第２側面１４との境界に至っている。図５に示すように、第２裏面電極３３の方向Ｙ１における寸法は、裏面１２の方向Ｙ１における寸法と同一である。図５に示したのとは異なり、第２裏面電極３３の方向Ｙ１における寸法は、裏面１２の方向Ｙ１における寸法よりも小さくてもよい。本実施形態において、第２裏面電極３３を構成する材料は、たとえば、ＮｉやＣｒが挙げられる。本実施形態においては、第２裏面電極３３はスパッタによって形成される。そのため、第２裏面電極３３の厚さは非常に薄い。スパッタによって形成される第２裏面電極３３の厚さは、たとえば、１００μｍである。第２裏面電極３３は第２側面電極３２につながっている。これにより、第２裏面電極３３は第２側面電極３２に導通している。したがって、第２裏面電極３３と第２側面電極３２と第２主面電極３１とは互いに導通している。本実施形態とは異なり、第２裏面電極３３は、印刷によって形成されていてもよい（変形例として図２２に図示している）。本実施形態では、第２側面電極３２と第１裏面電極３３とは連続してつながっている。

なお、第２補助電極３５および第２メッキ電極３７についての説明は、オーバーコート６の説明をした後に行う。

図１〜図４、図１０、図１１に示す抵抗体４は基材１の主面１１に形成されている。抵抗体４は、第１主面電極２１および第２主面電極３１に接している。抵抗体４は、第１主面電極２１と第２主面電極３１との間に電気的に介在している。抵抗体４と主面１１との間には、第１主面電極２１の一部分が介在している。同様に、抵抗体４と主面１１との間には第２主面電極３１の一部分が介在している。図４に示すように、抵抗体４は、第１主面電極２１および第２主面電極３１に跨るように形成されている。本実施形態においては、抵抗体４の第１方向Ｘ１における寸法は、主面１１の第１方向Ｘ１における寸法より小さい。抵抗体４の方向Ｙ１における寸法は、主面１１の方向Ｙ１における寸法より小さい。抵抗体４は、たとえば酸化ルテニウム等の抵抗材料よりなる。抵抗体４は、たとえば、印刷によって形成される。

本実施形態とは異なり、抵抗体４の第１方向Ｘ１における寸法が、主面１１の第１方向Ｘ１における寸法と同一であってもよい。また、抵抗体４の方向Ｙ１における寸法が主面１１の方向Ｙ１における寸法と同一であってもよい。更に、図２等では、抵抗体４と主面１１との間に第１主面電極２１が介在している例を示したが、抵抗体４が主面１１と第１主面電極２１との間に介在していてもよい。同様に、図２等では、抵抗体４と主面１１との間に第２主面電極３１が介在している例を示したが、抵抗体４が主面１１と第２主面電極３１との間に介在していてもよい。

図１〜図４、図１０、図１１に示すアンダーコート５は抵抗体４を覆っている。図２に示すように、アンダーコート５と主面１１との間には抵抗体４が介在している。アンダーコート５は、トリミング時の抵抗体４への熱衝撃を緩和するためのものである。本実施形態においては、アンダーコート５の第１方向Ｘ１における寸法は、抵抗体４の第１方向Ｘ１における寸法よりも大きい。そのため、アンダーコート５は、第１主面電極２１および第２主面電極３１に直接接している。また、アンダーコート５の方向Ｙ１における寸法は、抵抗体４の方向Ｙ１における寸法よりも大きい。そのため、アンダーコート５は主面１１に直接接している。アンダーコート５はガラス系の材料よりなる。このようなガラス系の材料としては、ホウケイ酸鉛系ガラスが挙げられる。アンダーコート５は、たとえば、印刷によって形成される。

抵抗体４およびアンダーコート５には、トリミング溝７９が形成されている。トリミング溝７９を形成してトリミングを行うことにより、チップ抵抗器１００の抵抗値が調整される。

図１〜図４、図６、図７、図１０、図１１に示すオーバーコート６は、第１主面電極２１と第２主面電極３１と抵抗体４とを覆っている。オーバーコート６は絶縁材料よりなる。このような絶縁材料としてはエポキシ樹脂が挙げられる。図２に示すように、オーバーコート６は、第１主面電極２１と第２主面電極３１とアンダーコート５とに直接接している。オーバーコート６と主面１１との間には、第１主面電極２１が介在している。また、オーバーコート６と主面１１との間には、第２主面電極３１が介在している。オーバーコート６と抵抗体４との間には、アンダーコート５が介在している。本実施形態においては、図３、図４に示すように、オーバーコート６の方向Ｙ１における寸法は、主面１１の方向Ｙ１における寸法と同一である。そのため、オーバーコート６は主面１１と直接接している。オーバーコート６は、たとえば、印刷によって形成される。

オーバーコート６は、オーバーコート表面６１を有する。オーバーコート表面６１は、主面１１の向く方向Ｚ１側を向く。オーバーコート表面６１は、平坦面６１１と第１曲面６１２と第２曲面６１３とを有する。図４では、平坦面６１１と第１曲面６１２との境界、および、平坦面６１１と第２曲面６１３との境界を、想像線（２点鎖線）を用いて示している。

平坦面６１１は、方向Ｚ１視（主面１１の平面視）において、抵抗体４に重なっている。平坦面６１１は主面１１と平行な面である。図４に示すように、本実施形態において平坦面６１１は、方向Ｚ１視において、第１主面電極２１と第２主面電極３１との間に位置している。図１０に示すように、第１曲面６１２は、平坦面６１１から連続するようにつながっている。第１曲面６１２は、平坦面６１１から第２方向Ｘ２に向かうにつれて主面１１に近づく形状である。第１曲面６１２は第１主面電極２１に接している。図１１に示すように、第２曲面６１３は、平坦面６１１から連続するようにつながっている。第２曲面６１３は、平坦面６１１から第１方向Ｘ１に向かうにつれて主面１１に近づく形状である。第２曲面６１３は第２主面電極３１に接している。

第１補助電極２５は、第１主面電極２１およびオーバーコート６を覆っている。第１補助電極２５は、第１主面電極２１およびオーバーコート６に直接接している。第１補助電極２５と主面１１との間に、第１主面電極２１およびオーバーコート６が介在している。図１０に示すように、第１補助電極２５は、第１主面電極２１よりも、第１方向Ｘ１側に位置する部位２５９を有する。換言すれば、第１補助電極２５は、方向Ｚ１視（主面１１の平面視）において、第１主面電極２１を越えて基材１の中心側まで延びている。そのため、第１補助電極２５の第１方向Ｘ１側の端部は、第１主面電極２１よりも、第１方向Ｘ１側に位置している。一方、第１補助電極２５の第２方向Ｘ２側の端部は、方向Ｚ１視において、主面１１のうち第２方向Ｘ２側の端部まで至っている。第１補助電極２５は、樹脂と銀粉末とを含む樹脂銀系材料よりなる。第１補助電極２５の側面は、第１側面電極２２により覆われている。すなわち、第１補助電極２５と、第１主面電極２１と、基材１の第１側面１３とは、第１側面電極２２により覆われている。

図１０に示すように、第１補助電極２５は第１補助電極表面２５１を有する。第１補助電極表面２５１は第１メッキ電極２７に覆われ、オーバーコート６に接する。本実施形態においては、第１補助電極表面２５１は、オーバーコート表面６１と面一である。同図に示す場合、第１補助電極表面２５１は平坦面６１１と面一となっている。一方、図１３に示すように、第１補助電極表面２５１は、オーバーコート表面６１よりも主面１１側に位置していてもよい。同図に示す場合、第１補助電極表面２５１は第１曲面６１２に接している。好ましくは、第１補助電極表面２５１のうち、第１主面電極２１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部分は全て、オーバーコート表面６１の最も方向Ｚ１側の端部の位置との差（図１０、図１３における高低差）が、方向Ｚ１において０〜１０μｍの範囲内にある。更に好ましくは、第１補助電極表面２５１のうち、第１主面電極２１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部分は全て、オーバーコート表面６１の最も方向Ｚ１側の端部の位置との差（図１０、図１３における高低差）が、方向Ｚ１において０〜６μｍの範囲内にある。第１補助電極表面２５１は、第１主面電極２１の上方に位置する部分から、オーバーコート６の上方に位置する部分に渡って略平坦面となっている。すなわち、第１補助電極表面２５１は、第１主面電極２１およびオーバーコート６を覆っているが、第１補助電極表面２５１には、第１主面電極２１からオーバーコート６にかけての高さの変化が反映されていない。

第１補助電極２５を形成するには、以下に述べるような工程を経る。図１２は、図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す断面図である。同図に示すように、切断される前の基材１の主面１１に形成された複数のオーバーコート６どうしの間に、導電材料８９３を印刷する。導電材料８９３がオーバーコート６を過度に覆ってしまうことのないように、印刷する導電材料８９３の量は適宜調整される。印刷される導電材料８９３の量にはばらつきがある。本実施形態において導電材料８９３の量が所望の量である場合、図１３に示すように、第１補助電極表面２５１は、オーバーコート表面６１よりも主面１１側に位置することとなる。一方、導電材料８９３の量が所望の量よりも多かった場合には、図１０に示したように、第１補助電極表面２５１は平坦面６１１と面一となりうる。導電材料８９３の粘度は比較的小さい。これにより、第１補助電極表面２５１をより平坦にすることができる。印刷された導電材料８９３は、硬化および焼成される。なお、図１２に示す２点差線に沿って、個片化のため、基材１はダイシングされる。

図１、図２、図１０に示す第１メッキ電極２７は、第１補助電極２５と、第１側面電極２２と、第１裏面電極２３とを覆っている。第１メッキ電極２７は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる。第１メッキ電極２７は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、およびＳｎの少なくともいずれかを含む合金であってもよいし、特に、銅を主成分とする銅合金であってもよい。本実施形態では、第１メッキ電極２７はＣｕよりなる。第１メッキ電極２７からはオーバーコート６が露出している。第１メッキ電極２７の厚さは、たとえば、６〜１５μｍである。第１メッキ電極２７は、オーバーコート６よりも、方向Ｚ１側に位置する部位を有している。すなわち、図１０において、第１メッキ電極２７の上面は、オーバーコート表面６１よりも上位に位置している。本実施形態と異なり、第１メッキ電極２７の上面がオーバーコート表面６１と面一であってもよい。図１３のように、オーバーコート表面６１よりも第１補助電極２５の第１補助電極表面２５１が低い場合には、第１メッキ電極２７の厚みはオーバーコート表面６１と第１補助電極表面２５との段差よりも厚くなるように形成されるので、第１メッキ電極２７の上面はオーバーコート表面６１よりも高くなる。これにより、中心部分（オーバーコート６が露出する部分）が凹で、両端のメッキ部分が凸の表面形状のチップになる。

第１メッキ電極２７は、第１主面層２７１と、第１側面層２７２と、第１裏面層２７３と、を有する。

第１主面層２７１は、第１メッキ電極２７のうち、基材１の主面１１側に位置する部位である。第１主面層２７１は、第１補助電極２５およびオーバーコート６を覆っている。より具体的には、第１主面層２７１は、第１補助電極２５における第１補助電極表面２５１と、オーバーコート６におけるオーバーコート表面６１とを覆っている。本実施形態においては更に、第１主面層２７１は、オーバーコート表面６１における平坦面６１１の一部を覆っている。図１０に示すように、第１主面層２７１は、第１裏面電極２３よりも第１方向Ｘ１側に位置する部位を有する。すなわち、図１０において、第１主面層２７１の右端は、第１裏面電極２３よりも右側に位置している。第１主面層２７１の第１方向Ｘ１における寸法Ｌ２１（図１参照）は、たとえば、２００〜２６０μｍである。第１主面層２７１の方向Ｙ１における寸法は、主面１１の方向Ｙ１における寸法よりも大きい。

第１側面層２７２は、第１補助電極２５と第１側面電極２２とを覆っている。第１側面層２７２は第１主面層２７１につながっている。図８に示すように、第１側面層２７２の方向Ｙ１における寸法は、第１側面１３の方向Ｙ１における寸法よりも大きい。

第１裏面層２７３は、第１メッキ電極２７のうち、基材１の裏面１２側に位置する部位である。第１裏面層２７３は第１裏面電極２３を覆っている。図１０に示すように、第１裏面層２７３は、第１補助電極２５よりも第１方向Ｘ１側に位置する部位を有する。すなわち、同図において、第１裏面層２７３の右端は、第１補助電極２５よりも右側に位置している。第１裏面層２７３の第１方向Ｘ１における寸法Ｌ２２（図５参照）は、たとえば、２００〜２６０μｍである。第１裏面層２７３は、第１主面層２７１とほぼ同一の形状であることが好ましい。第１裏面層２７３の方向Ｙ１における寸法は、裏面１２の方向Ｙ１における寸法よりも大きい。

第２補助電極３５は、第２主面電極３１およびオーバーコート６を覆っている。第２補助電極３５は、第２主面電極３１およびオーバーコート６に直接接している。第２補助電極３５と主面１１との間に、第２主面電極３１およびオーバーコート６が介在している。図１１に示すように、第２補助電極３５は、第２主面電極３１よりも、第２方向Ｘ２側に位置する部位３５９を有する。換言すれば、第２補助電極３５は、方向Ｚ１視において、第２主面電極３１を越えて基材１の中心側まで延びている。そのため、第２補助電極３５の第２方向Ｘ２側の端部は、第２主面電極３１よりも、第２方向Ｘ２側に位置している。一方、第２補助電極３５の第１方向Ｘ１側の端部は、方向Ｚ１視において、主面１１のうち第１方向Ｘ１側の端部まで至っている。第２補助電極３５は、樹脂と銀粉末とを含む樹脂銀系材料よりなる。また、第２補助電極３５の側面は、第２側面電極３２により覆われている。すなわち、第２補助電極３５と、第２主面電極３１と、基材１の第２側面１４とは、第２側面電極３２により覆われている。

図１１に示すように、第２補助電極３５は第２補助電極表面３５１を有する。第２補助電極表面３５１は第２メッキ電極３７に覆われ、オーバーコート６に接する。本実施形態においては、第２補助電極表面３５１は、オーバーコート表面６１と面一である。同図に示す場合、第２補助電極表面３５１は平坦面６１１と面一となっている。一方、図１４に示すように、第２補助電極表面３５１は、オーバーコート表面６１よりも主面１１側に位置していてもよい。同図に示す場合、第２補助電極表面３５１は第２曲面６１３に接している。好ましくは、第２補助電極表面３５１のうち、第２主面電極３１よりも第２方向Ｘ２側に位置する部分は全て、オーバーコート表面６１の最も方向Ｚ１側の端部の位置との差（図１１、図１４における高低差）が、方向Ｚ１において０〜１０μｍの範囲内にある。更に好ましくは、第２補助電極表面３５１のうち、第２主面電極３１よりも第２方向Ｘ２側に位置する部分は全て、オーバーコート表面６１の最も方向Ｚ１側の端部の位置との差（図１１、図１４における高低差）が、方向Ｚ１において０〜６μｍの範囲内にある。第２補助電極表面３５１は、第２主面電極３１の上方に位置する部分から、オーバーコート６の上方に位置する部分に渡って略平坦面となっている。すなわち、第２補助電極表面３５１は、第２主面電極３１およびオーバーコート６を覆っているが、第２補助電極表面３５１には、第２主面電極３１からオーバーコート６にかけての高さの変化が反映されていない。

第２補助電極３５を形成するには、第１補助電極２５を形成するのと同様の工程を経るため、第２補助電極３５を形成する工程の説明については、省略する。

図１、図２、図１１に示す第２メッキ電極３７は、第２補助電極３５と、第２側面電極３２と、第２裏面電極３３とを覆っている。第２メッキ電極３７は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる。第２メッキ電極３７は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、およびＳｎの少なくともいずれかを含む合金であってもよいし、特に、銅を主成分とする銅合金であってもよい。本実施形態では、第２メッキ電極３７はＣｕよりなる。第２メッキ電極３７からはオーバーコート６が露出している。第２メッキ電極３７の厚さは、たとえば、６〜１５μｍである。第２メッキ電極３７は、オーバーコート６よりも、方向Ｚ１側に位置する部位を有している。すなわち、図１１において、第２メッキ電極３７の上面は、オーバーコート表面６１よりも上位に位置している。本実施形態と異なり、第２メッキ電極３７の上面がオーバーコート表面６１と面一であってもよい。

第２メッキ電極３７は、第２主面層３７１と、第２側面層３７２と、第２裏面層３７３と、を有する。

第２主面層３７１は、第２メッキ電極３７のうち、基材１の主面１１側に位置する部位である。第２主面層３７１は、第２補助電極３５およびオーバーコート６を覆っている。より具体的には、第２主面層３７１は、第２補助電極３５における第２補助電極表面３５１と、オーバーコート６におけるオーバーコート表面６１とを覆っている。本実施形態においては更に、第２主面層３７１は、オーバーコート表面６１における平坦面６１１の一部を覆っている。図１１に示すように、第２主面層３７１は、第２裏面電極３３よりも第２方向Ｘ２側に位置する部位を有する。すなわち、同図において、第２主面層３７１の左端は、第２裏面電極３３よりも左側に位置している。第２主面層３７１の第２方向Ｘ２における寸法Ｌ３１（図１参照）は、たとえば、２００〜２６０μｍである。第２主面層３７１の方向Ｙ１における寸法は、主面１１の方向Ｙ１における寸法よりも大きい。

第２側面層３７２は、第２補助電極３５と第２側面電極３２とを覆っている。第２側面層３７２は第２主面層３７１につながっている。図９に示すように、第２側面層３７２の方向Ｙ１における寸法は、第２側面１４の方向Ｙ１における寸法よりも大きい。

第２裏面層３７３は、第２メッキ電極３７のうち、基材１の裏面１２側に位置する部位である。第２裏面層３７３は第２裏面電極３３を覆っている。図１１に示すように、第２裏面層３７３は、第２補助電極３５よりも第２方向Ｘ２側に位置する部位を有する。すなわち、同図において、第２裏面層３７３の左端は、第２補助電極３５よりも左側に位置している。第２裏面層３７３の第２方向Ｘ２における寸法Ｌ３２（図５参照）は、たとえば、２００〜２６０μｍである。第２裏面層３７３は、第２主面層３７１とほぼ同一の形状であることが好ましい。第２裏面層３７３の方向Ｙ１における寸法は、裏面１２の方向Ｙ１における寸法よりも大きい。

図１５は、本発明の実施形態にかかる電子デバイスの断面図である。

同図に示す電子デバイス８００は、チップ抵抗器１００と、充填樹脂基板８０３と、第１導電層８０４と、第２導電層８０５と、を備える。

充填樹脂基板８０３はチップ抵抗器１００を包囲している。図１５に示す電子デバイス８００においては、基材１の裏面１２が下側を向いている。充填樹脂基板８０３はチップ抵抗器１００に密着している。具体的には、第１メッキ電極２７、第２メッキ電極３７、基材１、ないしオーバーコート６と、充填樹脂基板８０３と、の間には、隙間が無い。充填樹脂基板８０３は、たとえば絶縁性の樹脂よりなる。このような樹脂としてはガラスエポキシ樹脂が挙げられる。充填樹脂基板８０３には第１ビア８０９および第２ビア８１０が形成されている。第１ビア８０９および第２ビア８１０は充填樹脂基板８０３の表面から凹んでいる。

第１導電層８０４および第２導電層８０５を構成する材料は、特に限定されないが、本実施形態ではＣｕである。第１導電層８０４は、充填樹脂基板８０３の表面と第１ビア８０９を規定する内面とに形成されている。第１導電層８０４は、チップ抵抗器１００に物理的および電気的に接続している。第１導電層８０４は、第１メッキ電極２７における第１主面層２７１に直接接している。一方、第２導電層８０５は、充填樹脂基板８０３の表面と第２ビア８１０を規定する内面とに形成されている。第２導電層８０５は、チップ抵抗器１００に物理的および電気的に接続している。第２導電層８０５は、第２メッキ電極３７における第２主面層３７１に直接接している。

次に、電子デバイス８００の製造方法の一例について簡単に説明する。

既知の方法により、図１６に示すように、チップ抵抗器１００が内蔵された充填樹脂基板８０３を作製する。この作製工程には、予め硬化された基板上にチップ抵抗器１００を配置する工程が含まれる。予め硬化された基板上にチップ抵抗器１００を配置するこの工程では、チップ抵抗器１００を基板に置くときにチップ抵抗器１００に応力が加わる。本願ではこのときにチップ抵抗器１００が割れるのを効果的に防止できる。詳細は後述する。

次に、図１７に示すように、充填樹脂基板８０３にレーザ８９１を照射することにより、充填樹脂基板８０３に第１ビア８０９および第２ビア８１０を形成する。レーザ８９１の照射範囲は、第１主面層２７１、および、第２主面層３７１の各々の中央になるようにする。

次に、第１ビア８０９および第２ビア８１０の各々を規定する内面と充填樹脂基板８０３の表面とに、酸性の液体を用いて酸処理を行う。次に、第１ビア８０９を規定する内面と充填樹脂基板８０３の表面とに第１導電層８０４（図１５参照）を、第２ビア８１０を規定する内面と充填樹脂基板８０３の表面とに第２導電層８０５（図１５参照）を、それぞれ形成する。第１導電層８０４および第２導電層８０５の形成は、メッキにより行う。このようにして、電子デバイス８００を製造できる。

図１５では、第１メッキ電極２７に導通する導電層は、第１導電層８０４の一つのみである例を示しているが、第１メッキ電極２７に導通する導電層は、複数であってもよい。同様に、第２メッキ電極３７に導通する導電層は、第２導電層８０５の一つのみである例を示しているが、第２メッキ電極３７に導通する導電層は、複数であってもよい。

図１８は、本発明の実施形態の変形例にかかる電子デバイスの断面図である。

同図に示す電子デバイス８００は、チップ抵抗器１００の表裏が逆になっている点において、図１５に示した電子デバイス８００と異なる。具体的には、図１８に示す電子デバイス８００においては、基材１の主面１１が下側を向いている。第１導電層８０４および第２導電層８０５は、チップ抵抗器１００に物理的および電気的に接続している。第１導電層８０４は、第１メッキ電極２７における第１裏面層２７３に直接接している。一方、第２導電層８０５は、第２メッキ電極３７における第２裏面層３７３に直接接している。図１８に示す電子デバイス８００の製造方法は、図１５に示した電子デバイス８００の製造方法と同様であるから、説明を省略する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

図１０に示したように、本実施形態においては、第１補助電極２５は、第１主面電極２１よりも、第１方向Ｘ１側に位置する部位を有する。このような構成は、第１補助電極２５の第１方向Ｘ１における寸法を大きくするのに適する。第１補助電極２５の第１方向Ｘ１における寸法を大きくできると、第１補助電極２５を覆う第１メッキ電極２７の主面１１の部分（すなわち第１主面層２７１）の、第１方向Ｘ１における寸法を大きくできる。第１主面層２７１の第１方向Ｘ１における寸法を大きくできると、第１主面層２７１におけるレーザ８９１の照射領域を十分に確保することができる。そのため、レーザ８９１を照射する際に極端に正確な位置精度を必要とすることなく、充填樹脂基板８０３における、方向Ｚ１視において第１主面層２７１に重なる領域に、第１ビア８０９を確実に形成することができる。これにより、レーザ８９１を照射する際に極端に正確な位置精度を必要とすることなく、第１主面層２７１を、チップ抵抗器１００の外部の導電層である第１導電層８０４に接合することができる。

第１主面層２７１の第１方向Ｘ１における寸法を大きくできると、オーバーコート６における第１メッキ電極２７から露出している領域を、小さくすることができる。そのため、レーザ８９１が誤ってオーバーコート６に照射してしまいオーバーコート６が損傷することを、防止できる。

図１１に示したように、本実施形態においては、第２補助電極３５は、第２主面電極３１よりも、第２方向Ｘ２側に位置する部位を有する。このような構成によると、上述したのと同様の理由により、レーザ８９１を照射する際に極端に正確な位置精度を必要とすることなく、第２主面層３７１を、チップ抵抗器１００の外部の導電層である第２導電層８０５に接合することができる。このような構成によっても、オーバーコート６における第２メッキ電極３７から露出している領域を小さくできる。そのため、レーザ８９１が誤ってオーバーコート６に照射してしまいオーバーコート６が損傷することを、防止できる。

一般に、メッキを施す電極の面積が大きいほど、メッキの形状を所望の形状に形成しやすい。本実施形態においては、第１補助電極２５の第１方向Ｘ１における寸法を大きくできるため、第１補助電極２５を覆う第１メッキ電極２７の形状を所望の形状に形成しやすい。同様に、第２補助電極３５の第２方向Ｘ２における寸法を大きくできるため、第２補助電極３５を覆う第２メッキ電極３７の形状を所望の形状に形成しやすい。

図１０に示したように、本実施形態においては、第１メッキ電極２７は、オーバーコート６よりも、方向Ｚ１側に位置する部位を有している。このような構成によると、たとえばノズルでチップ抵抗器１００の主面１１側を吸着する場合、ノズルは、第１メッキ電極２７の主面１１側の部分（すなわち第１主面層２７１）に当接し、オーバーコート６に直接当接しにくい。特に、従来のように電極の幅が小さく、オーバーコートが露出する幅が大きい場合に比べて、ノズルがオーバーコート６に当接しにくい。オーバーコート６を直接吸着した状態でマウントが行われると、マウント時にチップに加わる応力が大きくなり割れやすくなるが、本実施形態ではノズルがオーバーコート６に当接しにくいので、チップ抵抗器１００の割れの発生を抑制できる。また本実施形態では、上述のように、第１主面層２７１の第１方向Ｘ１における寸法を大きくできる。そのため、ノズルが、主面１１側を吸着したチップ抵抗器１００をマウント対象にマウントする場合、チップ抵抗器１００における基材１のより内側に力がかかる。そのため、基材１を折る力を減少させることができ、基材１が折れたり割れたりする不具合を抑制できる。

図１１に示したように、本実施形態においては、第２メッキ電極３７は、オーバーコート６よりも、方向Ｚ１側に位置する部位を有している。このような構成によると、上述したのと同様の理由により、基材１が折れたり割れたりする不具合を更に抑制できる。

本実施形態においては、第１補助電極２５は、第１メッキ電極２７に覆われ、オーバーコート６に接する第１補助電極表面２５１を有する。オーバーコート６は、方向Ｚ１側を向くオーバーコート表面６１を有する。第１補助電極表面２５１は、オーバーコート表面６１と面一、もしくは、オーバーコート表面６１よりも主面１１側に位置する。このような構成によると、オーバーコート表面６１を覆う第１メッキ電極２７の図１０の上面の位置を、過度に高くする必要がない。これは、方向Ｚ１におけるチップ抵抗器１００の寸法を小さくするのに適する。

本実施形態においては、第２補助電極３５は、第２メッキ電極３７に覆われ、オーバーコート６に接する第２補助電極表面３５１を有する。第２補助電極表面３５１は、オーバーコート表面６１と面一、もしくは、オーバーコート表面６１よりも主面１１側に位置する。このような構成は、上述したのと同様に、方向Ｚ１におけるチップ抵抗器１００の寸法を小さくするのに適する。

本実施形態においては、第１補助電極表面２５１のうち、第１主面電極２１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部分は全て、オーバーコート表面６１の最も方向Ｚ１側の端部の位置との差（図１０、図１３における高低差）が、方向Ｚ１において０〜１０μｍの範囲内にある。好ましくは、第１補助電極表面２５１のうち、第１主面電極２１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部分は全て、オーバーコート表面６１の最も方向Ｚ１側の端部の位置との差（図１０、図１３における高低差）が、方向Ｚ１において０〜６μｍの範囲内にある。すなわち、第１補助電極表面２５１のうち、第１主面電極２１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部分は、ほぼ平坦である。このような構成によると、第１メッキ電極２７における第１主面層２７１の上面を平坦にすることができる。第１主面層２７１の上面を平坦にできると、第１主面層２７１と充填樹脂基板８０３との間に不要な隙間が生じることを防止できる。同様に、第２主面層３７１と充填樹脂基板８０３との間に不要な隙間が生じることを防止できる。

本実施形態において基材１は、主面１１とは反対側を向く裏面１２を有する。チップ抵抗器１００は、第１裏面電極２３と第２裏面電極３３とを備える。第１裏面電極２３は、裏面１２に形成され、第１メッキ電極２７に覆われている。第２裏面電極３３は、裏面１２に形成され、第２メッキ電極３７に覆われている。このような構成によると、図１８に示したように、第１メッキ電極２７のうち、第１裏面電極２３を覆う部分（第１裏面層２７３）を、第１導電層８０４に接合することができる。そのため、チップ抵抗器１００は、図１５に示したように、第１主面層２７１を第１導電層８０４に接合でき、且つ、図１８に示したように、第１裏面層２７３を第１導電層８０４に接合することもできる。同様に、チップ抵抗器１００は、図１５に示したように、第２主面層３７１を第２導電層８０５に接合でき、且つ、図１８に示したように、第２裏面層３７３を第２導電層８０５に接合することもできる。すなわち、チップ抵抗器１００は、表裏の区別なく、充填樹脂基板８０３内に配置することができる。従来のように電極の幅が裏面のみ広い場合、チップ抵抗器の実装方向が決まっているので、図１８のように、チップ抵抗器の裏面側からレーザを照射して内蔵基板の表面と導通をとる必要がある。しかし、図１５のように、チップの表面側から導通をとる場合もあり、その両方の場合に対応できるように、従来は、裏面が上を向いて収納されたものと、表面が上を向いて収納されたものの２種類テーピングを提供していた。ここで、本実施形態では、同じチップ抵抗器１００で表裏いずれの側から導通させる場合でも対応できるので、テーピングは１種類で済み、従来のようにテーピングを２種類用意する必要がない。

また、チップ抵抗器１００に対して充填樹脂基板８０３の表面側および裏面側の両方を導通させるような使い方も可能である。つまり、図１５において、第２主面層３７１側（第１主面層２７１側）だけでなく、第２裏面層３７３側（第１裏面層２７３側）にもビアが設けられ、基板の裏面と導通をとるような構造である。このような使い方も従来の構造ではできない。

次に、図１９、図２０を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図１９、図２０は、本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。

図１９、図２０に示すように、本実施形態は、第１メッキ電極２７が第１層２７６および第２層２７７を含む点、および、第２メッキ電極３７が第１層３７６および第２層３７７を含む点、において、上述の実施形態とは異なる。本実施形態におけるその他の点は上述の実施形態と同一であるから、上述の実施形態における符号と同一の符号を付して、説明を省略する。

図１９に示すように、第１層２７６は、第２層２７７と第１補助電極２５との間に介在している部分を有する。本実施形態において第１層２７６は、第１補助電極２５と、第１側面電極２２と、第１裏面電極２３とに積層されている。本実施形態において第１層２７６は、オーバーコート６と、基材１とに直接接している。第１層２７６の厚さは、たとえば、２〜７μｍである。第１層２７６は、たとえばＮｉよりなる。第１層２７６はメッキによって形成される。

第２層２７７は、第１層２７６に積層されている。本実施形態においては、第２層２７７の厚さは、第１層２７６の厚さよりも厚い。第２層２７７の厚さは、たとえば、５〜１５μｍである。第２層２７７は、たとえば、Ｃｕ、Ａｕ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる。第２層２７７は、メッキによって形成される。

図２０に示すように、第１層３７６は、第２層３７７と第２補助電極３５との間に介在している部分を有する。本実施形態において第１層３７６は、第２補助電極３５と、第２側面電極３２と、第２裏面電極３３とに積層されている。本実施形態において第１層３７６は、オーバーコート６と、基材１とに直接接している。第１層３７６の厚さは、たとえば、２〜７μｍである。第１層３７６は、たとえばＮｉよりなる。第１層３７６はメッキによって形成される。

第２層３７７は、第１層３７６に積層されている。本実施形態においては、第２層３７７の厚さは、第１層３７６の厚さよりも厚い。第２層３７７の厚さは、たとえば、５〜１５μｍである。第２層３７７は、たとえば、Ｃｕ、Ａｕ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる。第２層３７７は、メッキによって形成される。

チップ抵抗器１０１の厚さを、チップ抵抗器１００の厚さと同程度に維持するためには、本実施形態の基材１１の厚さを、図１０等に示したチップ抵抗器１００における基材１１の厚さよりも、たとえば１０μｍ程度薄くすることが好ましい。

本実施形態によると、図１〜図１８を参照して説明した実施形態の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。

本実施形態のチップ抵抗器１０１は、テーピング梱包されて、運搬される。テーピング梱包する際に、チップ抵抗器１０１を配置するテープの下部に磁石が配置されることがある。本実施形態においては、Ｎｉは強磁性体であるから、チップ抵抗器１０１をテープに配置する際、Ｎｉよりなる第１層２７６，３７６に磁性を帯びさせることができる。そのため、磁力を用いて、テープ上にて複数のチップ抵抗器１０１を整列させることができる。

なお、第１メッキ電極２７が第１層２７６および第２層２７７を含む構成を、図１３に示したチップ抵抗器１００に採用してもよい。同様に、第２メッキ電極３７が第１層３７６および第２層３７７を含む構成を、図１４に示したチップ抵抗器１００に採用してもよい。本実施形態のチップ抵抗器１０１を、図１５、図１８に示した電子デバイス８００におけるチップ抵抗器１００に代えて用いてもよい。

図２１〜図２４は、本発明の実施形態の変形例にかかるチップ抵抗器の部分拡大断面図である。

図２１、図２２に示すチップ抵抗器２００は、第１裏面電極２３および第２裏面電極３３が印刷によって形成されている点において、第１実施形態にかかるチップ抵抗器１００と異なる。チップ抵抗器２００のその他の点は、チップ抵抗器１００と同様であるから、説明を省略する。なお、チップ抵抗器２００では、第１側面電極２２はスパッタによって形成される。本変形例では、第１側面電極２２は、スパッタによって、第１主面電極２１と、基材１の第１側面１３と、第１裏面電極２５の側面と、第１補助電極２５の側面と、のみに形成されている。なお、チップ抵抗器２００では、第２側面電極３２はスパッタによって形成される。本変形例では、第２側面電極３２は、スパッタによって、第２主面電極３１と、基材１の第２側面１４と、第２裏面電極３５の側面と、第２補助電極３５の側面と、のみに形成されている。

本変形例のチップ抵抗器２００はチップ抵抗器１００の変形例として示したが、第１裏面電極２３および第２裏面電極３３が印刷によって形成される構成を、第２実施形態にかかるチップ抵抗器１０１の変形例として採用してもよい。

図２３、図２４に示すチップ抵抗器２０１は、第１補助電極２５および第２補助電極３５がスパッタによって形成されている点において、第１実施形態にかかるチップ抵抗器１００と異なる。この場合、第１補助電極２５の厚みはオーバーコート６の厚みなどよりも大分小さいので、第１メッキ電極２７の表面の形状は、第１主面電極２１の表面およびオーバーコート６の表面を反映した形状となる。同様に、第２補助電極３５の厚みはオーバーコート６の厚みなどよりも大分小さいので、第２メッキ電極３７の表面の形状は、第２主面電極３１の表面およびオーバーコート６の表面を反映した形状となる。本変形例においては、第１側面電極２２と、第１裏面電極２３と、第２側面電極３２と、第２裏面電極３３とを、スパッタによって形成するとよい。

本変形例のチップ抵抗器２０１はチップ抵抗器１００の変形例として示したが、第１補助電極２５および第２補助電極３５がスパッタによって形成されている構成を、第２実施形態にかかるチップ抵抗器１０１の変形例として採用してもよい。また、チップ抵抗器２００と、チップ抵抗器２０１と、を組み合わせてもよい。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。上述した説明では、抵抗体４が第１方向Ｘ１に沿って延びる一つの帯状である例を示したが、抵抗体４が、第１方向Ｘ１に沿って延びる複数の帯状のものであってもよい。また、図１２に示すように本実施形態では個片化をダイシングにより行った例を示したが、基材１にブレイク溝を予め設けておき、溝に沿ってブレイクすることにより個片化を行ってもよい。

８００ 電子デバイス
８０３ 充填樹脂基板
８０４ 第１導電層
８０５ 第２導電層
８０６，８０７，８０８ コア材
８０９ 第１ビア
８１０ 第２ビア
１００，１０１，２００，２０１ チップ抵抗器
１ 基材
１１ 主面
１２ 裏面
１３ 第１側面
１４ 第２側面
１５ 第３側面
１６ 第４側面
２ 第１電極部
２１ 第１主面電極
２２ 第１側面電極
２３ 第１裏面電極
２５ 第１補助電極
２５１ 第１補助電極表面
２５９ 部位
２７ 第１メッキ電極
２７１ 第１主面層
２７２ 第１側面層
２７３ 第１裏面層
２７６ 第１層
２７７ 第２層
３ 第２電極部
３１ 第２主面電極
３２ 第２側面電極
３３ 第２裏面電極
３５ 第２補助電極
３５１ 第２補助電極表面
３５９ 部位
３７ 第２メッキ電極
３７１ 第２主面層
３７２ 第２側面層
３７３ 第２裏面層
３７６ 第１層
３７７ 第２層
４ 抵抗体
５ アンダーコート
６ オーバーコート
６１ オーバーコート表面
６１１ 平坦面
６１２ 第１曲面
６１３ 第２曲面
７９ トリミング溝
Ｘ１ 第１方向
Ｘ２ 第２方向
Ｙ１ 方向
Ｚ１ 方向
８９１ レーザ
８９３ 導電材料
Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ３１，Ｌ３２ 寸法

Claims (22)

1. 主面を有する基材と、
   前記主面に形成された第１主面電極と、
   前記主面に形成され、前記第１主面電極に対し第１方向に離間している第２主面電極と、
   前記主面に形成され、前記第１主面電極および前記第２主面電極に接する抵抗体と、
   前記抵抗体、前記第１主面電極、および前記第２主面電極を覆うオーバーコートと、
   前記第１主面電極および前記オーバーコートを覆う第１補助電極と、
   前記第１補助電極を覆う第１メッキ電極と、を備え、
   前記第１補助電極は、前記第１主面電極よりも、前記第１方向側に位置する部位を有する、チップ抵抗器。
2. 前記第１メッキ電極は、前記オーバーコートよりも、前記主面の向く方向側に位置する部位を有する、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記第１補助電極は、前記第１メッキ電極に覆われ、前記オーバーコートに接する補助電極表面を有し、
   前記オーバーコートは、前記主面の向く方向と同一方向側を向くオーバーコート表面を有し、
   前記補助電極表面は、前記オーバーコート表面と面一、もしくは、前記オーバーコート表面よりも前記主面側に位置する、請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記補助電極表面のうち、前記第１主面電極よりも前記第１方向側に位置する部分は全て、前記オーバーコート表面の最も前記主面の向く方向側の端部の位置との差が、前記主面の向く方向において０〜１０μｍの範囲内にある、請求項３に記載のチップ抵抗器。
5. 前記補助電極表面のうち、前記第１主面電極よりも前記第１方向側に位置する部分は全て、前記オーバーコート表面の最も前記主面の向く方向側の端部の位置との差が、前記主面の向く方向において０〜６μｍの範囲内にある、請求項３に記載のチップ抵抗器。
6. 前記第２主面電極および前記オーバーコートを覆う第２補助電極と、
   前記第２補助電極を覆う第２メッキ電極と、を備え、
   前記第２補助電極は、前記第２主面電極よりも、前記第１方向とは反対の第２方向側に位置する部位を有する、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
7. 前記基材は、前記主面とは反対側を向く裏面を有し、
   前記裏面に形成され、前記第１メッキ電極に覆われた第１裏面電極と、
   前記裏面に形成され、前記第２メッキ電極に覆われた第２裏面電極と、を更に備える、請求項６に記載のチップ抵抗器。
8. 前記第１メッキ電極は、前記主面側に位置する主面層を含み、
   前記主面層は、前記第１裏面電極よりも前記第１方向側に位置している部位を有する、請求項７に記載のチップ抵抗器。
9. 前記主面層の前記第１方向における寸法は、２００〜２６０μｍである、請求項８に記載のチップ抵抗器。
10. 前記第１メッキ電極は、前記裏面側に位置する裏面層を含み、
    前記裏面層は、前記第１補助電極よりも前記第１方向側に位置している部位を有する、請求項７ないし請求項９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
11. 前記裏面層の前記第１方向における寸法は、２００〜２６０μｍである、請求項１０に記載のチップ抵抗器。
12. 前記基材は、前記第１方向とは反対の第２方向を向く側面を有し、
    前記側面を覆う側面電極を更に備え、
    前記第１メッキ電極は、前記側面電極を覆っている、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
13. 前記側面電極は、スパッタによって形成されている、請求項１２に記載のチップ抵抗器。
14. 前記第１メッキ電極は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる、請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
15. 前記第１メッキ電極は、第１層および第２層を含み、
    前記第１層は、前記第２層と前記第１補助電極との間に介在している部分を有する、請求項１４に記載のチップ抵抗器。
16. 前記第１層は、Ｎｉよりなり、前記第２層は、Ｃｕ、Ａｕ、およびＳｎの少なくともいずれかよりなる、請求項１５に記載のチップ抵抗器。
17. 前記抵抗体と前記オーバーコートとの間に介在するアンダーコートを更に備える、請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
18. 請求項１ないし請求項１４、請求項１７のいずれかに記載のチップ抵抗器と、
    前記チップ抵抗器を包囲している充填樹脂基板と、を備える、電子デバイス。
19. 前記充填樹脂基板には、ビアが形成され、
    前記ビアを規定する内面に形成された導電層を更に備え、
    前記導電層は、前記第１メッキ電極に直接接している、請求項１８に記載の電子デバイス。
20. 前記導電層は、前記第１メッキ電極のうち、前記基材の前記主面側に位置する部位に直接接している、請求項１９に記載の電子デバイス。
21. 前記導電層は、前記第１メッキ電極のうち、前記基材の前記主面とは反対側の裏面側に位置する部位に直接接している、請求項１９に記載の電子デバイス。
22. 前記導電層および前記第１メッキ電極は、いずれもＣｕよりなる、請求項１９ないし請求項２１のいずれかに記載の電子デバイス。

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