JP2011199188A

JP2011199188A - チップ抵抗器

Info

Publication number: JP2011199188A
Application number: JP2010066821A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Yogo; 良幸余語
Original assignee: Taiyosha Electric Co Ltd
Current assignee: Taiyosha Electric Co Ltd
Priority date: 2010-03-23
Filing date: 2010-03-23
Publication date: 2011-10-06

Abstract

【課題】部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器であって、レーザーによりビアホールを形成する際に、抵抗体や保護膜が損傷するおそれがなく、また、レーザーを照射する際に極端に正確な位置精度が要求されないチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】一対の電極部３０における一方の下面側の部分である下面側電極部３１ａ他方の下面側の部分である下面側電極部３１ｂとが、略同一の大きさを有するとともに、互いに略同一形状（又は略点対称の形状）を有し、下面側電極部３１ａの面積である第１面積と、下面側電極部３１ｂの面積である第２面積と、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積である第３面積との合計面積における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であり、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔が６０μｍ以上となっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、チップ抵抗器に関するものである。

従来より、部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器が存在する。このようなチップ抵抗器としては、絶縁基板の表面に、一対の上面電極と一対の上面電極間を接続する抵抗体とが設けられ、さらに、抵抗体を被覆する保護膜とが設けられ、側面電極と下面電極が設けられていないものが存在する。

そのようなチップ抵抗器は、部品内蔵形プリント基板にチップ抵抗器を上面電極側を外側として配置し、絶縁性樹脂を充填した後に、該絶縁性樹脂にレーザーで逆円錐台形状のビアホールを形成し、ビアホールの内側に銅メッキからなるビアホール導体を形成することにより、上面電極とビアホール導体とを接続する。

なお、特許文献１には、その実施例１の基板内蔵型チップ形抵抗器においては、基板と、基板の上面全体に設けられた酸化膜と、酸化膜の上面に形成された抵抗膜と、抵抗膜の上面に形成された表電極下層膜及び表電極上層膜と、抵抗膜を被覆する保護膜とを有し、実施例２の基板内蔵型チップ形抵抗器においては、基板と、基板上の両端に形成された表電極下層膜と、表電極下層膜間に形成された抵抗膜と、抵抗膜を被覆する保護膜と、表電極上層膜とを有し、表電極にバイアホール導体（ビアホール導体）を接続する点が記載されている。

また、従来の汎用のチップ抵抗器５０５は、図１３のように構成され、絶縁基板２１０と、抵抗体２２０と、一対の電極部２３０と、カバーコート（一次コート）２７０と、保護膜（二次コート）２８０とを有し、一対の電極部２３０における各電極部２３０は、上面電極２３２と、下面電極２４０と、側面電極２５０と、メッキ２６０とを有している。メッキ２６０は、ニッケルメッキ２６２と、錫メッキ（又はハンダメッキ）２６４とから構成されている。ここで、一方の電極部２３０における下面側の部分が下面側電極部２３１ａとなり、他方の電極部２３０における下面側の部分が下面側電極部２３１ｂとなる。

特開２００４−１４０２８５号公報

しかし、上記従来の部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器においては、レーザーでビアホールを形成する際に、保護膜や抵抗体をレーザーで損傷させるおそれがある。また、保護膜や抵抗体をレーザーで損傷させないためには上面電極の領域に正確にレーザーを照射する必要がある。上面電極は抵抗体の両側にあるため広く形成できず、極端に正確な位置精度が要求されるが、また、充填する絶縁性樹脂は透明ではないため、上面電極の領域に正確にレーザーを照射することができないという問題があった。

また、仮に、図１３に示すような従来の汎用チップ抵抗器を基板内蔵型チップ抵抗器として使用し、下面電極側を外側として部品内蔵型プリント基板に配置して実装する場合には、チップ抵抗器の下面電極の大きさが十分ではなく、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度が要求されるという問題があった。

すなわち、図１４に示すように、下面側電極部２３１ａの面積をＲ１、下面側電極部２３１ｂの面積をＲ２、絶縁基板２１０における下面側電極部２３１ａと下面側電極部２３１ｂ間の領域の面積をＲ３とした場合に、（Ｒ１＋Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３）は、３０〜５０％であることから、下面電極の領域に正確にレーザーを照射することができないという問題があった。

そこで、本発明は、部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器であって、レーザーによりビアホールを形成する際に、抵抗体や保護膜が損傷するおそれがなく、また、レーザーを照射する際に極端に正確な位置精度が要求されないチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、絶縁基板と、該絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられ抵抗体と接続した一対の電極部である第１電極部と第２電極部とを有するチップ抵抗器であって、該一対の電極部における第１電極部と第２電極部とが、それぞれ、抵抗体と接続し、絶縁基板の上面に設けられた上面電極と、絶縁基板の下面に設けられた下面電極と、上面電極及び下面電極と接続し、絶縁基板の側面に設けられた側面電極と、側面電極の表面に形成されたメッキで、最も外側に厚さが８〜３０μｍの銅メッキを有するメッキと、を有し、第１電極部における下面側の部分である第１下面側電極部と第２電極部における下面側の部分である第２下面側電極部とが、略同一の大きさを有するとともに、互いに略同一形状又は略点対称の形状を有し、第１下面側電極部の面積である第１面積と、第２下面側電極部の面積である第２面積と、第１下面側電極部と第２下面側電極部間の領域の面積である第３面積との合計面積における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であり、第１下面側電極部と第２下面側電極部間の間隔が６０μｍ以上であることを特徴とする。

この第１の構成のチップ抵抗器においては、第１面積と第２面積と第３面積の合計における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であるので、レーザーの照射領域を十分に確保することができ、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

また、第１下面側電極部と第２下面側電極部間の間隔が６０μｍ以上であるので、１つのレーザーを照射した際に第１下面側電極部と第２下面側電極部の両方に跨ってレーザーが照射されるおそれがなく、その意味でも、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

また、メッキにおける銅メッキは、８〜３０μｍの厚みに形成されているので、レーザーが照射されても、銅メッキの内側の部分が損傷することがなく、また、ビアホールに銅メッキを行う前に酸処理を行う際に、酸性の液体がニッケルメッキにまで浸食することがない。

また、チップ抵抗器の抵抗体側を下側にして部品内蔵型プリント基板に実装することにより、抵抗体をレーザーにより損傷させてしまうことがない。

また、第２には、上記第１の構成において、第１下面側電極部の第２下面側電極部側の辺部である第１辺部と第２下面側電極部の第１下面側電極部側の辺部である第２辺部とが、電極間方向と直角方向に対して傾斜して形成され、第１下面側電極部と第２下面側電極部とが互いに略点対称に形成されていることを特徴とする。

この第２の構成のチップ抵抗器においては、第１辺部と第２辺部とが電極間方向と直角方向に対して傾斜して形成され、第１下面側電極部と第２下面側電極部とが略点対称に形成されているので、第１下面側電極部側に形成されるビアホールの位置と第２下面側電極部側に形成されるビアホールの位置との間の距離が長くなり、その分、一対のビアホール導体の間に回路を実装する場合の実装密度を高くすることが可能となる。また、第１下面側電極部と第２下面側電極部とが点対称であるが線対称には形成されていないので、いわゆるアベック不良を防止して、メッキを良好に行うことが可能となる。

また、第３には、上記第１又は第２の構成において、上記チップ抵抗器が、多連チップ抵抗器であり、上記一対の電極部が複数設けられていることを特徴とする。

また、第４の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、前記第１から第３までのいずれかの構成において、第１下面側電極部と第２下面側電極部間に絶縁膜が形成されていることを特徴とするものとしてもよい。

本発明に基づくチップ抵抗器によれば、第１面積と第２面積と第３面積の合計における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であるので、レーザーの照射領域を十分に確保することができ、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

また、メッキにおける銅メッキは、８〜３０μｍの厚みに形成にされているので、レーザーが照射されても、銅メッキの内側の部分が損傷することがなく、また、ビアホールに銅メッキを行う前に酸処理を行う際に、酸性の液体がニッケルメッキにまで浸食することがない。

実施例１におけるチップ抵抗器を示す図であり、（ａ）は（ｂ）におけるＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は平面図であり、（ｃ）は底面図である。実施例１のチップ抵抗器の作用を説明するための説明図である。実施例１のチップ抵抗器の使用状態を説明するための説明図である。実施例１のチップ抵抗器の使用状態を説明するための説明図である。実施例１の他の例におけるチップ抵抗器を示す図であり、（ａ）は（ｂ）におけるＢ−Ｂ断面図であり、（ｂ）は平面図であり、（ｃ）は底面図である。実施例２におけるチップ抵抗器を示す図であり、（ａ）は（ｂ）におけるＣ−Ｃ断面図であり、（ｂ）は平面図であり、（ｃ）は底面図である。実施例２のチップ抵抗器の作用を説明するための説明図である。実施例３におけるチップ抵抗器を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は底面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。実施例３と実施例４におけるチップ抵抗器の断面図であり、図８のＤ−Ｄ断面を示すとともに、図１１のＥ−Ｅ断面を示す図である。実施例３のチップ抵抗器の作用を説明するための説明図である。実施例４におけるチップ抵抗器を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は底面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ断面図である。実施例４のチップ抵抗器の作用を説明するための説明図である。従来のチップ抵抗器を示す図であり、（ａ）は（ｂ）におけるＦ−Ｆ断面図であり、（ｂ）は底面図である。従来のチップ抵抗器を説明するための説明図である。

本発明においては、部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器であって、レーザーによりビアホールを形成する際に、抵抗体や保護膜が損傷するおそれがなく、また、レーザーを照射する際に極端に正確な位置精度が要求されないチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。なお、図面において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。

本発明に基づくチップ抵抗器５は、部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器であり、図１に示すように構成され、絶縁基板（基板）１０と、抵抗体２０と、一対の電極部３０と、カバーコート（一次コート）７０と、保護膜（二次コート）８０と、を有している。なお、チップ抵抗器５における平面視の大きさとしては、長辺が１．０ｍｍ〜０．６ｍｍ、短辺が０．５ｍｍ〜０．３ｍｍとなっていて、具体的には、長辺が１．０ｍｍで短辺が０．５ｍｍ（１００５タイプ）、長辺が０．６ｍｍで短辺が０．３ｍｍ（０６０３タイプ）等が挙げられる。

ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器５の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。なお、絶縁基板１０の大きさは、チップ抵抗器５の上記大きさに対応した大きさとなっていて、具体的には、１００５タイプや０６０３タイプに対応した大きさとなっている。また、絶縁基板１０の厚みは、２００μｍ以下（具体的には、８０〜１００μｍ）に形成され、通常のチップ抵抗器よりも薄く形成されている。

また、抵抗体２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の上面に層状に設けられ、長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）（電極間方向（抵抗体２０における一対の上面電極３２との接続位置を結ぶ方向、他においても同じ）、通電方向としてもよい））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。この抵抗体２０の電極間方向の端部は絶縁基板１０の端部まで形成されていて、抵抗体２０の電極間方向の長さは、絶縁基板１０の電極間方向の長さと同じとなっている。なお、抵抗体２０の端部を絶縁基板１０の端部にまで形成せず、抵抗体２０の電極間方向の端部と絶縁基板１０の電極間方向の端部との間には所定の間隔が形成されるようにしてもよい。また、抵抗体２０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは絶縁基板の幅方向の長さよりも短く、抵抗体２０の幅方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の幅方向の端部と絶縁基板１０の幅方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。この抵抗体２０は、図１に示すように、全体に方形状（具体的には、長方形状）を呈し、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成されている。

また、電極部３０は、絶縁基板１０における電極間方向の端部にそれぞれ設けられ、上面電極３２と、補助電極３４と、下面電極４０と、側面電極５０と、メッキ６０とを有している。

上面電極３２は、抵抗体２０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に層状に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極３２は、抵抗体２０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極３２は、抵抗体２０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極３２の幅方向の長さは、抵抗体２０の幅方向の長さと略同一に形成されている。なお、上面電極３２の幅方向の長さを抵抗体２０の幅方向の長さよりも大きく、絶縁基板１０の幅方向の幅よりも小さく形成して、上面電極３２と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されるようにしてもよく、また、上面電極３２を絶縁基板１０の幅方向の幅と略同一に形成してもよい。この上面電極３２は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、上面電極３２は、抵抗体２０の端部領域の上面に積層している。つまり、上面電極３２の全ての領域が抵抗体２０の上面に積層している。なお、抵抗体２０が絶縁基板１０の電極間方向の端部にまで形成されていない場合には、上面電極３２における外側の領域（絶縁基板１０の端部（電極間方向の端部）側の領域）は、絶縁基板１０の上面に形成される。なお、その場合に、抵抗体を上面電極の上面に積層させてもよい。

また、補助電極３４は、上面電極３２の上面と絶縁基板１０とに積層して形成され、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の補助電極３４は、上面電極３２及び絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さ（上面電極３２の電極間方向の長さよりも短い長さ）に形成されているとともに、他方の補助電極３４は、上面電極３２及び絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さ（上面電極３２の電極間方向の長さよりも短い長さ）に形成されている。また、補助電極３４の幅方向の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。この補助電極３４は、具体的には、樹脂銀系厚膜（樹脂と銀粉末とを含む樹脂銀系厚膜）により形成されている。この補助電極３４は、側面電極５０をスパッタ法により形成する際に、一次分割して得た短冊状基板を積み重ねた状態で金属粒子を側方から流入させるが、チップ抵抗器の平面視における上面電極３２が形成されていない領域（図１（ｂ）を例にとると、上面電極３２のＹ１側の領域とＹ２側の領域）から金属粒子が内側に侵入するのを防止し、平面視における側面電極５０の端部の直線性を保つために形成されている。

また、下面電極４０は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向の両端部領域に層状に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。この一対の下面電極４０は対称形状（下面側から見て線対称）かつ点対称に形成されていて、特に、電極間方向の長さは略同一に形成されている。

この下面電極４０の長さ（電極間方向の長さ）は、後述するように、一方の電極部３０の下面側の部分である下面側電極部３１ａの面積Ｒ１と、他方の電極部３０の下面側の部分である下面側電極部３１ｂの面積Ｒ２と、絶縁基板１０の下面側における下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積Ｒ３の合計面積における面積Ｒ１と面積Ｒ２の合計の割合（つまり、（Ｒ１＋Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３））が７５〜９０％となり、また、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔Ｓ１が６０μｍ以上となるような大きさに形成されている。この下面電極４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、側面電極５０は、補助電極３４と、保護膜８０の一部と、下面電極４０の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極５０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極５０は、薄膜（ＮｉＣｒ系薄膜）により形成されている。

また、メッキ６０は、側面電極５０の外側と下面電極４０の露出領域の外側に側面電極５０と下面電極４０の露出部分とを被覆して形成されている。つまり、メッキ６０は、側面電極５０の外側と下面電極４０の露出領域の外側に側面電極５０と下面電極４０の露出部分とを被覆して形成されたニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）６２と、ニッケルメッキ６２の外側にニッケルメッキ６２を被覆して形成された銅メッキ（Ｃｕメッキ）６４とから構成されている。つまり、チップ抵抗器５の電極部３０の表面にメッキ６０が設けられていて、内側層がニッケルメッキ６２で、外側層が銅メッキ６４となっていて、銅メッキ６４が最も外側に設けられて外部に露出している。ニッケルメッキ６２と銅メッキ６４とは、それぞれ略均一の厚膜に形成されている。ニッケルメッキ６２と銅メッキ６４は、例えば、電気メッキにより形成される。なお、メッキ６０の保護膜８０側の端部は、保護膜８０に積層している。

ここで、ニッケルメッキ６２は、４〜１２μｍの厚みに形成され、また、銅メッキ６４は、８〜３０μｍの厚みに形成されている。すなわち、銅メッキ６４は、レーザー照射前の酸処理やレーザービアを形成する際にレーザーが照射された場合でもレーザーが銅メッキ６４の内側のニッケルメッキ６２に到達しないように、厚く形成されている。

上記一対の電極部３０において、一方の電極部３０の下面側の部分（厳密には、絶縁基板１０の下面よりも下側の部分）を下面側電極部（第１下面側電極部）３１ａとし、他方の電極部３０の下面側の部分（厳密には、絶縁基板１０の下面よりも下側の部分）を下面側電極部（第２下面側電極部）３１ｂとした場合に、下面側から視認した場合に、下面側電極部３１ａの領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ１、下面側電極部３１ｂの領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ２、絶縁基板１０の下面側における下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ３とし（図２参照）、面積Ｒ１と面積Ｒ２と面積Ｒ３の合計面積における面積Ｒ１と面積Ｒ２の合計の割合（つまり、（Ｒ１＋Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３））が７５〜９０％となり、また、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔Ｓ１が６０μｍ以上に形成されている。この下面側電極部３１ａ、３１ｂは、下面電極４０と、側面電極５０の一部（下端部分）と、メッキ６０の一部（下端部分）を含むものである。なお、一対の電極部３０において、下面側電極部３１ａの下面側電極部３１ｂ側の辺部（第１辺部）３１ａ−１と下面側電極部３１ｂの下面側電極部３１ａ側の辺部（第２辺部）３１ｂ−１とは互いに略平行に形成されている。

また、電極部３０の上端（保護膜８０側の端部）の高さは、保護膜８０の上端の高さ以上の高さとなっていて、電極部３０は、保護膜８０よりも上方に突出しているか、又は、同じ高さとなっている。

また、カバーコート７０は、抵抗体２０の上面に層状に形成され、抵抗体２０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成される。このカバーコート７０は、電極間方向には、抵抗体２０の長さよりも短く形成され、上面電極３２に接しないように形成され、トリミング溝形成位置の領域を被覆するように形成されていて、これにより、抵抗体２０は、上面電極３２とカバーコート７０により被覆される。また、カバーコート７０の幅方向の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成する。このカバーコート７０は、ガラス系材料により形成され、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。なお、抵抗体２０とカバーコート７０には、トリミング溝８５が形成されている。

また、保護膜８０は、カバーコート７０と、抵抗体２０の一部（露出部分）と、上面電極３２の一部（露出部分）を被覆するように設けられている。この保護膜８０の形成位置をさらに詳しく説明すると、幅方向には、絶縁基板１０の幅と略同一に形成され、さらに、電極間方向には、絶縁基板１０の長さよりも短く形成されていて、上面電極３２の内側の領域に積層し、補助電極３４の内側の端部に接する程度の長さに形成されていて、平面視において略方形状に形成されている。この保護膜８０は、エポキシ樹脂系厚膜により形成されている。以上のように、保護膜８０は、主として、抵抗体２０を保護するものである。なお、保護膜８０の厚み（最大厚み）は、２０〜４０μｍとなっている。

上記構成のチップ抵抗器５の製造方法について説明すると、まず、アルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシート（含有率９６％程度のアルミナを含有するグリーンシート）を予め焼成したものである）（基板素体）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する（下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。なお、この下面電極の形成に際しては、一枚のスクリーンで縦横に複数個印刷する。その後、アルミナ基板の裏側（下面電極形成側）に一次スリットと二次スリットを形成する。この一次スリットと二次スリットは基板分割用のスリットである。

次に、アルミナ基板の表側に一次スリットと二次スリット（この一次スリットと二次スリットは基板分割用のスリットである）を形成し、上記アルミナ基板の上面に抵抗体２０を形成する（抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペースト（例えば、酸化ルテニウム系ペースト（具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト））を印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体２０を形成する。

次に、アルミナ基板の上面に上面電極３２を形成する（上面電極形成工程）。すなわち、上面電極ペーストをその一部が抵抗体に積層するように印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）である。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。

次に、トリミングによる抵抗値調整の前にカバーコート７０を形成する。つまり、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート７０を形成する。この場合、カバーコート７０は、電極間方向とは直角の方向であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成して、チップ抵抗器複数個分のカバーコートを帯状に連続して形成してもよい。

次に、抵抗体２０にトリミング溝を形成してトリミングを行なうことにより抵抗値を調整する（抵抗体調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体２０にトリミング溝を形成する。

次に、保護膜８０を形成する（保護膜形成工程）。つまり、カバーコート７０の全体と抵抗体２０の露出部分と上面電極３２の一部（内側の領域）とを覆うように保護膜を形成する。つまり、保護膜用ペースト（エポキシ系の樹脂ペースト）を印刷し、乾燥・硬化させる。この場合、保護膜は、電極間方向とは直角の方向である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成する。

次に、上面電極３２と絶縁基板１０の上面に補助電極３４を形成する（補助電極形成工程）。すなわち、補助電極ペーストを上面電極と上面電極の両側の絶縁基板に積層するように印刷し、乾燥・焼成する。この場合の補助電極ペーストは、樹脂銀系ペーストである。この銀系ペーストとしては、例えば、硬化温度が約２００℃の樹脂銀系ペーストとする。なお、一次スリットに沿って帯状に補助電極ペーストを印刷することにより、チップ抵抗器となった場合に複数個分のチップ抵抗器の補助電極を１つの印刷領域で帯状に連続して形成する。その際、隣接するチップ抵抗器の補助電極についても１つの印刷領域で印刷する。その後は、一次スリットに沿って一次分割して短冊状基板とする（一次分割工程）。

次に、上記短冊状基板に対して、側面電極５０を形成する（側面電極形成工程）。つまり、スパッタリングによりＮｉＣｒ系薄膜を形成することにより側面電極５０が形成される。

その後、二次スリットに沿って二次分割する（二次分割工程）。次に、メッキ６０を形成する（メッキ工程）。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、厚さが８〜３０μｍの銅メッキを形成する。以上のようにして、チップ抵抗器５を形成する。

本実施例のチップ抵抗器５の使用状態について説明すると、部品内蔵型プリント基板に実装して使用する。すなわち、図４を使用して部品内蔵型プリント基板への実装の例を説明する。部品内蔵型プリント基板６００は、平板状の絶縁基材６０２と絶縁基材６０２の一方の面に固定して設けられた枠状の絶縁性樹脂層６０４とから構成され、この絶縁性樹脂層６０４によりチップ抵抗器５を収納するための収納空間が区画して設けられている。なお、絶縁性樹脂層６０４の高さ方向の長さは、チップ抵抗器５の高さ方向の長さよりも長く形成され、チップ抵抗器５を収納空間に配置した場合に、チップ抵抗器５の上端が絶縁性樹脂層６０４の上端よりも下側となる。また、枠状の絶縁性樹脂層６０４の外周部分６０４ａは、外周部分６０４ａより内側に形成された内側部分（仕切りを構成する部分）６０４ｂよりも高く形成されている。

まず、部品内蔵型プリント基板６００の収納空間にチップ抵抗器５を配置する（図４（ａ））。その際、チップ抵抗器５の上側（つまり、抵抗体２０側）を下側としたフェースダウンの状態で配置する。

その後、チップ抵抗器５が配置された部品内蔵型プリント基板６００に絶縁性樹脂を流し込み硬化させて、図４（ｂ）のように充填樹脂層６０６を形成する。その際、枠状の絶縁性樹脂層６０４の外周部分６０４ａは内側部分６０４ｂよりも高く形成されているので、充填樹脂層６０６の上端を絶縁性樹脂層６０４の内側部分６０４ｂの上端よりも高く形成できる。

その後、充填樹脂層６０６の上方から下面側電極部３１ａ、３１ｂの領域にレーザーを照射することにより、図４（ｃ）に示すように、逆円錐台状の穴状のビアホール６０８を形成する。レーザーの照射範囲Ｌは、図３に示すように、下面側電極部３１ａ、３１ｂの中央になるようにする。

その後、ビアホール６０８の内側の面及び充填樹脂層６０６の上面を酸性の液体により酸処理を行い、その後、図４（ｄ）に示すように、ビアホール６０８の内側と充填樹脂層６０６の上面にビアホール導体６１０を銅メッキにより形成する。

上記構成のチップ抵抗器５においては、チップ抵抗器５の抵抗体２０側を下側にして部品内蔵型プリント基板に実装できるようになっているので、抵抗体２０や保護膜８０をレーザーにより損傷させてしまうことがない。

また、上記のように、下面側電極部３１ａの面積Ｒ１と下面側電極部３１ｂの面積Ｒ２と絶縁基板１０の下面側における下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積Ｒ３の合計面積における面積Ｒ１と面積Ｒ２の合計の割合（つまり、（Ｒ１＋Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３））が７５〜９０％となっているので、レーザーの照射領域を十分に確保することができ、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

例えば、０６０３タイプにおいては、上記割合を７５％とした場合には、１つの下面側電極部３１ａ（３１ｂ）の電極間方向の長さが２２５μｍとなり、照射されるレーザーの径は約５０μｍであるので、レーザーの照射領域を十分に確保することができる。また、上記割合を９０％とした場合には、１つの下面側電極部３１ａ（３１ｂ）の電極間方向の長さが２７０μｍとなり、照射されるレーザーの径は約５０μｍであるので、レーザーの照射領域を十分に確保することができる。

また、１００５タイプにおいては、上記割合を７５％とした場合には、１つの下面側電極部３１ａ（３１ｂ）の電極間方向の長さが３７５μｍとなり、上記割合を９０％とした場合には、１つの下面側電極部３１ａ（３１ｂ）の電極間方向の長さが４５０μｍとなるので、照射されるレーザーの径は約５０μｍであるので、レーザーの照射領域を十分に確保することができる。

また、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔Ｓ１が６０μｍ以上に形成されているので、１つのレーザーを照射した際に下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂの両方に跨ってレーザーが照射されるおそれがないので、その意味でも、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

なお、上記割合を９０％よりも大きくすると、間隔Ｓ１の長さを６０μｍ以上に確保しにくくなるので、上記割合は９０％以下とするのが好ましい。

また、メッキ６０における銅メッキ６４は、８〜３０μｍの厚みに形成にされているので、レーザーが照射されても、ニッケルメッキ６２やその内側の下面電極４０や側面電極５０が損傷することがない。

また、ビアホールに銅メッキを行う前に酸処理を行うが、メッキ６０における銅メッキ６４が８〜３０μｍの厚みに形成にされているので、酸性の液体がニッケルメッキ６２にまで浸食することがない。

なお、銅メッキ６４の厚みが８μｍ未満の場合には、レーザー照射によりニッケルメッキ６２等が損傷するおそれがあり、酸処理に際してニッケルメッキ６２にまで浸食するおそれがあり、一方、銅メッキ６４の厚みが３０μｍを超える場合には、８〜３０μｍの場合と比べて上記の効果に相違はなく、銅メッキ６４を必要以上に厚くしても、メッキ時間の点等でコスト増となってしまう。

なお、図５に示すチップ抵抗器１０５のように、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂの間に絶縁膜９０を設けるようにしてもよい。この絶縁膜９０は、樹脂系の絶縁体であり、樹脂系厚膜（例えば、エポキシ樹脂系厚膜）により形成されており、その厚みは、下面側電極部３１ａ、３１ｂの厚みＳ２よりも薄く形成され、１０〜３０μｍの厚みに形成されている。また、絶縁膜９０の長手辺の一方は下面側電極部３１ａに接していて、絶縁膜９０の長手辺の他方は下面側電極部３１ｂに接している。なお、絶縁膜９０は、エポキシ樹脂に限らず、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂における少なくともいずれか等の他の樹脂であってもよい。

このように絶縁膜９０を形成することにより、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂとが短絡するのを防止することができる。

なお、図５のチップ抵抗器１０５においては、絶縁膜９０を設けた点以外はチップ抵抗器５と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。

次に、実施例２のチップ抵抗器について説明する。実施例２のチップ抵抗器２０５は、図６に示すように、実施例１のチップ抵抗器５と略同様の構成であるが、下面側電極部の形状が略台形形状である点が異なる。

すなわち、図６に示すように、一対の下面電極４０における各下面電極４０は、略台形形状で互いに点対称かつ非線対称の形状を呈し、これにより、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂも略台形形状を呈し、互いに略点対称かつ非線対称の形状となっている。つまり、下面側電極部３１ａ（第１下面側電極部）の下面側電極部３１ｂ側の辺部（第１辺部）３１ａ−１と下面側電極部３１ｂ（第２下面側電極部）の下面側電極部３１ａ側の辺部（第２辺部）３１ｂ−１とは、電極間方向に対して傾斜するとともに電極間方向と直角方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に対して傾斜して形成されている。

なお、この実施例２においても、図７に示すように、下面側電極部３１ａの領域の面積をＲ１、下面側電極部３１ｂの領域の面積をＲ２、絶縁基板１０の下面側における下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積をＲ３とし、面積Ｒ１と面積Ｒ２と面積Ｒ３の合計面積における面積Ｒ１と面積Ｒ２の合計の割合（つまり、（Ｒ１＋Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３））が７５〜９０％となり、また、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔Ｓ１（図６参照）が６０μｍ以上に形成されている。なお、一対の電極部３０において、下面側電極部３１ａの下面側電極部３１ｂ側の辺部３１ａ−１と下面側電極部３１ｂの下面側電極部３１ａ側の辺部３１ｂ−１とは互いに略平行に形成されている。

実施例２のチップ抵抗器２０５における下面電極４０と下面側電極部３１ａ、３１ｂ以外の構成は実施例１のチップ抵抗器と同様であるので、詳しい説明を省略する。

実施例２の構成のチップ抵抗器２０５によれば、下面側電極部３１ａ、３１ｂが略台形形状を呈し、辺部３１ａ−１と辺部３１ｂ−１とが電極間方向と直角方向に対して傾斜して形成され、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂとが点対称に形成されていて、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂとが点対称かつ非線対称に形成されている（つまり、点対称であるが線対称に形成されていない）ので、下面側電極部３１ａ側に形成されるビアホールの位置と下面側電極部３１ｂ側に形成されるビアホールの位置との間の距離が、実施例１の場合に比べて長くなり、その分、一対のビアホール導体の間に回路を実装する場合の実装密度を高くすることが可能となる。つまり、レーザーによりビアホールを形成する場合には、下面側電極部３１ａ、３１ｂの中央に向けてレーザーを照射するが、そうすると、２つのビアホールの形成位置を結ぶ直線は、電極間方向に対して傾斜するので、その分２つのビアホール間の距離を長くすることができるのである。

また、実施例２のチップ抵抗器２０５においては、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂとが点対称かつ非線対称に形成されているので、実施例１の場合に比べてメッキを良好に行うことができる。つまり、実施例１においては、下面電極４０が線対称であるとともに点対称に形成されているので、２つのチップ抵抗器が下面電極４０形成側が対向した場合には、２つのチップ抵抗器において下面電極４０同士の接触面積が大きいのに対して、本実施例のチップ抵抗器においては、一対の下面電極４０は、点対称ではあるが線対称の形状ではないので、２つのチップ抵抗器が下面電極４０形成側が対向した場合の下面電極４０同士の接触面積は、実施例１の場合に比べて小さい。

すると、被メッキ素体（つまり、ニッケルメッキ６２を形成する場合には、ニッケルメッキ６２が形成されていない状態のチップ抵抗器であり、銅メッキ６４を形成する場合には、銅メッキ６４が形成されていない状態のチップ抵抗器）をバレルメッキ装置におけるメッキバレル内に導電性媒体（例えば、金属製の小球）や撹拌補助材（例えば、セラミックボール）とともに入れて、メッキ浴（メッキ液としてもよい）を入れたメッキ槽内で回転させ、メッキ槽内に設けられた陽極板と、メッキバレル内に設けられた金属陰極棒間に通電させてメッキを行う際に、２つのチップ抵抗器の下面電極同士が接着してしまう不良（いわゆるアベック不良）のおそれが、本実施例の場合には、実施例１の場合に比べて小さく、これにより、メッキを良好に行うことが可能となる。

なお、本実施例のチップ抵抗器２０５によれば、実施例１のチップ抵抗器５と同様に、チップ抵抗器２０５の抵抗体２０側を下側にして部品内蔵型プリント基板に実装できるようになっているので、抵抗体２０や保護膜８０をレーザーにより損傷させてしまうことがない。

また、下面側電極部３１ａの領域（ハッチングに示された領域）の面積Ｒ１と下面側電極部３１ｂの領域（ハッチングに示された領域）の面積Ｒ２と絶縁基板１０の下面側における下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域（ハッチングに示された領域）の面積Ｒ３の合計面積における面積Ｒ１と面積Ｒ２の合計の割合（つまり、（Ｒ１＋Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３））が７５〜９０％となっているので、レーザーの照射領域を十分に確保することができ、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

なお、実施例２のチップ抵抗器２０５において、図５に示すチップ抵抗器１０５と同様に、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂの間に絶縁膜を設けるようにしてもよい。この絶縁膜は、樹脂系の絶縁体であり、樹脂系厚膜（例えば、エポキシ樹脂系厚膜）により形成されており、その厚みは、下面側電極部３１ａ、３１ｂの厚みよりも薄く形成され、１０〜３０μｍの厚みに形成される。また、該絶縁膜の長手辺の一方は下面側電極部３１ａに接していて、絶縁膜の長手辺の他方は下面側電極部３１ｂに接している。なお、該絶縁膜は、エポキシ樹脂に限らず、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂における少なくともいずれか等の他の樹脂であってもよい。このように絶縁膜を形成することにより、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂとが短絡するのを防止することができる。

次に、実施例３のチップ抵抗器について説明する。実施例３のチップ抵抗器３０５は、実施例１のチップ抵抗器５と略同様の構成であるが、実施例３のチップ抵抗器３０５が多連チップ抵抗器である点が異なる。

チップ抵抗器３０５は、図８、図９に示すように構成され、絶縁基板（基板）１１０と、複数の抵抗体１２０と、複数対の電極部１３０と、カバーコート（一次コート）１７０と、保護膜（二次コート）１８０と、を有している。なお、チップ抵抗器３０５における平面視の大きさとしては、長辺が２．０ｍｍ〜１．２ｍｍ、短辺が１．０ｍｍ〜０．６ｍｍとなっていて、具体的には、長辺が１．４ｍｍで短辺が０．６ｍｍ（１４０６タイプ）等が挙げられる。

ここで、絶縁基板１１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１１０は、直方体形状を有している。なお、直方体形状における長手方向の側面に直方体形状の切欠部が設けられた形状を呈し、平面視において、長方形状の長手辺に沿って方形状の凹部を形成した形状を呈した形状としてもよい。

また、抵抗体１２０は、図９に示すように、絶縁基板１１０の上面に層状に設けられ、電極間方向（Ｘ１−Ｘ２方向）（抵抗体１２０における一対の上面電極１３２との接続位置を結ぶ方向、（他においても同じ）、通電方向としてもよい）に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。この電極間方向は、絶縁基板１１０においては、短手方向となる。この抵抗体１２０の電極間方向の端部は絶縁基板１１０の端部まで形成されていて、抵抗体１２０の電極間方向の長さは、絶縁基板１１０の電極間方向の長さと同じとなっている。なお、抵抗体１２０の端部を絶縁基板１１０の端部にまで形成せず、抵抗体１２０の電極間方向の端部と絶縁基板１１０の電極間方向の端部との間には所定の間隔が形成されるようにしてもよい。また、抵抗体１２０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、４つの抵抗体１２０を絶縁基板１１０の長手方向に間隔を介して配設可能な長さに形成されている。この抵抗体１２０は、図８に示すように、全体に方形状（具体的には、長方形状）を呈し、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成されている。

また、電極部１３０は、絶縁基板１１０における長手辺に沿って一対ずつ設けられ、図８に示す例では、計４対の電極部１３０が設けられている。つまり、１つの抵抗体１２０の両側に接続された２つの電極部１３０が一対の電極部となる。なお、絶縁基板１１０の長手方向の側面に切欠部を設けた場合には、切欠部が設けられている辺部における切欠部が設けられていない箇所（つまり、凸状部分）に、電極部が一対ずつ設けられる。絶縁基板１１０の長手辺に設けられた電極部１３０は、間隔を介して設けられている。

各電極部１３０は、上面電極１３２と、下面電極１４０と、側面電極１５０と、メッキ１６０とを有している。

上面電極１３２は、抵抗体１２０の上面の短手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図８、図９参照））の両端部領域に層状に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極１３２は、抵抗体１２０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極１３２は、抵抗体１２０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極１３２の幅方向の長さは、電極部１３０の幅方向の長さよりも短く形成されている。この上面電極１３２は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、上面電極１３２は、抵抗体１２０の端部領域の上面に積層している。つまり、上面電極１３２の全ての領域が抵抗体１２０の上面に積層している。なお、抵抗体１２０が絶縁基板１１０の電極間方向の端部にまで形成されていない場合には、上面電極１３２における外側の領域（絶縁基板１１０の端部（電極間方向の端部）側の領域）は、絶縁基板１１０の上面に形成される。なお、その場合に、抵抗体を上面電極の上面に積層させてもよい。なお、実施例１、２と異なり、補助電極は形成されていない。

また、下面電極１４０は、図９に示すように、上記絶縁基板１１０の下面の両端部領域に層状に一対形成されていて、一方の下面電極１４０は、絶縁基板１１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成され、他方の下面電極１４０は、絶縁基板１１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。

この下面電極１４０の長さ（電極間方向の長さ）は、後述するように、一対の電極部１３０において、一方の電極部１３０の下面側の部分である下面側電極部１３１ａの面積と、他方の電極部１３０の下面側の部分である下面側電極部１３１ｂの面積と、絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域の面積の合計面積における下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積の合計の割合が７５〜９０％となり、また、下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の間隔Ｓ１１が６０μｍ以上となるような大きさに形成されている。この下面電極１４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、側面電極１５０は、上面電極１３２の一部と、保護膜１８０の一部と、下面電極１４０の一部と、絶縁基板１１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極１５０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極１５０は、実施例１の側面電極５０と同様の構成であり、薄膜（ＮｉＣｒ系薄膜）により形成されている。

また、メッキ１６０は、実施例１のメッキ６０と同様の構成であり、側面電極１５０の外側と下面電極１４０の露出領域の外側に側面電極１５０と下面電極１４０の露出部分とを被覆して形成されている。つまり、メッキ１６０は、側面電極１５０の外側と下面電極１４０の露出領域の外側に側面電極１５０と下面電極１４０の露出部分とを被覆して形成されたニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）１６２と、ニッケルメッキ１６２の外側にニッケルメッキ１６２を被覆して形成された銅メッキ（Ｃｕメッキ）１６４とから構成されている。つまり、チップ抵抗器３０５の電極部１３０の表面にメッキ１６０が設けられていて、内側層がニッケルメッキ１６２で、外側層が銅メッキ１６４となっていて、銅メッキ６１４が最も外側に設けられて外部に露出している。ニッケルメッキ１６２と銅メッキ１６４とは、それぞれ略均一の厚膜に形成されている。ニッケルメッキ１６２と銅メッキ１６４は、例えば、電気メッキにより形成される。なお、メッキ１６０の保護膜１８０側の端部は、保護膜１８０に積層している。

ここで、ニッケルメッキ１６２は、４〜１２μｍの厚みに形成され、また、銅メッキ１６４は、８〜３０μｍの厚みに形成されている。すなわち、銅メッキ１６４は、レーザー照射前の酸処理やレーザービアを形成する際にレーザーが照射された場合でもレーザーが銅メッキ１６４の内側のニッケルメッキ１６２に到達しないように、厚く形成されている。

上記各一対の電極部１３０において、一方の電極部１３０の下面側の部分を下面側電極部１３１ａとし、他方の電極部１３０の下面側の部分を下面側電極部１３１ｂとした場合に、下面側から視認した場合に、下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積と絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域の面積との合計面積における下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積合計の割合が、７５〜９０％であり、下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の間隔Ｓ１１が６０μｍ以上となっている。

つまり、図８（ｂ）における最も左側の一対の電極部１３０を例にとると、下面側から視認した場合に、下面側電極部１３１ａの領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ１１、下面側電極部１３１ｂの領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ１２、絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ１３とし（図１０参照）、面積Ｒ１１と面積Ｒ１２と面積Ｒ１３の合計面積における面積Ｒ１１と面積Ｒ１２の合計の割合（つまり、（Ｒ１１＋Ｒ１２）／（Ｒ１１＋Ｒ１２＋Ｒ１３））が７５〜９０％となっている。

また、同様に、図８（ｂ）における左側から２番目の一対の電極部１３０を例にとると、下面側から視認した場合に、下面側電極部１３１ａの領域の面積をＲ２１、下面側電極部１３１ｂの領域の面積をＲ２２、絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域の面積をＲ２３とし（図１０参照）、面積Ｒ２１と面積Ｒ２２と面積Ｒ２３の合計面積における面積Ｒ２１と面積Ｒ２２の合計の割合（つまり、（Ｒ２１＋Ｒ２２）／（Ｒ２１＋Ｒ２２＋Ｒ２３））が７５〜９０％となっている。

なお、一対の電極部１３０において、下面側電極部１３１ａの下面側電極部１３１ｂ側の辺部（第１辺部）１３１ａ−１と下面側電極部１３１ｂの下面側電極部１３１ａ側の辺部（第２辺部）１３１ｂ−１とは互いに略平行に形成されている。

また、電極部１３０の上端（保護膜１８０側の端部）の高さは、保護膜１８０の上端の高さ以上の高さとなっていて、電極部１３０は、保護膜１８０よりも上方に突出しているか、又は、同じ高さとなっている。

また、カバーコート１７０は、抵抗体１２０の上面に層状に形成され、抵抗体１２０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成される。このカバーコート１７０の形成位置は、幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）には、絶縁基板１１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一に形成され、電極間方向には、図９に示すように、抵抗体１２０の長さよりも短く形成され、上面電極１３２に接しないように形成され、トリミング溝形成位置の領域を被覆するように形成されていて、これにより、抵抗体１２０は、上面電極１３２とカバーコート１７０により被覆される。つまり、カバーコート１７０は、Ｙ１−Ｙ２方向に帯状に形成されている。このカバーコート１７０は、ガラス系材料により形成され、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。なお、抵抗体１２０とカバーコート１７０には、トリミング溝１８５が形成されている。

また、保護膜１８０は、カバーコート１７０と、抵抗体１２０の一部（露出部分）と、上面電極１３２の一部（露出部分）とを被覆するように設けられている。この保護膜１８０の形成位置をさらに詳しく説明すると、幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）には、絶縁基板１１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一に形成され、さらに、電極間方向には、絶縁基板１１０の長さよりも短く形成されていて、上面電極１３２の内側の領域に積層する程度の長さに形成されていて、平面視において略方形状に形成されている。つまり、保護膜１８０は、Ｙ１−Ｙ２方向に帯状に形成されている。この保護膜１８０は、エポキシ樹脂系厚膜により形成されている。以上のように、保護膜１８０は、主として、抵抗体１２０を保護するものである。なお、保護膜１８０の厚み（最大厚み）は、２０〜４０μｍとなっている。

上記構成のチップ抵抗器３０５の製造方法について説明すると、まず、アルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシート（含有率９６％程度のアルミナを含有するグリーンシート）を予め焼成したものである）（基板素体）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する（下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。なお、この下面電極の形成に際しては、一枚のスクリーンで縦横に複数個印刷する。その後、アルミナ基板の裏側（下面電極形成側）に一次スリットと二次スリットを形成する。この一次スリットと二次スリットは基板分割用のスリットである。

次に、アルミナ基板の表側に一次スリットと二次スリット（この一次スリットと二次スリットは基板分割用のスリットである）を形成し、アルミナ基板の上面に抵抗体１２０を形成する（抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペースト（例えば、酸化ルテニウム系ペースト（具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト））を印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体１２０を形成する。なお、一次スリットと二次スリットで囲まれたチップ抵抗器１つ分の領域には、当然複数個（図８の例では、４つ）の抵抗体１２０を形成する。

次に、アルミナ基板の上面に上面電極１３２を形成する（上面電極形成工程）。すなわち、上面電極ペーストをその一部が抵抗体に積層するように印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）である。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。

次に、上記アルミナ基板の上面及び一対の上面電極１３２の上面に抵抗体１２０を形成する（抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペースト（例えば、酸化ルテニウム系ペースト（具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト））を印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体１２０を形成する。

次に、トリミングによる抵抗値調整の前にカバーコート１７０を形成する。つまり、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート１７０を形成する。この場合、カバーコート１７０は、電極間方向とは直角の方向であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成して、チップ抵抗器複数個分のカバーコートを帯状に連続して形成してもよい。

次に、抵抗体１２０にトリミング溝を形成してトリミングを行なうことにより抵抗値を調整する（抵抗体調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体１２０にトリミング溝を形成する。

次に、保護膜１８０を形成する（保護膜形成工程）。つまり、カバーコート１７０の全体と抵抗体１２０の露出部分と上面電極１３２の一部（内側の領域）とを覆うように保護膜を形成する。つまり、保護膜用ペースト（エポキシ系の樹脂ペースト）を印刷し、乾燥・硬化させる。この場合、保護膜は、電極間方向とは直角の方向である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成する。その後は、一次スリットに沿って一次分割して短冊状基板とする（一次分割工程）。

次に、上記短冊状基板に対して、側面電極１５０を形成する（側面電極形成工程）。つまり、スパッタリングによりＮｉＣｒ系薄膜を形成することにより側面電極１５０が形成される。

その後、二次スリットに沿って二次分割する（二次分割工程）。次に、メッキ１６０を形成する（メッキ工程）。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、厚さが８〜３０μｍの銅メッキを形成する。以上のようにして、チップ抵抗器３０５を形成する。

本実施例のチップ抵抗器３０５の使用状態は、１つのチップ抵抗器３０５について４対のビアホールを形成して、ビアホールの内側と充填樹脂層の上面にビアホール導体を銅メッキにより形成する点以外は、実施例１における使用状態と同様であるので、詳しい説明を省略する。

つまり、図４（ｃ）においては、各チップ抵抗器において４対のビアホールを形成し、図４（ｄ）においては、形成したビアホールと充填樹脂層の上面にビアホール導体を形成するのである。

上記構成のチップ抵抗器３０５においては、チップ抵抗器３０５の抵抗体１２０側を下側にして部品内蔵型プリント基板に実装できるようになっているので、抵抗体１２０や保護膜１８０をレーザーにより損傷させてしまうことがない。

また、上記のように、下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積と絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積の合計面積における下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積の合計の割合が７５〜９０％となっているので、レーザーの照射領域を十分に確保することができ、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

例えば、１４０６タイプにおいては、上記割合を７５％とした場合には、１つの下面側電極部１３１ａ（１３１ｂ）の電極間方向の長さが２２５μｍとなり、照射されるレーザーの径は約５０μｍであるので、レーザーの照射領域を十分に確保することができる。また、上記割合を９０％とした場合には、１つの下面側電極部１３１ａ（１３１ｂ）の電極間方向の長さが２７０μｍとなり、照射されるレーザーの径は約５０μｍであるので、レーザーの照射領域を十分に確保することができる。

また、下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の間隔Ｓ１１が６０μｍ以上に形成されているので、１つのレーザーを照射した際に下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂの両方に跨ってレーザーが照射されるおそれがないので、その意味でも、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

また、メッキ１６０における銅メッキ１６４は、８〜３０μｍの厚みに形成にされているので、レーザーが照射されても、ニッケルメッキ１６２やその内側の下面電極１４０や側面電極１５０が損傷することがない。

また、ビアホールに銅メッキを行う前に酸処理を行うが、メッキ１６０における銅メッキ１６４が８〜３０μｍの厚みに形成にされているので、酸性の液体がニッケルメッキ１６２にまで浸食することがない。

また、図５に示すチップ抵抗器１０５と同じ要領で、一対の電極部１３０を構成する下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂの間に絶縁膜を設けるようにしてもよい。このように絶縁膜を形成することにより、下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂとが短絡するのを防止することができる。

次に、実施例４のチップ抵抗器について説明する。実施例４のチップ抵抗器４０５は、図１１に示すように、実施例３のチップ抵抗器３０５と略同様の構成であるが、下面側電極部の形状が略台形形状である点が異なる。

すなわち、図９、図１１に示すように、一対の下面電極１４０（つまり、抵抗体１２０を介して電気的に接続された一対の下面電極１４０）における各下面電極１４０は、略台形形状で互いに点対称かつ非線対称の形状を呈し、これにより、一対の電極部１３０における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂも略台形形状を呈し、互いに点対称かつ非線対称の形状となっている。つまり、下面側電極部１３１ａ（第１下面側電極部）の下面側電極部１３１ｂ側の辺部（第１辺部）１３１ａ−１と下面側電極部１３１ｂ（第２下面側電極部）の下面側電極部１３１ａ側の辺部（第２辺部）１３１ｂ−１とは、電極間方向に対して傾斜するとともに電極間方向と直角方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に対して傾斜して形成されている。

なお、チップ抵抗器４０５の断面形状（図１１におけるＥ−Ｅ断面）は、図９に示すように構成されている。

なお、この実施例４においても、一方の電極部１３０の下面側の部分を下面側電極部１３１ａとし、他方の電極部１３０の下面側の部分を下面側電極部１３１ｂとした場合に、下面側から視認した場合に、下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積と絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域の面積との合計面積における下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積合計の割合が、７５〜９０％であり、下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の間隔Ｓ１１が６０μｍ以上となっている。

例えば、図１１（ｂ）における最も左側の一対の電極部１３０を例にとると、図１２に示すように、下面側から視認した場合に、下面側電極部１３１ａの領域の面積をＲ１１、下面側電極部１３１ｂの領域の面積をＲ１２、絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域の面積をＲ１３とし（図１２参照）、面積Ｒ１１と面積Ｒ１２と面積Ｒ１３の合計面積における面積Ｒ１１と面積Ｒ１２の合計の割合（つまり、（Ｒ１１＋Ｒ１２）／（Ｒ１１＋Ｒ１２＋Ｒ１３））が７５〜９０％となっている。

また、同様に、図１１（ｂ）における左側から２番目の一対の電極部１３０を例にとると、図１２に示すように、下面側から視認した場合に、下面側電極部１３１ａの領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ２１、下面側電極部１３１ｂの領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ２２、絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域（ハッチングに示された領域）の面積をＲ２３とし（図１２参照）、面積Ｒ２１と面積Ｒ２２と面積Ｒ２３の合計面積における面積Ｒ２１と面積Ｒ２２の合計の割合（つまり、（Ｒ２１＋Ｒ２２）／（Ｒ２１＋Ｒ２２＋Ｒ２３））が７５〜９０％となっている。

実施例４のチップ抵抗器４０５における下面電極１４０と下面側電極部１３１ａ、１３１ｂ以外の構成は実施例３のチップ抵抗器と同様であるので、詳しい説明を省略する。

実施例４の構成のチップ抵抗器４０５によれば、下面側電極部１３１ａ側に形成されるビアホールの位置と下面側電極部１３１ｂ側に形成されるビアホールの位置との間の距離が、実施例３の場合に比べて長くなるので、その分、一対のビアホール導体の間に回路を実装する場合の実装密度を高くすることが可能となる。つまり、実施例２と同様の理由で、レーザーによりビアホールを形成する場合には、下面側電極部１３１ａ、１３１ｂの中央に向けてレーザーを照射するが、そうすると、２つのビアホールの形成位置を結ぶ直線は、電極間方向に対して傾斜するので、その分２つのビアホール間の距離を長くすることができるのである。

また、実施例４のチップ抵抗器４０５においては、下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂとが点対称かつ非線対称に形成されているので、実施例３の場合に比べてメッキを良好に行うことができる。つまり、実施例２の場合と同様の理由で、２つのチップ抵抗器が下面電極１４０形成側が対向した場合の下面電極１４０同士の接触面積は、実施例３の場合に比べて小さいので、メッキに際して、アベック不良のおそれを実施例３に比べて小さくすることができる。

なお、実施例４のチップ抵抗器４０５においても、チップ抵抗器４０５の抵抗体１２０側を下側にして部品内蔵型プリント基板に実装できるようになっているので、抵抗体１２０や保護膜１８０をレーザーにより損傷させてしまうことがない。

また、下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積と絶縁基板１１０の下面側における下面側電極部１３１ａと下面側電極部１３１ｂ間の領域の面積の合計面積における下面側電極部１３１ａの面積と下面側電極部１３１ｂの面積の合計の割合が７５〜９０％となっているので、レーザーの照射領域を十分に確保することができ、レーザーの照射に当たって極端に正確な位置精度を要求されない。

５、１０５、２０５、３０５、４０５チップ抵抗器
１０、１１０絶縁基板
２０、１２０抵抗体
３０、１３０電極部
３１ａ、３１ｂ、１３１ａ、１３１ｂ下面側電極部
３２、１３２上面電極
３４補助電極
４０、１４０下面電極
５０、１５０側面電極
６０、１６０メッキ
６２、１６２ニッケルメッキ
６４、１６４銅メッキ
７０、１７０カバーコート

Claims

絶縁基板と、該絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられ抵抗体と接続した一対の電極部である第１電極部と第２電極部とを有するチップ抵抗器であって、
該一対の電極部における第１電極部と第２電極部とが、それぞれ、
抵抗体と接続し、絶縁基板の上面に設けられた上面電極と、
絶縁基板の下面に設けられた下面電極と、
上面電極及び下面電極と接続し、絶縁基板の側面に設けられた側面電極と、
側面電極の表面に形成されたメッキで、最も外側に厚さが８〜３０μｍの銅メッキを有するメッキと、を有し、
第１電極部における下面側の部分である第１下面側電極部と第２電極部における下面側の部分である第２下面側電極部とが、略同一の大きさを有するとともに、互いに略同一形状又は略点対称の形状を有し、
第１下面側電極部の面積である第１面積と、第２下面側電極部の面積である第２面積と、第１下面側電極部と第２下面側電極部間の領域の面積である第３面積との合計面積における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であり、
第１下面側電極部と第２下面側電極部間の間隔が６０μｍ以上であることを特徴とするチップ抵抗器。
第１下面側電極部の第２下面側電極部側の辺部である第１辺部と第２下面側電極部の第１下面側電極部側の辺部である第２辺部とが、電極間方向と直角方向に対して傾斜して形成され、第１下面側電極部と第２下面側電極部とが互いに略点対称に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
上記チップ抵抗器が、多連チップ抵抗器であり、上記一対の電極部が複数設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。