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  1. 酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜を介して、重なる領域を有するゲート電極と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、粒子を有し、
    前記粒子は、酸化インジウムを有することを特徴とする半導体装置。
  2. 酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜を介して、重なる領域を有するゲート電極と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、粒子を有し、
    前記粒子は、酸化インジウムを有し、
    前記酸化物半導体層は、インジウムと酸素とが引き抜かれた部分を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記粒子は、前記ゲート絶縁膜側にあることを特徴とする半導体装置。
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