JP6219468B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6219468B2 JP6219468B2 JP2016176490A JP2016176490A JP6219468B2 JP 6219468 B2 JP6219468 B2 JP 6219468B2 JP 2016176490 A JP2016176490 A JP 2016176490A JP 2016176490 A JP2016176490 A JP 2016176490A JP 6219468 B2 JP6219468 B2 JP 6219468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- electrode
- semiconductor layer
- region
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 132
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 25
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
る技術が注目されている。例えば、特許文献1及び特許文献2には、酸化物半導体として
、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Zn(亜鉛)を含む酸化物(以下「IGZO
」と呼ぶ)を用いてトランジスタを形成し、形成されたトランジスタを用いて表示装置を
作製することが開示されている。
えば、オン電流が低いという恐れがある。
半導体トランジスタを提供することを課題の一とする。
酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層中のチャネル形成
領域と、ゲート絶縁膜を挟んで重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層中のソース領
域及びドレイン領域に重畳するソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴とする
半導体装置に関する。
ウムと酸素が結合し、酸化インジウム(In2O3)の結晶体が粒子としてIGZO中に
存在する酸化物半導体層である。
ある。IGZOを構成する一部のインジウムと酸素から、絶縁体に近い酸化インジウムの
粒子が形成されると、当該IGZOに電荷の偏りが生じる。すなわち、IGZOのうち、
酸化インジウムの粒子は絶縁体に近く、酸化インジウムの粒子を形成するためインジウム
と酸素が引き抜かれた部分は、他の部分と比べて導電性が高くなる。また酸化インジウム
の粒子は、酸化物半導体層中に散在しているため、キャリアの移動を妨げない。以上から
、酸化インジウムの粒子がIGZO中に存在する酸化物半導体層は、高い導電性を有する
こととなる。
物半導体層として用いると、キャリアの移動度が向上し、酸化物半導体トランジスタのオ
ン電流が高くなる。
ゲート絶縁膜を挟んで当該ゲート電極に重畳し、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化
物及び酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層中のソース
領域及びドレイン領域上に設けられたソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴
とする半導体装置に関する。
ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、当該ゲート絶縁膜を挟んで
、当該ゲート電極、並びに、当該ソース電極及びドレイン電極上に設けられた、インジウ
ム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物及び酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層とを
有することを特徴とする半導体装置に関する。
ムの粒子を有する酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層中のソース領域及びドレイン領
域上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、当該酸化物半導体層、当該ソース電極
及びドレイン電極を覆うゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜を挟んで、当該酸化物半導体
層中のチャネル形成領域上に設けられたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装
置に関する。
ン電極上に、ソース領域及びドレイン領域が重畳するように設けられた、インジウム、ガ
リウム、亜鉛を含む酸化物及び酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層と、当該酸
化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜を挟んで、当該酸化物半導体層中
のチャネル形成領域上に設けられたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置に
関する。
ンジスタを提供することができる。
、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書
に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限
定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機
能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
する素子及び装置全般を指し、電子回路、表示装置、発光装置等を含む電気装置およびそ
の電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。
るために、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示す
る発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
が設けられ、下地絶縁膜102上に形成されたゲート電極103と、下地絶縁膜102及
びゲート電極103を覆うゲート絶縁膜104と、ゲート絶縁膜104を挟んでゲート電
極103と重畳し、活性層として機能する酸化物半導体層105と、酸化物半導体層10
5のソース領域及びドレイン領域上に形成されたソース電極及びドレイン電極として機能
する電極106a及び電極106bとを有する。
層105の下に形成されているボトムゲート型であり、なおかつ、ソース電極及びドレイ
ン電極として機能する電極106a及び電極106bが酸化物半導体層105の上に形成
されているトップコンタクト型である。
半導体層105の領域(すなわちチャネル形成領域)が、エッチング等で他の領域より膜
厚が薄くなっている。このようにチャネル形成領域の膜厚が薄いトランジスタを、チャネ
ルエッチ型トランジスタと呼ぶこととする。図1(A)に示す酸化物半導体トランジスタ
101は、チャネルエッチ型トランジスタだけでなく、チャネル形成領域上に保護絶縁膜
を形成する、チャネル保護型トランジスタであってもよい。
が設けられ、下地絶縁膜112上に形成されたゲート電極113と、下地絶縁膜112及
びゲート電極113を覆うゲート絶縁膜114と、ゲート絶縁膜114上に設けられソー
ス電極及びドレイン電極として機能する電極116a及び電極116bと、ゲート絶縁膜
114を挟んでゲート電極113上に設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能
する電極116a及び電極116b上に設けられ、活性層として機能する酸化物半導体層
115とを有する。
電極116bは、ゲート電極113と重畳していないが、必要であれば、電極116aの
一部及び電極116bの一部は、ゲート絶縁膜114を介して、それぞれゲート電極11
3に重畳していてもよい。
層115の下に形成されているボトムゲート型であり、なおかつ、ソース電極及びドレイ
ン電極として機能する電極116a及び電極116bが酸化物半導体層115の一部の下
に形成されているボトムコンタクト型である。
が設けられ、下地絶縁膜202上に形成された、活性層として機能する酸化物半導体層2
03と、酸化物半導体層203上に形成されたソース電極及びドレイン電極として機能す
る電極204a及び電極204bと、酸化物半導体層203、電極204a及び電極20
4b上のゲート絶縁膜206と、ゲート絶縁膜206を挟んで酸化物半導体層203のチ
ャネル形成領域209上の重畳する位置に設けられたゲート電極207とを有する。
層203の上に形成されているトップゲート型であり、なおかつ、ソース電極及びドレイ
ン電極として機能する電極204a及び電極204bが酸化物半導体層203の上に形成
されているトップコンタクト型である。
領域208bは、ソース領域及びドレイン領域として機能する。
ネル形成領域209及び領域208bとの間には領域211bが設けられており、オフセ
ット領域として機能する。
が設けられ、下地絶縁膜222上に形成された、ソース電極及びドレイン電極として機能
する電極224a及び電極224bと、活性層として機能し、電極224a及び電極22
4bそれぞれの上にソース領域及びドレイン領域が重畳するように設けられた酸化物半導
体層223と、酸化物半導体層223、電極224a及び電極224b上のゲート絶縁膜
226と、ゲート絶縁膜226を挟んで酸化物半導体層223のチャネル形成領域229
上の重畳する位置に設けられたゲート電極227を有する。
電極224bは、ゲート電極227と重畳していないが、必要であれば、電極224aの
一部及び電極224bの一部は、酸化物半導体層223及びゲート絶縁膜226を介して
、それぞれゲート電極227に重畳していてもよい。
層223の上に形成されているトップゲート型であり、なおかつ、ソース電極及びドレイ
ン電極として機能する電極224a及び電極224bが酸化物半導体層223の下に形成
されているボトムコンタクト型である。
8a及び領域228bは、ソース領域及びドレイン領域として機能する。
ネル形成領域229及び領域228bとの間には領域231bが設けられており、オフセ
ット領域として機能する。
化物半導体トランジスタ111の酸化物半導体層115、図2(A)の酸化物半導体トラ
ンジスタ201の酸化物半導体層203、図2(B)の酸化物半導体トランジスタ221
の酸化物半導体層223は、IGZO及び酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層
である。
ZOを構成する一部のインジウムと酸素が結合し、酸化インジウム(In2O3)の結晶
体が粒子としてIGZO中に存在する酸化物半導体層である。
ある。IGZOを構成する一部のインジウムと酸素から、絶縁体に近い酸化インジウムの
粒子が形成されると、当該IGZOに電荷の偏りが生じる。すなわち、IGZOのうち、
酸化インジウムの粒子は絶縁体に近く、酸化インジウムの粒子を形成するためインジウム
と酸素が引き抜かれた部分は、他の部分と比べて導電性が高い。また酸化インジウムの粒
子は、酸化物半導体層に散在しているため、キャリアの移動を妨げない。以上から、酸化
インジウムの粒子がIGZO中に存在する酸化物半導体層は、高い導電性を有する。
導体トランジスタは、導電性が高い。導電性が高い酸化物半導体トランジスタは、例えば
オン電流が高いという利点を有する。
真である。
にて成膜した。
icroscopy−Fast Fourier Transform:TEM−FFT
)にて解析したところ、粒子は酸化インジウムであることが明らかになった。以下に粒子
が酸化インジウムであることを説明する。
スポット位置を解析できる。これにより、結晶の面間隔や結晶面方位を解析することがで
きる。
の面間隔を得た。酸化物半導体層中の粒子のd値として、A:0.501nm、B:0.
265nm、C:0.302nmが得られた(図4参照)。酸化インジウム(In2O3
)のd値は、A:0.506nm、B:0.270nm、C:0.320nmであるので
、粒子の成分が酸化インジウム(In2O3)であることが示唆された。
レイン電流(Id)及びゲート電圧(Vg)の関係を示す。
・トップコンタクト型の酸化物半導体トランジスタ101である。図5で用いた酸化物半
導体トランジスタ101において、下地絶縁膜102は、窒化珪素膜膜厚100nmに酸
窒化珪素膜膜厚150nmを積層したものを用いた。ゲート電極103は、タングステン
(W)膜膜厚100nmを用いた。ゲート絶縁膜104は、酸素を含む窒化珪素膜膜厚1
00nmを用いた。
)、アルゴンに対する酸素(O2)流量比=50%、基板温度150℃で成膜した。また
上記条件で成膜後、窒素雰囲気中350℃で1時間焼成後、窒素及び酸素雰囲気中350
℃で1時間焼成した酸化物半導体層(図5、図7、図9、図11)、並びに、窒素雰囲気
中450℃で1時間焼成後、窒素及び酸素雰囲気中450℃で1時間焼成した酸化物半導
体層(図6、図8、図10、図12)を酸化物半導体層105とした。
nm、チタン膜膜厚100nmの積層した積層膜を用いて形成した。
び50μm(図7及び図8)、6μm及び50μm(図9及び図10)、並びに、10μ
m及び50μm(図11及び図12)の酸化物半導体トランジスタを作製した。
500nmで酸化物半導体トランジスタ101を覆うように形成した。
に多少バラツキのあるものの、それぞれ高いオン電流を示した。よって本実施の形態によ
り、オン電流の高い良好な酸化物半導体トランジスタを得ることができた。
101 酸化物半導体トランジスタ
102 下地絶縁膜
103 ゲート電極
104 ゲート絶縁膜
105 酸化物半導体層
106a 電極
106b 電極
110 基板
111 酸化物半導体トランジスタ
112 下地絶縁膜
113 ゲート電極
114 ゲート絶縁膜
115 酸化物半導体層
116a 電極
116b 電極
200 基板
201 酸化物半導体トランジスタ
202 下地絶縁膜
203 酸化物半導体層
204a 電極
204b 電極
206 ゲート絶縁膜
207 ゲート電極
208a 領域
208b 領域
209 チャネル形成領域
211a 領域
211b 領域
220 基板
221 酸化物半導体トランジスタ
222 下地絶縁膜
223 酸化物半導体層
224a 電極
224b 電極
226 ゲート絶縁膜
227 ゲート電極
228a 領域
228b 領域
229 チャネル形成領域
231a 領域
231b 領域
Claims (1)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のインジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極と重なる第1の領域と、前記ドレイン電極と重なる第2の領域と、前記第1の領域および前記第2の領域の間の第3の領域と、を有し、
前記酸化物半導体層の前記第3の領域における膜厚は、前記第1の領域における膜厚及び前記第2の領域における膜厚よりも小さく、
前記酸化物半導体層は、インジウムと酸素とを有する粒子を有し、
前記酸化物半導体層は、インジウムと酸素とが引き抜かれた部分を有し、
前記粒子は、前記酸化物半導体層に散在していることを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011178799 | 2011-08-18 | ||
JP2011178799 | 2011-08-18 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012165293A Division JP6006572B2 (ja) | 2011-08-18 | 2012-07-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017011292A JP2017011292A (ja) | 2017-01-12 |
JP6219468B2 true JP6219468B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=47711996
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012165293A Active JP6006572B2 (ja) | 2011-08-18 | 2012-07-26 | 半導体装置 |
JP2016176490A Expired - Fee Related JP6219468B2 (ja) | 2011-08-18 | 2016-09-09 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012165293A Active JP6006572B2 (ja) | 2011-08-18 | 2012-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9614095B2 (ja) |
JP (2) | JP6006572B2 (ja) |
KR (1) | KR20130020582A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI686874B (zh) | 2014-12-26 | 2020-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法 |
CN106158857B (zh) * | 2015-04-21 | 2020-12-22 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
CN106558538B (zh) * | 2015-09-18 | 2019-09-13 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
Family Cites Families (111)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
EP2246894B2 (en) | 2004-03-12 | 2018-10-10 | Japan Science and Technology Agency | Method for fabricating a thin film transistor having an amorphous oxide as a channel layer |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
JP5118812B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
RU2358354C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Светоизлучающее устройство |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP4560505B2 (ja) | 2005-11-08 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
KR101358954B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치 |
US7998372B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-08-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5213421B2 (ja) | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体薄膜トランジスタ |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
WO2010029865A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010153802A (ja) | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR101658256B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2016-09-20 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 복합 산화물 소결체 및 그것으로 이루어지는 스퍼터링 타겟 |
US8330156B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer |
JP5328414B2 (ja) | 2009-02-25 | 2013-10-30 | 富士フイルム株式会社 | トップゲート型の電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置 |
JP2011139052A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
-
2012
- 2012-07-26 JP JP2012165293A patent/JP6006572B2/ja active Active
- 2012-08-07 US US13/568,451 patent/US9614095B2/en active Active
- 2012-08-14 KR KR1020120088767A patent/KR20130020582A/ko not_active Application Discontinuation
-
2016
- 2016-09-09 JP JP2016176490A patent/JP6219468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130043465A1 (en) | 2013-02-21 |
JP6006572B2 (ja) | 2016-10-12 |
JP2017011292A (ja) | 2017-01-12 |
JP2013058738A (ja) | 2013-03-28 |
US9614095B2 (en) | 2017-04-04 |
KR20130020582A (ko) | 2013-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8354715B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP4737471B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5668085B2 (ja) | セグメント化ゲートを有するパワートランジスタ | |
US20140091310A1 (en) | Semiconductor device using 2-dimensional electron gas and 2-dimensional hole gas and method of manufacturing the semiconductor device | |
US20150123199A1 (en) | Lateral diffused semiconductor device | |
JP6219468B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6901880B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2015056640A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9048251B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
TWI701835B (zh) | 高電子遷移率電晶體 | |
WO2024078637A1 (zh) | 一种高耐压、低导通电阻igzo薄膜晶体管及其制备方法 | |
US9748393B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device with a trench | |
JP2018186127A (ja) | 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ | |
JP2014078568A (ja) | 半導体装置 | |
Lee et al. | A three-mask-processed coplanar a-IGZO TFT with source and drain offsets | |
US9252284B2 (en) | Display substrate and method of manufacturing a display substrate | |
US11881515B2 (en) | Vertical thin film transistor with single gate electrode with micro-perforations | |
JP2006344802A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2014216573A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016131205A (ja) | 半導体装置 | |
KR102382762B1 (ko) | 실리콘계 박막 반도체 장치 및 실리콘계 박막 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20110078978A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2017162932A (ja) | 半導体装置 | |
WO2017086253A1 (ja) | ダイヤモンド電子素子 | |
WO2018157319A1 (zh) | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170927 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6219468 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |