JP2013031842A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013031842A5
JP2013031842A5 JP2012187000A JP2012187000A JP2013031842A5 JP 2013031842 A5 JP2013031842 A5 JP 2013031842A5 JP 2012187000 A JP2012187000 A JP 2012187000A JP 2012187000 A JP2012187000 A JP 2012187000A JP 2013031842 A5 JP2013031842 A5 JP 2013031842A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
damascene process
fwdarw
insulating film
metal film
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012187000A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013031842A (ja
JP5725304B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012187000A priority Critical patent/JP5725304B2/ja
Priority claimed from JP2012187000A external-priority patent/JP5725304B2/ja
Publication of JP2013031842A publication Critical patent/JP2013031842A/ja
Publication of JP2013031842A5 publication Critical patent/JP2013031842A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5725304B2 publication Critical patent/JP5725304B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

JP2012187000A 2005-03-25 2012-08-27 表面処理方法 Active JP5725304B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012187000A JP5725304B2 (ja) 2005-03-25 2012-08-27 表面処理方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005089631 2005-03-25
JP2005089631 2005-03-25
JP2012187000A JP5725304B2 (ja) 2005-03-25 2012-08-27 表面処理方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006519696A Division JP5518281B2 (ja) 2005-03-25 2006-03-24 表面処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013031842A JP2013031842A (ja) 2013-02-14
JP2013031842A5 true JP2013031842A5 (enExample) 2013-03-28
JP5725304B2 JP5725304B2 (ja) 2015-05-27

Family

ID=37053300

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006519696A Active JP5518281B2 (ja) 2005-03-25 2006-03-24 表面処理方法
JP2012187000A Active JP5725304B2 (ja) 2005-03-25 2012-08-27 表面処理方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006519696A Active JP5518281B2 (ja) 2005-03-25 2006-03-24 表面処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080210664A1 (enExample)
JP (2) JP5518281B2 (enExample)
KR (1) KR100938323B1 (enExample)
TW (1) TWI405608B (enExample)
WO (1) WO2006104043A1 (enExample)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102947931A (zh) * 2010-03-03 2013-02-27 佐治亚技术研究公司 无机中介片上的贯通封装过孔（tpv）结构及其加工方法
US10369327B2 (en) * 2010-04-28 2019-08-06 Clph, Llc Catheters with lubricious linings and methods for making and using them
JP5696447B2 (ja) * 2010-11-25 2015-04-08 Ｊｆｅスチール株式会社 表面処理金属材料の製造方法
JP5645163B2 (ja) * 2011-01-26 2014-12-24 国立大学法人大阪大学 フッ素系樹脂材料の表面改質方法及びフッ素系樹脂材料と金属材料の積層体
KR101405721B1 (ko) 2011-04-29 2014-06-13 한국과학기술연구원 소수성이 개선된 기공체 및 그 제조 방법
KR101349075B1 (ko) * 2011-10-10 2014-01-16 한국과학기술연구원 물질전달성이 향상된 연료전지 및 그 제조 방법
US9809493B2 (en) 2015-04-27 2017-11-07 Ford Global Technologies, Llc Surface treatment of glass bubbles
JP2019029333A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 東芝メモリ株式会社 プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法
KR102148831B1 (ko) 2018-10-02 2020-08-27 삼성전기주식회사 코일 부품
KR102619877B1 (ko) * 2019-09-11 2024-01-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP7427475B2 (ja) * 2020-02-28 2024-02-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP7399209B2 (ja) * 2022-04-05 2023-12-15 エルジー・ケム・リミテッド 処理装置、分解生成物の製造方法、及び処理方法
WO2025070805A1 (ja) * 2023-09-29 2025-04-03 ダイキン工業株式会社 エアフィルタ濾材、エアフィルタ濾材の使用方法、および空気処理装置
CN118952032B (zh) * 2024-09-20 2025-05-30 彤程电子材料(常州)有限公司 一种复合抛光垫及其制备方法和应用

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62110716A (ja) * 1985-11-06 1987-05-21 Power Reactor & Nuclear Fuel Dev Corp 液中プラズマ加熱による物性変換方法
DE3827630A1 (de) * 1988-08-16 1990-02-22 Hoechst Ag Flaechengebilde aus einem substrat und einem ueberzug und verfahren zu seiner herstellung
JPH03231199A (ja) * 1990-02-06 1991-10-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 使用ずみ燃料剪断片の減容方法
JP3837783B2 (ja) * 1996-08-12 2006-10-25 森 勇蔵 超純水中の水酸基による加工方法
EP0867924B1 (en) * 1997-02-14 2011-08-31 Imec Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
US6360754B2 (en) * 1998-03-16 2002-03-26 Vlsi Technology, Inc. Method of protecting quartz hardware from etching during plasma-enhanced cleaning of a semiconductor processing chamber
US6106653A (en) * 1998-03-31 2000-08-22 Exxon Research And Engineering Co. Water vapor plasma treatment of glass surfaces
JPH11345797A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ２流体噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴流洗浄方法
JP3224777B2 (ja) * 1998-06-09 2001-11-05 三菱重工業株式会社 原子炉構造物自動解体装置
JP2001058184A (ja) * 1999-08-24 2001-03-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有害物処理方法および有害物処理装置
JP2002313358A (ja) * 2001-04-10 2002-10-25 Aisin Seiki Co Ltd 膜・電極接合体の製造方法および固体高分子電解質型燃料電池
US6593161B2 (en) * 2001-12-12 2003-07-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. System and method for cleaning ozone oxidation
JP3624239B2 (ja) * 2002-10-29 2005-03-02 株式会社テクノネットワーク四国 液中プラズマ発生装置、薄膜形成方法およびシリコンカーバイト膜
WO2003086615A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-23 Techno Network Shikoku Co., Ltd. Submerged plasma generator, method of generating plasma in liquid and method of decomposing toxic substance with plasma in liquid
AUPS220302A0 (en) * 2002-05-08 2002-06-06 Chang, Chak Man Thomas A plasma formed within bubbles in an aqueous medium and uses therefore
ITMI20021985A1 (it) * 2002-09-18 2004-03-19 St Microelectronics Srl Metodo per la fabbricazione di dispositivi elettronici a semiconduttore
JP4111858B2 (ja) * 2003-03-06 2008-07-02 正之 佐藤 水中放電プラズマ方法及び液体処理装置
JP2004306029A (ja) 2003-03-27 2004-11-04 Techno Network Shikoku Co Ltd 化学反応装置および有害物質分解方法
KR20060014388A (ko) * 2003-05-02 2006-02-15 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 반도체 공정에서의 에칭후 잔류물의 제거 방법
JP2005058887A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 高電圧パルスを利用した廃水処理装置
JP4452775B2 (ja) * 2003-09-30 2010-04-21 国立大学法人愛媛大学 機能化繊維の製造方法
US7019288B2 (en) * 2003-09-30 2006-03-28 Sequenom, Inc. Methods of making substrates for mass spectrometry analysis and related devices
JP4370378B2 (ja) * 2004-02-23 2009-11-25 国立大学法人愛媛大学 多孔質膜およびその生成装置と生成方法
US7323080B2 (en) * 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
DE112005003029B4 (de) * 2004-12-03 2012-10-04 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki In-Flüssigkeit-Plasmaelektrode, In-Flüssigkeit-Plasmaerzeugungsvorrichtung, und In-Flüssigkeit-Plasmaerzeugungsverfahren
JP2006253495A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd 表面洗浄装置及び洗浄方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013031842A5 (enExample)
WO2011094568A3 (en) Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring
JP2016004833A5 (enExample)
JP2014179625A5 (enExample)
WO2016042408A3 (en) Compositions for etching titanium nitride having compatability with silicon germanide and tungsten
JP2013201441A5 (enExample)
JP2013102154A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013149982A5 (enExample)
JP2010245334A5 (enExample)
JP2013102204A5 (enExample)
JP2013236066A5 (enExample)
JP2013021305A5 (enExample)
JP2016066792A5 (enExample)
JP2013254946A5 (ja) 配線の形成方法および半導体装置の作製方法
JP2015079947A5 (ja) 半導体装置
JP2016038993A5 (enExample)
JP2015037174A5 (enExample)
JP2012202801A5 (enExample)
JP2015032631A5 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007220700A5 (enExample)
JP2016143472A5 (enExample)
CN302576548S (zh) 电烙铁（zd-70da）
CN302562180S (zh) 打火机（4#铜机）
TH171352B (th) วัสดุอลูมิเนียมอัลลอย, ตัวเชื่อม, ชิ้นส่วนหลักของยานยนต์, และวิธีการผลิตวัสดุอลูมิเนียมอัลลอย
JP2015002184A5 (enExample)