JP2012522336A5 - - Google Patents
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Description
本発明の別の態様は、ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、ドーパントが、ランタニド元素、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、ドーパントが、ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソードを提供する。いくらかの実施形態において、ランタニド元素は、Ybを含む。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
三価のドーパントがドープされてドープされた銀材料を与える銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目2)
約0.5重量%〜約5重量%の三価のドーパントをさらに含む、項目1に記載のカソード。
(項目3)
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目1または2のいずれかに記載のカソード。
(項目4)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目3に記載のカソード。
(項目5)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目3または4のいずれかに記載のカソード。
(項目6)
前記銀材料が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目1から5のいずれかに記載のカソード。
(項目7)
バインダをさらに含む、項目1から6のいずれかに記載のカソード。
(項目8)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目7に記載のカソード。
(項目9)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目1から8のいずれかに記載のカソード。
(項目10)
前記ドーパントが、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目1から9のいずれかに記載のカソード。
(項目11)
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目1から8のいずれかに記載のカソード。
(項目12)
前記ランタニド元素が、Ybである、項目11に記載のカソード。
(項目13)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目14)
約0.5重量%〜約5重量%のドーパントをさらに含む、項目13に記載のカソード。
(項目15)
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目13または14のいずれかに記載のカソード。
(項目16)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目15に記載のカソード。
(項目17)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目15または16のいずれかに記載のカソード。
(項目18)
前記銀材料が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目13から17のいずれかに記載のカソード。
(項目19)
バインダをさらに含む、項目13から18のいずれかに記載のカソード。
(項目20)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目19に記載のカソード。
(項目21)
前記ドーパントが、ガリウムを含む、項目13から20のいずれかに記載のカソード。
(項目22)
前記ドーパントが、ホウ素を含む、項目13から20のいずれかに記載のカソード。
(項目23)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目24)
約1重量%〜約8重量%のドーパントをさらに含む、項目23に記載のカソード。
(項目25)
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目23または24のいずれかに記載のカソード。
(項目26)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目25に記載のカソード。
(項目27)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目25または26のいずれかに記載のカソード。
(項目28)
前記ドープされた銀材料が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目23から27のいずれかに記載のカソード。
(項目29)
バインダをさらに含む、項目23から28のいずれかに記載のカソード。
(項目30)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目29に記載のカソード。
(項目31)
前記ドーパントが、インジウムを含む、項目23から30のいずれかに記載のカソード。
(項目32)
前記ドーパントが、アルミニウムを含む、項目23から30のいずれかに記載のカソード。
(項目33)
電気化学セルでの使用のためのカソードを製造する方法であって、
銀粉末の重量の約0.25重量%〜約10重量%の三価のドーパントがドープされた銀粉末を準備して、ドープされた銀粉末を与える工程と;
前記ドープされた銀粉末からカソードを形成する工程と
を含む方法。
(項目34)
前記ドープされた銀粉末は、約0.5重量%〜約5重量%のドーパントがドープされている、項目33に記載の方法。
(項目35)
前記ドープされた銀粉末が、約15μm以下の平均粒径を有する、項目33または34のいずれかに記載の方法。
(項目36)
前記ドープされた銀粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目33から35のいずれかに記載の方法。
(項目37)
前記ドープされた銀粉末が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目33から36のいずれかに記載の方法。
(項目38)
前記ドープされた銀粉末が、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目33から37のいずれかに記載の方法。
(項目39)
バインダを準備する工程をさらに含む、項目33から38のいずれかに記載の方法。
(項目40)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目40に記載の方法。
(項目41)
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目33から41のいずれかに記載の方法。
(項目42)
前記ランタニド元素が、Ybである、項目42に記載の方法。
(項目43)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目33から41のいずれかに記載の方法。
(項目44)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、インジウム、アルミニウム、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目33から41または44のいずれかに記載の方法。
(項目45)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目33から41、44または45のいずれかに記載の方法。
(項目46)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目33から41または44から46のいずれかに記載の方法。
(項目47)
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約80サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約60%の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
(項目48)
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約100サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約70%の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
(項目49)
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約120サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約80%の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
(項目50)
前記銀材料が、その重量の約0.25重量%〜約10重量%の三価のドーパントを含む、項目47から49のいずれかに記載のセル。
(項目51)
前記銀材料が、粉末を含む、項目47から50のいずれかに記載のセル。
(項目52)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目51に記載のセル。
(項目53)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目52に記載のセル。
(項目54)
前記カソード、前記アノード、または両方が、バインダを含む、項目47から53のいずれかに記載のセル。
(項目55)
前記カソードが、バインダをさらに含む、項目47から54のいずれかに記載のセル。
(項目56)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目55に記載のセル。
(項目57)
前記アノードが、バインダをさらに含む、項目47から54のいずれかに記載のセル。
(項目58)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目57に記載のセル。
(項目59)
NaOH、KOH、またはこれらの組合せを含む電解質をさらに含む、項目47から58のいずれかに記載のセル。
(項目60)
前記銀粉末が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目47から59のいずれかに記載のセル。
(項目61)
前記銀粉末が、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目47から60のいずれかに記載のセル。
(項目62)
前記銀材料が、AgOを含む、項目47から61のいずれかに記載のセル。
(項目63)
前記銀材料が、Ag 2 Oを含む、項目47から61のいずれかに記載のセル。
(項目64)
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目47から63のいずれかに記載のセル。
(項目65)
前記ランタニド元素がYbである、項目64に記載のセル。
(項目66)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目47から63のいずれかに記載のセル。
(項目67)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目66に記載のセル。
(項目68)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目67に記載のセル。
(項目69)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目67に記載のセル。
(項目70)
銀粉末の重量の約0.25重量%〜約10重量%の三価のドーパントを含む銀粉末を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと;
水性KOHを含む電解質と
を含む電気化学セル。
(項目71)
前記銀粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目70に記載のセル。
(項目72)
前記銀粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目71に記載のセル。
(項目73)
前記カソード、前記アノード、または両方が、バインダを含む、項目70から72のいずれかに記載のセル。
(項目74)
前記カソードが、バインダを含む、項目70から73のいずれかに記載のセル。
(項目75)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目74に記載のセル。
(項目76)
前記アノードが、バインダを含む、項目70から73のいずれかに記載のセル。
(項目77)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目76に記載のセル。
(項目78)
NaOH、KOH、またはこれらの組合せを含む電解質をさらに含む、項目70から77のいずれかに記載のセル。
(項目79)
前記銀粉末が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目70から78のいずれかに記載のセル。
(項目80)
前記銀粉末が、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目70から79のいずれかに記載のセル。
(項目81)
前記銀材料が、AgOを含む、項目70から80のいずれかに記載のセル。
(項目82)
前記銀材料が、Ag 2 Oを含む、項目70から80のいずれかに記載のセル。
(項目83)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目70から82のいずれかに記載のセル。
(項目84)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目70から83のいずれかに記載のセル。
(項目85)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目70から84のいずれかに記載のセル。
(項目86)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目70から84のいずれかに記載のセル。
(項目87)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目88)
前記ランタニド元素が、Ybである、項目87に記載のカソード。
(項目89)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素を含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目90)
前記ランタニド元素が、Ybを含む、項目89に記載のカソード。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
三価のドーパントがドープされてドープされた銀材料を与える銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目2)
約0.5重量%〜約5重量%の三価のドーパントをさらに含む、項目1に記載のカソード。
(項目3)
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目1または2のいずれかに記載のカソード。
(項目4)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目3に記載のカソード。
(項目5)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目3または4のいずれかに記載のカソード。
(項目6)
前記銀材料が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目1から5のいずれかに記載のカソード。
(項目7)
バインダをさらに含む、項目1から6のいずれかに記載のカソード。
(項目8)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目7に記載のカソード。
(項目9)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目1から8のいずれかに記載のカソード。
(項目10)
前記ドーパントが、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目1から9のいずれかに記載のカソード。
(項目11)
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目1から8のいずれかに記載のカソード。
(項目12)
前記ランタニド元素が、Ybである、項目11に記載のカソード。
(項目13)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目14)
約0.5重量%〜約5重量%のドーパントをさらに含む、項目13に記載のカソード。
(項目15)
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目13または14のいずれかに記載のカソード。
(項目16)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目15に記載のカソード。
(項目17)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目15または16のいずれかに記載のカソード。
(項目18)
前記銀材料が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目13から17のいずれかに記載のカソード。
(項目19)
バインダをさらに含む、項目13から18のいずれかに記載のカソード。
(項目20)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目19に記載のカソード。
(項目21)
前記ドーパントが、ガリウムを含む、項目13から20のいずれかに記載のカソード。
(項目22)
前記ドーパントが、ホウ素を含む、項目13から20のいずれかに記載のカソード。
(項目23)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目24)
約1重量%〜約8重量%のドーパントをさらに含む、項目23に記載のカソード。
(項目25)
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目23または24のいずれかに記載のカソード。
(項目26)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目25に記載のカソード。
(項目27)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目25または26のいずれかに記載のカソード。
(項目28)
前記ドープされた銀材料が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目23から27のいずれかに記載のカソード。
(項目29)
バインダをさらに含む、項目23から28のいずれかに記載のカソード。
(項目30)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目29に記載のカソード。
(項目31)
前記ドーパントが、インジウムを含む、項目23から30のいずれかに記載のカソード。
(項目32)
前記ドーパントが、アルミニウムを含む、項目23から30のいずれかに記載のカソード。
(項目33)
電気化学セルでの使用のためのカソードを製造する方法であって、
銀粉末の重量の約0.25重量%〜約10重量%の三価のドーパントがドープされた銀粉末を準備して、ドープされた銀粉末を与える工程と;
前記ドープされた銀粉末からカソードを形成する工程と
を含む方法。
(項目34)
前記ドープされた銀粉末は、約0.5重量%〜約5重量%のドーパントがドープされている、項目33に記載の方法。
(項目35)
前記ドープされた銀粉末が、約15μm以下の平均粒径を有する、項目33または34のいずれかに記載の方法。
(項目36)
前記ドープされた銀粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目33から35のいずれかに記載の方法。
(項目37)
前記ドープされた銀粉末が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目33から36のいずれかに記載の方法。
(項目38)
前記ドープされた銀粉末が、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目33から37のいずれかに記載の方法。
(項目39)
バインダを準備する工程をさらに含む、項目33から38のいずれかに記載の方法。
(項目40)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目40に記載の方法。
(項目41)
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目33から41のいずれかに記載の方法。
(項目42)
前記ランタニド元素が、Ybである、項目42に記載の方法。
(項目43)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目33から41のいずれかに記載の方法。
(項目44)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、インジウム、アルミニウム、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目33から41または44のいずれかに記載の方法。
(項目45)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目33から41、44または45のいずれかに記載の方法。
(項目46)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目33から41または44から46のいずれかに記載の方法。
(項目47)
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約80サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約60%の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
(項目48)
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約100サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約70%の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
(項目49)
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約120サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約80%の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
(項目50)
前記銀材料が、その重量の約0.25重量%〜約10重量%の三価のドーパントを含む、項目47から49のいずれかに記載のセル。
(項目51)
前記銀材料が、粉末を含む、項目47から50のいずれかに記載のセル。
(項目52)
前記粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目51に記載のセル。
(項目53)
前記粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目52に記載のセル。
(項目54)
前記カソード、前記アノード、または両方が、バインダを含む、項目47から53のいずれかに記載のセル。
(項目55)
前記カソードが、バインダをさらに含む、項目47から54のいずれかに記載のセル。
(項目56)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目55に記載のセル。
(項目57)
前記アノードが、バインダをさらに含む、項目47から54のいずれかに記載のセル。
(項目58)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目57に記載のセル。
(項目59)
NaOH、KOH、またはこれらの組合せを含む電解質をさらに含む、項目47から58のいずれかに記載のセル。
(項目60)
前記銀粉末が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目47から59のいずれかに記載のセル。
(項目61)
前記銀粉末が、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目47から60のいずれかに記載のセル。
(項目62)
前記銀材料が、AgOを含む、項目47から61のいずれかに記載のセル。
(項目63)
前記銀材料が、Ag 2 Oを含む、項目47から61のいずれかに記載のセル。
(項目64)
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目47から63のいずれかに記載のセル。
(項目65)
前記ランタニド元素がYbである、項目64に記載のセル。
(項目66)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目47から63のいずれかに記載のセル。
(項目67)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目66に記載のセル。
(項目68)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目67に記載のセル。
(項目69)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目67に記載のセル。
(項目70)
銀粉末の重量の約0.25重量%〜約10重量%の三価のドーパントを含む銀粉末を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと;
水性KOHを含む電解質と
を含む電気化学セル。
(項目71)
前記銀粉末が、約20μm以下の平均粒径を有する、項目70に記載のセル。
(項目72)
前記銀粉末が、約5μm以下の平均粒径を有する、項目71に記載のセル。
(項目73)
前記カソード、前記アノード、または両方が、バインダを含む、項目70から72のいずれかに記載のセル。
(項目74)
前記カソードが、バインダを含む、項目70から73のいずれかに記載のセル。
(項目75)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目74に記載のセル。
(項目76)
前記アノードが、バインダを含む、項目70から73のいずれかに記載のセル。
(項目77)
前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、項目76に記載のセル。
(項目78)
NaOH、KOH、またはこれらの組合せを含む電解質をさらに含む、項目70から77のいずれかに記載のセル。
(項目79)
前記銀粉末が、Ag、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO 2 、AgFeO 2 、AgMnO 2 、Ag(OH) 2 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目70から78のいずれかに記載のセル。
(項目80)
前記銀粉末が、AgO、Ag 2 O、Ag 2 O 3 、またはこれらの任意の組合せを含む、項目70から79のいずれかに記載のセル。
(項目81)
前記銀材料が、AgOを含む、項目70から80のいずれかに記載のセル。
(項目82)
前記銀材料が、Ag 2 Oを含む、項目70から80のいずれかに記載のセル。
(項目83)
前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、項目70から82のいずれかに記載のセル。
(項目84)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目70から83のいずれかに記載のセル。
(項目85)
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目70から84のいずれかに記載のセル。
(項目86)
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目70から84のいずれかに記載のセル。
(項目87)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目88)
前記ランタニド元素が、Ybである、項目87に記載のカソード。
(項目89)
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素を含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約0.25重量%〜約10重量%の濃度で存在する、カソード。
(項目90)
前記ランタニド元素が、Ybを含む、項目89に記載のカソード。
Claims (27)
- 三価のドーパントがドープされてドープされた銀材料を与える銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の0.25重量%〜10重量%の濃度で存在する、カソード。
- 0.5重量%〜5重量%の三価のドーパントをさらに含む、請求項1に記載のカソード。
- 前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、請求項1または2のいずれかに記載のカソード。
- 前記粉末が、20μm以下の平均粒径を有する、請求項3に記載のカソード。
- 前記粉末が、5μm以下の平均粒径を有する、請求項3または4のいずれかに記載のカソード。
- 前記銀材料が、Ag、AgO、Ag2O、Ag2O3、AgOH、AgOOH、AgONa、AgCuO2、AgFeO2、AgMnO2、Ag(OH)2、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項1から5のいずれかに記載のカソード。
- バインダをさらに含む、請求項1から6のいずれかに記載のカソード。
- 前記バインダが、PTFEまたはPVDFを含む、請求項7に記載のカソード。
- 前記ドーパントが、少なくとも1種の第13族元素を含む、請求項1から8のいずれかに記載のカソード。
- 前記ドーパントが、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項1から9のいずれかに記載のカソード。
- 前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、請求項1から8のいずれかに記載のカソード。
- 前記ランタニド元素が、Ybである、請求項11に記載のカソード。
- 電気化学セルでの使用のためのカソードを製造する方法であって、
銀粉末の重量の0.25重量%〜10重量%の三価のドーパントがドープされた銀粉末を準備して、ドープされた銀粉末を与える工程と;
前記ドープされた銀粉末からカソードを形成する工程と
を含む方法。 - 前記ドープされた銀粉末が、15μm以下の平均粒径を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記ランタニド元素が、Ybである、請求項15に記載の方法。
- 前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、インジウム、アルミニウム、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項13、14、15、または16のいずれかに記載の方法。
- ドーパントを含む銀材料を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも80サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも60%の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。 - 前記銀材料が、20μm以下の平均粒径を有する粉末を含む、請求項18に記載のセル。
- 前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、請求項18または19のいずれかに記載のセル。
- 前記ランタニド元素がYbである、請求項20に記載のセル。
- 前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項18、19、20または21のいずれかに記載のセル。
- 銀粉末の重量の0.25重量%〜10重量%の三価のドーパントを含む銀粉末を含むカソードと;
亜鉛を含むアノードと;
水性KOHを含む電解質と
を含む電気化学セル。 - 前記銀粉末が、5μm以下の平均粒径を有する、請求項23に記載のセル。
- 前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項23または24のいずれかに記載のセル。
- ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素を含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の0.25重量%〜10重量%の濃度で存在する、カソード。
- 前記ランタニド元素が、Ybである、請求項26に記載のカソード。
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