JP2012509604A - 半導体ナノ粒子を用いた発光デバイス、関連材料及び方法 - Google Patents
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- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000011325 microbead Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 182
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 150
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 17
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 17
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 13
- -1 monoliths Substances 0.000 claims description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 229920000779 poly(divinylbenzene) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims description 6
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000936 Agarose Polymers 0.000 claims description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 101710141544 Allatotropin-related peptide Proteins 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 claims description 2
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 2
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 claims description 2
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 claims description 2
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 claims description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 claims 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 63
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 27
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 20
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 14
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 12
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 8
- BYCZEMFWXYCUSJ-UHFFFAOYSA-N 13-hydroxydocosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)CCCCCCCCCCCC(O)=O BYCZEMFWXYCUSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 3
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003402 CdSe-ZnS Inorganic materials 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPGMCRJPQJYPE-UHFFFAOYSA-N zinc;carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Zn+2] JRPGMCRJPQJYPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N Dibutyl decanedioate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCCCC PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229940057499 anhydrous zinc acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 150000001661 cadmium Chemical class 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007265 chloromethylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012612 commercial material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001212 derivatisation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004668 long chain fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011234 nano-particulate material Substances 0.000 description 1
- 238000004172 nitrogen cycle Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 229920013730 reactive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の態様の配合物ならびに本発明の第2、第3および第4の態様を形成する方法およびデバイスでは、あらゆる望ましい種類の半導体ナノ粒子を利用してもよい。本発明の第1の態様による配合物の好ましい実施形態では、ナノ粒子はイオンを含み、このようなイオンは、周期表の第11,12,13,14,15または16族を含むがこれに限定されない周期表のあらゆる望ましい族から選択されてもよい。ナノ粒子は、遷移金属イオンまたはd−ブロック金属イオンを含んでもよい。ナノ粒子は、第1のイオンおよび第2のイオンを含むのが好ましく、第1のイオンは、周期表の第11,12,13または14族から選択されるのが好ましく、第2のイオンは、周期表の第14,15または16族から選択されるのが好ましい。ナノ粒子は、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlS、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTeとその組み合せから成る群から選択される1または複数の半導体材料を含んでもよい。さらに、ナノ粒子は、当業者に知られている二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型、コアシェル型またはコアマルチシェル型、ドープされたナノ粒子または傾斜したナノ粒子であってよい。
量子ドットをビーズに組み込む初期段階を考える場合、第1の選択は、樹脂ビーズのポリマーマトリックスに量子ドットを直接組み込むことである。第2の選択は、量子ドットをポリマービーズに物理的に取り込んで固定することである。このような方法を使用し、1種類の量子ドットをビーズに組み込むことによって、まさに1種類の量子ドット(たとえば1色)を含むビーズ群を生成することが可能である。また、2以上の種類(たとえば材料および/または大きさ)の量子ドットの混合物をビーズに組み込むことによって、2つ以上の種類の量子ドット(たとえば2色以上)を含むビーズを構成することが可能である。このような混合ビーズはあらゆる好適な比で混合でき、一次光源(たとえばLED)によって放射された一次光による励振後にあらゆる望ましい色の二次光を放射することができる。これは、図6〜8によって例示されているが、これらは、a)白色の二次光を放射する各ビーズの複色で複数の量子ドット型と、b)各ビーズが単色を放射する型の単一の量子ドットを含み、ビーズの混合物が白色二次光を発するように混合される、異なるビーズの複色で複数の量子ドット型と、c)ビーズの混合物が単色の二次光、たとえば、赤色を放射する全ビーズの単色で単一の量子ドット型とをそれぞれ含むQDビーズ発光デバイスを概略的に示す。
第1の選択に関して、一例として、ヘキサデシルアミンでキャッピングしたCdSe半導体ナノ粒子が、少なくとも1つ、さらに好ましくは2つ以上の重合可能な配位子(必要に応じて過剰量の1つの配位子)によって処理され、その結果、重合可能な配位子によってヘキサデシルアミンキャッピング層の少なくともいくつかが置換される。重合可能な配位子を有するキャッピング層の置換は、トリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)と同じような構造を有する重合可能な配位子または配位子であり、CdSeナノ粒子に対して親和性がきわめて高いことが知られている配位子を選択することによって実施することができる。この基本的な方法は、他のナノ粒子/配位子の対に利用して、同じような効果を得てもよいことが理解される。換言すると、あらゆる特定の種類のナノ粒子(材料および/または大きさ)に関して、公知の表面結合配位子の構造に何らかの形で類似した(たとえば、同じような物理構造および/または化学構造を有する)構造モチーフを含む重合可能な配位子を選択することによって、1または複数の適切な重合可能な表面結合配位子を選択することが可能である。ナノ粒子がこのように表面修飾されると、多くの微小規模重合反応のモノマー成分にこれを付加して、さまざまな量子ドット含有量子樹脂および量子ドット含有ビーズを生成することができる。本発明の第2の態様の好ましい実施形態が、1または複数の重合可能なモノマーの重合を含み、これにより、光学的に透明な媒体は、光学的に透明な媒体に組み込まれる半導体ナノ粒子の少なくとも一部の存在下で生成される。得られた材料は、量子ドットを共有的に組み込み、長時間のソックスレー抽出後ですらきわめて濃く着色されているように見える。
量子ドットをビーズに組み込む第2の選択において、量子ドットは、物理的な取り込みによってポリマービーズに固定することができる。たとえば、ポリマービーズの試料を用いて、適した溶媒(たとえば有機溶媒)の量子ドット溶液をインキュベートすることができる。あらゆる適切な方法を用いて溶媒を除去すると、量子ドットは、ポリマービーズのマトリクス中に固定される。量子ドットは、十分溶解可能な溶媒(たとえば有機溶媒)に試料が再懸濁されないかぎり、ビーズに固定された状態にある。必要に応じて、この段階で、ビーズの外側を封止することができる。本発明の第2の態様のさらに好ましい実施形態では、半導体ナノ粒子の少なくとも一部を予め作製されたポリマービーズに物理結合することを含む。前記結合は、既成ポリマービーズのポリマーマトリックス中で半導体ナノ粒子の一部を固定することによって実施してもよく、半導体ナノ粒子の一部と既成ポリマービーズとの間の化学結合、共有結合、イオン結合または物理結合によって実施してもよい。特に好ましい実施形態では、既成ポリマービーズは、ポリスチレン、ポリジビニルベンゼンおよびポリチオールを含む。
量子ドットを組み込むことが意図されたゾル‐ゲルおよびガラス光学的に透明な媒体を、上に記載したような、ビーズ成形処理時に量子ドットをビーズに組み込むために使用される方法に類似の方法で生成してもよい。たとえば、1種類の量子ドット(たとえば1色)をゾル‐ゲルまたはガラスを生成するために使用される反応混合物に添加してもよい。また、2種類以上の量子ドット(たとえば2種類以上の色)をゾル‐ゲルまたはガラスを生成するために使用される反応混合物に添加してもよい。このような方法で生成されるゾル‐ゲルおよびガラスは、あらゆる形状、形態または3次元構造のものであってよい。たとえば、粒子は、球形、円盤状、軸状、卵形、立方体、長方体または他の多くの考えうる形状のいずれのものでもよい。
本発明の重要な利点は、上に記載したように生成される量子ドットビーズ(QDビーズ)を、単に望ましい量のQDビーズ材料を計量し、望ましい量のLED封入材に添加するだけで、市販のLED封入材に組み込むことができることである。得られた複合材は、十分に混合して均質混合物を得るのが好ましい。このため、本発明の第2の態様の好ましい実施形態では、ナノ粒子含有媒体は、前記ナノ粒子含有媒体が前記封入媒体中で実質的に均質に分散するまで前記ナノ粒子含有媒体を前記封入材料と混合することによって、ホストの発光ダイオード封入材料に埋め込まれる。次に、QDビーズLED封入複合材は、市販のLEDに配合され、使用される特定のLED封入材の通常の硬化方法に従って硬化してもよい。これにより、第1の本発明によるQDビーズLED封入材配合物は、次世代の製造を容易にする単純かつ容易な方法、標準市販材料および標準の方法をできるだけ用いる高性能の発光デバイスを提供する。
本発明のさまざまな態様に関して、あらゆる既存の市販LED封入材を使用してもよい。好ましいLED封入材には、シリコーン、エポキシ、(メタ)アクリレートおよび他のポリマーが挙げられるが、ほかの選択が可能であることが当業者によって理解され、たとえば、シリカガラス、シリカゲル、シロキサン、ゾルゲル、ヒドロゲル、アガロース、セルロース、エポキシ、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリビニル、ポリジアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリスチレン、ポリピロール、ポリイミド、ポリイミダゾール、ポリスルホン、ポリチオフェン、ポリホスフェート、ポリ(メタ)アクリレート、ポリアクリルアミド、ポリペプチド、ポリサッカライドおよびその組み合わせが挙げられるものの、これに限定されない。
QDビーズLEDから出力される光(「二次光」)の色は、分光器を使用して測定することができる。次に、スペクトル出力(mW/nm)は、数学処理することができ、これによって、発光デバイスの特定の色は、色度図、たとえば2°CIE1931色度図(図4参照)の色座標として表すことができる。
演色は、参照光源によって照らされた場合の見え方と比較して、正しい色に見えるように、光源が物体を照らす能力を示す。参照光源は通常、タングステンフィラメント電球であり、演色指数(CRI)100に割り当てられる。一般照明で許容されるには、白色発光デバイス源では、CRIが80超であることが要求される。低い演色性の一例が、ナトリウム街灯であり、演色能がきわめて低い。言い換えると、ナトリウムランプによって照らされた赤い車と黄色い車を区別するのは困難であり、ナトリウムランプ下の暗闇では、いずれも灰色に見える。
後に続けて処理することによって本発明による発光デバイスの製造に使用する量子ドット含有配合物を生成するために、以下に記載するように、CdSe/ZnSのヘキサデシルアミンでキャッピングした量子ドットを調製した。
HDA(500g)を三口丸底フラスコに入れて乾燥し、動的真空下で1時間超120℃に加熱して脱気した。次に、溶液を60℃に冷却した。これに[HNEt3]4[Cd10Se4(SPh)16](0.718g、0.20mmol)を添加した。TOPSe(22.0ml、42mmol)とMe2Cd・TOP(19.5ml、2.15M)を使用した。最初にTOPSe4mmolとMe2Cd・TOP4mmolを室温で反応物に添加し、110℃に加熱して、2時間撹拌した。反応物は濃黄色であった。等モル量のTOPSeとMe2Cd・TOPを滴加しながら、温度を約1℃/5分で徐々に上げた。PL発光極大が約600nmに達した時点で、60℃に冷却し、乾燥エタノールまたは乾燥アセトン300mlを添加して反応を止めた。これにより、深紅色の粒子の沈殿が生成され、ろ過でさらに単離した。得られたCdSe粒子をトルエンに再溶解して再結晶し、セライトで濾過し、温エタノールから再沈し、過剰量のHDA、セレニウムまたはカドミウムを除去した。これにより、HDAでキャッピングされたCdSeナノ粒子10.10gが生成された。元素分析C=20.88、H=3.58、N=1.29、Cd=46.43%。最大PL=585nm、FWHM=35nm。量子ドットを生成するのにMe2Cdを38.98mmol、93%消費した。
HDA(800g)を三口丸底フラスコに入れて乾燥し、動的真空下で1時間超120℃に加熱して脱気した。次に、溶液を60℃に冷却した。この溶液にPL最大発光が585nmのCdSeナノ粒子9.23gを添加した。次に、HDAを220℃に加熱した。この溶液に、オクチルアミンに溶解したMe2Zn・TOP(20ml、0.5M)と硫黄(0.5M、20ml)を交互に滴加した。3回交互にそれぞれ3.5、5.5および11.0ml添加し、最初はPL最大強度がほぼゼロになるまで硫黄3.5mlを滴加した。次に、PL最大強度が最大になるまで、Me2Zn・TOP3.5mlを滴加した。PL最大強度が各サイクルより高くなるように、このサイクルを繰り返した。最後のサイクルでは、PL最大強度に達した時点で前駆体をさらに添加し、最大強度下5〜10%となるまで、反応物を1時間150℃でアニールした。次に、反応混合物を60℃に冷却し、直後に乾燥「温」エタノール300mを添加した。これにより、粒子が沈殿した。得られたCdSe−ZnS粒子を乾燥してからトルエンに再溶解し、セライトで濾過し、温エタノールから再沈し、過剰量のHDAを除去した。これにより、HDAでキャッピングしたCdSe−ZnSコアシェル型ナノ粒子12.08gが生成された。元素分析C=20.27、H=3.37、N=1.25、Cd=40.11、Zn=4.43%。最大PL590nm、FWHM36nm。
以下で説明するように、後の処理によって本発明による発光デバイスの製造に使用する量子ドット含有配合物を生成できる、InP量子ドットを調製する。
ジブチルエステル(100ml)とミリスチン酸(10.0627g)を三口フラスコに入れ、真空下で1時間70℃で脱気した。その後、窒素を導入し、温度を90℃に上げた。ZnS分子クラスタ[Et3NH4][Zn10S4(SPh)16](4.7076g)を添加し、混合物を45分間撹拌した。次に、温度を100℃に上げ、In(MA)3(1M、15ml)を滴加し、その後(TMS)3P(1M、15ml)を滴加した。温度を140℃に上げながら反応混合物を撹拌した。140℃になった時点で、さらにIn(MA)3(1M、35ml)(5分間撹拌させておく)と(TMS)3P(1M、35ml)を滴加した。次に、温度を180℃にゆっくり上げ、(MA)3(1M、55ml)をさらに滴加し、その後、(TMS)3P(1M、40ml)をさらに滴加した。上記の方法で前駆体を添加することによって、発光極大が520nmから最大700nmに徐々に増えたInPのナノ粒子を成長させることができ、これにより、望ましい発光極大を得た時点で反応を止め、30分間この温度で撹拌した。その後、温度を160℃に下げ、(反応温度下20〜40℃の温度で)反応混合物を最大4日間アニールした。また、この段階で、紫外線ランプを使用してアニールを補助した。
上で調製したInP量子ドットの量子収率は、低濃度のHF酸で洗浄することによって増大した。無水脱気クロロホルム(約270ml)にドットを溶解した。50ml分をプラスチックフラスコに移し、窒素置換した。プラスチックシリンジを用い、水にHF(3ml、60重量%)を添加し、これを脱気THF(17ml)に添加することによってHF溶液を調製した。HFを5時間かけてInPドットに滴加した。滴加終了後、溶液を一晩撹拌した。塩化カルシウム水溶液に抽出し、エッチングしたInPドットを乾燥させることによって過剰量のHFを除去した。乾燥させたドットを今後の使用のために、クロロホルム50mlに再分散させた。最大567nm、FWHM60nm。この段階の芯材の量子効率は、25〜90%である。
HFでエッチングされたInPコア粒子の20ml分を3口フラスコに入れて乾燥させた。ミリスチン酸1.3gとセバシン酸ジ−n−ブチルエステル20mを添加し、30分間脱気した。溶液を200℃に加熱し、次に無水酢酸亜鉛1.2gを添加し、添加終了後、(TMS)2S(2ml、1M)を(7.93ml/時間で)滴加し、溶液を撹拌した。溶液を1時間200℃に維持し、反応混合物を室温に戻した。無水脱気メタノール40mlを添加することによって粒子を単離し、遠心分離した。上澄液を除去し、残った固体に、無水ヘキサン30mlを添加した。溶液を5時間静置し、再遠心分離した。上澄液を回収し、残った固体は除去した。PL発光ピーク最大値=535nm、FWHM=65nm。この段階のナノ粒子コア/シェル型材料の量子効率は、35〜90%である。
溶液を12時間撹拌し、その後、最低1時間窒素置換して開放脱気することによってポリ酢酸ビニル(PVA)水溶液1重量体積%を調製した。また、モノマー、メチルメタクリレートおよびエチレングリコールジメタクリレートを窒素置換によって脱気し、さらに精製しないで使用した。開始剤AIBN(0.012g)を反応容器に入れ、真空/窒素サイクル下に置き、酸素を除去した。
上で調製したドット含有量子樹脂懸濁ビーズを、不活性雰囲気下のバイアルに移した。次に、LED封入材(Shin Etsu SCR1011またはShin Etsu SCR1016)を添加し、混合物を撹拌して封入ポリマー中に十分分散させた。次に、封入材混合物をLEDチップのウェルに移し、LED封入剤の使用における標準状態で、不活性雰囲気下で硬化した。
シェイキング(shaking)と超音波によって、ポリスチレン微小球をジビニルベンゼン(DVB)1%およびチオールコモノマー1%とともにトルエン(1ml)に再懸濁した。微小球を遠心分離し(6000rμm、約1分)、上澄液をデカントした。これを繰り返して、トルエンで第2の洗浄を実施し、ペレットをトルエン(1ml)に再懸濁した。
上で調製した量子ドット含有樹脂微小球を、不活性雰囲気下のバイアルに移した。次に、LED封入材(Shin Etsu SCR1011またはShin Etsu SCR1016)を添加し、混合物を撹拌して封入ポリマー中に十分分散させた。次に、封入材混合物をLEDチップのウェルに移し、LED封入剤の使用における標準状態で、不活性雰囲気下で硬化した。
InP/ZnSコア/シェル型量子ドット(無機材料70mgを含む)溶液を蒸発させ、量子ドット溶媒、この場合はトルエンの大部分を除去し、透明溶液を得るまで、シランモノマー(たとえば3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(TMOΜMA)0.1mlとテトラメトキシシラン(TEOS)0.5ml)と混合した。
上に記載したように調製された量子ドット含有シリカマイクロビーズをLED封入材(たとえばShin Etsu SCR1011またはShin Etsu SCR1016)を十分撹拌し、封入ポリマー中に十分分散させて、混合することができる。次に、封入材混合物をLEDチップのウェルに移し、LED封入剤の使用における標準状態で、不活性雰囲気下で硬化することができる。
InP/ZnSコア/シェル型量子ドット(無機材料70mgを含む)溶液を蒸発させ、量子ドット溶媒、この場合はトルエンの大部分を除去し、透明溶液を得るまで、シランモノマー(たとえば3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(TMOΜMA)0.1mlとテトラメトキシシラン(TEOS)0.5ml)と混合した。
上に記載したように調製された量子ドット含有コア/シェル型シリカマイクロビーズをLED封入材(たとえばShin Etsu SCR1011またはShin Etsu SCR1016)を十分撹拌し、封入ポリマー中に十分分散させて、混合することができる。次に、封入材混合物をLEDチップのウェルに移し、LED封入剤の使用における標準状態で、不活性雰囲気下で硬化することができる。
ポリカーボネートポリマービーズ(30mg)中に分散したInP/ZnS(カドミウムを含まない)量子ドットの試料の一定分量を真空(30psi以下)下のグローブボックス(20分)の副室に入れ、N2(g)置換した。副室を排気(30psi以下)し、2回N2(g)置換した。
上に記載したように調製した量子ドット含有エポキシマイクロビーズをLED封入材(たとえばShin Etsu SCR1011またはShin Etsu SCR1016)を十分撹拌し、封入ポリマー中に十分分散させて、混合することができる。次に、封入材混合物をLEDチップのウェルに移し、LED封入剤の使用における標準状態で、不活性雰囲気下で硬化することができる。
2つの量子ドット含有発光デバイスを作製して性能を比較した。デバイスの1つには、従来技術の方法による市販のLED封入材に直接組み込まれたCdSe/ZnSコア/シェル型量子ドット(合成方法1で調製される)を含めた。他のデバイスには、同じ種類の量子ドット(合成方法1で調製される)を含めたが、本発明による(実施例1で調製される)LED封入材に埋め込まれたポリマービーズに組み込まれるドットも含めた。
Claims (32)
- 発光デバイスの作製に用いる配合物であって、光学的に透明な媒体から成る複数の不連続のマイクロビーズに組み込まれる半導体ナノ粒子群を含み、前記ナノ粒子含有媒体は、ホストの発光ダイオード(LED)封入媒体に埋め込まれる、配合物。
- 前記不連続のマイクロビーズの各々は、複数の前記半導体ナノ粒子を組み込む、請求項1に記載の配合物。
- 前記マイクロビーズは、平均直径が約20nm〜約0.5mmである、請求項2に記載の配合物。
- 前記光学的に透明な媒体は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコーンおよび(メタ)アクリレートから成る群から選択される材料を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記光学的に透明な媒体は、ポリ(メチル(メタ)アクリレート)、ポリ(エチレングリコールジメタクリレート)、ポリ(酢酸ビニル)、ポリ(ジビニルベンゼン)、ポリ(チオエーテル)、シリカ、ポリエポキシドおよびそれらの組合せから成る群から選択される材料を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記光学的に透明な媒体は、ポリ(メチル(メタ)アクリレート)、ポリ(エチレングリコールジメタクリレート)およびポリ(酢酸ビニル)のコポリマーを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記光学的に透明な媒体は、ポリスチレン、ポリジビニルベンゼンおよびポリチオールを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記光学的に透明な媒体は、3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートとテトラメトキシシランとのコポリマーを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記ナノ粒子含有マイクロビーズの一部または全部が、第1の光学的に透明な媒体を含むコアと、その1若しくは複数の外側層または前記コアに堆積される1若しくは複数の異なる光学的に透明な媒体を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記半導体ナノ粒子は、マイクロビーズのコアに閉じ込められるか、マイクロビーズのコア全体および/または外側層のうち1または複数の外側層に分散する、請求項9に記載の配合物。
- 前記LED封入媒体は、ポリマー、エポキシ、シリコーンおよび(メタ)アクリレートから成る群から選択される材料を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記LED封入媒体は、シリカガラス、シリカゲル、シロキサン、ゾルゲル、ヒドロゲル、アガロース、セルロース、エポキシ、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリビニル、ポリジアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリスチレン、ポリピロール、ポリイミド、ポリイミダゾール、ポリスルホン、ポリチオフェン、ポリホスフェート、ポリ(メタ)アクリレート、ポリアクリルアミド、ポリペプチド、ポリサッカライドおよびそれらの組合せから成る群から選択される、請求項1〜10のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記半導体ナノ粒子は、周期表の第11、12、13、14、15および/または16族から選択されるイオンを含むか、前記量子ドットは、1または複数の種類の遷移金属イオンまたはd−ブロック金属イオンを含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の配合物。
- 前記半導体ナノ粒子は、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlS、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTeおよびそれらの組合せから成る群から選択される1または複数の半導体材料を含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の配合物。
- 発光デバイスの製造に使用する配合物を調製する方法であって、半導体ナノ粒子群を光学的に透明な媒体から成る複数の不連続なマイクロビーズに組み込み、前記ナノ粒子含有媒体をホストの発光ダイオード(LED)封入材料に埋め込むことを含む、方法。
- 前記半導体ナノ粒子を光学的に透明な媒体に組み込むことは、1または複数の重合可能なモノマーの重合を含み、この重合により、光学的に透明な媒体が、光学的に透明な媒体に組み込まれる半導体ナノ粒子の少なくとも一部の存在下で生成される、請求項15に記載の方法。
- 前記重合は、懸濁、分散、乳濁、リビング、アニオン反応、カチオン反応、RAFT、ATRP、バルク反応、閉環メタセシス反応および開環メタセシス反応から成る群から選択される、請求項16に記載の方法。
- 前記重合は、1または複数の重合可能なモノマーの熱硬化を伴う懸濁重合である、請求項16に記載の方法。
- 前記重合可能なモノマーは、メチル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジメタクリレートおよび酢酸ビニルを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記半導体ナノ粒子を光学的に透明な媒体に組み込むことは、半導体ナノ粒子の少なくとも一部を、予め作製されたポリマービーズと物理的に結合することを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記結合は、予め作製されたポリマービーズのポリマーマトリックス中で半導体ナノ粒子の一部を固定することによって実施されるか、半導体ナノ粒子の一部と予め作製されたポリマービーズとの間の化学結合、共有結合、イオン結合または物理結合によって実施される、請求項20に記載の方法。
- 前記予め作製されたポリマービーズは、ポリスチレン、ポリジビニルベンゼンおよびポリチオールを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記ナノ粒子含有媒体は、前記ナノ粒子含有媒体が前記封入媒体中で実質的に均質に分散するまで前記ナノ粒子含有媒体を前記封入材料と混合することにより、ホストの発光ダイオード封入材料に埋め込まれる、請求項15〜22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記半導体ナノ粒子は、分子クラスタ化合物のナノ粒子のシーディングおよび成長が可能な条件下において、分子クラスタ化合物の存在下で、ナノ粒子前駆体組成物をナノ粒子材料に変換することによって生成される、請求項15〜22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ナノ粒子は、第1および第2のイオンを組み込み、前記ナノ粒子前駆体組成物は、成長するナノ粒子にそれぞれ組み込まれる前記第1および第2のイオンを含有する別個の第1および第2のナノ粒子前駆体種を含む、請求項24に記載の方法。
- 前記ナノ粒子は、第1および第2のイオンを組み込み、前記ナノ粒子前駆体組成物は、成長するナノ粒子に組み込まれる前記第1および第2のイオンを含有する単一の分子種を含む、請求項24に記載の方法。
- 配合物と光通信する一次光源を含む発光デバイスであって、光学的に透明な媒体から成る複数の不連続なマイクロビーズに組み込まれる半導体ナノ粒子群を含み、前記ナノ粒子含有媒体は、ホストの発光ダイオード封入媒体に埋め込まれる、発光デバイス。
- 前記一次光源は、発光ダイオード、レーザー、アークランプおよび黒体光源から成る群から選択される請求項27に記載の発光デバイス。
- 前記配合物は、請求項1〜14の何れかに記載のものである請求項27または28に記載の発光デバイス。
- 発光デバイスを作製する方法であって、光学的に透明な媒体から成る複数の不連続なマイクロビーズに半導体ナノ粒子群を供給し、前記ナノ粒子含有媒体をホストの発光ダイオード(LED)封入材料に埋め込んでナノ粒子含有配合物を生成し、前記一次光源が前記半導体ナノ粒子群と光通信するように前記配合物を一次光源に堆積することを含む、方法。
- 前記封入媒体は、前記一次光源に堆積した後で硬化される請求項30に記載の方法。
- 前記配合物は、請求項1〜14の何れかに記載のものである請求項30または31に記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11614208P | 2008-11-19 | 2008-11-19 | |
GB0821122.9 | 2008-11-19 | ||
US61/116,142 | 2008-11-19 | ||
GB0821122A GB0821122D0 (en) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods |
US11651608P | 2008-11-20 | 2008-11-20 | |
US61/116,516 | 2008-11-20 | ||
PCT/GB2009/002695 WO2010058162A2 (en) | 2008-11-19 | 2009-11-18 | Semiconductor nanoparticle-based light emitting devices and associated materials and methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012509604A true JP2012509604A (ja) | 2012-04-19 |
JP5624055B2 JP5624055B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=40194862
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (11)
Country | Link |
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US (3) | US8921827B2 (ja) |
EP (1) | EP2351113B1 (ja) |
JP (1) | JP5624055B2 (ja) |
KR (4) | KR101868399B1 (ja) |
CN (1) | CN102217106B (ja) |
AU (1) | AU2009317049A1 (ja) |
CA (1) | CA2743244C (ja) |
GB (1) | GB0821122D0 (ja) |
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TW (1) | TWI489650B (ja) |
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2008
- 2008-11-19 GB GB0821122A patent/GB0821122D0/en not_active Ceased
-
2009
- 2009-11-18 JP JP2011543810A patent/JP5624055B2/ja active Active
- 2009-11-18 AU AU2009317049A patent/AU2009317049A1/en not_active Abandoned
- 2009-11-18 KR KR1020167027486A patent/KR101868399B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-18 KR KR1020187015687A patent/KR101923615B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-18 CN CN200980146251.8A patent/CN102217106B/zh active Active
- 2009-11-18 EP EP09774690.3A patent/EP2351113B1/en active Active
- 2009-11-18 KR KR20117013535A patent/KR20110084324A/ko active Application Filing
- 2009-11-18 CA CA2743244A patent/CA2743244C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-18 KR KR1020187024182A patent/KR101931629B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-18 WO PCT/GB2009/002695 patent/WO2010058162A2/en active Application Filing
- 2009-11-19 US US12/622,012 patent/US8921827B2/en active Active
- 2009-11-19 TW TW098139359A patent/TWI489650B/zh active
-
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- 2011-05-17 IL IL212953A patent/IL212953A/en not_active IP Right Cessation
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JP7005916B2 (ja) | 2017-03-17 | 2022-01-24 | 大日本印刷株式会社 | 光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置 |
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JP7382426B2 (ja) | 2019-06-20 | 2023-11-16 | レイセオン カンパニー | 光セラミック用多層コーティング |
WO2022230481A1 (ja) * | 2021-04-28 | 2022-11-03 | 信越化学工業株式会社 | コアシェル型量子ドット及びコアシェル型量子ドットの製造方法 |
JP7515439B2 (ja) | 2021-04-28 | 2024-07-12 | 信越化学工業株式会社 | コアシェル型量子ドット及びコアシェル型量子ドットの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10014452B2 (en) | 2018-07-03 |
CA2743244A1 (en) | 2010-05-27 |
IL212953A0 (en) | 2011-07-31 |
WO2010058162A3 (en) | 2010-10-14 |
KR101868399B1 (ko) | 2018-07-23 |
KR20180063376A (ko) | 2018-06-11 |
IL212953A (en) | 2017-01-31 |
KR20110084324A (ko) | 2011-07-21 |
CN102217106B (zh) | 2015-08-12 |
AU2009317049A1 (en) | 2010-05-27 |
CN102217106A (zh) | 2011-10-12 |
KR20160119280A (ko) | 2016-10-12 |
US20100123155A1 (en) | 2010-05-20 |
CA2743244C (en) | 2017-01-03 |
US9461215B2 (en) | 2016-10-04 |
EP2351113A2 (en) | 2011-08-03 |
US20150108524A1 (en) | 2015-04-23 |
GB0821122D0 (en) | 2008-12-24 |
JP5624055B2 (ja) | 2014-11-12 |
EP2351113B1 (en) | 2019-03-13 |
WO2010058162A2 (en) | 2010-05-27 |
TW201036214A (en) | 2010-10-01 |
AU2009317049A2 (en) | 2011-05-12 |
KR101931629B1 (ko) | 2018-12-21 |
TWI489650B (zh) | 2015-06-21 |
US8921827B2 (en) | 2014-12-30 |
KR20180097784A (ko) | 2018-08-31 |
KR101923615B1 (ko) | 2018-11-30 |
US20160359093A1 (en) | 2016-12-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140226 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140305 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140402 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140409 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140430 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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