JP2018510241A - 金属チオールポリマーで安定化された量子ドット - Google Patents

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Abstract

【解決手段】複数の量子ドットと、前記量子ドットを安定化させる作用を有する金属チオールポリマーと、を含む組成物。幾つかの実施形態において、金属チオールポリマーは、亜鉛チオールポリマーである。亜鉛チオールポリマーは、亜鉛アルカンチオレートであってよい。亜鉛アルカンチオレートは、亜鉛ドデカンチオレート(Zn−DDT)であってよい。複数の量子ドット及び金属チオールポリマーを含む組成物は、1又は複数の追加ポリマーと共に、量子ドット含有ビーズとして、又は量子ドット含有複合物材料、例えば、複層フィルムとして調製されることができる。【選択図】 図1

Description

<関連出願の記載>
この出願は、2015年3月4日に出願された米国仮特許出願第62/128354号の利益を主張する。
<発明の分野>
本発明は、一般に、半導体ナノ粒子(又は「量子ドット」)に関する。より具体的には、半導体ナノ粒子の安定性を高めるために金属チオールポリマー(例えば、亜鉛・1−ドデカンチオールポリマー)の使用に関する。
<関連技術の説明>
2〜50nm程度の寸法の粒子は、量子ドット(QD)又はナノ結晶と呼ばれることが多く、これらの粒子からなる化合物半導体の特性を利用することに広く関心が寄せられている。これらの材料は、サイズ調整可能な電子特性ゆえに商業的関心が高く、光学デバイスや電子デバイス等の多くの商業的用途の他、生物学的標識、光起電性、触媒作用、生物学的画像化、LED、一般的な空間照明及び電界発光ディスプレイ等を含む多くの新規な他の用途に利用されることができる。
半導体材料の中で最も研究されているのは、カルコゲナイドII−VI材料、すなわちZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdTeである。最も顕著なのはCdSeであるが、それは、スペクトルの可視領域に対する同調性(tuneability)のためである。これら材料の大規模生産のための再現可能な方法は、「ボトムアップ」技術から開発されてきており、これによって、粒子は、「湿式(wet)」化学手順を使用して、1原子ずつ(atom-by-atom)、すなわち分子からクラスターにそして粒子に調製される。
個々の半導体ナノ粒子のサイズに関連する2つの基本的ファクターがあり、それらは、独特の特性に関与している。第1のファクターは、大表面(large surface)の体積に対する比である。粒子が小さくなるにつれて、表面原子の数の内部原子の数に対する比が増加する。これは、材料の全体的な特性において重要な役割を果たす表面特性となる。第2のファクターは、半導体ナノ粒子を含む多くの材料では、材料の電子特性がサイズと共に変化することである。さらに、量子閉込め効果のために、バンドギャップは、粒子のサイズが減少するにつれて次第に大きくなる。この効果は、「ボックスの中の電子(electron in a box)」の閉込め結果であり、対応するバルク半導体材料で観察される連続バンドではなく、原子や分子で観察されるのと同様な離散エネルギーレベルを生じる。それゆえ、半導体ナノ粒子の場合、物理的パラメータのために、電磁放射線(第1励起子遷移より大きなエネルギーを有する光子)の吸収によって生成された電子と正孔(hole)は、両方とも、対応するマクロ結晶材料における場合よりも接近し、その上、クーロン相互作用を無視することができない。これは、ナノ粒子材料の粒径及び組成に依存する狭帯域幅放出となる。したがって、量子ドットの運動エネルギーは、対応するマクロ結晶材料よりも高く、その結果、第1励起子遷移(バンドギャップ)は、エネルギーが増加し、粒子径は減少する。
単一の半導体材料と外側の有機不動態層とからなるコア半導体ナノ粒子は、ナノ粒子表面に位置するダングリングボンド欠陥で起こる電子−正孔再結合のために量子効率が比較的低くなる傾向があり、これは非放射性電子−正孔再結合に至ることがある。量子ドットの無機表面のダングリングボンド欠陥を取り除く1つの方法は、コア粒子の表面にエピタキシャル成長するコア材料と比べて、バンドギャップが広く、かつ格子不整合が小さな第2の無機材料を成長させて、「コアシェル(core-shell)」粒子を生成することである。コアシェル粒子は、表面状態から、コアの中に閉じ込められたあらゆるキャリアを分離するが、そうでないと、前記キャリアは、非放射性再結合の中心として作用することになる。一実施例は、CdSeコアの表面に成長したZnSシェルである。別の方法は、電子−正孔対が、量子ドット−量子井戸構造などの特定材料の数個の単層からなる単一のシェル層に完全に閉じ込められたコア−マルチシェル構造を作製することである。ここでは、コアはバンドギャップが広い材料からなり、続いてバンドギャップがそれより狭い材料からなる薄いシェルがあり、バンドギャップの広いさらなる層でキャッピングされる。前記層は、例えば、CdS/HgS/CdSであり、これは、コアナノ結晶の表面に、Cdの代わりにHgを用いて成長させられて、HgSの幾つかの単層が堆積され、次いでその上にCdSの単層が成長させられたものである。得られた構造は、HgS層中に光励起キャリアが明確に閉じ込められていることを示す。量子ドットにさらなる安定性を加え、電子−正孔対を閉じ込めるのを助けるための最も一般的な方法の1つは、組成が傾斜した合金層をコア上にエピタキシャル成長させることである。これは欠陥に至るかもしれない歪みを軽減するのに役立つ。さらに、CdSeコアの場合、構造安定性と量子収率を改善するために、ZnSのシェルをコア上に直接成長させるのではなく、Cd1−xZnSe1−yの傾斜合金層を用いることができる。これは、量子ドットの光ルミネセンス発光(photoluminescence emission)を大きく向上させることが分かっている。
量子ドットを原子不純物でドーピングすることは、ナノ粒子の放出及び吸収特性を操作する効果的な方法でもある。セレン化亜鉛や硫化亜鉛のような広バンドギャップ材料を、マンガンや銅(ZnSe:Mn又はZnS:Cu)でドーピングするための手順が開発されている。半導体ナノ結晶中の異なるルミネセンス活性化剤によるドーピングは、バルク材料のバンドギャップよりも低いエネルギーで光ルミネセンス及び電子ルミネセンスを調整することができる。一方、量子サイズ効果により、活性化剤関連の放出のエネルギーを有意に変化させることなく、量子ドットのサイズで励起エネルギーを調整することができる。
量子ドットナノ粒子の広範な利用は、それらの物理的/化学的不安定さによって制限され、また、量子ドットを、溶媒、インク、ポリマー、ガラス、金属、電子材料、電子デバイス、生体分子及び細胞に組み込むために必要な多くの材料及び/又はプロセスとの不適合性によって制限されてきた。結果として、これまで用いられてきた一連の量子ドット表面改質手順は、量子ドットをより安定にし、所望される用途の材料及び/又は処理要件に適合させることであった。
量子ドットに対する特に魅力的な応用分野は、次世代の発光ダイオード(LED)の開発である。LEDは現代生活においてますます重要になってきており、例えば、自動車照明、交通信号、一般照明、液晶ディスプレイ(LCD)スクリーンのバックライトユニット(BLU)において、量子ドットが主要用途の1つになる可能性があると考えられている。LEDでバックライトされたLCDは自己発光型(純粋なLEDシステムとは異なる)ではない。LEDを使用してLCDパネルをバックライトする方法は幾つかあり、例えば、パネル及びエッジLED照明の背後に白色又はRGB(赤、緑、青)のLEDアレイを使用するものがある(これは、TVの内側フレーム及び光拡散パネルの周囲に白色LEDを使用して、LCDパネルの後ろに光を均一に拡散させるものである)。LEDバックライティングの変化は異なるメリットをもたらす。「白色」LEDを使用するLEDバックライティングは、より広いスペクトル源を生成し、これが個々のLCDパネルフィルター(冷陰極蛍光灯(CCFL)源と同じようなもの)を供給するため、低コストで、RGB LEDよりも多く制限されたディスプレイ色域をもたらす。LCDに対するエッジLED照明により、ハウジングをより薄くすることができ、LEDでバックライトされたLCDは、プラズマやCCFLテレビよりも長寿命でエネルギー効率が向上する。CCFLのバックライトとは異なり、LEDは製造に水銀(環境汚染物質)を使用しない。LEDは、CCFLよりも迅速にオン/オフを切り替えることができ、光出力をより大きくすることができるので、非常に高いコントラスト比を達成することが可能であり、ディープブラック(LEDオフ)と高輝度(LEDオン)をもたらすことができる。
現在、LEDデバイスは、AlGaAs(赤)、AlGaInP(オレンジ−黄−緑)、及びAlGaInN(緑−青)などの無機ソリッドステート化合物半導体から製造されている。しかしながら、入手可能なソリッドステート化合物半導体の混合物を使用すると、白色光を発するソリッドステートLEDを製造することができない。さらに、異なる周波数のソリッドステートLEDを混合することにより、「純粋色」を生成することが困難である。それゆえ、現在、白色を含む必要な色を生成するための色混合の主な方法では、ソリッドステートLEDの上に配置された燐光材料(phosphorescent materials)の組合せを使用しており、それによって、LEDからの光(「プライマリーライト」)は、燐光材料によって吸収され、次いで異なる波長(「セカンダリーライト」)で再放出される。すなわち、燐光材料は、プライマリーライトをセカンダリーライトにダウンコンバートする。さらに、燐光体ダウンコンバートによって生成された白色LEDの使用は、ソリッドステートの赤色−緑色−青色LEDの組合せよりもコストが低く、デバイスの製造が簡単である。
ダウンコンバージョン用に使用される現在の燐光材料は、UV又は主に青色光を吸収し、それをより長い波長に変換する。なお、現在、多くの燐光体(phosphors)が、希土類でドープされた三価の酸化物又はハロホスフェートを使用している。白色発光は、青色、緑色及び赤色領域で発光する燐光体を、青色又はUV発光ソリッドステーデバイスと混合することにより、すなわち青色発光LEDに、SrGa:Eu2+等の緑色燐光体、及びSrSi:Eu2+等の赤色燐光体を加えることにより、又は、UV発光LEDにSr:Eu2+;Mn2+等の黄色燐光体及び青緑色燐光体を加えることにより、得られることができる。白色LEDは、青色LEDを黄色燐光体とを組み合わせることによっても作製することができるが、LED及び燐光体の調整能力が欠如するため、この方法を使用する場合は色制御と演色性(color rendering)が良好でない。さらに、従来のLED燐光体技術は、演色性の良くないダウンコンバージョン材料(すなわち演色指数(CRI)<75)を使用する。
初歩的な量子ドットベースの発光デバイスは、コロイド状に生成された量子ドットを、光学的に透明な(又は十分に透明な)LED封入媒体、典型的にはシリコーン又はアクリレートの中に埋め込むことによって作製され、次いで、ソリッドステートLEDの表面に配置される。量子ドットの使用は、従来の燐光体の使用に比べて、発光波長を調整する能力、強い吸収特性、及び量子ドットが単分散である場合の低散乱など、幾つかの有意な利点を有する。
量子ドットを次世代発光デバイスに商業的に利用するためには、量子ドットが、単分散状態が可能な限り完全に維持され、量子効率を有意に損なうことなく、LED封入材料に組み込まれることである。しかし、現在までに開発された方法では、特に、現在のLED封止材料の性質に問題がある。量子ドットは現行のLED封入材料に配合されると凝集し、それによって、量子ドットの光学性能が低下する。さらに、量子ドットは、LED封入材料に組み込まれた後でも、酸素が、封止材料の中を通って移動し、量子ドットの表面に到達することがある。これは、光酸化を生じるため、量子収率(QY)の低下をもたらす。
量子ドット(QD)は、様々な理由から、ポリマービーズに組み込まれることができる。標識されたビーズ(labeled beads)は、米国特許第7,674,844号及び第7,544,725号に開示されている。複層のコーティングが施された量子ドットビーズは、米国特許出願公開第2014/0264196号に記載され、シリル表面シェルを有する量子ドットビーズの調製は、米国特許出願公開第2014/0264193号に記載されている。量子ドットポリマービーズは、照明用途及びディスプレイ用途にも開発されてきた。量子ドットをビーズに組み込むことは、処理、量子ドットの光酸化からの保護、及び演色の容易性の点で利点がある。しかしながら、量子ドットをビーズに組み込むことによる悪影響の1つは、量子ドットの量子収率がしばしば低下することである。
従来、QDビーズの製造は、懸濁重合により、QDを、モノマーとしてラウリルメタクリレート(LMA)を含有する(メタ)アクリレート樹脂と、架橋剤としてのトリメチルオイルプロパントリメタクリレート(TMPTM)と、光開始剤としてのフェニルビス(2,4,6トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド(IRGACURE(登録商標)819)と混合し、UV−LED光を用いて硬化させることにより行なった。明るいQDビーズは懸濁重合によってうまく合成されるが、ビーズサイズが大きくなるため、これらのビーズは、照明やディスプレイ等の多くの用途での使用に適していない。50ミクロンより小さなサイズのビーズを合成することは大きな課題であり、ビーズサイズが小さくなるにつれて、通常、光ルミネセンスの量子収率(QY)が低下する。
最近になって、照明及びディスプレイ用として、赤色と緑色の両方が小さく(<50μm)、明るいQDビーズを製造する簡易な方法が開発されている。このプロセスは、TWEEN(登録商標)ポリソルベート界面活性剤[ICI Americas、Inc.]をポリビニルアルコール(PVOH)水溶液と共に添加することにより、より小さくて明るいビーズを生成するものである。
この方法は、TWEEN(登録商標)界面活性剤の代わりに、SPAN(登録商標)界面活性剤[Croda International PLC]、一連のポリソルビタンエステル界面活性剤の使用を含むように拡大されている。
このような懸濁重合では、洗浄されていないモノマー(例えばラウリルメタクリレート)、架橋剤(例えば、トリメチロールプロパンメタクリレート)及び光開始剤(例えばIRGACURE819)からなる溶液を、乾燥量子ドットに添加して、QD−樹脂溶液が生成される。PVOHと界面活性剤(例えば、TWEEN80)の水溶液が約400〜1000rpmで撹拌され、QD樹脂溶液が窒素雰囲気下で注入される。必要に応じて、界面活性剤がQD樹脂溶液に添加されることができる。溶液は、平衡化させて、次いでUV光に暴露される。得られた小さなQDポリマービーズは、冷水とアセトニトリルで洗浄し、真空下で乾燥することによって回収されることができる。
赤色発光QDビーズと緑色発光QDビーズは両方とも、懸濁重合によって首尾よく合成されたが、特に赤色ビーズの量子収率(QY)は、多くのディスプレイ用途に要求される収率よりも低かった。従来の量子ドットポリマービーズは、熱に敏感であり、量子ドットの量子収率は、ビーズが加熱された後に著しく低下する。これは、原子層堆積(ALD)コーティング等のビーズの後処理に制限を課すことになり、例えば、LED含有蛍光ビーズの回路基板へのはんだ付けのようなデバイスへの処理が制限される。
限定されるものではないが、例えば、ディスプレイバックライトユニット(BLU)のような量子ドットベースの発光デバイスを含む広範囲の用途に量子ドットを適用できる可能性のある将来性に鑑みて、様々なグループが、量子ドットの安定性を高めることができ、より明るく、より長寿命で、及び/又は、様々な種類の処理条件に対する感受性を小さくできる方法を開発する作業に取り掛かっている。例えば、実験室条件下では、現在公開されている方法に基づいて、合理的に効率的な量子ドットベースの発光デバイスを製作することができる。しかしながら、量子ドットベースの材料及び量子ドットベースのデバイス(発光デバイスなど)を製造する方法を、消費者の需要を満たすことができる十分高いレベルの性能を経済的に実行可能な規模で行なうには、多くの課題が残されている。
<発明の要旨>
金属チオール配位ポリマーを、量子ドットビーズ及び複合物(composites)に加えると、少なくとも2つの明らかな利点を有することが見出された。その1つは、QYが、金属チオールポリマーを用いずに合成されたビーズ及び複合物と比較して著しく増加することである。そして、2つめは、金属チオールポリマーを含めて作られたビーズ及び複合物は、熱的により安定しており、加熱後、初期QYが高い割合で保持されることである。
本発明は、重金属を含まない量子ドットビーズ及び複合物を調製する(prepare)ための方法であって、従来の合成方法においてZn−DDT(1−ドデカンチオール)ポリマー等の有機金属硫化亜鉛ポリマーを添加剤として用いるか、又は金属チオールポリマーをビーズ又は複合物のポリマーマトリックスとして用いる。
Zn−DDTポリマーを使用しない上記方法で小さなQDビーズを作製するこれまでの試みでは、得られるビーズの明るさは、Zn−DDTポリマーと共に合成されたビーズよりも実質的に低かった。
本発明の方法は、加熱後に初期QYの大部分を保持する非常に明るいQDビーズ及び複合物を作製するものである。これらの特性は、QDポリマービーズ及び複合物の性能を改善する上で実質的な効果をもたらす。
低架橋高輝度のビーズ及び複合物は、ディスプレイ用途のフィルムの製造に適している。高架橋高輝度ビーズは、ALDコーティングに適しており、例えば、Al等の金属酸化物表面コーティングを施して、水蒸気透過率並びに他の気体及び液体への浸透性を低下させる。そのようなコーティングが施されたビーズは、ディスプレイや照明用途にも適している。
ある種類のタイプのZn−DDT(使用される具体的な合成経路に依存する)をビーズ及び複合物材料に添加すると、発光スペクトルにおけるピークの半値全幅(FWHM)が減少し、量子ドットがマトリックス中に取り込まれたときに一般的に観察される赤色シフトの量が減少するので、演色性の改善が得られる。
量子ドットが、非常に高い純度を有し(それゆえ、大過剰の安定化リガンドを欠く)、薄くて又は不完全な無機シェル又は量子ドットを有すると、取扱いの際、光ルミネセンス量子収率に許容できない損失を生じる。これは、ディスプレイ及び照明用途における色変換材料として使用するには、重大な障害であった。
量子ドット含有複合物もまた、金属−チオールポリマーの添加による利点を受ける。例えば、ディスプレイ用の量子ドットフィルムを製造するための二相樹脂系では、外相がエポキシ、内相がアクリレートの液体−液体系を硬化させて得られる固体−固体の最終フィルムは、Zn−ドデカンチオールポリマーが二相樹脂系の内相の量子ドットのホスト材料として用いられた場合、安定性と性能が向上した。
本発明に係る様々な量子ドット−(金属−チオール)ポリマー複合物が開発され、様々な外相型樹脂と組み合わせて、フィルムの性能及び寿命が評価された。金属−チオールポリマーをホスト材料として使用することにより、フィルムの外部量子効率熱応力の他、光ストレス下でのエッジイングレス安定性(edge ingress stability)や、熱応力下での暗イングレス安定性(dark ingress stability)を維持するのに有効であることが判明した。
本開示の他の態様は、当業者であれば、例示として示される以下の様々な実施形態から、容易に明らかとなるだろうことが理解されるべきである。
図1は、具体的な亜鉛チオールポリマーの一例が企図された構造である。
図2は、Zn−DDTを含む小さなQDビーズを、本発明に係る懸濁/エマルジョン重合により合成する工程を説明する概略図である。
図3Aは、バックライトユニット(BLU)スペクトルを示す。 図3Bは、本発明に係る特定フィルムに対する色域シミュレーション結果を示す。
<発明の詳細な説明>
上述したように、薄いか又は不完全な無機シェルを有する量子ドット、又は十分に高い純度を有する量子ドット(十分に大過剰の安定化リガンドが欠如した量子ドット)は、光励起されると、ルミネセンス強度の損失が時間の経過と共に許容できないほどになる。これは、ディスプレイや照明用途における色変換材料としての使用などの商業用途へそれらを導入する上で重大な障害であった。
亜鉛チオールポリマーを量子ドット含有ビーズ又は複合物材料に添加すると、金属チオールポリマー無しで合成された量子ドット又は複合物材料と比較して、量子ドットビーズ又は複合物のQYが予測し得ないほど増加することが見出された。さらに、金属チオールポリマーを含んで製造された量子ドット複合物は、熱的安定性がより高い。
亜鉛チオールポリマーは、製造すること、及び量子ドットに組み込むことが比較的容易である。先行技術の1つの具体的な方法が、文献[Su Chen,Chunhui Hu,Li Chen及びNanping XuによるChem.Commun.,2007,1919−1921]に記載されている。
亜鉛チオールポリマーが、量子ドットビーズ及び複合物の調製に含まれる場合、溶液中での量子ドット量子収率(QY)の損失は殆ど無いか又は全く無いことが観察された。ポリマー添加剤をQD含有樹脂に組み込むこと(incorporation)は、光ルミネセンス(PL)QYを安定化させるのに役立つ。すなわち、金属チオールポリマーが含まれるビーズ及び複合物中のPLQYの損失はより少なかった。
本発明は、量子ドット−(金属チオールポリマー)ビーズ及び複合物材料に含めることにより環境因子及び処理条件に対する量子ドットの安定性を向上させることを含み、次いで、安定化された量子ドットを、効率的で安定なカラーダウンコンバージョン用途において使用することを含む。
Zn−ドデカンチオールポリマーの量子ドットに対する安定性の向上は、そのポリマーが2相樹脂系の内相内の量子ドットのホスト材料として使用される場合に、安定性及び性能の有益な改善が実現され得ることを示唆している。
量子ドット−(金属−チオールポリマー)複合物材料を開発し、様々な外相型樹脂と組み合わせ、フィルム中の量子ドットの性能と寿命を評価した。ホスト材料としての金属−チオールポリマーを使用すると、フィルムの外部量子効率(EQE)の他に、光ストレス下でのエッジイングレス安定性及び熱応力下での暗イングレス安定性を維持するのに有効であることが判った。
本発明はまた、金属チオール配位ポリマーを量子ドットのホストとして使用することにより、アプリケーションフォーマットへの処理中における量子ドットの量子収率(QY)の維持を向上させる。例示として(限定するものでなく)挙げると、攻撃的な極性ポリマーから作られたフィルムは、通常、量子ドットの性能を低下させると考えられている。
Zn−DDTポリマーは、様々な技術によって合成されることができ、リガンドの異なるアルカン鎖長を使用することができる。しかしながら、各合成経路は、様々な特性を有する材料を生成する。本明細書の出願日時点で知られている最も有用な物質を生成する合成経路を以下に記載する。なお、各前駆体の比は、異なる特性を有するポリマーを製造するために変更されることができる。
無水酢酸亜鉛を、変性されたターフェニルを含む熱伝達流体合成物(synthetic heat transfer fluid)であるTHERMINOL(登録商標)66[SOLUTIA INC.,575 MARYVILLE CENTER DRIVE,ST. LOUIS,MISSOURI 63141]の中で1時間脱ガスした。その溶液を不活性N雰囲気下に置いて、230℃の温度に上昇させ、1時間アニールした。1時間後、ドデカンチオールを加えた。ドデカンチオールの添加量は、使用した無水酢酸亜鉛の量に関連する量である(Zn対Sの比は1:0.9)。溶液を1時間アニールした後、70℃に冷却した。この溶液を、70℃で、使用したTHERMINOL66と等量のアセトンで沈殿させた(precipitated)。
Zn−DDTポリマーが、濃厚なワックス状のダイラタントとして沈殿した。この材料は、水中溶解したコーンスターチによく似たせん断増粘特性を示した。生成した物質をアセトンで洗浄した後、90℃のトルエン中で30分間溶解した。生成したトルエン溶液は無色であり、室温に冷却しても沈殿しなかった。全ての物質がトルエンに可溶ではなかった。次いで、溶解しなかった物質を真空乾燥した後、粉砕して微粉末とした。
トルエンに溶解した物質については、トルエン溶液を2体積当量のアセトンで沈殿させた。沈殿した物質を次に遠心分離し、トルエンを除去するためにアセトン中で超音波処理した。トルエンはこの物質に対して親和性を有するようであった。次いで、沈殿物をシクロヘキサンに溶解し、アセトンで再沈殿させた。この最終沈殿物を真空下で乾燥させ、乳棒と乳鉢を用いて粉砕した。乾燥工程と粉砕工程を3回繰り返し、自由流動性(free-flowing)の白色固体を生成した。
不溶性部分と可溶性部分の両方を分析し、ビーズ中で試験した。一般に、不溶性部分は結晶性物質を含有し、従来のビーズ樹脂(例えば、LMA/TMPTM)の中で良好に分配する。可溶性のZn−DDT部分(fraction)は、この明細書では詳述しない他の用途にも有用であり得る。
亜鉛ジメタクリレート前駆体を使用した別の合成経路が、Zn(DDT)ポリマーの官能性を変化させるために開発された。
無水亜鉛ジメタクリレートを100℃のTHERMINOL66の中で1時間脱ガスした。次いで、その溶液を不活性雰囲気(N)下に置いて、230℃の温度に上昇させ、1時間アニールした。1時間後、使用した無水酢酸亜鉛の量に関連する量のドデカンチオールを加えた(Zn対Sの比は1:0.9)。溶液を1時間アニールした後、70℃に冷却した。
この溶液を、70℃で、使用したTHERMINOL66と等量のアセトンで沈殿させた。これにより、非常に微細な沈殿物が生成された。この沈殿物は、前述したどの溶媒にも完全に不溶性である。沈殿物をアセトンでさらに洗浄して最終生成物を精製した。次いで、洗浄した固体を真空下で24時間乾燥させて、非常に微細で、自由流動性のオフホワイトの粉末が生成された。
官能化アルカンチオールを含む他のアルカンチオールが本発明に適用可能であることを検討する。例えば、DDTは、チオール基の反対側のアルカン鎖の末端(又は分岐アルカンの場合、チオール基から離れた位置)に反応性官能基を有することができ、この反応性官能基は、ホストポリマー自体への架橋又は結合を可能にする。
本発明の適用を、次のQDビーズ及びQD含有複合物材料の2つの例で示す。
{量子ドットビーズ}
懸濁重合によりQDビーズを製造する合成手順を図2に図式的に示す。
<実施例1:Zn−DDTポリマーを用いた低架橋結合の小さな明るい赤色ビーズの調製>
・PVOH溶液の調製:
ポリビニルアルコール(PVOH)を脱イオン水に溶解し、一晩撹拌することにより、ポリビニルアルコール水溶液を調製した。ビーズ合成の前に、PVOH溶液を濾過して、溶解されなかったPVOH又は塵埃粒子を除去した。1%TWEEN(登録商標)80界面活性剤[CRODA AMERICAS LLC,1209 ORANGE STREET,WILMINGTON DELAWARE 19801]を4%PVOH水溶液に添加した。
・Zn−DDT樹脂溶液の調製:
樹脂を調製するために、トルエンに溶解した赤色InPZnS基合金量子ドット(13mg/3mlの樹脂)[PLmax=627nm、FWHM=56nm、QY(希釈、トルエン)=80%]を、不活性雰囲気下で、攪拌棒が入れられた琥珀色のガラスバイアルに移した。トルエンを、減圧下で連続的に撹拌しながら除去した。目に見える微量の溶媒をすべて除去した後、残留物を真空下で40℃の温度で45分間加熱し、あらゆる残留溶媒を除去した。ストック溶液の調製は、脱ガスしたラウリルメタクリレート(LMA、5.2mL)とトリメチロールプロパンメタクリレート架橋剤(TMPTM、0.8mL)を、IRGACURE(登録商標)819開始剤(40mg、0.74wt%)及びIRGACURE651(40mg、0.74%)[BASF SE COMPANY,CARL−BOSCH−STR.38 LUDWIGSHAFEN GERMANY 67056]の光開始剤に加えることにより行なった。混合物を暗所で撹拌し、完全に溶解させた。次いで、必要量のストック溶液を、不活性雰囲気の暗条件下にて、乾燥QD残留物に添加し、樹脂溶液を生成した。樹脂溶液は一晩攪拌してQDを完全に分散させた。翌日、所要量のZn−DDT粉末を1時間脱ガスした。次いで、QD樹脂溶液をその中に加えて、一晩攪拌した。
・Zn−DDTを有するQDビーズの調製:
20mLのガラスバイアル中で、PVOH/Tween80溶液(4/1重量%、10mL)を真空/窒素サイクル下で数時間脱ガスした。各実験では、1gの樹脂溶液を、PVOH/Tween80の水溶液に注入し、N下にて、800rpmで連続的に撹拌した。溶液を15分間かけて平衡にし、次いでUV LEDキットの下で10分間硬化させてQDビーズを形成した。QDビーズは、その後、水とアセトニトリルで洗浄し、次いで真空下で乾燥させた。表1は、特性データと、真空中で48時間を超えて加熱した後のQYを示す。
Figure 2018510241
表1のデータは、ビーズのQYがZn−DDT濃度の増加と共に増加することを示している。さらに、FWHMが減少し、ビーズ中のドットの赤色シフト量が減少した。表1のデータはまた、約10%を超えるZn−DDTポリマーと共に製造されたビーズは、加熱後の初期QYの割合が有意により高く保持されることを示している。
図3に示されるように、Zn−DDTポリマーのビーズの中への組み入れは、より多くのZn−DDTを含むビーズ(試料ID B364及びB365)がバイアルの底に沈着したときに起こる。Zn−DDTを含まないか又はその量が少ないビーズ(試料ID B361及びB362)は浮遊する。興味深いことに、5%Zn−DDTを含むビーズが安定なコロイド状ラテックス溶液を作ることが分かった。
<実施例2:Zn−DDTポリマーを用いた高架橋結合の明るい赤色ビーズの調製>
実施例1と同様な手順であるが、樹脂溶液の調製に、TWEEN(登録商標)80界面活性剤(3重量%)[CRODA AMERICAS LLC,1209 ORANGE STREET,WILMINGTON DELAWARE 1 9801]、比率が1:0.5のLMA:TMPTM、及び1重量%のIRGACURE819を使用した点が実施例1と異なる。3mLのZn−DDT QD樹脂溶液を、250mLのトルネード反応容器内の脱酸素されたPVOH溶液に注入した。平衡時間は5分であり、硬化時間は800RPMで10分であった。特性データが表2に示される。
Figure 2018510241
表2のデータは、高架橋ビーズのQYがZn−DDT濃度の増加と共に増加することを実証している。表2はまた、20%Zn−DDTを有するビーズのQYが、ALD法によるAlコーティング後、初期QYの約90%を保持したことを示している。Zn−DDTを含まないビーズでは、ALDコーティング後、初期QYの37%が保持されただけである。
{複合物材料のQDコーティング}
量子ドット−(金属−チオールポリマー)複合物材料の調製は、トルエン溶液として量子ドットと金属−チオールポリマーの2種類の成分を混合し、続いて真空蒸留によってトルエンを除去することにより行われることができる。さらに、(青色光吸収と光抽出を補助するための)散乱剤を添加することができる。Zn−ドデカンチオールポリマーを使用する複合物の調製の例を実施例3に示す。この場合、使用した金属チオールポリマーは、文献[S.Chen,C.Hu,L.Chen及びN.XuによるChem.Commun.,2007,1919]の方法に従って調製されたZn−ドデカンチオールポリマーであった。調製後、粉砕された粉体の光ルミネセンス(PL)光学特性を、積分球付属品を具えたハママツ分光計を用いた蛍光分光法によって調べた。PLピーク波長、発光ピークの半値全幅(FWHM)及び光ルミネセンス量子収率(PLQY)は、励起波長450nmを用いて求めた。実施例データを表3に示す。
粉砕された複合物粉末のPLQY性能は、例えば、重合ビーズ等の他の固体形態よりも良好である。この重合ビーズは、ビーズ合成に必要なフリーラジカル重合及び攻撃的な外相材料の作用によって生じた損傷のために、PLQY測定値が通常70%よりも低い。
Figure 2018510241
これら粉末の有用性を試験するために、標準のSMD3528パッケージの中に小型、低電力LEDを使用して、幾つかのLEDを調製した。これらの調製方法は実施例4に詳述されている。調製後、LEDにおける複合物の外部量子効率(EQE)を、複合物材料無しの同じOptocast3553UV硬化エポキシ樹脂を使用し、20mAの順方向電流で調製されたブランクLED(すなわち、QD無しのLED)と比較することにより、決定した。非常に高い吸光度の複合物がLEDの中にあると、EQEはかなり良好であり、Optocast UVに直接分散されたドット、及び/又は、極性エポキシとの負の相互作用による急冷された熱硬化エポキシ単独で得られるEQEよりも遙かに良好であった。
Figure 2018510241
調製された複合物粉末の有用性をさらに試験するために、それら粉末を様々な極性樹脂の中に分散させて、2枚のバリアフィルムの間に樹脂を挟み、紫外線露光により樹脂を硬化させることによって発光性フィルムを調製した。樹脂混合物の調製とその後のフィルムの調製の例を実施例5に示す。調製後、フィルムは、EQE及び寿命ストレス試験測定のために約14×18mmに切断した。複数の極性樹脂を調べた。複合物材料から得られたフィルムは、ほぼすべての場合において、比較的高いEQEを有していた。樹脂の詳細と複合物材料の量をフィルムのEQEと共に表5に示す。試料及び樹脂のある範囲に亘って、達成された最も低いEQEは41%であり、大部分の樹脂から生じるフィルムのQDEは49%であった。
Figure 2018510241
使用した樹脂の一部は市販のものである。しかしながら、一部は、特別に調製された配合物(custom formulations)である。異なる樹脂配合物は、一般に、下記のとおりである。
・カスタムアクリレート1:二官能性モノマーを有するエポキシアクリレート樹脂
・カスタムアクリレート2:ガラス転移温度(Tg)の低いアクリレート
・カスタムアクリレート3:二官能性モノマーを有するエポキシアクリレート樹脂
・カスタムアクリレート4:Tgの高いアクリレート樹脂
・カスタムアクリレート5:二官能性モノマーを有するエポキシアクリレート樹脂
量子ドット−(金属−チオールポリマー)複合物材料の性能維持に及ぼす影響のさらなる例が表に示されており、固体QD−(金属チオールポリマー)複合物を用いたフィルムのEQEは、液体モノマー内相にQDを使用したフィルムのEQEと比べて、はるかに改良されていることが明らかである。特に、低Tgのアクリレートを生成するカスタムアクリレート2は、より良性の樹脂(例えば、カスタムアクリレート1)が使用されたときの約40%と比較して、EQEが13%と低い液体モノマーの内相性能に明らかに損傷を与える。これは、超疎水性構造を形成する金属チオールポリマーの能力に起因する可能性が非常に高く[Su Chen,C.Hu,L.Chen及びN.XuによるChem.Commun.,2007,1919]、これは外側相樹脂中の有害成分から量子ドットを保護するのに非常に優れている。
Figure 2018510241
金属チオールポリマーがどのようにして量子ドットを保護するかについてのさらなる証拠は、試料を熱処理することによって得られる。表7は、熱処理前後における試料のPLQY測定値を示しており、複合物は、量子ドットが埋め込まれた他のタイプの固体(この場合はアクリレートビーズ)と比較して、PLQY性能を非常に良好に維持することを示している。
Figure 2018510241
色変換材料としての液晶ディスプレイ(LCD)BLUにおける複合物の有用性を試験するために、QD−(金属チオールポリマー)複合物材料を異なる樹脂に分散させ、QD含有層が2枚のバリアフィルムの間に挟まれたサンドイッチタイプのフィルムを作製した。製作後、可能な色全域の性能がシミュレートされた赤色、緑色及び青色のピクセル用の液晶モジュール(LCM)透過スペクトルを使用して、青色BLU上のフィルムの輝度(luminance)と白色点の性能を試験した。QD−(金属チオールポリマー)複合物フィルムのスペクトルの例が図3Aに示され、その後の色域の例が図3Bに示されている。この試料フィルム(425B)の場合、550ニットBLUの輝度は2280ニットであり、ディフューザ/BEF/DBEF光学フィルムスタックを利用した。色域シミュレーションは、市販のテレビジョン受信機から決定された透過スペクトルを使用して行われ、BLUデータに適用されると、デジタルシネマイニシアチブP3(DCI−P3)標準の96%オーバーラップする大きな色域が得られた。BLUの白色点(x,y)は0.267,0.238であり、透過スペクトルが適用された後に0.290,0.296の所望の白色点が得られた。
BLU性能データに加えて、フィルムはまた、より小さいなピース(約19mm×14mm)に切断され、加速された使用条件下でフィルムの性能の維持を試験するように設計された複数の異なる寿命応力試験に供された。実際の用途では、フィルムは通常、BLU内で約3〜10mW/cmの青色光放射に曝される。それゆえ、フィルムの応力試験での放射照度(irradiances)は、実時間試験では、室温で湿度が2.4mW/cm、加速試験では60℃/90%相対湿度で106mW/cmの条件で行なった。さらに、60℃/90%相対湿度(RH)で暗試験を行った。
すべての試験において、フィルムは良好な性能を維持し、2500時間に亘る実時間試験において性能の低下は全く認められなかった。60℃/90%RHの条件では、フィルムはまた、比較的良好な性能の維持を示し、106mW/cmの青色光応力に曝された場合も80%を超える相対性能を維持し、暗所応力下での緑色発光量子ドットに対しては90%を超える性能維持、赤色発光量子ドットに対しては70%を超える性能維持を示した。重要なことは、暗試験において、他のシステムの中で問題のあることがわかったエッジイングレスの兆候が視覚的に認められなかったことである。
<実施例3:量子ドット−(金属チオールポリマー)複合物材料の調製
濃度35mg/mLの緑色発光量子ドット(重金属を含まない半導体ナノ粒子)のトルエン溶液2ミリリットルを14mLの氷酢酸に加えた。得られた沈殿物を遠心分離により単離し、上清を捨てた。集められた固体をアセトニトリルですすぎ洗いし、次いでn−ヘキサン中で溶解し、遠心分離した。残存するすべての未溶解固体を捨てて、ヘキサン溶液を分液漏斗に移した。アセトニトリル(15mL)を加え、漏斗を振盪した。相分離後、極性層を廃棄した。この抽出プロセスをさらに2回繰り返して、分液漏斗ガラス上にコーティングを生じさせ、無色の2つの液相を廃棄した。コーティングをアセトニトリルでもう一度すすぎ洗いした。洗浄物が酸性である場合、すすぎ溶媒のpHがほぼ中性になるまでコーティングを再びすすぎ洗いした。最後に、コーティングをトルエン(3mL)中で溶解した。
別に、Zn−ドデカンチオールポリマー1gをトルエン(10mL)中で溶解し、上記で調製した量子ドット溶液1mLと混合した。硫酸バリウム粉末(70mg)を加え、混合物を超音波処理した。得られた懸濁液を蒸発させて真空乾燥させ、黄色固体を生成して、これを窒素下に置いた。次いで、凍結乾燥技術を用いて微量の溶媒を除去した。試料を液体窒素で冷却し、数分間減圧下に置き、ゆっくりと室温に戻し(なお、減圧下では数分間放置した)、次いで、窒素雰囲気で再充填した。自由流動性の固体が得られるまでサイクルを少なくとも5回繰り返した。次いで、試料を不活性雰囲気のグローブボックスに移し、そこでメノウ乳棒と乳鉢で粉砕し、35ミクロンのふるいに通して、自由流動性の高ルミネセンス粉末を得た。
<実施例4:供試LEDの調製>
粉砕し、篩い分けしたQD−(Zn−ドデカンチオールポリマー)−BaSO複合物材料(9mg)を清浄なガラスバイアル中で秤量した。UV硬化エポキシOptocast3553(120μL)を加え、懸濁液を十分に混合した。少量(3μL)の懸濁液を3528LEDパッケージの空のウェルの中に堆積させ、UV光(360nm、170mW/cm、64秒)に露光することによって樹脂を硬化させた。
<実施例5:ルミネセンス複合物フィルムの調製>
試料1116(172mg)、試料1130(98mg)及びBaSOを、不活性雰囲気のグローブボックス内の清浄な琥珀色のバイアルの中で秤量した。エポキシアクリレート系樹脂(800mg)を添加し、混合物は、清浄な金属スパチュラを用いて、均一な色の粘性混合物が得られるまで十分混合した。次いでバイアルに蓋をしてグローブボックスから取り出し、黄色光の下で約10−2g/m/日の酸素透過率(OTR)で、PETベースのバリアフィルムのバリア側に分配した。別のバリアフィルム片を樹脂の頂部に配置し、バリア側を樹脂の方に向けて、サンドイッチ体をマングルを通して引っ張って樹脂を広げ、フィルムの厚さを画定した。この工程の後、フィルムをUV硬化オーブンの中へ入れて30秒間保持し、約800mJの線量を供給して、フィルムが完全に硬化させた。
{利点}
金属チオール配位ポリマーを複合物材料内の量子ドットのホストとして使用すると、多くの利点がある。第1に、ポリマーと量子ドットとの間に強い相互作用があるため、ポリマーと相互作用するとき、量子ドットは非常に安定であり、ポリマーが、開始剤及び極性外相コンポーネント等の有害な外部剤から量子ドットを遮蔽する。第2に、この複合物は固体として調製されることができるので、フィルムの次の演色が比較的簡単であり、異なる粉末を秤量し、その後に外相樹脂と混合することのみである。第3に、異なる色の固体複合物は、外相樹脂に混合されても混ざらないので、演色の簡易性が維持される。最後に、硬化工程がなく、量子ドットがホストマトリックスの中に単に埋め込まれるので、硬化による量子ドットの損傷により生ずる性能の損失が無い。
上記は、本発明の原理を具現化するシステムの特定の実施形態を提供するものである。当業者であれば、本明細書に明示的に開示されていなくとも、それらの原理を具現化する代替及び変形を工夫することはできるであろう。従って、それらの代替及び変形は、本発明の範囲内である。本発明の特定の実施形態を図示及び説明したが、それらは本特許が包含するものを限定することを意図するものではない。当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく、以下の特許請求の範囲によって文字通り等価的に包含される様々な変更及び修正を為し得ることは理解されるであろう。

Claims (39)

  1. 複数の量子ドットと、
    金属チオールポリマーと、
    を含む、組成物。
  2. 金属チオールポリマーは、亜鉛チオールポリマーである、請求項1に記載の組成物。
  3. 亜鉛チオールポリマーは、亜鉛アルカンチオレートである、請求項2に記載の組成物。
  4. 亜鉛アルカンチオレートは、亜鉛ドデカンチオレート(Zn−DDT)である、請求項3に記載の組成物。
  5. 前記金属チオールポリマーとは異なる樹脂材料をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
  6. 乾燥粉末として調製される、請求項1に記載の組成物。
  7. 溶液として調製される、請求項1に記載の組成物。
  8. 複数のビーズを含む粉末を含む組成物であって、
    前記複数のビーズは、各ビーズが、Zn−DDTを含む主マトリックス材料と、前記主マトリックス材料の中に組み込まれた量子ドットナノ粒子の集団と、を含む、組成物。
  9. 主マトリックス材料は、少なくとも約10重量%のZn−DDTを含む、請求項8に記載の組成物。
  10. 主マトリックス材料は、少なくとも約20重量%のZn−DDTを含む、請求項8に記載の組成物。
  11. 各ビーズに堆積された表面コーティングをさらに含み、前記表面コーティングが、少なくとも1つの表面コーティング層を含む、請求項8に記載の組成物。
  12. 前記表面コーティング層は、各表面コーティング層が、コーティング材料からなる1又は複数の単層から本質的に構成される、請求項11に記載の組成物。
  13. 主マトリックス材料は、シリカ、樹脂、ポリマー、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコーン、又はメタクリレートである、請求項8の組成物。
  14. 前記表面コーティングは、無機材料である、請求項8の組成物。
  15. 前記表面コーティングは、金属酸化物である、請求項8の組成物。
  16. 前記表面コーティングは、酸化アルミニウム又は酸化ケイ素である、請求項8の組成物。
  17. 前記表面コーティングは、ポリマーである、請求項8の組成物。
  18. 前記表面コーティングは、アルコキシド合金ポリマーである、請求項8の組成物。
  19. 量子ドットナノ粒子は、インジウムとリンを含む、請求項8の組成物。
  20. 量子ドットナノ粒子は、カドミウムを本質的に含まない、請求項8の組成物。
  21. 前記表面コーティングは、2又は3以上の表面コーティング層を含み、前記表面コーティング層が異なる材料を含む、請求項8の組成物。
  22. 各ビーズは、約1000〜約10000のナノ粒子を含む、請求項8の組成物。
  23. 各ビーズは、約10000〜約100000の量子ドットナノ粒子を含む、請求項8の組成物。
  24. 量子ドットビーズを調製する方法であって、
    モノマー、架橋剤及び重合光開始剤を含む第1の溶液を調製すること、
    前記第1の溶液の中に量子ドットを分散させて、第2の溶液を生成すること、
    前記第2の溶液をZn−DDTポリマーと混合して、第3の溶液を生成すること、
    前記第3の溶液を、ポリビニルアルコールの水溶液及び界面活性剤に連続攪拌条件下で加えて、第4の溶液を生成すること、及び
    前記第4の溶液を紫外光に露光して、量子ドットビーズを形成すること、
    を含む、方法。
  25. 量子ドットと、
    樹脂と、
    金属−チオールポリマーと、
    を含む、複合物材料。
  26. 金属チオールポリマーは、亜鉛チオールポリマーである、請求項25に記載の複合物材料。
  27. 亜鉛チオールポリマーは、亜鉛アルカンチオレートである、請求項26に記載の複合物材料。
  28. 亜鉛アルカンチオレートは、亜鉛ドデカンチオレート(Zn−DDT)である、請求項27に記載の複合物材料。
  29. 前記樹脂は、二官能性モノマーを有するエポキシアクリレート樹脂を含む、請求項25に記載の複合物材料。
  30. 前記樹脂は、Tgの低いアクリレート樹脂を含む、請求項25に記載の複合物材料。
  31. 前記樹脂は、Tgの高いアクリレート樹脂を含む、請求項25に記載の複合物材料。
  32. 金属−チオールポリマーを含む樹脂の中に埋め込まれた量子ドットを含む複合物材料であって、
    金属−チオールポリマーを含む樹脂の中に埋め込まれた量子ドットが、粉砕された複合物粉末の形態である、複合物材料。
  33. 金属−チオールポリマーが、Zn−DDTである、請求項32に記載された複合物材料。
  34. 第1のバリア層と、
    第2のバリア層と、
    前記第1のバリア層と前記第2のバリア層との間に配備された金属−チオールポリマーを含む樹脂の中に埋め込まれた量子ドットの層と、
    を含む、複合物フィルム。
  35. 前記第1のバリア層と前記第2のバリア層は、酸素及び水蒸気に対して実質的に非透過性である、請求項34に記載された複合物フィルム。
  36. 亜鉛ドデカンチオレート(Zn−DDT)ポリマーを調製する方法であって、
    酢酸亜鉛を熱伝達流体合成物に加えて、第1の溶液を生成すること、
    前記第1の溶液を、不活性雰囲気下でアニールすること、
    前記第1の溶液に、使用した無水酢酸亜鉛の量に関連する量のドデカンチオールを加えて、第2の溶液を生成すること、
    前記第2の溶液をアニールすること、
    前記第2の溶液を冷却すること、
    非溶媒を加えて、Zn−DDTポリマーを堆積させること、
    堆積されたZn−DDTポリマーを非極性溶媒の中に溶解して、第3の溶液と不溶性物質を生成すること、及び
    前記不溶性物質を乾燥させること、
    を含む、方法。
  37. 前記第1の溶液に、使用した無水酢酸亜鉛の量に関連する量のドデカンチオールを加えて、第2の溶液を生成することは、前記第2の溶液のZn対Sの比が約1:0.9となる量のドデカンチオールを加えることを含む、請求項36に記載された方法。
  38. 亜鉛ドデカンチオレート(Zn−DDT)ポリマーを調製する方法であって、
    亜鉛ジメタクリレートを熱伝達流体合成物に加えて、第1の溶液を生成すること、
    前記第1の溶液を、不活性雰囲気下でアニールすること、
    前記第1の溶液に、使用した無水酢酸亜鉛の量に関連する量のドデカンチオールを加えて、第2の溶液を生成すること、
    前記第2の溶液をアニールすること、
    前記第2の溶液を冷却すること、
    非溶媒を加えて、Zn−DDTポリマーを堆積させること、及び
    堆積されたZn−DDTポリマーを乾燥させて、本質的にZn−DDTポリマーからなる粉末を生成すること、
    を含む、方法。
  39. 前記第1の溶液に、使用した無水酢酸亜鉛の量に関連する量のドデカンチオールを加えて、第2の溶液を生成することは、前記第2の溶液のZn対Sの比が約1:0.9となる量のドデカンチオールを加えることを含む、請求項38に記載された方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6866577B2 (ja) * 2016-05-31 2021-04-28 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、光波長変換粒子、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
US10889755B2 (en) * 2016-11-22 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, complex, laminated structure and display device, and electronic device including the same
US10670962B2 (en) * 2017-02-20 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof, and quantum dot polymer composite pattern produced therefrom
EP3635069B1 (en) 2017-06-08 2023-06-07 Merck Patent GmbH A composition comprising semiconducting light-emitting nanoparticles having thiol functional surface ligands
US11121290B2 (en) 2017-11-08 2021-09-14 Nano And Advanced Materials Institute Limited Barrier free stable quantum dot film
CN111448289A (zh) 2017-12-14 2020-07-24 默克专利股份有限公司 半导体性发光纳米颗粒
CN108727237B (zh) * 2018-08-08 2020-05-22 美轲(广州)化学股份有限公司 十二烷基硫醇锌的制备方法
WO2020078843A1 (en) 2018-10-15 2020-04-23 Merck Patent Gmbh Nanoparticle
KR20210031027A (ko) 2019-09-10 2021-03-19 삼성디스플레이 주식회사 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102504788B1 (ko) 2019-10-14 2023-02-27 삼성에스디아이 주식회사 양자점, 이를 포함하는 경화성 조성물, 상기 조성물을 이용하여 제조된 경화막 및 상기 경화막을 포함하는 컬러필터
CN110746556B (zh) * 2019-10-24 2022-07-08 齐鲁工业大学 一种截止波长可调、窄吸收过渡带蓝光阻断膜的制备方法
CN115244155A (zh) * 2020-03-09 2022-10-25 国立大学法人东海国立大学机构 发光材料及其制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011198930A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Showa Denko Kk 発光装置、発光モジュール及び照明装置
JP2012509604A (ja) * 2008-11-19 2012-04-19 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 半導体ナノ粒子を用いた発光デバイス、関連材料及び方法
JP2012194012A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 蛍光半導体粒子
JP2013204004A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Konica Minolta Inc 高輝度半導体ナノ粒子集積体
JP2014133685A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 炭素量子ドットの製造方法及び炭素量子ドット
JP2014169421A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Kaneka Corp 半導体ナノ粒子を含む蛍光体
WO2015083813A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 富士フイルム株式会社 光変換部材、偏光板、液晶パネル、バックライトユニット、および液晶表示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2478083A1 (en) * 2002-03-05 2003-09-18 Board Of Regents, The University Of Texas System Biospecific contrast agents
GB0606845D0 (en) 2006-04-05 2006-05-17 Nanoco Technologies Ltd Labelled beads
US20110014473A1 (en) * 2007-01-31 2011-01-20 Ying Jackie Y Polymer-coated nanoparticles
US8927464B2 (en) * 2007-11-29 2015-01-06 President And Fellows Of Harvard College Assembly and deposition of materials using a superhydrophobic surface structure
FR2930786B1 (fr) * 2008-05-05 2010-12-31 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de nanocristaux luminescents, nanocristaux ainsi obtenus et leurs utilisations
KR101529997B1 (ko) * 2011-01-28 2015-06-18 쇼와 덴코 가부시키가이샤 양자 도트 형광체를 포함하는 조성물, 양자 도트 형광체 분산 수지 성형체, 양자 도트 형광체를 포함하는 구조물, 발광 장치, 전자기기, 기계 장치, 및 양자 도트 형광체 분산 수지 성형체의 제조 방법
KR101960469B1 (ko) * 2012-02-05 2019-03-20 삼성전자주식회사 반도체 나노결정, 그의 제조 방법, 조성물 및 제품
CN107099283A (zh) 2013-03-14 2017-08-29 纳米技术有限公司 多层包覆的量子点珠
CN108383090A (zh) * 2013-03-15 2018-08-10 纳米技术有限公司 Cu2XSnY4纳米粒子
KR102098788B1 (ko) 2013-03-15 2020-04-08 나노코 테크놀로지스 리미티드 Iii-v/아연 칼코겐 화합물로 합금된 반도체 양자점
US9783733B2 (en) 2013-03-15 2017-10-10 Nanoco Technologies Ltd. Preparation of quantum dot beads having a silyl surface shell

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012509604A (ja) * 2008-11-19 2012-04-19 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 半導体ナノ粒子を用いた発光デバイス、関連材料及び方法
JP2011198930A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Showa Denko Kk 発光装置、発光モジュール及び照明装置
JP2012194012A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 蛍光半導体粒子
JP2013204004A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Konica Minolta Inc 高輝度半導体ナノ粒子集積体
JP2014133685A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 炭素量子ドットの製造方法及び炭素量子ドット
JP2014169421A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Kaneka Corp 半導体ナノ粒子を含む蛍光体
WO2015083813A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 富士フイルム株式会社 光変換部材、偏光板、液晶パネル、バックライトユニット、および液晶表示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SU CHEN,CHUNHUI HU,LI CHEN AND NANPING XU: "Facile fabrication of superhydrophobic surface from micro/nanostructure metal alkanethiolate based f", CHEM. COMMUN.−CHEMCOM., JPN6018048509, 26 February 2007 (2007-02-26), GB, pages 1919 - 1921, ISSN: 0004154968 *

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