JP2012257214A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 光電変換素子と、該光電変換素子で発生した電流を増幅する電流増幅回路と、スタンバイ回路とを有する光電変換部を有し、
   前記光電変換部は、第１の端子、第２の端子、及び第３の端子を有し、
   前記第１の端子には、電源電圧が供給され、
   前記第２の端子には、抵抗素子が電気的に接続され、
   前記第３の端子は、前記スタンバイ回路と電気的に接続され、
   前記電流増幅回路は、カレントミラー回路であり、
   前記スタンバイ回路は、酸化物半導体層を有する第１のトランジスタを有し、
   前記カレントミラー回路が有する第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、さらに容量素子を有し、容量素子の一方の端子は、前記抵抗素子の一方の端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。