JP2012186460A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとが重なり、ホスト材料の励起エネルギーがゲスト材料の励起エネルギーに変換され燐光を発する発光素子を提供する。ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを利用して、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動が円滑に行われるため、該発光素子はエネルギー移動効率が高い。したがって、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について説明する。
まず、燐光性化合物をゲスト材料として用いる発光素子における発光の一般的な素過程を説明する。
(1−1)ゲスト分子の励起状態が三重項励起状態のとき
ゲスト分子は燐光を発する。
(1−2)ゲスト分子の励起状態が一重項励起状態のとき
一重項励起状態のゲスト分子は三重項励起状態に項間交差し、燐光を発する。
(2−1)ホスト分子の励起状態が三重項励起状態のとき
ホスト分子のT1準位がゲスト分子のT1準位よりも高い場合、ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動し、ゲスト分子が三重項励起状態となる。三重項励起状態となったゲスト分子は燐光を発する。なお、ゲスト分子の一重項励起エネルギーの準位(S1準位)へのエネルギー移動も形式上あり得るが、多くの場合ゲスト分子のS1準位の方がホスト分子のT1準位よりも高エネルギー側に位置しており、主たるエネルギー移動過程になりにくいため、ここでは割愛する。
(2−2)ホスト分子の励起状態が一重項励起状態のとき
ホスト分子のS1準位がゲスト分子のS1準位およびT1準位よりも高い場合、ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動し、ゲスト分子が一重項励起状態又は三重項励起状態となる。三重項励起状態となったゲスト分子は燐光を発する。また、一重項励起状態となったゲスト分子は、三重項励起状態に項間交差し、燐光を発する。
以下では、分子間のエネルギー移動過程について詳説する。
フェルスター機構は、エネルギー移動に、分子間の直接的接触を必要としない。ホスト分子及びゲスト分子間の双極子振動の共鳴現象を通じてエネルギー移動が起こる。双極子振動の共鳴現象によってホスト分子がゲスト分子にエネルギーを受け渡し、ホスト分子が基底状態になり、ゲスト分子が励起状態になる。フェルスター機構の速度定数kh * →gを数式(1)に示す。
デクスター機構は、ホスト分子とゲスト分子が軌道の重なりを生じる接触有効距離に近づき、励起状態のホスト分子の電子と基底状態のゲスト分子の電子の交換を通じてエネルギー移動が起こる。デクスター機構の速度定数kh * →gを数式(2)に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図15を用いて説明する。
<吸収スペクトル>
図1(A)、図16に[Ir(dppm)2(acac)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(以下、吸収スペクトルと記す)を吸収スペクトル1として示す。同様に、吸収スペクトル2として、[Ir(mppr−Me)2(dpm)]の吸収スペクトルを、吸収スペクトル3として、[Ir(mppm)2(acac)]の吸収スペクトルを示す。
また、図1(A)、図16に、2mDBTPDBq−IIとPCBA1BPの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトル)を示す。図1(A)において、横軸は、波長(nm)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。図16において、横軸は、エネルギー(eV)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。
次に、上記測定で得られた[Ir(dppm)2(acac)]及び[Ir(mppr−Me)2(dpm)]の吸収スペクトル(図1(A)における吸収スペクトル1及び2)を、計算により再現することを試みた。
傾向1)吸収スペクトル2(2’)のピーク波長よりも、吸収スペクトル1(1’)のピーク波長の方が、発光スペクトルのピーク波長と近い位置にある。
傾向2)吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のピーク波長のモル吸光係数は、吸収スペクトル1(1’)の方が、吸収スペクトル2(2’)よりも大きい。
まず、ガラス基板1100上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
発光素子2の発光層1113は、2mDBTPDBq−II、PCBA1BP、及び[Ir(mppr−Me)2(dpm)]を共蒸着することで形成した。ここで、2mDBTPDBq−II、PCBA1BP、及び[Ir(mppr−Me)2(dpm)]の重量比は、0.8:0.2:0.05(=2mDBTPDBq−II:PCBA1BP:[Ir(mppr−Me)2(dpm)])となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。発光層1113以外は、発光素子1と同様に作製した。
発光素子3の発光層1113は、2mDBTPDBq−II、PCBA1BP、及び[Ir(mppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここで、2mDBTPDBq−II、PCBA1BP及び[Ir(mppm)2(acac)]の重量比は、0.8:0.2:0.05(=2mDBTPDBq−II:PCBA1BP:[Ir(mppm)2(acac)])となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。発光層1113以外は、発光素子1と同様に作製した。
まず、ガラス基板1100上に、ITSOをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
図17(A)(B)に[Ir(dppm)2(acac)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(吸収スペクトルa)を示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.093mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。
また、図17(A)(B)に、2mDBTPDBq−IIとNPBの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルa)を示す。図17(A)において、横軸は、波長(nm)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。図17(B)において、横軸は、エネルギー(eV)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。
まず、ガラス基板1100上に、ITSOをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
図23(A)(B)に[Ir(tppr)2(dpm)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(吸収スペクトルb)を示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.094mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。
また、図23(A)(B)に、2mDBTPDBq−IIとNPBの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルb)を示す。図23(A)において、横軸は、波長(nm)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。図23(B)において、横軸は、エネルギー(eV)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。
発光素子6の発光層1113は、2mDBTPDBq−II、NPB及び[Ir(tppr)2(dpm)]を共蒸着することで形成した。ここで、2mDBTPDBq−II、NPB及び[Ir(tppr)2(dpm)]の重量比は、0.8:0.2:0.05(=2mDBTPDBq−II:NPB:[Ir(tppr)2(dpm)])となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。発光層1113以外は、実施例5に示した発光素子5と同様に作製した。
図30(A)(B)に[Ir(mppm)2(acac)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(吸収スペクトルc)を示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.10mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。
また、図30(A)(B)に、2mDBTPDBq−IIとPCBA1BPの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルc−1)、及び2mDBTPDBq−IIとαNBA1BPの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルc−2)を示す。図30(A)において、横軸は、波長(nm)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。図30(B)において、横軸は、エネルギー(eV)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。
まず、ガラス基板1100上に、ITSOをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
発光素子8の発光層1113は、2mDBTPDBq−II、αNBA1BP及び[Ir(mppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここで、2mDBTPDBq−II、αNBA1BP及び[Ir(mppm)2(acac)]の重量比は、0.8:0.2:0.05(=2mDBTPDBq−II:αNBA1BP:[Ir(mppm)2(acac)])となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。発光層1113以外は、発光素子7と同様に作製した。
図37(A)(B)に[Ir(tBuppm)2(acac)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(吸収スペクトルd)を示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.093mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。
また、図37(A)(B)に、2mDBTPDBq−IIとDPA2SFの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルd−1)、及び2mDBTPDBq−IIとNPBの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルd−2)を示す。図37(A)において、横軸は、波長(nm)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。図37(B)において、横軸は、エネルギー(eV)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。
まず、ガラス基板1100上に、ITSOをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
発光素子10の発光層1113は、2mDBTPDBq−II、NPB及び[Ir(tBuppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここで、2mDBTPDBq−II、NPB及び[Ir(tBuppm)2(acac)]の重量比は、0.8:0.2:0.05(=2mDBTPDBq−II:NPB:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。発光層1113以外は、発光素子9と同様に作製した。
図43(A)(B)に[Ir(mppr−Me)2(dpm)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(吸収スペクトルe)を示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.093mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。
また、図43(A)(B)に、2mDBTPDBq−IIと1’−TNATAの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルe−1)、及びDBTBIm−IIと1’−TNATAの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルe−2)を示す。図43(A)において、横軸は、波長(nm)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。図43(B)において、横軸は、エネルギー(eV)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。
まず、ガラス基板1100上に、ITSOをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
発光素子12の発光層1113は、DBTBIm−II、1’−TNATA及び[Ir(mppr−Me)2(dpm)]を共蒸着することで形成した。ここで、DBTBIm−II、1’−TNATA及び[Ir(mppr−Me)2(dpm)]の重量比は、0.8:0.2:0.05(=DBTBIm−II:1’−TNATA:[Ir(mppr−Me)2(dpm)])となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は20nmとした。
図49(A)(B)に[Ir(mppr−Me)2(dpm)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(吸収スペクトルf)を示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.093mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。
また、図49(A)(B)に、2mDBTPDBq−IIとPCBNBBの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルf−1)、及び2mDBTPDBq−IIとPCCPの混合材料の薄膜の発光スペクトル(発光スペクトルf−2)を示す。図49(A)において、横軸は、波長(nm)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。図49(B)において、横軸は、エネルギー(eV)を示し、縦軸は、モル吸光係数ε(M−1・cm−1)及び発光強度(任意単位)を示す。
まず、ガラス基板1100上に、ITSOをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
発光素子14の発光層1113は、2mDBTPDBq−II、9−フェニル−9H−3−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)カルバゾール(略称:PCCP)及び[Ir(mppr−Me)2(dpm)]を共蒸着することで形成した。ここで、2mDBTPDBq−II、PCCP及び[Ir(mppr−Me)2(dpm)]の重量比は、0.8:0.2:0.05(=2mDBTPDBq−II:PCCP:[Ir(mppr−Me)2(dpm)])となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は20nmとした。発光層1113以外は、発光素子13と同様に作製した。
上記実施例で用いた有機金属錯体、(アセチルアセトナト)ビス(4,6−ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(別名:ビス[2−(6−フェニル−4−ピリミジニル−κN3)フェニル−κC](2,4−ペンタンジオナト−κ2O,O’)イリジウム(III))(略称:[Ir(dppm)2(acac)])の合成例を示す。なお、[Ir(dppm)2(acac)]の構造を以下に示す。
まず、4,6−ジクロロピリミジン5.02g、フェニルボロン酸8.29g、炭酸ナトリウム7.19g、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド(略称:Pd(PPh3)2Cl2)0.29g、水20mL、アセトニトリル20mLを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波(2.45GHz 100W)を60分間照射することで加熱した。ここで更にフェニルボロン酸2.08g、炭酸ナトリウム1.79g、Pd(PPh3)2Cl20.070g、水5mL、アセトニトリル5mLをフラスコに入れ、再度マイクロ波(2.45GHz 100W)を60分間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた抽出液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ピリミジン誘導体Hdppmを得た(黄白色粉末、収率38%)。なお、マイクロ波の照射は、マイクロ波合成装置(CEM社製 Discover)を用いた。以下にステップ1の合成スキーム(a−1)を示す。
次に、2−エトキシエタノール15mL、水5mL、上記ステップ1で得たHdppm1.10g、塩化イリジウム水和物(IrCl3・H2O)0.69gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を1時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで濾過し、次いで洗浄し、複核錯体[Ir(dppm)2Cl]2を得た(赤褐色粉末、収率88%)。以下にステップ2の合成スキーム(a−2)を示す。
さらに、2−エトキシエタノール40mL、上記ステップ2で得た[Ir(dppm)2Cl]21.44g、アセチルアセトン0.30g、炭酸ナトリウム1.07gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 120W)を60分間照射し、反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣をジクロロメタンに溶解して濾過し、不溶物を除去した。得られた濾液を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタン:酢酸エチル=50:1(体積比)を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。その後、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶することにより、目的物である橙色粉末を得た(収率32%)。以下にステップ3の合成スキーム(a−3)を示す。
上記実施例で用いた有機金属錯体、(アセチルアセトナト)ビス(6−メチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(別名:ビス[2−(6−メチル−4−ピリミジニル−κN3)フェニル−κC](2,4−ペンタンジオナト−κ2O,O’)イリジウム(III))(略称:[Ir(mppm)2(acac)])の合成例を示す。なお、[Ir(mppm)2(acac)]の構造を以下に示す。
まず、4−クロロ−6−メチルピリミジン4.90g、フェニルボロン酸4.80g、炭酸ナトリウム4.03g、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド(略称:Pd(PPh3)2Cl2)0.16g、水20mL、アセトニトリル10mLを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波(2.45GHz 100W)を60分間照射することで加熱した。ここでさらにフェニルボロン酸2.28g、炭酸ナトリウム2.02g、Pd(PPh3)2Cl20.082g、水5mL、アセトニトリル10mLをフラスコに入れ、再度マイクロ波(2.45GHz 100W)を60分間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて抽出した。得られた抽出液を飽和炭酸ナトリウム水溶液、水、次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタン:酢酸エチル=9:1(体積比)を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体Hmppmを得た(橙色油状物、収率46%)。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置(CEM社製 Discover)を用いた。以下にステップ1の合成スキーム(b−1)を示す。
次に、2−エトキシエタノール15mL、水5mL、上記ステップ1で得たHmppm1.51g、塩化イリジウム水和物(IrCl3・H2O)1.26gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を1時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで洗浄し、濾過することにより複核錯体[Ir(mppm)2Cl]2を得た(暗緑色粉末、収率77%)。以下にステップ2の合成スキーム(b−2)を示す。
さらに、2−エトキシエタノール40mL、上記ステップ2で得た複核錯体[Ir(mppm)2Cl]21.84g、アセチルアセトン0.48g、炭酸ナトリウム1.73gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 120W)を60分間照射し、反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣をジクロロメタンに溶解して濾過し、不溶物を除去した。得られた濾液を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタン:酢酸エチル=4:1(体積比)を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。その後、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶することにより、目的物を黄色粉末として得た(収率22%)。以下にステップ3の合成スキーム(b−3)を示す。
上記実施例で用いた有機金属錯体、(アセチルアセトナト)ビス(6−tert−ブチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(別名:ビス[2−(6−tert−ブチル−4−ピリミジニル−κN3)フェニル−κC](2,4−ペンタンジオナト−κ2O,O’)イリジウム(III))(略称:[Ir(tBuppm)2(acac)])の合成例を示す。なお、[Ir(tBuppm)2(acac)]の構造を以下に示す。
まず、4,4−ジメチル−1−フェニルペンタン−1,3−ジオン22.5gとホルムアミド50gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部を窒素置換した。この反応容器を加熱することで反応溶液を5時間還流させた。その後、この溶液を水酸化ナトリウム水溶液に注ぎ、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ヘキサン:酢酸エチル=10:1(体積比)を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ピリミジン誘導体HtBuppmを得た(無色油状物、収率14%)。ステップ1の合成スキームを下記(c−1)に示す。
次に、2−エトキシエタノール15mLと水5mL、上記ステップ1で得たHtBuppm1.49g、塩化イリジウム水和物(IrCl3・H2O)1.04gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を1時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで吸引濾過、洗浄し、複核錯体[Ir(tBuppm)2Cl]2を得た(黄緑色粉末、収率73%)。ステップ2の合成スキームを下記(c−2)に示す。
さらに、2−エトキシエタノール40mL、上記ステップ2で得た複核錯体[Ir(tBuppm)2Cl]2 1.61g、アセチルアセトン0.36g、炭酸ナトリウム1.27gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 120W)を60分間照射し、反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣をエタノールで吸引濾過し、水、エタノールで洗浄した。この固体をジクロロメタンに溶解させ、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通して濾過した。溶媒を留去して得られた固体をジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶することにより、目的物を黄色粉末として得た(収率68%)。ステップ3の合成スキームを下記(c−3)に示す。
上記実施例で用いた2−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq−II)の合成方法について説明する。
2−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq−II)の合成スキームを(d−1)に示す。
1H NMR(CDCl3,300MHz):δ(ppm)=7.45−7.52(m,2H)、7.59−7.65(m,2H)、7.71−7.91(m,7H)、8.20−8.25(m,2H)、8.41(d,J=7.8Hz,1H)、8.65(d,J=7.5Hz,2H)、8.77−8.78(m,1H)、9.23(dd,J=7.2Hz,1.5Hz,1H)、9.42(dd,J=7.8Hz,1.5Hz,1H)、9.48(s,1H)。
103 第1の電極
108 第2の電極
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 第1のEL層
801 第2のEL層
803 電荷発生層
1100 基板
1101 第1の電極
1103 第2の電極
1111 正孔注入層
1112 正孔輸送層
1113 発光層
1114a 第1の電子輸送層
1114b 第2の電子輸送層
1115 電子注入層
Claims (8)
- 一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、
前記ホスト材料の発光スペクトルと前記ゲスト材料の吸収スペクトルが重なり、前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで、燐光を発する発光素子。 - 一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、
前記ホスト材料の発光スペクトルと、前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり、前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで、燐光を発する発光素子。 - 請求項2において、
前記吸収帯が、三重項MLCT遷移に由来する吸収を含む発光素子。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記発光スペクトルが、蛍光スペクトルである発光素子。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記ゲスト材料は、有機金属錯体である発光素子。 - 請求項5において、
前記ゲスト材料は、イリジウム錯体である発光素子。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が0.3eV以内である発光素子。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のモル吸光係数が、5000M−1・cm−1以上である発光素子。
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