JP2012117062A - 液晶混合物 - Google Patents
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Abstract
Description
1.基板としてのシリコンウエハー上のMOS(金属酸化物半導体:metal oxide semiconductor)または他のダイオード、
2.基板としてのガラス板上の薄膜トランジスタ(TFT:thin−film transistor)。
−広げられたネマチック相範囲(特に、低い温度まで)、
−極度に低い温度でのスイッチ能力(屋外使用、自動車、航空)、
−UV放射に対する増大された抵抗(より長い寿命)。
R1およびREは、それぞれ互いに独立に、H、または、ハロゲン化または無置換の1〜15個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基であり、ただし加えて、これらの基における1個以上のCH2基は、それぞれ互いに独立に、O原子が互いに直接連結しないようにして、−C≡C−、−CH=CH−、−O−、−CO−O−または−O−CO−で置き換えられていてもよく、
A1、A2およびA3は、それぞれ互いに独立に、
X1は、F、Cl、CN、NCS、OCN、SF5、1〜5個の炭素原子を有するフッ化アルキル、1〜5個の炭素原子を有するフッ化アルコキシ、2〜5個の炭素原子を有するフッ化アルケニルまたは1〜5個の炭素原子を有するフッ化アルケニルオキシであり、
XEは、F、Cl、OCF3、OCHF2、OCH=CF2、OCF=CF2、OCHFCF3、OCF2CFHCF3、CH3、C2H5またはn−C3H7であり、
L1、L2、L3およびL4は、それぞれ互いに独立に、HまたはFであり、
Z1、Z2およびZ3は、それぞれ互いに独立に、−CO−O−、−O−CO−、−CF2O−、−OCF2−、−CH2O−、−OCH2−、−CH2CH2−、−(CH2)4−、−C2F4−、−CH2CF2−、−CF2CH2−、−CF=CF−、−CH=CH−、−C≡C−または単結合であり、
a、bおよびcは、それぞれ互いに独立に、0、1、2または3であり、ただし、a+b+cは、1、2、3または4である。
halogenは、FまたはCl、好ましくは、Fを表し、
alkylまたはalkyl*は、それぞれ互いに独立に、直鎖状または分岐状で1〜9個の炭素原子を有するアルキル基、好ましくは、直鎖状のアルキル基であり、
alkenylまたはalkenyl*は、それぞれ互いに独立に、直鎖状または分岐状で9個までの炭素原子を有するアルケニル基、好ましくは、直鎖状のアルケニル基である。
R0は、それぞれ9個までの炭素原子を有するn−アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル、アルケニルオキシまたはアルケニルであり、
X0は、F、Cl、7個までの炭素原子を有するハロゲン化アルキル、ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アルケニルオキシまたはハロゲン化アルコキシ、好ましくは、F、OCF3およびOCF=CF2であり、
Z0は、−CH=CH−、−C2H4−、−(CH2)4−、−C2F4−、−CH2O−、−OCH2−、−CF=CF−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−または−O−であり、
Y1、Y2、Y3およびY4は、それぞれ互いに独立に、HまたはFであり、および
rは、0または1である。
R0は、それぞれ9個までの炭素原子を有するn−アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル、アルケニルオキシまたはアルケニルであり、
dは、0、1または2であり、
Y1は、HまたはFであり、
alkylまたはalkyl*は、それぞれ互いに独立に、直鎖状または分岐状で1〜9個の炭素原子を有するアルキル基、好ましくは、直鎖状のアルキル基であり、
alkenylまたはalkenyl*は、それぞれ互いに独立に、直鎖状または分岐状で9個までの炭素原子を有するアルケニル基、好ましくは、直鎖状のアルケニル基である。
−好ましくは1〜20%の量において、式E−5aの少なくとも1種類の化合物、または
−好ましくは全体として5〜20%の量において、式E−4aの少なくとも1種類の化合物および式E−5aの少なくとも1種類の化合物
を含有する。
V0は、20℃における容量閾電圧(V)であり、
neは、20℃および589nmにおいて測定される異常光屈折率であり、
n0は、20℃および589nmにおいて測定される正常光屈折率であり、
Δnは、20℃および589nmにおいて測定される光学異方性であり、
ε⊥は、20℃および1kHzにおけるダイレクターに垂直な誘電率であり、
ε‖は、20℃および1kHzにおけるダイレクターに平行な誘電率であり、
Δεは、20℃および1kHzにおける誘電異方性であり、
(Δε=ε‖−ε⊥、ここでε‖は分子長軸に平行な誘電定数を表し、ε⊥はそれに垂直な誘電定数を表す。)
γ1は、20℃において測定される回転粘度(mPa・s)であり、
K1は、20℃における「スプレイ(splay)」変形に対する弾性定数(pN)であり、
K2は、20℃における「ツイスト(twist)」変形に対する弾性定数(pN)であり、
K3は、20℃における「ベンド(bend)」変形に対する弾性定数(pN)であり、
LTSは、試験用セル中で決定される低温安定性(相安定性)であり、
V10は、10%の透過(基板表面に垂直な視野角)に対する電圧である。
Claims (13)
- 式Iの少なくとも1種類の化合物と、式Eの少なくとも1種類の化合物とを含有することを特徴とする液晶媒体。
R1およびREは、それぞれ互いに独立に、H、または、ハロゲン化または無置換の1〜15個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基であり、ただし加えて、これらの基における1個以上のCH2基は、それぞれ互いに独立に、O原子が互いに直接連結しないようにして、−C≡C−、−CH=CH−、−O−、−CO−O−または−O−CO−で置き換えられていてもよく、
A1、A2およびA3は、それぞれ互いに独立に、
X1は、F、Cl、CN、NCS、OCN、SF5、1〜5個の炭素原子を有するフッ化アルキル、1〜5個の炭素原子を有するフッ化アルコキシ、2〜5個の炭素原子を有するフッ化アルケニルまたは1〜5個の炭素原子を有するフッ化アルケニルオキシであり、
XEは、F、Cl、OCF3、OCHF2、OCH=CF2、OCF=CF2、OCHFCF3、OCF2CFHCF3、CH3、C2H5またはn−C3H7であり、
L1、L2、L3およびL4は、それぞれ互いに独立に、HまたはFであり、
Z1、Z2およびZ3は、それぞれ互いに独立に、−CO−O−、−O−CO−、−CF2O−、−OCF2−、−CH2O−、−OCH2−、−CH2CH2−、−(CH2)4−、−C2F4−、−CH2CF2−、−CF2CH2−、−CF=CF−、−CH=CH−、−C≡C−または単結合であり、
a、bおよびcは、それぞれ互いに独立に、0、1、2または3であり、ただし、a+b+cは、1、2、3または4である。) - 式Iの化合物の少なくとも2種類を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶媒体。
- 一般式II〜IXの群より選択される1種類以上の化合物を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の液晶媒体。
R0は、それぞれ9個までの炭素原子を有するn−アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル、アルケニルオキシまたはアルケニルであり、
X0は、F、Cl、7個までの炭素原子を有するハロゲン化アルキル、7個までの炭素原子を有するハロゲン化アルケニル、7個までの炭素原子を有するハロゲン化アルケニルオキシまたは7個までの炭素原子を有するハロゲン化アルコキシであり、
Z0は、−CH=CH−、−C2H4−、−(CH2)4−、−C2F4−、−CH2O−、−OCH2−、−CF=CF−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−または−O−であり、
Y1、Y2、Y3およびY4は、それぞれ互いに独立に、HまたはFであり、
rは、0または1である。) - 少なくとも1種類の反応性メソゲンを含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の液晶媒体。
- 式Iの少なくとも1種類の化合物および式Eの少なくとも1種類の化合物を、1種類以上のメソゲン化合物と、任意成分として更なる添加剤と、任意成分として1種類以上の反応性メソゲンと混合することを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の液晶媒体の製造方法。
- 電気光学的目的のための請求項1〜9のいずれか一項に記載の液晶媒体の使用。
- TN−TFT−、IPS−、FFS−、正のVA−、PS−IPS−、PS−FFS−、PS−TN−TFT−または正のPS−VA−用途のための請求項11に記載の液晶媒体の使用。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の液晶媒体を含有する電気光学的液晶ディスプレイ。
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