TWI496875B - 液晶組成物及使用其之液晶顯示元件 - Google Patents
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Description
本發明係有關一種有用於作為液晶顯示材料之介電各向異性(△ε)顯示正值的向列型液晶組成物及使用其之液晶顯示元件。
液晶顯示元件係以鐘錶、計算機為首,逐漸使用於各種測定機器、汽車用面板、文字處理機、電子記事本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式,其代表例係有使用TN(扭轉向列)型、STN(超扭轉向列)型、TFT(薄膜電晶體)之垂直配向型或IPS(面內切換,in-plane switching)型等。此等液晶顯示元件所使用的液晶組成物係要求對水分、空氣、熱、光等外部刺激呈穩定;及以室溫為中心,儘可能在廣泛溫度範圍內顯示液晶相、低黏性,且驅動電壓低。更且,以液晶組成物而言,為使其介電各向異性(△ε)或折射率各向異性(△n)等對於各個顯示元件達最佳值,係由數種至數十種的化合物構成。
垂直配向(VA)型顯示器中係使用△ε為負的液晶組成物,TN型、STN型或IPS(面內切換)型等的水平配向型顯示器中則使用△ε為正的液晶組成物。此外,亦有使△ε為正的液晶組成物在未施加電壓時垂直配向,並藉由施加橫電場來進行顯示之驅動方式的報導,△ε為正的液晶組成物的需要性進一步提高。另一方面,在所有驅動方式中均要求低電壓驅動、高速響應、廣泛工作溫度範圍。亦即,係要求△ε為正且絕對值大、黏度(η)小,向列型相-等向性液體相轉移溫度(Tni)高。此外,必須由△n與晶胞間隙(d)的積△n×d的設定,將液晶組成物的△n調節成合乎晶胞間隙的適當範圍。加之,在將液晶顯示元件應用於電視等時,由於高速響應性極受重視,則要求旋轉黏性(γ1)小的液晶組成物。
作為以高速響應性為目標之液晶組成物的構成,係有例如組合使用屬△ε為正的液晶化合物之以式(A-1)或(A-2)表示之化合物、及屬△ε為中性的液晶化合物之(B)的液晶組成物之揭示。就此等液晶組成物的特徵而言,△ε為正的液晶化合物具有-CF2
O-結構、△ε為中性的液晶化合物具有烯基,在此液晶組成物的領域中既已廣為人知(專利文獻1至4)。
另一方面,以至於液晶顯示元件的用途擴大,其使用方法、製造方法亦可見到大的變化。為因應此等變化,便逐漸要求將如以往所知之基本物性值以外的特性最佳化。亦即,使用液晶組成物的液晶顯示元件以至於VA型、IPS型等經廣泛使用,其尺寸50吋以上之超大型尺寸的顯示元件亦達實用化而逐漸被使用。隨著基板尺寸的大型化,液晶組成物向基板的注入方法亦發生變化,由以往的真空注入法,至滴下注入(ODF:One Drop Fill)法成為注入方法的主流。惟,將液晶組成物向基板滴下之際的滴下痕導致顯示品質降低的問題已浮上檯面。
更者,在採用ODF法的液晶顯示元件製造步驟中,需依據液晶顯示元件的尺寸滴下最佳的量。若滴下量由最佳值大幅偏離,則預先設計之液晶顯示元件的折射率、驅動電場會失去平衡,而產生不均勻發生、對比不良等顯示不良。尤其是大量使用於近來流行的智慧型手
機的小型液晶顯示元件由於其最佳液晶滴下量少,將由最佳值的偏離控制於一定範圍內本身極為困難。因此,為了高程度保持液晶顯示元件的製造良率,則要求例如液晶滴下時產生之滴下裝置內的劇烈壓力變化或衝擊的影響少、可長時間穩定持續滴下。
如此,在以TFT元件等驅動之主動矩陣驅動液晶顯示元件所使用的液晶組成物中,便要求開發「考量液晶顯示元件之製造方法,同時追求作為液晶顯示元件所要求之高速響應性能、高比電阻值、高電壓保持率、或者對光或熱等外部刺激之穩定性的提升」。
專利文獻1 日本特開2008-037918號
專利文獻2 日本特開2008-038018號
專利文獻3 日本特開2010-275390號
專利文獻4 日本特開2011-052120號
本發明所欲解決之課題在於提供一種△ε為正的液晶組成物,即具有廣泛溫度範圍的液晶相、黏性小,低溫下的溶解性良好,比電阻或電壓保持率高,對熱或光呈穩定的液晶組成物,並進一步使用其來高良率地提供一
種可抑制殘影或滴下痕等所致之顯示不良而呈現優良顯示品質的液晶顯示元件、及提供一種使用該液晶組成物之液晶顯示元件。
本發明係包含以下形態:
(1)一種液晶組成物,其特徵為含有以下式(i)及式(ii)表示之化合物:
(2)如前述(1)之液晶組成物,其進一步含有以下述通式(L)表示之至少1種化合物:
該通式(L)中,RL1
及RL2
分別獨立表示碳原子數1~8之烷基,該烷基中的1個或非相鄰的至少2個-CH2
-可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代,OL表示0、1、2或3,BL1
、BL2
及BL3
分別獨立表示選自包含(a)1,4-伸環己基(存在於此基中的1個-CH2
-或
未相鄰的至少2個-CH2
-可經-O-取代)、及(b)1,4-伸苯基(存在於此基中的1個-CH=或未相鄰的至少2個-CH=可經-N=取代)之群組中之基,上述基(a)與基(b)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代,LL1
及LL2
分別獨立表示單鍵、-CH2
CH2
-、-(CH2
)4
-、-OCH2
-、-CH2
O-、-COO-、-OCO-、-OCF2
-、-CF2
O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-,當OL為2或3而LL2
存在複數個時,彼等可相同亦可相異,當OL為2或3而BL3
存在複數個時,彼等可相同亦可相異,惟以該式(ii)表示之化合物除外。
(3)如前述(1)或(2)之液晶組成物,其進一步含有以下述通式(M)表示之至少1種化合物:
該通式(M)中,RM1
表示碳原子數1~8之烷基,該烷基中的1個或非相鄰的至少2個-CH2
-可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代,PM表示0、1、2、3或4,CM1
及CM2
分別獨立表示選自包含(d)1,4-伸環己基(存在於此基中的1個-CH2
-或未相鄰的至少2個-CH2
-可經-O-或-S-取代)、及(e)1,4-伸苯基(存在於此基中的1個-CH=或未相鄰的至少2個-CH=可經-N=取代)之群組中之基,上述基(d)與基(e)可分別獨立地經氰基、
氟原子或氯原子取代,KM1
及KM2
分別獨立表示單鍵、-CH2
CH2
-、-(CH2
)4
-、-OCH2
-、-CH2
O-、-OCF2
-、-CF2
O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-,當PM為2、3或4而KM1
存在複數個時,彼等可相同亦可相異,當PM為2、3或4而CM2
存在複數個時,彼等可相同亦可相異,XM1
及XM3
分別獨立表示氫原子、氯原子或氟原子,XM2
表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基,惟以該式(i)表示之化合物除外。
(4)一種液晶顯示元件,係使用前述(1)~(3)項中任一項之液晶組成物。
(5)一種IPS模式用液晶顯示元件,其特徵為使用前述(1)~(3)項中任一項之液晶組成物。
(6)一種OCB模式用液晶顯示元件,其特徵為使用前述(1)~(3)項中任一項之液晶組成物。
(7)一種ECB模式用液晶顯示元件,其特徵為使用前述(1)~(3)項中任一項之液晶組成物。
(8)一種VA模式用液晶顯示元件,其特徵為使用前述(1)~(3)項中任一項之液晶組成物。
(9)一種VA-IPS模式用液晶顯示元件,其特徵為使用前述(1)~(3)項中任一項之液晶組成物。
(10)一種FFS模式用液晶顯示元件,其特徵為使用前述(1)~(3)項中任一項之液晶組成物。
(11)一種液晶顯示器,其特徵為使用前述(4)~(10)項中任一項之液晶顯示元件。
本發明之具有正介電各向異性之液晶組成物可保持低黏性、高比電阻、及高電壓保持率,且相較以往顯著提升低溫下的溶解性,在採用ODF法的液晶顯示元件製造步驟中可長期持續穩定地滴下。因此,本發明液晶組成物可高良率地製造可抑制製造步驟所致之顯示不良而呈現優良顯示品質的液晶顯示元件,對液晶製品的實用性(適用性)高,使用其之液晶顯示元件可達高速響應。
100‧‧‧第1基板
102‧‧‧TFT層
103‧‧‧畫素電極
104‧‧‧鈍化層
105‧‧‧第1配向膜
200‧‧‧第2基板
201‧‧‧平坦化膜
202‧‧‧黑色矩陣
203‧‧‧彩色濾光片
204‧‧‧透明電極
205‧‧‧第2配向膜
301‧‧‧密封材
302‧‧‧突起(柱狀間隔物)
303‧‧‧液晶層
304‧‧‧突起(柱狀間隔物)
401‧‧‧遮罩圖案
402‧‧‧樹脂層
第1圖為本發明液晶顯示元件之剖面圖。茲將具備100~105之基板稱為「後板」、具備200~205之基板稱為「前板」。
第2圖為使用形成於黑色矩陣上的柱狀間隔物製作用圖案作為光罩圖案之曝光處理步驟的圖。
本發明液晶組成物係含有以式(i)表示之化合物及以式(ii)表示之化合物。以下就該液晶組成物進行說明,惟若未特別明示則「%」意指「質量%」。此外,以各化合物之較佳含量而言,茲例示該化合物摻混於液晶組成物時之較佳含量(惟,下限值為0質量%之情況除外)。
該液晶組成物中的以式(i)表示之化合物之含量並未特別限定,惟相對於該液晶組成物之總質量,較佳為1質量%以上,較佳為5質量%以上,較佳為8質量%以上,較佳為10質量%以上,較佳為14質量%以上,較佳為16質量%以上。另一方面,考量到低溫下的溶解性、向列型相-等向性液體相轉移溫度、電性可靠度等,相對於該液晶組成物之總質量,該液晶組成物中的以式(i)表示之化合物之含量較佳為30質量%以下,較佳為25質量%以下,較佳為22質量%以下,較佳為20質量%以下,較佳為19質量%以下,較佳為15質量%以下,較佳為12質量%以下,較佳為10質量%以下,較佳為8質量%以下,較佳為5質量%。此等當中,例如該液晶組成物中的以式(i)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳為1~30質量%,較佳為1~25質量%,較佳為1~19質量%,較佳為1~5質量%,以其他實施形態而言較佳為5~15質量%,較佳為7~12質量%,以其他實施形態而言較佳為8~20質量%,較佳為10~19質量%,較佳為10~15質量%。
該液晶組成物中的以式(ii)表示之化合物之含量,由響應速度、電性、光學可靠度言之,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有1質量%以上,較佳含有3質量%以上,較佳含有5質量%以上,較佳含有8質量%以上,較佳含有10質量%以上,較佳含有13質量%以上,較佳含有15質量%以上,較佳含有18質量%以上,較佳含有20質量%以上。另一方面,該液晶組成物中的以式(ii)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有35質量%以下,較佳含有30質量%以下,較佳含有26質量%以下,較佳含有25質量%以下,較佳含有20質量%以下,較佳含有19質量%以下,較佳含有15質量%以下,較佳含有12質量%以下,較佳含有10質量%以下,較佳含有8質量%以下,較佳含有5質量%以下。此等當中,例如,該液晶組成物中的以式(ii)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳為1~35質量%,較佳為1~30質量%,較佳為1~25質量%,較佳為1~20質量%,較佳為1~5質量%,以其他實施形態而言較佳為3~15質量%,較佳為5~12質量%,以其他實施形態而言較佳為8~25質量%,較佳為10~20質量%,較佳為13~19質量%,較佳為15~35質量%,以其他實施形態而言較佳為18~30質量%,較佳為20~26質量%。
以式(i)表示之化合物與以式(ii)表示之化合物之合計含量,相對於該液晶組成物之總質量,較佳為5質量%
以上,較佳為8質量%以上,較佳為10質量%以上,較佳為50質量%以下,較佳為45質量%以下,較佳為40質量%以下,較佳為35質量%以下。此等當中,例如較佳為20~40質量%,較佳為25~35質量%,較佳為27~33質量%,以其他實施形態而言較佳為10~30質量%,較佳為15~28質量%,較佳為17~25質量%,較佳為5~25質量%,較佳為7~20質量%,較佳為9~18質量%。
本發明液晶組成物可進一步含有至少1種以通式(L)表示之化合物。
該通式(L)中,RL1
及RL2
分別獨立表示碳原子數1~8之烷基,該烷基中的1個或非相鄰的至少2個-CH2
-可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代。
OL表示0、1、2或3。
BL1
、BL2
及BL3
分別獨立表示選自包含:(a)1,4-伸環己基(存在於此基中的1個-CH2
-或未相鄰的至少2個-CH2
-可經-O-取代)、及(b)1,4-伸苯基(存在於此基中的1個-CH=或未相鄰的至少2個-CH=可經-N=取代)之群組中之基。上述基(a)與基(b)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代。
LL1
及LL2
分別獨立表示單鍵、-CH2
CH2
-、-(CH2
)4
-、-OCH2
-、-CH2
O-、-COO-、-OCO-、-OCF2
-、-CF2
O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-。
當OL為2或3而LL2
存在複數個時,彼等可相同亦可相異。
當OL為2或3而BL3
存在複數個時,彼等可相同亦可相異。
惟,以該式(ii)表示之化合物除外。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率(折射率各向異性)等所期望之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種。進而在本發明另一實施形態中為6種。進而在本發明另一實施形態中為7種。進而在本發明另一實施形態中為8種。進而在本發明另一實施形態中為9種。進而在本發明另一實施形態中為10種以上。
本發明液晶組成物中,以該通式(L)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為1~95質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為10~95質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為20~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為30~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為40~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為50~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為55~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為60~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為65~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為70~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為75~95質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為80~95質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明一形態而言為1~95質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為1~85質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~65質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~55質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~45質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~35質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~25質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳的是上述下限值高且上限值高。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要溫度穩定性佳的液晶組成物時,較佳的是上述下限值高且上限值高。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳的是上述下限值低且上限值低。
當RL1
及RL2
其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基、或碳原子數4~5之烯基,當其所鍵結之環結構為環己烷、吡喃、或二烷等飽和之環結構時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基、或直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
若要求液晶組成物之化學穩定性時,較佳的是以通式(L)表示之化合物在其分子內不含有氯原子。
以通式(L)表示之化合物例如較佳為選自以通式(I)表示之化合物群組中的化合物。
R11
-A11
-A12
-R12
(I)
該通式(I)中,R11
及R12
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、或碳原子數2~5之烯基,
A11
及A12
分別獨立表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基。惟,以該式(ii)表示之化合物除外。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種。進而在本發明另一實施形態中為6種以上。
本發明液晶組成物中,以該通式(I)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為3~75質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為15~75質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為18~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為20~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為29~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為35~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為
42~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為47~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為53~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為56~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為60~75質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為65~75質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I)表示之化合物之含量,例如以本發明一形態而言為3~65質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~55質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~45質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~35質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~30質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳的是上述下限值高且上限值高。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要溫度穩定性佳的液晶組成物時,較佳的是上述下限值為中間程度且上限值為中間程度。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳的是上述下限值低且上限值低。
當R11
及R12
其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基、或碳原子數4~5之烯基,當其所鍵結之環結構為環己烷、吡喃、或二烷等飽和之環結構時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基、或直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
以通式(I)表示之化合物例如較佳為選自以通式(I-1)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-1)中,R11
及R12
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基。惟,該式(ii)表示之化合物除外。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種以上。
本發明液晶組成物中,若摻混以通式(I-1)表示之化合物時,該化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-1)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言該含量為3~70質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為15~70質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為18~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為25~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為29~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為31~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為35~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為43~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為47~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為50~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為53~70質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為56~70質量%。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-1)表示之化合物之含量,例如以本發明一形態而言該含量為3~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量
為3~45質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~35質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~26質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳的是上述下限值高且上限值高。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要溫度穩定性佳的液晶組成物時,較佳的是上述下限值為中間程度且上限值為中間程度。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳的是上述下限值低且上限值低。
或者/再者,以通式(I-1)表示之化合物較佳為選自以通式(I-1-1)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-1-1)中,R12
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基、或碳原子數1~5之烷氧基。惟,該式(ii)表示之化合物除外。
本發明液晶組成物中,以該通式(I-1-1)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可
靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-1-1)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為2~30質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為4~30質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為7~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為9~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為10~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為13~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為17~30質量%。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-1-1)表示之化合物之含量,例如以本發明一形態而言為2~25質量%。在本發明另一實施形態中,該含量為2~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~10質量%。
更者,該通式(I-1-1)表示之化合物較佳為以式(1.1)、及/或以式(1.2)表示之化合物,更佳為以式(1.2)表示之化合物。
或者/再者,以通式(I-1)表示之化合物較佳為選自以通式(I-1-2)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-1-2)中,R12
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、或碳原子數2~5之烯基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。
本發明液晶組成物中,以通式(I-1-2)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-1-2)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為5~60質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為15~60質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為20~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為22~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為24~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為28~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為30~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為34~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為37~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為41~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為43~60質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,以通式(I-1-2)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為5~55質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為5~47質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為5~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為5~37質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為5~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為5~26質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為5~20質量%。
再者,以通式(I-1-2)表示之化合物較佳為選自以式(2.1)至式(2.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為選自以式(2.2)至式(2.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物。尤其是,以式(2.2)表示之化合物由於特別可改善本發明液晶組成物之響應速度而較佳。又要求比響應速度更高的Tni時,較佳使用以式(2.3)、及/或式(2.4)表示之化合物。就以式(2.3)及式(2.4)表示之化合物之含量,為改善低溫下的溶解度,較佳設為30質量%以上。
本發明液晶組成物中,以式(2.2)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量較佳為5質量%以上55質量%以下。作為該含量之更佳實例,可列舉10質量%以上50質量%以下、14質量%以上47質量%以下、17質量%以上40質量%以下、19質量%以上40質量%以下、22質量%以上40質量%以下、25質量%以上40質量%以下
、27質量%以上40質量%以下、30質量%以上40質量%以下、33質量%以上40質量%以下、及36質量%以上40質量%以下。
本發明液晶組成物中,以式(2.3)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量較佳為5質量%以上55質量%以下,較佳為6質量%以上45質量%以下,較佳為6質量%以上35質量%以下,較佳為6質量%以上30質量%以下,較佳為6質量%以上25質量%以下,較佳為6質量%以上25質量%以下,較佳為6質量%以上15質量%以下。
本發明液晶組成物中,以式(2.4)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量較佳為1質量%以上55質量%以下,較佳為3質量%45質量%以下,較佳為3質量%以上35質量%以下,較佳為3質量%以上25質量%以下,較佳為3質量%以上15質量%以下,較佳為5質量%以上15質量%以下,較佳為5質量%以上10質量%以下,較佳為5質量%以上8質量%以下。
本案發明之液晶組成物還可進一步含有具有與以通式(I-1-2)表示之化合物類似之結構的以式(2.5)表示之化合物。
較佳的是依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來調整以該式(2.5)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有11質量%以上之該化合物,較佳含有15質量%以上,較佳含有23質量%以上,較佳含有26質量%以上,較佳含有28質量%以上。
或者/再者,以該通式(I)表示之化合物較佳為選自以通式(I-2)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-2)中,R13
及R14
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。
本發明液晶組成物中,以通式(I-2)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-2)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為3~60質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為4~60質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為15~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為25~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為30~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為35~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為38~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為40~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為42~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為45~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為47~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為50~60質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-2)表示之化合物之含量,例如以本發明一形態而言為3~60質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為3~55質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~45質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為
3~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~5質量%。
再者,以該通式(I-2)表示之化合物較佳為選自以式(3.1)至式(3.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)表示之化合物。以式(3.2)表示之化合物由於特別可改善本發明液晶組成物之響應速度而較佳。又要求比響應速度更高的Tni時,較佳使用以式(3.3)及/或式(3.4)表示之化合物。就以式(3.3)及式(3.4)表示之化合物之含量,為改善低溫下的溶解度,較佳設為20質量%以上。
本發明液晶組成物中,以該式(3.3)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量較佳為2質量
%以上40質量%以下。作為更佳之含量,可列舉例如3質量%以上40質量%以下、4質量%以上40質量%以下、10質量%以上40質量%以下、12質量%以上40質量%以下、14質量%以上40質量%以下、16質量%以上40質量%以下、20質量%以上40質量%以下、23質量%以上40質量%以下、26質量%以上40質量%以下、30質量%以上40質量%以下、34質量%以上40質量%以下、37質量%以上40質量%以下、或者3質量%以上4質量%以下、3質量%以上10質量%以下、3質量%以上12質量%以下、3質量%以上14質量%以下、3質量%以上16質量%以下、3質量%以上20質量%以下、3質量%以上23質量%以下、3質量%以上26質量%以下、3質量%以上30質量%以下、3質量%以上34質量%以下、3質量%以上37質量%以下。
或者/再者,以該通式(I)表示之化合物較佳為選自以通式(I-3)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-3)中,R13
表示碳原子數1~5之烷基,R15
表示碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下
的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。
本發明液晶組成物中,以該通式(I-3)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-3)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為3~60質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為4~60質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為15~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為25~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為30~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為35~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為38~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為40~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為42~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為45~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為47~60質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為50~60質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明一形態而言為3~55質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~45質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~5質量%。
如重視低溫下的溶解性時,若將含量設為大量則效果高,反之,如重視響應速度時,若將含量設為少量則效果高。更者,如欲改良滴下痕或殘影特性時,係將含量之範圍設於中間程度為佳。
更者,該通式(I-3)表示之化合物較佳為選自以式(4.1)至式(4.3)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(4.3)表示之化合物。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(4.3)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下,較佳為4質量%以上30質量%以下,較佳為6質量%以上30質量%以下,較佳為8質量%以上30質量%以下,較佳為10質量%以上30質量%以下,較佳為12質量%以上30質量%以下,較佳為14質量%以上30質量%以下,較佳為16質量%以上30質量%以下,較佳為18質量%以上25質量%以下,較佳為20質量%以上24質量%以下,較佳為22質量%以上23質量%以下。
或者/再者,以該通式(I)表示之化合物較佳為選自以通式(I-4)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-4)中,R11
及R12
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。
本發明液晶組成物中,以該通式(I-4)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-4)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為2~50質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為5~50質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為6~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為8~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為10~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為12~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為15~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為20~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為25~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為30~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為35~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為40~50質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明一形態而言該含量為2~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~35質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~30質量
%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~10質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~5質量%。
為獲得高雙折射率時,若將含量設為大量則效果高,反之,如重視高Tni時,若將含量設為少量則效果高。更者,如欲改良滴下痕或殘影特性時,係將含量之範圍設於中間程度為佳。
更者,以通式(I-4)表示之化合物較佳為選自以式(5.1)至式(5.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為選自以式(5.2)至式(5.4)表示之化合物群中的至少1種化合物。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(5.4)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下。
作為更佳之含量,可列舉例如4質量%以上30質量%以下、6質量%以上30質量%以下、8質量%以上30質量%以下、10質量%以上30質量%以下、12質量%以上30質量%以下、14質量%以上30質量%以下、16質量%以上30質量%以下、18質量%以上30質量%以下、20質量%以上30質量%以下、22質量%以上30質量%以下、23質量%以上30質量%以下、24質量%以上30質量%以下、25質量%以上30質量%以下、或者2質量%以上6質量%以下、2質量%以上8質量%以下、2質量%以上10質量%以下、2質量%以上12質量%以下、2質量%以上14質量%以下、2質量%以上16質量%以下、2質量%以上18質量%以下、2質量%以上20質量%以下、2質量%以上22質量%以下、2質量%以上23質量%以下、2質量%以上24質量%以下、2質量%以上25質量%以下。
或者/再者,以該通式(I)表示之化合物較佳為選自以通式(I-5)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-5)中,R11
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,R12
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。
本發明液晶組成物中,該通式(I-5)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為1~50質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為5~50質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為8~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為11~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為13~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為15~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為17~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為20~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為25~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為30~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為35~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為40~50質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明一形態而言為1~40%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~35%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~30%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~20%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~15%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~10%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~8%。
如重視低溫下的溶解性時,若將含量設為大量則效果高,反之,如重視響應速度時,若將含量設為少量則效果高。更者,如欲改良滴下痕或殘影特性時,係將含量之範圍設於中間程度為佳。
更者,以該通式(I-5)表示之化合物較佳為選自以式(6.1)至式(6.6)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(6.3)、式(6.4)、及/或式(6.6)表示之化合物。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(6.6)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下,較佳為4質量%以上30質量%以下,較佳為5質量%以上30質量%以下,較佳為6質量%以上30質量%以下,較佳為9質量%以上30質量%以下,較佳為12質量%以上30質量%以下,較佳為14質量%以上30質量%以下,較佳為16質量%以上30質量%以下,較佳為18質量%以上25質量%以下,較佳為20質量%以上24質量%以下,較佳為22質量%以上23質量%以下。
本案發明之液晶組成物還可進一步含有以式(6.7)、及/或式(6.8)表示之化合物來作為以通式(I-5)表示之化合物。
較佳的是依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來調整以該式(6.7)表示之化合物之含量,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有2質量%以上之該化合物,較佳含有3質量%以上,較佳含有5質量%以上,較佳含有7質量%以上。
或者/再者,以該通式(I)表示之化合物較佳為選自以通式(I-6)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該式(I-6)中,R11
及R12
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X11
及X12
分別獨立表示氟原子或氫原子,X11
或X12
之任一者為氟原子。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-6)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下,較佳為4質量%以上30質量%以下,較佳為5質量%以上30質量%以下,較佳為6質量%以上30質量%以下,較佳為9質量%以上30質量%以下,較佳為12質量%以上30質量%以下,較佳為14質量%以上30質量%以下,較佳為16質量%以上30質量%以下,較佳為18質量%以上25質量%以下,較佳為20質量%以上24質量%以下,較佳為22質量%以上23質量%以下。
更者,以通式(I-6)表示之化合物較佳為式(7.1)表示之化合物。
或者/再者,以通式(I)表示之化合物較佳為選自以通式(I-7)表示之化合物群組中的化合物。
該通式(I-7)中,R11
及R12
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X12
表示氟原子或氯原子。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-7)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上30質量%以下,較佳為1質量%以上25質量%以下,較佳為1質量%以上24質量%以下,較佳為1質量%以上22質量%以下。
更者,以通式(I-7)表示之化合物較佳為以式(8.1)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(I)表示之化合物較佳為選自以通式(I-8)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(I-8)中,R16
及R17
分別獨立表示碳原子數2~5之烯基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能組合1種至3種為佳。
如依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(I-8)表示之化合物之含量較佳為5質量%以上65質量%以下,較佳為7質量%以上65質量%以下,較佳為5質量%以上55質量%以下,較佳為5質量%以上45質量%以下,較佳為5質量%以上30質量%以下,較佳為5質量%以上25質量%以下,較佳為5質量%以上15質量%以下。
更者,以該通式(I-8)表示之化合物較佳為選自以式(9.1)至式(9.10)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(9.2)、式(9.4)及/或式(9.7)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(L)表示之化合物較佳為例如選自以通式(II)表示之化合物的至少1種化合物。
該通式(II)中,R21
及R22
分別獨立表示碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基,A2
表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基,Q2
表示單鍵、-COO-、-CH2
-CH2
-或-CF2
O-。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。
本發明液晶組成物中,以該通式(II)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(II)表示之化合物之含量,以例如本發明一實施形態而言為3~50質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為5~50質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為7~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為10~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為14~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為16~50
質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為20~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為23~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為26~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為30~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為35~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為40~50質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(II)表示之化合物之含量,例如以本發明一形態而言為3~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~35質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~10質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~5質量%。
更且,以該通式(II)表示之化合物較佳為例如選自以通式(II-1)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(II-1)中,R21
及R22
分別獨立表示碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基。
以該通式(II-1)表示之化合物之含量係依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來調整為佳,較佳為4質量%以上24質量%以下,較佳為8質量%以上18質量%以下,更佳為12質量%以上14質量%以下。
更且,以通式(II-1)表示之化合物較佳為例如以式(10.1)、及/或式(10.2)表示之化合物。
或者/更者,以該通式(II)表示之化合物較佳為例如選自以通式(II-2)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(II-2)中,R23
表示碳原子數2~5之烯基,R24
表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。
本發明液晶組成物中,以該通式(II-2)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(II-2)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為3~50質量%。或者在本發明另一實施形態中,該含量為5~50質量%。又在本發明另一實施形態中,該含量為8~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為10~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為12~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為16~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為20~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為24~50質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為26~50質量%。
更者,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(II-2)表示之化合物之含量,例如以本發明一形態而言
為3~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~35質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~10質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~5質量%。
更且,以該通式(II-2)表示之化合物較佳為例如選自以式(11.1)至式(11.3)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能,可含有以式(11.1)表示之化合物,可含有以式(11.2)表示之化合物,可含有以式(11.1)表示之化合物與以式(11.2)表示之化合物兩者,亦可含有所有以式(11.1)至式(11.3)表示之化合物。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(11.1)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上40質量%以下,較佳為2質量%以上35質量%以下,較佳為2質量%以上30質量%以下,較佳為2質量%以上25質量%以下,較佳為2質量%以上20質量%以下。此等當中,較佳為例如2質量%以上16質量%以下、4質量%以上16質量%以下、6質量%以上16質量%以下、8質量%以上16質量%以下、2質量%以上14質量%以下、2質量%以上12質量%以下、2質量%以上10質量%以下、2質量%以上8質量%以下。
此外,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(11.2)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上40質量%以下,較佳為2質量%以上35質量%以下,較佳為2質量%以上30質量%以下,較佳為2質量%以上25質量%以下,較佳為2質量%以上20質量%以下,較佳為2質量%以上15質量%以下。此等當中,較佳為例如3質量%以上12質量%以下、3質量%以上10質量%以下、3質量%以上8質量%以下、3質量%以上6質量%以下、6質量%以上15質量%以下、8質量%以上15質量%以下、10質量%以上15質量%以下、12質量%以上15質量%以下。
若含有以該式(11.1)表示之化合物與以該式(11.2)表示之化合物兩者時,相對於本發明液晶組成物之總質量,兩化合物之合計質量較佳為3質量%以上45質量%以下,較佳為3質量%以上40質量%以下,較佳為3質量%以上30質量%以下。
或者/再者,以該通式(II)表示之化合物較佳為例如選自以通式(II-3)表示之化合物群組的至少1種化合物。
該通式(II-3)中,R25
表示碳原子數1~5之烷基,R24
表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能而含有此等化合物當中的1~3種為佳。
以該通式(II-3)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
以該通式(II-3)表示之化合物之較佳含量,可列舉例如相對於本發明液晶組成物之總質量為2~45質量%。作為更佳之含量,可列舉例如5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~45質量%、20~45質量%、23~45質量%、26~45質量%、29~45質量%、或者2~45質量%、2~40質量%、2~35質量%、2~30質量%、2~25質量%、2~20質量%、2~15質量%、2~10質量%。
更且,以該通式(II-3)表示之化合物較佳為例如選自以式(12.1)至式(12.3)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能,可含有以式(12.1)表示之化合物,可含有以式(12.2)表示之化合物,亦可含有以式(12.1)表示之化合物與以式(12.2)表示之化合物兩者。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以式(12.1)表示之化合物之含量較佳為3質量%以上40質量%以下,較佳為5質量%以上40質量%以下,較佳為7質量%以上40質量%以下,較佳為9質量%以上40質量%以下,較佳為11質量%以上40質量%以下,較佳為12質量%以上40質量%以下,較佳為13質量%以上40質量%以下,較佳為18質量%以上30質量%以下,較佳為21質量%以上25質量%以下。
此外,相對於本發明液晶組成物之總質量,以式(12.2)表示之化合物之含量較佳為3質量%以上40質量%以下,較佳為5質量%以上40質量%以下,較佳為8質量%以上40質量%以下,較佳為10質量%以上40質量%以下,較佳為12質量%以上40質量%以下,較佳為15質量%以上40質量%以下,較佳為17質量%以上30質量%以下,較佳為19質量%以上25質量%以下。
若含有以式(12.1)表示之化合物與以式(12.2)表示之化合物兩者時,相對於本發明液晶組成物之總質量,兩化合物之合計質量較佳為15質量%以上45質量%以下,較佳為19質量%以上45質量%以下,較佳為24質量%以上40質量%以下,較佳為30質量%以上35質量%以下。
再者,相對於本發明液晶組成物之總質量,以式(12.3)表示之化合物之含量較佳為0.05質量%以上2質量%以下,較佳為0.1質量%以上1質量%以下,較佳為0.2質量%以上0.5質量%以下。以式(12.3)表示之化合物可為光學活性化合物。
更者,以通式(II-3)表示之化合物較佳為例如選自以通式(II-3-1)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(II-3-1)中,R25
表示碳原子數1~5之烷基,R26
表示碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能而含有此等化合物當中的1~3種為佳。
以該通式(II-3-1)表示之化合物之含量係依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來調整為佳,較佳為1質量%以上24質量%以下,較佳為4質量%以上18質量%以下,較佳為6質量%以上14質量%以下。
更者,以通式(II-3-1)表示之化合物較佳為例如選自以式(13.1)至式(13.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,尤佳為以式(13.3)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(II)表示之化合物較佳為例如選自以通式(II-4)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(II-4)中,R21
及R22
分別獨立表示碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基、或碳原子數1~4之烷氧基。
可僅含有此等化合物當中的1種,亦可含有2種以上,惟依據所要求之性能來適當組合為佳。可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能而含有此等化合物當中的1~2種為佳,更佳為含有1~3種。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以通式(II-4)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上15質量%以下,較佳為2質量%以上15質量%以下,較佳為3質量%以上15質量%以下,較佳為4質量%以上12質量%以下,較佳為5質量%以上7質量%以下。
更且,以通式(II-4)表示之化合物較佳為例如選自以式(14.1)至式(14.5)表示之化合物群組中的至少1種化合物,尤佳為以式(14.2)、及/或式(14.5)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(L)表示之化合物較佳為選自以通式(III)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(III)中,R31
及R32
分別獨立表示碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基、或碳原子數1~4之烷氧基。
考量所要求之溶解性或雙折射率等,相對於本發明液晶組成物之總質量,該通式(III)表示之化合物之含量較佳含有2質量%以上25質量%以下,較佳含有2質量%以上20質量%以下,較佳含有2質量%以上15質量%以下。
更者,以該通式(III)表示之化合物較佳為以例如式(15.1)、及/或式(15.2)表示之化合物,尤佳為以式(15.1)表示之化合物。
更且,以通式(III)表示之化合物較佳為選自以通式(III-1)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(III-1)中,R33
表示碳原子數2~5之烯基,R32
表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基。
以該通式(III-1)表示之化合物係依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能
來調整其含量為佳,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳為4質量%以上23質量%以下,較佳為6質量%以上18質量%以下,較佳為10質量%以上13質量%以下。
以該通式(III-1)表示之化合物較佳為例如以式(16.1)、及/或式(16.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(III)表示之化合物較佳為選自以通式(III-2)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(III-2)中,R31
表示碳原子數1~5之烷基,R34
表示碳原子數1~4之烷氧基。
以該通式(III-2)表示之化合物之含量係依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能來調整為佳,相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳為4質量%以上23質量%以下,較佳為6質量%以上18質量%以下,較佳為10質量%以上13質量%以下。
更且,以通式(III-2)表示之化合物較佳為例如選自以式(17.1)至式(17.3)表示之化合物群組中的至少1種化合物,尤佳為以式(17.3)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(L)表示之化合物較佳為選自以通式(IV)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(IV)中,R41
及R42
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基,X41
及X42
分別獨立表示氫原子或氟原子。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中
為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種。進而在本發明另一實施形態中為6種以上。
更且,以該通式(IV)表示之化合物較佳為例如選自以通式(IV-1)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(IV-1)中,R43
與R44
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基。
以該通式(IV-1)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IV-1)表示之化合物之含量,例如以一實施形態而言為1~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為2~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為6~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為8~40質
量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為10~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為12~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為15~40質量%。
此外,例如在本發明一實施形態中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IV-1)表示之化合物之含量為1~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~25質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為1~17質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~17質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~10質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為3~6質量%。
更者,以通式(IV-1)表示之化合物較佳為例如選自以式(18.1)至式(18.9)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟較佳含有此等化合物當中的1種~3種,更佳含有1種~4種。又,選擇之化合物之分子量分布較廣對於溶解性亦屬有效,因此,係選擇例如以式(18.1)或(18.2)表示之化合物中的1
種、以式(18.4)或(18.5)表示之化合物中的1種、以式(18.6)或式(18.7)表示之化合物中的1種、以式(18.8)或(18.9)表示之化合物中的1種化合物,再將此等適當組合為佳。其中,係含有以式(18.1)、式(18.3)式(18.4)、式(18.6)及式(18.9)表示之化合物為佳。
或者/再者,以該通式(IV)表示之化合物較佳為例如選自以通式(IV-2)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(IV-2)中,R45
及R46
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基,惟其至少1者表示碳原子數2~5之烯基,X41
及X42
分別獨立表示氫原子或氟原子。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合。
以該通式(IV-2)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能
來適當調整。例如,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IV-2)表示之化合物之含量較佳為0.5~40質量%。作為更佳之含量,可列舉例如1~40質量%、2~40質量%、3~40質量%、5~40質量%、7~40質量%、9~40質量%、12~40質量%、15~40質量%、20~40質量%、或者1~40質量%、1~30質量%、1~25質量%、1~20質量%、1~15質量%、1~10質量%、1~5質量%、1~4質量%。
更且,以通式(IV-2)表示之化合物較佳為例如選自以式(19.1)至式(19.8)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中,較佳為以式(19.2)表示之化合物。
作為液晶組成物的成分所選擇之化合物之分子量分布較廣對於溶解性亦屬有效,因此由提升液晶組成物之溶解性之觀點,係分別選擇例如以式(19.1)或(19.2)表示之化合物中的1種、以式(19.3)或(19.4)表示之化合物中的1種、以式(19.5)或式(19.6)表示之化合物中的1種、以式(19.7)或(19.8)表示之化合物中的1種化合物,再將此等適當組合為佳。
本發明液晶組成物中,考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(19.4)表示之化合物之含量較佳為3質量%以上25質量%以下,較佳為1質量%以上20質量%以下,較佳為3質量%以上15質量%以下,較佳為4質量%以上12質量%以下。
更且,以通式(L)表示之化合物較佳為選自以通式(V)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(V)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,
A51
及A52
分別獨立表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基,Q5
表示單鍵或-COO-,X51
及X52
分別獨立表示氟原子或氫原子。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。
相對於該本發明液晶組成物之總質量,以該通式(V)表示之化合物之含量,例如以一實施形態而言為2~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為4~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為7~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為10~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為12~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為15~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為17~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為18~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為20~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該含量為22~40質量%。
此外,例如在本發明一實施形態中,相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量為2~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~25質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~10質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~5質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~4質量%。
更且,以通式(V)表示之化合物較佳為以通式(V-1)表示之化合物。
該通式(V-1)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X51
及X52
分別獨立表示氟原子或氫原子。
更且,以該通式(V-1)表示之化合物較佳為以通式(V-1-1)表示之化合物。
該通式(V-1-1)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之以該通式(V-1-1)表示之化合物,更佳含有2質量%以上15質量%以下,更佳含有3質量%以上10質量%以下,尤佳含有4質量%以上8質量%以下。
更且,以通式(V-1-1)表示之化合物較佳為選自以式(20.1)至式(20.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以式(20.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(V-1)表示之化合物較佳為以通式(V-1-2)表示之化合物。
該通式(V-1-2)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之以該通式(V-1-2)表示之化合物,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有3質量%以上10質量%以下,較佳含有4質量%以上8質量%以下。
更且,以通式(V-1-2)表示之化合物較佳為選自以式(21.1)至式(21.3)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(21.1)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(V-1)表示之化合物較佳為以通式(V-1-3)表示之化合物。
該通式(V-1-3)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之以該通式(V-1-3)表示之化合物,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有3質量%以上10質量%以下,較佳含有4質量%以上8質量%以下。
再者,以通式(V-1-3)表示之化合物較佳為選自以式(22.1)至式(22.3)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以式(22.1)表示之化合物。
或者/再者,以通式(V)表示之化合物較佳為以通式(V-2)表示之化合物。
該通式(V-2)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X51
及X52
分別獨立表示氟原子或氫原子。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(V-2)表示之化合物之含量,例如以一實施形態而言為2~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為4~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為7~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為10~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為12~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為15~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為17~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為18~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為20~40質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為22~40質量%。
此外,例如在本發明一實施形態中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(V-2)表示之化合物之含量為2~30質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~25質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~20質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~15質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~10質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~5質量%。進而在本發明另一實施形態中,該化合物之含量為2~4質量%。
如本發明液晶組成物期望高Tni之實施形態時,係以增加以該式(V-2)表示之化合物之含量為佳,而期望低黏度之實施形態時則以減少含量為佳。
更者,以該通式(V-2)表示之化合物較佳為以通式(V-2-1)表示之化合物。
該通式(V-2-1)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有2質量%以上16質量%以下之以該通式(V-2-1)表示之化合物,較佳含有3質量%以上13質量%以下,較佳含有4質量%以上10質量%以下。
更且,以該通式(V-2-1)表示之化合物較佳為選自以式(23.1)至式(23.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(23.1)、及/或式(23.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(V-2)表示之化合物較佳為以通式(V-2-2)表示之化合物。
該通式(V-2-2)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
更者,以該通式(V-2-2)表示之化合物較佳為選自以式(24.1)至式(24.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(24.1)、及/或式(24.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(V)表示之化合物較佳為以通式(V-3)表示之化合物。
該通式(V-3)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有2質量%以上16質量%以下之以該通式(V-3)表示之化合物,較佳含有4質量%以上16質量%以下,較佳含有7質量%以上13質量%以下,較佳含有8質量%以上11質量%以下。
更者,以通式(V-3)表示之化合物較佳為選自以式(25.1)至式(25.3)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(V)表示之化合物較佳為以通式(V-4)表示之化合物。
該通式(V-4)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之以該通式(V-4)表示之化合物,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有3質量%以上10質量%以下,較佳含有4質量%以上8質量%以下。
再者,以通式(V-4)表示之化合物較佳為選自以式(25.11)至式(25.13)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以式(25.13)表示之化合物。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(L)表示之化合物較佳為以通式(V'-5)表示之化合物。
該通式(V'-5)中,R51
及R52
分別獨立表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之以該通式(V'-5)表示之化合物,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有2質量%以上13質量%以下。
更且,以通式(V'-5)表示之化合物較佳為選自以式(25.21)至式(25.23)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以式(25.21)及/或式(25.23)表示之化合物。
本發明液晶組成物仍可進一步含有至少1種以通式(VI)表示之化合物。
該通式(VI)中,R61
及R62
分別獨立表示碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數2至10之直鏈烯基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能摻混此等化合物當中的1~3種為佳,更佳含有1~4種,尤佳含有1~5種以上。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(VI)表示之化合物之含量較佳為0~35質量%,較佳為0~25質量%,較佳為0~15質量%。
作為以該通式(VI)表示之化合物,具體可適用以下所列舉之化合物:
本案發明之液晶組成物亦可進一步含有至少1種以通式(VII)表示之化合物。
該通式(VII)中,R71
及R72
分別獨立表示碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數4至10之直鏈烯基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能摻混由此等化合物當中適當選擇的1~3種為佳,更佳為摻混1~4種,尤佳為含有1種~5種以上。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(VII)表示之化合物之含量較佳為0~35質量%,更佳為0~25質量%,較佳為0~15質量%。
作為以該通式(VII)表示之化合物,具體可適用以下所列舉之化合物:
本發明液晶組成物還可進一步含有以下述通式(M)表示之至少1種化合物。
該通式(M)中,RM1
表示碳原子數1~8之烷基,該烷基中的1個或非相鄰的2個以上之-CH2
-可分別獨立地經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代,PM表示0、1、2、3或4,
CM1
及CM2
分別獨立表示選自包含:(d)1,4-伸環己基(存在於此基中的1個-CH2
-或未相鄰的至少2個-CH2
-可經-O-或-S-取代)、及(e)1,4-伸苯基(存在於此基中的1個-CH=或未相鄰的至少2個-CH=可經-N=取代)之群組中之基,上述基(d)與基(e)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代,KM1
及KM2
分別獨立表示單鍵、-CH2
CH2
-、-(CH2
)4
-、-OCH2
-、-CH2
O-、-OCF2
-、-CF2
O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-,當PM為2、3或4而KM1
存在複數個時,彼等可相同亦可相異,當PM為2、3或4而CM2
存在複數個時,彼等可相同亦可相異,XM1
及XM3
分別獨立表示氫原子、氯原子或氟原子,XM2
表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。惟以該式(i)表示之化合物除外。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所期望之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。又,進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種。進而在本發明另一實施形態中為6種。進而在本發明另一實施形態中為7種以上。
本發明液晶組成物中,以該通式(M)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(M)表示之化合物之含量,以本發明一實施形態而言為1~95質量%。再者,例如以本發明另一實施形態而言,該化合物之含量為10~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為20~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為30~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為40~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為45~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為50~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為55~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為60~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為65~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為70~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為75~95質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為80~95質量%。
此外,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(M)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為1~85質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~75質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~65質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~55質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~45質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~35質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~25質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要溫度穩定性佳的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳使上述下限值高且上限值高。
當RM1
其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基,當其所鍵結之環結構為環己烷、吡喃、或二烷等飽和之環結構時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
若要求液晶組成物之化學穩定性時,較佳的是以通式(M)表示之化合物在其分子內不含有氯原子。更且,相對於本發明液晶組成物之總質量,在液晶組成物內含有氯原子之化合物之含量較佳為0~5質量%,較佳為0~3質量%,較佳為0~1質量%,較佳為0~0.5質量%,較佳為實質上不含有。「實質上不含有」,係指在液晶組成物中僅混入有以化合物製造時之雜質形式生成之化合物等不經意含有氯原子之化合物。
以通式(M)表示之化合物較佳為例如選自以通式(VIII)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(VIII)中,R8
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X81
~X85
分別獨立表示氫原子或氟原子,Y8
表示氟原子或-OCF3
。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所期望之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。
本發明液晶組成物中,以該通式(VIII)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(VIII)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為2~40質量%。再者,例如以本發明另一實施形態而言,該化合物之含量為4~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為5~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為6~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為7~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為8~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為9~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為10~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為11~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為12~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為14~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為15~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為21~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為23~40質量%。
此外,相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明又一實施形態而言為2~30質量%。以本發明又一實施形態而言為2~25質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為2~21質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為2~16質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為2~12質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為2~8質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為2~5質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要溫度穩定性佳的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳使上述下限值高且上限值高。
更且,通式(VIII)表示之化合物較佳為通式(VIII-1)表示之化合物。
該通式(VIII-1)中,R8
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所期望之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種以上。
更且,以該通式(VIII-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(26.1)至式(26.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(26.1)、及/或式(26.2)表示之化合物,更佳為以式(26.2)表示之化合物。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(26.1)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上40質量%以下,更佳為1質量%以上30質量%以下,更佳為1質量%以上20質量%以下,更佳為2質量%以上15質量%以下,再佳為2質量%以上10質量%以下,特佳為2質量%以上9質量%以下。特佳之範圍中,可列舉例如2質量%以上7質量%以下、2質量%以上6質量%以下、2質量%以上5質量%以下、2質量%以上4質量%以下、2質量%以上3質量%以下、3質量%以上7質量%以下、4質量%以上7質量%以下、6質量%以上7質量%以下。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(26.2)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上40質量%以下,更佳為2質量%以上30質量%以下,再佳為2質量%以上20質量%以下,尤佳為2質量%以上15質量%以下。特佳之範圍中,可列舉例如2質量%以上12質量%以下、2質量%以上10質量%以下、2質量%以上8質量%以下、2質量%以上6質量%以下、6質量%以上15質量%以下、6質量%以上12質量%以下、8質量%以上12質量%以下、10質量%以上12質量%以下。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(26.1)表示之化合物及該式(26.2)表示之化合物之合計含量較佳為1~30質量%,更佳為1~20質量%,再佳為2~20質量%,尤佳為2~14質量%。
或者/再者,以該通式(VIII)表示之化合物較佳為以通式(VIII-2)表示之化合物。
該通式(VIII-2)中,R8
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所期望之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。或者在本發明又一實施形態中為3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(VIII-2)表示之化合物之含量較佳為2.5質量%以上25
質量%以下,較佳為8質量%以上25質量%以下,較佳為10質量%20質量%以下,較佳為12質量%以上15質量%以下。
更且,以通式(VIII-2)表示之化合物較佳為選自以式(27.1)至式(27.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(27.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(VIII)表示之化合物較佳為以通式(VIII-3)表示之化合物。
該通式(VIII-3)中,R8
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所期望之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種以上。
更且,以該通式(VIII-3)表示之化合物,具體而言較佳為以式(26.11)至式(26.14)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(26.11)、及/或式(26.12)表示之化合物,較佳為以式(26.12)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(VIII)表示之化合物較佳為以通式(VIII-4)表示之化合物。
該通式(VIII-4)中,R8
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
該通式(VIII-4)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(VIII-4)表示之化合物之含量,以本發明一實施形態而言為1~25質量%,以又一實施形態而言為2~25質量%,以再一實施形態而言為3~20質量%,以再一實施形態而言,該化合物之含量為3~13質量%,以再一實施形態而言,該化合物之含量為3~10質量%,又以再一實施形態而言,該化合物之含量為1~5質量%。
更且,本發明液晶組成物所使用之以通式(VIII-4)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(26.21)至式(26.24)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中更佳含有以式(26.24)表示之化合物。
更者,以該通式(M)表示之化合物,例如較佳為選自以通式(IX)表示之化合物群組中的至少1種化合物。惟,以該通式(i)表示之化合物除外。
該通式(IX)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X91
及X92
分別獨
立表示氫原子或氟原子,Y9
表示氟原子、氯原子或-OCF3
,U9
表示單鍵、-COO-或-CF2
O-。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。又,進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種。進而在本發明另一實施形態中為6種以上。
本發明液晶組成物中,以該通式(IX)表示之化合物之含量必需依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電各向異性等所要求之性能來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為3~70質量%。再者,例如以本發明另一實施形態而言,該化合物之含量為5~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為8~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為10~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為12~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合
物之含量為15~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為17~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為20~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為24~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為28~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為30~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為34~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為39~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為40~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為42~70質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為45~70質量%。
此外,相對於本發明液晶組成物之總質量,該化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為3~60質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~55質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~50質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~45質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~40質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~35質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~30質量%。以本發明又一實施形態而言,25質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~20質量%。以本發明又一實施
形態而言,該化合物之含量為3~15質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為3~10質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要不易發生殘影的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳使上述下限值高且上限值高。
更且,該通式(IX)表示之化合物較佳為以通式(IX-1)表示之化合物。惟,以該通式(i)表示之化合物除外。
該通式(IX-1)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X92
表示氫原子或氟原子,Y9
表示氟原子或-OCF3
。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形
態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種。又,進而在本發明另一實施形態中為4種以上。
更且,以該通式(IX-1)表示之化合物較佳為通式(IX-1-1)表示之化合物。
該通式(IX-1-1)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。惟,以該式(i)表示之化合物除外。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所要求之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種。又在本發明另一實施形態中為3種以上。
以該通式(IX-1-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,依據實施形態來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-1-1)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為1~40質量%。再者,例如以本發明另一實施形態而言,該化合物之含量為2~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為4~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為10~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為14~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為16~40質量%。例如以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為21~40質量%。
此外,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-1-1)表示之化合物之含量,例如以本發明一實施形態而言為1~35質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~30質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~25質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~10質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~7質量%。以本發明又一實施形態而言,該化合物之含量為1~5質量%。
更且,以該通式(IX-1-1)表示之化合物較佳為選自以式(28.1)、式(28.2)、式(28.4)、及式(28.5)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(28.5)表示之化合物。
本發明液晶組成物中,考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(28.5)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上25質量%以下,較佳為2質量%以上20質量%以下,較佳為2質量%以上15質量%以下,較佳為2質量%以上10質量%以下。
或者/再者,以該通式(IX-1)表示之化合物較佳為以通式(IX-1-2)表示之化合物。
該通式(IX-1-2)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種至3種,更佳組合1種至4種。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-1-2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上30質量%以下,較佳為5質量%以上30質量%以下,較佳為8質量%以上30質量%以下,較佳為10質量%以上25質量%以下,較佳為14質量%以上22質量%以下,較佳為16質量%以上20質量%以下。
更且,以該通式(IX-1-2)表示之化合物較佳為選自以式(29.1)至式(29.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(29.2)、及/或式(29.4)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(IX)表示之化合物較佳為以通式(IX-2)表示之化合物。
該通式(IX-2)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X91
及X92
分別獨立表示氫原子或氟原子,Y9
表示氟原子、氯原子或-OCF3
。
可組合之化合物的種類無限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,按每一實
施形態適當組合使用。例如以本發明一實施形態而言為1種,在另一實施形態中組合2種,進而在另一實施形態中組合3種,又,進而在另一實施形態中組合4種,進而在另一實施形態中組合5種,進而在另一實施形態中組合6種以上。
更且,以通式(IX-2)表示之化合物較佳為以通式(IX-2-1)表示之化合物。
該通式(IX-2-1)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1~3種。
以通式(IX-2-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
例如在本發明一實施形態中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-1)表示之化合物之含量為
1~40質量%。在另一實施形態中,該化合物之含量為2~40質量%。進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~40質量%。進而在另一實施形態中,該化合物之含量為10~40質量%。進而在另一實施形態中,該化合物之含量為14~40質量%。進而在另一實施形態中,該化合物之含量為16~40質量%。進而在另一實施形態中,該化合物之含量為21~40質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~30質量%,進而在另一實施形態中為1~25質量%,進而在另一實施形態中為1~22質量%,進而在另一實施形態中為1~20質量%,進而在另一實施形態中為1~10質量%,進而在另一實施形態中為1~7質量%,進而在另一實施形態中為1~5質量%。
更且,以通式(IX-2-1)表示之化合物較佳為選自以式(30.1)至式(30.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(30.1)、及/或式(30.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(IX-2)表示之化合物較佳為以通式(IX-2-2)表示之化合物。
該通式(IX-2-2)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1~3種,更佳組合1~4種。
以該通式(IX-2-2)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性,按每一實施形態來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-2)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~40質量%,在另一實施形態中為2~40質量%,進而在另一實施形態中為4~40質量%,進而在另一實施形態中為10~40質量%,進而在另一實施形態中為14~40質量%,進而在另一實施形態中為16~40質量%,進而在另一實施形態中為21~40質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-2)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~35質量%,在另一實施形態中為1~30質量%,進而在另一實施形態中為1~25質量%,進而在另一實施形態中為1~22質量%,進而在另一實施形態中為1~15質量%,進而在另一實施形態中為4~14質量%,進而在另一實施形態中為1~10質量%,進而在另一實施形態中為4~10質量%。
更且,以通式(IX-2-2)表示之化合物較佳為選自以式(31.1)至式(31.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為選自以式(31.2)至式(31.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以式(31.2)表示之化合物。
本發明液晶組成物中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(31.2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上35質量%以下,較佳為2質量%25質量%以下,較佳為3質量%以上20質量%以下,較佳為3質量%以上15質量%以下,較佳為3質量%以上10質量%以下。此等當中,例如較佳為3質量%以上8質量%以下、3質量%以上6質量%以下、3質量%以上4質量%以下、4質量%以上10質量%以下、6質量%以上10質量%以下、8質量%以上10質量%以下。
本發明液晶組成物中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(31.4)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上35質量%以下,較佳為1質量%25質量%以下,較佳為1質量%以上15質量%以下,較佳為2質量%以上10質量%以下,較佳為3質量%以上8質量%以下,較佳為3質量%以上6質量%以下,較佳為3質量%以上5質量%以下。
或者/再者,以該通式(IX-2)表示之化合物較佳為以通式(IX-2-3)表示之化合物。
該通式(IX-2-3)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1~2種。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-3)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上30質量%以下,更佳為3質量%以上20質量%以下,再佳為6質量%以上15質量%以下,再更佳為8質量%以上10質量%以下。
再者,以通式(IX-2-3)表示之化合物較佳為選自以式(32.1)至式(32.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(32.2)及/或式(32.4)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(IX-2)表示之化合物較佳為以通式(IX-2-4)表示之化合物。
該通式(IX-2-4)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-4)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上30質量%以下,更佳為3質量%以上20質量%以下,再佳為6質量%以上15質量%以下,尤佳為8質量%以上10質量%以下。
更且,以通式(IX-2-4)表示之化合物較佳為選自以式(33.1)至式(33.6)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(33.1)及/或式(33.3)表示之化合物。
或者/再者,該通式(IX-2)表示之化合物較佳為以通式(IX-2-5)表示之化合物。
該通式(IX-2-5)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,按每一實施形態適當組合使用。例如在本發明一實施形態中為1種,在另一實施形態中為2種,進而在另一實施形態中為3種,又,進而在另一實施形態中為4種以上。
以該通式(IX-2-5)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性,按每一實施形態來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-5)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為4~45質量%,在另一實施形態中為8~45質量%,進而在另一實施形態中為12~45質量%,進而在另一實施形態中為21~45質量%,進而在另一實施形態中為30~45質量%,進而在另一實施形態中為31~45質量%,進而在另一實施形態中為34~45質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-2-5)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為4~40質量%,在另一實施形態中,該化合物之含量為4~35質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~32質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~22質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~13質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~9質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~8質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~5質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要不易發生殘影的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳使上述下限值高且上限值高。
更且,以通式(IX-2-5)表示之化合物較佳為選自以式(34.1)至式(34.7)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以式(34.1)、式(34.2)、式(34.3)及/或式(34.5)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(IX)表示之化合物較佳為以通式(IX-3)表示之化合物。
該通式(IX-3)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X91
及X92
分別獨立表示氫原子或氟原子,Y9
表示氟原子、氯原子或-OCF3
。
更且,以通式(IX-3)表示之化合物較佳為以通式(IX-3-1)表示之化合物。
該通式(IX-3-1)中,R9
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1~2種。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(IX-3-1)表示之化合物之含量較佳為3質量%以上30質量%以下,較佳為7質量%以上30質量%以下,較佳為13質量%以上20質量%以下,較佳為15質量%以上18質量%以下。
更且,以通式(IX-3-1)表示之化合物較佳為選自以式(35.1)至式(35.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(35.1)及/或式(35.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(M)表示之化合物較佳為以通式(X)表示之化合物。
該通式(X)中,X101
~X104
分別獨立表示氟原子或氫原子,Y10
表示氟原子、氯原子、或-OCF3
,Q10
表示單鍵或-CF2
O-,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,A101
及A102
分別獨立表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、或以下式表示之何任一種基,惟1,4-伸苯基上的氫原子可經氟原子取代。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種。又在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種以上。
以該通式(X)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等之特性,按每一實施形態來適當調整。舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~45質量%,在另一實施形態中為3~45質量%,進而在另一實施形態中為6~45質量%,進而在另一實施形態中為8~45質量%,進而在另一實施形態中為9~45質量%,進而在另一實施形態中為11~45質量%,進而在另一實施形態中為12~45質量%,進而在另一實施形態中為18~45質量%,進而在另一實施形態中為19~45質量%,進而在另一實施形態中為23~45質量%,進而在另一實施形態中含量為25~45質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~35質量%,在另一實施形態中為2~30質量%,進而在另一實施形態中為2~25質量%,進而在另一實施形態中為2~20質量%,進而在另一實施形態中為2~13質量%,進而在另一實施形態中為2~9質量%,進而在另一實施形態中為2~6質量%,進而在另一實施形態中為2~3質量%。
為低程度保持本發明液晶組成物之黏度,而需要響應速度快的液晶組成物時,較佳使上述下限值低且上限值低。再者,為高程度保持本發明液晶組成物之Tni,而需要不易發生殘影的液晶組成物時,較佳使上述下限值
低且上限值低。又為低程度保持驅動電壓而欲增大介電各向異性時,較佳使上述下限值高且上限值高。
本發明液晶組成物所使用之以該通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-1)表示之化合物。
該通式(X-1)中,X101
~X103
分別獨立表示氟原子或氫原子,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種。又在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種以上。
以該通式(X-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~40質量%,在另一實施形態中為3~40質量%,進而在另一實施形態中為5~40質量%,進而在另一實施形態中為6~40質量%,進而在另一實施形態中為7~40質量%,進而在另一實施形態中為8~40質量%,進而在另一實施形態中為9~40質量%,進而在另一實施形態中為13~40質量%,進而在另一實施形態中為18~40質量%,進而在另一實施形態中為23~40質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~30質量%,在另一實施形態中為2~25質量%,進而在另一實施形態中為2~20質量%,進而在另一實施形態中為2~15質量%,進而在另一實施形態中為2~10質量%,進而在另一實施形態中為2~6質量%,進而在另一實施形態中為2~4質量%。
更且,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-1)表示之化合物較佳為以通式(X-1-1)表示之化合物。
該通式(X-1-1)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種。又在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種以上。
以該通式(X-1-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為3~30質量%,在另一實施形態中為4~30質量%,進而在另一實施形態中為6~30質量%,進而在另一實施形態中為9~30質量%,進而在另一實施形態中為12~30質量%,進而在另一實施形態中為15~30質量%,進而在另一實施形態中為18~30質量%,進而在另一實施形態中為21~30質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為3~20質量%,在另一實施形態中為3~13質量%,進
而在另一實施形態中為3~10質量%,進而在另一實施形態中為3~7質量%。
再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-1-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(36.1)至式(36.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(36.1)及/或式(36.2)表示之化合物。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-1)表示之化合物較佳為以通式(X-1-2)表示之化合物。
該通式(X-1-2)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
以該通式(X-1-2)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1-2)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~20質量%,在另一實施形態中為4~30質量%,進而在另一實施形態中為6~20質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1-2)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~16質量%,在另一實施形態中為1~12質量%,進而在另一實施形態中為1~10質量%。
更者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-1-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(37.1)至式(37.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(37.2)表示之化合物。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X-1)表示之化合物較佳為以通式(X-1-3)表示之化合物。
該通式(X-1-3)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
以該通式(X-1-3)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1-3)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~20質量%,在另一實施形態中為2~20質量%,進而在另一實施形態中為6~20質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-1-3)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~16質量%,在另一實施形態中為1~12質量%,進而在另一實施形態中為1~10質量%。
再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-1-3)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(38.1)至式(38.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(38.2)表示之化合物。
本發明液晶組成物中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(38.2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上35質量%以下,較佳為2質量%25質量%以下3質量%以上20質量%以下,較佳為3質量%以上15質量%以下,較佳為3質量%以上10質量%以下,較佳為3質量%以上8質量%以下,較佳為4質量%以上5質量%以下。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-2)表示之化合物。
該通式(X-2)中,X102
及X103
分別獨立表示氟原子或氫原子,Y10
表示氟原子、氯原子、-OCF3
,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
更者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X-2)表示之化合物較佳為以通式(X-2-1)表示之化合物。
該通式(X-2-1)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種,更佳組合3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-2-1)表示之化合物之含量較佳為3質量%以上20質量%以下,較佳為3質量%以上16質量%以下,較佳為3質量%以上12質量%以下,較佳為3質量%以上10質量%以下。
再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X-2-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(39.1)至式(39.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(39.2)表示之化合物。
本發明液晶組成物中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(39.2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上35質量%以下,較佳為2質量%25質量%以下,較佳為3質量%以上20質量%以下,較佳為3質量%以上15質量%以下,較佳為3質量%以上10質量%以下,較佳為4質量%以上8質量%以下,較佳為4質量%以上6質量%以下。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-2)表示之化合物較佳為以通式(X-2-2)表示之化合物。
該通式(X-2-2)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-2-2)表示之化合物之含量較佳為3質量%以上20質量%以下,較佳為6質量%以上16質量%以下,較佳為9質量%以上12質量%以下,較佳為9質量%以上10質量%以下。
更者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-2-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(40.1)至式(40.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(40.2)表示之化合物。
或者/再者,以通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-3)表示之化合物。
該通式(X-3)中,X102
與X103
分別獨立表示氟原子或氫原子,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X-3)表示之化合物較佳為以通式(X-3-1)表示之化合物。
該通式(X-3-1)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
以該通式(X-3-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-3-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~10質量%,在另一實施形態中為1~8質量%,進而在另一實施形態中為1~6質量%,進而在另一實施形態中為1~4質量%。
更且,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-3-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(41.1)至式(41.4)
表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(41.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-4)表示之化合物。
該通式(X-4)中,X102
表示氟原子或氫原子,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上,更佳組合3種以上。
更者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-4)表示之化合物較佳為以通式(X-4-1)表示之化合物。
該通式(X-4-1)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上,更佳組合3種以上。
以該通式(X-4-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等來適當調整。
相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-4-1)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上20質量%以下,較佳為5質量%以上17質量%以下,較佳為10質量%以上15質量%以下,較佳為10質量%以上13質量%以下。
再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X-4-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(42.1)至式(42.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(42.3)表示之化合物。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-4-2)表示之化合物。
該通式(X-4-2)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上,更佳組合3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-4-2)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上20質量%以下,較佳為5質量%以上17質量%以下,較佳為10質量%以上15質量%以下,較佳為10質量%以上13質量%以下。
再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X-4-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(42.11)至式(42.14)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中更佳含有以式(42.13)及/或式(42.14)表示之化合物。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-4-3)表示之化合物。
該通式(X-4-3)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上,更佳組合3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-4-3)表示之化合物之含量較佳為2質量%以上20質量%以下,較佳為5質量%以上17質量%以下,較佳為10質量%以上15質量%以下,較佳為10質量%以上13質量%以下。
甚而,本發明液晶組成物所使用之以該通式(X-4-3)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(42.21)至式(42.24)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中更佳含有以式(42.22)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-5)表示之化合物。
該通式(X-5)中,X102
表示氟原子或氫原子,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上,更佳組合3種以上。
再者,以該通式(X-5)表示之化合物較佳為以通式(X-5-1)表示之化合物。
該通式(X-5-1)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上,更佳組合3種以上。
作為以該通式(X-5-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(43.1)至式(43.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(43.2)表示之化合物。
或者/再者,該通式(X)表示之化合物較佳為以通式(X-6)表示之化合物。
該通式(X-6)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
以該通式(X-6)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X-6)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~30質量%,在另一實施形態中為5~30質量%,進而在另一實施形態中為6~30質量%,進而在另一實施形態中為1~20質量%,進而在另一實施形態中為1~13質量%,進而在另一實施形態中為1~10質量%,進而在另一實施形態中為2~9質量%。
甚者,以該通式(X-6)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(44.1)至式(44.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(44.1)及/或式(44.2)表示之化合物。
此外,可使本發明液晶化合物含有與以該通式(X)表示之化合物類似之以通式(X’-7)表示之化合物作為以該通式(M)表示之化合物。
該通式(X’-7)中,R10
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
以該通式(X’-7)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X’-7)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為4~30質量%,在另一實施形態中為5~30質量%,進而在另一實施形態中為6~30質量%,進而在另一實施形態中為8~30質量%,進而在另一實施形態中為9~30質
量%,進而在另一實施形態中為11~30質量%,進而在另一實施形態中為14~30質量%,進而在另一實施形態中為18~30質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(X’-7)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為4~20質量%,在另一實施形態中,該化合物之含量為4~13質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~10質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~7質量%。
再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(X’-7)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(44.11)至式(44.14)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中更佳含有以式(44.13)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(X)表示之化合物較佳為選自以通式(XI)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(XI)中,X111
至X117
分別獨立表示氟原子或氫原子,X111
至X117
之至少一者表示氟原子,R110
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,Y11
表示氟原子或-OCF3
。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,例如在本發明一實施形態中為1種,在另一實施形態中組合2種,進而在另一實施形態中組合3種以上。
以該通式(XI)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XI)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~30質量%,在另一實施形態中為4~30質量%,進而在另一實施形態中為5~30質量%,進而在另一實施形態中為7~30質量%,進而在另一實施形態中為9~30質量%,進而在另一實施形態中為10~30質量%,進而在另一實施形態中為12~30質量%,進而在另一實施形態中為13~30質量%,進而在另一實施形態中為15~30質量%,進而在另一實施形態中為18~30質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XI)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~25質量%,進而在另一實施形態中為2~20質量%,進而在另一實施形態中為2~15質量%,進而在另一實施形態中為2~10質量%,進而在另一實施形態中為2~5質量%。
本發明液晶組成物在用作晶胞間隙較小的液晶顯示元件用時,較理想的是增多以該通式(XI)表示之化合物之含量。在用作驅動電壓較小的液晶顯示元件用時,較理想的是增多以該通式(XI)表示之化合物之含量。又在用作低溫環境下使用之液晶顯示元件用時,較理想的是減少以該通式(XI)表示之化合物之含量。在作為用於響應速度較快的液晶顯示元件之液晶組成物時,較理想的是減少以該通式(XI)表示之化合物之含量。
更者,本發明液晶組成物所使用之以通式(XI)表示之化合物較佳為以通式(XI-1)表示之化合物。
該通式(XI-1)中,R110
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,按每一實施形態適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種,在另一實施形態中組合2種,進而在另一實施形態中組合3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XI-1)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上30質量%以下,更佳為2質量%以上25質量%以下,再佳為2質量%以上22質量%以下。
再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(XI-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(45.1)至式(45.4)
表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有選自以式(45.2)至式(45.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳含有以式(45.2)表示之化合物。
本發明液晶組成物中,考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(45.2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上25質量%以下,更佳為3質量%以上20質量%以下,再佳為3質量%以上15質量%以下,特佳為3質量%以上10質量%以下。特佳之範圍中,可列舉例如3質量%以上10質量%以下、3質量%以上8質量%以下、3質量%以上6質量%以下、3質量%以上4質量%以下、4質量%以上10質量%以下、6質量%以上10質量%以下、8質量%以上10質量%以下。
本發明液晶組成物中,考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(45.3)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上25質量%以下,更佳為3質量%以上20質量%以下,再佳為3質量%以上15質量%以下,特佳為3質量%以上10質量%以下。特佳之範圍中,可列舉例如3質量%以上10質量%以下、3質量%以上8質量%以下、3質量%以上6質量%以下、3質量%以上4質量%以下、4質量%以上10質量%以下、6質量%以上10質量%以下、8質量%以上10質量%以下。
本發明液晶組成物中,考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(45.4)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上25質量%以下,更佳為3質量%以上20質量%以下,再佳為3質量%以上15質量%以下,特佳為3質量%以上10質量%以下。
或者/再者,本發明液晶組成物所使用之以該通式(XI)表示之化合物較佳為以通式(XI-2)表示之化合物。
該通式(XI-2)中,R110
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,按每一實施形態適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種,在另一實施形態中組合2種,進而在另一實施形態中組合3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XI-2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上20質量%以下,較佳為3質量%以上20質量%以下,較佳為4質量%以上20質量%以下,較佳為6質量%以上15質量%以下,較佳為9質量%以上12質量%以下。
更且,本發明液晶組成物所使用之以通式(XI-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(45.11)至式(45.14)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有選自以式(45.12)至式(45.14)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳含有以式(45.12)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(X)表示之化合物較佳為選自以通式(XII)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(XII)中,X121
~X126
分別獨立表示氟原子或氫原子,R120
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,Y12
表示氟原子或-OCF3
。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而適當組合1~3種以上,更佳組合1~4種以上。
再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(XII)表示之化合物較佳為以通式(XII-1)表示之化合物。
該通式(XII-1)中,R120
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而適當組合1~2種以上,更佳組合1~3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XII-1)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上15質量%以下,較佳為2質量%以上10質量%以下,較佳為3質量%以上8質量%以下,較佳為4質量%以上6質量%以下。
更者,本發明液晶組成物所使用之以通式(XII-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(46.1)至式(46.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有選自以式(46.2)至式(46.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
或者/再者,以該通式(XII)表示之化合物較佳為以通式(XII-2)表示之化合物。
該通式(XII-2)中,R120
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而適當組合1~2種以上,更佳組合1種至3種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XII-2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上20質量%以下,較佳為3質量%以上20質量%以下,較佳為4質量%以上17質量%以下,較佳為6質量%以上15質量%以下,較佳為9質量%以上13質量%以下。
甚而,本發明液晶組成物所使用之以通式(XII-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(47.1)至式(47.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有選自以式(47.2)至式(47.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
或者/更者,以該通式(M)表示之化合物較佳為選自以通式(XIII)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(XIII)中,X131
~X135
分別獨立表示氟原子或氫原子,R130
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,Y13
表示氟原子或-OCF3
。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟較佳含有此等化合物當中的1~2種,更佳含有1~3種,再佳含有1~4種。
以該通式(XIII)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIII)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~30質量%,在另一實施形態中為4~30質量%,進而在另一實施形態中為5~30質量%,進而在另一實施形態中為7~30質量%,進而在另一實施形態中為9~30質量
%,進而在另一實施形態中為11~30質量%,進而在另一實施形態中為13~30質量%,進而在另一實施形態中為14~30質量%,進而在另一實施形態中為16~30質量%,進而在另一實施形態中為20~30質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIII)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~25質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為2~20質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為2~15質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為2~10質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為2~5質量%。
本發明液晶組成物在用作晶胞間隙較小的液晶顯示元件用時,較理想的是增多以該通式(XIII)表示之化合物之含量。在用作驅動電壓較小的液晶顯示元件用時,較理想的是增多以該通式(XIII)表示之化合物之含量。又在用作低溫環境下使用之液晶顯示元件用時,較理想的是減少以該通式(XIII)表示之化合物之含量。在作為用於響應速度較快的液晶顯示元件之液晶組成物時,較理想的是減少以該通式(XIII)表示之化合物之含量。
再者,以該通式(XIII)表示之化合物較佳為以通式(XIII-1)表示之化合物。
該通式(XIII-1)中,R130
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有1質量%以上25質量%以下之以該通式(XIII-1)表示之化合物,較佳含有3質量%以上25質量%以下,較佳含有5質量%以上20質量%以下,較佳含有10質量%以上15質量%以下。
更者,以通式(XIII-1)表示之化合物較佳為選自以式(48.1)至式(48.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(48.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XIII)表示之化合物較佳為以通式(XIII-2)表示之化合物。
該通式(XIII-2)中,R130
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟較佳含有此等化合物當中的1~2種以上。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有5質量%以上25質量%以下之以該通式(XIII-2)表示之化合物,較佳含有6質量%以上25質量%以下,較佳含有8質量%以上20質量%以下,較佳含有9質量%以上14質量%以下。
更者,以通式(XIII-2)表示之化合物較佳為選自以式(49.1)至式(49.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(49.1)及/或式(49.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XIII)表示之化合物較佳為以通式(XIII-3)表示之化合物。
該通式(XIII-3)中,R130
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟較佳含有此等化合物當中的1~2種。
相對於本發明液晶組成物之總質量,較佳含有2質量%以上20質量%以下之以該通式(XIII-3)表示之化合物,較佳含有4質量%以上20質量%以下,較佳含有9質量%以上17質量%以下,較佳含有11質量%以上14質量%以下。
更且,以該通式(XIII-3)表示之化合物較佳為選自以式(50.1)至式(50.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,較佳為以式(50.1)及/或式(50.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(M)表示之化合物較佳為選自以通式(XIV)表示之化合物群組中的至少1種化合物。
該通式(XIV)中,R140
表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基,X141
~X144
分別獨立表示氟原子或氫原子,Y14
表示氟原子、氯原子或OCF3
,Q14
表示單鍵、-COO-或-CF2
O-,m14
為0或1。
可組合之化合物的種類無限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,按每一實施形態適當組合使用。例如在本發明一實施形態中為1種。進而在本發明另一實施形態中為2種。或者在本發明又一實施形態中為3種。又在本發明又一實施形態中為4種。或者在本發明又一實施形態中為5種。或者在本發明又一實施形態中為6種以上。
以該通式(XIV)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中
為3~40質量%,在另一實施形態中為7~40質量%,進而在另一實施形態中為8~40質量%,進而在另一實施形態中為11~40質量%,進而在另一實施形態中為12~40質量%,進而在另一實施形態中為16~40質量%,進而在另一實施形態中為18~40質量%,進而在另一實施形態中為19~40質量%,進而在另一實施形態中為22~40質量%,進而在另一實施形態中為25~40質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為3~35質量%,進而在另一實施形態中為3~30質量%,進而在另一實施形態中為3~25質量%,進而在另一實施形態中為3~20質量%,進而在另一實施形態中為3~15質量%。
本發明液晶組成物在用作驅動電壓較小的液晶顯示元件用時,較理想的是增多以該通式(XIV)表示之化合物之含量。又在作為用於響應速度較快的液晶顯示元件之液晶組成物時,較理想的是減少以該通式(XIV)表示之化合物之含量。
更且,以通式(XIV)表示之化合物較佳為以通式(XIV-1)表示之化合物。
該通式(XIV-1)中,R140
表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基,Y14
表示氟原子、氯原子或-OCF3
。
可組合之化合物的種類無限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1~3種。
再者,以通式(XIV-1)表示之化合物較佳為以通式(XIV-1-1)表示之化合物。
該通式(XIV-1-1)中,R140
表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基。
以該通式(XIV-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2質量%以上30質量%,在另一實施形態中為4質量%以上30質量%,進而在另一實施形態中為7質量%以上30質量%以下,進而在另一實施形態中為10質量%以上30
質量%以下,進而在另一實施形態中為18質量%以上30質量%以下。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2質量%以上27質量%以下,進而在另一實施形態中為2質量%以上24質量%以下,進而在另一實施形態中為2質量%以上小於21質量%。
再者,以通式(XIV-1-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(51.1)至式(51.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳含有以(51.1)表示之化合物。
或者/再者,以通式(XIV-1)表示之化合物較佳為以通式(XIV-1-2)表示之化合物。
該通式(XIV-1-2)中,R140
表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-1-2)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上15質量%以下,較佳為3質量%以上13質量%以下,較佳為5質量%以上11質量%以下,較佳為7質量%以上9質量%以下。
再者,以通式(XIV-1-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(52.1)至式(52.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(52.4)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XIV)表示之化合物較佳為以通式(XIV-2)表示之化合物。
該通式(XIV-2)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,X141
~X144
分別獨立表示氟原子或氫原子,Y14
表示氟原子、氯原子或-OCF3
。
可組合之化合物的種類無限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,按每一實施形態適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種。進而在本發明另一實施形態中為2種。或者在本發明又一實施形態中為3種。又在本發明又一實施形態中為4種。或者在本發明又一實施形態中為5種以上。
以該通式(XIV-2)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為3~40質量%,在另一實施形態中為7~40質量%,進而在另一實施形態中為8~40質量%,進而在另一實施形態中為10~40質量%,進而在另一實施形態中為11~40質量%,進而在另一實施形態中為12~40質量%,進而在另一實施形態中為18~40質量%,進而在另一實施形態中為19~40質量%,進而在另一實施形態中為21~40質量%,進而在另一實施形態中為22~40質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為3~35質量%,在另一實施形態中為3~25質量%,進而在另一實施形態中為3~20質量%,進而在另一實施形態中為3~15質量%,進而在另一實施形態中為3~10質量%。
本發明液晶組成物在用作驅動電壓較小的液晶顯示元件用時,較理想的是增多以該通式(XIV-2)表示之化合物之含量。又在作為用於響應速度較快的液晶顯示元件之液晶組成物時,較理想的是減少以該通式(XIV-2)表示之化合物之含量。
甚且,以通式(XIV-2)表示之化合物較佳為以通式(XIV-2-1)表示之化合物。
該通式(XIV-2-1)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2-1)表示之化合物之含量較佳為1質量%以上15質量%以下,較佳為3質量%以上13質量%以下,較佳為5質量%以上11質量%以下,較佳為7質量%以上9質量%以下。
再者,以通式(XIV-2-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(53.1)至式(53.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(53.4)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XIV-2)表示之化合物較佳為以通式(XIV-2-2)表示之化合物。
該通式(XIV-2-2)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2-2)表示之化合物之含量較佳為3質量%以上20質量%以下,較佳為6質量%以上17質量%以下,較佳為6質量%以上15質量%以下,較佳為6質量%以上9質量%以下。
更者,以通式(XIV-2-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(54.1)至式(54.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(54.2)及/或式(54.4)表示之化合物。
本發明液晶組成物中,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該式(54.2)表示之化合物之含量較佳為5質量%以上35質量%以下,較佳為5質量%25質量%以下,較佳為5質量%以上22質量%以下,較佳為6質量%以上20質量%以下,較佳為6質量%以上15質量%以下,較佳為6質量%以上9質量%以下。
或者/再者,以該通式(XIV-2)表示之化合物較佳為以通式(XIV-2-3)表示之化合物。
該通式(XIV-2-3)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2-3)表示之化合物之含量較佳為5質量%以上30質量%以下,較佳為9質量%以上27質量%以下,較佳為12質量%以上24質量%以下,較佳為12質量%以上20質量%以下。
進而,以通式(XIV-2-3)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(55.1)至式(55.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(55.2)及/或式(55.4)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XIV-2)表示之化合物較佳為以通式(XIV-2-4)表示之化合物。
該通式(XIV-2-4)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,按每一實施形態適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種。進而在本發明另一實施形態中為2種。或者在本發明又一實施形態中為3種以上。
以該通式(XIV-2-4)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性,按每一實施形態來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2-4)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~35質量%,在另一實施形態中為5~35質量%,進而在另一實施形態中為8~35質量%,進而在另一實施形
態中為9~35質量%,進而在另一實施形態中為10~35質量%,進而在另一實施形態中為18~35質量%,進而在另一實施形態中為21~35質量%,進而在另一實施形態中為22~35質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為24~35質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2-4)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為2~30質量%,進而在另一實施形態中為2~25質量%,進而在另一實施形態中為2~20質量%,進而在另一實施形態中為2~15質量%,進而在另一實施形態中為2~10質量%。
本發明液晶組成物在用作驅動電壓較小的液晶顯示元件用時,較理想的是增多以該通式(XIV-2-4)表示之化合物之含量。又在作為用於響應速度較快的液晶顯示元件之液晶組成物時,較理想的是減少以該通式(XIV-2-4)表示之化合物之含量。
再者,以該通式(XIV-2-4)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(56.1)至式(56.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(56.1)、式(56.2)、及/或式(56.4)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XIV-2)表示之化合物較佳為以通式(XIV-2-5)表示之化合物。
該通式(XIV-2-5)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2-5)表示之化合物之含量較佳為5質量%以上25質量%以下,較佳為10質量%以上22質量%以下,較佳為13質量%以上18質量%以下,較佳為13質量%以上15質量%以下。
甚者,以該通式(XIV-2-5)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(57.1)至式(57.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物。其中較佳含有以式(57.1)表示之化合物。
或者/再者,以通式(XIV-2)表示之化合物較佳為以通式(XIV-2-6)表示之化合物。
該通式(XIV-2-6)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-2-6)表示之化合物之含量較佳為5質量%以上25質量%以下,較佳為10質量%以上22質量%以下,較佳為15質量%以上20質量%以下,較佳為15質量%以上17質量%以下。
再者,以該通式(XIV-2-6)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(58.1)至式(58.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(58.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XIV)表示之化合物較佳為以通式(XIV-3)表示之化合物。
該通式(XIV-3)中,R140
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟依據低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等所期望之性能適當組合使用。所使用之化合物的種類,例如以本發明一實施形態而言為1種。或者在本發明另一實施形態中為2種以上。
考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XIV-3)表示之化合物之含量較佳為2.5質量%以上25質量%以下,較佳為3質量%以上15質量%以下,較佳為3質量%以上10質量%以下。
更且,以該通式(XIV-3)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(61.1)至式(61.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以式(61.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(M)表示之化合物較佳為以通式(XV)表示之化合物。
該通式(XV)中,R150
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基,A151
表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基,惟該1,4-伸苯基上的氫原子可經氟原子取代。
可組合之化合物的種類無特別限制,惟考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等適當組合。例如在本發明一實施形態中為1種。又在本發明另一實施形態中為2種。進而在本發明另一實施形態中為3種。進而在本發明另一實施形態中為4種。進而在本發明另一實施形態中為5種以上。
以該通式(XV)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性,按每一實施形態適當調整。舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XV)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為0.5~30質量%,在另一實施形態中為1~30質量%,進而在另一實施形態中為3~30質量%,進而在另一實施形態中為6~30質量%,進而在另一實施形態中為9~30質量%,進而在另一實施形態中為11~30質量%,進而在另一實施形態中為12~30質量%,進而在另一實施形態中為18~30質量%,進而在另一實施形態中為19~30質量%,進而在另一實施形態中為23~30質量%,進而在另一實施形態中含量為25~30質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XV)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為0.5~25質量%,在另一實施形態中為0.5~20質量%,進而在另一實施形態中為0.5~13質量%,進而在另一實施形態中為0.5~9質量%,進而在另一實施形態中為1~6質量%。
本發明液晶組成物所使用之以該通式(XV)表示之化合物較佳為以通式(XV-1)表示之化合物。
該通式(XV-1)中,R150
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
以該通式(XV-1)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XV-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為1~30質量%,在另一實施形態中為3~30質量%,進而在另一實施形態中為6~30質量%,進而在另一實施形態中為9~30質量%,進而在另一實施形態中為14~30質量%,進而在另一實施形態中為18~30質量%。
此外,例如相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XV-1)表示之化合物之含量,在本發明一實施形態中為3~20質量%,在另一實施形態中,該化合物之含量為4~13質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~10質量%,進而在另一實施形態中,該化合物之含量為4~7質量%。
再者,本發明液晶組成物所使用之以通式(XV-1)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(59.1)至式(59.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中更佳含有以式(59.2)表示之化合物。
或者/再者,以該通式(XV)表示之化合物較佳為以通式(XV-2)表示之化合物。
該通式(XV-2)中,R150
表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。
可組合之化合物無特別限制,惟較佳考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等而組合1種或2種以上。
以該通式(XV-2)表示之化合物之含量係考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等特性來適當調整。
舉例言,考量低溫下的溶解性、轉移溫度、電性可靠度、雙折射率等,相對於本發明液晶組成物之總質量,以該通式(XV-2)表示之化合物之含量較佳為0.5質量%以上20質量%以下,較佳為1質量%以上15質量%以下,較佳為1質量%10質量%以下,較佳為1質量%4質量%以下。
更且,本發明液晶組成物所使用之以通式(XV-2)表示之化合物,具體而言較佳為選自以式(60.1)至式(60.4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中較佳含有以式(60.2)表示之化合物。
本案發明之液晶組成物較佳為在分子內不含有具過氧(-CO-OO-)結構等氧原子彼此鍵結之結構的化合物。
如重視液晶組成物之可靠度及長期穩定性時,相對於該組成物之總質量,具羧基之化合物之含量較佳採用5質量%以下,更佳採用3質量%以下,再佳採用1質量%以下,最佳為實質上不含有。
如重視UV照射下的穩定性時,相對於該組成物之總質量,經氯原子取代之化合物之含量較佳採用15質量%以下,更佳採用10質量%以下,再佳採用5質量%以下,最佳為實質上不含有。
較佳為增加分子內的環結構皆為六元環之化合物之含量,相對於該組成物之總質量,分子內的環結構皆為六元環之化合物之含量較佳採用80質量%以上,更佳採用90質量%以上,再佳採用95質量%以上,最佳為僅以實質上分子內的環結構皆為六元環之化合物構成液晶組成物。
為抑制液晶組成物的氧化所致之劣化,係以減少具有伸環己烯基作為環結構之化合物之含量為佳,相對於該組成物之總質量,具有伸環己烯基之化合物之含量較佳採用10質量%以下,更佳採用5質量%以下,再佳為實質上不含有。
如重視黏度的改善及Tni的改善時,係以減少分子內具有氫原子可經鹵素取代之2-甲基苯-1,4-二基之化合物之含量為佳,相對於該組成物之總質量,該分子內具有2-甲基苯-1,4-二基之化合物之含量較佳採用10質量%以下,更佳採用5質量%以下,再佳為實質上不含有。
當本發明第一實施形態之組成物所含有之化合物含有烯基作為側鏈時,在該烯基與環己烷鍵結的情況下,該烯基之碳原子數較佳為2~5,在該烯基與苯鍵結的情況下,該烯基之碳原子數較佳為4~5,較佳為該烯基的不飽和鍵未與苯直接鍵結。
為製作PS模式、橫電場型PSA模式或橫電場型PSVA模式等的液晶顯示元件,本發明液晶組成物中可含有聚合性化合物。作為可使用之聚合性化合物,可列舉利用光等能量射線進行聚合的光聚合性單體等,作為其結構,可列舉例如具有聯苯衍生物、三苯衍生物等多個六元環連結而成之液晶骨架的聚合性化合物等。更具體言之,較佳為以通式(XX)表示之二官能單體。
該通式(XX)中,X201
及X202
分別獨立表示氫原子或甲基,Sp201
及Sp202
分別獨立表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2
)s
-(式中,s表示整數2~7,氧原子係與芳香環鍵結),
Z201
表示-OCH2
-、-CH2
O-、-COO-、-OCO-、-CF2
O-、-OCF2
-、-CH2
CH2
-、-CF2
CF2
-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH2
CH2
-、-OCO-CH2
CH2
-、-CH2
CH2
-COO-、-CH2
CH2
-OCO-、-COO-CH2
-、-OCO-CH2
-、-CH2
-COO-、-CH2
-OCO-、-CY1
=CY2
-(式中,Y1
及Y2
分別獨立表示氟原子或氫原子)、-C≡C-、或單鍵,M201
表示1,4-伸苯基、反-1,4-伸環己基或單鍵,式中的所有的1,4-伸苯基其任意氫原子可經氟原子取代。
X201
及X202
較佳為兩者均表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物、兩者均具有甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物之任一者,較佳為一者表示氫原子另一者表示甲基之化合物。就此等化合物之聚合速度,二丙烯酸酯衍生物最快,二甲基丙烯酸酯衍生物較慢,非對稱化合物介於其之間,可視其用途而定使用較佳形態。在PSA顯示元件中,二甲基丙烯酸酯衍生物尤佳。
Sp201
及Sp202
分別獨立表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2
)s
-,在PSA顯示元件中較佳為至少一者為單鍵,較佳為均表示單鍵之化合物或一者表示單鍵另一者表示碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2
)s
-之形態。此時較佳為碳原子數1~4之烷基,s較佳為1~4。
Z201
較佳為-OCH2
-、-CH2
O-、-COO-、-OCO-、-CF2
O-、-OCF2
-、-CH2
CH2
-、-CF2
CF2
-、或單鍵,更佳為-COO-、-OCO-、或單鍵,尤佳為單鍵。
M201
表示任意氫原子可經氟原子取代之1,4-伸苯基、反-1,4-伸環己基、或單鍵,惟較佳為1,4-伸苯基或單鍵。當M201
表示單鍵以外之環結構時,Z201
較佳為單鍵以外之連結基;M201
為單鍵時,Z201
較佳為單鍵。
由此言之,通式(XX)中,Sp201
及Sp202
之間的環結構,具體而言較佳為以下所記載之結構。
該通式(XX)中,M201
表示單鍵,當環結構由兩個環形成時,較佳表示以下之式(XXa-1)~式(XXa-5),更佳表示式(XXa-1)~式(XXa-3),尤佳表示式(XXa-1)。
該式(XXa-1)~式(XXa-5)中,其兩端係與Sp201
或Sp202
鍵結。
由於含此等骨架之聚合性化合物其聚合後之配向限制力對於PSA型液晶顯示元件係最佳者,可獲得良好的配向狀態,因此顯示不均得以抑制、或完全未發生。
由以上所述,作為聚合性單體,較佳為選自以通式(XX-1)~通式(XX-4)表示之化合物群組中的至少1種化合物,其中更佳為以通式(XX-2)表示之化合物。
該通式(XX-3)及通式(XX-4)中,Sp20
表示碳原子數2~5之伸烷基。
對本發明液晶組成物添加單體時,不存在聚合起始劑時仍可進行聚合,而為了促進聚合,亦可含有聚合起始劑。作為聚合起始劑,可列舉安息香醚類、二苯甲酮類、苯乙酮類、苯甲基縮酮類、醯基膦氧化物類等。
本發明之液晶組成物還可進一步含有以通式(Q)表示之化合物。
該通式(Q)中,RQ
表示碳原子數1~22之直鏈烷基或分支鏈烷基,該烷基中的1個或2個以上之CH2
基可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2
O-、-OCF2
-取代以防氧原子直接相鄰,MQ
表示反-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、或單鍵。
RQ
表示碳原子數1~22之直鏈烷基或分支鏈烷基,該烷基中的1個或2個以上之CH2
基可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2
O-、-OCF2
-取代以防氧原子直接相鄰,惟較佳為碳原子數1~20之直鏈烷基、直鏈烷氧基、一CH2
基經-OCO-或-COO-取代之直鏈烷基、分支鏈烷基、分支烷氧基、一CH2
基經-OCO-或-COO-取代之分支鏈烷基,更佳為碳原子數1~10之直鏈烷基、一CH2
基經-OCO-或-COO-取代之直鏈烷基、分支鏈烷基、分支烷氧基、一CH2
基經-OCO-或-COO-取代之分支鏈烷基。
MQ
表示反-1,4-環己基、1,4-伸苯基或單鍵,惟較佳為反-1,4-環己基或1,4-伸苯基。
以該通式(Q)表示之化合物較佳為選自以下述通式(Q-a)~通式(Q-d)表示之化合物群組中的至少1種化合物,更佳為以通式(Q-c)及/或(Q-d)表示之化合物。
該式中,RQ1
較佳為碳原子數1~10之直鏈烷基或分支鏈烷基,RQ2
較佳為碳原子數1~20之直鏈烷基或分支鏈烷基,RQ3
較佳為碳原子數1~8之直鏈烷基、分支鏈烷基、直鏈烷氧基或分支鏈烷氧基,LQ
較佳為碳原子數1~8之直鏈伸烷基或分支鏈伸烷基。
本案發明之液晶組成物中,較佳含有1種或2種以該通式(Q)表示之化合物,更佳含有1種~5種,相對於本發明液晶組成物之總質量,其含量較佳為0.001~1質量%,較佳為0.001~0.1質量%,較佳為0.001~0.05質量%。
含有本發明之聚合性化合物的液晶組成物係藉由使其所含之聚合性化合物利用紫外線照射進行聚合而賦予液晶配向能力,可使用於利用液晶組成物的雙折射來控制光的透光量的液晶顯示元件。其係有用於作為液晶顯示元件之ECB-LCD、VA-LCD、FFS-LCD、AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列型液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭轉向列型液晶顯示元件)、OCB-LCD、VA-IPS-LCD、及IPS-LCD(面內切換型液晶顯示元件),惟特別有用於AM-LCD,可使用於穿透型或反射型液晶顯示元件。
液晶顯示元件所使用之液晶胞的2片基板可採用如玻璃或塑膠之具柔軟性的透明材料,另一方面亦可採用矽等的不透明材料。具有透明電極層之透明基板可例如藉由在玻璃板等的透明基板上濺鍍氧化銦錫(ITO)而得到。
彩色濾光片可透過例如顏料分散法、印刷法、電沉積法或染色法等來製作。如以採用顏料分散法之彩色濾光片的製作方法作為一例進行說明,係將彩色濾光片用之硬化性著色組成物塗布於該透明基板上,並實施圖案化處理,其後利用加熱或光照射使其硬化。藉由對紅、綠、藍之3色分別進行該步驟,即可製作彩色濾光片用
之畫素部。此外,亦可於該基板上設置設有TFT、薄膜二極體等主動元件的畫素電極。
使該基板以透明電極層作為內側的方式對向。此時,可隔著間隔物來調整基板的間隔。此時,所得之調光層的厚度係以調整成1~100μm為佳。更佳為1.5至10μm,當使用偏光板時,係以調整液晶的折射率各向異性△n與晶胞厚d的積,以使對比達最大為佳。又,若有二片偏光板時,亦可調整各偏光板的偏光軸以將視角或對比調整得更良好。更者,還可使用供拓展視角的相位差薄膜。作為間隔物,可列舉例如包含玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等的柱狀間隔物等。其後,將環氧系熱硬化性組成物等之密封劑,以開設液晶注入口的方式網版印刷於該基板上,將該基板彼此貼合並加熱,使密封劑熱硬化。
使含有聚合性化合物之液晶組成物夾持於2片基板間之方法,可採用一般的真空注入法或ODF法等。然而,在真空注入法中雖不會產生滴下痕,反之有殘留注入痕跡之課題。在本案發明中,採用ODF法所製造的顯示元件可更理想地使用。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟中,在後板或前板之任一基板將環氧系光熱併用硬化性等的密封劑,利用分配器描繪成閉環堤防狀,在除氣下於其中滴下規定量的液晶組成物後,將前板與後板接合,由此即可製造液晶顯示元件。本發明液晶組成物由
於可穩定進行ODF步驟中之液晶組成物的滴下,而能夠較佳地使用。
作為使聚合性化合物聚合之方法,為得到液晶的良好配向性能,適度的聚合速度乃較佳者,因此較佳為藉由單獨使用或併用、或依序照射紫外線或電子線等活性能量射線來進行聚合之方法。當使用紫外線時,可採用偏光光源,亦可採用非偏光光源。此外,在使含有聚合性化合物之液晶組成物夾持於2片基板間的狀態下進行聚合時,至少照射面側的基板必須對活性能量射線具有適當的透明性。又,亦可使用所謂「在光照射時利用遮罩僅使特定部分聚合後,改變電場、磁場或溫度等條件,藉此改變未聚合部分的配向狀態,並進一步照射活性能量射線使其聚合」之手段。尤其在進行紫外線曝光之際,係以一面對含有聚合性化合物之液晶組成物施加交流電場一面進行紫外線曝光為佳。所施加之交流電場較佳為頻率10Hz至10kHz的交流,更佳為頻率60Hz至10kHz,電壓係依據液晶顯示元件的所要之預傾角來選擇。亦即,可藉由所施加之電壓來控制液晶顯示元件的預傾角。橫電場型MVA模式之液晶顯示元件中,由配向穩定性及對比觀點,係將預傾角控制於80度至89.9度為佳。
照射時的溫度較佳為處於可保持本發明液晶組成物之液晶狀態的溫度範圍內。較佳為在接近室溫之溫度,即,典型上為15~35℃之溫度下進行聚合。作為供產生紫
外線的燈,可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又作為所照射之紫外線的波長,係以照射非為液晶組成物之吸收波長區域的波長區域的紫外線為佳,較佳為視需求遮斷紫外線來使用。所照射之紫外線的強度較佳為0.1mW/cm2
~100W/cm2
,更佳為2mW/cm2
~50W/cm2
。所照射之紫外線的能量值可適當調整,惟較佳為10mJ/cm2
至500J/cm2
,更佳為100mJ/cm2
至200J/cm2
。當照射紫外線之際,亦可改變強度。照射紫外線的時間可根據所照射的紫外線強度來適當選擇,惟較佳為10秒至3600秒,更佳為10秒至600秒。
使用本發明液晶組成物之液晶顯示元件係有用於兼具高速響應與顯示不良的抑制,尤其係有用於主動矩陣驅動用液晶顯示元件,可應用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS(面內切換)模式、FFS(邊界電場切換)模式、VA-IPS模式、或ECB模式用液晶顯示元件。
以下,一面參照圖式,一面對本發明之液晶顯示裝置的較佳實施形態詳細進行說明。
第1圖為表示具備相互對向的兩基板、設於該基板間的密封材、及封入於該密封材所包圍之密封區域的液晶的液晶顯示元件的剖面圖。
具體而言,茲表示具備:後板,於第1基板100上設有TFT層102、畫素電極103,由其上方起設有鈍化膜104及第1配向膜105;前板,於第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜(外覆層)201、透明電極204,由其上方起設有配向膜205並與前述後板相對向;密封材301,設於該基板間;及液晶層303,封入於前述密封材所包圍的密封區域,且該密封材301相接之基板面上設有突起(柱狀間隔物)302、304之液晶顯示元件的具體形態。
該第1基板或該第2基板只要實質上呈透明則其材質並未特別限定,可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。作為塑膠基板可使用纖維素、三乙酸纖維素、二乙酸纖維素等纖維素衍生物、聚環烯烴衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚醚碸、聚芳香酯、甚而玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等無機-有機複合材料等。
此外當使用塑膠基板之際,係以設置阻隔膜為佳。阻隔膜的功能在於降低塑膠基板所具有的透濕性,並提高液晶顯示元件的電氣特性的可靠度。作為阻隔膜,只
要是各自透明性高且水蒸氣穿透性小者即可,並未特別限定,一般係使用採用氧化矽等無機材料,利用沉積或濺鍍、化學氣相沉積法(CVD法)所形成的薄膜。
本發明中,作為該第1基板或該第2基板,可使用同一材料或使用不同材料,並未特別限定。若使用玻璃基板,可製作耐熱性、尺寸穩定性優良的液晶顯示元件而較佳。又若為塑膠基板,則適於採用連續滾壓法(roll-to-roll)的製造方法且適於輕量化或柔性化而較佳。又,如以賦予平坦性及耐熱性為目的,則組合塑膠基板與玻璃基板時可獲得良好結果。
另外,後述實施例中,作為第1基板100或第2基板200之材料係使用基板。
以後板而言,係於第1基板100上設置TFT層102及畫素電極103。此等係以一般的陣列步驟來製造。於其上設置鈍化膜104及第1配向膜105即可製得後板。
鈍化膜104(亦稱為無機保護膜)係一種供保護TFT層的膜,一般係藉由化學氣相沉積(CVD)技術等來形成氮化膜(SiNx)、氧化膜(SiOx)等。
此外,第1配向膜105係一種具有使液晶配向之功能的膜,一般大多使用如聚醯亞胺之類的高分子材料。塗布液係使用包含高分子材料與溶劑的配向劑溶液。由
於配向膜有可能阻礙與密封材的接著力,因此係於密封區域內進行圖案塗布。塗布係使用如柔版印刷法之類的印刷法、如噴墨法之類的液滴排出法。所塗布之配向劑溶液經暫時乾燥使溶劑蒸發後,藉由烘烤而交聯硬化。此後,為了發揮配向功能,而進行配向處理。
配向處理一般係以摩擦法進行。於如前述所形成的高分子膜上,利用包含如嫘縈之類的纖維的磨擦布沿一方向進行,即產生液晶配向能力。
又,有時亦使用光配向法。光配向法係一種藉由在包含具感光性之有機材料的配向膜上照射偏光來產生配向能力之方法,不會引起摩擦法所致之基板的擦痕或塵埃的發生。作為光配向法中的有機材料的實例,係有含有二色性染料之材料。作為二色性染料,可使用具有可發生光二色性所產生之魏格特效應(Weigert's effect)所致之分子的配向誘發或異構化反應(例:偶氮苯基)、二聚反應(例:桂皮醯基)、光交聯反應(例:二苯甲酮基)、或者光分解反應(例:聚醯亞胺基)等作為液晶配向能力起源的光反應的基(以下簡稱為光配向性基)者。塗布之配向劑溶液經暫時乾燥使溶劑蒸發後,藉由照射具有任意偏向的光(偏光),即可得到沿任意方向具有配向能力的配向膜。
另一前板係於第2基板200上設置黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。
黑色矩陣202係以例如顏料分散法製作。具體而言,係於設有阻隔膜201的第2基板200上塗布均勻分散有黑色矩陣形成用之黑色著色劑的著色樹脂液,而形成著色層。其次,對著色層進行烘烤使其硬化。於其上塗布光阻,對其進行烘烤。使光阻透過遮罩圖案進行曝光後,進行顯影以將著色層圖案化。其後,將光阻層剝離,對著色層進行烘烤即完成黑色矩陣202。
或者,亦可使用光阻型顏料分散液。此時,在塗布光阻型顏料分散液並進行烘烤後,再透過遮罩圖案進行曝光之後,進行顯影以將著色層圖案化。其後,將光阻層剝離,並對著色層進行烘烤即完成黑色矩陣202。
彩色濾光片203係以顏料分散法、電沉積法、印刷法或染色法等製作。若舉顏料分散法為例,將均勻分散有(例如紅色)顏料的著色樹脂液塗布於第2基板200上,予以烘烤硬化後,於其上塗布光阻並進行烘烤。使光阻透過遮罩圖案進行曝光後進行顯影,而予以圖案化。其後將光阻層剝離,再次進行烘烤,由此即完成(紅色)彩色濾光片203。所製作之色彩順序並未特別限定。以同樣方式形成綠色彩色濾光片203、藍色彩色濾光片203。
透明電極204係於前述彩色濾光片203上設有外覆層(201)(視需求於前述彩色濾光片203上設置外覆層(201)以使表面平坦化)。透明電極204其穿透率愈高愈佳,電阻則愈小愈佳。透明電極204係利用濺鍍法等形成ITO等氧化膜。
再者,以保護前述透明電極204為目的,有時亦於透明電極204上設置鈍化膜。
第2配向膜205係與該第1配向膜105相同。
以上既已對本發明中所使用之該後板及該前板敘述其具體形態,惟本案中並未限定於該具體形態,可依據所要的液晶顯示元件自由變更該形態。
該柱狀間隔物的形狀並未特別限定,可將其水平剖面作成圓形、四邊形等的多邊形等各種形狀,惟考量到步驟時的錯準空白(misalign margin),將水平剖面作成圓形或正多邊形尤佳。又該突起形狀較佳為圓錐臺或角錐臺。
該柱狀間隔物的材質只要是密封材或者不溶解於密封材所使用之有機溶劑或液晶的材質則未特別限定,由加工及輕量化方面言之較佳為合成樹脂(硬化性樹脂)。
另一方面,該突起可以藉由採用光微影之方法或液滴排出法,而設置於與第一基板上的密封材相接的面上。出於此種原因,係以使用適於採用光微影之方法或液滴排出法的光硬化性樹脂為佳。
作為實例,係對利用光微影法製得該柱狀間隔物的情況進行說明。第2圖為使用形成於黑色矩陣上的柱狀間隔物製作用圖案作為光罩圖案之曝光處理步驟的圖。
於該前板的透明電極204上塗布柱狀間隔物形成用之(不含著色劑的)樹脂液。接著,對該樹脂層402進行烘烤使其硬化。於其上塗布光阻,對其進行烘烤。使光阻透過遮罩圖案401進行曝光後,進行顯影以將樹脂層圖案化。其後,將光阻層剝離,對樹脂層進行烘烤即完成柱狀間隔物。(第1圖之302、304)
柱狀間隔物的形成位置可根據遮罩圖案而決定於所要的位置。因此,可同時製作液晶顯示元件的密封區域內部與密封區域外部(密封材塗布部分)兩者。又為了防止密封區域的品質降低,柱狀間隔物係以位於黑色矩陣上的方式形成為佳。有將如此利用光微影法所製作的柱狀間隔物稱為「柱間隔物」或「光間隔物」。
該間隔物的材質係使用PVA-芪偶氮(stilbazo)感光性樹脂等負型水溶性樹脂或多官能丙烯酸系單體、丙烯
酸共聚物、三唑系起始劑等的混合物。或有使用聚醯亞胺樹脂中分散有著色劑之著色樹脂的方法。本發明中並未特別限定,可依據與使用之液晶或密封材的兼容性,以周知之材質來製得間隔物。
如此,於作為前板上的密封區域的面設置柱狀間隔物後,在與該後板的密封材相接的面上塗布密封材(第1圖中的301)。
密封材的材質並未特別限定,係使用環氧系或丙烯酸系之光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性樹脂中添加有聚合起始劑的硬化性樹脂組成物。此外,為控制透濕性或彈性模數、黏度等,有時係添加包含無機物或有機物的填料類。此等填料類的形狀並未特別限定,係有球形、纖維狀、無定形等。更者,為了良好控制晶胞間隙,且為了混合具單分散直徑的球形或纖維狀間隙材、或進一步強化與基板的接著力,亦可混合容易與基板上突起交絡的纖維狀物質。此時所使用之纖維狀物質的直徑較佳為晶胞間隙的1/5~1/10以下左右,纖維狀物質的長度係以短於密封塗布寬度為佳。
此外,以纖維狀物質的材質而言,只要可得到既定的形狀則未特別限定,可適當選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等的合成纖維或玻璃、碳等無機材料。
作為塗布密封材的方法,係有印刷法或分配(dispense)法,較佳為密封材的用量較少的分配法。密封材的塗布位置一般設於黑色矩陣上,以防對密封區域造成不良影響。為了形成下一步驟的液晶滴下區域(為了防止液晶漏洩),密封材塗布形狀係設為閉環形狀。
對塗布有該密封材之前板的閉環形狀(密封區域)滴下液晶;通常係使用分配器。為使滴下的液晶量與液晶胞容積一致,基本上係與柱狀間隔物的高度與密封塗布面積相乘得到的體積等量。惟,為防止晶胞貼合步驟中發生液晶漏洩或使顯示特性最佳化,亦有適當調整滴下的液晶量、或使液晶滴下位置分散。
其次,在塗布該密封材並滴下液晶而成的前板上貼合後板。具體而言,係使該前板與該後板吸附於具有如靜電夾頭等可吸附基板的機構的基臺上,並使前板的第2配向膜與後板的第1配向膜相對向,予以配置於另一基板未與密封材相接的位置(距離)。於此狀態下將系統內部減壓。減壓結束後,一面確認前板與後板的貼合位置一面調整兩基板位置(對準操作)。當貼合位置的調整結束時,使基板靠近至前板上的密封材與後板相接的位置。於此狀態下對系統內部填充惰性氣體,緩緩開放減壓同時回升至常壓。此時,因大氣壓使前板與後板貼合,而以柱狀間隔物的高度位置形成晶胞間隙。於此狀態下對
密封材照射紫外線以將密封材硬化,由此即形成液晶胞。其後,視情況而定加入加熱步驟,以促進密封材硬化。為達密封材的接著力強化或電氣特性可靠度的提升,加入加熱步驟之情況在所多有。
以下茲舉出實施例以進一步詳述本發明,惟本發明並非限定於此等實施例。此外,以下實施例及比較例之組成物中的「%」係指『質量%』。
實施例中,所測定之特性係如以下所示:
Tni:向列型相-等向性液體相轉移溫度(℃)
△n:298K之折射率各向異性
△ε:298K之介電各向異性
η:293K之黏度(mPa.s)
γ1:298K之旋轉黏度(mPa.s)
VHR:頻率60Hz、施加電壓5V條件下333K之電壓保持率(%)
耐熱試驗後VHR:將封入有液晶組成物樣本的光電特性評定用TEG(測試元件群)保持於130℃之恆溫槽中1小時後,以與上述VHR測定方法相同的條件進行測定。
殘影:
液晶顯示元件的殘影評定係於顯示區域內使既定的
固定圖案顯示任意之試驗時間後,量測進行全畫面均勻顯示時之固定圖案的殘影達到無法容許之殘影程度為止的試驗時間。
1)此處所謂「試驗時間」係表示固定圖案的顯示時間,該時間愈長表示愈可抑制殘影的發生,性能愈高。
2)「無法容許之殘影程度」,係為在合格判定中可觀察到「不合格」之殘影的程度。
滴下痕:
液晶顯示裝置之滴下痕的評定係以目視觀察進行全黑顯示時泛白浮起的滴下痕,依以下5階段評定來進行。
5:無滴下痕(優)
4:有極少滴下痕,仍屬可許容之程度(良)
3:有少許滴下痕,屬合格判定之邊緣程度(可附帶條件)
2:有滴下痕,無法容許之程度(不可)
1:有滴下痕,極差(差)
製程適合性:
製程適合性係於ODF製程中,利用定容積計量泵,按每1次各滴下50pL之液晶,量測滴下100次「0~100次、101~200次、201~300次、…」時之各100次滴下量的液晶之質量,以質量的變異達到無法適合ODF製程之大小的滴下次數來評定。
滴下次數愈多愈可長時間穩定地滴下,可謂製程適合性愈高。
低溫下的溶解性:
低溫下的溶解性評定係於調製液晶組成物後,在2mL之試樣瓶中秤量1g之液晶組成物,對其在溫度控制式試驗槽中,以次一運轉狀態「-20℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/分鐘)→-20℃」為1循環持續附加溫度變化,以目視觀察來自液晶組成物的析出物的產生,並量測可觀察到析出物時的試驗時間。
試驗時間愈長愈可長時間穩定地保持液晶相,低溫下的溶解性愈良好。
揮發性/製造裝置汙染性:
液晶材料的揮發性評定係藉由利用頻閃觀測器觀察真空攪拌消泡混合機的運轉狀態,並以目視觀察液晶材料的發泡來進行。具體而言,係於容量2.0L之真空攪拌消泡混合機的專用容器中裝入0.8kg液晶組成物,於4kPa的除氣下,以公轉速度15S-1
、自轉速度7.5S-1
使真空攪拌消泡混合機運轉,並量測至開始發泡前的時間。
至開始發泡前的時間愈長愈不易揮發,汙染製造裝置的可能性愈低,因此表示高性能。
調製表1所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表2。
調製不含有以該式(i)表示之化合物的表1所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表2。
實施例1中調製之組成物,相較於比較例1中調製之組成物,在ODF製程中可長期穩定地持續滴下,且低溫下的溶解性明顯較優良。又,實施例1中製作之液晶顯示裝置,相較於比較例1中製作之液晶顯示裝置,其殘影得以抑制。
調製表3所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表4。
調製不含有以該式(ii)表示之化合物的表3所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表4。
實施例2中調製之組成物,相較於比較例2中調製之組成物,在ODF製程中可長期穩定地持續滴下,且低溫下的溶解性明顯較優良。又,實施例2中製作之液晶顯示裝置,相較於比較例2中製作之液晶顯示裝置,其殘影得以抑制。
調製表5所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表6。
調製表7所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表8。
調製不含有以該式(ii)表示之化合物的表7所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表8。
調製表9所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表10。
調製不含有以該式(i)表示之化合物的表9所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表10。
調製表11所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表12。
調製表13所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表14。
調製表15所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表16。
調製表17所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表18。
調製表19所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表20。
調製表21所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表22。
調製表23所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表24。
調製表25所示組成物,以製作第1圖及第2圖所示結構之液晶顯示裝置。將所得組成物及液晶顯示裝置的評定結果示於表26。
使用實施例6所記載之液晶組成物,以與WO2012/043387之實施例1所記載者同樣的方式來製作VA-IPS元件。經確認製作之元件顯示優良的顯示特性。
除使用實施例6所記載之液晶組成物,並將WO2012/043387之實施例1記載之元件所使用的配向膜(日產化學工業股份有限公司製SE-5300)置換為水平配向性之配向膜(JSR股份有限公司製AL-1051)以外係同樣地製作IPS元件。經確認製作之元件顯示優良的顯示特性。
上述實施例中調製之液晶組成物其黏性低、低溫下的溶解性良好。又,缺乏揮發性而能夠抑制裝置汙染。此外,在ODF製程中可抑制液晶組成物之滴下量的偏差,得以長期穩定製作液晶顯示裝置。再者,實施例中製作之液晶顯示裝置其耐熱性優良,可長期保持穩定的顯示特性。
本發明之具有正介電各向異性之液晶組成物其低溫下的溶解性良好、比電阻或電壓保持率因熱或光而受到的變化極小,因此製品的實用性高,含有其之液晶顯示元件可達高速響應。又在液晶顯示元件製造步驟可穩定地持續進行液晶組成物的滴下,步驟引起之顯示不良得以抑制而能夠高良率地進行製造,因而極為有用。
Claims (5)
- 一種液晶組成物,其特徵為含有以式(i)表示之化合物:
- 如申請專利範圍第1項之液晶組成物,其進一步含有以通式(L)表示之至少1種化合物:
- 一種液晶顯示元件,係使用如申請專利範圍第1項之液晶組成物。
- 一種IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式、VA-IPS模式、或FFS模式用液晶顯示元件,其特徵為使用如申請專利範圍第1項之液晶組成物。
- 一種液晶顯示器,其特徵為使用如申請專利範圍第3或4項之液晶顯示元件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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Country | Link |
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TW (1) | TWI496875B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201229216A (en) * | 2010-11-29 | 2012-07-16 | Merck Patent Gmbh | Liquid-crystalline mixtures |
TW201245427A (en) * | 2011-04-07 | 2012-11-16 | Merck Patent Gmbh | Liquid-crystalline medium and liquid-crystal display |
JP2012255067A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Jnc Corp | 液晶組成物および液晶表示素子 |
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Publication number | Publication date |
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