TWI475000B - 液晶組成物、液晶顯示元件及液晶顯示器 - Google Patents

Description

液晶組成物、液晶顯示元件及液晶顯示器

本發明係關於有用於作為液晶顯示材料之呈現介電各向異性(dielectric anisotropy)(△ε)為正值的向列型液晶(nematic liquid crystal)組成物、使用其之液晶顯示元件及液晶顯示器。

以鐘錶、電算機為首，液晶顯示元件已被使用於各種測定機器、汽車用面板、文字處理機、電子筆記本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等。就液晶顯示方式而言，其代表性者有TN(扭轉向列(twisted nematic))型、STN(超扭轉向列(supper twisted nematic))型、使用TFT(薄膜電晶體(film transistor))的垂直配向型或IPS(面內切換(in-plane switching))型等。用於此等液晶顯示元件的液晶組成物係對水分、空氣、熱、光等之外部刺激為安定，又，正冀求於以室溫為中心之儘可能廣的溫度範圍下顯示液晶相、為低黏性、且驅動電壓為低者。再者，為了依各個顯示元件將介電各向異性(△ε)及/或折射率各向異性(△n)等作最適合的值，而由數種類至數十種類之化合物構成液晶組成物。

垂直配向(VA)型顯示器中已使用△ε為負的液晶組成物，TN型、STN型或IPS(面內切換(in-plane switching))型等之水平配向型顯示器中已使用△ε為正的液晶組成物。又，使△ε為正的液晶組成物於無施加電壓時作垂直配向，藉由施加橫電場時顯示的驅動方式亦被報告，△ε為正的液晶組成物之必要性係正進一步被提升。另一方面，於全部的驅動方式，正冀求低電壓驅動、高速反應、廣範圍的動作溫度範圍。即，△ε為正且絕對值為大、黏度(η)為小、高向列型相-各向同性液體相轉移溫度(Tni)正被要求。又，由△n與晶胞間隙(d)之乘積的△n×d之設定，有將液晶組成物之△n協同晶胞間隙調節於適當範圍的必要。此外，於將液晶顯示元件應用於電視等的情形，因重視高速反應性，故回轉黏性(γ₁ )小的液晶組成物被要求。

就以高速反應性為志向的液晶組成物之構成而言，例如，已揭示組合△ε為正之液晶化合物的下述式(A-1)或下述式(A-2)所表示的化合物、以及△ε為中性的液晶化合物的下述式(B)來使用的液晶組成物。此等之液晶組成物之特徵係具有△ε為正之液晶化合物具有-CF₂ O-構造、及△ε為中性之液晶化合物具有烯基。此等特徵於此液晶組成物之領域係廣為人知(參照專利文獻1~4)。

另一方面，達到了液晶顯示元件之用途擴大，且其使用方法、製造方法亦可見很大的變化。為了對應此等變化，已冀求將如歷來已知的基本的物性值以外的特性加以最適化者。即，使用液晶組成物的液晶顯示元件係被廣泛使用於VA型或IPS型等，其大小亦以50吋以上之超大型尺寸的顯示元件達實用化而被使用。伴隨基板尺寸的大型化，液晶組成物對基板之注入方法亦由歷來的真空注入法轉為滴下注入(ODF：One Drop Fill)法為注入方法之主流。然而，將液晶組成物滴注基板之際之滴注痕跡會導致顯示品質降低的問題已成為表面化。再者，關於以ODF法之液晶顯示元件製造程序，有必要因應液晶顯示元件的尺寸來滴注最適合的液晶注入量。注入量的偏差為大於最適值時，事先設計的液晶顯示元件之折射率或驅動電場的平衡會瓦解，而斑發生或對比不良等的顯示不良會產生。尤其，大多被用於最近流行的智慧型手機的小型液晶顯示元件，為了使最適合的液晶注入量少，將由最適值的偏差控制於一定範圍內的 本身即為困難的。因此，為了保持液晶顯示元件的良率高，於液晶組成物，例如對液晶滴下時所產生的滴下裝置內的急遽壓力變化或衝撃的影響少、歷經長時間可安定地繼續滴下者係有必要的。

如此，關於以TFT元件等驅動的主動矩陣驅動液晶顯示元件中所使用的液晶組成物，除了維持作為高速反應性能等之液晶顯示元件所冀求的特性或性能，同時對歷來重視的高比電阻值、高電壓保持率、對光或熱等之外部刺激的安定性的特性之外，正冀求考慮液晶顯示元件之製造方法的開發。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-037918號公報

[專利文獻2]日本特開2008-038018號公報

[專利文獻3]日本特開2010-275390號公報

[專利文獻4]日本特開2011-052120號公報

本發明所欲解決的課題係提供可良率好地製造具有廣溫度範圍之液晶相、黏性小、低溫之溶解性為良好、比電阻或電壓保持率高、對熱或光為安定、殘影或滴下痕跡等的顯示不良難以發生、優異顯示品質的液晶顯示元件之△ε為正的液晶組成物；及提供使用此液晶組成物的液晶顯示元件。

本發明者檢討各種液晶化合物及各種化學物質，發現藉由組合特定之液晶化合物可解決前述課題，遂而完成本發明。即，本發明之第一態樣係以下之液晶組成物，本發明之第二態樣係以下之液晶元件，本發明之第三態樣係以下之液晶顯示器。

[1]一種液晶組成物，其含有下述通式(i)所表示的化合物中之任1種或2種以上，且含有下述通式(ii)所表示的化合物中之任1種或2種以上， (式中，R^11a 及R^21a 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中之1個或2個以上之氫原子可被氟原子或氯原子取代，X^11a 、X^12a 、X^13a 、X^14a 及X^21a 各自獨立表示為氫原子或氟原子，A^21a 、A^22a 及A^23a 各自獨立表示為反式-1,4-伸環己基或氫原子可被氟原子或氯原子取代的1,4-伸苯基)。

[2]如前述[1]記載之液晶組成物，其中前述通 式(i)中的X^11a 及X^12a 為氫原子。

[3]如前述[1]或[2]記載之液晶組成物，其中前述通式(i)中的X^13a 為氟原子。

[4]如前述[1]至[3]中任一項記載之液晶組成物，其中前述通式(i)中的X^14a 為氟原子。

[5]如前述[1]至[4]中任一項記載之液晶組成物，其中前述通式(ii)中的A^23a 為1,4-伸苯基，與前述伸苯基鍵結的2個氫原子係被氟原子取代。

[6]如前述[1]至[5]中任一項記載之液晶組成物，其中前述通式(ii)中的X^21a 為氫原子。

[7]如前述[1]至[6]中任一項記載之液晶組成物，其中前述通式(ii)所表示的化合物係下述式(39.2)所表示的化合物，

[8]如前述[1]至[7]中任一項記載之液晶組成物，其含有下述通式(L)所表示的化合物， (式中，R^L1 及R^L2 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3， B^L1 、B^L2 及B^L3 各自獨立表示為選自下列組成之群組之基：(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)，上述之基(a)、基(b)中之1個及/或2個以上之氫原子各自獨立可被氰基、氟原子或氯原子取代，L^L1 及L^L2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，OL為2或3且L^L2 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，OL為2或3且B^L3 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異)。

[9]如前述[1]至[8]中任一項記載之液晶組成物，其含有下述通式(M)所表示的化合物， (式中，R^M1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1 及C^M2 各自獨立表示為選自下列組成之群組的基： (d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)，上述之基(d)、基(e)中之1個及/或2個以上之氫原子各自獨立可被氰基、氟原子或氯原子取代，K^M1 及K^M2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，PM為2、3或4且K^M1 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，PM為2、3或4且C^M2 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，X^M1 及X^M3 各自獨立表示為氫原子、氯原子或氟原子，X^M2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外)。

[10]一種液晶顯示元件，其特徵為使用前述[1]至[9]中任一項記載之液晶組成物。

[11]一種IPS模式用液晶顯示元件，其特徵為使用前述[1]至[9]中任一項記載之液晶組成物。

[12]一種FFS模式用液晶顯示元件，其特徵為使用前述[1]至[9]中任一項記載之液晶組成物。

[13]一種OCB模式用液晶顯示元件，其使用前述[1] 至[9]中任一項記載之液晶組成物。

[14]一種ECB模式用液晶顯示元件，其使用前述[1]至[9]中任一項記載之液晶組成物。

[15]一種VA模式用液晶顯示元件，其使用前述[1]至[9]中任一項記載之液晶組成物。

[16]一種VA-IPS模式用液晶顯示元件，其使用前述[1]至[9]中任一項記載之液晶組成物。

[17]一種液晶顯示器，其使用前述[10]至[16]中任一項記載之液晶顯示元件。

本發明之具有正介電各向異性的組成物係具有廣溫度範圍的液晶相，具有較歷來為大幅降低的黏性、於低溫的溶解性良好，其比電阻或電壓保持率對由於熱或光的變化程度係極小。因此，本發明之液晶組成物係對液晶製品之實用性(適用性)高，使用前述液晶組成物的IPS型或FFS型等之液晶顯示元件可達成高速反應。又，經過液晶顯示元件之製造製程後，因本發明之液晶組成物亦可安定地發揮其性能，故起因於製造步驟的顯示不良會被抑制，可良率高地製造液晶顯示元件的緣故，而為非常有用。

100‧‧‧第1基板

102‧‧‧TFT層

103‧‧‧畫素電極

104‧‧‧鈍化膜

105‧‧‧第1配向膜

200‧‧‧第2基板

201‧‧‧平坦化膜(外套層)

202‧‧‧黑色矩陣

203‧‧‧彩色濾光片

203a‧‧‧彩色濾光片

203b‧‧‧彩色濾光片

203c‧‧‧彩色濾光片

204‧‧‧透明電極

205‧‧‧第2配向膜

301‧‧‧密封材

302‧‧‧突起(柱狀間隔物)

303‧‧‧液晶層

304‧‧‧突起(柱狀間隔物)

401‧‧‧光罩圖案

402‧‧‧樹脂層

L‧‧‧光

第1圖為本發明之液晶顯示元件之剖面圖。具備100~105之基板稱為「背板」、具備200~205的基板稱為「前板」。

第2圖為使用於作為光罩圖案之黑色矩陣上形成的柱狀間隔物作成用圖案的曝光處理步驟之圖。

[實施發明之形態]

本發明之第一實施形態之具有正介電各向異性的液晶組成物係含有介電為正的成分的成分(A)。前述成分(A)係由介電各向異性為2以上之化合物所構成。又，化合物之介電各向異性係由，於25℃之介電各向異性為約0的液晶組成物中添加而調製的組成物之介電各向異性之測定值所外插的值。

以下之組成物中的「%」只要未特別明示，係意指『質量%』。

前述成分(A)係含有下述通式(i)所表示的化合物中之任1種或2種以上，且含有下述通式(ii)所表示的化合物中之任1種或2種以上。

<通式(i)所表示的化合物>

前述通式(i)中，R^11a 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被 -CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中之氫原子可被氟原子或氯原子取代。

前述烷基之碳原子數係1~6為較佳，1~4為更佳，2或3為更佳。

前述通式(i)中，X^11a 、X^12a 、X^13a 及X^14a 各自獨立表示為氫原子或氟原子。

X^11a 及X^12a 之中之至少一者係氫原子為較佳，X^11a 及X^12a 之兩者係氫原子為更佳。

X^13a 係氟原子為較佳，X^14a 係氟原子為較佳，X^13a 及X^14a 係氟原子為更佳。

通式(i)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，就前述化合物之含量之下限值而言，係1%為較佳，3%為較佳，6%為較佳，就前述化合物之含量之上限值而言，係30%為較佳，25%為較佳，22%為較佳，20%為較佳，18%為較佳。

僅使用前述化合物中之1種的情形，就前述化合物相對於前述總質量的含量之下限值而言，係1%為較佳，2%為較佳，3%為較佳，就前述化合物相對於前述總質量的含量之上限值而言，係20%為較佳，15%為較佳，10%為較佳。

使用前述化合物中之2種的情形，就相對於前述總質量之前述2種化合物的合計含量之下限值而言，係 2%為較佳，4%為較佳，6%為較佳，就相對於前述總質量之前述2種化合物的合計含量之上限值而言，係30%為較佳，25%為較佳，22%為較佳，20%為較佳，18%為較佳。

重視液晶組成物之溶解性的情形，使用2種前述通式(i)所表示的化合物為較佳，欲使通式(i)所表示的化合物之含量增加的情形，使用2種該化合物為較佳。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~15質量%，於其他實施形態為2~12質量%，於再其他實施形態為2~10質量%，於又再其他實施形態為4~15質量%，於又再其他實施形態為4~12質量%，於又再其他實施形態為4~10質量%，於又再其他實施形態為6~15質量%，於又再其他實施形態為6~12質量%，於又再其他實施形態為6~10質量%。

又，例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為8~24質量%，於其他實施形態為8~20質量%，於再其他實施形態為8~18質量%，於又再其他實施形態為10~24質量%，於又再其他實施形態為10~20質量%，於又再其他實施形態為10~18質量%，於又再其他實施形態為12~24質量%，於又再其他實施形態為12~20質量%，於又再其他實施形態為12~18質量%。

前述通式(i)所表示的化合物係通式(X-6)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合1種至2種類以上之前述通式(X-6)所表示的化合物為較佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-6)所表示的化合物，具體而言，係式(44.1)至式(44.4)所表示的化合物為較佳。此等中，前述液晶組成物中含有式(44.1)及/或式(44.2)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，就式(44.1)所表示的化合 物之含量之下限值而言，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%為較佳，3質量%為較佳，就上限值而言係25質量%為較佳，20質量%為較佳，15質量%為較佳，11質量%為較佳。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述式(44.1)所表示的化合物之含量為2~10質量%，於其他實施形態為2~7質量%，於再其他實施形態為2~5質量%，於又再其他實施形態為3~10質量%，於又再其他實施形態為3~7質量%，於又再其他實施形態為3~5質量%。

又，例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述式(44.1)所表示的化合物之含量為3~15質量%，於其他實施形態為3~12質量%，於再其他實施形態為3~9質量%，於又再其他實施形態為5~15質量%，於又再其他實施形態為5~12質量%，於又再其他實施形態為5~9質量%。

於本發明之液晶組成物，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，就式(44.2)所表示的化合物之含量之下限值而言，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%為較佳，3質量%為較佳，就上限值而言係15質量%為較佳，11質量%為較佳。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述式(44.2)所表示的化合物之含量為2~10質量%，於其他實施形態為2~7質量%，於再其他實施形態為2~5質量%，於又再其他實施形態為 3~10質量%，於又再其他實施形態為3~7質量%，於又再其他實施形態為3~5質量%。

又，例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述式(44.2)所表示的化合物之含量為2~16質量%，於其他實施形態為2~14質量%，於再其他實施形態為2~12質量%，於又再其他實施形態為2~10質量%，於又再其他實施形態為4~16質量%，於又再其他實施形態為4~14質量%，於又再其他實施形態為4~12質量%，於又再其他實施形態為4~10質量%，於又再其他實施形態為6~16質量%，於又再其他實施形態為6~14質量%，於又再其他實施形態為6~12質量%，於又再其他實施形態為6~10質量%。

於本發明之液晶組成物，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，就式(44.1)所表示的化合物與式(44.2)所表示的化合物之合計之含量的下限值而言，係2%為較佳，4%為較佳，6%為較佳，就上限值而言係30%為較佳，25%為較佳，22%為較佳，20%為較佳，18%為較佳。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述式(44.1)所表示的化合物與式(44.2)所表示的化合物之合計之含量，係2~15質量%，於其他實施形態為2~12質量%，於再其他實施形態為2~10質量%，於又再其他實施形態為4~15質量%，於又再其他實施形態為4~12質量%，於又再其他實施形態為4~10質量%，於又再其他實施形態為6~15質量%，於又再 其他實施形態為6~12質量%，於又再其他實施形態為6~10質量%。

又，例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述式(44.1)所表示的化合物與式(44.2)所表示的化合物之合計之含量，係8~24質量%，於其他實施形態為8~20質量%，於再其他實施形態為8~18質量%，於又再其他實施形態為10~24質量%，於又再其他實施形態為10~20質量%，於又再其他實施形態為10~18質量%，於又再其他實施形態為12~24質量%，於又再其他實施形態為12~20質量%，於又再其他實施形態為12~18質量%。

<通式(ii)所表示的化合物>

前述通式(ii)中，R^21a 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中之1個以上之氫原子可被氟原子或氯原子取代。

前述烷基之碳原子數係1~6為較佳，2~5為更佳，2或3為更佳，3為更佳。前述烷基係直鏈狀為較佳。

前述通式(ii)中，X^21a 係氫原子為較佳。

前述通式(ii)中，A^21a 係反式-1,4-伸環己基為較佳。

前述通式(ii)中，A^22a 係1,4-伸苯基為較佳，前述伸苯基中鍵結4個氫原子者(前述伸苯基之氫原子未被取代)為更佳。

前述通式(ii)中，A^23a 係1,4-伸苯基為較佳，與前述伸苯基鍵結的1個或2個之氫原子被氟原子取代為更佳，2 個氫原子被氟原子取代為更佳。

前述通式(ii)中，A^21a 為反式-1,4-伸環己基，且A^22a 係4個氫原子鍵結的(非取代之)1,4-伸苯基，且A^23a 係其1個或2個之氫原子經氟原子取代的1,4-伸苯基為較佳。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能，可組合前述通式(ii)所表示的複數化合物來使用。使用的前述通式(ii)所表示的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。

通式(ii)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，因應實施形態而有較佳上限值及下限值。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，就前述化合物之含量之下限值而言，係1%為較佳，2%為較佳，4%為較佳，就前述化合物之含量之上限值而言，係25%為較佳，20%為較佳，15%為較佳，12%為較佳，10%為較佳，8%為較佳。

僅使用前述化合物中之1種的情形，就前述化合物相對於前述總質量的含量之下限值而言，係1%為較佳，2%為較佳，3%為較佳，4%為較佳，就前述化合物相對於前述總質量的含量之上限值而言，係25%為較佳，20%為較佳，15%為較佳，12%為較佳，10%為較佳，8%為較佳。

使用前述化合物中的2種的情形，就相對於前 述總質量之前述2種化合物合計的含量的下限值而言，係2%為較佳，4%為較佳，6%為較佳，就相對於前述總質量之前述2種化合物合計的含量的上限值而言，係25%為較佳，20%為較佳，17%為較佳，15%為較佳。

前述通式(ii)所表示的化合物可使用1種或2種以上，但使用1種為較佳。

前述通式(ii)所表示的化合物相對於前述總質量的含量，於一個實施形態為2~15質量%，於其他實施形態為2~12質量%，於再其他實施形態為2~10質量%，於又再其他實施形態為2~8質量%，於又再其他實施形態為4~15質量%，於又再其他實施形態為4~12質量%，於又再其他實施形態為4~10質量%，於又再其他實施形態為4~8質量%。

就前述通式(ii)所表示的化合物而言，下述通式(X-2-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，可組合1種至2種類以上，但使用1種之前述通式(X-2-1)所表示的化合物為更佳。

通式(X-2-1)所表示的化合物之合計之含量 的下限值，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1%為較佳，2%為較佳，3%為較佳，4%為較佳，就上限值而言，係25%為較佳，20%為較佳，15%為較佳，12%為較佳，10%為較佳，8%為較佳。

前述通式(X-2-1)所表示的化合物相對於前述總質量之含量，於一個實施形態為2~15質量%，於其他實施形態為2~12質量%，於再其他實施形態為2~10質量%，於又再其他實施形態為2~8質量%，於又再其他實施形態為4~15質量%，於又再其他實施形態為4~12質量%，於又再其他實施形態為4~10質量%，於又再其他實施形態為4~8質量%。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-2-1)所表示的化合物，具體而言，係式(39.1)至式(39.4)所表示的化合物為較佳。此等中，前述液晶組成物含有式(39.1)及/或式(39.2)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(39.1)所表示的化合物之含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1%為較佳，2%為較佳，3%為較佳，4%為較佳，就上限值而言，係25%為較佳，20%為較佳，15%為較佳，12%為較佳，10%為較佳。

前述式(39.1)所表示的化合物相對於前述總質量的含量，於一個實施形態為2~15質量%，於其他實施形態為2~12質量%，於再其他實施形態為2~10質量%，於又再其他實施形態為2~8質量%，於又再其他實施形態為4~15質量%，於又再其他實施形態為4~12質量%，於又再其他實施形態為4~10質量%，於又再其他實施形態為4~8質量%。

於本發明之液晶組成物，式(39.2)所表示的化合物之含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1%為較佳，2%為較佳，3%為較佳，4%為較佳，就上限值而言，係25%為較佳，20%為較佳，15%為較佳，12%為較佳，10%為較佳，8%為較佳。

前述式(39.2)所表示的化合物相對於前述總質量的含量，於一個實施形態為2~15質量%，於其他實施形態為2~12質量%，於再其他實施形態為2~10質量%，於又再其他實施形態為2~8質量%，於又再其他實施形態為4~15質量%，於又再其他實施形態為4~12質量%，於又再其他實施形態為4~10質量%，於又再其他實施形態 為4~8質量%。

就前述通式(ii)所表示的化合物而言，係下述通式(X-2-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，前述通式(X-2-2)所表示的複數之化合物之中，組合1種至2種類以上為較佳。

通式(X-2-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上20質量%以下為較佳，2質量%以上10質量%以下為較佳，3質量%以上6質量%以下為較佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-2-2)所表示的化合物，具體而言，係式(40.1)至式(40.4)所表示的化合物為較佳。此等之中，前述液晶組成物含有式(40.2)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(40.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上20質量%以下為較佳，2質量%15質量%以下為較佳，3質量%以上10質量%以下為較佳，3質量%以上6質量%以下為較佳。

較佳範圍中，前述含量可為3~5質量%，亦可為3~4質量%，亦可為4~6質量%，亦可為5~6質量%。

通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物總計使用2~4種為較佳，使用3或4種為更佳，使用3種為特佳。此情形，使用作為通式(i)所表示的化合物之式(44.1)及式(44.2)之2種、使用作為通式(ii)所表示的化合物之式(39.2)之1種為特佳。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，就通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物之合計含量的下限值而言，係8質量%為較佳，10質量%為較佳，12質量%為較佳。就相對於前述總質量的前述合計含量的上限值而言，係50質量%為較佳，40質量%為較佳，35質量%為較佳，30質量%為較佳，25質量%為較佳。

作為此等之下限值與上限值之組合，係8~50質量%之範圍為較佳。此較佳範圍中，就前述含量而言，於一個實施形態可列舉為8~20質量%、8~18質量%、8~16質量%、10~20質量%、10~18質量%、10~16質量%、12~20質量%、12~18質量%、12~16質量%之範圍。

又，於其他實施形態，可列舉12~30質量%、12~27質量%、12~25質量%、12~23質量%、16~30質量%、16~27質量%、16~25質量%、16~23質量%之範圍。

將前述通式(i)所表示的化合物2種與前述通式(ii)所表示的化合物1種合在一起使用3種的情形為較佳。就相對於前述總質量之前述3種化合物合計的含量的下限值而言，係8質量%為較佳，10質量%為較佳，12質量%為較佳。就相對於前述總質量之前述合計之含量的上限值而言，50質量%為較佳，40質量%為較佳，35質量%為較佳，30質量%為較佳，25質量%為較佳。

就此等之下限值與上限值之組合而言，係8~50質量%之範圍為較佳。此較佳範圍中，就前述含量而言，可列舉於一個實施形態為8~20質量%、8~18質量%、8~16質量%、10~20質量%、10~18質量%、10~16質量%、12~20質量%、12~18質量%、12~16質量%之範圍。

又，於其他實施形態，可列舉12~30質量%、12~27質量%、12~25質量%、12~23質量%、16~30質量%、16~27質量%、16~25質量%、16~23質量%之範圍。

重視液晶組成物之溶解性的情形，使用前述組合3種或使用前述組合4種者為較佳，於欲增加前述通 式(i)所表示的化合物及前述通式(ii)所表示的化合物之合計含量的情形，使用前述組合3種或前述組合4種者為較佳。

本發明之第一實施形態之液晶組成物亦可含有下述通式(L)所表示的化合物中之任1種類或2種類以上。

(式中，R^L1 及R^L2 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1 、B^L2 及B^L3 各自獨立為選自下列組成之群組之基：(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)，上述之基(a)、基(b)中之1個及/或2個以上之氫原子各自獨立可被氰基、氟原子或氯原子取代，L^L1 及L^L2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，OL為2或3且L^L2 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，OL為2或3且B^L3 存有複數個的情形，彼等可相同亦 可相異)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能，適宜組合複數個前述通式(L)所表示的化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。又，本發明之另外的實施形態係3種類。此外，本發明之另外的實施形態係4種類。此外，本發明之另外的實施形態係5種類。此外，本發明之另外的實施形態係6種類。此外，本發明之另外的實施形態係7種類。此外，本發明之另外的實施形態係8種類。此外，本發明之另外的實施形態係9種類。此外，本發明之另外的實施形態係10種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(L)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為1~95質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為10~95質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為20~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為40~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為50~95質量%。此外，本發明之另外的 實施形態係前述含量為55~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為60~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為65~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為70~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為75~95質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為80~95質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態為1~95%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~85%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~75%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~65%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~55%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~45%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~35%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~25%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，上述之下限值為高的且上限值為高的為較佳。此外，本發明之液晶組成物之Tni保持於高值、溫度安定性良好的液晶組成物為必要的情形，上述之下限值為高的且上限值為高的為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，上述之下限值為低值且上限值為低值為較佳。

R^L1 及R^L2 其所鍵結的環構造為苯基(芳香族) 的情形，直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及碳原子數4~5之烯基為較佳，其鍵結的環構造為環己烷、哌喃及二烷等之飽和環構造的情形，直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基為較佳。

通式(L)所表示的化合物於冀求液晶組成物之化學的安定性的情形，其分子內不具有氯原子者為較佳。

通式(L)所表示的化合物係選自例如，通式(I)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

R¹¹ -A¹¹ -A¹² -R¹² (I)(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基，A¹¹ 及A¹² 各自獨立表示為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能加以適宜組合前述通式(I)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。又，本發明之另外的實施形態係3種類。此外，本發明之另外的實施形態係4種類。此外，本發明之另外的實施形態係5種類。此外，本發明之另外的實施形 態係6種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(I)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為3~75質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為15~75質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為18~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為20~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為29~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為42~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為47~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為53~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為56~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為60~75質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為65~75質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述含量，例如本發明之一個形態為3~75質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~65質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~55質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~50 質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~45質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~35質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~30質量%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，上述之下限值為高的且上限值為高的為較佳。此外，本發明之液晶組成物之Tni保持於高值、溫度安定性良好的液晶組成物為必要的情形，上述之下限值為中庸且上限值為中庸為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，上述之下限值為低值且上限值為低值為較佳。

R^M1 及其所鍵結的環構造為苯基(芳香族)的情形，直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基為較佳，其鍵結的環構造為環己烷、哌喃及二烷等之飽和環構造的情形，直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基為較佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-1)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能加以適宜組合前述通式(I-1)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。又，本發明之另外的實施形態係3種類。此外，本發明之另外的實施形態係4種類。此外，本發明之另外的實施形態係5種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(I-1)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言，前述含量為3~70質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為15~70質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為18~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為25~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為29~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為31~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為43~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為47~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為50~70質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為53~70 質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為56~70質量%。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態係前述含量為3~70質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~45質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~35質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~26質量%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，上述之下限值為高的且上限值為高的為較佳。此外，本發明之液晶組成物之Tni保持於高值、溫度安定性良好的液晶組成物為必要的情形，上述之下限值為中庸且上限值為中庸為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，上述之下限值為低值且上限值為低值為較佳。

此外，通式(I-1)所表示的化合物係選自通式(I-1-1)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數 2~5之烯基或碳原子數1~5之烷氧基)。

於本發明之液晶組成物，通式(I-1-1)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為2~60質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為4~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為11~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為13~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為15~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為17~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為20~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為25~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為32~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~60質量%。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態為2~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~35 質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~25質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~15質量%。

此外，通式(I-1-1)所表示的化合物係選自式(1.1)至式(1.3)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物為較佳，尤其，式(1.3)所表示的化合物為較佳。

式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物各自單獨使用的情形，式(1.2)所表示的化合物之含量為提高者對反應速度的改善有效果，式(1.3)所表示的化合物之含量為下述所示範圍可為反應速度快速且電氣的、光學的信賴性高的液晶組成物的緣故而較佳。

式(1.3)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有5質量%以上35質量%以下為較佳，含有5質量%以上30質量%以下為更佳，含有5質量%以上25質量%以下為更佳，含有5質量%以上20質量%以下為特佳，含有10質量%以上17質量%以下為最佳。

最佳範圍之含量中，例如，可列舉10質量%以上16 質量%以下、10質量%以上15質量%以下、10質量%以上12質量%以下、12質量%以上17質量%以下、15質量%以上17質量%以下、16質量%以上17質量%以下之含量。

此外，通式(I-1)所表示的化合物係選自通式(I-1-2)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可適宜組合前述通式(I-1-2)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。又，本發明之另外的實施形態係3種類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-1-2)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為7~60質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為15~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為18~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為21~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態 係前述含量為24~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為27~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為34~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為37~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為41~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為47~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為50~60質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個實施形態為7~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~55質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~45質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~35質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~25質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~20質量%。

此外，通式(I-1-2)所表示的化合物係選自式(2.1)至式(2.4)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式(2.2)至式(2.4)所表示的化合物為較佳。尤其，式(2.2)所表示的化合物因特別改善本發明之液晶組成物之反應速度而較佳。又，冀求較反應速度高的Tni時，使用式(2.3)或式(2.4)所表示的化合物為較佳。式(2.3)及式(2.4)所表 示的化合物之含量，為了使低溫之溶解度良好，作成30%以上者並不佳。

於本發明之液晶組成物，式(2.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係5質量%以上55質量%以下為較佳。作為前述含量之較佳例，可列舉10質量%50質量%以下、20質量%以上50質量%以下、30質量%以上50質量%以下、35質量%以上50質量%以下、38質量%以上44質量%以下。

此等之範圍中，38質量%以上44質量%以下為特佳。特佳範圍中，就前述含量而言，例如，可列舉38質量%以上42質量%以下、38質量%以上40質量%以下、38質量%以上39質量%以下、39質量%以上44質量%以下、40質量%以上44質量%以下、42質量%以上44質量%以下之含量。

於本發明之液晶組成物，式(2.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，5質量%以上55質量%以下為較佳，5質量%45質量%以下為更佳，5質量%以上35質量%以下為更佳，5質量%以上25質量%以下為更佳，10質量%以上25質量%以下為更佳， 15質量%以上25質量%以下為特佳。

特佳範圍中，例如可列舉15質量%以上22質量%以下、15質量%以上20質量%以下、15質量%以上17質量%以下、17質量%以上25質量%以下、20質量%以上25質量%以下、22質量%以上25質量%以下之含量。

於本發明之液晶組成物，式(2.4)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，1質量%以上55質量%以下為較佳，2質量%40質量%以下為更佳，3質量%以上25質量%以下為更佳，4質量%以上15質量%以下為更佳，5質量%以上10質量%以下為特佳，5質量%以上7質量%以下為最佳。

最佳範圍中，前述含量可為5質量%以上6質量%以下，亦可為6質量%以上7質量%以下。

本案發明之液晶組成物亦可進一步含有具有與通式(I-1-2)所表示的化合物類似構造的式(2.5)所表示的化合物。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能而調整式(2.5)所表示的化合物的含量為較佳，此化合物相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有11質量%以上為較佳，含有15質量%以上為又更佳，含有23質量%以上為又更佳，含有26質量%以上更佳，含有28質量%以上為特佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-2)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹³ 及R¹⁴ 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可適宜組合前述通式(I-2)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。又，本發明之另外的實施形態係3種類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-2)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為3~60質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為4~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為15~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為25~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為38~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為40~60質量%。此外，本發明 之另外的實施形態係前述含量為42~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為45~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為47~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為50~60質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態為3~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~55質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~45質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~5質量%。

此外，通式(I-2)所表示的化合物係選自式(3.1)至式(3.4)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式(3.1)、式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為較佳。尤其，式(3.2)所表示的化合物因特別改善本發明之液晶組成物的反應速度而為較佳。又，冀求較反應速度高的Tni時，使用式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為較佳。式(3.3)及式(3.4)所表示的化合物之含量，為了將低溫之溶解度變好，作成20%以上並不佳。

此外，通式(I-2)所表示的化合物係選自式(3.1)至式(3.4)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式 (3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(3.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上40質量%以下為較佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-3)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹³ 表示碳原子數1~5之烷基，R¹⁵ 表示碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可適宜組合前述通式(I-3)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。又，本發明之另外的實施形態係3種類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-3)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為3質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為4~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為15~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為25~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為38~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為40~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為42~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為45~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為47~60質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為50~60質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態係前述含量為3~60質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~55質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~45質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~5質量%。

重視低溫之溶解性的情形，將含量設成多者時效果高，相反地，重視反應速度的情形，設定含量為少時效果為高的。此外，改善滴下痕跡或殘影特性的情形，將含量範圍設定於中間時為較佳。

此外，通式(I-3)所表示的化合物係選自式(4.1)至式(4.3)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式(4.3)所表示的化合物為較佳。

式(4.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係2質量%以上30質量%以下為較佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-4)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可適宜組合前述通式(I-4)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種 類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-4)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為3~50質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為5~50質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為6~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為8~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為10~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為12~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為15~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為20~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為25~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為40~50質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態係前述含量為3~50質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~35質量%。此外，本發明之另外的實施形 態係前述含量為3~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~10質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~5質量%。

獲得高雙折射率的情形，將含量設成多者時效果高，相反地，重視高Tni的情形，設定含量為少時效果為高的。此外，改善滴下痕跡或殘影特性的情形，將含量範圍設定於中間時為較佳。

此外，通式(I-4)所表示的化合物係選自式(5.1)至式(5.4)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式(5.2)至式(5.4)所表示的化合物為較佳。

式(5.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上30質量%以下為較佳，2質量%以上20質量%以下為更佳，2質量%以上10質量%以下為更佳。

式(5.4)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上30質量%以下為較佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式 (I-5)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，R¹² 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可適宜組合前述通式(I-5)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-5)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為1~50質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為5~50質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為8~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為11~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為13~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為15~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為17~50質量%。此外，本發明之另 外的實施形態係前述含量為20~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為25~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為40~50質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態為1~50%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~40%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~35%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~30%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~20%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~15%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~10%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~5%。

重視低溫之溶解性的情形，將含量設成多者時效果高，相反地，重視反應速度的情形，設定含量為少時效果為高的。此外，改善滴下痕跡或殘影特性的情形，將含量範圍設定於中間時為較佳。

此外，通式(I-5)所表示的化合物係選自式(6.1)至式(6.6)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式(6.3)、式(6.4)及式(6.6)所表示的化合物為較佳。

又，式(6.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上30質量%以下為較佳，4質量%以上25質量%以下為更佳，6質量%以上20質量%以下為更佳。

本案發明之液晶組成物亦可進一步含有作為通式(I-5)所表示的化合物之式(6.7)及式(6.8)所表示的化合物。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能而調整式(6.7)所表示的化合物含量為較佳，此化合物相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有2質量%以上為較佳，含有3質量%以上為又更佳，含有5質量%以上為又更佳，含有7質量%以上為特佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-6)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹¹ 及X¹² 各自獨立表示為氟原子或氫原子，X¹¹ 或X¹² 任一者為氟原子)。

通式(I-6)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上30質量%以下為較佳，4質量%以上30質量%以下為更佳，5質量%以上30質量%以下為更佳，6質量%以上30質量%以下為更佳，9質量%以上30質量%以下為更佳，12質量%以上30質量%以下為更佳，14質量%以上30質量%以下為更佳，16質量%以上30質量%以下為更佳，18質量%以上25質量%以下為更佳，20質量%以上24質量%以下為更佳，22質量%以上23質量%以下為特佳。

此外，通式(I-6)所表示的化合物係式(7.1)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-7)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹² 各自獨立表示為氟原子或氯原子)。

通式(I-7)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上30質量%以下為較佳，2質量%以上30質量%以下為更佳，3質量%以上30質量%以下為更佳，4質量%以上30質量%以下為更佳，6質量%以上30質量%以下為更佳，8質量%以上30質量%以下為更佳，10質量%以上30質量%以下為更佳，12質量%以上30質量%以下為更佳，15質量%以上25質量%以下為更佳，18質量%以上24質量%以下為更佳，21質量%以上22質量%以下為特佳。

此外，通式(I-7)所表示的化合物係式(8.1)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-8)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R¹⁶ 及R¹⁷ 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能，前述通式(I-8)所表示的複數化合物中，組合1種類至3種類為較佳。通式(I-8)所表示的化合物之含量，因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異 性等之冀求性能，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係5質量%以上65質量%以下為較佳，10質量%以上65質量%以下為更佳，15質量%以上65質量%以下為更佳，20質量%以上65質量%以下為更佳，25質量%以上65質量%以下為更佳，30質量%以上65質量%以下為更佳，35質量%以上65質量%以下為更佳，40質量%以上65質量%以下為更佳，45質量%以上60質量%以下為更佳，50質量%以上58質量%以下為更佳，55質量%以上56質量%以下為特佳。

此外，通式(I-8)所表示的化合物係選自式(9.1)至式(9.10)所表示的化合物群組的化合物為較佳，式(9.2)、式(9.4)及式(9.7)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(L)所表示的化合物，例如選自通式(II) 所表示的化合物的化合物為較佳。

(R²¹ 及R²² 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基，A² 表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q² 表示單鍵、-COO-、-CH₂ -CH₂ -或-CF₂ O-)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可適宜組合前述通式(II)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。又，本發明之再其他實施形態為3種類。此外，本發明之另外的實施形態係4種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(II)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為3~50質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為5~50質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為10~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為14~50質量%。此外，本發明之另外的實施 形態係前述含量為16~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為20~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為23~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為26~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為40~50質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態為3~50質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~35質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~10質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~5質量%。

此外，通式(II)所表示的化合物，例如選自通式(II-1)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R²¹ 及R²² 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(II-1)所表示的化合物之含量，因應低溫 之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能而調整為較佳，4質量%以上24質量%以下為較佳，8質量%以上18質量%以下為更佳，12質量%以上14質量%以下為更佳。

此外，通式(II-1)所表示的化合物，例如式(10.1)及式(10.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(II)所表示的化合物係例如選自通式(II-2)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R²³ 表示碳原子數2~5之烯基，R²⁴ 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可適宜組合前述通式(II-2)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(II-2)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘 影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為3~50質量%。或者本發明之另外的實施形態係前述含量為5~50質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為10~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為14~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為16~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為20~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為23~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為26~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為30~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為35~50質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為40~50質量%。

此外，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如本發明之一個形態為3~50質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~35質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為3~10質量%。此外，本發明之另外的 實施形態係前述含量為3~5質量%。

此外，通式(II-2)所表示的化合物係例如選自式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物為較佳。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能，可含有式(11.1)所表示的化合物，亦可含有式(11.2)所表示的化合物，亦可含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者，亦可含有式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物全部。式(11.1)或式(11.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係3質量%以上40質量%以下為較佳，5質量%以上35質量%以下為更佳，5質量%以上30質量%以下為更佳，5質量%以上25質量%以下為特佳，5質量%以上20質量%以下為最佳

又，式(11.1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上40質量%以下為較佳，1質量%以上25質量%以下為更佳，1質量%以上20質量%以下為更佳，1質量%以上15質量%以下為更佳，3質量%以上10質量%以下為特佳。

特佳範圍中，例如，可列舉3質量%以上8質量%以下、3質量%以上5質量%以下、3質量%以上4質量%以下、4質量%以上10質量%以下、5質量%以上10質量%以下、8 質量%以上10質量%以下、9質量%以上10質量%以下。

又，式(11.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係3質量%以上40質量%以下為較佳，3質量%以上35質量%以下為更佳，3質量%以上30質量%以下為更佳，3質量%以上25質量%以下為更佳，3質量%以上20質量%以下為特佳。

含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者的情形，兩化合物之合計質量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係10質量%以上45質量%以下為較佳。

此外，通式(II)所表示的化合物，例如選自通式(II-3)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R²⁵ 表示碳原子數1~5之烷基，R²⁴ 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能，含有前述通式(II-3)所表示的複數化合物中之1種~3種類為較佳。

通式(II-3)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。就較佳含量而言，例如，可列舉相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含 量係2~45質量%。就較佳含量而言，例如，可列舉5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~45質量%、20~45質量%、23~45質量%、26~45質量%、29~45質量%、或2~45質量%、2~40質量%、2~35質量%、2~30質量%、2~25質量%、2~20質量%、2~15質量%、2~10質量%。

此外，通式(II-3)所表示的化合物，例如選自式(12.1)至式(12.3)所表示的化合物為較佳。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能，可含有式(12.1)所表示的化合物，亦可含有式(12.2)所表示的化合物，亦可含有式(12.1)所表示的化合物與式(12.2)所表示的化合物兩者。式(12.1)或式(12.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係3質量%以上40質量%以下為較佳。又，式(12.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係3質量%以上40質量%以下為較佳。含有式(12.1)所表示的化合物與式(12.2)所表示的化合物兩者的情形，兩化合物的合計質量相對於本發明之液晶組成物之總質量，係15質量%以上45質量%以下為較佳。

又，式(12.3)所表示的化合物之含量，相對於 本發明之液晶組成物之總質量，係0.05質量%以上2質量%以下為較佳。式(12.3)所表示的化合物可為光學活性化合物。

此外，通式(II-3)所表示的化合物，例如選自通式(II-3-1)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R²⁵ 表示碳原子數1~5之烷基，R²⁶ 表示碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能，含有前述通式(II-3-1)所表示的複數化合物中之1種~3種類為較佳。

通式(II-3-1)所表示的化合物之含量，因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能而調整為較佳，1質量%以上24質量%以下為較佳，4質量%以上18質量%以下為更佳，8質量%以上14質量%以下為更佳。

此外，通式(II-3-1)所表示的化合物，例如式(13.1)至式(13.4)所表示的化合物為較佳，尤其，式(13.3)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(II)所表示的化合物，例如選自通式(II-4)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R²¹ 及R²² 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可含有此等化合物中之僅1種類亦可含有2種類以上，但因應所冀求性能加以適宜組合為較佳。可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能，含有前述通式(II-4)所表示的複數化合物中之1種~2種類為較佳，含有1種~3種類為特佳。

通式(II-4)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上15質量%以下為較佳，2質量%以上15質量%以下為更佳，3質量%以上15質量%以下為更佳，4質量%以上12質量%以下為更佳，5質量%以上7質量%以下為特佳。

此外，通式(II-4)所表示的化合物，例如式(14.1)至式(14.5)所表示的化合物為較佳，尤其，式(14.2)或式(14.5)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(L)所表示的化合物係選自通式(III)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R³¹ 及R³² 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(III)所表示的化合物之含量，考慮所冀求的溶解性或雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有3質量%以上25質量%以下為較佳，含有6質量%以上20質量%以下為更佳，含有8質量%以上15質量%以下為更佳。

此外，通式(III)所表示的化合物，例如式(15.1)或式(15.2)所表示的化合物為較佳，尤其，式(15.1)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(III)所表示的化合物係選自通式(III-1)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R³³ 表示碳原子數2~5之烯基。R³² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(III-1)所表示的化合物，因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能而調整其含量為較佳，4質量%以上23質量%以下為較佳，6質量%以上18質量%以下為更佳，10質量%以上13質量%以下為更佳。

通式(III-1)所表示的化合物係例如式(16.1)或式(16.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(III)所表示的化合物係選自通式(III-2)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(R³¹ 表示碳原子數1~5之烷基，R³⁴ 表示碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(III-2)所表示的化合物之含量，因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能而調整為較佳，4質量%以上23質量%以下為較佳，6質量%以上18質量%以下為更佳，10質量%以上13質量%以下為更佳。

此外，通式(III-2)所表示的化合物係例如選自式(17.1)至式(17.3)所表示的化合物群組的化合物為較佳，尤其是式(17.3)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係選自通式(IV)所表示的群組為較佳。

(式中，R⁴¹ 及R⁴² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，X⁴¹ 及X⁴² 各自獨立表示為氫原子或氟原子)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可組合前述通式(IV)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。此外，本發明之另外的實施形態係3種類。又，本發明之另外的實施形態係4種類。又，本發明之另外的實施形態係5種類。又，本發明之另外的實施形態係6種類以上。

又，通式(IV)所表示的化合物，例如選自通式(IV-1)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R⁴³ 、R⁴⁴ 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基)。

通式(IV-1)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於一個實施形態為1~40質量%。又，本發明之另外的實施形態係前述含量為2~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為4~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為6~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為8~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為10~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為12~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為15~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為18~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為21~40質量%。

又，例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~25質量%。此外，本發明之另外的實施形態 係前述含量為1~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~10質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~5質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為1~4質量%。

此外，通式(IV-1)所表示的化合物，例如式(18.1)至式(18.9)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但含有此等化合物中之1種~3種類為較佳，含有1種~4種類為 更佳。又，因選擇的化合物之分子量分布廣泛亦對溶解性為有效，例如，由式(18.1)或(18.2)所表示的化合物選擇1種類、由式(18.4)或(18.5)所表示的化合物選擇1種類、由式(18.6)或式(18.7)所表示的化合物選擇1種類、由式(18.8)或(18.9)所表示的化合物選擇1種類之化合物，將此等加以適宜組合為較佳。其中，含有式(18.1)、式(18.3)式(18.4)、式(18.6)及式(18.9)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(IV)所表示的化合物，例如選自通式(IV-2)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R⁴⁵ 及R⁴⁶ 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，但至少1個表示碳原子數2~5之烯基，X⁴¹ 及X⁴² 各自獨立表示為氫原子或氟原子)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可組合前述通式(IV-2)所表示的複數化合物。

通式(IV-2)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。例如，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量係0.5~40質量%為較佳。就更佳含量而言，例如，可列舉1~40質量%、2~40質 量%、3~40質量%、5~40質量%、7~40質量%、9~40質量%、12~40質量%、15~40質量%、20~40質量%、或者1~40質量%、1~30質量%、1~25質量%、1~20質量%、1~15質量%、1~10質量%、1~5質量%、1~4質量%。

此外，通式(IV-2)所表示的化合物，例如式(19.1)至式(19.8)所表示的化合物為較佳，其中以式(19.2)所表示的化合物為較佳。

因作為液晶組成物之成分所選擇的化合物之分子量分布為廣泛者亦對溶解性為有效，例如，各自由式(19.1)或(19.2)所表示的化合物選擇1種類、由式(19.3)或(19.4)所表示的化合物選擇1種類、由式(19.5)或式 (19.6)所表示的化合物選擇1種類、由式(19.7)或(19.8)所表示的化合物選擇1種類之化合物，將此等適宜組合為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(19.2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係0.5質量%以上15質量%以下為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(19.4)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係3質量%以上25質量%以下為較佳。

此外，通式(L)所表示的化合物係選自通式(V)所表示的群組的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A⁵¹ 及A⁵² 各自獨立表示為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q⁵ 表示單鍵或-COO-，X⁵¹ 及X⁵² 各自獨立表示為氟原子或氫原子)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可組合前述通式(V)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。 此外，本發明之另外的實施形態係3種類。此外，本發明之另外的實施形態係4種類。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於一個實施形態係2~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為4~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為7~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為10~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為12~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為15~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為17質~40量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為18~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為20~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述含量為22~40質量%。

又，例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~30質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~25質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~10質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~5質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~4質量%。

此外，通式(V)所表示的化合物係通式(V-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁵¹ 及X⁵² 各自獨立表示為氟原子或氫原子)。

此外，通式(V-1)所表示的化合物係通式(V-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(V-1-1)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有1質量%以上15質量%以下為較佳，含有2質量%以上15質量%以下更佳，含有3質量%以上10質量%以下更佳，含有4質量%以上8質量%以下為特佳。

此外，通式(V-1-1)所表示的化合物係式(20.1)至式(20.4)所表示的化合物為較佳，式(20.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(V-1)所表示的化合物係通式(V-1-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(V-1-2)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有1質量%以上15質量%以下為較佳，含有2質量%以上15質量%以下為更佳，含有3質量%以上10質量%以下為更佳，含有4質量%以上8質量%以下為特佳。

此外，通式(V-1-2)所表示的化合物係式(21.1)至式(21.3)所表示的化合物為較佳，式(21.1)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(V-1)所表示的化合物係通式(V-1-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(V-1-3)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有1質量%以上15質量%以下為較佳，含有2質量%以上15質量%以下為更佳，含有3質量%以上10質量%以下為更佳，含有4質量%以上8質量%以下為特佳。

此外，通式(V-1-3)所表示的化合物係式(22.1)至式(22.3)所表示的化合物。式(22.1)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(V)所表示的化合物係通式(V-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁵¹ 及X⁵² 各 自獨立表示為氟原子或氫原子)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可組合前述通式(V-2)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類以上。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於一個實施形態為2~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為4~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為7~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為10~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為12~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為15~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為17~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為18~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為20~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為22~40質量%。

又，例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~30質量%。此外，本發明之另外的實施 形態係前述化合物之含量為2~25質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~20質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~15質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~10質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~5質量%。此外，本發明之另外的實施形態係前述化合物之含量為2~4質量%。

本發明之液晶組成物於冀望高Tni的實施形態的情形，將式(V-2)所表示的化合物含作成多量者為較佳，冀望低黏度的實施形態的情形，將含量作成少者為較佳。

此外，通式(V-2)所表示的化合物係通式(V-2-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

此外，通式(V-2-1)所表示的化合物係式(23.1)至式(23.4)所表示的化合物為較佳，式(23.1)或式(23.2)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(23.1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上25質量%以下為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(23.2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，1質量%以上25質量%以下為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(23.1)所表示的化合物及式(23.2)所表示的化合物合計之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上25質量%以下為較佳。

此外，通式(V-2)所表示的化合物係通式(V-2-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

此外，通式(V-2-2)所表示的化合物係式(24.1)至式(24.4)所表示的化合物為較佳，式(24.1)或式 (24.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(V)所表示的化合物係通式(V-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能可組合前述通式(V-3)所表示的複數化合物。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。此外，本發明之另外的實施形態係3種類以上。

通式(V-3)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有2質量%以上16質量%以下為較佳，含有4質量%以上16質量%以下為更佳，含有7質量%以上13質量%以下為更佳，含有8質量%以上11質量%以 下為特佳。

此外，通式(V-3)所表示的化合物係式(25.1)至式(25.3)所表示的化合物為較佳。

又，式(25.1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上20質量%以下為較佳，1質量%以上15質量%以下為更佳，1質量%以上10質量%以下為更佳，1質量%以上8質量%以下為更佳，3質量%以上5質量%以下為特佳。

特佳範圍中，前述含量可為3質量%以上4質量%以下，亦可為4質量%以上5質量%以下。

本發明之液晶組成物亦可進一步含有1種或2種類以上之通式(VI)所表示的化合物。

(式中，R⁶¹ 及R⁶² 各自獨立表示為碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數2至10之直鏈烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率 等之冀求性能，含有前述通式(VI)所表示的複數化合物中之1種~3種類為較佳，含有1種~4種類又更佳，含有1種~5種類以上為特佳。又，就最大可含有的比率而言，係35質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，15質量%以下為更佳。

通式(VI)所表示的化合物，具體而言，可較佳使用下列列舉的化合物。

本案發明之液晶組成物可進一步含有1種或2種類以上之通式(VII)所表示的化合物。

(式中，R⁷¹ 及R⁷² 各自獨立表示為碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數4至10之直鏈烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之冀求性能，含有前述通式(VII)所表示的複數化合物中之1種~3種類為較佳，含有1種~4種類為又更佳，含有1種~5種類以上為特佳。又，就最大可含有的比率而言，係35質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，15質量% 以下為更佳。

通式(VII)所表示的化合物，具體而言，可較佳使用下列列舉的化合物。

本發明之液晶組成物含有下述通式(M)所表示的化合物中之任1種以上亦較佳。

(式中，R^M1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代， PM表示0、1、2、3或4，C^M1 及C^M2 各自獨立為選自下列組成之群組之基：(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)，上述之基(d)、基(e)各自獨立可被氰基、氟原子或氯原子取代，K^M1 及K^M2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，PM為2、3或4且K^M1 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，PM為2、3或4且C^M2 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，X^M1 及X^M3 各自獨立表示為氫原子、氯原子或氟原子，X^M2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。惟，通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能組合前述通式(M)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2 種類。此外，本發明之另外的實施形態係3種類。又，此外，本發明之另外的實施形態係4種類。此外，本發明之另外的實施形態係5種類。此外，本發明之另外的實施形態係6種類。此外，本發明之另外的實施形態係7種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(M)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為1~95質量%。此外，例如就本發明之其他實施形態而言，前述化合物之含量為10~95質量%。例如，就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為20~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為30~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為40~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為45~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為50~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為55~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為60~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為65~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為70~95質量%。例如就本發明之 再其他實施形態而言，前述化合物之含量為75~95質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為80~95質量%。

又，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為1~95質量%。此外，就本發明之其他實施形態而言，前述化合物之含量為1~85質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為1~75質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為1~65質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為1~55質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為1~45質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為1~35質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為1~25質量%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。此外，本發明之液晶組成物之Tni保持於高值、溫度安定性良好的液晶組成物為必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，提高上述之下限值、並提高上限值者為較佳。

R^M1 其所鍵結的環構造為苯基(芳香族)的情形，直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4 之烷氧基及碳原子數4~5之烯基為較佳，其鍵結的環構造為環己烷、哌喃及二烷等之飽和環構造的情形，直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基為較佳。

通式(M)所表示的化合物於冀求液晶組成物之化學的安定性的情形，其分子內不具有氯原子者為較佳。再者，液晶組成物內具有氯原子的化合物為5%以下為較佳，3%以下為較佳，1%以下為較佳，0.5%以下為較佳，實質上不含有者為較佳。實質上不含有係意指液晶組成物中僅混入非意圖之化合物製造時之作為不純物所生成的化合物等之含氯原子的化合物。

通式(M)所表示的化合物，例如選自通式(VIII)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，R⁸ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁸¹ 至X⁸⁵ 各自獨立表示氫原子或氟原子，Y⁸ 表示氟原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能組合前述通式(VIII)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。此外，本發明之另外的實施形態係3種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(VIII)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為2~40質量%。此外，例如就本發明之其他實施形態而言，前述化合物之含量為4~40質量%。例如，就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為5~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為6~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為7~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為8~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為9~40質量%。例如，就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為10~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為11~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為12~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為14~40質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為15~40質量%。例如，就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為21~40質量%。例如，就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為23~40質量%。

又，相對於本發明之液晶組成物之總質量， 前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為2~40質量%。此外，就本發明之其他實施形態而言，前述化合物之含量為2~30質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為2~25質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為2~21質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為2~16質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為2~12質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為2~8質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為2~5質量%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。此外，本發明之液晶組成物之Tni保持於高值、溫度安定性良好的液晶組成物為必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，提高上述之下限值、並提高上限值者為較佳。

此外，通式(VIII)所表示的化合物係通式(VIII-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁸ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基 或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能組合前述通式(VIII-1)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類以上。

此外，通式(VIII-1)所表示的化合物，具體而言，式(26.1)至式(26.4)所表示的化合物為較佳，式(26.1)或式(26.2)所表示的化合物為較佳，式(26.2)所表示的化合物為更佳。

式(26.1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，1質量%以上40質量%以下為較佳，1質量%以上30質量%以下為更佳，1質量% 以上20質量%以下為更佳。

式(26.2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，2質量%以上40質量%以下為較佳，3質量%以上30質量%以下為更佳，4質量%以上20質量%以下為更佳，5質量%以上15質量%以下為特佳。

特佳範圍中，例如，可列舉5質量%以上12質量%以下、5質量%以上10質量%以下、5質量%以上8質量%以下、5質量%以上7質量%以下、5質量%以上6質量%以下、6質量%以上15質量%以下、7質量%以上15質量%以下、8質量%以上15質量%以下、10質量%以上15質量%以下、12質量%以上15質量%以下之含量。

式(26.1)所表示的化合物及式(26.2)所表示的化合物合計之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係5~40質量%為較佳。

此外，通式(VIII)所表示的化合物係通式(VIII-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁸ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射 率等之所欲性能組合前述通式(VIII-2)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。或者，本發明之再其他實施形態為3種類以上。

通式(VIII-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，2.5質量%以上25質量%以下為較佳，8質量%以上25質量%以下為較佳，10質量%20質量%以下為更佳，12質量%以上15質量%以下為更佳。

此外，通式(VIII-2)所表示的化合物係式(27.1)至式(27.4)所表示的化合物為較佳，式(27.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(VIII)所表示的化合物係通式(VIII-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁸ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能組合前述通式(VIII-3)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類以上。

此外，通式(VIII-3)所表示的化合物，具體而言，式(26.11)至式(26.14)所表示的化合物為較佳，式(26.11)或式(26.12)所表示的化合物為較佳，式(26.12)所表示的化合物為更佳。

此外，通式(M)所表示的化合物，例如選自通式(IX)所表示的化合物群組的化合物為較佳。惟，前述通式(i)所表示的化合物除外。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁹¹ 及X⁹² 各自獨立表示為氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ ，U⁹ 表示單鍵、-COO-或-CF₂ O-)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能組合前述通式(IX)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。此外，本發明之另外的實施形態係3種類。再者，本發明之另外的實施形態係4種類。此外，本發明之另外的實施形態係5種類。此外，本發明之另外的實施形態係6種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(IX)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電各向異性等之冀求性能加以適宜調整。

相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為 3~70質量%。此外，例如就本發明之其他實施形態而言，前述化合物之含量為5~70質量%。例如，就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為8~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為10~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為12~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為15~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為17~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為20~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為24~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為28~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為30~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為34~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為39~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為40~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為42~70質量%。例如就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為45~70質量%。

又，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如就本發明之一個實施形態而言為3~70質量%。此外，就本發明之其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~60質量%。就本發明之再其他實 施形態而言，前述化合物之含量為3~55質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~50質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~45質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~40質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~35質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~30質量%。就本發明之再其他實施形態而言，25質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~20質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~15質量%。就本發明之再其他實施形態而言，前述化合物之含量為3~10質量%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。此外，將本發明之液晶組成物之Tni保持於高值、難以發生殘影的液晶組成物為有必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，提高上述之下限值、並提高上限值者為較佳。

此外，通式(IX)所表示的化合物係通式(IX-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁹² 表示氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能組合前述通式(IX-1)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個實施形態而言為1種類。或者本發明之另外的實施形態係2種類。此外，本發明之另外的實施形態係3種類。再者，本發明之另外的實施形態係4種類以上。

此外，通式(IX-1)所表示的化合物係通式(IX-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但可因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之所欲性能組合前述通式(IX-1-1)所表示的複數化合物來使用。使用的化合物之種類，例如本發明之一個實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。

前述通式(IX-1-1)所表示的化合物之含量相對於本發明之液晶組成物之總質量，考慮低溫之溶解性 、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，因應實施形態有較佳上限值及下限值。

前述化合物之含量相對於前述總質量，於一個實施形態中為1~40質量%，於其他實施形態為1~35質量%，於再其他實施形態為1~30質量%，於又再其他實施形態為1~25質量%，於又再其他實施形態為1~10質量%，於又再其他實施形態為1~7質量%，於又再其他實施形態為1~5質量%。

此外，前述通式(IX-1-1)所表示的化合物係式(28.1)至式(28.5)所表示的化合物為較佳。前述液晶組成物係含有式(28.3)及式(28.5)所表示的化合物中之任何1種或2種為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(28.3)所表示的化 合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於前述液晶組成物之總質量，係1質量%以上30質量%以下為較佳，2質量%以上20質量%以下為更佳，2質量%以上15質量%以下為又更佳，2質量%以上10質量%以下為特佳，2質量%以上7質量%以下為最佳。

最佳範圍中，例如，可列舉2質量%以上5質量%以下、2質量%以上4質量%以下、2質量%以上3質量%以下、3質量%以上7質量%以下、4質量%以上7質量%以下、5質量%以上7質量%以下、6質量%以上7質量%以下之含量。

於本發明之液晶組成物，式(28.5)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於前述液晶組成物之總質量，係3質量%以上25質量%以下為較佳，5質量%以上20質量%以下為更佳，5質量%以上15質量%以下為又更佳，5質量%以上10質量%以下為又更佳，5質量%以上8質量%以下為最佳。

最佳範圍中，例如，可列舉5質量%以上7質量%以下、5質量%以上6質量%以下、6質量%以上8質量%以下、7質量%以上8質量%以下之含量。

於本發明之液晶組成物，式(28.3)所表示的化合物與式(28.5)所表示的化合物合計之含量，相對於前述液晶組成物之總質量，係5質量%以上30質量%以下為較佳，7質量%以上20質量%以下為更佳，10質量%以上15質量%以下為更佳。

更佳範圍中，例如，可列舉10質量%以上14質量%以下、10質量%以上12質量%以下、12質量%以上15質量% 以下、14質量%以上15質量%以下之含量。

前述液晶組成物含有前述式(28.3)所表示的化合物及前述式(28.5)所表示的化合物的情形，其相對的含量可為前述式(28.3)所表示的化合物之含量為多者，亦可為前述式(28.5)所表示的化合物之含量為多者，但由提高前述液晶組成物之Tni的觀點，前述式(28.5)所表示的化合物之含量為多者較佳。

此外，通式(IX-1)所表示的化合物係通式(IX-1-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(IX-1-2)所表示的複數化合物中之1種至3種類為較佳，組合1種至4種類為更佳。

通式(IX-1-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上30質量%以下為較佳，5質量%以上30質量%以下為更佳，8質量%以上30質量%以下為又更佳，10質量%以上25質量%以下為又更佳，14質量%以上22質量%以下為又更佳，16質量%以上20質量%以下為特佳。

此外，通式(IX-1-2)所表示的化合物係式(29.1)至式(29.4)所表示的化合物為較佳，式(29.2)或式(29.4)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(IX)所表示的化合物係通式(IX-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁹¹ 及X⁹² 各自獨立表示為氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(IX-2)所表示的複數化合物來使用。例如，本發明之一個實施形態為1種類，於其他實施形態為2種類，於再其他實施形態為3種類，於又其他實施形態為4種類，於又其他實施形態為5種類 ，於又其他實施形態為6種類以上的組合。

此外，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，由前述通式(IX-2-1)所表示的複數化合物中組合1種至3種類為較佳。

通式(IX-2-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有較佳上限值及下限值。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~40質量%。於其他實施形態係前述化合物之含量為2~40質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為4~40質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為10~40質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為14~40質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為16~40質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為21~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為1~40質量%，於其他 實施形態係前述化合物之含量為1~35質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為1~30質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~25質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~22質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~10質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~7質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~5質量%。

此外，通式(IX-2-1)所表示的化合物係式(30.1)至式(30.4)所表示的化合物為較佳，式(30.1)至式(30.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等， 由前述通式(IX-2-2)所表示的複數化合物中組合1種至3種類為較佳，組合1種至4種類為更佳。

通式(IX-2-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。例如，本發明之一個實施形態為相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為2~40質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為4~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為10~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為14~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為16~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為21~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為1~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為1~35質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為1~30質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~25質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~22質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~15質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~12質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~8質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為1~4質量%。

此外，通式(IX-2-2)所表示的化合物係式(31.1)至式(31.4)所表示的化合物為較佳，式(31.2)至式 (31.4)所表示的化合物為更佳，式(31.2)所表示的化合物為更佳。

於本發明之液晶組成物，式(31.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上35質量%以下為較佳，2質量%以上25質量%以下為更佳，3質量%以上15質量%以下為更佳，4質量%以上10質量%以下為特佳，5質量%以上6質量%以下為最佳。

於本發明之液晶組成物，式(31.4)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上35質量%以下為較佳，1質量%以上25質量%以下為更佳，1質量%以上15質量%以下為更佳。

此外，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低

溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等， 前述通式(IX-2-3)所表示的複數化合物中，組合1種至2種類為較佳。

通式(IX-2-3)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上30質量%以下為較佳，3質量%以上20質量%以下為更佳，6質量%以上15質量%以下為又更佳，8質量%以上10質量%以下為更佳。

此外，通式(IX-2-3)所表示的化合物係式(32.1)至式(32.4)所表示的化合物為較佳，式(32.2)及/或式(32.4)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-4)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(IX-2-4)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發 明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上30質量%以下為較佳，3質量%以上20質量%以下為更佳，6質量%以上15質量%以下為又更佳，8質量%以上10質量%以下為特佳。

此外，通式(IX-2-4)所表示的化合物係式(33.1)至式(33.5)所表示的化合物為較佳，式(33.1)及/或式(33.3)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-5)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(IX-2-5)所表示的複數化合物來使用。例如，本發明之一個實施形態為1種類，於其他實施形態為2種類，於再其他實施形態為3種類，於又其他實施形態為4種類以上。

通式(IX-2-5)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。例如，本發明之一個實施形態為相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~45質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為8~45質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為12~45質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為21~45質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為30~45質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為31~45質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為34~45質量%。又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為4~45質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為4~40質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為4~35質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為4~32質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為4~22質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為4~13質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為4~9質量%，於又再其他實施形態係前述化合物 之含量為4~8質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為4~5質量%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。此外，將本發明之液晶組成物之Tni保持於高值、難以發生殘影的液晶組成物為有必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，提高上述之下限值、並提高上限值者為較佳。

此外，通式(IX-2-5)所表示的化合物係式(34.1)至式(34.5)所表示的化合物為較佳，式(34.1)、式(34.2)、式(34.3)及/或式(34.5)所表示的化合物為更佳。

此外，通式(IX)所表示的化合物係通式(IX-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁹¹ 及X⁹² 各自獨立表示為氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ )。

此外，通式(IX-3)所表示的化合物係通式(IX-3-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(IX-3-1)所表示的複數化合物中之1種至2種類為較佳。

通式(IX-3-1)所表示的化合物之含量，考慮低 溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係3質量%以上30質量%以下為較佳，7質量%以上30質量%以下為更佳，13質量%以上20質量%以下為又更佳，15質量%以上18質量%以下為特佳。

此外，通式(IX-3-1)所表示的化合物係式(35.1)至式(35.4)所表示的化合物為較佳，式(35.1)及/或式(35.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(M)所表示的化合物係通式(X)所表示的化合物為較佳。惟，前述通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外。

(式中，X¹⁰¹ 至X¹⁰⁴ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁰ 表示氟原子、氯原子、-OCF₃ ，Q¹⁰ 表示單鍵或-CF₂ O-，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A¹⁰¹ 及A¹⁰² 各自獨立為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或、或但1,4-伸苯基上之氫原子可被氟原子取代)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(X)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種。又，本發明之另外的實施形態係2種類。再於其他實施形態為3種類。又再其他實施形態係4種類。又再其他實施形態係5種類以上。

通式(X)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。例如，本發明之一個實施形態為相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~45質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為3~45質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為6~45質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為8~45質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為9~45質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為11~45質量%，於又其他實施形態係前述 化合物之含量為12~45質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為18~45質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為19~45質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為23~45質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為25~45質量%。又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為2~45質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為2~35質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為2~30質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~25質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~13質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~9質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~6質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~3質量%。

保持本發明之液晶組成物之黏度為低值、反應速度為快速的液晶組成物為有必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。此外，於難以發生殘影的液晶組成物為必要的情形，降低上述之下限值、並降低上限值者為較佳。又，為了將驅動電壓保持於低值而欲擴大介電各向異性時，提高上述之下限值、並提高上限值者為較佳。

本發明之液晶組成物所使用的通式(X)所表示的化合物係通式(X-1)所表示的化合物為較佳。 (式中，X¹⁰¹ 至X¹⁰³ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(X-1)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種。又，本發明之另外的實施形態係2種類。再於其他實施形態為3種類。又再其他實施形態係4種類。又再其他實施形態係5種類以上。

通式(X-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。例如，本發明之一個實施形態為相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為3~40質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為5~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為6~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為7~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為8~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為9~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為13~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為18~40質量%。又再於其他實施形 態係前述化合物之含量為23~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為2~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為2~30質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為2~25質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~15質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~10質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~6質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~4質量%。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-1)所表示的化合物係通式(X-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(X-1-1)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種。又，本發明之另外的實施形態係2種類。再於其他實施形態為3種類。又再其他實施形態係4種類以上。

通式(X-1-1)所表示的化合物之含量，考慮低 溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為4~30質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為6~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為9~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為12~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為15~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為18~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為21~30質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為3~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為3~20質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為3~13質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~10質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~7質量%。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-1-1)所表示的化合物，具體而言，式(36.1)至式(36.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(36.1)及/或式(36.2)所表示的化合物為較佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-1)所表示的化合物係通式(X-1-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(X-1-2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上為較佳，2質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，最大比率限於20質量%以下為較佳，16質量%以下為又更佳，12質量%以下為更佳，10質量%以下為特佳。

就更具體的較佳實施形態而言，可例示前述含量為1~10質量%、2~8質量%、2~7質量%、2~5質量%、4~8質量%、及5~8質量%的實施形態。

前述通式(X-1-2)所表示的化合物，具體而言 ，式(37.1)至式(37.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(37.2)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(37.2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上20質量%以下為較佳，1~10質量%為更佳，2~8質量%為更佳，3~5質量%為特佳。特佳範圍中，前述含量可為3~4質量%，亦可為4~5質量%。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-1)所表示的化合物係通式(X-1-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯 基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合1種至2種類以上之前述通式(X-1-3)所表示的化合物為較佳。

通式(X-1-3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上為較佳，2質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，將最大比率限於20質量%以下為較佳，16質量%以下為又更佳，12質量%以下為更佳，10質量%以下為特佳。

就更具體的較佳實施形態而言，可列舉前述含量為1~10質量%、3~8質量%、2~6質量%、2~5質量%、2~4質量%、3~6質量%、4~6質量%、及5~6質量%的實施形態。

前述通式(X-1-3)所表示的化合物，具體而言，係式(38.1)至式(38.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(38.2)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(38.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上35質量%以下為較佳，2質量%25質量%以下為更佳，3質量%以上20質量%以下為更佳，3質量%以上15質量%以下為更佳，3質量%以上10質量%以下為更佳，3質量%以上8質量%以下為更佳，4質量%以上6質量%以下為特佳。

本發明之液晶組成物所使用的通式(X)所表示的化合物係通式(X-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰² 至X¹⁰³ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁰ 表示氟原子、氯原子、-OCF₃ ，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-2)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳。

此外，通式(X)所表示的化合物係通式(X-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰² 至X¹⁰³ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-3)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-3)所表示的化合物係通式(X-3-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-3-1)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳。

通式(X-3-1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上為較佳，2質量%以上為更佳，3質量%以上為更佳。又，考慮低溫 之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，將最大比率限於10質量%以下為較佳，8質量%以下為又更佳，6質量%以下為更佳，4質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-3-1)所表示的化合物，具體而言，係式(41.1)至式(41.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(41.2)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(41.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係0.5質量%以上15質量%以下為較佳，1質量%以上10質量%以下為更佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係通式(X-4)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰² 表示氟原子或氫原子，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-4)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上為更佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-4)所表示的化合物係通式(X-4-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-4-1)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上為更佳。

通式(X-4-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上20質量%以下為較佳，5質量%以上17質量%以下為更佳，10質量%以 上15質量%以下為又更佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-4-1)所表示的化合物，具體而言，係式(42.1)至式(42.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(42.3)所表示的化合物為較佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X)所表示的化合物係通式(X-4-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組 合前述通式(X-4-2)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上為更佳。

通式(X-4-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上20質量%以下為較佳，5質量%以上17質量%以下為更佳，10質量%以上15質量%以下為又更佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-4-2)所表示的化合物，具體而言，係式(42.11)至式(42.14)所表示的化合物為較佳，其中含有式(42.13)或式(42.14)所表示的化合物為更佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X)所表示的化合物係通式(X-4-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-4-3)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上更佳。

通式(X-4-3)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上20質量%以下為較佳，5質量%以上17質量%以下為更佳，10質量%以上15質量%以下為又更佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-4-3)所表示的化合物，具體而言，係式(42.21)至式(42.24)所表示的化合物為較佳，其中含有式(42.22)所表示的化合物為更佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係通式(X-5)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰² 表示氟原子或氫原子，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-5)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上為更佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-5)所表示的化合物係通式(X-5-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X-5-1)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上為更佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-5-1)所表示的化合物，具體而言，係式(43.1)至式(43.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(43.2)所表示的化合物為較佳。

又，於本發明之液晶化合物可使含有類似前述通式(X)所表示的化合物的通式(X’-7)所表示的化合物。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯 基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(X’-7)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳。

通式(X’-7)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為5~30質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為6~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為8~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為9~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為11~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為14~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為18~30質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為4~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為4~20質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為4~13質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為4~10質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為4~7質量%。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式 (X’-7)所表示的化合物，具體而言，係式(44.11)至式(44.14)所表示的化合物為較佳，其中含有式(44.13)所表示的化合物為更佳。

此外，通式(X)所表示的化合物係選自通式(XI)所表示的群組的化合物為較佳。

(式中，X¹¹¹ 至X¹¹⁷ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，X¹¹¹ 至X¹¹⁷ 之至少任一者表示氟原子，R¹¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y¹¹ 表示氟原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(XI)所表示的複數化合物中之1種至3種類以 上為較佳。

通式(XI)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為4~30質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為5~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為7~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為9~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為10~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為12~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為13~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為15~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為18~30質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為2~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為2~25質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為2~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~15質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~10質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~5質量%。

本發明之液晶組成物用於液晶胞間隙小的液晶顯示元件用的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。用於驅動電壓小的液晶顯示元件 的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又，用於低溫環境下使用的液晶顯示元件用的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成少者為適合。用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(XI)所表示的化合物係通式(XI-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(XI-1)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種類，於其他實施形態為2種類，於再其他實施形態為3種類以上組合。

通式(XI-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上20質量%以下為較佳，3質量%以上20質量%以下為更佳，4質量%以上20質量%以下為又更佳，6質量%以上15質量%以下為又 更佳，9質量%以上12質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(XI-1)所表示的化合物，具體而言，係式(45.1)至式(45.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(45.2)至式(45.4)所表示的化合物為較佳，含有式(45.2)所表示的化合物為更佳。

於本發明之液晶組成物，式(45.2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上25質量%以下為較佳，2質量%以上15質量%以下為更佳，3質量%以上10質量%以下為更佳。

更佳範圍中，就前述含量而言，例如，可列舉3質量%以上7質量%以下、3質量%以上6質量%以下、3質量%以上5質量%以下、3質量%以上4質量%以下、4質量%以上10質量%以下、5質量%以上10質量%以下、6質量%以 上10質量%以下、7質量%以上10質量%以下、8質量%以上10質量%以下。

於本發明之液晶組成物，式(45.3)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上25質量%以下為較佳，2質量%以上20質量%以下為更佳，3質量%以上15質量%以下為更佳。

於本發明之液晶組成物，式(45.4)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上25質量%以下為較佳，2質量%以上20質量%以下為更佳，3質量%以上15質量%以下為更佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(XI)所表示的化合物係通式(XI-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(XI-2)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種類，於其他實施形態為2種類，於再其他實施形態為3種類以上組合。

通式(XI-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上20質量%以下為較佳，3質量%以上20質量%以下為更佳，4質量%以上20質量%以下為又更佳，6質量%以上15質量%以下為又更佳，9質量%以上12質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(XI-2)所表示的化合物，具體而言，係式(45.11)至式(45.14)所表示的化合物為較佳，其中含有式(45.12)至式(45.14)所表示的化合物為較佳，含有式(45.12)所表示的化合物為更佳。

此外，通式(X)所表示的化合物係選自通式(XII)所表示的群組的化合物為較佳。

(式中，X¹²¹ 至X¹²⁶ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹²⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y¹² 表示氟原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，前述通式(XII)所表示的複數化合物中，組合1種至3種類以上為較佳，組合1種至4種類以上為更佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(XII)所表示的化合物係通式(XII-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹²⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(XII-1)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上為更佳。

通式(XII-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上15質量%以下 為較佳，2質量%以上10質量%以下為更佳，3質量%以上8質量%以下為又更佳，4質量%以上6質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(XII-1)所表示的化合物，具體而言，係式(46.1)至式(46.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(46.2)至式(46.4)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XII)所表示的化合物係通式(XII-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹²⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫 之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(XII-2)所表示的複數化合物中之1種至2種類以上為較佳，組合1種至3種類以上為更佳。

通式(XII-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上20質量%以下為較佳，3質量%以上20質量%以下為更佳，4質量%以上17質量%以下為又更佳，6質量%以上15質量%以下為又更佳，9質量%以上13質量%以下為特佳。

此外，本發明之液晶組成物所使用的通式(XII-2)所表示的化合物，具體而言，係式(47.1)至式(47.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(47.2)至式(47.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係選自通式(XIII)所表示的化合物群組的化合物為較佳。

(式中，X¹³¹ 至X¹³⁵ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹³⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y¹³ 表示氟原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但含有前述通式(XIII)所表示的複數化合物中之1種~2種類為較佳，含有1種~3種類為更佳，含有1種~4種類為更佳。

通式(XIII)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為4~30質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為5~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為7~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為9~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為11~30質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為13~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為14~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為16~30質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為20~30質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為2~30質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為2~25質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為2~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~15質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~10質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~5質量%。

本發明之液晶組成物用於液晶胞間隙小的液晶顯示元件用的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又，用於低溫環境下使用的液晶顯示元件用的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

此外，通式(XIII)所表示的化合物係通式(XIII-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹³⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XIII-1)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有1質量%以上25質量%以下 為較佳，含有3質量%以上25質量%以下為又更佳，含有5質量%以上20質量%以下為又更佳，含有10質量%以上15質量%以下為特佳。

此外，通式(XIII-1)所表示的化合物係式(48.1)至式(48.4)所表示的化合物為較佳，式(48.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XIII)所表示的化合物係通式(XIII-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹³⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但含有前述通式(XIII-2)所表示的複數化合物中之1種~2種類 以上為較佳。

通式(XIII-2)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有5質量%以上25質量%以下為較佳，含有6質量%以上25質量%以下為又更佳，含有8質量%以上20質量%以下為又更佳，含有10質量%以上15質量%以下為特佳。

此外，通式(XIII-2)所表示的化合物係式(49.1)至式(49.4)所表示的化合物為較佳，式(49.1)或式(49.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XIII)所表示的化合物係通式(XIII-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹³⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯 基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但含有前述通式(XIII-3)所表示的複數化合物中之1種~2種類為較佳。

通式(XIII-3)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總質量，含有2質量%以上20質量%以下為較佳，含有4質量%以上20質量%以下為更佳，含有9質量%以上17質量%以下為更佳，含有11質量%以上14質量%以下為特佳。

此外，通式(XIII-3)所表示的化合物係式(50.1)至式(50.4)所表示的化合物為較佳，式(50.1)或式(50.2)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(M)所表示的化合物係選自通式(XIV)所表示的化合物群組之化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基，X¹⁴¹ 至X¹⁴⁴ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁴ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ ，Q¹⁴ 表示單鍵、-COO-或-CF₂ O-，m¹⁴ 為0或1)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(XIV)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種。此外，本發明之另外的實施形態係2種類。或者，於本發明之再其他實施形態為3種類。又，於本發明之再其他實施形態為4種類。或者，於本發明之再其他實施形態為5種類。或者，於本發明之再其他實施形態為6種類以上。

通式(XIV)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為7~40質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為8~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為11~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為12~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為16~40質量% ，於又其他實施形態係前述化合物之含量為18~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為19~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為22~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為25~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為3~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為3~35質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為3~30質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~25質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~15質量%。

本發明之液晶組成物用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIV)所表示的化合物含量作成多者為適合的。又用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIV)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

此外，通式(XIV)所表示的化合物係通式(XIV-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基，Y¹⁴ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低 溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，組合前述通式(XIV-1)所表示的複數化合物中之1種至3種類為較佳。

此外，通式(XIV-1)所表示的化合物係通式(XIV-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基)。

通式(XIV-1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係2質量%以上為較佳，4質量%以上為更佳，7質量%以上為又更佳，10質量%以上為又更佳，18質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，將最大比率限於30質量%以下為較佳，27質量%以下為又更佳，24質量%以下為更佳，小於21質量%為特佳。

此外，通式(XIV-1-1)所表示的化合物，具體而言，係式(51.1)至式(51.4)所表示的化合物為較佳，含有式(51.1)所表示的化合物為更佳。

此外，通式(XIV-1)所表示的化合物係通式 (XIV-1-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基)。

通式(XIV-1-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上13質量%以下為更佳，5質量%以上11質量%以下為又更佳，7質量%以上9質量%以下為特佳。

此外，通式(XIV-1-2)所表示的化合物，具體而言，係式(52.1)至式(52.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(52.4)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XIV)所表示的化合物係通式(XIV-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹⁴¹ 至X¹⁴⁴ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁴ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(XIV-2)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種。此外，本發明之另外的實施形態係2種類。或者，於本發明之再其他實施形態為3種類。又，於本發明之再其他實施形態為4種類。或者，於本發明之再其他實施形態為5種類以上。

通式(XIV-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為7~40質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為8~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為10~40質量% ，於又其他實施形態係前述化合物之含量為11~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為12~40質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為18~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為19~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為21~40質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為22~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為3~40質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為3~35質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為3~25質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~15質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為3~10質量%。

本發明之液晶組成物用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIV-2)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIV-2)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

此外，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XIV-2-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係1質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上13質量%以下為更佳，5質量%以上11質量%以下為又更佳，7質量%以上9質量%以下為特佳。

此外，通式(XIV-2-1)所表示的化合物，具體而言，係式(53.1)至式(53.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(53.4)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XIV-2-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係3質量%以上20質量%以下為較佳，6質量%以上17質量%以下為更佳，9質量%以 上15質量%以下為又更佳，12質量%以上14質量%以下為特佳。

此外，通式(XIV-2-2)所表示的化合物，具體而言，係式(54.1)至式(54.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(54.2)及/或式(54.4)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(54.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係5質量%以上35質量%以下為較佳，5質量%25質量%以下為更佳，5質量%以上20質量%以下為更佳。

此外，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XIV-2-3)所表示的化合物之含量，考慮 低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係5質量%以上30質量%以下為較佳，9質量%以上27質量%以下為更佳，12質量%以上24質量%以下為又更佳，12質量%以上20質量%以下為特佳。

此外，通式(XIV-2-3)所表示的化合物，具體而言，係式(55.1)至式(55.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(55.2)及/或式(55.4)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-4)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低 溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等，於各實施形態可適宜組合前述通式(XIV-2-4)所表示的複數化合物。例如，本發明之一個實施形態為1種。此外，本發明之另外的實施形態係2種類。或者，於本發明之再其他實施形態為3種類以上。

通式(XIV-2-4)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、雙折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。

例如，本發明之一個實施形態，相對於本發明之液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~35質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為5~35質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為8~35質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為9~35質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為10~35質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為18~35質量%，於又其他實施形態係前述化合物之含量為21~35質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為22~35質量%。又再於其他實施形態係前述化合物之含量為24~35質量%。

又，例如，相對於前述總質量，本發明之一個實施形態係前述化合物之含量為2~35質量%，於其他實施形態係前述化合物之含量為2~30質量%，於再其他實施形態係前述化合物之含量為2~25質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~20質量%，於又再其他實施形態係前述化合物之含量為2~15質量%，於又 再其他實施形態係前述化合物之含量為2~10質量%。

本發明之液晶組成物用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIV-2-4)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIV-2-4)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

此外，通式(XIV-2-4)所表示的化合物，具體而言，係式(56.1)至式(56.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(56.1)、式(56.2)及/或式(56.4)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-5)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XIV-2-5)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係5質量%以上25質量%以下為較佳，10質量%以上22質量%以下為更佳，13質量%以上18質量%以下為又更佳，13質量%以上15質量%以下為特佳。

此外，通式(XIV-2-5)所表示的化合物，具體而言，係式(57.1)至式(57.4)所表示的化合物。其中含有式(57.1)所表示的化合物為較佳。

此外，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-6)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XIV-2-6)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，相對於本發明之液晶組成物之總質量，係5質量%以上25質量%以下為較佳，10質量%以上22質量%以下為更佳，15質量%以上20質量%以下為又更佳，15質量%以上17質量%以下為特佳。

此外，通式(XIV-2-6)所表示的化合物，具體而言，係式(58.1)至式(58.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(58.2)所表示的化合物為較佳。

本案發明所使用的化合物，於分子內不具有過酸(-CO-OO-)構造。又，重視液晶組成物之信賴性及長 期安定性的情形，不使用具有羰基的化合物為較佳。又，重視經UV照射的安定性的情形，不使用氯原子取代的化合物為所欲的。分子內之環構造全為僅6員環的化合物亦較佳。

本案發明之液晶組成物係不含有具有分子內過酸(-CO-OO-)構造等之氧原子彼此鍵結的構造的化合物為較佳。

重視液晶組成物之信賴性及長期安定性的情形，具有羰基的化合物之含量相對於前述組成物之總質量作成5質量%以下為較佳，作成3質量%以下為更佳，作成1質量%以下為更佳，實質上不含有為最佳。

重視經UV照射的安定性的情形，氯原子取代的化合物之含量相對於前述組成物之總質量，作成15質量%以下為較佳，作成10質量%以下為更佳，作成5質量%以下為更佳，實質上不含有為最佳。

將分子內之環構造全為6員環的化合物的含量作成多者為較佳，分子內之環構造全為6員環的化合物之含量相對於前述組成物之總質量，作成80質量%以上為較佳，作成90質量%以上為更佳，作成95質量%以上為更佳，實質上僅由分子內之環構造全為6員環的化合物構成液晶組成物為最佳。

為了抑制由於液晶組成物的氧化所致的劣化，將具有作為環構造之伸環己烯基的化合物之含量作成少者為較佳，具有伸環己烯基的化合物之含量相對於前述組成物之總質量，作成10質量%以下為較佳，作成5質 量%以下為更佳，實質上不含有者為更佳。

重視黏度的改善及Tni的改善的情形，將分子內具有氫原子可被取代為鹵素的2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量作成少者為較佳，前述分子內具有2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量相對於前述組成物之總質量，作成10質量%以下為較佳，作成5質量%以下為更佳，實質上不含有為更佳。

本發明之第一實施形態之組成物所含有的化合物於具有作為側鏈之烯基的情形，前述烯基與環己烷鍵結的情形，該烯基之碳原子數係2~5為較佳，前述烯基與苯鍵結的情形，該烯基之碳原子數係4~5為較佳，前述烯基之不飽和鍵與苯並非直接鍵結為較佳。

為了製作PS模式、橫電場型PSA模式或橫電場型PSVA模式等之液晶顯示元件，於本發明之液晶組成物可含有聚合性化合物。就可使用的聚合性化合物而言，可列舉藉由光等之能量線進行聚合的光聚合性單體等，就構造而言，例如，可列舉聯苯基衍生物、三苯基衍生物等之具有六員環為複數連結的液晶骨架的聚合性化合物等。更具體而言，通式(XX)所表示的二官能單體為較佳

(式中，X²⁰¹ 及X²⁰² 各自獨立表示為氫原子或甲基， Sp²⁰¹ 及Sp²⁰² 各自獨立表示為單鍵、碳原子數1~8脂伸烷基或-O-(CH₂ )_s -(式中，s表示2至7之整數，氧原子與芳香環鍵結)，Z²⁰¹ 表示-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH₂ CH₂ -、-OCO-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -COO-、-CH₂ CH₂ -OCO-、-COO-CH₂ -、-OCO-CH₂ -、-CH₂ -COO-、-CH₂ -OCO-、-CY¹ =CY² -(式中，Y¹ 及Y² 各自獨立表示為氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，M²⁰¹ 表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中全部之1,4-伸苯基，任意之氫原子可經氟原子取代)。

X²⁰¹ 及X²⁰² 任一皆表示氫原子的二丙烯酸酯衍生物、任一者具有甲基的二甲基丙烯酸酯衍生物之任一者為較佳，一者表示氫原子而另一者表示甲基的化合物亦較佳。此等之化合物之聚合速度係以二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物最慢，非對稱化合物為其中間，依其用途可使用較佳態樣。於PSA顯示元件，二甲基丙烯酸酯衍生物為特佳。

Sp²⁰¹ 及Sp²⁰² 各自獨立表示為單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂ )_s -，但於PSA顯示元件，至少一者係單鍵為較佳，皆表示單鍵的化合物或一者為單鍵而另一者為碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂ )_s -的態樣為較佳。此情形，碳原子數1~4之烷基為較佳，s係1~4為較佳。

Z²⁰¹ 係-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-CF₂ CF₂ -或單鍵為較佳，-COO-、-OCO-或單鍵為更佳，單鍵為特佳。

M²⁰¹ 表示任意之氫原子可經氟原子取代的1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，但1,4-伸苯基或單鍵為較佳。M²⁰¹ 表示單鍵以外之環構造的情形，Z²⁰¹ 係單鍵以外的連結基為較佳，M²⁰¹ 為單鍵的情形，Z²⁰¹ 係單鍵為較佳。

由此等之觀點，於通式(XX)，Sp²⁰¹ 及Sp²⁰² 之間的環構造，具體而言，係下列記載的構造為較佳。

於通式(XX)，M²⁰¹ 表示單鍵，環構造為二個環所形成的情形，表示下列之式(XXa-1)至式(XXa-5)者為較佳，表示式(XXa-1)至式(XXa-3)為更佳，表示式(XXa-1)為特佳。

(式中，兩端作成與Sp²⁰¹ 或Sp²⁰² 鍵結)。

含有此等骨架的聚合性化合物最適合於聚合 後之配向規制力為PSA型液晶顯示元件，由於可獲得良好的配向狀態，顯示不均會被抑制，或完全不會發生。

由以上，作為聚合性單體，通式(XX-1)~通式(XX-4)為特佳，其中通式(XX-2)為最佳。

(式中，Sp²⁰ 表示碳原子數2至5之伸烷基)。

於本發明之液晶組成物中添加單體的情形，即使不存有聚合起始劑的情形，聚合亦會進行，但為了促進聚合，可含有聚合起始劑。就聚合起始劑而言，可列舉苯偶姻醚(benzoin ether)類、二苯甲酮(benzophenone)類、苯乙酮(acetophenone)類、二苯甲醯縮酮(benzil ketal)類、醯基膦氧化物(acylphosphine oxide)類等。

本發明中的液晶組成物可進一步含有通式(Q)所表示的化合物。

(式中，R^Q 表示碳原子數1至22之直鏈烷基或分支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上之CH₂ 基係與氧原子未直接鄰接的方式，而可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -取代，M^Q 表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵)。

R^Q 表示碳原子數1至22之直鏈烷基或分支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上之CH₂ 基係與氧原子不直接鄰接的方式，而可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -取代，但碳原子數1至10之直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個之CH₂ 基備取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、分支鏈烷基、分支鏈烷氧基、1個之CH₂ 基被取代為-OCO-或-COO-的分支鏈烷基為較佳，碳原子數1至20之直鏈烷基、1個之CH₂ 基被取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、分支鏈烷基、分支鏈烷氧基、1個之CH₂ 基被取代為-OCO-或-COO-的分支鏈烷基為更佳。M^Q 表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，但反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基為較佳。

通式(Q)所表示的化合物，更具體而言，係下述之通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物為較佳。

式中，R^Q1 係碳原子數1至10之直鏈烷基或分支鏈烷基為較佳，R^Q2 係碳原子數1至20之直鏈烷基或分支鏈烷基為較佳，R^Q3 係碳原子數1至8之直鏈烷基、分支鏈烷基、直鏈烷氧基或分支鏈烷氧基為較佳，L^Q 係碳原子數1至8之直鏈伸烷基或分支鏈伸烷基為較佳。通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物中，通式(Q-c)及通式(Q-d)所表示的化合物為更佳。

於本案發明之液晶組成物，含有1種或2種之通式(Q)所表示的化合物為較佳，含有1種至5種為更佳，其含量係0.001至1質量%為較佳，0.001至0.1質量%為更佳，0.001至0.05質量%為特佳。

<液晶顯示元件>

含有本發明之聚合性化合物的液晶組成物係使用於此等所含聚合性化合物經紫外線照射而聚合下賦與液晶配向能力、且利用液晶組成物之雙折射而控制光之透射光量的液晶顯示元件。就液晶顯示元件而言，可有用於ECB-LCD、VA-LCD、FFS-LCD、AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列型液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭 轉向列型液晶顯示元件)、OCB-LCD及IPS-LCD(平面轉換液晶顯示元件)，但於AM-LCD為特別有用，可使用於穿透型或者反射型之液晶顯示元件。

液晶顯示元件所使用的液晶胞之2片基板可使用玻璃或如塑膠之具有柔軟性且透明的材料，亦可一方為矽等之不透明的材料。具有透明電極層的透明基板係可例如，經由於玻璃板等之透明基板上噴濺氧化銦錫(ITO)而獲得。

例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沉積法或、染色法等而作成彩色濾光片。以由顏料分散法之彩色濾光片之作成方法作為一例加以說明，將彩色濾光片用之硬化性著色組成物塗布於該透明基板上，施予圖案成形處理，而且藉由加熱或光照射而使硬化。將此步驟，於紅、綠、藍的3色各別進行下，可作成彩色濾光片用之畫素部。此外，於該基板上，亦可設置設有TFT、薄膜二極體等之主動元件的畫素電極。

使前述基板作成透明電極層成為內側的方式而使對向。此時，藉由間隔物，亦可調整基板之間隔。此時，調整所獲得的調光層之厚度成為1~100μm者為較佳。1.5至10μm為更佳，使用偏光板的情形，以對比成為最大的方式來調整液晶之折射率各向異性△n與液晶胞厚度d之積者為較佳。又，有二片偏光板的情形，亦可調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比成為良好的方式來調整。再者，亦可使用用以擴大視野角的位相差膜。就間隔物而言，例如，可列舉包含玻璃粒子、塑膠粒子、 氧化鋁粒子、光阻材料等的柱狀間隔物等。之後，將環氧系熱硬化性組成物等之密封劑，以設有液晶注入口的形狀下網版印刷於該基板，將該基板彼此貼合，而加熱並使密封劑熱硬化。

於2片基板間包夾含有聚合性化合物的液晶組成物的方法係可使用通常之真空注入法或ODF法。然而，於真空注入法雖不會發生滴注痕跡，但有注入的痕跡會殘留的課題。於本案發明，可較佳使用於使用ODF法來製造的顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟，於背板(backplane)或前板(frontplane)任一者之基板，將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑，使用分配器(dispenser)而以閉迴路擋土狀地描繪，其中於脫氣下滴下所定量之液晶組成物後，藉由接合前板與背板，可製造液晶顯示元件。本發明之液晶組成物因於ODF步驟中的液晶組成物的滴下為安定地進行，故可較佳地使用。

就使聚合性化合物聚合的方法而言，為了獲得液晶之良好配向性能，適度的聚合速度為所欲的緣故，藉由單一或併用或依序照射紫外線或電子線等之活性能量線而使聚合的方法為較佳。使用紫外線的情形，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，使含有聚合性化合物液晶組成物包夾於2片基板間的狀態下進行聚合的情形，至少照射面側之基板對於活性能量線必須賦與適當透明性。又，光照射時使用光罩而僅使特定部分聚合後，藉由使電場或磁場或溫度等之條件變化，使未聚合部分之配向狀態變化，進一步亦可使用所謂照射活 性能量線而使聚合的手段。尤其，紫外線曝光之際，於含有聚合性化合物之液晶組成物一邊施加交流電場一邊進行紫外線曝光為較佳。施加的交流電場係頻率數10Hz至10kHz之交流為較佳，頻率數60Hz至10kHz為更佳，電壓係依據液晶顯示元件之所欲預傾角(pre-tilt angle)來選取。即，可藉由施加的電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA模式之液晶顯示元件，由配向安定性及對比的觀點，將預傾角控制在80度至89.9度為較佳。

照射時之溫度係於本發明之液晶組成物之液晶狀態被保持的溫度範圍內為較佳。於接近室溫的溫度，即，典型地為15~35℃之溫度下使聚合者為較佳。就使紫外線發生的燈而言，可使用金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，就照射的紫外線之波長而言，照射非液晶組成物之吸收波長域的波長領域的紫外線為較佳，因應必要，切斷紫外線來使用為較佳。照射的紫外線之強度係0.1mW/cm² ~100W/cm² 為較佳，2mW/cm² ~50W/cm² 為更佳。照射的紫外線之能量大小可適宜調整，但10mJ/cm² 至500J/cm² 為較佳，100mJ/cm² 至200J/cm² 為更佳。照射紫外線之際，可使強度變化。照射紫外線的時間係依照射的紫外線強度加以適宜選擇，但10秒至3600秒為較佳，10秒至600秒為更佳。

使用本發明之液晶組成物的液晶顯示元件係有用為使兼具高速反應與抑制顯示不良者，尤其，有用於主動矩陣驅動用液晶顯示元件，可適用於VA模式、 PSVA模式、PSA模式、IPS(面內切換(in-plane switching))模式、FSS(邊界電場切換(fringe field switching))模式或ECB模式用液晶顯示元件。

以下，一邊參照圖式一邊詳細說明本發明之液晶顯示裝置(液晶顯示器)之較佳實施形態。

第1圖係呈現具備彼此對向的二個基板、設於前述基板間之密封材、及封入前述密封材所包圍的密封區域的液晶的液晶顯示元件的剖面圖。

具體而言，係呈現一種液晶顯示元件之具體態樣，其具備於第1基板100上設置TFT層102、畫素電極103，自其上設有鈍化膜(passivation film)104及第1配向膜105的背板，於第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜(外套層(overcoat layer))201、透明電極204，並於其上設有第2配向膜205，與前述背板對向的前板、設於前述基板間的密封材301、及被封入前述密封材所包圍的密封區域的液晶層303，且於前述密封材301所鄰接的基板面設有突起(柱狀間隔物)302、304。

前述第1基板或前述第2基板只要為實質上透明者即可，材質並未特別限制，可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。就塑膠基板而言，可使用纖維素、三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素等之纖維素衍生物；聚環烯烴衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯；聚丙烯、聚乙烯等之聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯化乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯 、聚醚碸、聚芳酯化合物，又可使用玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等之無機-有機複合材料等。

又使用塑膠基板之際，設有障壁膜者為較佳。障壁膜之機能有使塑膠基板所具有的透濕性降低，並提升液晶顯示元件之電氣特性之信賴性。就障壁膜而言，各自為透明性高且水蒸氣透過性小者即可，並未特別限定，一般而言，使用氧化矽等之無機材料而藉由蒸著或噴濺、化學蒸氣沉積法(CVD法)所形成的薄膜。

於本發明，作為前述第1基板或前述第2基板，可使用相同素材，亦可使用相異素材，並未特別限定。若使用玻璃基板，可製作耐熱性或尺寸安定性優異的液晶顯示元件而為較佳。又若為塑膠基板，適合經由卷對卷法(roll-to-roll process)的製造方法且適合輕量化或者柔性化而為較佳。又，若以平坦性及耐熱性的賦與為目的，組合塑膠基板與玻璃基板時可獲得良好的結果。

又於後述之實施例，使用作為第1基板100或第2基板200之材質的基板。

背板係於第1基板100上設有TFT層102及畫素電極103。此等係以通常之陣列步驟被製造。於其上設有鈍化膜104及第1配向膜105而獲得背板。

鈍化膜104(亦稱為無機保護膜)係為用以保護TFT層的膜，通常藉由化學氣相成長(CVD)技術等而形成氮化膜(SiNx)、氧化膜(SiOx)等。

又，第1配向膜105係具有使液晶配向的機能的膜，大多使用如通常聚醯亞胺的高分子材料。塗布液 係可使用包含高分子材料及溶劑的配向劑溶液。配向膜因有抑制與密封材之接著力的可能性，而圖案塗布於密封區域內。塗布係使用柔版印刷法之類的印刷法、噴墨之類的液滴吐出法。經塗布的配向劑溶液係藉由暫時乾燥而溶劑蒸發後，經烘烤而使交聯硬化。之後，為了作出配向機能而進行配向處理。

配向處理係以通常摩擦法來進行。將如前述所形成的高分子膜上，使用如嫘縈的纖維而成的平磨用布，藉由於一方向上摩擦產生液晶配向能力。

又，亦有使用光配向法者。光配向法係於含具有光感受性的有機材料的配向膜上照射偏光，而使配向能力發生的方法，而由摩擦法所致的基板損傷或塵埃的發生不會產生。就光配向法中的有機材料之例而言，有含有二色性染料的材料。就二色性染料而言，可使用具有起因於光二色性的Weigert效果所致的分子配向誘發或異性化反應(例：偶氮苯基)、二聚物化反應(例：桂皮醯基)、光交聯反應(例：二苯甲酮基)，或者光分解反應(例：聚醯亞胺基)之類的產生成為液晶配向能力起源的光反應的基(以下，略稱為光配向性基)。經塗布的配向劑溶液係藉由暫時乾燥而溶劑被蒸發後，照射具有任意偏向的光(偏光)下，可獲得於任意方向具有配向能力的配向膜。

一者之前板係於第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。

黑色矩陣202係以例如，顏料分散法來製作。具體而言，於設有障壁膜201的第2基板200上，塗布使黑色矩陣形成用黑色之著色劑均一分散的彩色樹脂液，而形成著色層。接著，烘烤著色層而硬化。於其上塗布光阻，將其預烘烤。於光阻通過光罩圖案而曝光後，進行顯影而圖案成形著色層。之後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。

或者，亦可使用光阻型之顏料分散液。於此情形，塗布光阻型之顏料分散液，預烘烤後，通過光罩圖案而曝光後，進行顯影而圖案成形著色層。之後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。

彩色濾光片203係以顏料分散法、電沉積法、印刷法或者染色法等作成。以顏料分散法為例時，將使顏料(例如紅色顏料)均一分散的彩色樹脂液塗布於第2基板200上，烘烤硬化後，該上面塗布光阻並加以預烘烤。於光阻通過光罩圖案而曝光後，進行顯影，而圖案成形。之後剝離光阻層，再度烘烤而完成(紅色之)彩色濾光片203。作成的顏色順序並未特別限定。同樣地，形成綠色濾光片203、藍色濾光片203。

透明電極204係設於前述彩色濾光片203上(因應必要，為了表面平坦化，於前述彩色濾光片203上設有外套層(201))。透明電極204係透光率高者為較佳，電阻小者為較佳。透明電極204係藉由噴濺法形成ITO等之氧化膜。

又，以保護前述透明電極204為目的，亦有於 透明電極204之上設有鈍化膜的情形。

第2配向膜205係與前述之第1配向膜105相同。

以上，雖陳述本發明所使用的前述背板及前述前板之具體態樣，但本案並未限於該具體態樣，因應所欲液晶顯示元件的態樣之變更為自由的。

前述柱狀間隔物形狀並未特別限定，其水平剖面可作成圓形、四角形等之多角形等各式各樣形狀，但考慮製程時之排列不當邊際(misaligned margin)，將水平剖面作成圓形或正多角形者為特佳。又該突起形狀係圓錐台或角錐台為較佳。

前述柱狀間隔物之材質只要為不會溶解於密封材或密封材所使用的有機溶劑或者液晶的材質即可，並未特別限定，但由加工及輕量化的面向來看，合成樹脂(硬化性樹脂)為較佳。另一方面，前述突起係可能藉由照相凹版印刷的方法或溶液滴吐出法而設置於第一基板上之密封材所鄰接的面上。由如此理由，使用適合藉由照相凹版印刷的方法或溶液滴吐出法的光硬化性樹脂者為較佳。

以藉由照相凹版印刷法獲得前述柱狀間隔物的情形作為一例加以說明。第2圖係使用於作為光罩圖案之黑色矩陣上形成的柱狀間隔物作成用圖案的曝光處理步驟的圖。

於前述前板之透明電極204上，塗布柱狀間隔物形成用之(不含著色劑)樹脂液。接著，烘烤此樹脂層 402而加以硬化。於其上塗布光阻，將其預烘烤。於光阻通過光罩圖案401而曝光後，進行顯影而將樹脂層加以圖案成形。之後，剝離光阻層，烘烤樹脂層而完成柱狀間隔物(第1圖之302、0304)。

柱狀間隔物之形成位置係可依光罩圖案決定所欲位置。因此，可同時作成液晶顯示元件之密封區域內與密封區域外(密封材塗布部分)兩者。又柱狀間隔物係以不會降低密封區域的品質的方式，使形成位於黑色矩陣上者為較佳。如此藉由照相凹版印刷法所製作的柱狀間隔物有時稱為柱間隔物或光間隔物。

前述間隔物之材質係使用PVA-芪偶氮(stilbazo)感光性樹脂等之負型水溶性樹脂或多官能丙烯酸系單體、丙烯酸共聚物、三唑系起始劑等之混合物。或者亦有使用使著色劑分散於聚醯亞胺樹脂的彩色樹脂的方法。於本發明並未特別限定，可依據與使用的液晶或密封材之相性而以周知材質來獲得間隔物。

如此，於前板上之成為密封區域的面上設置柱狀間隔物後，於該背板之密封材所鄰接的面上塗布密封材(第1圖中的301)。

密封材之材質並未特別限定，可使用於環氧系或丙烯酸系之光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性之樹脂中添加聚合起始劑的硬化性樹脂組成物。又，為了控制透濕性或彈性模數、黏度等，有時添加由無機物或有機物而成的填充劑類。此等填充劑類之形狀並未特別限定，有球形、纖維狀、無定形等。此外，為了良好 地控制晶胞間隙，可混合具有單分散徑的球形或纖維狀之間隔材，為了更強化與基板之接著力，亦可混合容易與基板上突起纏繞的纖維狀物質。此時使用的纖維狀物質之直徑為晶胞間隙之1/5~1/10以下左右為所欲的，纖維狀物質之長度較密封塗布寬更短者為所欲的。

又，纖維狀物質之材質只要可獲得指定形狀者即可，並未特別限定，可適宜地選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等之合成纖維或玻璃、碳等之無機材料。

就塗布密封材的方法而言，有印刷法或分配法，但以密封材之使用量為少的分配法為較佳。密封材塗布位置係以對密封區域無不良影響的方式，通常作成於黑色矩陣上。為了形成下一步驟之液晶滴下區域(以液晶不會漏的方式)，密封材塗布形狀係作成封閉迴路形狀。

於塗布前述密封材的前板之閉迴路形狀(密封區域)中滴入液晶。通常使用分配器。滴下的液晶量為了使與液晶胞容積一致，將與柱狀間隔物之高度和密封塗布面積之乘積的體積為同量作為基本。然而，為了於液晶胞貼合的步驟中的液晶滲漏或顯示特性的最適化，可適宜調整滴下的液晶量，亦或使液晶滴下位置分散。

其次，於塗布前述密封材並滴下液晶的前板，使與背板貼合。具體而言，於具有使如靜電夾具(electrostatic chuck)之使基板吸附的機構的台上使前述前板與前述背板吸附，使前板之第2配向膜與背板之第1配向膜對向，配置於密封材與另一方的基板未鄰接的位 置(距離)。以此狀態下將系統內減壓。減壓結束後，一邊確認前板與背板之貼合位置，一邊調整兩基板位置(校準操作)。貼合位置的調整結束時，使基板接近至前板上之密封材與背板鄰接的位置。於此狀態下於系統內填充惰性氣體，一邊緩緩地開放減壓一邊回到常壓。此時，藉由大氣壓使前板與背板貼合，並於柱狀間隔物之高度位置而使晶胞間隙形成。於此狀態下對密封材照射紫外線並藉由硬化密封材來形成液晶胞。之後，依場合加入加熱步驟，並促進密封材硬化。為了密封材之接著力強化或電氣特性信賴性之提升，大多會加上加熱步驟。

[實施例]

以下列舉實施例以進一步詳述本發明，但本發明並未限定於此等之實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中的「%」意指『質量%』。

實施例中，測定的特性係如下所示。

Tni：向列型相-各向同性液體相轉移溫度(℃)

△n：298K中的折射率各向異性(別名：雙折射率)

△ε：298K中的介電各向異性

η：293K中的黏度(mPa‧s)

γ1：298K中的回轉黏性(mPa‧s)

初期電壓保持率(初期VHR)：頻率數60Hz，施加電壓4V之條件下之323K中的電壓保持率(%)

加熱後電壓保持率(加熱後之VHR)：423K之環境下保持1小時後，於與初期VHR相同條件下測定的電壓保持率(%)

<殘影評價>

液晶顯示元件之殘影評價係於顯示區域內使指定固定圖案顯示1176小時後，進行全畫面均一的顯示時之固定圖案的殘影程度於目視以下列4階段評價來進行。

◎：無殘影。

○：僅僅有殘影，為可容許的程度。

△：有殘影，且為無法容許的程度。

×：有殘影，且相當差。

<揮發性(製造裝置污染性)之評價>

液晶材料之揮發性評價係以閃頻儀(stroboscope)照射真空攪拌脫泡混合器之運轉狀態一邊觀察，藉由目視液晶材料之發泡觀察來進行。具體而言，於容量2.0L之真空攪拌脫泡混合器之專用容器中置入液晶組成物0.8kg，於4kPa之脫氣下，以公轉速度15S^-1 、自轉速度7.5S^-1 ，運轉真空攪拌脫泡混合器，依據至開始發泡的時間，以下列4階段評價來進行。

◎：至發泡需要2分鐘以上。由於揮發污染裝置的可能性低。

○：至發泡要1分鐘以上且小於2分鐘。有由於揮發輕微污染裝置的疑慮。

△：至發泡要30秒以上且小於1分鐘。由於揮發引起裝置汚染。

×：至發泡為30秒以內。有由於揮發而重大污染裝 置的疑慮。

<製程適合性之評價>

製程適合性係於ODF製程，使用定積計量泵，每1次各滴加50pL液晶並進行100000次，如下之「0~100次、101~200次、201~300次、‧‧‧‧99901~100000次」之各100次滴下的液晶量變化以下列4階段來評價。

◎：變化極小(可安定地製造液晶顯示元件)

○：僅僅有變化亦為可容許的程度

△：有變化且為無法容許的程度(由於不均發生而良率會惡化)

×：有變化且相當差(液晶漏或真空氣泡會發生)<低溫中的溶解性評價>

低溫之溶解性評價係調製液晶組成物後，於1mL之樣品瓶中秤量0.5g液晶組成物，其於溫度控制式試驗槽中，接著繼續給予1循環「-25℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→25℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→-25℃」之持續溫度變化，以目視觀察由液晶組成物之析出物之發生，以下列4階段進行評價。

◎：500小時以上未觀察到析出物。

○：300小時以上未觀察到析出物。

△：100小時以內觀察到析出物。

×：50小時以內觀察到析出物。

[實施例1、比較例1~2]

調製使用以下所示化學式所表示的化合物的組成物，測定其物性。其結果示於表1。

表1之各式數值係呈示各組成物所含的各化合物比率(單位：質量%)。

比較例1係將實施例1之液晶組成物所含通式(ii)所表示的化合物(式(39.1)及式(39.2)所表示的化合物)置換為式(41.1)及式(41.2)所表示的化合物的液晶組成物。

比較實施例1與比較例1之物性值時，雖然具有同等Tni，除去通式(ii)所表示的化合物時，黏度η會上升。從而，實施例1之組成物黏度η低，用於液晶元件的情形會獲得高速反應性。

比較例2係將實施例1之液晶組成物所含的通式(i)所表示的化合物(式(44.1)及式(44.2)所表示的化合物)置換為式(REF1)及式(REF2)所表示的化合物的液晶組成物。

比較實施例1與比較例2之物性值時，雖然具有同等Tni，除去通式(i)所表示的化合物時，黏度η會上升。從而，實施例1之組成物黏度η低，用於液晶元件的情形會獲得高速反應性。

[實施例2~5]

調製使用以下所示化學式所表示的化合物的組成物，測定其物性。其結果示於表2。

表2之各式之數值表示各組成物所含的各化合物的比率(單位：質量%)。

實施例2~5之液晶組成物之初期VHR、加熱後(423K、1小時)之VHR、殘影評價、揮發性之評價、製程適合性之評價及低溫中的溶解性評價記載於表3。

[實施例6~9]

調製使用以下所示化學式所表示的化合物的組成物，測定其物性。其結果示於表4。

表4之各式之數值表示各組成物所含的各化合物之比率(單位：質量%)。

實施例6~9之液晶組成物之初期VHR、加熱後(423K、1時間)之VHR、殘影評價、揮發性之評價、製程適合性之評價及低溫中的溶解性之評價記載於表5。

以上說明的各實施態樣中的各構成及彼等之組合等為一例，於不脫離本發明之旨趣的範圍內，構成之附加、省略、置換、及其他變更為可能的。又，本發明並未受限於各實施態樣，僅受限於申請專利範圍之範圍。

[產業上之可利用性]

本發明之液晶組成物可廣泛地適用於液晶顯示元件及液晶顯示器的領域。

Claims (12)

1. 一種液晶組成物，其含有下述通式(i)所表示的化合物中之任1種或2種以上，及下述通式(ii)所表示的化合物中之任1種或2種以上，及下述通式(M')所表示的化合物中之任1種或2種以上， (式中，R^11a 及R^21a 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中之1個或2個以上之氫原子可被氟原子或氯原子取代，X^11a 、X^12a 、X^13a 、X^14a 及X^21a 各自獨立表示為氫原子或氟原子，A^21a 、A^22a 及A^23a 各自獨立表示為反式-1,4-伸環己基或氫原子可被氟原子或氯原子取代的1,4-伸苯基)； (該式(M')中，R^M1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代， PM表示1，C^M1 表示1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-或-S-)，C^M2 表示選自下列組成之群組之基：(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)，上述之基(d)、基(e)各自獨立可被氰基、氟原子或氯原子取代，K^M1 及K^M2 表示單鍵，X^M1 及X^M3 各自獨立表示氫原子、氯原子或氟原子，X^M2 表示三氟甲氧基)。
2. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中該通式(i)中的X^11a 及X^12a 為氫原子。
3. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中該通式(i)中的X^13a 為氟原子。
4. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中該通式(i)中的X^14a 為氟原子。
5. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中該通式(ii)中的A^23a 為1,4-伸苯基，與該伸苯基鍵結的2個氫原子係被氟原子取代。
6. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中該通式(ii)中的X^21a 為氫原子。
7. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中該通式(ii)所表示的化合物係下述式(39.2)所表示的化合物，
8. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其含有下述通式(L)所表示的化合物， (式中，R^L1 及R^L2 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1 、B^L2 及B^L3 各自獨立表示為選自下列組成之群組之基：(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)，上述之基(a)、基(b)中之1個及/或2個以上之氫原子各自獨立可被氰基、氟原子或氯原子取代，L^L1 及L^L2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-， OL為2或3且L^L2 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，OL為2或3且B^L3 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異)。
9. 如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其進一步含有下述通式(M)所表示的化合物， (式中，R^M1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1 及C^M2 各自獨立表示為選自下列組成之群組之基：(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)，上述之基(d)、基(e)中之1個及/或2個以上之氫原子各自獨立可被氰基、氟原子或氯原子取代、K^M1 及K^M2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，PM為2、3或4且K^M1 存有複數個的情形，彼等可相同亦可相異，PM為2、3或4且C^M2 存有複數個的情形， 彼等可相同亦可相異，X^M1 及X^M3 各自獨立表示為氫原子、氯原子或氟原子，X^M2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，上述之通式(M')所表示的化合物、通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外)。
10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之液晶組成物，其進一步含有下述式(1.3)所表示的化合物，
11. 一種液晶顯示元件，其使用如申請專利範圍第1項之液晶組成物。
12. 一種IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式、VA-IPS模式或FFS模式用液晶顯示元件，其使用如申請專利範圍第1項之液晶組成物。