TWI495711B - 液晶組成物及使用其之液晶顯示元件 - Google Patents

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液晶組成物及使用其之液晶顯示元件
本發明關於適用作為液晶顯示材料之介電常數各向異性(△ε)顯示正值的向列液晶組成物及使用其之液晶顯示元件。
液晶顯示元件係以鐘錶、桌上型電子計算機為代表，使用於各種測定機器、汽車用面板、文字處理機、電子筆記本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式，於其代表者中，有TN(扭曲向列)型、STN(超扭曲向列)型、使用TFT(薄膜電晶體)之VA(垂直配向)型或IPS(橫向電場切換)型等。此等液晶顯示元件中所用的液晶組成物，係要求對水分、空氣、熱、光等之外在因素呈現安定，而且在以室溫為中心的盡可能寬廣之溫度範圍中顯示液晶相，為低黏性，且驅動電壓低。再者，為了使對於各個顯示元件最合適的介電常數各向異性(△ε)或折射率各向異性(△n)等成為最適值，液晶組成物係由數種類至數十種類的化合物所構成。
於垂直配向(VA)型顯示器中，使用△ε為負的液晶組成物，於TN型、STN型或IPS(橫向電場切換)型等之水平配向型顯示器中，使用△ε為正的液晶組成物。又，亦有報告於電壓無外加時，使△ε為正的液晶組成物垂直地配向，藉由外加橫電場而顯示之驅動方式，△ε為正的液晶組成物之必要性係進一步升高。另一方面，於全部的驅動方式中，要求低電壓驅動、快速反應、寬廣的動作溫度範圍。即，要求△ε為正且絕對值大，黏度(η)小，高的向列相-各向同性液體相轉變溫度(Tni)。另外，為了將△n與液晶層間隙(cell gap)(d)之乘積的△n×d設定在規定值，必須使液晶組成物的△n與液晶層間隙一致，調節至適當的範圍。此外，於將液晶顯示元件應用於電視等時，由於重視高速反應性，而要求旋轉黏性(γ1 )小之液晶組成物。
於以高速反應性為意向之液晶組成物的構成中，例如有揭示組合△ε為正的液晶化合物之下述式(A-1)或下述式(A-2)所示的化合物及△ε為中性的液晶化合物之下述式(B)所示的化合物而使用之液晶組成物。此等液晶組成物之特徵係△ε為正的液晶化合物具有-CF2 O-構造，及△ε為中性的液晶化合物具有烯基。此等特徵係在此液晶組成物的領域中所廣泛已知(參照專利文獻1~4)。
另一方面，液晶顯示元件之用途係擴大，在其使用方法、製造方法亦看到大幅變化。為了對應於此等之變化，要求將如習知的基本物性值以外之特性最合適化。即，使用液晶組成物的液晶顯示元件係廣泛使用VA型或IPS型等，其大小為50型以上的超大型尺寸之顯示元件亦達到實用化而使用。隨著基板尺寸之大型化，液晶組成物對基板的注入方法亦從以往的真空注入法變成以滴下注入(ODF：One Drop Fill)法成為注入方法之主流。然而，將液晶組成物滴下至基板時，滴下痕跡導致顯示品質的降低之問題係浮現。再者，於ODF法的液晶顯示元件之製程中，必須按照液晶顯示元件的尺寸來滴下最適量的液晶。滴下量的偏移若離最適值大，則預先設計的液晶顯示元件之折射率或驅動電場之平衡會崩潰，發生斑或對比不良等之顯示不良。特別地，最近流行之智慧型手機中所多用的小型液晶顯示元件，由於最合適的液晶滴下量為少量，本身係困難將與最適值的偏移控制在一定範圍內。因此，為了維持高的液晶顯示 元件之製造良率，於液晶組成物中，例如必須受到來自液晶滴下時所發生的滴下裝置內之急劇壓力變化或衝撃之影響少，可長時間安定地連續滴下。
如此地，於以TFT元件等驅動的主動矩陣驅動液晶顯示元件所使用之液晶組成物中，要求一邊維持高速反應性能等之作為液晶顯示元件所要求的特性或性能，一邊除了以往重視的高比電阻值、高電壓保持率、對於光或熱等之外在刺激的安定性之特性，還考慮液晶顯示元件之製造方法之開發。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 特開2008-037918號公報
專利文獻2 特開2008-038018號公報
專利文獻3 特開2010-275390號公報
專利文獻4 特開2011-052120號公報
本發明所欲解決之問題在於提供具有寬廣溫度範圍的液晶相，黏性小，低溫下的溶解性良好，比電阻或電壓保持率高，對於熱或光呈現安定，不易發生烙印或滴下痕跡等之顯示不良，可高良率地製造顯示品質優異的液晶顯示元件之△ε為正的液晶組成物，以及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。
本發明者檢討各種的液晶化合物及各種的化學物質，發現藉由組合特定的液晶化合物，可解決前述問題，終於完成本發明。即，本發明的第一態樣係以下的液晶組成物，本發明的第二態樣係以下的液晶元件。
[1]一種液晶組成物，其含有1種或2種以上的下述通式(i)所示的化合物，含有1種或2種以上的下述通式(ii)所示的化合物，
(式中，Ri1 、Ri2 及Rii1 各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，mii1 表示1或2，Xi1 ~Xi6 各自獨立地表示氫原子或氟原子，但至少1個表示氟原子，Xii1 及Xii2 各自獨立地表示氫原子、氟原子或氯原子)。
[2]如前述[1]記載之液晶組成物，其中前述通式(ii)之Xii1 及Xii2 中的至少1個為氟原子。
[3]如前述[1]或[2]記載之液晶組成物，其中作為前述通式(i)所示的化合物，含有至少1種的Ri1 與Ri2 為相異之取代基的化合物。
[4]如前述[1]~[3]中任一項記載之液晶組成物，其含有前述通式(ii)之Rii1 為乙基的化合物及丙基的化合物。
[5]如前述[1]~[4]中任一項記載之液晶組成物，其含有下述通式(L)所示的化合物，
(式中，RL1 及RL2 各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，BL1 、BL2 及BL3 各自獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH2 -或未鄰接的2個以上之-CH2 -可被取代成-O-)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代成-N=)所組成之群組中的基，上述之基(a)、基(b)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，LL1 及LL2 各自獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-OCF2 -、-CF2 O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當OL為2或3且LL2 係複數存在時，彼等可相同或相異，當OL為2或3且BL3 係複數存在時，彼等可相同或相異；惟，通式(i)所示的化合物除外)。
[6]如前述[1]~[5]中任一項記載之液晶組成物，其含有下述通式(M)所示的化合物，
(式中，RM1 表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，CM1 及CM2 各自獨立地表示選自由(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH2 -或未鄰接的2個以上之-CH2 -可被取代成-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代成-N=)所組成之群組中的基，上述之基(d)、基(e)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，KM1 及KM2 各自獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，當PM為2、3或4且KM1 係複數存在時，彼等可相同或相異，當PM為2、3或4且CM2 係複數存在時，彼等可相同或相異，XM1 及XM3 各自獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子， XM2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(ii)所示的化合物除外)。
[7]一種液晶顯示元件，其使用如前述[1]~[6]中任一項記載之液晶組成物。
[8]一種IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式或FFS模式用液晶顯示元件，其使用如前述[1]~[6]中任一項記載之液晶組成物。
[9]一種液晶顯示器，其使用如前述[7]或[8]記載之液晶顯示元件。
本發明之具有正的介電常數各向異性之液晶組成物，係具有比以往還低的黏性，低溫下的溶解性良好，其比電阻或電壓保持率係因熱或光所致的變化程度小。因此，本發明的液晶組成物對於液晶製品的實用性(適用性)高，使用前述液晶組成物的IPS型或FFS型等之液晶顯示元件係可達成高速反應。又，由於即使經過液晶顯示元件的製程後，本發明的液晶組成物也可安定地發揮其性能，可抑制起因於製程所造成的顯示不良，可高良率地製造液晶顯示元件，故非常有用。
100‧‧‧第1基板
102‧‧‧TFT層
103‧‧‧畫素電極
104‧‧‧鈍化膜
105‧‧‧第1配向膜
200‧‧‧第2基板
201‧‧‧平坦化膜(罩面層)
202‧‧‧黑色矩陣
203‧‧‧彩色濾光片
204‧‧‧透明電極
205‧‧‧第2配向膜
301‧‧‧密封材
302‧‧‧突起(柱狀間隔物)
303‧‧‧液晶層
304‧‧‧突起(柱狀間隔物)
401‧‧‧遮罩圖案
402‧‧‧樹脂層
L‧‧‧光
第1圖係本發明的液晶顯示元件之截面圖。將具備100~105的基板稱為「背板」，將具備200~205的基板稱為「前板」。
第2圖係使用在黑色矩陣上形成的柱狀間隔物作成用圖案作為光罩圖案之曝光處理步驟之圖。
 [實施發明的形態]
以下的組成物中之「%」只要沒有特別明示，則意味『質量%』。
本案發明的液晶組成物係含有1種或2種以上的下述通式(i)所示的化合物，且含有1種或2種以上的下述通式(ii)所示的化合物。
(式中，Ri1 、Ri2 及Rii1 各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，mii1 表示1或2，Xi1 ~Xi6 各自獨立地表示氫原子或氟原子，但至少1個表示氟原子，Xii1 及Xii2 各自獨立地表示氫原子、氟原子或氯原子)。
<通式(i)所示的化合物>
前述通式(i)中，Ri1 及Ri2 各自獨立地較佳為碳原子數1~8的烷基或碳原子數2~8的直鏈之烯基，碳原子數2~5的直鏈之烷基或碳原子數2~5的直鏈之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、戊基或下述之構造。
(式中，以右端鍵結於環構造)。
當重視反應速度的改善時，較佳為烯基，當重視成為液晶組成物時的電壓保持率等之可靠性時，較佳為烷基。
又，作為前述通式(i)所示的化合物，較佳為含有至少1種的Ri1 與Ri2 為相異的取代基之化合物。
通式(i)中，Xi1 ~Xi6 各自獨立地表示氫原子或氟原子。通式(i)所示的化合物較佳為由通式(IV)所示的群中選出。
(式中，R41 及R42 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基，X41 及X42 各自獨立地表示氫原子或氟原子)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的另一實施形態中為3種類。再者，於本發明的另一實施形態中為4種類。再者，於本發明的另一實施形態中為5種類。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類以上。
前述通式(i)之Xi1 ~Xi6 中的至少1個較佳為氟原子，通式(IV)所示的化合物例如較佳為由通式(IV-1)所示的化合物群中選出。
(式中，R43 、R44 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基)。
通式(i)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，下限值較佳為1%，較佳為2%，較佳為5%，較佳為8%，較佳為10%，上限值較佳為20%，較佳為18%，較佳為15%，較佳為13%，較佳為8%，較佳為5%，當僅使用1種時，下限值較佳為1%，較佳為2%，上限值較佳為10%，較佳為8%，較佳為5%，當使用2種以上時，其合計含量的下限值較佳為5%，較佳為8%，較佳為10%，上限值較佳為20%，較佳為18%，較佳為15%，較佳為13%。當重視液晶組成物的溶解性時，較佳為使用2種，當含量增加時，較佳為使用2種或3種。相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量例如於一個實施形態中為1~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~10質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~8質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~5質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為8~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~18質量%。 再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~13質量%。
再者，通式(i)所示的化合物，例如較佳為式(i-1)至式(i-9)所示的化合物。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但較佳為含有此等化合物之中的1種~3種類。又，由於改變所選擇的化合物之側鏈係亦有效於溶解性，故例如較佳為選擇式(i-1)或(i-2)所示的化合物中之1種類、式(i-4)或(i-5)所示的化合物中之1種類、式(i-6)或式(i-7) 所示的化合物中之1種類、式(i-8)或(i-9)所示的化合物中之1種類的化合物，適宜組合此等。其中，較佳為含有式(i-1)、式(i-4)及式(i-6)所示的化合物。
又，當僅含有1種時，較佳為選擇式(i-4)所示的化合物，當含有2種時，較佳為選擇式(i-1)及(i-6)所示的化合物，當含有3種時，較佳為選擇式(i-1)、(i-4)及(i-6)所示的化合物。
再者，通式(IV-2)所示的化合物，例如較佳為式(i-10)至式(i-17)所示的化合物，其中較佳為式(i-11)所示的化合物。
作為液晶組成物之成分，由於所選擇的化合物之分子量分布廣係亦有效於溶解性，故例如較佳為分 別選擇式(i-10)或(i-11)所示的化合物中之1種類、式(i-12)或(i-13)所示的化合物中之1種類、式(i-14)或式(i-15)所示的化合物中之1種類、式(i-16)或(i-17)所示的化合物中之1種類的化合物，適宜組合此等。
於本發明的液晶組成物中，式(i-13)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上25質量%以下，更佳為5質量%以上20質量%以下，尤佳為5質量%以上15質量%以下，特佳為7質量%以上10質量%以下。
本發明的組成物係可僅含有上述式(i-1)~(i-9)所示的化合物中之1種類，也可含有2種類以上，較佳為按照所要求的折射率各向異性或室溫及冰點下的溶解性來適宜組合。
溶解性必須注意受到化合物兩端的烷基之構造所影響。較佳為其中至少一者為乙基之化合物，較佳為式(i-1)~(i-2)、式(i-4)~(i-7)所示的化合物。相對於本發明的組成物之總質量，較佳為含有1質量%以上15質量%以下的由式(i-1)及式(i-2)所示的化合物中選出之化合物，較佳為含有3質量%以上10質量%以下；相對於本發明的組成物之總質量，較佳為含有1質量%以上15質量%以下的由式(i-4)及式(i-5)所示的化合物中選出之化合物，較佳為含有3質量%以上10質量%以下；相對於本發明的組成物之總質量，較佳為含有1質量%以上15質量%以下的由式(i-6)及式(i-7)所示的化合物中選出 之化合物，較佳為含有3質量%以上10質量%以下，較佳為同時含有式(i-4)所示的化合物及式(i-6)所示的化合物，當時彼等之合計含有率，相對於本發明的組成物之總質量，較佳為含有5質量%以上20質量%以下，較佳為同時含有式(i-1)所示的化合物及式(i-6)所示的化合物，當時彼等之合計含有率，相對於本發明的組成物之總質量，較佳為含有5質量%以上20質量%以下，較佳為同時含有式(i-1)所示的化合物、式(i-4)所示的化合物及式(i-6)所示的化合物，當時彼等之合計含有率，相對於本發明的組成物之總質量，較佳為含有10質量%以上20質量%以下。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但較佳為含有此等化合物之中的1種~5種，更佳為含有1種~4種，特佳為含有1種~3種。又，由於所選擇的化合物之分子量分布廣係亦有效於溶解性，故例如較佳為選擇式(i-1)及式(i-2)所示的化合物中之1種類、式(i-4)及式(i-5)所示的化合物中之1種類、式(i-6)及式(i-7)所示的化合物中之1種類的化合物，適宜組合此等。
相對於組成物全量，通式(i)所示的化合物之含量較佳為3質量%以上30質量%以下，較佳為3質量%以上25質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下。
<通式(ii)所示的化合物>
前述通式(ii)中，Rii1 較佳為碳原子數1~8的烷基或碳原子數1~8的直鏈之烯基，較佳為碳原子數2~5 的直鏈之烷基或碳原子數2~5的直鏈之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、戊基或下述之構造
(式中，以右端鍵結於環構造)，較佳為乙基或丙基。
當重視反應速度的改善時，較佳為烯基，當重視成為液晶組成物時的電壓保持率等之可靠性時，較佳為烷基。
前述通式(ii)中，mii1 為1或2。
Xii1 及Xii2 各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，較佳為Xii1 及Xii2 中的至少1個為氟原子。
前述通式(ii)所示的化合物較佳為下述通式所示的化合物。
(式中，Rii1 表示與前述通式(ii)中的Rii1 相同的意思，Xii1 及Xii2 表示與前述通式(ii)中的Xii1 相同的意思)。
(式中，Rii1 表示與前述通式(ii)中的Rii1 相同的意思，Xii1 及Xii2 表示與前述通式(ii)中的Xii1 相同的意思)。
作為前述通式(ii-1)所示的化合物，可舉出以下的化合物。
作為前述通式(ii-2)所示的化合物，可舉出以下的化合物。
於前述化合物之中，較佳為式(ii-1.9)、(ii-1.10)、(ii-1.17)、(ii-1.18)、(ii-2.1)、(ii-2.2)、(ii-2.5)、(ii-2.6)、(ii-2.9)及(ii-2.10)所示的化合物，較佳為式(ii-1.10)、(ii-2.1)、(ii-2.2)、(ii-2.5)及(ii-2.6)所示的化合物。
於本發明的組成物中，前述通式(ii)所示的化合物係可單獨使用，但當重視與其它化合物之相溶性時，使用2種以上者為更佳。較佳使用2種以上、5種以下的通式(ii-1)所示的化合物，較佳使用2種以上、5種以下的通式(ii-2)所示的化合物，亦較佳為併用通式(ii-1)所示的化合物及通式(ii-2)所示的化合物。
通式(ii)所示的化合物之含量，相對於本發明的組成物之總質量，下限值較佳為1%，較佳為3%，較佳為5%，較佳為7%，較佳為9%，較佳為10%，較佳為12%，上限值較佳為25%，較佳為20%，較佳為18%，較佳為17%。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但較佳為含有此等化合物之中的1種~4種，更佳為含有1種~3種。又，具有此等構造的化合物係必須注意溶解度來調整含量。當重視液晶組成物的低溫安定性(在低溫時液晶組成物不發生析出等)時，較佳為使用2種或3種。
作為特佳的組合，較佳為組合前述通式(ii)中的Rii1 為乙基之化合物與丙基之化合物，較佳為組合式(ii-2.5)所示的化合物與式(ii-2.6)所示的化合物，較佳為組合式(ii-2.1)所示的化合物與式(ii-2.6)所示的化合 物，較佳為組合式(ii-2.5)所示的化合物與式(ii-2.6)所示的化合物和式(ii-2.2)所示的化合物。
相對於本發明的組成物之總質量，通式(ii-2)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上40質量%以下，更佳為3質量%以上30質量%以下，更佳為5質量%以上25質量%以下，更佳為5質量%以上20質量%以下。
前述化合物之含量係於一個實施形態中為1~25質量%，於另一實施形態中為2~20質量%，於更另一實施形態中為4~18質量%、6~18質量%、8~18質量%、10~18質量%、12~18質量%
本發明的液晶組成物亦可含有通式(L)所示的化合物中之任1種類或2種類以上。
通式(i)所示的化合物及通式(ii)所示的化合物較佳為合計使用4種或5種。當組合使用時，較佳為式(i-1)、(i-6)、(ii-2.5)及(ii-2.6)所示的化合物之組合，較佳為式(i-4)、(ii-2.2)、(ii-2.5)及(ii-2.6)所示的化合物之組合，較佳為式(i-1)、(i-4)、(i-6)、(ii-2.1)及(ii-2.6)所示的化合物之組合。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，通式(i)所示的化合物及通式(ii)所示的化合物之含量係下限值較佳為5%，較佳為8%，較佳為10%，較佳為12%，尤更佳為14%，上限值較佳為40%，較佳為35%，較佳為30%。
(式中，RL1 及RL2 各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，BL1 、BL2 及BL3 各自獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH2 -或未鄰接的2個以上之-CH2 -可被取代成-O-)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代成-N=)所組成之群組中的基，上述之基(a)、基(b)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，LL1 及LL2 各自獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-OCF2 -、-CF2 O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當OL為2或3且LL2 係複數存在時，彼等可相同或相異，當OL為2或3且BL3 係複數存在時，彼等可相同或相異；惟，通式(i)所示的化合物除外)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能，適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的另一實施形態中為3種類。再者，於本發明的另 一實施形態中為4種類。再者，於本發明的另一實施形態中為5種類。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類。再者，於本發明的另一實施形態中為7種類。再者，於本發明的另一實施形態中為8種類。再者，於本發明的另一實施形態中為9種類。再者，於本發明的另一實施形態中為10種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(L)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為1~95質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~95質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為40~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為50~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為55~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為60~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為65~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為70~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為75~95質量%。再者，於本發明的一實施形態中，前述含量為80~95質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為1~95%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~85%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~75%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~65%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~55%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~45%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~35%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~25%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低、需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為上述的下限值高且上限值高者。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為上述的下限值高且上限值高者。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為降低上述的下限值且上限值低者。
RL1 及RL2 ，當其所鍵結的環構造為苯基(芳香族)時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及碳原子數4~5的烯基，當其所鍵結的環構造為環己烷、哌喃及二烷等之飽和環構造時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5的烯基。
於要求液晶組成物的化學安定性時，通式(L)所示的化合物較佳為在其分子內沒有氯原子。
通式(L)所示的化合物例如較佳為由通式(I)所示的化合物群中選出之化合物。
R11 -A11 -A12 -R12 (1)
(式中，R11 及R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基，A11 及A12 各自獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能，適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的另一實施形態中為3種類。再者，於本發明的另一實施形態中為4種類。再者，於本發明之另一實施形態中為5種類以上。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(I)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~75質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量 為15~75質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為18~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為29~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為42~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為47~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為53~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為56~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為60~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為65~75質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述含量例如於本發明的一個形態中為3~75質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~65質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~55質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~50質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~45質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~35質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~30質量%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為上述的下限值高且上限值高者。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni 保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為上述的下限值是中庸且上限值是中庸者。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為降低上述的下限值且上限值低者。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-1)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R11 及R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能，適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的另一實施形態中為3種類。再者，於本發明的另一實施形態中為4種類。再者，於本發明的另一實施形態中為5種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(I-1)所示的化合物之含量。必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中，前述含量為3~70質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~70質量%。又，於本發明的另一實施形 態中，前述含量為18~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為25~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為29~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為31~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為43~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為47~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為50~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為53~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為56~70質量%。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中，前述含量為3~70質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~45質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~35質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~26質量%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為上述的下限值高且上限值高者。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni 保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為上述的下限值是中庸且上限值是中庸者。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為降低上述的下限值且上限值低者。
再者，通式(I-1)所示的化合物較佳為由通式(I-1-1)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~5的烷氧基)。
於本發明的液晶組成物中，通式(I-1-1)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為2~60質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為11~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為13~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為17~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量 為25~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為32~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~60質量%。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為2~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~35質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~25質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~15質量%。
再者，通式(I-1-1)所示的化合物較佳為由式(1.1)至式(1.3)所示的化合物群中選出之化合物，較佳為式(1.2)或式(1.3)所示的化合物，較佳為式(1.3)所示的化合物。
式(1.2)或式(1.3)所示的化合物當各自單獨使用時，式(1.2)所示的化合物之含量高者係有效於反應速度之改善，式(1.3)所示的化合物之含量為下述所示的 範圍係可形成反應速度快、電子、光學地可靠性高之液晶組成物而較佳。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有5質量%以上35質量%以下的式(1.3)所示的化合物，更佳含有7質量%以上25質量%以下，尤佳含有8質量%以上20質量%以下。
再者，通式(I-1)所示的化合物較佳為由通式(I-1-2)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能，適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的又一實施形態中為3種類。
於本發明的液晶組成物中，通式(I-1-2)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為7~60質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量 為15~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為18~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為21~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為24~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為27~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為34~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為37~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為41~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為47~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為50~60質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為7~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~55質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~45質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~35質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~25質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~20質量%。
再者，通式(I-1-2)所示的化合物較佳為由式(2.1)至式(2.4)所示的化合物群中選出之化合物，較佳為式(2.2)至式(2.4)所示的化合物。特別地，式(2.2)所示的化合物由於特別改善本發明的液晶組成物之反應速度而較佳。又，於要求高的Tni更勝於反應速度時，較佳為使用式(2.3)或式(2.4)所示的化合物。式(2.3)及式(2.4)所示的化合物之含量，為了使低溫下的溶解度成為良好，較不佳為20%以上。
於本發明的液晶組成物中，式(2.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上55質量%以下。作為前述含量的更佳例，可舉出10質量%以上50質量%以下、14質量%以上47質量%以下、17質量%以上47質量%以下、19質量%以上47質量%以下、22質量%以上47質量%以下、25質量%以上47質量%以下、27質量%以上47質量%以下、30質量%以上47質量%以下。
於本發明的液晶組成物中，式(2.3)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上55質量%以下，更佳為10質量%以上45質量%以下，更佳為10質量%以上35質量%以下，更 佳為10質量%以上30質量%以下，尤佳為10質量%以上25質量%以下，尤佳為15質量%以上25質量%以下，特佳為17質量%以上22質量%以下。
於本發明的液晶組成物中，式(2.4)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上55質量%以下，更佳為3質量%以上45質量%以下，更佳為3質量%以上35質量%以下，更佳為3質量%以上25質量%以下，尤佳為3質量%以上15質量%以下，尤佳為5質量%以上12質量%以下，尤佳為5質量%以上10質量%以下，特佳為6質量%以上8質量%以下。
本案發明的液晶組成物亦可更含有具有與通式(I-1-2)所示的化合物類似之構造的式(2.5)所示的化合物。
較佳為按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整式(2.5)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量而言，較佳為含有11質量%以上的此化合物，更佳為含有15質量%，更佳為含有23質量%，尤佳為含有26質量%以上，特佳為含有28質量%以上。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-2)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R13 及R14 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的另一實施形態中為3種類。
於本發明的液晶組成物中，通式(I-2)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~60質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為25~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為38~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為40~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為42~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為45~60質量%。再者，於本發明的另一實施 形態中，前述含量為47~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為50~60質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為3~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~55質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~45質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~5質量%。
再者，通式(I-2)所示的化合物較佳為由式(3.1)至式(3.4)所示的化合物群中選出之化合物，較佳為式(3.1)、式(3.3)或式(3.4)所示的化合物。特別地，式(3.2)所示的化合物由於特別改善本發明的液晶組成物的反應速度而較佳。又，於要求高的Tni更勝於反應速度時，較佳為使用式(3.3)或式(3.4)所示的化合物。式(3.3)及式(3.4)所示的化合物之含量，為了使低溫下的溶解度成為良好，較不佳為20%以上。
再者，通式(I-2)所示的化合物較佳為由式(3.1)至式(3.4)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，式(3.3)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上40質量%以下。更佳的含量，例如可舉出3質量%以上40質量%以下、4質量%以上40質量%以下、10質量%以上40質量%以下、12質量%以上40質量%以下、14質量%以上40質量%以下、16質量%以上40質量%以下、20質量%以上40質量%以下、23質量%以上40質量%以下、26質量%以上40質量%以下、30質量%以上40質量%以下、34質量%以上40質量%以下、37質量%以上40質量%以下，或，3質量%以上4質量%以下、3質量%以上10質量%以下、3質量%以上12質量%以下、3質量%以上14質量%以下、3質量%以上16質量%以下、3質量%以上20質量%以下、3質量%以上23質量%以下、3質量%以上26質量%以下、3質量%以上30質量%以下、3質量%以上34質量%以下、3質量%以上37質量%以下。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-3)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R13 表示碳原子數1~5的烷基，R15 表示碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的另一實施形態中為3種類。
於本發明的液晶組成物中，通式(I-3)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為25~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為38~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為40~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為42~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為45~60質量%。再者，於本發明的另一實施 形態中，前述含量為47~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為50~60質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中，前述含量為3~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~55質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~45質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~5質量%。
於重視低溫下的溶解性時，若稍多地設定含量則效果高，相反地，於重視反應速度時，若稍少地設定含量則效果高。再者，於改良滴下痕跡或烙印特性時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
再者，通式(I-3)所示的化合物較佳為由式(4.1)至式(4.3)所示的化合物群中選出之化合物，較佳為式(4.3)所示的化合物。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(4.3)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下，更佳為4質量%以上30質量%以下，更佳為6質量%以上30質量%以下，更佳為8質量%以上30質量%以下，更佳為10質量%以上30質量%以下，更佳為12質量%以上30質量%以下，更佳為14質量%以上30質量%以下，更佳為16質量%以上30質量%以下，更佳為18質量%以上25質量%以下，更佳為20質量%以上24質量%以下，特佳為22質量%以上23質量%以下。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-4)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R11 及R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數4~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。
於本發明的液晶組成物中，通式(I-4)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~50 質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為5~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為6~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為8~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為12~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為25~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中，前述含量為3~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~35質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為、3~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~10質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~5質量%。
於得到高的雙折射率時，若稍多地設定含量則效果高，相反地，於重視高的Tni時，若稍少地設定含量則效果高。再者，於改良滴下痕跡或烙印特性時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
再者，通式(I-4)所示的化合物較佳為由式(5.1)至式(5.4)所示的化合物群中選出之化合物，較佳為式(5.2)至式(5.4)所示的化合物。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(5.4)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下。更佳的含量，例如可舉出4質量%以上30質量%以下、6質量%以上30質量%以下、8質量%以上30質量%以下、10質量%以上30質量%以下、12質量%以上30質量%以下、14質量%以上30質量%以下、16質量%以上30質量%以下、18質量%以上30質量%以下、20質量%以上30質量%以下、22質量%以上30質量%以下、23質量%以上30質量%以下、24質量%以上30質量%以下、25質量%以上30質量%以下，或，4質量%以上6質量%以下、4質量%以上8質量%以下、4質量%以上10質量%以下、4質量%以上12質量%以下、4質量%以上14質量%以下、4質量%以上16質量%以下、4質量% 以上18質量%以下、4質量%以上20質量%以下、4質量%以上22質量%以下、4質量%以上23質量%以下、4質量%以上24質量%以下、4質量%以上25質量%以下。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-5)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R11 及R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。
於本發明的液晶組成物中，通式(I-5)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為1~50質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為5~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為8~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為11~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為13~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~50質量%。再者，於 本發明的另一實施形態中，前述含量為17~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為25~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為1~50%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~40%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~35%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~30%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~20%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~15%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~10%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~5%。
於重視低溫下的溶解性時，若稍多地設定含量則效果高，相反地，於重視反應速度時，若稍少地設定含量則效果高。再者，於改良滴下痕跡或烙印特性時，較佳為將含量之範圍設定在中間。
再者，通式(I-5)所示的化合物較佳為由式(6.1)至式(6.6)所示的化合物群中選出之化合物，較佳為式(6.3)、式(6.4)及式(6.6)所示的化合物。
例如，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(6.6)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下，更佳為4質量%以上30質量%以下，更佳為5質量%以上30質量%以下，更佳為6質量%以上30質量%以下，更佳為9質量%以上30質量%以下，更佳為12質量%以上30質量%以下，更佳為14質量%以上30質量%以下，更佳為16質量%以上30質量%以下，更佳為18質量%以上25質量%以下，更佳為20質量%以上24質量%以下，特佳為22質量%以上23質量%以下。
本案發明的液晶組成物更亦可含有式(6.7)~式(6.9)所示的化合物。
較佳為按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整式(6.7)~式(6.9)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物 之總質量而言，較佳為含有2質量%以上的此化合物，更佳為含有3質量%以上，更佳為含有4質量%以上，更佳為含有5質量%以上，特佳為含有7質量%以上。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-6)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R11 及R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數4~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X11 及X12 各自獨立地表示氟原子或氫原子，X11 或X12 中的任一者為氟原子)。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，通式(I-6)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下，更佳為4質量%以上30質量%以下，更佳為5質量%以上30質量%以下，更佳為6質量%以上30質量%以下，更佳為9質量%以上30質量%以下，更佳為12質量%以上30質量%以下，更佳為14質量%以上30質量%以下，更佳為16質量%以上30質量%以下，更佳為18質量%以上25質量%以下，更佳為20質量%以上24質量%以下，特佳為22質量%以上23質量%以下。
再者，通式(I-6)所示的化合物較佳為式(7.1)所示的化合物。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-7)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R11 及R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X12 各自獨立地表示氟原子或氯原子)。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，通式(I-7)所示的化合物之含量較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為2質量%以上30質量%以下，更佳為3質量%以上30質量%以下，更佳為4質量%以上30質量%以下，更佳為6質量%以上30質量%以下，更佳為8質量%以上30質量%以下，更佳為10質量%以上30質量%以下，更佳為12質量%以上30質量%以下，更佳為15質量%以上25質量%以下，更佳為18質量%以上24質量%以下，特佳為21質量%以上22質量%以下。
再者，通式(I-7)所示的化合物較佳為式(8.1)所示的化合物。
再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-8)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R16 及R17 各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但較佳為按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能，組合1種類至3種類。
通式(I-8)所示的化合物之含量，按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上65質量%以下，更佳為10質量%以上65質量%以下，更佳為15質量%以上65質量%以下，更佳為20質量%以上65質量%以下，更佳為25質量%以上65質量%以下，更佳為30質量%以上65質量%以下，更佳為35質量%以上65質量%以下，更佳為40質量%以上65質量%以下，更佳為45質量%以上60質量%以下，更佳為50質量%以上58質量%以下，特佳為55質量%以上56質量%以下。
再者，通式(I-8)所示的化合物較佳為由式(9.1)至式(9.10)所示的化合物群中選出之化合物，較佳為式(9.2)、式(9.4)及式(9.7)所示的化合物。
再者，通式(L)所示的化合物例如較佳為由通式(II)所示的化合物中選出之化合物。
(R21 及R22 各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基，A2 表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q2 表示單鍵、-COO-、-CH2 -CH2 -或-CF2 O-)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的更一實施形態中為3種類。再者，於本發明的另一實施形態中為4種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(II)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~50質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為5~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為14~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為16~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為23~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為26~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為3~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~35質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~30質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~10質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~5質量%。
再者，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-1)所示的化合物群中選出之化合物。
(R21 及R22 各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(II-1)所示的化合物之含量，較佳為按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整，較佳為4質量%以上24質量%以下，更佳為8質量%以上18質量%以下，尤佳為12質量%以上14質量%以下。
再者，通式(II-1)所示的化合物例如較佳為式(10.1)及式(10.2)所示的化合物。
再者，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-2)所示的化合物群中選出之化合物。
(R23 表示碳原子數2~5的烯基，R24 表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(II-2)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~50質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為5~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為14~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為16~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為23~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為26~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為3~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~35質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~30質量%。再者，於本發明的另一 實施形態中，前述含量為3~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~10質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~5質量%。
再者，通式(II-2)所示的化合物例如較佳為式(11.1)至式(11.3)所示的化合物。
按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能，可含有式(11.1)所示的化合物，或含有式(11.2)所示的化合物，或含有式(11.1)所示的化合物與式(11.2)所示的化合物這兩者，或可含有式(11.1)至式(11.3)所示的化合物全部。相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(11.1)或式(11.2)所示的化合物之含量較佳為3質量%以上40質量%以下，更佳為5質量%以上35質量%以下，尤佳為5質量%以上30質量%以下，特佳為5質量%以上25質量%以下，最佳為5質量%以上20質量%以下。又，於最佳的範圍中，例如可舉出7質量%以上20質量%以下、7質量%以上18質量%以下、7質量%以上15質量%以下、7質量%以上12質量%以下、7質量%以上10質量%以下。
又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(11.2)所示的化合物之含量較佳為3質量%以上40質量%以下，更佳為3質量%以上35質量%以下，尤佳為3質量%以上30質量%以下，尤佳為3質量%以上25質量%以下，特佳為3質量%以上20質量%以下，最佳為3質量%以上15質量%以下。於最佳的範圍中，例如可舉出3質量%以上12質量%以下、3質量%以上10質量%以下、3質量%以上8質量%以下、3質量%以上6質量%以下、6質量%以上15質量%以下、8質量%以上15質量%以下、10質量%以上15質量%以下、12質量%以上15質量%以下。
當含有式(11.1)所示的化合物與式(11.2)所示的化合物這兩者時，兩者之化合物的合計質量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為13質量%以上45質量%以下，更佳為19質量%以上40質量%以下，尤佳為24質量%以上35質量%以下，特佳為30質量%以上35質量%以下。
再者，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-3)所示的化合物群中選出之化合物。
(R25 表示碳原子數1~5的烷基，R24 表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折 射率等之要求的性能，較佳為含有此等化合物之中的1種~3種類。
通式(II-3)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。較佳的含量例如相對於本發明的液晶組成物之總質量，可舉出前述化合物之含量為2~45質量%。更佳的含量例如可舉出5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~45質量%、20~45質量%、23~45質量%、26~45質量%、29~45質量%、或2~45質量%、2~40質量%、2~35質量%、2~30質量%、2~25質量%、2~20質量%、2~15質量%、2~10質量%。
再者，通式(II-3)所示的化合物例如較佳為式(12.1)至式(12.3)所示的化合物。
按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能，可含有式(12.1)所示的化合物，或含有式(12.2)所示的化合物，或含有式(12.1)所示的化合物與式(12.2)所示的化合物這兩者。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(12.1)或式(12.2)所示的化合物之含量較佳為3質量%以上40質量%以下，更佳為5質量%以上40質量%以下， 更佳為7質量%以上40質量%以下，更佳為9質量%以上40質量%以下，更佳為11質量%以上40質量%以下，更佳為12質量%以上40質量%以下，尤佳為13質量%以上40質量%以下，尤佳為18質量%以上30質量%以下，特佳為21質量%以上25質量%以下。又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(12.2)所示的化合物之含量較佳為3質量%以上40質量%以下，更佳為5質量%以上40質量%以下，尤佳為8質量%以上40質量%以下，尤佳為10質量%以上40質量%以下，尤佳為12質量%以上40質量%以下，尤佳為15質量%以上40質量%以下，尤佳為17質量%以上30質量%以下，特佳為19質量%以上25質量%以下。當含有式(12.1)所示的化合物與式(12.2)所示的化合物這兩者時，兩者之化合物的合計質量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為15質量%以上45質量%以下，更佳為19質量%以上45質量%以下，尤佳為24質量%以上40質量%以下，特佳為30質量%以上35質量%以下。
又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(12.3)所示的化合物之含量較佳為0.05質量%以上2質量%以下，更佳為0.1質量%以上1質量%以下，尤佳為0.2質量%以上0.5質量%以下。式(12.3)所示的化合物亦可為光學活性化合物。
再者，通式(II-3)所示的化合物例如較佳為由通式(II-3-1)所示的化合物群中選出之化合物。
(R25 表示碳原子數1~5的烷基，R26 表示碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能，較佳為含有此等化合物之中的1種~3種類。
通式(II-3-1)所示的化合物之含量，較佳為按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整，較佳為1質量%以上24質量%以下，更佳為4質量%以上18質量%以下，尤佳為8質量%以上14質量%以下。
再者，通式(II-3-1)所示的化合物例如較佳為式(13.1)至式(13.4)所示的化合物，特佳為式(13.3)所示的化合物。
再者，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-4)所示的化合物群中選出之化合物。
(R21 及R22 各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可僅含有此等化合物之中的1種類，也可含有2種類以上，但較佳為按照所要求的性能來適宜組合。可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能，較佳為含有此等化合物之中的1種~2種類，特佳為含有1種~3種類。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，通式(II-4)所示的化合物之含量較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為2質量%以上15質量%以下，更佳為3質量%以上15質量%以下，更佳為4質量%以上12質量%以下，特佳為5質量%以上7質量%以下。
再者，通式(II-4)所示的化合物例如較佳為式(14.1)至式(14.5)所示的化合物，特佳為式(14.2)或式(14.5)所示的化合物。
再者，通式(L)所示的化合物較佳為由通式(III)所示的化合物群中選出之化合物。
(R31 及R32 各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(III)所示的化合物之含量，係考慮所要求的溶解性或雙折射率等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳逼含有3質量%以上25質量%以下，更佳為含有6質量%以上20質量%以下，尤佳逼含有8質量%以上15質量%以下。
再者，通式(III)所示的化合物例如較佳為式(15.1)~式(15.3)所示的化合物，特佳為式(15.3)所示的化合物。
再者，通式(III)所示的化合物較佳為由通式(III-1)所示的化合物群中選出之化合物。
(R33 表示碳原子數2~5的烯基，R32 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(III-1)所示的化合物，較佳為按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要 求的性能來調整其含量，較佳為4質量%以上23質量%以下，更佳為5質量%以上18質量%以下。
通式(III-1)所示的化合物例如較佳為式(16.1)或式(16.2)所示的化合物。
再者，通式(III)所示的化合物較佳為由通式(III-2)所示的化合物群中選出之化合物。
(R31 表示碳原子數1~5的烷基，R34 表示碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(III-2)所示的化合物之含量較佳為按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整，較佳為4質量%以上23質量%以下，更佳為6質量%以上18質量%以下，尤佳為10質量%以上13質量%以下。
再者，通式(III-2)所示的化合物例如較佳為由式(17.1)至式(17.3)所示的化合物群中選出之化合物，特佳為式(17.3)所示的化合物。
再者，通式(L)所示的化合物較佳為由通式(V)所示的群中選出之化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，A51 及A52 各自獨立地表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q5 表示單鍵或-COO-，X51 及X52 各自獨立地表示氟原子或氫原子)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的另一實施形態中為3種類。再者，於本發明的另一實施形態中為4種類。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於一個實施形態中為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為12~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為17~40質量%。再者， 於本發明的另一實施形態中，前述含量為18~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為20~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為22~40質量%。
又，例如於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~4質量%。
再者，通式(V)所示的化合物較佳為通式(V-1)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X51 及X52 各自獨立地表示氟原子或氫原子)。
再者，通式(V-1)所示的化合物較佳為通式(V-1-1)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為含有1質量%以上15質量%以下的通式(V-1-1)所示的化合物，更佳為含有2質量%以上15質量%以下，更佳為含有2質量%以上10質量%以下。
再者，通式(V-1-1)所示的化合物較佳為式(20.1)至式(20.4)所示的化合物，較佳為式(20.2)所示的化合物。
再者，通式(V-1)所示的化合物較佳為通式(V-1-2)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳逼含有1質量%以上15質量%以下的通式(V-1-2)所示的化合物，更佳為含有2質量%以上15質量%以下，更佳 為含有3質量%以上10質量%以下，特佳為含有4質量%以上8質量%以下。
再者，通式(V-1-2)所示的化合物較佳為式(21.1)至式(21.3)所示的化合物，較佳為式(21.1)所示的化合物。
再者，通式(V-1)所示的化合物較佳為通式(V-1-3)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為含有1質量%以上的通式(V-1-3)所示的化合物，更佳為含有2質量%以上，更佳為含有3質量%以上，特佳含有4質量%以上。又，最大可含有的比率較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，尤佳為8質量%以下。
再者，通式(V-1-3)所示的化合物係式(22.1)至式(22.3)所示的化合物。較佳為式(22.1)所示的化合物。
再者，通式(V)所示的化合物較佳為通式(V-2)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X51 及X52 各自獨立地表示氟原子或氫原子)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類以上。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於一個實施形態中為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為4~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為7~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為10~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為 12~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為15~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為17~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為18~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為20~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中為前述化合物之含量為22~40質量%。
又，例如於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~4質量%。
於希望本發明的液晶組成物為高Tni之實施形態時，較佳為使式(V-2)所示的化合物之含量成為稍多，於希望低黏度之實施形態時，較佳為使含量成為稍少。
再者，通式(V-2)所示的化合物較佳為通式(V-2-1)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
再者，通式(V-2-1)所示的化合物較佳為式(23.1)至式(23.4)所示的化合物，較佳為式(23.1)或式(23.2)所示的化合物。
再者，通式(V-2)所示的化合物較佳為通式(V-2-2)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
再者，通式(V-2-2)所示的化合物較佳為式(24.1)至式(24.4)所示的化合物，較佳為式(24.1)或式(24.2)所示的化合物。
再者，通式(V)所示的化合物較佳為通式(V-3)所示的化合物。
(式中，R51 及R52 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類以上。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳逼含有2質量%以上16質量%以下的通式(V-3)所示的化合物，更佳為含有4質量%以上16質量%以下，更佳為含有7質量%以上13質量%以下，特佳含有8質量%以上11質量%以下。
再者，通式(V-3)所示的化合物較佳為式(25.1)至式(25.3)所示的化合物。
本發明的液晶組成物更亦可含有1種或2種類以上的通式(VI)所示的化合物。
(式中，R61 及R62 各自獨立地表示碳原子數1至10的直鏈烷基、碳原子數1至10的直鏈烷氧基或碳原子數2至10的直鏈烯基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能，較佳逼含有此等化合物之中的1種~3種類，更佳為含有1種~4種類，特佳為含有1種~5種類以上。又，最大可含有的比率較佳為35質量%以下，更佳為25質量%以下，尤佳為15質量%以下。
通式(VI)所示的化合物具體地可合適地使用以下列舉的化合物。
本案發明的液晶組成物可更含有1種或2種類以上的通式(VII)所示的化合物。
(式中，R71 及R72 各自獨立地表示碳原子數1至10的直鏈烷基、碳原子數1至10的直鏈烷氧基或碳原子數4至10的直鏈烯基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之要求的性能，較佳為含有此等化合物之中的1種~3種類，更佳為含有1種~4種類，特佳為含有1種~5種類以上。又，最大可含有的比率較佳為35質量%以下，更佳為25質量%以下，尤佳為15質量%以下。
通式(VII)所示的化合物具體地可合適地使用以下列舉之化合物。
本發明的液晶組成物亦較佳含有通式(M)所示的化合物中之任1種以上。
(式中，RM1 表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，CM1 及CM2 各自獨立地表示選自由(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH2 -或未鄰接的2個以上之-CH2 -可被取代成-O-或-S-)及 (e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代成-N=)所組成之群組中的基，上述之基(d)、基(e)各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，KM1 及KM2 各自獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，當PM為2、3或4且KM1 係複數存在時，彼等可相同或相異，當PM為2、3或4且CM2 係複數存在時，彼等可相同或相異，XM1 及XM3 各自獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，XM2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(ii)所示的化合物除外)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的另一實施形態中為3種類。又再者，於本發明的另一實施形態中為4種類。再者，於本發明的另一實施形態中為5種類。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類。再者，於本發明的另一實施形態中為7種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(M)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為1~95質量%。再者，例如於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為10~95質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為20~95質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為30~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為40~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為45~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為50~95質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為55~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為60~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為65~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為70~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為75~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為80~95質量%。
又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為 1~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為1~85質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~75質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~65質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~55質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~45質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~35質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~25質量%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為使上述之下限值為稍低，使上限值為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述之下限值為稍高，使上限值為稍高。
RM1 當其所鍵結的環構造為苯基(芳香族)時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4的烷氧基及碳原子數4~5的烯基，當其所鍵結的環構造為環己烷、哌喃及二烷等之飽和環構造時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4的烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5的烯基。
通式(M)所示的化合物，於要求液晶組成物的化學安定性時，較佳為在其分子內沒有氯原子。再者，液晶組成物內具有氯原子的化合物較佳為5%以下，較佳 為3%以下，較佳為1%以下，較佳為0.5%以下，較佳為實質上不含有。所謂的實質上不含有，係意味非意圖作為化合物製造時之不純物而生成的化合物等，而僅為含有氯原子的化合物混入液晶組成物中者。
通式(M)所示的化合物例如較佳為由通式(VIII)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R8 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X81 至X85 各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y8 表示氟原子或-OCF3 )。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的另一實施形態中為3種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(VIII)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為2~40質量%。再者，例如於本發明的另一實施形態中，前述 化合物之含量為4~40質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為5~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為6~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為9~40質量%。例如，於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為10~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為11~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為12~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為14~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為15~40質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為21~40質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為23~40質量%。
又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~21質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~16質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之 含量為2~12質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~8質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述的下限值為稍高，使上限值為稍高。
再者，通式(VIII)所示的化合物較佳為通式(VIII-1)所示的化合物。
(式中，R8 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，可按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類以上。
再者，通式(VIII-1)所示的化合物具體地較佳為式(26.1)至式(26.4)所示的化合物，較佳為式(26.1)或式(26.2)所示的化合物，更佳為式(26.2)所示的化合物。
式(26.2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上40質量%以下，更佳為3質量%以上30質量%以下，尤佳為3質量%以上20質量%以下，特佳為3質量%以上15質量%以下。於特佳的範圍中，例如可舉出3質量%以上12質量%以下、3質量%以上10質量%以下、3質量%以上8質量%以下、3質量%以上6質量%以下。
再者，通式(VIII)所示的化合物較佳為通式(VIII-2)所示的化合物。
(式中，R8 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折 射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的再另一實施形態中為3種類以上。
通式(VIII-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為2.5質量%以上25質量%以下，較佳為8質量%以上25質量%以下，更佳為10質量%以上20質量%以下，尤佳為12質量%以上15質量%以下。
再者，通式(VIII-2)所示的化合物較佳為式(27.1)至式(27.4)所示的化合物，較佳為式(27.2)所示的化合物。
再者，通式(VIII)所示的化合物較佳為通式(VIII-3)所示的化合物。
(式中，R8 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類以上。
再者，通式(VIII-3)所示的化合物具體地較佳為式(26.11)至式(26.14)所示的化合物，較佳為式(26.11)或式(26.12)所示的化合物，更佳為式(26.12)所示的化合物。
又，通式(M)所示的化合物例如較佳為由通式(IX)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X91 及X92 各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y9 表示氟原子、氯原子或-OCF3 、U9 表示單鍵、-COO-或-CF2 O-)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的另一實施形態中為3種類。又再者，於本發明的另一實施形態中為4種類。再者，於本發明的另一實施形態中為5種類。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類以上。
於本發明的液晶組成物中，通式(IX)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~70質量%。再者，例如於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為5~70質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為8~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為10~70質量%。例如，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為12~70質量%。例如於本發明的再另一實 施形態中，前述化合物之含量為15~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為17~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為20~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為24~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為28~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為30~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為34~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為39~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為40~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為42~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為45~70質量%。
又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為，例如於本發明的一個實施形態中為3~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為3~60質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~55質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~50質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~45質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~35質量%。於本發明的再另 一實施形態中，前述化合物之含量為3~30質量%。於本發明的再另一實施形態中為25質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~15質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~10質量%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要不易發生烙印的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述之下限值成為稍高，使上限值成為稍高。
再者，通式(IX)所示的化合物較佳為通式(IX-1)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X92 表示氫原子或氟原子，Y9 表示氟原子或-OCF3 )。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者， 於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的另一實施形態中為3種類。又再者，於本發明的另一實施形態中為4種類以上。
再者，通式(IX-1)所示的化合物較佳為通式(IX-1-1)所示的化合物。
(式中，R9 較佳為碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的另一實施形態中為3種類以上。
通式(IX-1-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，按照實施形態有較佳的上限值與下限值。
例如，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量係於一個實施形態中為1~40質量%，於另一實施形態中為2~40質量%，於更另一實施形態中為4~40質量%，於又更另一實施形態中為10~40質量%，於又更另一實施形態中為14~40質量%，於又更另一實施形態中為16~40質量%，於又另一實施形態中為21~40質量%。
又，例如，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量係於一個實施形態中為1~40質量%，於另一實施形態中為1~35質量%，於更另一實施形態中為1~30質量%，於又更另一實施形態中為1~25質量%，於又更另一實施形態中為1~10質量%，於又更另一實施形態中為1~7質量%，於又更另一實施形態中為1~5質量%。
再者，通式(IX-1-1)所示的化合物較佳為式(28.1)至式(28.5)所示的化合物，更佳為式(28.3)或式(28.5)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，式(28.3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子 可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下。作為前述含量之更佳例，可舉出2質量%以上20質量%以下、2質量%以上15質量%以下、2質量%以上12質量%以下、2質量%以上9質量%以下、2質量%以上5質量%以下，或，4質量%以上20質量%以下、6質量%以上20質量%以下、8質量%以上20質量%以下、10質量%以上20質量%以下、15質量%以上20質量%以下。
於本發明的液晶組成物中，式(28.5)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上25質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為3質量%以上15質量%以下，特佳為3質量%以上10質量%以下。
再者，通式(IX-1)所示的化合物較佳為通式(IX-1-2)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類組合，更佳為1種至4種類組合。
通式(IX-1-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發 明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為5質量%以上30質量%以下，尤佳為8質量%以上30質量%以下，尤佳為10質量%以上25質量%以下，尤佳為14質量%以上22質量%以下，特佳為16質量%以上20質量%以下。
再者，通式(IX-1-2)所示的化合物較佳為式(29.1)至式(29.4)所示的化合物，較佳為式(29.2)或式(29.4)所示的化合物。
再者，通式(IX)所示的化合物較佳為通式(IX-2)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X91 及X92 各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y9 表示氟原子、氯原子或-OCF3 )。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合使用。例如，於本發明的一個實施形態中為1種類，於另一實施形態中為2種類，於更另一實施形態中為3種類，於又更另一實施形態中為4種類，於又更另一實施形態中為5種類，於又更另一實施形態中為6種類以上組合。
再者，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-1)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類組合。
通式(IX-2-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有較佳的上限值與下限值。
例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~40質量%。於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為10~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化 合物之含量為14~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為16~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為21~40質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為1~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為1~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~25質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~22質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~10質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~7質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~5質量%。
再者，通式(IX-2-1)所示的化合物較佳為式(30.1)至式(30.4)所示的化合物，較佳為式(30.1)至式(30.2)所示的化合物。
再者，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-2)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類組合，更佳為1種至4種類組合。
通式(IX-2-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為10~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為14~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為16~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為21~40質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為1~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為1~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~25質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~22 質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~15質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~12質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~8質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~4質量%。
再者，通式(IX-2-2)所示的化合物較佳為式(31.1)至式(31.4)所示的化合物，更佳為式(31.2)至式(31.4)所示的化合物，尤佳為式(31.2)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(31.2)所示的化合物之含量較佳為1質量%以上35質量%以下，更佳為2質量%以上25質量%以下，尤佳為3質量%以上20質量%以下，特佳為3質量%以上15質量%以下，最佳為3質量%以上10質量%以下。於最佳的範圍中，例如可舉出3質量%以上8質量%以下、3質量%以上6質量%以下、3質量%以上4質量%以下、4質量%以上10質量%以下、6質量%以上10質量%以下、8質量%以上10質量%以下。
於本發明的液晶組成物中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(31.4)所示的化合物之含量較佳為1質量%以上35質量%以下，更佳為1質量%以上25 質量%以下，更佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為2質量%以上10質量%以下，尤佳為3質量%以上8質量%以下，尤佳為3質量%以上6質量%以下，特佳為3質量%以上5質量%以下。
再者，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-3)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類組合。
通式(IX-2-3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為6質量%以上15質量%以下，尤佳為8質量%以上10質量%以下。
再者，通式(IX-2-3)所示的化合物較佳為式(32.1)至式(32.4)所示的化合物，更佳為式(32.2)及/或式(32.4)所示的化合物。
再者，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-4)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(IX-2-4)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為8質量%以上10質量%以下。
再者，通式(IX-2-4)所示的化合物較佳為式(33.1)至式(33.6)所示的化合物，更佳為式(33.1)及/或式(33.3)所示的化合物。
再者，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-5)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合使用。例如，於本發明的一個實施形態中為1種類，於另一實施形態中為2種類，於更另一實施形態中為3種類，於又更另一實施形態中為4種類以上。
通式(IX-2-5)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為8~45質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~45質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為21~45質量%，於 又更另一實施形態中，前述化合物之含量為30~45質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為31~45質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為34~45質量%。又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為4~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~35質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~32質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~22質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~13質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~9質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~8質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~5質量%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要不易發生烙印的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述之下限值為稍高，使上限值為稍高。
再者，通式(IX-2-5)所示的化合物較佳為式(34.1)至式(34.5)所示的化合物，更佳為式(34.1)、式(34.2)、式(34.3)及/或式(34.5)所示的化合物。
再者，通式(IX)所示的化合物較佳為通式(IX-3)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數2~5的烯基，X91 及X92 各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y9 表示氟原子、氯原子或-OCF3 )。
再者，通式(IX-3)所示的化合物較佳為通式(IX-3-1)所示的化合物。
(式中，R9 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類組合。
通式(IX-3-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上30質量%以下，更佳為7質量%以上30質量%以下，尤佳為13質量%以上20質量%以下，特佳為15質量%以上18質量%以下。
再者，通式(IX-3-1)所示的化合物較佳為式(35.1)至式(35.4)所示的化合物，較佳為式(35.1)及/或式(35.2)所示的化合物。
再者，通式(M)所示的化合物較佳為通式(X)所示的化合物。
(式中，X101 至X104 各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y10 表示氟原子、氯原子、-OCF3 ，Q10 表示單鍵或-CF2 O-，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，A101 及A102 各自獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或 ，但1,4-伸苯基上之氫原子可被氟原子取代)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。又，於本發明的另一實施形態中為2種類。於更另一實施形態中為3種類。於又更另一實施形態中為4種類。於又更另一實施形態中為5種類以上。
通式(X)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量， 前述化合物之含量為2~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~45質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為6~45質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~45質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~45質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為11~45質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~45質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~45質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為19~45質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為23~45質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為25~45質量%。又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~13質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~9質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~6質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~3質量%。
於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。再者，於需要不易發生烙印 的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值為稍低，使上限值為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述之下限值為稍高，使上限值為稍高。
本發明的液晶組成物所使用之通式(X)所示的化合物較佳為通式(X-1)所示的化合物。
(式中，X101 至X103 各自獨立地表示氟原子或氫原子，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基。惟，通式(i)所示的化合物除外)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。又，於本發明的另一實施形態中為2種類。於再另一實施形態中為3種類。於再又另一實施形態中為4種類。於再又另一實施形態中為5種類以上。
通式(X-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%，於更另一實施形 態中，前述化合物之含量為5~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為6~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為13~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為23~40質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~6質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~4質量%。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-1)所示的化合物，較佳為通式(X-1-1)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。又，於本發明的另一實施形態中為2種類。於再另一實施形態中為3種類。於再又另一實施形態中為4種類以上。
通式(X-1-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為6~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為15~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~30質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為21~30質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為3~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%、於更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~13質量%，於 又更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~10質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~7質量%。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-1-1)所示的化合物，具體地較佳為式(36.1)至式(36.4)所示的化合物，其中較佳含有式(36.1)及/或式(36.2)所示的化合物。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-1)所示的化合物，較佳為通式(X-1-2)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(X-1-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為2質量%以上16質量%以下，尤佳為2質量%以上12質量%以下，尤佳為2質量%以上10質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-1-2)所示的化合物，具體地較佳為式(37.1)至式(37.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(37.2)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，式(37.2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為2質量%以上15質量%以下，尤佳為2質量%以上10質量%以下，特佳為2質量%以上6質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-1)所示的化合物，較佳為通式(X-1-3)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合。
通式(X-1-3)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，尤佳為6質量%以上。又，考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，最大比率較佳為限於20質量%以下，更佳為16質量%以下，尤佳為12質量%以下，特佳為10質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-1-3)所示的化合物，具體地較佳為式(38.1)至式(38.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(38.2)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，式(38.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上35質量%以下，更佳為2質量%以上25質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上15質量%以下，尤佳為3質量%以上10質量%以下，尤佳為3質量%以上8質量%以下，特佳為4質量%以上5質量%以下。
本發明的液晶組成物所使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-2)所示的化合物。
(式中，X102 至X103 各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y10 表示氟原子、氯原子、-OCF3 ，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-2)所示的化合物，較佳為通式(X-2-1)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
通式(X-2-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為6質量%以上16質量%以下，尤佳為9質量%以上12質量%以下，特佳為9質量%以上10質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-2-1)所示的化合物，具體地較佳為式(39.1)至式(39.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(39.2)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，式(39.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上35質量%以下，更佳為2質量%以上25質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上15質量%以下，尤佳為3質量%以上10質量%以下，尤佳為4質量%以上8質量%以下，特佳為4質量%以上6質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-2)所示的化合物，較佳為通式(X-2-2)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合。
通式(X-2-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上20質量 %以下，更佳為6質量%以上16質量%以下，尤佳為9質量%以上12質量%以下，特佳為9質量%以上10質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-2-2)所示的化合物，具體地較佳為式(40.1)至式(40.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(40.2)所示的化合物。
再者，通式(X)所示的化合物較佳為通式(X-4)所示的化合物。
(式中，X102 表示氟原子或氫原子，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-4)所示的化合物，較佳為通式(X-4-1)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
通式(X-4-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上20質量%以下，更佳為5質量%以上17質量%以下，尤佳為10質量%以上15質量%以下，特佳為10質量%以上13質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-4-1)所示的化合物，具體地較佳為式(42.1)至式(42.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(42.2)所示的化合物。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-4-2)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
通式(X-4-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上20質量%以下，更佳為5質量%以上17質量%以下，尤佳為10 質量%以上15質量%以下，特佳為10質量%以上13質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-4-2)所示的化合物，具體地較佳為式(42.11)至式(42.14)所示的化合物，其中較佳含有式(42.13)或式(42.14)所示的化合物。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-4-3)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
通式(X-4-3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上20質量%以下，更佳為5質量%以上17質量%以下，尤佳為10質量%以上15質量%以下，特佳為10質量%以上13質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-4-3)所示的化合物，具體地較佳為式(42.21)至式(42.24)所示的化合物，其中更佳為含有式(42.22)所示的化合物。
再者，通式(X)所示的化合物較佳為通式(X-5)所示的化合物。
(式中，X102 表示氟原子或氫原子，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-5)所示的化合物，較佳為通式(X-5-1)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-5-1)所示的化合物，具體地較佳為式(43.1)至式(43.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(43.2)所示的化合物。
本發明的液晶組成物所使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-6)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合。
通式(X-6)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~30質量%，於另一實施形態中為5~30質量%，於更另一實施形態中為6~30質量%，於又更另一實施形態中為8~30質量%，於又更另一實施形態中為9~30質量%，於又更另一實施形態中為11~30質量%，於又更另一實施形態中為14~30質量%。於又更另一實施形態中為18~30質量%。
又，例如於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~30質量%，於另一實施形態中為1~20質量%，於又更另一實施形態中為1~13質量%，於又更另一實施形態中為1~10質量%，於又更另一實施形態中為1~7質量%，於又更另一實施形態中為1~3質量%。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-6)所示的化合物，具體地較佳為式(44.1)至式(44.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(44.1)及/或式(44.2)所示的化合物。
又，於本發明的液晶化合物中，亦可含有與於通式(X)所示的化合物類似之化合物的通式(X-7)所示的化合物。
(式中，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合。
通式(X-7)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。
例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為5~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為6~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為11~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為14~30質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~30質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~20質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~13質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~10質量 %，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~7質量%，於又更另一實施形態中為3質量%。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(X-7)所示的化合物，具體地較佳為式(44.11)至式(44.14)所示的化合物，其中更佳為含有式(44.13)所示的化合物。
再者，通式(X)所示的化合物較佳為由通式(XI)所示的群中選出之化合物。
(式中，X111 至X117 各自獨立地表示氟原子或氫原子，X111 至X117 中的至少一個表示氟原子，R11 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y11 表示氟原子或-OCF3 )。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類以上組合。
通式(XI)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為5~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為7~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為10~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~30質量%。，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為13~30質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為15~30質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~30質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。
當本發明的液晶組成物使用於液晶層間隙小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XI)所示的化合物之含 量為稍多。當使用於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XI)所示的化合物之含量為稍多。又，當使用於低溫環境下所用的液晶顯示元件用時，宜使通式(XI)所示的化合物之含量為稍少。當為使用於反應速度快的液晶顯示元件之液晶組成物時，宜使通式(XI)所示的化合物之含量為稍少。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(XI)所示的化合物，較佳為通式(XI-1)所示的化合物。
(式中，R11 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種類，於另一實施形態中為2種類，於更另一實施形態中為3種類以上組合。
通式(XI-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為4質量%以上20質量%以下，尤佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為9質量%以上12質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(XI-1)所示的化合物，具體地較佳為式(45.1)至式(45.4) 所示的化合物，其中較佳為含有式(45.2)至式(45.4)所示的化合物，更佳為含有式(45.2)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，式(45.4)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上25質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為3質量%以上15質量%以下，特佳為3質量%以上10質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(XI)所示的化合物，較佳為通式(XI-2)所示的化合物。
(式中，R110 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等， 對實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種類，於另一實施形態中為2種類，於更另一實施形態中為3種類以上組合。
通式(XI-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為4質量%以上20質量%以下，尤佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為9質量%以上12質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(XI-2)所示的化合物，具體地較佳為式(45.11)至式(45.14)所示的化合物，其中較佳為含有式(45.12)至式(45.14)所示的化合物，更佳為含有式(45.12)所示的化合物。
再者，通式(X)所示的化合物較佳為由通式(XII)所示的群中選出之化合物。
(式中，X121 至X126 各自獨立地表示氟原子或氫原子，R120 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y12 表示氟原子或-OCF3 )。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類以上組合，更佳為1種至4種類以上組合。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(XII)所示的化合物，較佳為通式(XII-1)所示的化合物。
(式中，R120 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
通式(XII-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為2質量%以上10質量%以下，尤佳為3質量%以上8質量%以下，特佳為4質量%以上6質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(XII-1)所示的化合物，具體地較佳為式(46.1)至式(46.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(46.2)至式(46.4)所示的化合物。
再者，通式(XII)所示的化合物較佳為通式(XII-2)所示的化合物。
(式中，R120 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物係沒有特別的限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。
通式(XII-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為4質量%以上17質量%以下，尤佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為9質量%以上13質量%以下。
再者，本發明的液晶組成物所使用之通式(XII-2)所示的化合物，具體地較佳為式(47.1)至式(47.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(47.2)至式(47.4)所示的化合物。
再者，通式(M)所示的化合物較佳為由通式(XIII)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，X131 至X135 各自獨立地表示氟原子或氫原子，R13 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y13 表示氟原子或-OCF3 。惟，通式(ii)所示的化合物除外)。
可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但於此等化合物之中較佳為含有1種~2種類，更佳為含有1種~3種類，尤佳含有1種~4種類。
通式(XIII)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。
例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為5~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為7~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為11~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為13~30質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為14~30質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為16~30質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為20~30質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於更 另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。
當本發明的液晶組成物使用於液晶層間隙小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量為稍多。當使用於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量為稍多。又，當使用於低溫環境下所用的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量為稍少。當為使用於反應速度快的液晶顯示元件之液晶組成物時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量為稍少。
再者，通式(XIII)所示的化合物較佳為通式(XIII-1)所示的化合物。
(式中，R13 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為含有1質量%以上25質量%以下的通式(XIII-1)所示的化合物，更佳為含有3質量%以上25質量%以下，尤佳為含有5質量%以上20質量%以下，特佳為含有10質量%以上15質量%以下。
再者，通式(XIII-1)所示的化合物較佳為式(48.1)至式(48.4)所示的化合物，較佳為式(48.2)所示的化合物。
再者，通式(M)所示的化合物較佳為由通式(XIV)所示的化合物群中選出之化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X141 至X144 各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y14 表示氟原子、氯原子或-OCF3 ，Q14 表示單鍵、-COO-或-CF2 O-，m14 為0或1；惟，通式(i)所示的化合物除外)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等， 對實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。再者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為3種類。又，於本發明的更另一實施形態中為4種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為5種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為6種類以上。
通式(XIV)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。
例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為11~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為16~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為19~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為22~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為25~40質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~35質量%，於更 另一實施形態中，前述化合物之含量為3~30質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~25質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~15質量%。
當使用本發明的液晶組成物於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIV)所示的化合物之含量為稍多。又，於反應速度快的液晶顯示元件所用之液晶組成物時，宜使通式(XIV)所示的化合物之含量為稍少。
再者，通式(XIV)所示的化合物較佳為通式(XIV-1)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~7的烷基、碳原子數2~7的烯基或碳原子數1~7的烷氧基，Y14 表示氟原子、氯原子或-OCF3 )。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類組合。
再者，通式(XIV-1)所示的化合物較佳為通式(XIV-1-1)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~7的烷基、碳原子數2~7的烯基或碳原子數1~7的烷氧基)。
相對於本發明的液晶組成物之總質量，通式(XIV-1)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上，更佳為3質量%以上。又，考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，最大比率較佳為限於30質量%以下，更佳為27質量%以下，尤佳為24質量%以下，特佳為低於21質量%。
再者，通式(XIV-1-1)所示的化合物具體地較佳為式(51.1)至式(51.4)所示的化合物，更佳為含有式(51.1)所示的化合物。
又，通式(XIV)所示的化合物較佳為通式(XIV-1-2)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~7的烷基、碳原子數2~7的烯基或碳原子數1~7的烷氧基)。
通式(XIV-1-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為3質量%以上13質量%以下，尤佳為5 質量%以上11質量%以下，特佳為7質量%以上9質量%以下。
再者，通式(XIV-1-2)所示的化合物具體地較佳為式(52.1)至式(52.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(52.4)所示的化合物。
再者，通式(XIV)所示的化合物較佳為通式(XIV-2)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X141 至X144 各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y14 表示氟原子、氯原子或-OCF3 。惟，通式(i)所示的化合物除外)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。再者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為3種類。又，於本發明的更另一實施形態中為4種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為5種類以上。
通式(XIV-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。
例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為10~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為11~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~40質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為19~40質量%。於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為21~40質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為22~40質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%，於另 一實施形態中，前述化合物之含量為3~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~25質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~15質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~10質量%。
當使用本發明的液晶組成物於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIV-2)所示的化合物之含量為稍多。又，於反應速度快的液晶顯示元件所用之液晶組成物時，宜使通式(XIV-2)所示的化合物之含量為稍少。
再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-1)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(XIV-2-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為3質量%以上13質量%以下，尤佳為5質量%以上11質量%以下，特佳為7質量%以上9質量%以下。
再者，通式(XIV-2-1)所示的化合物具體地較佳為式(53.1)至式(53.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(53.4)所示的化合物。
再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-2)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(XIV-2-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為6質量%以上17質量%以下，尤佳為9質量%以上15質量%以下，特佳為12質量%以上14質量%以下。
再者，通式(XIV-2-2)所示的化合物具體地較佳為式(54.1)至式(54.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(54.2)及/或式(54.4)所示的化合物。
於本發明的液晶組成物中，式(54.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上35質量%以下，更佳為5質量%以上25質量%以下，更佳為5質量%以上22質量%以下，更佳為8質量%以上20質量%以下。
再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-3)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(XIV-2-3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上30質量%以下，更佳為9質量%以上27質量%以下，尤佳為12質量%以上24質量%以下，特佳為12質量%以上20質量%以下。
再者，通式(XIV-2-3)所示的化合物具體地較佳為式(55.1)至式(55.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(55.2)及/或式(55.4)所示的化合物。
再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-4)所示的化合物。
(式中，R14 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
可組合的化合物之種類係沒有限制，但考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等，對實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。再者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為3種類以上。
通式(XIV-2-4)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。
例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~35質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為5~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為7~35質量%。
又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~35質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%，於又更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%。
當使用本發明的液晶組成物於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIV-2-4)所示的化合物之含量為稍多。又，於反應速度快的液晶顯示元件所用之液晶組成物時，宜使通式(XIV-2-4)所示的化合物之含量為稍少。
再者，通式(XIV-2-4)所示的化合物具體地較佳為式(56.1)至式(56.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(56.1)、式(56.2)或式(56.4)所示的化合物。
再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-5)所示的化合物。
(式中，R140 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(XIV-2-5)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上25質量%以下，更佳為10質量%以上22質量%以下，尤佳為13質量%以上18質量%以下，特佳為13質量%以上15質量%以下。
再者，通式(XIV-2-5)所示的化合物具體地為式(57.1)至式(57.4)所示的化合物。其中，較佳為含有式(57.1)所示的化合物。
再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-6)所示的化合物。
(式中，R140 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
通式(XIV-2-6)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉變溫度、電子可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上25質量%以下，更佳為10質量%以上22質量%以下，尤佳為15質量%以上20質量%以下，特佳為15質量%以上17質量%以下。
再者，通式(XIV-2-6)所示的化合物具體較佳為式(58.1)至式(58.4)所示的化合物，其中較佳為含有式(58.2)所示的化合物。
本案發明的液晶組成物較佳為不含有在分子內具有過酸(-CO-OO-)構造等之氧原子彼此所鍵結的構造之化合物。
於重視液晶組成物的可靠性及長期安定性時，具有羰基的化合物之含量較佳為5質量%以下，較佳為3質量%以下，較佳為1質量%以下，較佳為實質上不含有。
於重視UV照射的安定性時，氯原子取代的化合物之含量較佳為15質量%以下，較佳為10質量%以下，較佳為5質量%以下，較佳為實質上不含有。
較佳為增多分子內的環構造皆6員環的化合物之含量，分子內的環構造皆6員環的化合物之含量較佳為80質量%以上，較佳為90質量%以上，較佳為95質量%以上，較佳為僅以實質上分子內的環構造皆6員環的化合物來構成液晶組成物。
為了抑制液晶組成物因氧化而劣化，較佳為減少具有伸環己烯基作為環構造之化合物的含量，具有伸環己烯基的化合物之含量較佳為10質量%以下，較佳為5質量%以下，較佳為實質上不含有。
於重視黏度的改善及Tn的改善時，較佳為減少在分子內具有氫原子可被取代成鹵素的2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量，分子內具有氫原子可被取代成鹵素的2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量較佳為10質量%以下，較佳為5質量%以下，較佳為實質上不含有。
本案記載之化合物係當烯基作為側鏈取代時，當烯基鍵結於環己烷時，烯基較佳為碳原子數2~5，當烯基鍵結於苯時，烯基較佳為碳原子數4~5，烯基的不飽和鍵與苯較佳為不直接鍵結。
於本發明的液晶組成物中，為了製作PS模式、橫電場型PSA模式或橫電場型PSVA模式等的液晶顯示元件，可含有聚合性化合物。作為可使用的聚合性化合物，可舉出因光等的能量線進行聚合之光聚合性單體等，構造例如可舉出具有聯苯基衍生物、聯三苯基衍生物等的六員環以複數連結之液晶骨架的聚合性化合物等。更具體地，較佳為通式(XX)所示的二官能單體，
(式中，X201 及X202 各自獨立地表示氫原子或甲基，Sp201 及Sp202 各自獨立地表示單鍵、碳原子數1~8的伸 烷基或-O-(CH2 )s -(式中，s表示2至7之整數，氧原子係鍵結於芳香環)，Z201 表示-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH2 CH2 -、-OCO-CH2 CH2 -、-CH2 CH2 -COO-、-CH2 CH2 -OCO-、-COO-CH2 -、-OCO-CH2 -、-CH2 -COO-、-CH2 -OCO-、-CY1 =CY2 -(式中，Y1 及Y2 各自獨立地表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，M201 表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中的全部之1,4-伸苯基係任意的氫原子可被氟原子取代)。
較佳為X201 及X202 皆表示氫原子的二丙烯酸酯衍生物、皆具有甲基的二甲基丙烯酸酯衍生物中之任一者，亦較佳為其中一者表示氫原子，而另一者表示甲基之化合物。此等化合物的聚合速度係二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物慢，非對稱化合物為其中間，可按照其用途來使用較佳的態樣。於PSA顯示元件中，二甲基丙烯酸酯衍生物為特佳。
Sp201 及Sp202 各自獨立地表示單鍵、碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH2 )s -，但於PSA顯示元件中，較佳為至少一者是單鍵，較佳為皆表示單鍵的化合物，或其中一個為單鍵而另一個表示碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH2 )s -之態樣。此時，較佳為1~4的烷基，s較佳為1~4。
Z201 較佳為-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -或單鍵，更佳為-COO-、-OCO-或單鍵，特佳為單鍵。
M201 表示任意的氫原子可被氟原子取代之1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，但較佳為1,4-伸苯基或單鍵。當C表示單鍵以外的環構造時，Z201 亦較佳為單鍵以外之連結基，當M201 為單鍵時，Z201 較佳為單鍵。
基於此等之點，於通式(XX)中，Sp201 及Sp202 之間的環構造具體地較佳為以下記載之構造。
於通式(XX)中，當M201 表示單鍵，環構造以二個環形成時，較佳為表示下式(XXa-1)至式(XXa-5)，更佳為表示式(XXa-1)至式(XXa-3)，特佳為表示式(XXa-1)。
(式中，兩端係鍵結於Sp201 或Sp202 )。
含有此等骨架的聚合性化合物，由於聚合後的配向調整力最適合於PSA型液晶顯示元件，因得到良好的配向狀態，故顯示不均係被抑制或全然不發生。
根據以上，作為聚合性單體，特佳為通式(XX-1)~通式(XX-4)，其中最佳為通式(XX-2)。
(式中，Sp20 表示碳原子數2至5的伸烷基)。
於本發明的液晶組成物中添加單體之情況，即使聚合引發劑不存在時，聚合也進行，但為了促進聚合，亦可含有聚合引發劑。作為聚合引發劑，可舉出苯偶姻醚類、二苯基酮類、苯乙酮類、苄基縮酮類、醯基膦氧化物類等。
本發明的液晶組成物可更含有通式(Q)所示的化合物。
(式中，RQ 表示碳原子數1至22的直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中的1個或2個以上的CH2 基係以氧原子不直接鄰接之方式，可被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -取代，MQ 表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵)。
RQ 表示碳原子數1至22的直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中的1個或2個以上的CH2 基係以氧原子不直接鄰接之方式，可被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -取代，較佳為碳原子數1至10的直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH2 基被取代成-OCO-或-COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、1個CH2 基被取代成-OCO-或-COO-之支鏈烷基，更佳為碳原子數1至20的直鏈烷基、1個CH2 基被取代成-OCO-或-COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、1個CH2 基被取代成-OCO-或-COO-之支鏈烷基。MQ 表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
通式(Q)所示的化合物更具體地較佳為下述之通式(Q-a)至通式(Q-d)所示的化合物。
式中，RQ1 較佳為碳原子數1至10的直鏈烷基或支鏈烷基，RQ2 較佳為碳原子數1至20的直鏈烷基或支鏈烷基，RQ3 較佳為碳原子數1至8的直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，LQ 較佳為碳原子數1至8的直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。於通式(Q-a)至通式(Q-d)所示的化合物中，更佳為通式(Q-c)及通式(Q-d)所示的化合物。
於本案發明的液晶組成物中，較佳為含有1種或2種之通式(Q)所示的化合物，更佳為含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1質量%，更佳為0.001至0.1質量%，特佳為0.001至0.05質量%。
<液晶顯示元件>
本發明之含有聚合性化合物的液晶組成物，係可藉由紫外線照射來聚合其中所含有的聚合性化合物而賦予液晶配向能力，使用於利用液晶組成物之雙折射來控制光的透過光量之液晶顯示元件。於液晶顯示元件中，適用於AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列 液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭曲向列液晶顯示元件)、OCB-LCD及IPS-LCD(橫向電場切換液晶顯示元件)，特別適用於AM-LCD，可使用於透射型或反射型的液晶顯示元件。
液晶顯示元件中使用的液晶胞之2片基板係可使用如玻璃或塑膠之具有柔軟性的透明材料，其中一片亦可使用矽等之不透明材料。具有透明電極層的透明基板，例如可藉由在玻璃板等的透明基板上濺鍍銦錫氧化物(ITO)而得。
彩色濾光片例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沈積法或、染色法等來作成。以一例說明藉由顏料分散法的彩色濾光片之作成方法，將彩色濾光片用的硬化性著色組成物塗布在該透明基板上，施予圖案化處理，然後藉由加熱或光照射而使硬化。藉由對於紅、綠、藍的3色各自進行此步驟，可作成彩色濾光片用的畫素部。另外，於該基板上亦可設置設有TFT、薄膜二極體、金屬絕緣體金屬比電阻元件等之主動元件的畫素電極。
以透明電極層成為內側之方式使前述基板相向。於該情況下，亦可經由間隔物來調整基板之間隔。此時，較佳為以所得之調光層的厚度成為1~100μm之方式進行調整。1.5至10μm係更佳，使用偏光板時，較佳為以對比成為最大之方式，調整液晶的折射率各向異性△n與晶胞(cell)厚度d之乘積。又，當有二片偏光板時，亦可調整各偏光板的偏光軸，以視角或對比成為良好之方式進行調整。再者，為了擴大視角，亦可使用相位差 薄膜。作為間隔物，例如可舉出包含玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等之柱狀間隔物等。然後以設有液晶注入口之形式，將環氧系熱硬化性組成物等的密封劑網版印刷在該基板上，貼合該基板彼此，加熱而使密封劑熱硬化。
於2片基板間夾持含聚合性化合物的液晶組成物之方法，可使用通常的真空注入法或ODF法等。然而，於真空注入法中雖然不發生滴下痕跡，但具有注入的痕跡殘留之問題，於本案發明中，更適用於使用ODF法製造之顯示元件。於ODF法的液晶顯示元件製造步驟中，藉由在背板或前板中的任一基板上，使用分配器，將環氧系光熱併用硬化性等的密封劑描畫成為閉環堤防狀，於其中在脫氣下滴下指定量的液晶組成物後，接合前板與背板，可製造液晶顯示元件。本發明的液晶組成物，由於在ODF步驟中液晶組成物之滴下係安定的進行，而可適宜使用。
作為使聚合性化合物聚合之方法，由於為了得到液晶的良好配向性能，期望適度的聚合速度，故較佳為藉由單一或併用或輪流地照射紫外線或電子線等之活性能量線而使聚合之方法。使用紫外線時，可使用偏光光源，也可使用非偏光光源。又，於2片基板間夾持含聚合性化合物的液晶組成物之狀態下進行聚合時，至少照射面側的基板必須對活性能量線給予適當的透明性。又，亦可使用：於光照射時使用遮罩僅使特定的部分聚合後，藉由改變電場或磁場或溫度等之條件，而使 未聚合部分之配向狀態變化，再照射活性能量線以使聚合之手段。特別地，於紫外線曝光時，較佳為邊對含聚合性化合物的液晶組成物外加交流電場邊進行紫外線曝光。所外加的交流電場較佳為頻率10Hz至10kHz之交流，更佳為頻率60Hz至10kHz，電壓係依賴於液晶顯示元件之所欲的預傾角來選擇。即，可藉由所外加的電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於橫電場型MVA模式之液晶顯示元件中，從配向安定性及對比之觀點來看，較佳為將預傾角控制在80度至89.9度。
照射時之溫度較佳為將本發明的液晶組成物保持液晶狀態之溫度範圍內。較佳為在接近室溫之溫度，即典型上在15~35℃之溫度使聚合。作為產生紫外線的燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射紫外線之波長，較佳為照射不是液晶組成物的吸收波長範圍之波長範圍的紫外線，較佳為按照需要來截斷紫外線而使用。所照射的紫外線之強度較佳為0.1mW/cm2 ~100W/cm2 ，更佳為2mW/cm2 ~50W/cm2 。所照射的紫外線之能量係可適宜調整，較佳為10mJ/cm2 至500J/cm2 ，更佳為100mJ/cm2 至200J/cm2 。照射紫外線時，亦可使強度變化。照射紫外線的時間係根據所照射的紫外線強度來適宜選擇，較佳為10秒至3600秒，更佳為10秒至600秒。
使用本發明的液晶組成物之液晶顯示元件，係可用於使高速反應與顯示不良之抑制並存，特別有用於主動矩陣驅動用液晶顯示元件，可適用於VA模式、 PSVA模式、PSA模式、IPS(橫向電場切換)模式、FFS(廣視角)模式或ECB模式用液晶顯示元件。
以下，一邊參照圖面，一邊詳細說明本發明的液晶顯示裝置之合適實施形態。
第1圖係顯示液晶顯示元件之截面圖，其具備：互相相向的二個基板，設置於前述基板間之密封材，與封入前述密封材所包圍的封閉領域內之液晶。
具體地，顯示液晶顯示元件之具體態樣，其具備：於第1基板100上設置TFT層102、畫素電極103，自其上設有鈍化膜104及第1配向膜105之背板；於第2基板200上，設置黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜(罩面層)201、透明電極204，自其上起設置第2配向膜205，使與前述背板相向之前板；設置於前述基板間之密封材301；與，封入前述密封材所包圍的封閉區領域內之液晶層303；其中於前述密封材301所接觸的基板面，設有突起(柱狀間隔物)302、304。
前述第1基板或前述第2基板只要是實質上透明，則在材質沒有特別的限定，可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。作為塑膠基板，可使用纖維素、三乙醯纖維素、二乙醯纖維素等之纖維素衍生物；聚環烯烴衍生物；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯；聚丙烯、聚乙烯等之聚烯烴；聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚碸、聚芳酯，更且玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等之無機-有機複合材料等。
再者，使用塑膠基板時，較佳為設置障壁膜。障壁膜之機能係在於使塑膠基板所具有的透濕性降低，提高液晶顯示元件的電氣特性之可靠性。作為障壁膜，只要各自透明性高、水蒸氣透過性小者，則沒有特別的限定，一般地使用採用氧化矽等的無機材料，藉由蒸鍍或濺鍍、化學蒸氣沉積法(CVD法)所形成之薄膜。
於本發明中，作為前述第1基板或前述第2基板，可使用相同素材，也可使用不同素材，沒有特別的限定。若使用玻璃基板，則可製作耐熱性或尺寸安定性優異之液晶顯示元件而較佳。又，若為塑膠基板，則適合藉由輥對輥法的製造方法，而且適合輕量化或可撓化而較佳。另外，若以平坦性及耐熱性賦予作為目的，則組合塑膠基板與玻璃基板者係可得到良好的結果。
再者，於後述的實施例中，使用第1基板100或第2基板200之材質的基板。
於背板中，係在第1基板100上設置TFT層102及畫素電極103。此等係可藉由通常的陣列步驟來製造。於其上設置鈍化膜104及第1配向膜105而得到背板。
鈍化膜104(亦稱為無機保護膜)係保護TFT用之膜，通常藉由化學氣相成長(CVD)技術等來形成氮化膜(SiNx)、氧化膜(SiOx)等。
又，第1配向膜105係具有使液晶配向之機能的膜，通常多使用如聚醯亞胺之高分子材料。於塗布液中，使用由高分子材料與溶劑所成之配向劑溶液。配 向膜由於具有阻礙與密封材之黏著力的可能性，故圖案塗布在封閉區域內。於塗布中使用如膠版印刷法之印刷法、如噴墨之液滴吐出法。經塗布的配向劑溶液係在藉由暫時乾燥而蒸發溶劑後，藉由烘烤而使交聯硬化。然後，為了展現配向機能，進行配向處理。
配向處理通常藉由摩擦法進行。藉由在如前述所形成之高分子膜上，使用由如嫘縈的纖維所成之摩擦布來單向摩擦而產生液晶配向能力。
又，亦有使用光配向法。光配向法係藉由在含有具光感受性的有機材料之配向膜上，照射偏光而產生配向能力之方法，不發生摩擦法所致的基板之損傷或塵埃。作為光配向法的有機材料之例，有含有二色性染料的材料。作為二色性染料，可使用具有發生因光二色性之魏格特(Weigert)效應所致之分子的配向誘發或異構化反應(例：偶氮苯基)、二聚化反應(例：桂皮醯基)、光交聯反應(例：二苯基酮基)或光分解反應(例：聚醯亞胺基)般之成為液晶配向能力之起源的光反應之基(以下簡稱光配向性基)者。所塗布的配向劑溶液係在藉由暫時乾燥而蒸發溶劑後，藉由照射具有任意的偏向之光(偏光)，可得到在任意的方向具有配向能力之配向膜。
一側的前板，係在第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。
黑色矩陣202例如係藉由顏料分散法來製作。具體地，於設有障壁膜201的第2基板200上，塗 布黑色矩陣形成用的黑色著色劑經均勻分散之彩色樹脂液，而形成著色層。接著，烘烤著色層而硬化。於其上塗布光阻，將此預烘烤。通過遮罩圖案將光阻曝光後，進行顯像而將著色層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。
或者，亦可使用光阻型的顏料分散液。此時，塗布光阻型的顏料分散液，於預烘烤後，通過遮罩圖案進行曝光後，進行顯像而將著色層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。
彩色濾光片203係藉由顏料分散法、電沈積法、印刷法或染色法等來作成。若以顏料分散法為例，則將均勻分散有(例如紅色的)顏料之彩色樹脂液塗布在第2基板200上，於烘烤硬化後，在其上塗布光阻，進行預烘烤。通過遮罩圖案將光阻曝光後，進行顯像，而圖案化。然後剝離光阻層，再度藉由烘烤，完成(紅色的)彩色濾光片203(203a)。所作成的顏色順序並沒有特別的限定。同樣地，形成綠彩色濾光片203(203b)、藍彩色濾光片203(203c)。
透明電極204係設置在前述彩色濾光片203上(視需要在前述彩色濾光片203上設置表面平坦化用之罩面層(201))。透明電極204較佳為透射率高者，較佳為電阻小者。透明電極204係藉由濺鍍法等形成ITO等之氧化膜。
又，以保護前述透明電極204為目的，亦有在透明電極204上設置鈍化膜之情況。
第2配向膜205係與前述第1配向膜105相同者。
以上，對於本發明所使用的前述背板及前述前板，陳述具體的態樣，惟於本案中不受該具體的態樣所限定，符合所欲的液晶顯示元件之態樣係可自由地變更。
前述柱狀間隔物之形狀係沒有特別的限定，可使用其水平截面成為圓形、四角形等之多角形等各式各樣的形狀，但考慮製程時的失準邊際(misalignment margin)，特佳為使水平截面成為圓形或正多角形。又，該突起形狀較佳為圓錐台或角錐台。
前述柱狀間隔物之材質，只要是密封材或密封材所使用的有機溶劑或液晶所不溶解之材質，則沒有特別的限定，從加工及輕量化之面來看，較佳為合成樹脂(硬化性樹脂)。另一方面，前述突起係可藉由光刻法之方法或液滴吐出法，設置在第一基板上之密封材相接面。基於如此的理由，較佳為使用適合微影術之方法或液滴吐出法的光硬化性樹脂。
作為例子，說明藉由微影法得到前述柱狀間隔物之情況。第2圖係作為光罩圖案，使用在黑色矩陣上所形成的柱狀間隔物作成用圖案之曝光處理步驟之圖。
於前述前板的透明電極204上，塗布柱狀間隔物形成用之(不含著色劑)樹脂液。接著，烘烤此樹脂層402而硬化。於其上塗布光阻，將此預烘烤。通過遮 罩圖案401將光阻曝光後，進行顯像而將樹脂層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤樹脂層而完成柱狀間隔物(第1圖之302、0304)。
柱狀間隔物之形成位置係可藉由遮罩圖案來定位在所欲的位置。因此，可同時作成液晶顯示元件的封閉區域內與封閉區域外(密封材塗布部分)這兩者。又，較佳為以封閉區域的品質不降低之方式，可位於黑色矩陣之上的方式，形成柱狀間隔物。將如此地藉由微影法所製作的柱狀間隔物稱為圓柱間隔物或光間隔物。
前述間隔物的材質係使用PVA-茋偶氮(stilbazo)感光性樹脂等之負型水溶性樹脂或多官能丙烯酸系單體、丙烯酸共聚物、三唑系起始劑等之混合物。或者，亦有使用在聚醯亞胺樹脂中分散有著色劑之彩色樹脂之方法。於本發明中，沒有特別的限定，可按照所使用的液晶或與密封材的相合性，由周知的材質得到間隔物。
如此地，於前板上之成為封閉區域的面上設置柱狀間隔物後，在該背板之密封材相接面上塗布密封材(第1圖中的301)。
密封材的材質係沒有特別的限定，可使用在環氧系或丙烯酸系之光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性的樹脂中加有聚合起始劑之硬化性樹脂組成物。又，為了控制透濕性或彈性模數、黏度等，有添加由無機物或有機物所成之填料類。此等填料類的形狀係沒有特別的限定，有球形、纖維狀、無定形等。再者，為了 良好地控制液晶層間隙，混合具有單分散徑的球形或纖維狀之縫隙材，或為了更強化與基板之黏著力，可混合與基板上突起容易纏絡之纖維狀物質。此時使用的纖維狀物質之直徑期望為液晶層間隙之1/5~1/10以下左右，纖維狀物質之長度期望比密封塗布寬度還短。
又，纖維狀物質的材質只要是得到指定的形狀者，則沒有特別的限定，可適宜選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等之合成纖維或玻璃、碳等之無機材料。
作為塗布密封材之方法，有印刷法或分配法，但宜為密封材之使用量少的分配法。密封材的塗布位置，為了不對封閉區域造成不利影響，通常在黑色矩陣上。為了形成下一步驟的液晶滴下區域(以液晶不洩漏之方式)，密封材塗布形狀係成為閉環形狀。
於塗布有前述密封材的前板之閉環形狀(封閉區域)，滴下液晶。通常使用分配器。滴下的液晶量為了與液晶胞容積呈一致，基本上與將柱狀間隔物之高度和密封塗布面積相乘之體積同量。然而，為了晶胞貼合步驟中的液晶洩漏或顯示特性之最佳化，可適宜調整滴下的液晶量，也可使液晶滴下位置分散。
其次，塗布前述密封材，在已滴下液晶的前板上，貼合背板。具體地，使具有如靜電夾頭之吸附基板的機構之台吸附前述前板與前述背板，前板的第2配向膜與背板的第1配向膜相對向，配置在密封材與另一側的基板不相接之位置(距離)。於此狀態下將系內減壓。減壓結束後，一邊確認前板與背板之貼合位置，一 邊調整兩基板位置(對準操作)。要是貼合位置的調整結束的話，使基板接近到前板上的密封材與背板相接之位置為止。於此狀態下在系內填充惰性氣體，邊徐徐地開放減壓邊返回常壓。此時，藉由大氣壓力使前板與背板貼合，在柱狀間隔物的高度位置形成液晶層間隙。於此狀態下對密封材照射紫外線而使密封材硬化，形成液晶胞。然後，視情況而定，施予加熱步驟，促進密封材硬化。為了密封材的黏著力強化或電氣特性可靠性之提高，多施予加熱步驟。
[實施例]
以下舉出實施例來更詳細說明本發明，惟本發明不受此等實施例所限定。又，以下的實施例及比較例之組成物中的「%」意味『質量%』。
實施例中，所測定的特性係如以下。
Tni：向列相-各向同性液體相轉變溫度(℃)
△n：在295K的折射率各向異性(別名：雙折射率)
△ε：在295K的介電常數各向異性
η：在295K的黏度(mPa．s)
γ1：在295K的旋轉黏性(mPa．s)
VHR：於頻率60Hz，外加電壓5V之條件下，在313K的電壓保持率(%)
<烙印之評價>
液晶顯示元件之烙印評價，係在顯示區域內使指定的固定圖案顯示1440小時後，進行全畫面均一顯示時，目視固定圖案的殘像之程度，藉由以下的4個等級評價來進行。
◎：無殘像
○：有極少的殘像，但也為可容許之程度
△：有殘像，無法容許之程度
×：有殘像，相當低劣
<：揮發性(製造裝置污染性)之評價>
液晶材料之揮發性評價，係藉由頻閃儀邊照耀邊觀察真空攪拌脫泡混合機之運轉狀態，目視觀察液晶材料之發泡而進行。具體地，於容量2.0L的真空攪拌脫泡混合機之專用容器中加入0.8kg液晶組成物，在4kPa之脫氣下，以15S-1 的公轉速度、7.5S-1 的自轉速度來運轉真空攪拌脫泡混合機，藉由到發泡開始之前的時間，用以下的4個等級評價來進行。
◎：到發泡之前3分鐘以上。揮發所造成的裝置污染之可能性低。
○：到發泡之前1分鐘以上且少於3分鐘。有揮發所造成的輕微裝置污染之掛慮。
△：到發泡之前30秒以上且少於1分鐘。發生揮發所造成的裝置污染。
×：到發泡之前30秒以內。有揮發所造的重大裝置污染之掛慮。
<製程適合性之評價>
製程適合性係於ODF製程中，使用定容積計量泵，每1次40pL滴下液晶，進行100000次，用以下的4個等級來評價以下的「0~200次、201~400次、401~600次、…99801~100000次」之各200次滴下的液晶量之變化。
◎：變化極小(可穩定地製造液晶顯示元件)
○：有稍微變化，但也為可容許之程度
△：有變化，無法容許之程度(由於發生斑而良率變差)
×：有變化，相當低劣(發生液晶洩漏或真空氣泡)
<低溫下的溶解性之評價>
低溫下的溶解性評價，係在調製液晶組成物後，於1mL的樣品瓶中秤量0.5g液晶組成物，對此在溫度控制式試驗槽中，將以下當作1個循環「-20℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→-20℃」，持續給予溫度變化，目視觀察來自液晶組成物的析出物之發生，進行以下的4個等級評價。
◎：600小時以上未觀察到析出物。
○：300小時以上未觀察到析出物。
△：於150小時以內觀察到析出物。
×：於75小時以內觀察到析出物。
(實施例1)
調製下述所示的組成物。表1中顯示實施例1的組成物之物性。
(比較例1)
調製不含有前述通式(i)所示的化合物之下述所示的組成物。表2中顯示比較例1之組成物的物性。
不含有前述通式(i)所示的化合物之比較例1的組成物，與含有前述通式(i)所示的化合物之實施例1的組成物比較下，雖然Tni上昇，但△n及△ε降低，η上升。
(比較例2)
調製不含有前述通式(ii)所示的化合物之以下所示的組成物。表3中顯示比較例2的組成物之物性值。
不含有前述通式(ii)所示的化合物之比較例2的組成物，與含有前述通式(ii)所示的化合物之實施例1的組成物比較下，η顯示大致相同程度之值，雖然Tni上升，但△n及△ε降低。
(實施例2)
調製以下所示的組成物。表4中顯示實施例2的組成物之物性值。
(實施例3)
調製以下所示的組成物。表5中顯示實施例3的組成物之物性值。
(參考例)
調製以下所示的組成物。表6中顯示參考例的組成物之物性值。
(實施例5)
調製以下所示的組成物。表7中顯示實施例5的組成物之物性值。
(實施例6)
調製以下所示的組成物。表8中顯示實施例6的組成物之物性值。
(實施例7)
調製以下所示的組成物。表9中顯示實施例7的組成物之物性值。
(實施例8)
調製以下所示的組成物。表10中顯示實施例8的組成物之物性值。
(實施例9)
調製以下所示的組成物。表11中顯示實施例9的組成物之物性值。
(實施例10)
調製以下所示的組成物。表12中顯示實施例10的組成物之物性值。
以上說明的各實施態樣中的各構成及彼等之組合等係一例，在不脫離本發明的宗旨之範圍內，構成的附加、省略、取代及其它的變更係可能。又，本發明係不受各實施態樣所限定，僅受請求項(claim)之範圍所限定。
表13中記載各實施例中記載之液晶組成物之初期VHR、加熱後(150℃、1小時)之VHR、烙印評價、揮發性的評價、製程適合性的評價及低溫下的溶解性之評價。
[產業上的利用可能性]
可提供具有寬廣溫度範圍的液晶相，黏性小，低溫下的溶解性良好，比電阻或電壓保持率高，對於熱或光呈現安定，不易發生烙印或滴下痕跡等之顯示不良，可高良率地製造顯示品質優異的液晶顯示元件之△ε為正的液晶組成物，以及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

Claims (9)

  1. 一種液晶組成物，其含有1種或2種以上的下述通式(i)所示的化合物；含有2種以上的下述通式(ii)所示的化合物，且作為下述通式(ii)所示的化合物，含有至少1種的下述通式(ii-2)所示的化合物，及至少1種的下述通式(ii)所示的化合物中，式中mii1 表示1、Xii1 表示氫原子、Xii2 表示氟原子的化合物；進一步含有1個以上的選自包含下述通式(I-1-1)所示的化合物、下述通式(I-1-2)所示的化合物、下述通式(II-2)所示的化合物、及下述通式(III)所示的化合物之群的化合物，以及含有1個以上的選自包含下述通式(X-4)所示的化合物、下述通式(XI-1)所示的化合物、及下述通式(VIII-1)所示的化合物之群的化合物； (式中，Ri1 、Ri2 及Rii1 各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，mii1 表示1或2，Xi1 ~Xi3 、Xi5 及Xi6 各自獨立地表示氫原子，Xi4 表示氟原子，Xii1 及 Xii2 各自獨立地表示氫原子、氟原子或氯原子)； (式中，Rii1 表示與通式(ii)中的Rii1 相同的意思，Xii1 及Xii2 表示氟原子)； (式中R12 各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~5的烷氧基)； (R23 表示碳原子數2~5的烯基，R24 表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)； (R31 及R32 各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)； (式中，X102 表示氟原子或氫原子，R10 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)； (式中，R11 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)； (式中，R8 表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。
  2. 如請求項1之液晶組成物，其中含有3種以上的通式(ii)所示的化合物，含有2種以上的通式(ii)所示的化合物中，式中mii1 表示1、Xii1 表示氫原子、Xii2 表示氟原子的化合物。
  3. 如請求項1之液晶組成物，其中作為通式(i)所示的化合物，含有至少1種的Ri1 與Ri2 為相異之取代基的化合物。
  4. 如請求項1之液晶組成物，其含有通式(ii)之Rii1 為乙基的化合物及為丙基的化合物。
  5. 如請求項1之液晶組成物，其含有下述通式(L)所示的化合物， (式中，RL1 及RL2 各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，BL1 、BL2 及BL3 各自獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH2 -或未鄰 接的2個以上之-CH2 -可被取代成-O-)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代成-N=)所組成之群組中的基，上述之基(a)、基(b)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，LL1 及LL2 各自獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-OCF2 -、-CF2 O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當OL為2或3且LL2 係複數存在時，彼等可相同或相異，當OL為2或3且BL3 係複數存在時，彼等可相同或相異；惟，通式(i)所示的化合物、通式(I-1-1)所示的化合物、通式(I-1-2)所示的化合物、通式(II-2)所示的化合物、及通式(III)所示的化合物除外)。
  6. 如請求項1之組成物，其含有下述通式(M)所示的化合物， (式中，RM1 表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2 -係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，CM1 及CM2 各自獨立地表示選自由(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH2 -或未鄰接的2個以上之-CH2 -可被取代成-O-或-S-)及 (e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代成-N=)所組成之群組中的基，上述之基(d)、基(e)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，KM1 及KM2 各自獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -、-CF2 O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，當PM為2、3或4且KM1 係複數存在時，彼等可相同或相異，當PM為2、3或4且CM2 係複數存在時，彼等可相同或相異，XM1 及XM3 各自獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，XM2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(ii)所示的化合物、通式(X-4)所示的化合物、通式(XI-1)所示的化合物、及通式(VIII-1)所示的化合物除外)。
  7. 一種液晶顯示元件，其使用如請求項1之組成物。
  8. 一種IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式或FFS模式用液晶顯示元件，其使用如請求項1之組成物。
  9. 一種液晶顯示器，其使用如請求項7或8之液晶顯示元件。
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