TWI571504B - 液晶組成物、液晶顯示元件及液晶顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明關於作為液晶顯示材料有用的介電常數各向異性(△ε)顯示正值之向列型液晶組成物、使用其之液晶顯示元件及液晶顯示器。
液晶顯示元件係使用於以手錶、計算機為首的各種測定機器、汽車用儀表板、文書處理機、電子筆記本、印表機、電腦、電視、手錶、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式，其代表性者有TN(扭轉向列)型、STN(超扭轉向列)型、使用TFT(薄膜電晶體)之垂直配向型與IPS(橫向電場切換)型等。用於此等液晶顯示元件之液晶組成物係被要求對於水分、空氣、熱、光等的外在刺激為安定，又，能盡量在以室溫為中心的寬廣溫度範圍內顯示液晶相，低黏性、且驅動電壓低。再者液晶組成物為了就各個顯示元件使介電常數各向異性(△ε)及/或折射率各向異性(△n)等為最適宜的數值，而由數種類至數十種類的化合物所構成。
垂直配向(VA)型顯示器係使用△ε為負的液
晶組成物，TN型、STN型或IPS(橫向電場切換)型等的水平配向型顯示器則使用△ε為正的液晶組成物。又，也已報告有藉由在無施加電壓時使△ε為正的液晶組成物呈垂直配向，並施加橫向電場以進行顯示的驅動方式，使△ε為正的液晶組成物的必要性更為提升。另一方面，在全部的驅動方式中均要求低電壓驅動、高速反應、寬廣的動作溫度範圍。亦即，其係要求△ε為正且絕對值大、黏度(η)小、高向列相-各向同性液體相轉變溫度(Tni)。又，為了將作為△n與晶胞間隙(cell gap)(d)的乘積之△n×d設定在規定值，必須將液晶組成物的△n配合晶胞間隙而設定在適當的範圍內。此外在液晶顯示元件被應用於電視等時，由於重視高速反應性，而要求旋轉黏性(γ1)小的液晶組成物。
作為以高速反應性為目標的液晶組成物之結構，已揭示有例如將△ε為正的液晶化合物之下述式(A-1)或是下述式(A-2)所表示的化合物、及△ε為中性的液晶化合物之下述式(B)所表示的化合物組合而使用的液晶組成物。此等液晶組成物的特徵係△ε為正的液晶化合物具有-CF2O-構造、及△ε為中性的液晶化合物具有烯基。此等特徵在該液晶組成物的領域係廣為人知(參照專利文獻1~4)。
另一方面，液晶顯示元件的用途係已擴大，且也看到其使用方法、製造方法有大幅變化。為了對應此等變化，而要求將以往習知的基本物性值以外的特性加以最合適化。即，使用液晶組成物的液晶顯示元件係已廣泛使用VA型與IPS型等，其大小也已使用到能實現50型以上的超大型尺寸之顯示元件。伴隨基板尺寸的大型化，液晶組成物對基板的注入方法也有了變化，從以往的真空注入法變成以滴下注入(ODF：One Drop Fill)法為注入方法的主流。然而，也使得液晶組成物滴下至基板時的滴下痕跡會導致顯示品質降低的問題浮現。再者，在利用ODF法的液晶顯示元件的製程中，必須按照液晶顯示元件的尺寸而滴下最適當量的液晶。若滴下量的偏差離最適值大時，事先設計的液晶顯示元件之折射率或驅動電場之平衡會崩潰，且會發生斑與對比不良等的顯示不良。尤其是最近流行的智慧型手機中所多用的小型液晶顯示元件，由於最適當的液晶滴下量為少量，所以其本身難以將與最適值的偏差控制在一定的範圍內
。因此，為了維持高的液晶顯示元件之製造良率，於液晶組成物中，例如必須受到來自液晶滴下時產生的滴下裝置內急遽的壓力變化或衝撃的影響少，可長時間安定地連續滴下。
如此，以TFT元件等驅動之主動矩陣驅動液晶顯示元件所使用的液晶組成物中，要求一邊維持作為高速反應性能等的液晶顯示元件需要的特性與性能，一邊除了迄今所重視的高比電阻值、高電壓保持率、對光與熱等外在刺激的安定性之特性，還考量液晶顯示元件之製造方法的開發。
[專利文獻1]日本特開2008-037918號公報
[專利文獻2]日本特開2008-038018號公報
[專利文獻3]日本特開2010-275390號公報
[專利文獻4]日本特開2011-052120號公報
本發明所欲解決之課題在於提供具有寬廣溫度範圍的液晶相、黏性小、低溫下的溶解性良好、比電阻或電壓保持率高、對熱與光為安定、不易發生烙印與滴下痕跡等的顯示不良、且高良率地製造顯示品質優異的液晶顯示元件之△ε為正的液晶組成物，及使用該液晶組成物的液晶顯示元件。
本案發明人研討各種的液晶化合物及各種的化學物質，發現藉由組合特定的液晶化合物能夠解決前述課題，而終至完成本發明。即，本發明之第一態樣係以下的液晶組成物，本發明之第二態樣係以下的液晶元件，本發明之第三態樣係以下的液晶顯示器。
[1]一種液晶組成物，其含有下述通式(i)所表示的化合物中的任1種或2種以上，含有下述通式(ii)所表示的化合物中的任1種或2種以上。
[2]如前述[1]之液晶組成物，其中前述通式(i)中的X11a及X12a為氫原子。
[3]如前述[1]或[2]之液晶組成物，其中前述通式(i)中的X13a為氟原子。
[4]如前述[1]至[3]中任一項之液晶組成物，其中前述通式(i)中的X14a為氟原子。
[5]如前述[1]至[4]中任一項之液晶組成物，其含有下述通式(L)所表示的化合物。
[6]如前述[1]至[5]中任一項之液晶組成物，其含有下述通式(M)所表示的化合物。
[7]一種液晶顯示元件，其特徵在於使用如前述[1]至[6]中任一項之液晶組成物。
[8]一種IPS模式用液晶顯示元件，其特徵在於使用如前述[1]至[6]中任一項之液晶組成物。
[9]一種FFS模式用液晶顯示元件，其特徵在於使用如前述[1]至[6]中任一項之液晶組成物。
[10]一種OCB模式用液晶顯示元件，其係使用如前述[1]至[6]中任一項之液晶組成物。
[11]一種ECB模式用液晶顯示元件，其係使用如前述[1]至[6]中任一項之液晶組成物。
[12]一種VA模式用液晶顯示元件，其係使用如前述[1]至[6]中任一項之液晶組成物。
[13]一種VA-IPS模式用液晶顯示元件，其係使用如前述[1]至[6]中任一項之液晶組成物。
[14]一種液晶顯示器，其係使用如前述[7]至[13]中任一項之液晶顯示元件。
本發明之具有正介電常數各向異性的液晶組成物，具有寬廣溫度範圍的液晶相、具有比以往還大幅低的黏性、在低溫的溶解性良好、其比電阻與電壓保持率因熱與光而變化的程度非常小。因此，本發明之液晶組成物於液晶製品的實用性(適用性)高，且使用前述液
晶組成物之IPS型與FFS型等的液晶顯示元件能夠達成高速反應。又，由於即便在經過液晶顯示元件的製程後本發明之液晶組成物仍能安定地發揮其性能，所以能抑制因製程所引起的顯示不良，可高良率地製造液晶顯示元件，因而非常的有用。
100‧‧‧第1基板
102‧‧‧TFT層
103‧‧‧畫素電極
104‧‧‧鈍化膜
105‧‧‧第1配向膜
200‧‧‧第2基板
201‧‧‧平坦化膜(保護膜)
202‧‧‧黑色矩陣
203‧‧‧彩色濾光片
204‧‧‧透明電極
205‧‧‧第2配向膜
301‧‧‧密封材
302‧‧‧突起(柱狀間隔物)
303‧‧‧液晶層
304‧‧‧突起(柱狀間隔物)
401‧‧‧遮罩圖案
402‧‧‧樹脂層
L‧‧‧光
圖1為本發明之液晶顯示元件的截面圖。將具備100~105的基板稱為「背板」，具備200~205的基板稱為「前板」。
圖2係使用形成在黑色矩陣上之柱狀間隔物作成圖案作為光罩圖案的曝光處理步驟之圖。
本發明之第一實施形態的具有正的介電常數各向異性之液晶組成物係含有正介電成分的成分(A)。該成分(A)係以介電常數各向異性為2以上的化合物而構成。此外，化合物的介電常數各向異性係從在25℃添加至介電常數各向異性為約0之液晶組成物所調製之組成物的介電常數各向異性的測定值所外推之數值。
在以下的組成物中「%」若沒有特別地明示，係意味著『質量%』。
前述成分(A)係含有下述通式(i)所表示的化合物中的任1種或2種以上，並且含有下述通式(ii)所表示的化合物中的任1種或2種以上。
<通式(i)所表示的化合物>
前述通式(i)中，R11a表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH2-各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子亦可被氟原子或氯原子取代。
前述烷基的碳原子數係以1~6為佳，1~4為較佳，2~3為更佳。
前述通式(i)中，X11a、X12a、X13a及X14a各自獨立表示氫原子或氟原子。
X11a及X12a中的至少一者為氫原子為佳，X11a及X12a兩者均為氫原子為較佳。
X13a係氟原子為佳，X14a係氟原子為佳，X13a及X14a係氟原子為較佳。
通式(i)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述通式(i)所表示的化合物之含量的下限值係以1%為佳，5%為佳，10%為佳，前述化合物之含量的上限值係以30%為佳，
25%為佳，20%為佳。
相對於前述液晶組成物的總質量，前述通式(i)所表示的化合物的含量係例如亦可為5質量%以上25質量%以下，亦可為5質量%以上20質量%以下，亦可為5質量%以17質量%以下，亦可為10質量%以上25質量%以下，亦可為10質量%以上20質量%以下，亦可為10質量%以上17質量%以下，亦可為12質量%以上25質量%以下，亦可為12質量%以上20質量%以下，亦可為12質量%以上17質量%以下。
在僅使用通式(i)所表示的化合物中的1種之情形，相對於前述總質量而言，前述化合物之含量的下限值係以1%為佳，6%為佳，12%為佳，相對於前述總質量而言，前述化合物之含量的上限值係以30%為佳，24%為佳，18%為佳。
在使用通式(i)所表示的化合物中的2種之情形，相對於前述總質量而言，前述2種化合物之合計含量的下限值係以1%為佳，5%為佳，10%為佳，相對於前述總質量而言，前述2種化合物之合計含量的上限值係以30%為佳，25%為佳，20%為佳。
在該情形下，前述通式(i)所表示的化合物的含量係例如亦可為5質量%以上25質量%以下，亦可為5質量%以上20質量%以下，亦可為5質量%以17質量%以下，亦可為10質量%以上25質量%以下，亦可為10質量%以上20質量%以下，亦可為10質量%以上17質量%以下，亦可為12質量%以上25質量%以下，亦可為12質量%以上20質量%
以下，亦可為12質量%以上17質量%以下。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，較佳為組合1種至2種以上的前述通式(i)所表示的化合物，特佳為組合2種。
前述通式(i)所表示的化合物係以通式(X-6)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，較佳為組合1種至2種以上的前述通式(X-6)所表示的化合物，特佳為組合2種。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-6)所表示的化合物，具體而言係以式(44.1)至式(44.4)所表示的化合物為佳。此等之中含有式(44.1)及/或式(44.2)所表示的化合物為佳，含有式(44.1)及式(44.2)為佳。
本發明之液晶組成物中，式(44.1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有1質量%以上25質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，5質量%以上15質量%以下為更佳。
較佳的範圍之中，前述含量係例如亦可為3質量%以上15質量%以下，亦可為3質量%以上12質量%以下，亦可為3質量%以上9質量%以下，亦可為5質量%以上15質量%以下，亦可為6質量%以上15質量%以下，亦可為8質量%以上15質量%以下，亦可為5質量%以上12質量%以下，亦可為5質量%以上9質量%以下。
本發明之液晶組成物中，式(44.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有1質量%以上25質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，5質量%以上15質量%以下為更佳。
較佳的範圍之中，前述含量係例如亦可為4質量%以上16質量%以下，亦可為4質量%以上14質量%以下，亦
可為4質量%以上12質量%以下，亦可為4質量%以上10質量%以下，亦可為6質量%以上15質量%以下，亦可為6質量%以上12質量%以下，亦可為6質量%以上10質量%以下。
本發明之液晶組成物中，式(44.1)所表示的化合物與式(44.2)所表示的化合物的合計含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上45質量%以下為佳，5質量%以上35質量%以下為較佳，5質量%以上30質量%以下為進一步較佳，5質量%以上25質量%以下為特佳。
特佳的範圍之中，前述含量可列舉例如：5質量%以上23質量%以下、5質量%以上20質量%以下、5質量%以上18質量%以下、5質量%以上16質量%以下、8質量%以上23質量%以下、8質量%以上20質量%以下、8質量%以上18質量%以下、8質量%以上16質量%以下、10質量%以上23質量%以下、10質量%以上20質量%以下、10質量%以上18質量%以下、10質量%以上16質量%以下、13質量%以上23質量%以下、13質量%以上20質量%以下、13質量%以上18質量%以下、13質量%以上16質量%以下。
<通式(ii)所表示的化合物>
前述通式(ii)中，R21a及R22a表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH2-各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的1個或2個以上的氫原子可被氟原子或氯原
子取代。
R21a的烷基的碳原子數係以1~6為佳，2~5為較佳，3~5為更佳，3為特佳。前述烷基較佳為直鏈狀。
R22a的烷基的碳原子數係以1~6為佳，2~5為較佳，3~5為更佳，3為特佳。前述烷基較佳為直鏈狀。
R21a與R22a的組合，較佳係R21a為碳原子數3的正丙基、R22a為碳原子數3的正丙基。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(ii)所表示的複數個化合物。使用的前述通式(ii)所表示的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。又本發明之另一實施形態中為2種。又本發明之又另一實施形態為3種。
通式(ii)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按照實施形態而有其較佳的上限值與下限值。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物之含量的下限值係以1質量%為佳，2質量%為佳，3質量%為佳，前述化合物之含量的上限值係以25質量%為佳，20質量%為佳，15質量%為佳，10質量%為佳，8質量%為佳，6質量%為佳。
在僅使用通式(ii)所表示的化合物中的1種之情形，相對於前述總質量而言，前述化合物之含量的下限值係以1質量%為佳，2質量%為佳，3質量%為佳，相
對於前述總質量而言，前述化合物之含量的上限值係以20質量%為佳，15質量%為佳，10質量%為佳，8質量%為佳，6質量%為佳。
在使用通式(ii)所表示的化合物中的2種或3種之情形，相對於前述總質量而言，前述2種或3種化合物之合計含量的下限值係以10%為佳，15%為佳，18%為佳，相對於前述總質量而言，前述2種化合物之合計含量的上限值係以35%為佳，30%為佳，25%為佳，22%為佳。
前述通式(ii)所表示的化合物較佳係使用1種。相對於前述總質量而言，前述通式(ii)所表示的化合物的含量為一實施形態中係1~9質量%，另一實施形態中為1~7質量%，再另一實施形態中為1~5質量%，又再另一實施形態中為2~9質量%，又再另一實施形態中為2~7質量%，又再另一實施形態中為2~5質量%。
通式(ii)所表示的化合物係以通式(V-3)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合使用前述通式(V-3)所表示
的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。再者，本發明之另一實施形態中為3種以上。此等之中尤其是使用1種為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有通式(V-3)所表示的化合物1質量%以上25質量%以下為佳，含有1質量%以上20質量%以下為更佳，含有1質量%以上15質量%以下為更佳，含有1質量%以上10質量%以下為特佳。
再者，通式(V-3)所表示的化合物係以式(25.1)至式(25.3)所表示的化合物為佳。
又，式(25.1)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上20質量%以下為佳，1質量%以上15質量%以下為較佳，1質量%以上10質量%以下為更佳，1質量%以上8質量%以下為更佳，1質量%以上5質量%以下為特佳。
又，式(25.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上20質量%以下為佳，2質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上
10質量%以下為更佳，4質量%以上8質量%以下為更佳，5質量%以上7質量%以下為特佳。
又，式(25.3)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上20質量%以下為佳，2質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上10質量%以下為更佳，4質量%以上8質量%以下為更佳，5質量%以上7質量%以下為特佳。
式(25.1)所表示的化合物可單獨1種而含有，亦可組合式(25.2)所表示的化合物及/或式(25.3)所表示的化合物而含於本發明之液晶組成物中，但較佳為單獨含有。
通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物共計使用2~5種為佳，使用3或5種為較佳，使用3種為更佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物的合計含量的下限值，係以5%為佳，10%為較佳，15%為更佳。相對於前述總質量而言，前述合計之含量的上限值係以30%為佳，25%為較佳，23%為更佳，20%為特佳。
此等之下限值與上限值的組合，以10~30質量%的範圍為佳。在該較佳的範圍之中，前述含量可列舉例如：10~25質量%、10~23質量%、10~20質量%、13~30質量%、13~25質量%、13~23質量%、13~20質量%、15~30質量%、15~25質量%、15~23質量%、15~20質量%的範圍。
在使用1種的前述通式(i)所表示的化合物與1
種的前述通式(ii)所表示的化合物，共計使用2種之情形，相對於前述總質量而言，前述2種化合物之合計含量的下限值係以5質量%為佳，10質量%為較佳，15質量%為更佳，18質量%為特佳。相對於前述總質量而言，前述2種化合物之合計含量的上限值係以35質量%為佳，30質量%為較佳，25質量%為更佳，22質量%為特佳。
此等之下限值與上限值的組合，以18~22質量%的範圍為佳。在該較佳的範圍之中，前述含量可為18~20質量%，亦可為20~22質量%。
在使用2種的前述通式(i)所表示的化合物與1種的前述通式(ii)所表示的化合物，共計使用3種之情形，相對於前述總質量而言，前述3種化合物之合計含量的下限值係以10質量%為佳，13質量%為佳，15質量%為佳。相對於前述總質量而言，前述3種化合物之合計含量的上限值係以30質量%為佳，25質量%為佳，23質量%為佳，20質量%為佳。
此等之下限值與上限值的組合，以10~30質量%的範圍為佳。在該較佳的範圍之中，前述含量可列舉例如：10~25質量%、10~23質量%、10~20質量%、13~25質量%、13~23質量%、13~20質量%、15~25質量%、15~23質量%、15~20質量%的範圍。
在使用2種的前述通式(i)所表示的化合物與3種的前述通式(ii)所表示的化合物，共計使用5種之情形，相對於前述總質量而言，前述5種化合物之合計含量的下限值係以10質量%為佳，20質量%為較佳，30質量%為
更佳，35質量%為特佳。相對於前述總質量而言，前述5種化合物之合計含量的上限值係以60質量%為佳，55質量%為較佳，50質量%為更佳，45質量%為特佳。
此等之下限值與上限值的組合，以35~45質量%的範圍為佳。在該較佳的範圍之中，前述含量可為35~40質量%，亦可為40~45質量%。
在重視液晶組成物的溶解性之情形中，使用前述的共計3種或前述的共計5種為佳，使用前述的共計3種為較佳，在欲增加前述通式(i)所表示的化合物及前述通式(ii)所表示的化合物的合計含量之情形中，使用前述的共計3種或前述的共計5種為佳，使用前述的共計3種為較佳。
前述通式(i)所表示的化合物與前述通式(ii)所表示的化合物的較佳組合可列舉例如：式(44.1)、式(44.2)、式(25.1)、式(25.2)及式(25.3)所表示的5種的化合物的組合，以及式(44.1)、式(44.2)、式(25.1)及式(25.3)所表示的4種的化合物的組合，式(44.1)、式(44.2)及式(25.1)所表示的3種的化合物的組合。此等之中，尤其是以式(44.1)、式(44.2)及式(25.1)所表示的3種的化合物的組合為佳。
本發明之第一實施形態的液晶組成物亦可含有下述通式(L)所表示的化合物中的任1種或2種以上。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可適當組合複數個的前述通式(L)所表示的化合物而使用。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。又，本發明之另一實施形態中為3種。再者，本發明之另一實施形態中為4種。再者，本發明之另一實施形態中為5種。再者，本發明之另一實施形態中為6種
。再者，本發明之另一實施形態中為7種。再者，本發明之另一實施形態中為8種。再者，本發明之另一實施形態中為9種。再者，本發明之另一實施形態中為10種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(L)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為1~95質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為10~95質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為20~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為40~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為50~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為55~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為60~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為65~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為70~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為75~95質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為80~95質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如在本發明之一形態中為1~95%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為1~85%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~75%。再者
，本發明之另一實施形態中前述含量為1~65%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~55%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~45%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~35%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~25%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應速度快速的液晶組成物為必要的情形，上述的下限值高且上限值高為佳。再者，保持本發明之液晶組成物的Tni高、溫度安定性良好之液晶組成物為必要的情形，上述的下限值高且上限值高為佳。又，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，上述的下限值低且上限值低為佳。
RL1及RL2在其鍵結之環構造為苯基(芳香族)之情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及碳原子數4~5的烯基為佳，其鍵結之環構造為環己烷、哌喃及二烷等飽和的環構造之情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及直鏈狀的碳原子數2~5的烯基為佳。
通式(L)所表示的化合物在要求液晶組成物的化學安定性之情形中，其分子內不具有氯原子為佳。通式(L)所表示的化合物係例如從通式(I)所表示的化合物群中選出的化合物為佳。
R11-A11-A12-R12 (I)
(式中，R11及R12各自獨立表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基，A11及A12各自獨立表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟基-1,4-伸苯基或3-氟基-1,4-伸苯基)
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可適當組合使用前述通式(I)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。又，本發明之另一實施形態中為3種。再者，本發明之另一實施形態中為4種。再者，本發明之另一實施形態中為5種。再者，本發明之另一實施形態中為6種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(I)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3~75質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為15~75質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為18~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為20~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為29~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為
42~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為47~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為53~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為56~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為60~75質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為65~75質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述含量係例如在本發明之一形態中為3~75質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為3~65質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~55質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應速度快速的液晶組成物為必要的情形，上述的下限值高且上限值高為佳。再者，保持本發明之液晶組成物的Tni高、溫度安定性良好之液晶組成物為必要的情形，上述的下限值為適度中等且上限值為適度中等為佳。又，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，上述的下限值低且上限值低為佳。
RM1在其鍵結之環構造為苯基(芳香族)之情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子
數1~4的烷氧基及碳原子數4~5的烯基為佳，其鍵結之環構造為環己烷、哌喃及二烷等飽和的環構造之情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4的烷氧基及直鏈狀的碳原子數2~5的烯基為佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-1)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可適當組合前述通式(I-1)所表示的複數個化合物而使用。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。又，本發明之另一實施形態中為3種。再者，本發明之另一實施形態中為4種。再者，本發明之另一實施形態中為5種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(I-1)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態中前述含量為3~70質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為
15~70質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為18~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為25~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為29~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為31~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為43~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為47~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為50~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為53~70質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為56~70質量%。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如在本發明之一形態中前述含量為3~70質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為3~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~26質量%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應速度快速的液晶組成物為必要的情形，上述的下限值高且上限值高為佳。再者，保持本發明之液晶組成物的Tni高、溫度安定性良好之液晶組成物為必要的情形，上述
的下限值為適度中等且上限值為適度中等為佳。又，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，上述的下限值低且上限值低為佳。
再者，通式(I-1)所表示的化合物係從通式(I-1-1)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，通式(I-1-1)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為2~60質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為4~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為7~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為11~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為13~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為15~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為17~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為20~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為25~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述
含量為32~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~60質量%。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如在本發明之一形態中為2~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為2~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為2~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為2~35質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為2~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為2~25質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為2~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為2~15質量%。
再者，通式(I-1-1)所表示的化合物係從式(1.1)至式(1.3)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物為佳，尤其是式(1.3)所表示的化合物為佳。
式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物各自單獨而使用的情形中，藉由提高式(1.2)所表示的化合物的含量有改善反應速度之功效，使式(1.3)所表示的化合物的含量在下述所表示的範圍由於反應速度快速且為電子的、光學的可靠度高的液晶組成物而為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，含有式(1.3)所表示的化合物5質量%以上35質量%以下為佳，含有5質量%以上25質量%以下為較佳，含有5質量%以上20質量%以下為更佳。
再者，通式(I-1)所表示的化合物係從通式(I-1-2)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可適當組合前述通式(I-1-2)所表示的複數個化合物而使用。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。又，本發明之另一實施形態中為3種。
本發明之液晶組成物中，通式(I-1-2)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如在作為本發明之一實施形態中為7~60質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為15~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為18~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為21~60
質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為24~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為27~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為34~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為37~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為41~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為47~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為50~60質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如在本發明之一實施形態中為7~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為7~55質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為7~45質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為7~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為7~35質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為7~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為7~25質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為7~20質量%。
再者，通式(I-1-2)所表示的化合物係從式(2.1)至式(2.4)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(2.2)至式(2.4)所表示的化合物為佳。尤其是式(2.2)所表示的化合物因特別改善本發明之液晶組成物的反應速度而為佳。又，要求高的Tni更勝於反應速度時，使用式(2.3)或式(2.4)所表示的化合物為佳。式(2.3)及式(2.4)所
表示的化合物的含量，為了使低溫的溶解度良好，較不佳為30質量%以上。
本發明之液晶組成物中，式(2.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上55質量%以下為佳。前述含量的較佳例可列舉10質量%50質量%以下、20質量%以上50質量%以下、30質量%以上50質量%以下。
本發明之液晶組成物中，式(2.3)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上55質量%以下為佳，5質量%45質量%以下為較佳，5質量%以上35質量%以下為較佳，5質量%以上30質量%以下為更佳，10質量%以上28質量%以下為更佳，15質量%以上26質量%以下為特佳。
特佳的範圍之中，前述含量可為15質量%以上23質量%以下，亦可為18質量%以上25質量%以下。
本發明之液晶組成物中，式(2.4)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上55質量%以下為佳，1質量%40質量%以下為較佳，1質量%以上25質量%以下為較佳，1質量%以上15質
量%以下為更佳，2質量%以上10質量%以下為特佳。
特佳的範圍之中，前述含量可為2質量%以上8質量%以下，亦可為4質量%以上10質量%以下。
本案發明之液晶組成物亦可進一步含有具有與通式(I-1-2)所表示的化合物類似之構造的式(2.5)所表示的化合物。
按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，調整以式(2.5)所表示的化合物的含量為佳，相對於本發明之液晶組成物的總質量，含有該化合物11質量%以上為佳，含有15質量%以上為進一步較佳，含有23質量%以上為進一步較佳，含有26質量%以上為更佳，含有28質量%以上為特佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-2)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(I-2)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。又，本
發明之另一實施形態中為3種。
本發明之液晶組成物中，通式(I-2)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3~60質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為4~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為15~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為25~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為38~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為40~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為42~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為45~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為47~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為50~60質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如在本發明之一形態中為3~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為3~55質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~30
質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。
再者，通式(I-2)所表示的化合物係從式(3.1)至式(3.4)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(3.1)、式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為佳。尤其是式(3.2)所表示的化合物由於特別改善本發明之液晶組成物的反應速度而為佳。又，要求高的Tni更勝於反應速度時，使用式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為佳。式(3.3)及式(3.4)所表示的化合物的含量，為了使低溫的溶解度良好，較不佳為20%以上。
再者，通式(I-2)所表示的化合物係從式(3.1)至式(3.4)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，式(3.3)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上40質量%以下為佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-3)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(I-3)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。又，本發明之另一實施形態中為3種。
本發明之液晶組成物中，通式(I-3)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為4~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為15~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為25~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為38~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為40~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為42~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含
量為45~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為47~60質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為50~60質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如在本發明之一形態中前述含量為3~60質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為3~55質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。
在重視低溫的溶解性之情形若稍多地設定含量則效果高，相反地，在重視反應速度之情形若稍少地設定含量則效果高。再者，改良滴下痕跡與烙印特性之情形，將含量的範圍設定在中間為佳。
再者，通式(I-3)所表示的化合物係從式(4.1)至式(4.3)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(4.3)所表示的化合物為佳。
式(4.3)所表示的化合物的含量相對於本發明
之液晶組成物的總量而言為2質量%以上30質量%以下為佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-4)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(I-4)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。
本發明之液晶組成物中，通式(I-4)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3~50質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為5~50質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為6~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為8~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為10~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為12~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為15~50
質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為20~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為25~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中前述含量為3~50質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為、3~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為、3~35質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為、3~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為、3~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為、3~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為、3~10質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為、3~5質量%。
得到高雙折射率之情形若稍多地設定含量則效果高，相反地，在重視高Tni之情形若稍少地設定含量則效果高。再者，改良滴下痕跡與烙印特性之情形，將含量的範圍設定在中間為佳。
再者，通式(I-4)所表示的化合物係從式(5.1)至式(5.4)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(5.2)至式(5.4)所表示的化合物為佳。
式(5.3)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，2質量%以上20質量%以下為較佳，2質量%以上10質量%以下為更佳。
式(5.4)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上30質量%以下為佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-5)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(I-5)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。
本發明之液晶組成物中，通式(I-5)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介
電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為1~50質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為5~50質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為8~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為11~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為13~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為15~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為17~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為20~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為25~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如在本發明之一形態中為1~50%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為1~40%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~35%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~30%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~20%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~15%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~10%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~5%。
在重視低溫的溶解性之情形若稍多地設定含
量則效果高，相反地，在重視反應速度之情形若稍少地設定含量則效果高。再者，改良滴下痕跡與烙印特性之情形，將含量的範圍設定在中間為佳。
再者，通式(I-5)所表示的化合物係從式(6.1)至式(6.6)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(6.3)、式(6.4)及式(6.6)所表示的化合物為佳。
又，式(6.3)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上30質量%以下為佳，4質量%以上25質量%以下為較佳，6質量%以上20質量%以下為更佳。
本案發明之液晶組成物亦可進一步含有式(6.7)及式(6.8)所表示的化合物作為通式(I-5)所表示的化合物。
按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，調整以式(67)所表示的化
合物的含量為佳，相對於本發明之液晶組成物的總質量，含有該化合物2質量%以上為佳，含有3質量%以上為進一步較佳，含有5質量%以上為進一步較佳，含有7質量%以上為特佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-6)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
通式(I-6)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上30質量%以下為佳，4質量%以上30質量%以下為較佳，5質量%以上30質量%以下為較佳，6質量%以上30質量%以下為較佳，9質量%以上30質量%以下為較佳，12質量%以上30質量%以下為較佳，14質量%以上30質量%以下為較佳，16質量%以上30質量%以下為較佳，18質量%以上25質量%以下為較佳，20質量%以上24質量%以下為較佳，22質量%以上23質量%以下為特佳。
再者，通式(I-6)所表示的化合物係以式(7.1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-7)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
通式(I-7)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，2質量%以上30質量%以下為較佳，3質量%以上30質量%以下為較佳，4質量%以上30質量%以下為較佳，6質量%以上30質量%以下為較佳，8質量%以上30質量%以下為較佳，10質量%以上30質量%以下為較佳，12質量%以上30質量%以下為較佳，15質量%以上25質量%以下為較佳，18質量%以上24質量%以下為較佳，21質量%以上22質量%以下為特佳。
再者，通式(I-7)所表示的化合物係以式(8.1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-8)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但可按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，組合前述通式(I-8)所表示的複數個化合物中的1種至3種為佳。通式(I-8)所表示的化合物的含量係按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上65質量%以下為佳，10質量%以上65質量%以下為較佳，15質量%以上65質量%以下為較佳，20質量%以上65質量%以下為較佳，25質量%以上65質量%以下為較佳，30質量%以上65質量%以下為較佳，35質量%以上65質量%以下為較佳，40質量%以上65質量%以下為較佳，45質量%以上60質量%以下為較佳，50質量%以上58質量%以下為較佳，55質量%以上56質量%以下為特佳。
再者，通式(I-8)所表示的化合物係從式(9.1)至式(9.10)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，式(9.2)、式(9.4)及式(9.7)所表示的化合物為佳。
再者，通式(L)所表示的化合物係例如從通式(II)所表示的化合物中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(II)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。又，本發明之又另一實施形態中為3種。再者，本發明之另一實施形態中為4種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(II)所表示的化
合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3~50質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為5~50質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為7~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為10~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為14~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為16~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為20~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為23~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為26~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如在本發明之一形態中為3~50質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~10
質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。
再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-1)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
通式(II-1)所表示的化合物的含量係按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能來進行調整為佳，4質量%以上24質量%以下為佳，8質量%以上18質量%以下為較佳，12質量%以上14質量%以下為更佳。
再者，通式(II-1)所表示的化合物係例如以式(10.1)及式(10.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-2)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(II-2)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(II-2)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3~50質量%。或本發明之另一實施形態中前述含量為5~50質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為7~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為10~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為14~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為16~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為20~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為23~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為26~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為30~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為35~50質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為40~50質量%。
再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量
，前述化合物的含量係例如在本發明之一形態中為3~50質量%。又，本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~10質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。
再者，通式(II-2)所表示的化合物係例如式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物為佳。
按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，亦可含有式(11.1)所表示的化合物，亦可含有式(11.2)所表示的化合物，亦可含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者，亦可含有式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物全部。式(11.1)或式(11.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上40質量%以下為佳，5質量%以上35質量%以下為較佳，5質量%以上30質量%以下為更佳，5質量%以上25質量%以下為特佳，5質量%以上20質量%以下為最佳。
又，式(11.1)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上40質量%以下為佳，1質量%以上25質量%以下為較佳，1質量%以上15質量%以下為更佳，5質量%以上15質量%以下為更佳，5質量%以上12質量%以下為特佳。
特佳的範圍之中，可列舉例如5質量%以上10質量%以下、7質量%以上12質量%以下的含量。
又，式(11.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上40質量%以下為佳，3質量%以上35質量%以下為較佳，3質量%以上30質量%以下為更佳，3質量%以上25質量%以下為更佳，3質量%以上20質量%以下為特佳。
在含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者的之情形，兩者化合物的合計質量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以10質量%以上45質量%以下為佳。
再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-3)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但可按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，含有來自前述通式(II-3)所表示
的複數個化合物中的1種~3種為佳。
通式(II-3)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。較佳含量可列舉例如相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~45質量%。更較佳含量可列舉例如5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~45質量%、20~45質量%、23~45質量%、26~45質量%、29~45質量%、或2~45質量%、2~40質量%、2~35質量%、2~30質量%、2~25質量%、2~20質量%、2~15質量%、2~10質量%。
再者，通式(II-3)所表示的化合物係例如式(12.1)至式(12.3)所表示的化合物為佳。
按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，亦可含有式(12.1)所表示的化合物，亦可含有式(12.2)所表示的化合物，亦可含有式(12.1)所表示的化合物與式(12.2)所表示的化合物兩者。式(12.1)或式(12.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上40質量%以下為佳。又，式(12.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上40質量%以下為佳
。含有式(12.1)所表示的化合物與式(12.2)所表示的化合物兩者的情形，兩者之化合物的合計質量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以15質量%以上45質量%以下為佳。
又，式(12.3)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以0.05質量%以上2質量%以下為佳。式(12.3)所表示的化合物亦可為光學活性化合物。
再者，通式(II-3)所表示的化合物係從例如通式(II-3-1)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但可按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，含有來自前述通式(II-3-1)所表示的複數個化合物中的1種~3種為佳。
通式(II-3-1)所表示的化合物的含量係按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能來進行調整為佳，以1質量%以上24質量%以下為佳，4質量%以上18質量%以下為較佳，8質量%以上14質量%以下為更佳。
再者，通式(II-3-1)所表示的化合物係例如式(13.1)至式(13.4)所表示的化合物為佳，尤其是式(13.3)
所表示的化合物為佳。
再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-4)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
可僅含有此等化合物之中的1種，亦可含有2種以上，但按照所要求之性能進行適當組合為佳。能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但可按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，含有來自前述通式(II-4)所表示的複數個化合物中的1種~2種，含有1種~3種為特佳。
通式(II-4)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上15質量%以下為佳，2質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上15質量%以下為較佳，4質量%以上12質量%以下為較佳，5質量%以上7質量%以下為特佳。
再者，通式(II-4)所表示的化合物係例如式
(14.1)至式(14.5)所表示的化合物為佳，尤其是式(14.2)或式(14.5)所表示的化合物為佳。
再者，通式(L)所表示的化合物係從通式(III)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
通式(III)所表示的化合物的含量，考慮到所要求的溶解性與雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，含有3質量%以上25質量%以下為佳，含有6質量%以上20質量%以下為較佳，含有8質量%以上15質量%以下為更佳。
再者，通式(III)所表示的化合物係例如式(15.1)或式(15.2)所表示的化合物為佳，尤其是式(15.1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(III)所表示的化合物係以通式(III-1)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
通式(III-1)所表示的化合物係按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能來調整其含量為佳，以4質量%以上23質量%以下為佳，6質量%以上18質量%以下為較佳，10質量%以上13質量%以下為更佳。
通式(III-1)所表示的化合物係例如式(16.1)或式(16.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(III)所表示的化合物係從通式(III-2)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
通式(III-2)所表示的化合物的含量係按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能來進行調整為佳，以4質量%以上23質量%以下為佳，6質量%以上18質量%以下為較佳，10質量%以上13質量%以下為更佳。
再者，通式(III-2)所表示的化合物係從例如式(17.1)至式(17.3)所表示的化合物群中選出之化合物為佳，尤其是式(17.3)所表示的化合物為佳。
再者，通式(L)所表示的化合物係從通式(IV)所表示之群組中選出為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(IV)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。再者，本發明之另一實施形態中為3種。再者，本發明之
另一實施形態中為4種。再者，本發明之另一實施形態中為5種。再者，本發明之另一實施形態中為6種以上。
再者，通式(IV)所表示的化合物係從例如通式(IV-1)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
通式(IV-1)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如一實施形態中為1~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為2~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為4~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為6~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為8~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為10~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為12~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為15~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為18~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為21~40質量%。
又，例如，在本發明之一實施形態中，相對
於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為1~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~25質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~10質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~5質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為1~4質量%。
再者，通式(IV-1)所表示的化合物係例如式(18.1)至式(18.9)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但含有來自此等化合物之中的1種~3種為佳，含有1種~4種為更佳。又，所選擇化合物的分子量分布即便較廣其溶解性亦為有效之故，例如選擇來自式(18.1)或(18.2)所表示的化合物的1種，來自式(18.4)或(18.5)所表示的化合物的1種，來自式(18.6)或式(18.7)所表示的化合物的1種，來自式(18.8)或(18.9)所表示的化合物的1種化合物，且將此等適當組合為佳。其中，尤以含有式(18.1)、式(18.3)式(18.4)、式(18.6)及式(18.9)所表示的化合物為佳。
再者，通式(IV)所表示的化合物係從例如通式(IV-2)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(IV-2)所表示的複數個化合物。
通式(IV-2)所表示的化合物的含量必須按照
低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。例如，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係以0.5~40質量%為佳。更較佳含量可列舉例如：1~40質量%、2~40質量%、3~40質量%、5~40質量%、7~40質量%、9~40質量%、12~40質量%、15~40質量%、20~40質量%、或1~40質量%、1~30質量%、1~25質量%、1~20質量%、1~15質量%、1~10質量%、1~5質量%、1~4質量%。
再者，通式(IV~2)所表示的化合物係例如式(19.1)至式(19.8)所表示的化合物為佳，其中，尤以式(19.2)所表示的化合物為佳。
即使作為液晶組成物的成分所選擇之化合物的分子量分布較廣其溶解性亦為有效之故，例如各自選擇來自式(19.1)或(19.2)所表示的化合物的1種，來自式(19.3)或(19.4)所表示的化合物的1種，來自式(19.5)或式(19.6)所表示的化合物的1種，來自式(19.7)或(19.8)所表示的化合物的1種化合物，且將此等適當組合為佳。
本發明之液晶組成物中，式(19.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以0.5質量%以上15質量%以下為佳。
本發明之液晶組成物中，式(19.4)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上25質量%以下為佳。
再者，通式(L)所表示的化合物係從通式(V)所表示之群組中選出的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(V)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。再者，本發明之另一實施形態中為3種。再者，本發明之另一實施形態中為4種。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如一實施形態中為2~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為4~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為7~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為10~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為12~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為15~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為17質~40量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為18~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為20~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述含量為22~40質量%。
又，例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~25質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~20質量%。再者，
本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~10質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~5質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~4質量%。
再者，通式(V)所表示的化合物係以通式(V-1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(V-1)所表示的化合物係以通式(V-1-1)所表示的化合物為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，含有通式(V-1-1)所表示的化合物1質量%以上15質量%以下為佳，含有2質量%以上15質量%以下為更佳，含有3質量%以上10質量%以下為更佳，含有4質量%以上8質量%以下為特佳。
再者，通式(V-1-1)所表示的化合物係式
(20.1)至式(20.4)所表示的化合物為佳，式(20.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(V-1)所表示的化合物係以通式(V-1-2)所表示的化合物為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，含有通式(V-1-2)所表示的化合物1質量%以上15質量%以下為佳，含有2質量%以上15質量%以下為更佳，含有3質量%以上10質量%以下為更佳，含有4質量%以上8質量%以下為特佳。
再者，通式(V-1-2)所表示的化合物係式(21.1)至式(21.3)所表示的化合物為佳，式(21.1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(V-1)所表示的化合物係以通式(V-1-3)所表示的化合物為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，含有通式(V-1-3)所表示的化合物1質量%以上15質量%以下為佳，含有2質量%以上15質量%以下為更佳，含有3質量%以上10質量%以下為更佳，含有4質量%以上8質量%以下為特佳。
再者，通式(V-1-3)所表示的化合物係式(22.1)至式(22.3)所表示的化合物。式(22.1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(V)所表示的化合物係以通式
(V-2)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，可組合前述通式(V-2)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種以上。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係例如在一實施形態中為2~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為4~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為7~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為10~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為12~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為15~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為17~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為18~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為20~40質量%。再者，本發明之另
一實施形態中前述化合物的含量為22~40質量%。
又，例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~40質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~30質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~25質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~20質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~15質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~10質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~5質量%。再者，本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~4質量%。
在期待本發明之液晶組成物為高Tni之實施形態的情形，使式(V-2)所表示的化合物的含量稍多為佳，在低黏度的實施形態為所期望的情形則使含量稍少為佳。
再者，通式(V-2)所表示的化合物係以通式(V-2-1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(V-2-1)所表示的化合物係式(23.1)至式(23.4)所表示的化合物為佳，式(23.1)或式
(23.2)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，式(23.1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有1質量%以上25質量%以下為佳。
本發明之液晶組成物中，式(23.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有1質量%以上25質量%以下為佳。
本發明之液晶組成物中，式(23.1)所表示的化合物及式(23.2)所表示的化合物的合計含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有1質量%以上25質量%以下為佳。
再者，通式(V-2)所表示的化合物係以通式(V-2-2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(V-2-2)所表示的化合物係式(24.1)至式(24.4)所表示的化合物為佳，式(24.1)或式(24.2)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物亦可進一步含有1種或2種以上的通式(VI)所表示的化合物。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但可按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，含有來自前述通式(VI)所表示的複數個化合物中的1種~3種為佳，含有1種~4種為進一
步較佳，含有1種~5種以上為特佳。又，可含有的最大比率係以35質量%以下為佳，25質量%以下為較佳，15質量%以下為又較佳。
通式(VI)所表示的化合物，具體而言可適宜使用以下所列舉的化合物。
本案發明之液晶組成物可進一步含有1種或2種以上的通式(VII)所表示的化合物。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但可按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所要求的性能，含有來自前述通式(VII)所表示的複數個化合物中的1種~3種為佳，含有1種~4種為進一步較佳，含有1種~5種以上為特佳。又，可含有的最大比率係以35質量%以下為佳，25質量%以下為較佳，15質量
%以下為又較佳。
通式(VII)所表示的化合物，具體而言可適宜使用下述所列舉的化合物。
本發明之液晶組成物亦可含有下述通式(M)所表示的化合物中的任1種以上。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(M)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。再者，本發明之另一實施形態中為3種。又，再者，本發明之另一實施形態中為4種。再者，本發明之另一實施
形態中為5種。再者，本發明之另一實施形態中為6種。再者，本發明之另一實施形態中為7種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(M)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為1~95質量%。再者，例如本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為10~95質量%。例如，本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為20~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為30~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為40~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為45~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為50~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為55~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為60~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為65~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為70~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為75~95質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為80~95質量%。
又，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為1~95
質量%。再者，本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為1~85質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為1~75質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為1~65質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為1~55質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為1~45質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為1~35質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為1~25質量%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，保持本發明之液晶組成物的Tni高、溫度安定性良好之液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。
RM1在其鍵結之環構造為苯基(芳香族)之情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4的烷氧基及碳原子數4~5的烯基為佳，其鍵結之環構造為環己烷、哌喃及二烷等飽和的環構造之情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4的烷氧基及直鏈狀的碳原子數2~5的烯基為佳。
通式(M)所表示的化合物在要求液晶組成物的化學安定性之情形中，其分子內不具有氯原子為佳。進一步在液晶組成物內含有氯原子之化合物為5%以下
為佳，3%以下為佳，1%以下為佳，0.5%以下為佳，實質上不含有為佳。實質上不含有即意味非意圖混入作為化合物製造時的不純物而生成之化合物等，僅混入含有氯原子的化合物至液晶組成物中。
通式(M)所表示的化合物係從例如通式(VIII)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(VIII)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。再者，本發明之另一實施形態中為3種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(VIII)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為2~40質量%。再者，例如本發明之另一實施形態係前述化合物的
含量為4~40質量%。例如，本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為5~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為6~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為7~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為8~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為9~40質量%。例如，本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為10~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為11~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為12~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為14~40質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為15~40質量%。例如，本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為21~40質量%。例如，本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為23~40質量%。
又，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為2~40質量%。再者，本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為2~30質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為2~25質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為2~21質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為2~16質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為2~12質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為2~8質量%。本
發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為2~5質量%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，保持本發明之液晶組成物的Tni高、溫度安定性良好之液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。
再者，通式(VIII)所表示的化合物係以通式(VIII-1)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(VIII-1)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種以上。
再者，通式(VIII-1)所表示的化合物，具體而言係以式(26.1)至式(26.4)所表示的化合物為佳，式(26.1)或式(26.2)所表示的化合物為佳，式(26.2)所表示
的化合物為又較佳。
式(26.1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上40質量%以下為佳，1質量%以上30質量%以下為較佳，1質量%以上20質量%以下為更佳。
式(26.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以4質量%以上30質量%以下為佳，6質量%以上25質量%以下為較佳，8質量%以上20質量%以下為更佳，10質量%以上17質量%以下為特佳。
特佳的範圍之中，前述含量可為10質量%以上15質量%以下，亦可為12質量%以上17質量%以下。
式(26.1)所表示的化合物及式(26.2)所表示
的化合物的合計含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5~40質量%為佳。
再者，通式(VIII)所表示的化合物係以通式(VIII-2)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(VIII-2)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。或者，本發明之又另一實施形態中為3種以上。
通式(VIII-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，2.5質量%以上25質量%以下為佳，8質量%以上25質量%以下為佳，10質量%20質量%以下為較佳，12質量%以上15質量%以下為進一步較佳。
再者，通式(VIII-2)所表示的化合物係以式(27.1)至式(27.4)所表示的化合物為佳，式(27.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(VIII)所表示的化合物係以通式(VIII-3)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(VIII-3)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種以上。
再者，通式(VIII-3)所表示的化合物，具體而言係以式(26.11)至式(26.14)所表示的化合物為佳，式(26.11)或式(26.12)所表示的化合物為佳，式(26.12)所表
示的化合物為又較佳。
再者，通式(M)所表示的化合物係從例如通式(IX)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。惟，前述通式(i)所表示的化合物除外。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(IX)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發
明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。再者，本發明之另一實施形態中為3種。又再者，本發明之另一實施形態中為4種。再者，本發明之另一實施形態中為5種。再者，本發明之另一實施形態中為6種以上。
本發明之液晶組成物中，通式(IX)所表示的化合物的含量必須按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、烙印、介電常數各向異性等所要求的性能來作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3~70質量%。再者，例如本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為5~70質量%。例如，本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為8~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為10~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為12~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為15~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為17~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為20~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為24~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為28~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為30~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為34~70質量%。例如本發明之又另一實
施形態係前述化合物的含量為39~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為40~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為42~70質量%。例如本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為45~70質量%。
又，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量例如作為本發明之一實施形態為3~70質量%。再者，本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為3~60質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~55質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~50質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~45質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~40質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~35質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~30質量%。本發明之又另一實施形態為25質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~20質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~15質量%。本發明之又另一實施形態係前述化合物的含量為3~10質量%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，在本發明之液晶組成物的Tni高、不易發生燒結的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又
，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。
再者，通式(IX)所表示的化合物係以通式(IX-1)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(IX-1)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。再者，本發明之另一實施形態中為3種。又再者，本發明之另一實施形態中為4種以上。
再者，通式(IX-1)所表示的化合物係以通式(IX-1-1)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但按照低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等所期望的性能，可組合使用前述通式(IX-1-1)所表示的複數個化合物。使用的化合物的種類，例如在本發明之一實施形態中為1種。或本發明之另一實施形態中為2種。
相對於本發明之液晶組成物的總質量而言，前述通式(IX-1-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按照實施形態而有其較佳的上限值與下限值。
相對於前述總質量而言，前述化合物的含量於一實施形態中為1~40質量%，另一實施形態中為1~35質量%，又另一實施形態中為1~30質量%，又再另一實施形態中為1~25質量%，又再另一實施形態中為1~10質量%，又再另一實施形態中為1~7質量%，又再另一實施形態中為1~5質量%。
再者，前述通式(IX-1-1)所表示的化合物係以式(28.1)至式(28.5)所表示的化合物為佳。前述液晶組成物係含有式(28.3)及式(28.5)所表示的化合物之中的任1種或2種為佳。
本發明之液晶組成物中，式(28.3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於前述液晶組成物的總質量而言為1質量%以上30質量%以下為佳，2質量%以上20質量%以下為較佳，3質量%以上15質量%以下為進一步較佳，4質量%以上12質量%以下為特佳，5質量%以上10質量%以下為最佳。
最佳的範圍之中，可列舉例如：5質量%以上9質量%以下、5質量%以上8質量%以下、6質量%以上9質量%以下、6質量%以上8質量%以下的含量。
本發明之液晶組成物中，式(28.5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於前述液晶組成物的總質量而言為3質量%以上25質量%以下為佳，5質量%以上20質量%以下為較佳，5質量%以上15質量%以下為進一步較佳，5質量%以上12質量%以下為特佳。
特佳的範圍之中，可列舉例如：5質量%以上10質量%以下、5質量%以上9質量%以下、6質量%以上11質量%以下、7質量%以上11質量%以下的含量。
本發明之液晶組成物中，式(28.3)所表示的化合物與式(28.5)所表示的化合物的合計含量，相對於前述液晶組成物的總質量，以5質量%以上30質量%以下為佳，7質量%以上25質量%以下為較佳，10質量%以上20質量%以下為更佳。
更佳的範圍之中，可列舉例如：10質量%以上18質量%以下、10質量%以上17質量%以下、10質量%以上16質量%以下、12質量%以上20質量%以下、14質量%以上20質量%以下、13質量%以上17質量%以下的含量。
在前述液晶組成物含有前述式(28.3)所表示的化合物及前述式(28.5)所表示的化合物之情形，其相對的含量可前述式(28.3)所表示的化合物的含量多，也可前述式(28.5)所表示的化合物的含量多，但從提高前述液晶組成物的Tni之觀點而言，前述式(28.5)所表示的化合物的含量多為佳。
再者，通式(IX-1)所表示的化合物係以通式(IX-1-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(IX-1-2)所表示的複數個化合物中的1種~3種為佳，組合1種~4種為較佳。
通式(IX-1-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，5質量%以上30質量%以下為較佳，8質量%以上30質量%以下為進一步較佳，10質量%以上25質量%以下為進一步較佳，14質量%以上22質量%以下為進一步較佳，16質量%以上20質量%以下為特佳。
再者，通式(IX-1-2)所表示的化合物係式(29.1)至式(29.4)所表示的化合物為佳，式(29.2)或式(29.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(IX)所表示的化合物係以通式(IX-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合使用前述通式(IX-2)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種，另一實施形態中為2種，又另一實施形態中為3種，又再另一實施形態中為4種，又再另一實施形態中為5種，又再另一實施形態中為6種以上組合。
再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(IX-2-1)所表示的複數個化合物中的1種~3種為佳。
通式(IX-2-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其較佳的上限值與下限值。
例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為1~40質量%。另一實施形態中係前述化合物的含量為2~40質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為4~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為10~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為14~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為16~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為21~40質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為1~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為1~35質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為1~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~25質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~22質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~10質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~7質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~5質量%。
再者，通式(IX-2-1)所表示的化合物係以式(30.1)至式(30.4)所表示的化合物為佳，式(30.1)至式(30.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合1種~3種的前述通式(IX-2-2)所表示的複數個化合物為佳，組合1種~4種為較佳。
通式(IX-2-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為1~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為2~40質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為4~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為10~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為14~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為16~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為21~40質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施
形態中為前述化合物的含量為1~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為1~35質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為1~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~25質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~22質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~15質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~12質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~8質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為1~4質量%。
再者，通式(IX-2-2)所表示的化合物係以式(31.1)至式(31.4)所表示的化合物為佳，式(31.2)至式(31.4)所表示的化合物為較佳，式(31.2)所表示的化合物為更佳。
本發明之液晶組成物中，式(31.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上35質量%以下為佳，2質量%以上25質量%以下為較佳，3質量%以上15質量%以下為更佳。
本發明之液晶組成物中，式(31.4)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上35質量%以下為佳，1質量%以上25質量%以下
為較佳，1質量%以上15質量%以下為更佳。
再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-3)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(IX-2-3)所表示的複數個化合物中的1種~2種為佳。
通式(IX-2-3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，8質量%以上10質量%以下為又較佳。
再者，通式(IX-2-3)所表示的化合物係以式(32.1)至式(32.4)所表示的化合物為佳，式(32.2)及/或式(32.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-4)所表示的化合物為佳。
通式(IX-2-4)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，8質量%以上10質量%以下為特佳。
再者，通式(IX-2-4)所表示的化合物係以式(33.1)至式(33.5)所表示的化合物為佳，式(33.1)及/或式(33.3)所表示的化合物為佳。
再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-5)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合使用前述通式(IX-2-5)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種，另一實施形態中為2種，又另一實施形態中為3種，又再另一實施形態中為4種以上。
通式(IX-2-5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為4~45質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為8~45質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為12~45質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為21~45質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為30~45質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為31~45質量%，又再另
一實施形態中係前述化合物的含量為34~45質量%。又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為4~45質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為4~40質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為4~35質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~32質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~22質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~13質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~9質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~8質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~5質量%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，在保持本發明之液晶組成物的Tni高、不易發生烙印的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。
再者，通式(IX-2-5)所表示的化合物係以式(34.1)至式(34.5)所表示的化合物為佳，式(34.1)、式(34.2)、式(34.3)及/或式(34.5)所表示的化合物為較佳。
再者，通式(IX)所表示的化合物係以通式(IX-3)所表示的化合物為佳。
再者，通式(IX-3)所表示的化合物係以通式(IX-3-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，前述通式(IX-3-1)所表示的複數個化合物中的1種~2種組合為佳。
通式(IX-3-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上30質量%以下為佳，7質量%以上30質量%以下為較佳，13質量%以上20質量%以下為進一步較佳，15質量%以上18質量%以下為特佳。
再者，通式(IX-3-1)所表示的化合物係以式(35.1)至式(35.4)所表示的化合物為佳，式(35.1)及/或式(35.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(M)所表示的化合物係以通式(X)所表示的化合物為佳。惟，前述通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(X)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種。又，本發明之另一實施形態中為2種。又另一實施形態中為3種。進一步又另一實施形態中係4種。進一步又另一實施形態中係5種以上。
通式(X)所表示的化合物的含量，考慮到低溫
的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~45質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為3~45質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為6~45質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為8~45質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為9~45質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為11~45質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為12~45質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~45質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為19~45質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為23~45質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為25~45質量%。又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~45質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為2~35質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為2~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~25質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~13質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~9質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~6質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~3質量%。
在保持本發明之液晶組成物的黏度低、反應
速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，在不易產生烙印之液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又，為了保持低驅動電壓而欲增大介電常數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。
本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(X-1)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種。又，本發明之另一實施形態中為2種。又另一實施形態中為3種。進一步又另一實施形態中係4種。進一步又另一實施形態中係5種以上。
通式(X-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總
質量，前述化合物的含量為2~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為3~40質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為5~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為6~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為7~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為8~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為9~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為13~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為23~40質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為2~30質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為2~25質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~15質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~10質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~6質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~4質量%。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1)所表示的化合物係以通式(X-1-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(X-1-1)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種。又，本發明之另一實施形態中為2種。又另一實施形態中為3種。進一步又另一實施形態中係4種以上。
通式(X-1-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為3~30質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為4~30質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為6~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為9~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為12~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為15~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為21~30質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為3~30質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為3~20質量%，又另一
實施形態中係前述化合物的含量為3~13質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~10質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~7質量%。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1-1)所表示的化合物，具體而言係以式(36.1)至式(36.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(36.1)及/或式(36.2)所表示的化合物為佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1)所表示的化合物係以通式(X-1-2)所表示的化合物為佳。
通式(X-1-2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上為佳，2質量%以上為較佳，6質量%以上為又較佳。又，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，將最大比率限制在20質量%以下為佳，16質量%以下為進一步較佳，12質量%以下為更佳，10質量%以下為特佳。
更具體的較佳實施形態，可舉例說明前述含量為1~10質量%、2~8質量%、2~7質量%、2~5質量%、4~8質量%、及5~8質量%的實施形態。
前述通式(X-1-2)所表示的化合物，具體而言係以式(37.1)至式(37.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(37.2)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，式(37.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量
%以上20質量%以下為佳，1~10質量%為較佳，1~8質量%為更佳，2~6質量%為特佳。更佳的範圍之中，前述含量可為2~5質量%，亦可為3~7質量%。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1)所表示的化合物係以通式(X-1-3)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合1種至2種以上的前述通式(X-1-3)所表示的化合物為佳。
通式(X-1-3)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上為佳，2質量%以上為較佳，6質量%以上為又較佳。又，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，將最大比率限制在20質量%以下為佳，16質量%以下為進一步較佳，12質量%以下為較佳，10質量%以下為特佳。
更具體的較佳實施形態，可舉例說明前述含量為1~10質量%、3~8質量%、2~6質量%、2~5質量%、2~4質量%、3~6質量%、4~6質量%、及5~6質量%的實施形態。
前述通式(X-1-3)所表示的化合物，具體而言
係以式(38.1)至式(38.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(38.2)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，式(38.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上35質量%以下為佳，2質量%25質量%以下為較佳，3質量%以上20質量%以下為較佳。
本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考
慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-2)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2)所表示的化合物係以通式(X-2-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-2-1)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
通式(X-2-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，1質量%以上20質量%以下為較佳，1質量%以上10質量%以下為又較佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2-1)所表示的化合物，具體而言係以式(39.1)至式(39.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(39.2)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，式(39.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，1質量%20質量%以下為較佳，1質量%以上15質量%以下為更佳，3質量%以上10質量%以下為較佳，4質量%以上8質量%以下為更佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2)所表示的化合物係以通式(X-2-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-2-2)所表示的複數個化合物中的1
種至2種以上為佳。
通式(X-2-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上20質量%以下為佳，6質量%以上16質量%以下為較佳，9質量%以上12質量%以下為進一步較佳，9質量%以上10質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2-2)所表示的化合物，具體而言係以式(40.1)至式(40.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(40.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(X-3)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-3)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-3)所表示的化合物係以通式(X-3-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-3-1)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳。
通式(X-3-1)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上為佳，2質量%以上為較佳，3質量%以上為又較佳。又，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，將最大比率限制在10質量%以下為佳，8質量%以下為進一步較佳，6質量%以下為較佳，4質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-3-1)所表示的化合物，具體而言係以式(41.1)至式(41.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(41.2)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，式(41.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以0.5質量%以上15質量%以下為佳，1質量%以上10質量%以下為較佳。
再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(X-4)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-4)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4)所表示的化合物係以通式(X-4-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-4-1)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
通式(X-4-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上20質量%以下為佳，5質量%以上17質量%以下為較佳，10質量%以上15質量%以下為進一步較佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4-1)所表示的化合物，具體而言係以式(42.1)至式(42.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(42.3)所表示
的化合物為佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-4-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-4-2)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
通式(X-4-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發
明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上20質量%以下為佳，5質量%以上17質量%以下為較佳，10質量%以上15質量%以下為進一步較佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4-2)所表示的化合物，具體而言係以式(42.11)至式(42.14)所表示的化合物為佳，其中以含有式(42.13)或式(42.14)所表示的化合物為較佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-4-3)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-4-3)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
通式(X-4-3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上20質量%以下為佳，5質量%以上17質量%以下為較佳，10質量%以上15質量%以下為進一步較佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4-3)所表示的化合物，具體而言係以式(42.21)至式(42.24)所表示的化合物為佳，其中以含有式(42.22)所表示的化合物為較佳。
再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(X-5)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-5)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-5)所表示的化合物係以通式(X-5-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X-5-1)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-5-1)所表示的化合物，具體而言係以式(43.1)至式
(43.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(43.2)所表示的化合物為佳。
又，本發明之液晶化合物亦可含有與前述通式(X)所表示的化合物類似的通式(X’-7)所表示的化合物。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(X’-7)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳。
通式(X’-7)所表示的化合物的含量，考慮到
低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。
例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為4~30質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為5~30質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為6~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為8~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為9~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為11~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為14~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~30質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為4~30質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為4~20質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為4~13質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~10質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為4~7質量%。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X’-7)所表示的化合物，具體而言係以式(44.11)至式(44.14)所表示的化合物為佳，其中以含有式(44.13)所表示的化合物為較佳。
再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(XI)所表示之群組中選出的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(XI)所表示的複數個化合物中的1種~3種以上為佳。
通式(XI)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~30質量%，另一實施形態
中係前述化合物的含量為4~30質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為5~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為7~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為9~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為10~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為12~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為13~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為15~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~30質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~30質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為2~25質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為2~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~15質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~10質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~5質量%。
本發明之液晶組成物在用於晶胞間隙小的液晶顯示元件用之情形，將通式(XI)所表示的化合物的含量稍微增加為適宜。在用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，將通式(XI)所表示的化合物的含量稍微增加為適宜。又，在用於低溫環境下所使用的液晶顯示元件用之情形，將通式(XI)所表示的化合物的含量稍微減少為適宜。在用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物之情形，將通式(XI)所表示的化合物的含量稍微減少為適宜。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XI)所表示的化合物係以通式(XI-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(XI-1)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種，另一實施形態中為2種，又另一實施形態中為3種以上加以組合。
通式(XI-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上20質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，4質量%以上20質量%以下為為進一步較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，9質量%以上12質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XI-1)所表示的化合物，具體而言係以式(45.1)至式(45.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(45.2)至式(45.4)所表示的化合物為佳，含有式(45.2)所表示的化合
物為較佳。
本發明之液晶組成物中，式(45.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上30質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，5質量%以上15質量%以下為進一步較佳，5質量%以上10質量%以下為特佳。
特佳的範圍之中，前述含量可列舉例如5質量%以上9質量%以下、5質量%以上8質量%以下、6質量%以上9質量%以下、6質量%以上8質量%以下。
本發明之液晶組成物中，式(45.3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有1質量%以上25質量%以下為佳，2質量%以上20質量%以下為較佳，3質量%以上15質量%以下為進一步較佳。
本發明之液晶組成物中，式(45.4)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有1質量%以上25質量%以下為佳，2質量%以上20質量%以下為較佳，3質量%以上15質量%以下為又較佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XI)所表示的化合物係以通式(XI-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(XI-2)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種，另一實施形態中為2種，又另一實施形態中為3種以上加以組合。
通式(XI-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上20質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，4質量%以上20質量%以下為為進一步較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，9質量%以上12質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XI-2)所表示的化合物，具體而言係以式(45.11)至式(45.14)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(45.12)至式(45.14)所表示的化合物為佳，含有式(45.12)所表示的化合物為較佳。
再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(XII)所表示之群組中選出的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率
等，組合前述通式(XII)所表示的複數個化合物中的1種~3種以上為佳，組合1種~4種以上為較佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XII)所表示的化合物係以通式(XII-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(XII-1)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
通式(XII-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上15質量%以下為佳，2質量%以上10質量%以下為較佳，3質量%以上8質量%以下為進一步較佳，4質量%以上6質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XII-1)所表示的化合物，具體而言係以式(46.1)至式(46.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(46.2)至式(46.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XII)所表示的化合物係以通式(XII-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物並無特別的限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(XII-2)所表示的複數個化合物中的1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。
通式(XII-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上20質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，4質量%以上17
質量%以下為進一步較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，9質量%以上13質量%以下為特佳。
再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XII-2)所表示的化合物，具體而言係以式(47.1)至式(47.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(47.2)至式(47.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(M)所表示的化合物係以通式(XIII)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制
，但含有來自前述通式(XIII)所表示的複數個化合物中的1種~2種為佳，含有1種~3種為較佳，含有1種~4種為更佳。
通式(XIII)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。
例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~30質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為4~30質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為5~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為7~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為9~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為11~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為13~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為14~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為16~30質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為20~30質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~30質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為2~25質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為2~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~15質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~10質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~5質量%。
本發明之液晶組成物在用於晶胞間隙小的液晶顯示元件用之情形，將通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微增多為適宜。在用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，將通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微增多為適宜。又，在用於低溫環境下所使用的液晶顯示元件用之情形，將通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微減少為適宜。在用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物之情形，將通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微減少為適宜。
再者，通式(XIII)所表示的化合物係以通式(XIII-1)所表示的化合物為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有通式(XIII-1)所表示的化合物1質量%以上25質量%以下為佳，含有3質量%以上25質量%以下為進一步較佳，含有5質量%以上20質量%以下為進一步較佳，含有10質量%以上15質量%以下為特佳。
再者，通式(XIII-1)所表示的化合物係以式(48.1)至式(48.4)所表示的化合物為佳，式(48.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XIII)所表示的化合物係以通式(XIII-2)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但含有來自前述通式(XIII-2)所表示的複數個化合物中的1種~2種以上為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有通式(XIII-2)所表示的化合物5質量%以上25質量%以下為佳，含有6質量%以上25質量%以下為進一步較佳，含有8質量%以上20質量%以下為進一步較佳，含有10質量%以上15質量%以下為特佳。
再者，通式(XIII-2)所表示的化合物係以式
(49.1)至式(49.4)所表示的化合物為佳，式(49.1)或式(49.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XIII)所表示的化合物係以通式(XIII-3)所表示的化合物為佳。
能加以組合之化合物的種類並無特別的限制，但含有來自前述通式(XIII-3)所表示的複數個化合物中的1種~2種為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量而含有通式(XIII-3)所表示的化合物2質量%以上20質量%以下為佳，含有4質量%以上20質量%以下為更佳，含有9質量
%以上17質量%以下為更佳，含有11質量%以上14質量%以下為特佳。
再者，通式(XIII-3)所表示的化合物係以式(50.1)至式(50.4)所表示的化合物為佳，式(50.1)或式(50.2)所表示的化合物為佳。
再者，通式(M)所表示的化合物係以通式(XIV)所表示的化合物群中選出之化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考
慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(XIV)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種。再者，本發明之另一實施形態中為2種。或者，本發明之又另一實施形態中為3種。又，本發明之又另一實施形態中為4種。或者，本發明之又另一實施形態中為5種。或者，本發明之又另一實施形態中為6種以上。
通式(XIV)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。
例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為3~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為7~40質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為8~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為11~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為12~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為16~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為19~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為22~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為25~40質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為3~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為3~35質量%，又另一
實施形態中係前述化合物的含量為3~30質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~25質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~15質量%。
本發明之液晶組成物在用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，將通式(XIV)所表示的化合物的含量稍微增多為適宜。又在用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物之情形，將通式(XIV)所表示的化合物的含量稍微減少為適宜。
再者，通式(XIV)所表示的化合物係以通式(XIV-1)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，組合前述通式(XIV-1)所表示的複數個化合物中的1種~3種為佳。
再者，通式(XIV-1)所表示的化合物係以通式(XIV-1-1)所表示的化合物為佳。
通式(XIV-1)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以2質量%以上為佳，4質量%以上為較佳，7質量%以上為進一步較佳，10質量%以上為進一步較佳，18質量%以上為特佳。又，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，將最大比率限制在30質量%以下為佳，27質量%以下為進一步較佳，24質量%以下為較佳，少於21質量%為特佳。
再者，通式(XIV-1-1)所表示的化合物，具體而言係以式(51.1)至式(51.4)所表示的化合物為佳，式(51.1)所表示的化合物為較佳。
再者，通式(XIV-1)所表示的化合物係以通式(XIV-1-2)所表示的化合物為佳。
通式(XIV-1-2)所表示的化合物的含量，考慮
到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上15質量%以下為佳，3質量%以上13質量%以下為較佳，5質量%以上11質量%以下為進一步較佳，7質量%以上9質量%以下為特佳。
再者，通式(XIV-1-2)所表示的化合物，具體而言係以式(52.1)至式(52.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(52.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XIV)所表示的化合物係以通式(XIV-2)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(XIV-2)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種。再者，本發明之另一實施形態中為2種。或者，本發明之又另一實施形態中為3種。又，本發明之又另一實施形態中為4種。或者，本發明之又另一實施形態中為5種以上。
通式(XIV-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。
例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為3~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為7~40質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為8~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為10~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為11~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為12~40質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為19~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為21~40質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為22~40質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之
一實施形態中為前述化合物的含量為3~40質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為3~35質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為3~25質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~15質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為3~10質量%。
本發明之液晶組成物在用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，將通式(XIV-2)所表示的化合物的含量稍微增多為適宜。又在用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物之情形，將通式(XIV-2)所表示的化合物的含量稍微減少為適宜。
再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-1)所表示的化合物為佳。
通式(XIV-2-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以1質量%以上15質量%以下為佳，3質量%以上13質量%以下為較佳，5質量%以上11質量%以下為進一步較佳，7質量%以上9質量%以下為特佳。
再者，通式(XIV-2-1)所表示的化合物，具體而言係以式(53.1)至式(53.4)所表示的化合物為佳，其中
尤以含有式(53.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-2)所表示的化合物為佳。
通式(XIV-2-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以3質量%以上20質量%以下為佳，6質量%以上17質量%以下為較佳，9質量%以上15質量%以下為進一步較佳，12質量%以上14質量%以下為特佳。
再者，通式(XIV-2-2)所表示的化合物，具體而言係以式(54.1)至式(54.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(54.2)及/或式(54.4)所表示的化合物為佳。
本發明之液晶組成物中，式(54.2)所表示的化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上35質量%以下為佳，5質量%25質量%以下為較佳，5質量%以上20質量%以下為更佳。
再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-3)所表示的化合物為佳。
通式(XIV-2-3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上30質量%以下為佳，9質量%以上27質量%以下為較佳，12質量%以上24質量%以下為進一步較佳，12質量%以上20質量%以下為特佳。
再者，通式(XIV-2-3)所表示的化合物，具體而言係以式(55.1)至式(55.4)所表示的化合物為佳，其中以含有式(55.2)及/或式(55.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-4)所表示的化合物為佳。
可加以組合的化合物的種類沒有限制，但考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等，可按實施形態而適當組合前述通式(XIV-2-4)所表示的複數個化合物。例如，在本發明之一實施形態中為1種。再者，本發明之另一實施形態中為2種。或者，本發明之又另一實施形態中為3種以上。
通式(XIV-2-4)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。
例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~35質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為5~35質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為8~35質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為9~35質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為10~35質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為18~35質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為21~35質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為22~35質量%。又再另一實施形態中係前述化合物的含量為24~35質量%。
又，例如，相對於前述總質量，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~35質量%，另一實施形態中係前述化合物的含量為2~30質量%，又另一實施形態中係前述化合物的含量為2~25質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~20質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~15質量%，又再另一實施形態中係前述化合物的含量為2~10質量%。
本發明之液晶組成物在用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，將通式(XIV-2-4)所表示的化合物的含量稍微增多為適宜。又在用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物之情形，將通式(XIV-2-4)所表示的化合物的含量稍微減少為適宜。
再者，通式(XIV-2-4)所表示的化合物，具體而言係以式(56.1)至式(56.4)所表示的化合物為佳，其中
以含有式(56.1)、式(56.2)及/或式(56.4)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-5)所表示的化合物為佳。
通式(XIV-2-5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上25質量%以下為佳，10質量%以上22質量%以下為較佳，13質量%以上18質量%以下為進一步較佳，13質量%以上15質量%以下為特佳。
再者，通式(XIV-2-5)所表示的化合物，具體而言係以式(57.1)至式(57.4)所表示的化合物。其中以含有式(57.1)所表示的化合物為佳。
再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-6)所表示的化合物為佳。
通式(XIV-2-6)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉變溫度、電子可靠度等，相對於本發明之液晶組成物的總質量，以5質量%以上25質量%以下為佳，10質量%以上22質量%以下為較佳，15質量%以上20質量%以下為進一步較佳，15質量%以上17質量%以
下為特佳。
再者，通式(XIV-2-6)所表示的化合物，具體而言係以式(58.1)至式(58.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(58.2)所表示的化合物為佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、及通式(I-1-2)所表示的各化合物的合計含量為30~60%為佳，35~55%為較佳，40~50%為更佳，45~50%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、及通式(II-2)所表示的各化合物的合計含量為15~35%為佳，20~35%為較佳，20~30%為更佳，23~28%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、及通式(IX-1-2)所表示的各化合物的合計含量為20~40%為佳，25~40%為較佳，30~40%為更佳，30~35%
為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、及通式(VIII-2)所表示的各化合物的合計含量為20~40%為佳，25~40%為較佳，30~40%為更佳，30~35%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、及通式(X-1-2)所表示的各化合物的合計含量為10~30%為佳，10~25%為較佳，15~25%為更佳，18~22%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、及通式(X-2-1)所表示的各化合物的合計含量為15~35%為佳，15~30%為較佳，20~30%為更佳，22~26%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、及通式(XI-1)所表示的各化合物的合計含量為15~35%為佳，15~30%為較佳，20~30%為更佳，24~28%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、及通式(II-2)所表示的各化合物的合計含量為35~70%為佳，40~65%為較佳，45~60%為更佳，52~57%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、通式(II-2)、及通式(IX-1-1)所表示的各化合物的合計含量為50~80%為佳，55~75%為較佳，60~75%為更佳，67~72%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、通式(II-2)、通式(IX-1-1)、及通式(VIII-2)所表示的各化合物的合計含量為60~95%為佳，70~90%為較佳，80~90%為更佳，82~87%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、通式(II-2)、通式(IX-1-1)、通式(VIII-2)、及通式(X-2-1)所表示的各化合物的合計含量為70~99%為佳，80~99%為較佳，85~95%為更佳，88~92%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、通式(II-2)、通式(IX-1-1)、通式(VIII-2)、通式(X-2-1)、及通式(XI-1)所表示的各化合物的合計含量為80~100%為佳，90~100%為較佳，90~99%為更佳，95~99%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、通式(II-2)、通式(IX-1-1)、通式(VIII-2)、通式(X-2-1)、通式(XI-1)、及通式(X-1-2)所表示的各化合物的合計含量為85~100%為佳，95~100%為較佳，96~100%為更佳，98~100%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、通式(X-2-1)、通式(X-3-1)、及通式(XI-1)所表示的各化合物的合計含量為20~45%為佳，25~40%為較佳，30~40%為更佳，30~35%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式
(i)、通式(ii)、通式(IX-1-1)、及通式(VIII-2)所表示的各化合物的合計含量為30~70%為佳，40~60%為較佳，45~55%為更佳，45~50%為特佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量，通式(i)、通式(ii)、通式(I-1-2)、及通式(II-2)所表示的各化合物的合計含量為35~75%為佳，45~65%為較佳，50~60%為更佳，53~56%為特佳。
使用於本案發明之化合物係在分子內不具有過酸(-CO-OO-)構造。又，於重視液晶組成物的可靠度及長期安定性的情形，不使用具有羰基之化合物為佳。又，於重視照射UV之安定性的情形，最理想是不使用氯原子取代的化合物。分子內的環構造係全部僅為6員環之化合物亦佳。
本案發明之液晶組成物不含有於分子內具有過酸(-CO-OO-)構造等的氧原子彼此鍵結之構造的化合物為佳。
於重視液晶組成物的可靠度及長期安定性的情形，具有羰基之化合物的含量相對於前述組成物的總質量係5質量%以下為佳，3質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，實質上不含有為最佳。
於重視照射UV之安定性的情形，氯原子取代之化合物的含量相對於前述組成物的總質量係15質量%以下為佳，10質量%以下為較佳，5質量%以下為更佳，實質上不含有為最佳。
增多分子內的環構造全部為6員環之化合物
的含量為佳，分子內的環構造全部為6員環之化合物的含量相對於前述組成物的總質量係80質量%以上為佳，90質量%以上為較佳，95質量%以上為更佳，實質上以分子內的環構造全部均僅為6員環之化合物來構成液晶組成物為最佳。
為了抑制因液晶組成物的氧化所致的劣化，減少作為環構造具有伸環己烯基之化合物的含量為佳，具有伸環己烯基之化合物的含量相對於前述組成物的總質量，以10質量%以下為佳，5質量%以下為較佳，實質上不含有為更佳。
在重視黏度的改善及Tni的改善之情形，氫原子亦可為鹵素所取代且減少分子內具有2-甲基苯-1,4-二基之化合物的含量為佳，分子內具有前述2-甲基苯-1,4-二基之化合物的含量相對於前述組成物的總質量，以10質量%以下為佳，5質量%以下為較佳，實質上不含有為更佳。
本發明之第一實施形態的組成物中含有的化合物為側鏈具有烯基之情形，在前述烯基與環己烷鍵結的情形該烯基的碳原子數為2~5為佳，而在前述烯基與苯鍵結之情形則該烯基的碳原子數為4~5為佳，前述烯基的不飽和鍵不與苯直接鍵結為佳。
本發明之液晶組成物中，為了製作PS模式、橫向電場型PSA模式或橫向電場型PSVA模式等的液晶顯示元件，可含有聚合性化合物。能使用的聚合性化合物可列舉利用光等的能量線而進行聚合的光聚合性單體等
，構造可列舉例如：聯苯基衍生物、聯三苯基衍生物等的六員環以複數連結之液晶骨架的聚合性化合物等。更具體而言，通式(XX)
(式中，X201及X202各自獨立表示氫原子或甲基，Sp201及Sp202各自獨立表示單鍵、碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH2)s-(式中，s表示2~7的整數，氧原子為與芳香環鍵結者)，Z201表示-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2CH2-、-CF2CF2-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH2CH2-、-OCO-CH2CH2-、-CH2CH2-COO-、-CH2CH2-OCO-、-COO-CH2-、-OCO-CH2-、-CH2-COO-、-CH2-OCO-、-CY1=CY2-(式中，Y1及Y2各自獨立表示氟原子或氫原子)，-C≡C-或單鍵，M201表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中的全部1,4-伸苯基的任意氫原子亦可為氟原子取代)所表示的二官能單體為佳。
X201及X202為均表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物、均具有甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物中的任一者均為佳，亦可為其中一者表示氫原子而另外一者表示甲基之化合物。此等化合物的聚合速度係以二丙烯酸酯衍
生物為最快，二甲基丙烯酸酯衍生物較慢，非對称化合物為其中間，可按照其用途而使用較佳的態樣。PSA顯示元件中，二甲基丙烯酸酯衍生物為特佳。
Sp201及Sp202各自獨立表示單鍵、碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH2)s-，PSA顯示元件中至少一者為單鍵為佳，並且表示單鍵之化合物或其中一者表示單鍵而另一者表示碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH2)s-的態樣為佳。該情形係以1~4的烷基為佳，s為1~4為佳。
Z201表示-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2CH2-、-CF2CF2-或單鍵為佳，-COO-、-OCO-或單鍵為較佳，單鍵為特佳。
M201表示任意的氫原子亦可被氟原子取代的1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，但以1,4-伸苯基或單鍵為佳。M201表示為單鍵以外的環構造之情形，Z201較佳為單鍵以外的連結基，M201為單鍵的情形，Z201為單鍵為佳。
從此等觀點而言，通式(XX)中，Sp201及Sp202之間的環構造，具體而言係以下述記載的構造為佳。
通式(XX)中，M201表示單鍵，環構造係以二個環而形成的情形中，表示以下的式(XXa-1)至式(XXa-5)為佳，表示式(XXa-1)至式(XXa-3)為較佳，表示式(XXa-1)為特佳。
由於含有此等骨架的聚合性化合物係聚合後的配向調整力最適合於PSA型液晶顯示元件，且能得到良好的配向狀態，能抑制顯示不均，或者使之全然不發生。
根據以上所述，聚合性單體係以通式(XX-1)~通式(XX-4)為特佳，其中以通式(XX-2)為最佳。
將單體添加於本發明之液晶組成物的情形中，雖然在聚合起始劑不存在的情形亦可進行聚合，但為了促進聚合亦可含有聚合起始劑。聚合起始劑可列舉苯偶姻醚類、二苯基酮類、苯乙酮類、苄基縮酮類、醯基膦氧化物類等。
本發明中的液晶組成物可進一步含有通式(Q)所表示的化合物。
RQ表示碳原子數1至22的直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中的1或2個以上的CH2基係可以氧原子並未直接鄰接的方式而被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-取代，碳原子數1至10的直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH2基被取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、支鏈烷基、分枝烷氧基、1個CH2基被取代為-OCO-或-COO-的支鏈烷基為佳，碳原子數1至20的直鏈烷基、1個CH2基被取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、支鏈烷基、分枝烷氧基、1個CH2基被取代為-OCO-或
-COO-的支鏈烷基為更佳。MQ表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，以反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基為佳。
通式(Q)所表示的化合物，更具體而言係以下述的通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物為佳。
式中，RQ1係碳原子數1至10的直鏈烷基或支鏈烷基為佳，RQ2係碳原子數1至20的直鏈烷基或支鏈烷基為佳，RQ3係碳原子數1至8的直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基為佳，LQ係碳原子數1至8的直鏈伸烷基或支鏈伸烷基為佳。通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物中，以通式(Q-c)及通式(Q-d)所表示的化合物為更佳。
本案發明之液晶組成物中，含有1種或2種的通式(Q)所表示的化合物為佳，含有1種至5種為更佳，其含量為0.001至1質量%為佳，0.001至0.1質量%為更佳，
0.001至0.05質量%為特佳。
<液晶顯示元件>
含有本發明之聚合性化合物的液晶組成物，可藉由讓其中所含有的聚合性化合物照射紫外線而進行聚合，以賦予液晶配向能，並利用液晶組成物的雙折射而使用於控制光的穿透光量之液晶顯示元件。液晶顯示元件係以ECB-LCD、VA-LCD、FFS-LCD、AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)，TN(向列型液晶顯示元件)，STN-LCD(超扭轉向列型液晶顯示元件)，OCB-LCD及IPS-LCD(橫向電場切換液晶顯示元件)為有用的，對AM-LCD為特別有用，可使用於透射型或反射型的液晶顯示元件。
使用於液晶顯示元件的液晶胞之2片基板，可使用具有如玻璃或塑膠般的柔軟性之透明材料、另一方面亦可為矽等不透明的材料。具有透明電極層的透明基板可藉由例如在玻璃板等的透明基板上濺鍍氧化銦錫(ITO)而製得。
彩色濾光片可利用例如顏料分散法、印刷法、電沉積法、或者染色法等而作成。當將利用顏料分散法所為的彩色濾光片之作成方法作為一例進行說明時，將彩色濾光片用的硬化性著色組成物塗布至該透明基板上，施以圖案化處理，然後藉由加熱或光照射而使之硬化。藉由針對紅、綠、藍3色分別進行該步驟，可作成彩色濾光片用的畫素部。此外，亦可在該基板上設置設有TFT、薄膜二極體等的主動元件之畫素電極。
以透明電極層為內側的方式使前述基板相對
向。此時，亦可經由間隔物來調整基板的間隔。此時係以所得之調光層的厚度成為1~100μm的方式進行調整為佳。1.5至10μm為更佳，使用偏光板的情形，以對比變成最大的方式來調整液晶之折射率各向異性△n與晶胞厚度d的乘積為佳。又，有二片偏光板的情形，亦可調整各偏光板的偏光軸以視角或對比變得良好的方式來進行調整。再者，亦可使用用以擴展視角的相位差薄膜。間隔物可列舉例如由玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等所構成的柱狀間隔物等。然後，以設有液晶注入口的形式，將環氧系熱硬化性組成物等的密封劑網版印刷於該基板，貼合該基板彼此，加熱且使密封劑熱硬化。
使含聚合性化合物之液晶組成物夾在2片基板間的方法，可使用通常的真空注入法或ODF法等。然而真空注入法中並未產生滴下痕跡，取而代之而有殘留有注入痕跡的課題。本案發明中，能更適當地使用於用ODF法所製造的顯示元件。ODF法的液晶顯示元件製造步驟中，藉由在背板或前板之中的任一基板上使用分配器將環氧系光熱併用硬化性等的密封劑描繪成閉環堤防狀，其中在脫氣下滴下指定量的液晶組成物後，貼合前板與背板，而製造液晶顯示元件。本發明之液晶組成物由於在ODF步驟中液晶組成物的滴下能安定地進行，而可適當地使用。
使聚合性化合物予以聚合的方法，為了得到液晶的良好配向性能，且適度的聚合速度為所期望的緣
故，藉由單一或併用或依序的方式照射紫外線或電子線等的活性能量線使其聚合的方法為佳。使用紫外線的情形，可使用偏光光源，也可使用非偏光光源。又，在使含聚合性化合物之液晶組成物夾在2片基板間的狀態下進行聚合的情形中，至少照射面側的基板相對於活性能量線而言被賦予適當的透明性。又，在光照射時使用遮罩使僅特定的部分予以聚合後，亦可使用藉由改變電場或磁場或溫度等的條件，使未聚合部分的配向狀態改變，進一步照射活性能量線使其聚合的手段。尤其是在進行紫外線曝光之際，對含聚合性化合物之液晶組成物外加交流電場同時進行紫外線曝光為佳。外加的交流電場係以頻率10Hz至10kHz的交流為佳，頻率60Hz至10kHz為較佳，電壓係取決於液晶顯示元件所期望的預傾角來選擇。也就是說，可藉由外加的電壓來控制液晶顯示元件的預傾角。橫向電場型MVA模式的液晶顯示元件中，從配向安定性及對比的觀點而言，將預傾角控制在80度至89.9度為佳。
照射時的溫度較佳係在能保持本發明之液晶組成物的液晶狀態的溫度範圍內。在接近室溫的溫度，即典型上在15~35℃的溫度進行聚合為佳。產生紫外線的燈係可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，照射的紫外線之波長，係照射非液晶組成物的吸收波長區域之波長區域的紫外線為佳，可按照需要截斷紫外線而使用為佳。照射的紫外線之強度係以0.1mW/cm2~100W/cm2為佳，2mW/cm2~50W/cm2為較佳。
照射的紫外線之能量係可適當調整，但以10mJ/cm2至500J/cm2為佳，100mJ/cm2至200J/cm2為較佳。照射紫外線之際，亦可變化強度。照射紫外線的時間可根據照射的紫外線強度而適宜選擇，以10秒至3600秒為佳，10秒至600秒為較佳。
使用本發明之液晶組成物的液晶顯示元件係對於兼具高速反應與抑制顯示不良為有用的，尤其是對於主動矩陣驅動用液晶顯示元件為有用的，可適用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS(橫向電場切換)模式、FSS(廣視角技術)模式或ECB模式用液晶顯示元件。
以下，一邊參照圖式，一邊詳細說明本發明之液晶顯示裝置(液晶顯示器)的適宜實施形態。
圖1係表示具備：相互對向的二片基板，設置在前述基板間的密封材，與被封入於圍繞前述密封材之封閉領域內的液晶之液晶顯示元件的截面圖。
具體而言，顯示一種液晶顯示裝置之具體例的態樣：於第1基板100上設有TFT層102、畫素電極103，且其係具備：從其上方設有鈍化膜104及第1配向膜105的背板；於第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜(保護膜)201、透明電極204，從其上方設有第2配向膜205、且與前述背板相對向的前板；設在前述基板間的密封材301；及封入前述密封材所包圍的封閉領域內的液晶層303，而且在前述密封材301相接的基板面設有突起(柱狀間隔物)302、304。
前述第1基板或前述第2基板若為實質上透明
的，則材質方面沒有特別地限制，但可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。塑膠基板可使用纖維素、三乙醯纖維素、二乙醯纖維素等的纖維素衍生物；聚環烯烴衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯；聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴；聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚碸、聚芳酯，以及玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等的無機-有機複合材料等。
此外使用塑膠基板之際，設有障壁膜為佳。障壁膜的功能在於降低塑膠基板具有的透濕性，提升液晶顯示元件的電子特性之可靠度。障壁膜各自只要透明性高且水蒸氣透過性小者即可，並未特別地加以限制，但一般係使用：使用氧化矽等的無機材料且利用蒸鍍與濺鍍、化學蒸氣沉積法(CVD法)所形成的薄膜。
在本發明，前述第1基板或前述第2基板可使用相同的素材，也可以使用不同的素材，並未特別加以限制。使用玻璃基板時，可製作耐熱性或尺寸安定性優異的液晶顯示元件而為佳。又為塑膠基板時，適於利用輥對輥法的製造方法而且適於輕量化或可撓化而為佳。又，若以賦予平坦性及耐熱性為目的，組合塑膠基板與玻璃基板時可得到良好的結果。
此外，後述的實施例中，係使用基板作為第1基板100或第2基板200的材質。
背板係在第1基板100上設有TFT層102及畫
素電極103。此等係以通常的陣列步驟製造。於其上設置鈍化膜104及第1配向膜105可得到背板。
鈍化膜104(也稱為無機保護膜)係用以保護TFT層的膜，通常係利用化學蒸氣沉積(CVD)技術等以形成氮化膜(SiNx)，氧化膜(SiOx)等。
又，第1配向膜105係具有讓液晶配向的功能的膜，通常大多係使用如聚醯亞胺類的高分子材料。塗布液可使用由高分子材料與溶劑所構成的配向劑溶液。配向膜由於有阻礙與密封材的黏著力之可能性，所以圖案塗布在封閉領域內。塗布可使用如膠版印刷法之印刷法，如噴墨的液滴吐出法。塗布的配向劑溶液係在藉由暫時乾燥使溶劑蒸發後，利用烘烤使其交聯硬化。然後，為了顯現出配向功能，而進行配向處理。
配向處理通常係以摩擦法來進行。藉由使用由如嫘縈般的纖維所構成的摩擦布，在如前述般形成的高分子膜上朝單向摩擦，而產生液晶配向能。
又，也有使用光配向法。光配向法係藉由將偏光照射於含有具光感受性之有機材料的配向膜上，而產生配向能的方法，不發生利用摩擦法所致的基板之損傷或塵埃。光配向法中的有機材料的例子係有含有二色性染料的材料。二色性染料可使用具有：如起因於光二色性之魏格特(Weigert)效果所導致的分子的配向誘發或異構化反應(例：偶氮苯基)、二聚化反應(例：桂皮醯基)、光交聯反應(例：二苯基酮基)、或光分解反應(例：聚醯亞胺基)般之能產生為液晶配向能之起源的光反應的
基(以下，簡稱為光配向性基)者。塗布的配向劑溶液係在藉由暫時乾燥使溶劑蒸發後，藉由照射具有任意偏向的光(偏光)，可得到在任意方向具有配向能力的配向膜。
一側的前板係在第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。
黑色矩陣202係用例如顏料分散法而製作。具體而言在設有障壁膜201之第2基板200上，塗布使黑色矩陣形成用的黑色著色劑均勻分散而成的彩色樹脂液，形成著色層。繼而，烘烤著色層使之硬化。於其上塗布光阻，並對其進行預烘烤。在透過遮罩圖案使光阻曝光後，進行顯像將著色層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。
或者，也可以使用光阻型的顏料分散液。在該情形，在塗布光阻型的顏料分散液且使之預烘烤後，透過遮罩圖案進行曝光之後，進行顯像將著色層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。
彩色濾光片203係用顏料分散法、電沉積法、印刷法或染色法等而作成。以顏料分散法為例時，將(例如紅色的)顏料均勻分散之彩色樹脂液塗布至第2基板200上，且烘烤硬化後，於該上塗布光阻並進行預烘烤。透過遮罩圖案進行曝光之後，對光阻進行顯像而圖案化。隨後剝離光阻層，再度藉由烘烤，而完成(紅色的)彩
色濾光片203。作成的顏色順序並未特別加以限定。同樣地進行以形成綠彩色濾光片203、藍彩色濾光片203。
透明電極204係設在前述彩色濾光片203上(視需要而在前述彩色濾光片203上設有為了表面平坦化用的保護膜(201))。透明電極204係透射率高者為佳，電阻小者為佳。透明電極204係利用濺鍍法等而形成ITO等的氧化膜。
又，也有以保護前述透明電極204為目的，而在透明電極204上設有鈍化膜的情形。
第2配向膜205係與前述的第1配向膜105相同者。
以上，雖敘述了關於本發明使用的前述背板及前述前板的具體態樣，但本案並不受限於該具體的態樣，可因應所期望的液晶顯示元件的態樣而自由的變更。
前述柱狀間隔物的形狀並未特別加以限制，但可將其水平剖面作成為圓形、四角形等多角形等各式各樣的形狀，但考慮到製程時的失準邊際(misalignment margin)，將水平剖面作成為圓形或正多角形為特佳。又該突起形狀係以圓錐台或角錐台為佳。
前述柱狀間隔物的材質只要是不溶解於密封材或密封材中使用的有機溶劑、或液晶的材質即可，沒有特別地限制，但從加工及輕量化之面而言，以合成樹脂(硬化性樹脂)為佳。另一方面，前述突起可藉由光刻法的方法與液滴吐出法，設置在第一基板上的密封材相
接的面。由此種理由，使用適於光刻法的方法與液滴吐出法的光硬化性樹脂為佳。
就以光刻法得到前述柱狀間隔物之情形作為例子來加以說明。圖2係使用被形成在黑色矩陣上之柱狀間隔物作成用圖案來作為光罩圖案之曝光處理步驟的圖。
在前述前板的透明電極204上，塗布柱狀間隔物形成用的(不含著色劑)樹脂液。繼而，烘烤該樹脂層402使之硬化。於其上塗布光阻，並對其進行預烘烤。在透過遮罩圖案401進行曝光後，對光阻進行顯像將樹脂層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤樹脂層，而完成柱狀間隔物(圖1的302、304)。
柱狀間隔物的形成位置可藉由遮罩圖案來決定所期望的位置。因此，可同時作成液晶顯示元件的封閉領域內與封閉領域外(密封材塗布部分)兩者。又柱狀間隔物係以不會降低封閉領域品質、位於黑色矩陣上的方式而形成為佳。將如此利用光刻法所製作的柱狀間隔物稱為圓柱間隔物或光間隔物。
前述間隔物的材質可使用PVA-茋偶氮(Stilbazo)感光性樹脂等的負型水溶性樹脂與多官能丙烯酸系單體、丙烯酸共聚物、三唑系起始劑等的混合物。或者也有使用讓著色劑分散於聚醯亞胺樹脂之彩色樹脂的方法。本發明中並未特別加以限制，但可用依照液晶及與密封材的相合性以周知的材質而得到間隔物。
如此一來，在成為前板上的封閉領域之面上
設置柱狀間隔物後，於該背板的密封材相接的面上塗布密封材(圖1中的301)。
密封材的材質並未特別加以限制，但可使用在環氧系與丙烯酸系的光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性的樹脂中添加聚合起始劑而成之硬化性樹脂組成物。又，為了控制透濕性或彈性模數、黏度等，而添加由無機物或有機物所組成的填料類。此等填料類的形狀並未特別加以限制，但有球形、纖維狀、無定形等。再者，為了良好地控制晶胞間隙，混合具有單分散徑的球形或纖維狀的縫隙材，又為了更強化與基板的黏著力也可以混合易於與基板上突起纏繞的纖維狀物質。此時使用的纖維狀物質之直徑宜為晶胞間隙的1/5~1/10以下左右，纖維狀物質的長度宜為較密封塗布寬度更短。
又，纖維狀物質的材質只要是能得到特定的形狀即可，並未特別加以限制，可適當選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等之合成纖維或玻璃、碳等的無機材料。
塗布密封材的方法有印刷法與分配法，但宜為密封材的使用量少的分配法。密封材的塗布位置通常在黑色矩陣的上面，以使得不會對封閉領域造成不良的影響。為了形成以下步驟的液晶滴下領域(以液晶不洩漏之方式)，而將密封材塗布形狀成為閉環形狀。
在塗布有前述密封材之前板的閉環形狀(封閉領域)滴下液晶。通常係使用分配器。為了讓滴下的液晶量與液晶胞容積一致，基本上要與將柱狀間隔物的高度與密封塗布面積相乘之體積為同量。然而，若為了讓
晶胞貼合步驟中的液晶洩漏與顯示特性的最佳化，而適當調整滴下的液晶量時，也能讓液晶滴下位置分散。
接著，將背板貼合至塗布前述密封材並滴下液晶之前板上。具體而言，使前述前板與前述背板被吸附於具有能吸附如靜電夾的基板之機構的平台，讓前板的第2配向膜與背板的第1配向膜相對向，而配置於密封材與另一基板不相接的位置(距離)。在該狀態下對系統內部進行減壓。減壓結束後，確認前板與背板的貼合位置並同時調整兩基板位置(對準操作)。若貼合位置的調整結束的話，讓基板靠近至前板上的密封材與背板相接的位置。在該狀態下將惰性氣體填充至系統內部，緩緩地開放減壓並同時回復到常壓。此時，藉由大氣壓力使前板與背板貼合，在柱狀間隔物的高度位置形成晶胞間隙。在該狀態下對密封材照射紫外線使密封材硬化，形成液晶胞。然後，根據情形施予加熱步驟，促進密封材硬化。為了提升密封材的黏著力強化與電子特性可靠度，多施予加熱步驟。
以下係列舉實施例來進一步詳述本發明，但本發明並不受限於此等實施例。又，以下的實施例及比較例之組成物中的「%」係意味著『質量%』。
實施例中，測定的特性係如下所述。
Tni：向列相-各向同性液體相轉變溫度(℃)
△n：295K的折射率各向異性(別名：雙折射率)
△ε：295K的介電常數各向異性
η：295K的黏度(mPa．s)
γ1：295K的旋轉黏性(mPa．s)
初期電壓保持率(初期VHR)：在頻率60Hz，外加電壓4V的條件下於50℃的電壓保持率(%)
加熱後電壓保持率(加熱後的VHR)：於150℃的環境下保持1小時後，以與初期VHR相同的條件所測定的電壓保持率(%)
<烙印評價>
液晶顯示元件的烙印評價係在將顯示區域內規定的固定圖案顯示1440小時後，目視進行全畫面均一顯示時的固定圖案之殘像程度，藉由以下的4個等級進行評價。
◎：無殘像。
○：雖稍微有點殘像，但為可容許的水準。
△：有殘像，且為無法容許的水準。
×：有殘像，相當低劣。
<揮發性(製造裝置污染性)的評價>
液晶材料的揮發性評價係藉由在真空攪拌脫泡混合機的運轉狀態一邊以頻閃儀照射一邊進行觀察，利用目視方式觀察液晶材料的發泡而進行。具體而言，在容量2.0L的真空攪拌脫泡混合機之專用容器中加入0.8kg的液晶組成物，在4kPa的脫氣下，以公轉速度15S-1、自轉速度7.5S-1運轉真空攪拌脫泡混合機，依照至開始發泡為止的時間，用以下的4階段評價而進行。
◎：至發泡為止需要3分鐘以上。因揮發所造成之裝置污染的可能性低。
○：至發泡為止要1分鐘以上且少於3分鐘。有因揮發而造成輕微的裝置污染之掛慮。
△：至發泡為止要30秒鐘以上且少於1分鐘。發生因揮發而造成之裝置污染。
×：至發泡為止在30秒以內。有因揮發而造成重大的裝置污染之掛慮。
<製程適合性的評價>
製程適合性係在ODF製程中，使用定容積計量泵於每1次各滴下40pL的液晶，並進行100000次，且用以下的4階段來評價以下的「0~200次、201~400次、401~600次、．．．．99801~100000次」之各滴下200次之液晶量的變化。
◎：變化極小(可穩定地製造液晶顯示元件)
○：雖然稍微有些變化但仍為可容許的程度
△：有變化且為無法容許的程度(由於斑產生而使得良率惡化)
×：有變化且相當低劣(發生液晶洩漏或真空氣泡)
<低溫中溶解性的評價>
低溫的溶解性評價係在調製液晶組成物後，於1mL的樣品瓶中秤量0.5g的液晶組成物，於此在溫度控制式試驗槽中，將以下「-20℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→20℃(保持1
小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→-20℃」作為1週期且持續給予溫度變化，以目視觀察來自液晶組成物之析出物的發生，並用以下的4階段評價來進行評價。
◎：600小時以上未觀察到析出物。
○：300小時以上未觀察到析出物。
△：在150小時以內觀察到析出物。
×：在75小時以內觀察到析出物。
調製使用示於以下之化學式所表示的化合物的組成物，並測定其物性。將其結果示於表1。
表1之各式的數值表示各組成物中所含有的各化合物的比率(單位：質量%)。
比較例1係將實施例1的液晶組成物中所含有的通式(ii)所表示的化合物(式(25.1)、式(25.2)及式(25.3)所表示的化合物)，取代為式(REF3)、式(REF4)及式(REF5)所表示的化合物之液晶組成物。
將實施例1與比較例1的物性值進行比較時，雖然具有同等的△n，但當將通式(ii)所表示的化合物除外時，會
降低Tni。因而，實施例1係Tni的溫度高，可在較廣泛的溫度範圍內使用。又，關於△ε亦為實施例1較高。因此，在將實施例1的組成物應用於液晶元件之情形下，可用較比較例1低的驅動電壓來使用。
比較例2係將實施例1的液晶組成物中所含有的通式(i)所表示的化合物(式(44.1)及式(44.2)所表示的化合物)，取代為式(REF1)及式(REF2)所表示的化合物之液晶組成物。
將實施例1與比較例2的物性值進行比較，雖然當將通式(i)所表示的化合物除外時，具有同等的△n，Tni的溫度上升，但黏度η卻大幅地上升了。因而，實施例1係黏度η低，在使用於液晶元件之情形下，會得到高速反應性。
調製使用示於以下之化學式所表示的化合物的組成物，並測定其物性。將其結果示於表2。
表2之各式的數值表示各組成物中所含有的各化合物的比率(單位：質量%)。
將實施例2~6之液晶組成物的初期VHR、加熱後(150℃、1小時)的VHR、烙印評價、揮發性的評價、製程適合性的評價及低溫的溶解性之評價記載於表3中。
此外，也對於上述表所表示的實施例2~6以外的其他實施例的液晶組成物進行同樣的評價，得到良好的結果。
在以上說明之各實施態樣中的各結構及此等的組合等係為範例之一，在不脫離本發明之宗旨的範圍內，結構的附加、省略、取代、及其他的變更係為可能。又，本發明並不受限於各實施態樣，僅因請求項(申請專利範圍)的範圍而受到限定。
本發明之液晶組成物可廣泛地應用於液晶顯示元件及液晶顯示器的領域。
Claims (6)
- 一種液晶組成物，其含有下述通式(i)所表示的化合物中的任1種或2種以上、下述通式(ii)所表示的化合物中的任1種或2種以上、下述通式(X’)所表示的化合物中的任1種或2種以上、與選自包含下述通式(VIII)所表示的化合物及下述通式(X”)所表示的化合物構成之群組中的任1種或2種以上，
- 如請求項1之液晶組成物，其中該通式(i)中的X11a及X12a為氫原子，X13a為氟原子，且X14a為氟原子。
- 如請求項1之液晶組成物，其含有下述通式(L)所表示的化合物：
- 如請求項1之液晶組成物，其含有下述通式(M)所表示的化合物：
- 一種液晶顯示元件，其係使用如請求項1之液晶組成物。
- 一種IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式、VA-IPS模式或FFS模式用液晶顯示元件，其係使用如請求項1之液晶組成物。
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