TWI472599B

TWI472599B - 含氟聯苯之組成物

Info

Publication number: TWI472599B
Application number: TW101150343A
Authority: TW
Inventors: Joji Kawamura; Makoto Negishi; Masahiro Niwa
Original assignee: Dainippon Ink & Chemicals
Priority date: 2012-12-27
Filing date: 2012-12-27
Publication date: 2015-02-11
Also published as: TW201425548A

Description

含氟聯苯之組成物

本發明係關於特別有用於作為液晶顯示材料之呈現介電各向異性(dielectric anisotropy)(△ε)為正值的向列型液晶(nematic liquid crystal)組成物。

液晶顯示元件以鐘錶、電算機為首，已被使用於各種測定機器、汽車用面板、文字處理機、電子筆記本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等。就液晶顯示方式而言，其代表性者有TN(扭轉向列(twisted nematic))型、STN(超扭轉向列(supper twisted nematic))型、使用TFT(薄膜電晶體(film transistor))的垂直配向型或IPS(面內切換(in-plane switching))型等。用於此等液晶顯示元件的液晶組成物係對水分、空氣、熱、光等之外的刺激為安定，又，於以室溫為中心之儘可能廣的溫度範圍下顯示液晶相、為低黏性，且驅動電壓為低者被冀求。再者，為了依各個顯示元件子將介電各向異性(△ε)、折射率各向異性(△n)等作最適合的值，而由數種類至數十種類之化合物構成液晶組成物。

TN型、STN型、IPS(面內切換)型或FFS(邊緣電場切換模式(fringe field switching mode)之液晶顯示元件)等之水平配向型顯示器係使用△ε為正的液晶組成物。又，亦已報告使△ε為正的液晶組成物於無施加電壓時垂直配向，且施加橫向電場下顯示的驅動方式，△ε為正的液晶組成物之必要性正進一步提升。

又關於此等之驅動方式，正冀求低電壓驅動、高速反應、寬廣的動作溫度範圍。即，要求△ε為正且絕對值為大、黏度(η)為小、高向列相-各向同性液體相轉移溫度(Tni)。又，由為△n與晶胞間隙(d)之乘積的△n×d之設定，有將液晶組成物之△n協同晶胞間隙調節於適當範圍的必要。此外於將液晶顯示元件應用於電視的情形，因高速反應性被重視，故回轉黏性(γ1)小的液晶組成物被要求。

就液晶組成物之構成而言，例如，已揭示包含下述式(A-1)所表示的化合物及式(A-2)所表示的化合物的液晶組成物(參照專利文獻1)。

液晶顯示元件之用途遂而擴大，且其使用方法、製造方法亦可見很大的變化。為了對應此等變化，已冀求將如歷來已知的基本的物性值以外的特性加以最適化者。即，使用液晶組成物的液晶顯示元件，遂而被廣泛使用於VA型或IPS型等，其大小亦以50型以上之超大型尺寸的顯示元件達實用化而被使用。伴隨基板尺寸的大型化，液晶組成物對基板之注入方法亦由歷來的真空注入法轉為滴下注入(ODF：One Drop Fill)法為注入方法之主流，但將液晶組成物滴注基板之際之滴注痕跡會導致顯示品質降低的問題已成為表面化。

再者，關於以ODF法之液晶顯示元件製造程序，有必要因應液晶顯示元件的尺寸來滴注最適合的液晶注入量。注入量的偏差為大於最適值時，事先設計的液晶顯示元件之折射率或驅動電場的平衡會瓦解，而斑發生或對比不良等的顯示不良會產生。

尤其，大多被用於最近流行的智慧型手機的小型液晶顯示元件，為了使最適合的液晶注入量少，將由最適值的偏差控制於一定範圍內的本身即為困難的。

因此，為了保持液晶顯示元件的良率高，例如，對液晶滴下時所產生的滴下裝置內的急遽壓力變化或衝撃的影響為少、歷經長時間而安定地持續滴下液晶者為可能的性能亦有必要。

如此，關於以TFT元件等驅動的主動矩陣驅動液晶顯示元件中所使用的液晶組成物，除了維持作為高速反應性能等之液晶顯示元件所冀求的特性或性能，同時具有歷來重視的高比電阻值(specific resistance value)或高電壓保持率者或所謂對光或熱等之外部刺激為安定的特性之外，正冀求考慮液晶顯示元件之製造方法的開發。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-122154號

本發明所欲解決的課題係提供△ε顯示正的液晶組成物值，且對熱或光為安定的組成物。

本發明者檢討各種化合物，發現藉由組合特定之化合物，可解決前述課題，遂而完成本發明。

即，本發明係提供含有1種或2種以上之下述通式(i)所表示的化合物、1種或2種以上之下述通式(ii)所表示的化合物的組成物。

(式中，Rⁱ¹ 及Rⁱⁱ¹ 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH₂ -係各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，mⁱ¹ 表示0、1或2，Aⁱ¹ 表示1,4-伸環己基或氫原子可經氟原子或氯原子取代的1,4-伸苯基，但mⁱ¹ 為2的情形，Aⁱ¹ 可相同亦可相異，Zⁱ¹ 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH₂ CH₂ -、-COO-或-OCO-，但mⁱ¹ 為2的情形，Zⁱ¹ 可相同亦可相異，Xⁱ¹ 、Xⁱ¹ ~Xⁱ⁵ 各自獨立表示為氫原子、氟原子或氯原子，mⁱⁱ¹ 表示1或2，但mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ¹ 為複數存在的情形，Xⁱⁱ¹ 可相同亦可相異，mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ² 為複數存在的情形，Xⁱⁱ² 可相同亦可相異)。

本發明之組成物係可獲得低黏性，且顯示於低溫為安定的向列相，加熱後及UV照射後之比電阻或電壓保持率的變化極小，故製品之實用性高，且使用其的TN型等之液晶顯示元件可達成高速反應。又於液晶顯示元件製造程序因可安定地發揮性能，由製程引起的顯示不良會被抑制而可提高產率的緣故，故為非常有用的。

[實施發明之形態]

本發明之組成物係含有1種或2種以上之下述通式(i)所表示的化合物。

(前述通式(i)中，Rⁱ¹ 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，mⁱ¹ 表示0、1或2，Aⁱ¹ 表示1,4-伸環己基或氫原子可經氟原子或氯原子取代的1,4-伸苯基，但mⁱ¹ 為2的情形，Aⁱ¹ 可相同亦可相異，Zⁱ¹ 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH₂ CH₂ -、-COO-或-OCO-，但mⁱ¹ 為2的情形，Zⁱ¹ 可相同亦可相異，Xⁱ¹ 表示氫原子、氟原子或氯原子)。

於前述通式(i)，mⁱ¹ 為0、1或2，且1或2為較佳。

Zⁱ¹ 為單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH₂ CH₂ -、-COO-或-OCO-，單鍵為較佳。

Aⁱ¹ 表示1,4-伸環己基或氫原子可經氟原子或氯原子取代的1,4-伸苯基，1,4-伸環己基或1,4-伸苯基為較佳，重視溶解性的情形，1,4-伸環己基為更佳。本說明書中，作為1,4-伸環己基，反式-1,4-伸環己基為較佳。

mⁱ¹ 為2的情形，Aⁱ¹ 可相同亦可相異，相同者為較佳。

即，就前述通式(i)所表示的化合物而言，選自由下述通式(i-1)所表示的化合物、下述通式(i-2)所表示的化合物、及下述通式(i-3)所表示的化合物組成之群組的至少1種為較佳。

(式中，Rⁱ¹ 表示與前述通式(i)中的Rⁱ¹ 相同意義，Xⁱ¹ 表示與前述通式(i)中的Xⁱ¹ 相同意義)。

於前述通式(i-1)、前述通式(i-2)、及前述通式(i-3)，Rⁱ¹ 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代。

就碳原子數1~8之烷基而言，直鏈狀之烷基或碳原子數1~8之直鏈狀之烯基為較佳，碳原子數1~5之直鏈狀之烷基或碳原子數1~5之直鏈狀之烯基為更佳，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或下述之構造為特佳。

(式中，對環構造為以右端鍵結者)。

重視反應速度之改善的情形，以烯基為較佳，重視作成液晶組成物之際之電壓保持率等的信賴性的情形，以烷基為較佳。

X¹¹ 係氫原子或氟原子為較佳，重視與其他化合物的相溶性(將液晶組成物降溫之際不會引起結晶析出或分離等)的情形，氫原子為較佳，重視使△ε值變小的情形，氟原子為較佳。

就前述通式(i-1)所表示的化合物而言，可舉例以下之化合物。

就前述通式(i-2)所表示的化合物而言，可舉例以下之化合物。

就前述通式(i-3)所表示的化合物而言，可舉例以下之化合物。

於本發明之組成物，前述通式(i)所表示的化合物係可單獨使用，但重視與其他化合物之相溶性的情形，使用2種以上者為更佳。使用2種以上5種以下之通式(i-1)所表示的化合物者為較佳，使用2種以上5種以下之通式(i-2)所表示的化合物為較佳，使用2種以上5種以下之通式(i-3)所表示的化合物者為較佳，併用通式(i-1)所表示的化合物、通式(i-2)所表示的化合物、及通式(i-3)所表示的化合物者亦較佳。

通式(i)所表示的化合物之含量之下限值，相對於本發明之組成物的總量，2質量%為較佳，3質量%為更佳，5質量%為更佳，6質量%為更佳，上限值係40質量%為較佳，30質量%為更佳，25質量%為更佳，20質量%為更佳。

組合的化合物之種類並未特別限制，但含有此等化合物之中的1種~4種者為較佳，含有1種~3種者為更佳。又，具有此等之構造的化合物必須注意溶解度來調整含量。

就特佳組合而言，組合通式(i-1)所表示的化合物與通式(i-2)所表示的化合物者為較佳，組合通式(i-1)所表示的化合物與通式(i-3)所表示的化合物者為較佳，組合通式(i-1)所表示的化合物1種與通式(i-3)所表示的化合物2種者為較佳，組合通式(i-3)所表示的化合物2種者為較佳，組合式(i-1.10)所表示的化合物與式(i-3.5)所表示的化合物者為較佳，組合式(i-3.4)所表示的化合物與式(i-3.5)所表示的化合物者為較佳，組合式(i-1.10)所表示的化合物、式(i-3.4)所表示的化合物與式(i-3.5)所表示的化合物者為較佳。

通式(i-1)所表示的化合物之含量之下限值，相對於本發明之組成物總量，以2質量%為較佳，3質量%為更佳，5質量%為更佳，6質量%為更佳，上限值係15質量%為較佳，10質量%為更佳，9質量%為更佳，8質量%為更佳，7質量%為更佳。

通式(i-3)所表示的化合物之含量之下限值，相對於本發明之組成物總量，以2質量%為較佳，3質量%為更佳，5質量%為更佳，6質量%為更佳，上限值係25質量%為較佳，20質量%為更佳，15質量%為更佳，14質量%為更佳，13質量%為更佳。

又，就通式(i)所表示的化合物而言，亦可舉例通式(XIV-2-5)所表示的化合物。

(式中，R¹⁴ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XIV-2-5)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，為5質量%以上者較佳，10質量%以上更佳，13質量%以上特佳。又，考慮於低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，最大比率限於25質量%以下者為較佳，低於22質量%為更佳，18質量%以下又更佳，低於15質量%為特佳。

再者，通式(XIV-2-5)所表示的化合物，具體而言，為式(57.1)至式(57.4)所表示的化合物。其中以含有式(57.1)所表示的化合物者為較佳。

又，就通式(i)所表示的化合物而言，亦可舉例通式(XIV-2-6)所表示的化合物。

通式(XIV-2-6)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係5質量%以上者為較佳，10質量%以上為更佳，15質量%以上為特佳。又，考慮於低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，最大比率限於25質量%以下者為較佳，22質量%以下又更佳，20質量%以下為更佳，低於17質量%為特佳。

再者，通式(XIV-2-6)所表示的化合物，具體而言，式(58.1)至式(58.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(58.2)所表示的化合物者為較佳。

本發明之組成物含有1種或2種以上之下述通式(ii)所表示的化合物。

(前述通式(ii)中，Rⁱⁱ¹ 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -係各自獨立為可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，Xⁱⁱ¹ ~Xⁱⁱ⁵ 係各自獨立表示為氫原子、氟原子或氯原子，mⁱⁱ¹ 表示1或2，但mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ¹ 為複數存在的情形，可相同亦可相異，mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ² 為複數存在的情形，可相同亦可相異)。

於前述通式(ii)，mⁱⁱ¹ 為1或2。

Xⁱⁱ³ ~Xⁱⁱ⁵ 之中至少2個為氟原子者為較佳，Xⁱⁱ³ ~Xⁱⁱ⁵ 皆為氟原子者為更佳。

於前述通式(ii)，Rⁱⁱ¹ 可舉例與前述通式(i-1)~(I-3)之Rⁱ¹ 所舉例者相同。

前述通式(ii)所表示的化合物係以下述式所表示的化合物為較佳。

又，就前述通式(ii)所表示的化合物而言，亦可含有選自以下之化合物群的化合物。

此等之化合物為了有用於獲得大△ε且高△n之液晶組成物，考慮所要求的Tni而適宜組合使用者為宜。又，使用2種以上選自通式(ii)所表示的化合物組成之群組的化合物者為較佳，使用3種以上者為更佳，使用4種以上者又更佳，使用5種以上者為特佳。選自通式(ii)所表示的化合物組成之群組的化合物，相對於本發明之組成物總量，含有3質量%以上時，除了大△ε，可獲得高Tni者為較佳，含有5質量%以上時為更佳，含有7質量%以上時更佳，含有10質量%以上時又更佳，含有14質量%以上時特佳。

再者，含有選自通式(ii)所表示的化合物而成的群組的化合物中至少2種類之化合物時，溶解性被改良而較佳，其合計含量相對於本發明之組成物總量，為5質量%以上者較佳，10質量%以上又較佳，13質量%以上更佳。

再者，含有選自通式(ii)所表示的化合物而成的群組的化合物中至少3種類之化合物時，溶解性被進一步改良而較佳，其合計之含量為16質量%以上者較佳，24質量%以上者更佳。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但含有此等之化合物之中之1種~4種者為較佳，含有1種~3種者更佳。

再者，含有選自通式(ii)所表示的化合物而成的群組的化合物中至少2種類之化合物時，溶解性被改良而較佳，其合計含量相對於本發明之組成物總量，係10質量%以上者為更佳，13質量%以上者又較佳。

再者，含有選自通式(ii)所表示的化合物而成的群組的化合物中至少3種類之化合物時，溶解性被進一步改良而較佳，其合計之含量係15質量%以上者為更佳，17質量%以上者又較佳。

就選自通式(ii)所表示的化合物而成的群組的化合物之上限值而言，30質量%為較佳，20質量%又較佳，15質量%又較佳，13質量%又較佳，12質量%又較佳。

就選自通式(ii)所表示的化合物而成的群組的化合物之特佳組合而言，2種mⁱⁱ¹ 為1的化合物為較佳，組合1種mⁱⁱ¹ 為1的化合物與1種mⁱⁱ¹ 為2的化合物者為較佳，mⁱⁱ¹ 為2的化合物為2種者為較佳，mⁱⁱ¹ 為1的化合物1種與mⁱⁱ¹ 為2的化合物2種者為較佳，組合通式(ii.1)所表示的化合物與通式(ii.2)所表示的化合物者為較佳，組合通式(ii.2)所表示的化合物與通式(ii.3)所表示的化合物者為較佳，組合通式(ii.2)所表示的化合物與通式(ii.4)所表示的化合物者為較佳，組合通式(ii.2)所表示的化合物與通式(ii.5)所表示的化合物者為較佳，組合通式(ii.2)所表示的化合物、通式(ii.4)所表示的化合物及通式(ii.5)所表示的化合物者為較佳。

又，就通式(ii)所表示的化合物而言，亦可為含有通式(VIII-2)所表示的化合物。

(式中，R⁸ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應於低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所欲性能來組合使用。使用的化合物種類係，例如作為本發明之一個實施形態而言為1種類。或本發明之另一實施形態係為2種類。或者，本發明之再另外的實施形態為3種類以上。

通式(VIII-2)所表示的化合物之含量於考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等，以2.5質量%以上者為較佳，8質量%以上又較佳，10質量%為更佳，12質量%以上又更佳。又，就最大可含有的比率而言，25質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳，15質量%以下又更佳。

再者，通式(VIII-2)所表示的化合物係式(27.1)至式(27.4)所表示的化合物為較佳，式(27.2)所表示的化合物為較佳。

就通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物之較佳組合而言，通式(i)所表示的化合物1種及通式(ii)所表示的化合物2種為較佳，通式(i)所表示的化合物1種及通式(ii)所表示的化合物3種為較佳，通式(i)所表示的化合物2種及通式(ii)所表示的化合物1種為較佳，通式(i)所表示的化合物2種及通式(ii)所表示的化合物2種為較佳，通式(i)所表示的化合物2種及通式(ii)所表示的化合物3種為較佳。

本發明之液晶組成物亦可含有1種類或2種類以上之通式(L)所表示的化合物。

(式中，R^L1 及R^L2 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1 、B^L2 及B^L3 各自獨立表示選自由下列組成之群組的基：(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可經-O-取代)；及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=)。

上述之基(a)、基(b)各自獨立可經氰基、氟原子或氯原子取代，L^L1 及L^L2 各自獨立表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，OL為2或3而L^L2 為複數存在的情形，彼等可相同亦可為相異，OL為2或3而B^L3 為複數存在的情形，彼等可相同亦可為相異，但其中通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應於低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所欲性能來適宜組合使用。使用的化合物之種類，例如就本發明之一個之實施形態而言，為1種類。或本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。再者，本發明之其他實施形態為4種類。又，本發明之其他實施形態為5種類。再者，本發明之其他實施形態為6種類。又，本發明之其他實施形態為7種類。此外，本發明之其他實施形態為8種類。再者，本發明之其他實施形態為9種類。又，本發明之其他實施形態為10種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(L)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像(burn-in)、介電各向異性等所冀求的性能加以適宜調整。

較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為1%。或本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為20%。再者，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為40%。再者，本發明之其他實施形態為50%。此外，本發明之其他實施形態為55%。又，本發明之其他實施形態為60%。再者，本發明之其他實施形態為65%。此外，本發明之其他實施形態為70%。又，本發明之其他實施形態為75%。再者，本發明之其他實施形態為80%。

又，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之形態為95%。又，本發明之其他實施形態為85%。再者，本發明之其他實施形態為75%。此外，本發明之其他實施形態為65%。又，本發明之其他實施形態為55%。再者，本發明之其他實施形態為45%。此外，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為25%。

有必要將本發明之液晶組成物的黏度保持在低值、反應速度為快速的液晶組成物的情形，上述之下限值為高且上限值為高者為較佳。再者，有必要將本發明之液晶組成物之Tni保持在高值、溫度安定性優良的液晶組成物的情形，上述之下限值為高且上限值為高者較佳。又，為了低地保持驅動電壓，而欲將介電各向異性變大時，降低上述之下限值且上限值為低者為較佳。

R^L1 及R^L2 彼等鍵結的環構造為苯基(芳香族)的情形，以直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及碳原子數4~5之烯基為較佳，彼等鍵結的環構造為環己烷、哌喃及二烷等之飽和的環構造的情形，以直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基為較佳。

通式(L)所表示的化合物於冀求液晶組成物之化學安定性的情形，其分子內不具有氯原子者為較佳。

通式(L)所表示的化合物係，例如，選自通式(I)所表示的化合物群的化合物為較佳。

R¹¹ -A¹¹ -A¹² -R¹² (I)(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基，A¹¹ 及A¹² 各自獨立表示為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能來適宜組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。又，本發明之其他實施形態為4種類。再者，本發明之其他實施形態為5種類。此外，本發明之其他實施形態為6種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(I)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。

較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。或者本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為18%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為29%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為42%。又，本發明之其他實施形態為47%。又，本發明之其他實施形態為53%。又，本發明之其他實施形態為56%。又，本發明之其他實施形態為60%。又，本發明之其他實施形態為65%。

再者，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之形態為75%。又，本發明之其他實施形態為65%。又，本發明之其他實施形態為55%。又，本發明之其他實施形態為50%。又，本發明之其他實施形態為45%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為30%。

將本發明之液晶組成物之黏度保持在低值、反應速度為快速的液晶組成物為必要的情形，上述之下限值為高且上限值為高者為較佳。再者，將本發明之液晶組成物之Tni保持在高值、溫度安定性優良的液晶組成物為必要的情形，上述之下限值為中庸且上限值為中庸者為較佳。又，為了將驅動電壓保持在低值而欲變大介電各向異性時，降低上述之下限值且上限值為低者為較佳。

再者，通式(I)所表示的化合物為選自通式(I-1)所表示的化合物群的化合物者為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能加以適宜組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。又，本發明之其他實施形態為4種類。又，本發明之其他實施形態為5種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(I-1)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。

較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。或者本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為18%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為29%。又，本發明之其他實施形態為31%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為43%。又，本發明之其他實施形態為47%。又，本發明之其他實施形態為50%。又，本發明之其他實施形態為53%。又，本發明之其他實施形態為56%。

再者，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之形態為70%。又，本發明之其他實施形態為60%。又，本發明之其他實施形態為50%。又，本發明之其他實施形態為45%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為26%。

再者，通式(I-1)所表示的化合物係選自通式(I-1-1)所表示的化合物群的化合物者為較佳。

(式中R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷氧基)。

於本發明之液晶組成物，通式(I-1-1)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為2%。或者本發明之其他實施形態為4%。又，本發明之其他實施形態為7%。又，本發明之其他實施形態為11%。又，本發明之其他實施形態為13%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為17%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為32%。又，本發明之其他實施形態為35%。

再者，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之形態為60%。又，本發明之其他實施形態為50%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為15%。

再者，通式(I-1-1)所表示的化合物係選自式(1.1)至式(1.3)所表示的化合物群的化合物者為較佳，式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物為較佳，尤其，式(1.3)所表示的化合物為較佳。

式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物為各別單獨使用的情形，式(1.2)所表示的化合物之含量為高者反應速度的改善為有效果的，式(1.3)所表示的化合物之含量為下述所示範圍可為反應速度快速且電氣、光學性的信賴性高的液晶組成物的緣故而為較佳。

相對於本發明之液晶組成物之總量，含有5質量%以上之式(1.3)所表示的化合物者為較佳，含有7質量%以上者為更佳，含有9質量%以上者又更佳，含有11質量%以上者再更佳，含有15質量%以上者為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，35質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，20質量%以下為又更佳。

再者，通式(I-1)所表示的化合物係選自通式(I-1-2)所表示的化合物群的化合物者為較佳。

(式中R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能加以適宜組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-1-2)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為7%。或者本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為18%。又，本發明之其他實施形態為21%。又，本發明之其他實施形態為24%。又，本發明之其他實施形態為27%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為34%。又，本發明之其他實施形態為37%。又，本發明之其他實施形態為41%。又，本發明之其他實施形態為47%。又，本發明之其他實施形態為50%。

再者，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之實施形態為60%。又，本發明之其他實施形態為55%。又，本發明之其他實施形態為45%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為20%。

再者，通式(I-1-2)所表示的化合物係選自式(2.1)至式(2.4)所表示的化合物群的化合物為較佳，式(2.2)至式(2.4)所表示的化合物為較佳。尤其，式(2.2)所表示的化合物因特別改善本發明之液晶組成物之反應速度而為較佳。又，尋求比起反應速度更高的Tni的時候，使用式(2.3)或式(2.4)所表示的化合物者為較佳。為了改良低溫之溶解度，式(2.3)及式(2.4)所表示的化合物之含量作成20%以上者為不佳。

於本發明之液晶組成物，式(2.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係5質量%以上者為較佳，10質量%者為更佳，14質量%以上者為更佳，17質量%以上者為更佳，19質量%以上者為更佳，22質量%以上者為更佳，25質量以上者為更佳，27質量以上者為更佳，30質量%以上者為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，55質量%以下為較佳，50質量%以下為更佳，45質量%以下又更佳，40質量%以下再更佳，30質量%以下為特佳。

本案發明之液晶組成物係又可含有具有類似通式(I-1-2)所表示的化合物的構造的式(2.5)所表示的化合物。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而調整式(2.5)所表示的化合物之含量者為較佳，相對於本發明之液晶組成物之總量，含有11質量%以上之此化合物為較佳，含有15質量%為更佳，含有23質量%為又更佳，含有26質量%以上再更佳，含有28質量%以上為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物為選自通式(I-2)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹³ 及R¹⁴ 各自獨立表示碳原子數1~5之烷基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-2)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。或者本發明之其他實施形態為4%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為38%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為42%。又，本發明之其他實施形態為45%。又，本發明之其他實施形態為47%。又，本發明之其他實施形態為50%。

再者，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之形態為60%。又，本發明之其他實施形態為55%。又，本發明之其他實施形態為45%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為5%。又，通式(I-2)所表示的化合物係選自式(3.1)至式(3.4)所表示的化合物群的化合物為較佳，式(3.1)、式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為較佳。尤其，式(3.2)所表示的化合物因特別改善本發明之液晶組成物之反應速度而為較佳。又，求得比起反應速度更高的Tni時，使用式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為較佳。式(3.3)及式(3.4)所表示的化合物之含量，為了使低溫之溶解度良好，作成20%以上者為不佳。

再者，通式(I-2)所表示的化合物係選自式(3.1)至式 (3.4)所表示的化合物群的化合物為較佳，式(3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(3.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，2質量%以上為較佳，3質量%為更佳，4質量%以上為更佳，10質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，14質量%以上為更佳，16質量以上為更佳，20質量以上為更佳，23質量%以上為更佳，26質量%以上為更佳，30質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，40質量%以下為較佳，37質量%以下為更佳，34質量%以下為更佳，32質量%以下為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-3)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹³ 表示碳原子數1~5之烷基，R¹⁵ 表示碳原子數1~4之烷氧基)。

於本發明之液晶組成物，通式(I-3)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。或者本發明之其他實施形態為4%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為38%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為42%。又，本發明之其他實施形態為45%。又，本發明之其他實施形態為47%。又，本發明之其他實施形態為50%。

再者，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之形態為60%。又，本發明之其他實施形態為55%。又，本發明之其他實施形態為45%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為5%。

重視低溫之溶解性的情形，將含量設定為多時，效果就高，相反地，重視反應速度的情形，將含量設定為少時，效果就高。再者，改良滴注痕跡或殘像特性的情形，將含量範圍設定為中間時為較佳。

再者，通式(I-3)所表示的化合物係選自式(4.1)式(4.3)所表示的化合物群的化合物為較佳，式(4.3)所表示的化合物為較佳。

式(4.3)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，係2質量%以上為較佳，4質量%為更佳，6質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，10質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，14質量以上為更佳，16質量以上為更佳，18質量%以上為更佳，20質量%以上為更佳，22質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，24質量%以下為更佳，23質量%以下為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-4)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。

於本發明之液晶組成物，通式(I-4)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。或者本發明之其他實施形態為5%。又，本發明之其他實施形態為6%。又，本發明之其他實施形態為8%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為12%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為40%。

再者，較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如本發明之一個之形態為50%。又，本發明之其他實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為5%。

獲得高複折射率的情形，將含量設定為多時，效果就高，相反地，重視高Tni的情形，將含量設定為少時，效果就高。再者，改良滴注痕跡或殘像特性的情形，將含量範圍設定於中間值為較佳。

再者，通式(I-4)所表示的化合物係選自式(5.1)至式 (5.4)所表示的化合物群的化合物為較佳，式(5.2)至式(5.4)所表示的化合物為較佳。

式(5.4)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，係2質量%以上為較佳，4質量%為更佳，6質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，10質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，20質量%以下為更佳，18質量%以下為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-5)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

於本發明之液晶組成物，通式(I-5)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為1%。或者本發明之其他實施形態為5%。又，本發明之其他實施形態為8%。又，本發明之其他實施形態為11%。又，本發明之其他實施形態為13%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為17%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為40%。

重視低溫之溶解性的情形，將含量設定為多時，效果就高，相反地，重視反應速度的情形，將含量設定為少時，效果就高。又，改良滴注痕跡或殘像特性的情形，將含量範圍設定於中間值為較佳。

再者，通式(I-5)所表示的化合物係選自式(6.1)至式(6.6)所表示的化合物群的化合物為較佳，式(6.3)、式(6.4)及式(6.6)所表示的化合物為較佳。

例如，式(6.6)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，係2質量%以上為較佳，4質量%為更佳，5質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳，9質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，14質量以上為更佳，16質量以上為更佳，18質量%以上為更佳，20質量%以上為更佳，22質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，24質量%以下為更佳，23質量%以下為特佳。

本案發明之液晶組成物係又亦可含有式(6.7)~式(6.9)所表示的化合物。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而調整式(6.7)~式(6.9)所表示的化合物之含量為較佳，此化合物相對於本發明之液晶組成物之總量，係含有2質量%以上為較佳，含有3質量% 為更佳，含有4質量%為更佳，含有5質量%為更佳，含有7質量%以上為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-6)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹¹ 及X¹² 係各自獨立表示為氟原子或氫原子，X¹¹ 或X¹² 之任一者為氟原子)。

通式(I-6)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，係2質量%以上為較佳，4質量%為更佳，5質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳，9質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，14質量以上為更佳，16質量以上為更佳，18質量%以上為更佳，20質量%以上為更佳，22質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，24質量%以下為更佳，23質量%以下為特佳。

再者，通式(I-6)所表示的化合物係式(7.1)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-7)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹¹ 及R¹² 表示各自獨立為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹² 各自獨立表示氟原子或氯原子)。

通式(I-7)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，2質量%為更佳，3質量%以上為更佳，4質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，10質量以上為更佳，12質量以上為更佳，15質量%以上為更佳，18質量%以上為更佳，21質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，24質量%以下為更佳，22質量%以下為特佳。

再者，通式(I-7)所表示的化合物係式(8.1)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係選自通式(I-8)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹⁶ 及R¹⁷ 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合1種類至3種類為較佳。

通式(I-8)所表示的化合物之含量係因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能，相對於本發明之液晶組成物之總量，以5質量%以上為較佳，10質量%為更佳，15質量%以上為更佳，20質量%以上為更佳，25質量%以上為更佳，30質量%以上為更佳，35質量以上為更佳，40質量以上為更佳，45質量%以上為更佳，50質量%以上為更佳，55質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，65質量%以下為較佳，60質量%以下為更佳，58質量%以下為更佳，56質量%以下為特佳。

再者，通式(I-8)所表示的化合物係選自式(9.1)至式(9.10)所表示的化合物群的化合物為較佳，式(9.2)、式(9.4)及式(9.7)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係選自例如通式(II)所表示的化合物的化合物為較佳。

(R²¹ 及R²² 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基，A² 表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q² 表示單鍵、-COO-、-CH₂ -CH₂ -或-CF₂ O-)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之再實施形態為3種類。又，本發明之其他實施形態為4種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(II)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。或者本發明之其他實施形態為5%。又，本發明之其他實施形態為7%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為14%。又，本發明之其他實施形態為16%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為 23%。又，本發明之其他實施形態為26%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為35%。又，本發明之其他實施形態為40%。

再者，通式(II)所表示的化合物係例如選自通式(II-1)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(R²¹ 及R²² 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(II-1)所表示的化合物之含量係因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而調整為較佳，4質量%以上為較佳，8質量%以上為更佳，12質量%以上又更佳。又，就可最大地含有的比率而言，24質量%以下為較佳，18質量%以下為更佳，14質量%以下為又更佳。

再者，通式(II-1)所表示的化合物係例如式(10.1)及式(10.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(II)所表示的化合物係例如選自通式(II-2)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(R²³ 表示碳原子數2~5之烯基，R²⁴ 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(II-2)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。或者本發明之其他實施形態為5%。又，本發明之其他實施形態為7%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為14%。又，本發明之其他實施形態為16%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為23%。又，本發明之其他實施形態為26%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為 35%。又，本發明之其他實施形態為40%。

再者，通式(II-2)所表示的化合物係例如式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物為較佳。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而可含有式(11.1)所表示的化合物、或可含有式(11.2)所表示的化合物、亦可含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者、含有式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物全部亦可。式(11.1)或式(11.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，以3質量%為較佳，5質量%以上為更佳，7質量%以上為更佳，9質量%以上為更佳，11質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，13質量%以上又更佳，18質量%以上更佳，21質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，40質量%以下為較佳，30質量% 以下為更佳，25質量%以下又更佳。又，式(11.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係3質量%為較佳，5質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，10質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，15質量%以上為更佳，17質量%以上為更佳，19質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，40質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳，25質量%以下為又更佳。含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者的情形，兩化合物之合計係相對於本發明之液晶組成物之總量，15質量%以上為較佳，19質量%以上為更佳，24質量%以上為更佳，30質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，45質量%以下為較佳，40質量%以下為更佳，35質量%以下為又更佳。

再者，通式(II)所表示的化合物係例如選自通式(II-3)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(R²⁵ 表示碳原子數1~5之烷基，R²⁴ 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而含有選自此等之化合物之中的1種~3種類為較佳。

通式(II-3)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。就較佳含量之下限值而言，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，2%為較佳，5%為更佳，8%為更佳，11%為更佳，14%為更佳，17%為更佳，20%為更佳，23%為更佳，26%為更佳，29%為特佳。又，就較佳含量之上限值而言，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，係45%為較佳，40%為更佳，35%為更佳，30%為更佳，25%為更佳，20%為更佳，15%為更佳，10%為特佳。

再者，通式(II-3)所表示的化合物係例如選自式(12.1)至式(12.3)所表示的化合物為較佳。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而可含有式(12.1)所表示的化合物、可含有式(12.2)所表示的化合物、含有式(12.1)所表示的化合物式(12.2)所表示的化合物與兩者亦可。式(12.1)或式(11.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係3質量%為較佳，5質量%以上為更佳，7質量%以上為更佳，9質量%以上為更佳，11質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，13質量%以上為更佳，18質量%以上為更佳，21質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，40質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳，25質量%以下為又更佳。又，式(12.2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係3質量%為較佳，5質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，10質量%以上為更佳，12質量%以上為更佳，15質量%以上為更佳，17質量%以上為更佳，19質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，40質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳，25質量%以下為又更佳。含有式(12.1)所表示的化合物與式(12.2)所表示的化合物兩者的情形，兩化合物之合計相對於本發明之液晶組成物之總量，係15質量%以上為較佳，19質量%以上為更佳，24質量%以上為更佳，30質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，45質量%以下為較佳，40質量%以下為更佳，35質量%以下為又更佳。

又，式(12.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係0.05質量%以上為較佳，0.1質量%以上為更佳，0.2質量%以上為又更佳。又，就可最大地含有的比率而言，2質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，0.5質量%以下為又更佳。式(12.3)所表示的化合物可為光學活性化合物。

再者，通式(II-3)所表示的化合物係例如選自通式(II-3-1)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(R²⁵ 表示碳原子數1~5之烷基，R²⁶ 表示碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而含有此等之化合物之中的1種~3種類為較佳。

通式(II-3-1)所表示的化合物之含量係因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而調整為較佳，1質量%以上為較佳，4質量%以上為更佳，8質量%以上為又更佳。又，就可最大地含有的比率而言，24質量%以下為較佳，18質量%以下為更佳，14質量%以下為又更佳。

再者，通式(II-3-1)所表示的化合物係例如式(13.1)至式(13.4)所表示的化合物為較佳，尤其，式(13.3)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(II)所表示的化合物係例如選自通式(II-4)所表示的化合物群的化合物為較佳。

此等之化合物中可僅含有1種類，亦可含有2種類以上，但因應所冀求的性能而適宜組合為較佳。可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而含有此等之化合物中之1種~2種類為較佳，含有1種~3種類為特佳。

通式(II-4)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，2質量%以上為更佳，3質量%以上為更佳，4質量%以上為更佳，5質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，15質量%以下為較佳，12質量%以下為更佳，7質量%以下為又更佳。

再者，通式(II-4)所表示的化合物係例如式(14.1)至式(14.5)所表示的化合物為較佳，尤其，式(14.2)或/及式(14.5)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係選自通式(III)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(R³¹ 及R³² 各自獨立表示為碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(III)所表示的化合物之含量係考慮所冀求的溶解性或複折射率等，相對於本發明之液晶組成物之總量，含有3質量%以上含有為較佳，含有6質量%以上為更佳，含有8質量%以上為更佳。又，就可最大地含有的比率而言，係25質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳，15質量%以下為又更佳。

再者，通式(III)所表示的化合物係例如式(15.1)~式(15.3)所表示的化合物為較佳，尤其，式(15.3)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(III)所表示的化合物係選自通式(III-1)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(R³³ 表示碳原子數2~5之烯基，R³² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~4之烷氧基)。

因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而調整含量為較佳，以4質量%以上為較佳，6質量%以上為更佳，10質量%以上為又更佳。又，就可最大地含有的比率而言，23質量%以下為較佳，18質量%以下為更佳，13質量%以下為又更佳。

通式(III-1)所表示的化合物係例如式(16.1)或式(16.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(III)所表示的化合物係選自通式(III-2)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(R³¹ 表示碳原子數1~5之烷基，R³⁴ 表示碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(III-2)所表示的化合物之含量係因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而調整為較佳，以4質量%以上為較佳，6質量%以上為更佳，10質量%以上為又更佳。又，就可最大地含有的比率而言，23質量%以下為較佳，18質量%以下為更佳，13質量%以下為又更佳。

再者，通式(III-2)所表示的化合物係例如選自式(17.1)至式(17.3)所表示的化合物群的化合物為較佳，尤其為式(17.3)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係選自通式(IV)所表示的群為較佳。

(式中，R⁴¹ 及R⁴² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，X⁴¹ 及X⁴² 各自獨立表示為氫原子或氟原子)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。又，本發明之其他實施形態為4種類。又，本發明之其他實施形態為5種類。又，本發明之其他實施形態為6種類以上。

再者，通式(IV)所表示的化合物係例如選自通式(IV-1)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R⁴³ 、R⁴⁴ 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基)。

通式(IV-1)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如一個之實施形態為1%。又，本發明之其他實施形態為2%。又，本發明之其他實施形態為4%。又，本發明之其他實施形態為6%。又，本發明之其他實施形態為8%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為12%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為18%。又，本發明之其他實施形態為21%。

又，就較佳含量之上限值而言，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為5%。又，本發明之其他實施形態為4%。

再者，通式(IV-1)所表示的化合物係例如式(18.4)至式(18.12)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但含有此等之化合物中之1種~3種類為較佳，含有1種~4種類為又更佳。又，因所選化合物之分子量分布廣者於溶解性亦為有效，例如，選擇式(18.4)或(18.5)所表示的化合物之1種類、式(18.6)或式(18.7)所表示的化合物之1種類、式(18.8)或(18.9)所表示的化合物之1種類、式(18.10)或(18.11)所表示的化合物之1種類之化合物、式(18.12)，並使此等適宜組合者為較佳。其中，含有式(18.4)、式(18.6)及式(18.9)所表示的化合物、式(18.5)及式(18.10)所表示的化合物、式(18.4)、式(18.6)及式(18.9)所表示的化合物、式(18.7)及式(18.10)所表示的化合物、式(18.5)及式(18.10)所表示的化合物、式(18.5)、式(18.7)及式(18.10)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(IV)所表示的化合物係例如選自通式(IV-2)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R⁴⁵ 及R⁴⁶ 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，但至少1者表示為碳原子數2~5之烯基，X⁴¹ 及X⁴² 各自獨立表示為氫原子或氟原子)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。

通式(IV-2)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。就較佳含量之下限值而言，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，係0.5%為較佳，1%為更佳，2%為更佳，3%為更佳，5%為更佳，7%為更佳，9%為更佳，12%為更佳，15%為更佳，20%為特佳。又，就較佳含量之上限值而言，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，40%為較佳，30%為更佳，25%為更佳，20%為更佳，15%為更佳，10%為更佳，5%為更佳，4%為特佳。

再者，通式(IV-2)所表示的化合物係例如式(19.1)至式(19.8)所表示的化合物為較佳，其中以式(19.3)所表示的化合物為較佳。

因作為液晶組成物之成分所選擇的化合物之分子量分布為廣泛者亦對溶解性有效，例如，各自選自式(19.1)或(19.2)所表示的化合物之1種類、式(19.3)或(19.4)所表示的化合物之1種類、式(19.5)或式(19.6)所表示的化合物之1種類、式(19.7)或(19.8)所表示的化合物之1種類之化合物，並使此等適宜組合為較佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係選自通式(V)所表示的群的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A⁵¹ 及A⁵² 各自獨立表示為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q⁵ 表示單鍵或 -COO-，X⁵¹ 及X⁵² 各自獨立表示為氟原子或氫原子)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。又，本發明之其他實施形態為4種類。

較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如一個之實施形態為2%。又，本發明之其他實施形態為4%。又，本發明之其他實施形態為7%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為12%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為17%。又，本發明之其他實施形態為18%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為22%。

又，就較佳含量之上限值而言，例如相對於本發明之液晶組成物之總量，於本發明之一個之實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為5%。又，本發明之其他實施形態為4%。

再者，通式(V)所表示的化合物係通式(V-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁵¹ 及X⁵² 各自獨立表示為氟原子或氫原子)。

再者，通式(V-1)所表示的化合物係通式(V-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁵¹ 及R⁵² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(V-1-1)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，含有1質量%以上為較佳，含有2質量%以上含有為更佳，含有3質量%以上為更佳，含有4質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，15質量%以下為較佳，10質量%以下為更佳，8質量%以下為又更佳。

再者，通式(V-1-1)所表示的化合物係式(20.1)至式(20.4)所表示的化合物為較佳，式(20.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(V-1)所表示的化合物係通式(V-1-2)所表示的化合物為較佳。

通式(V-1-2)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，含有1質量%以上為較佳，含有2質量%以上為更佳，含有3質量%以上為更佳，含有4質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，15質量%以下為較佳，10質量%以下為更佳，8質量%以下為又更佳。

再者，通式(V-1-2)所表示的化合物係式(21.1)至式(21.3)所表示的化合物為較佳，式(21.1)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(V-1)所表示的化合物係通式(V-1-3)所表示的化合物為較佳。

通式(V-1-3)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，含有1質量%以上為較佳，含有2質量%以上為更佳，含有3質量%以上為更佳，含有4質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，15質量%以下為較佳，10質量%以下為更佳，8質量%以下為又更佳。

再者，通式(V-1-3)所表示的化合物係式(22.1)至式(22.3)所表示的化合物。式(22.1)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(V)所表示的化合物係通式(V-2)所表示的化合物為較佳。

又，就較佳含量之上限值而言，例如相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為40%。又，本發明之其他實施形態為30%。又，本發明之其他實施形態為25%。又，本發明之其他實施形態為20%。又，本發明之其他實施形態為15%。又，本發明之其他實施形態為10%。又，本發明之其他實施形態為5%。又，本發明之其他實施形態為4%。

本發明之液晶組成物為高Tni的實施形態為所欲的情形，將式(V-2)所表示的化合物之含量作成較多者為較佳，於低黏度之實施形態為所欲的情形，含量成為較少者為較佳。

再者，通式(V-2)所表示的化合物係通式(V-2-1)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(V-2-1)所表示的化合物係式(23.1)至式(23.4)所表示的化合物為較佳，式(23.1)或/及式(23.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(V-2)所表示的化合物係通式(V-2-2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(V-2-2)所表示的化合物係式(24.1)至式(24.4)所表示的化合物為較佳，式(24.1)或/及式(24.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(V)所表示的化合物係通式(V-3)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而組合。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類以上。

通式(V-3)所表示的化合物，相對於本發明之液晶組成物之總量，含有2質量%以上為較佳，含有4質量%以上為更佳，含有7質量%以上為更佳，含有8質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，16質量%以下為較佳，13質量%以下為更佳，11質量%以下為又更佳。

再者，通式(V-3)所表示的化合物係式(25.1)至式(24.3)所表示的化合物為較佳。

本發明之液晶組成物又可進一步含有1種或2種類以上之通式(VI)所表示的化合物。

(式中，R⁶¹ 及R⁶² 各自獨立表示為碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數2至10之直鏈烯基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所冀求的性能而含有來自此等之化合物中之1種~3種類為較佳，含有1種~4種類為更佳，含有1種~5種類以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，35質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，15質量%以下為又更佳。

具體而言，通式(VI)所表示的化合物係較佳可使用如下所列舉的化合物。

本案發明之液晶組成物係又可含有1種或2種類以上之通式(VII)所表示的化合物。

(式中，R⁷¹ 及R⁷² 各自獨立表示為碳原子數1至10之直鏈烷基、碳原子數1至10之直鏈烷氧基或碳原子數4至10之直鏈烯基)。

通式(VII)所表示的化合物，具體而言較佳可使用如下所列舉的化合物。

本發明之液晶組成物含有通式(M)所表示的化合物亦較佳。

(式中，R^M1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1 及C^M2 各自獨立表示為選自下列組成的群組的基：(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -係可被取代為-O-或-S-)；及 (e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=係可被取代為-N=)。

上述之基(d)、基(e)各自獨立表示為可經氰基、氟原子或氯原子取代；K^M1 及K^M2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，PM為2、3或4而K^M1 為複數存在的情形，彼等可相同亦可為相異，PM為2、3或4而C^M2 為複數存在的情形，彼等可相同亦可為相異，X^M1 及X^M3 各自獨立表示為氫原子、氯原子或氟原子，X^M2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。其中，通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所欲性能而組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。另外又本發明之其他實施形態為4種類。又，本發明之其他實施形態為5種類。又，本發明之其他實施形態為6種類。又，本發明之其他實施形態為7種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(M)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。

較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為1%。又，例如就本發明之其他實施形態而言為10%。例如，就本發明之又其他之實施形態而言為20%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為30%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為40%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為45%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為50%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為55%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為60%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為65%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為70%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為75%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為80%。

又，就較佳含量之上限值而言，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為95%。又，就本發明之其他實施形態而言為85%。就本發明之又其他之實施形態而言為75%。就本發明之又其他之實施形態而言為65%。就本發明之又其他之實施形態而言為55%。就本發明之又其他之實施形態而言為45%。就本發明之又其他之實施形態而言為35%。就本發明之又其他之實施形態而言為25%。

將本發明之液晶組成物之黏度保持在低值、反應速度為快速的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、上限值作成低值者為較佳。又，將本發明之液晶組成物之Tni保持在高值、溫度安定性優良的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。又，為了將驅動電壓保持在低值而欲變大介電各向異性時，將上述之下限值作成高值、提高上限值為較佳。

R^M1 彼等鍵結的環構造為苯基(芳香族)的情形，係直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基為較佳，彼等鍵結的環構造為環己烷、哌喃及二烷等之飽和的環構造的情形，係直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基為較佳。

於通式(M)所表示的化合物為冀求液晶組成物之化學安定性的情形，其分子內不具有氯原子者為較佳。再者，液晶組成物內具有氯原子的化合物為5%以下為較佳，3%以下為較佳，1%以下為較佳，0.5%以下為較佳，實質上不含有者為較佳。實質上不含有時，並非意圖指化合物製造時之呈不純物所生成的化合物等而意指於液晶組成物中僅混入含氯原子的化合物。

通式(M)所表示的化合物係例如選自通式(VIII)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R⁸ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁸¹ 至X⁸⁵ 各自獨立表示為氫原子或氟原子，Y⁸ 表示氟原子或-OCF₃ ；惟，通式(ii)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所欲性能而組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(VIII)所表示的化合物之含量係有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。

較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為2%。又，例如就本發明之其他實施形態而言為4%。例如，就本發明之又其他之實施形態而言為5%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為6%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為7%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為8%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為9%。例如，就本發明之又其他之實施形態而言為10%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為11%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為12%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為14%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為15%。例如，就本發明之又其他之實施形態而言為21%。例如，就本發明之又其他之實施形態而言為23%。

又，就較佳含量之上限值而言，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為40%。又，作為本發明之其他實施形態為30%。就本發明之又其他之實施形態而言為25%。就本發明之又其他之實施形態而言為21%。就本發明之又其他之實施形態而言為16%。就本發明之又其他之實施形態而言為12%。就本發明之又其他之實施形態而言為8%。就本發明之又其他之實施形態而言為5%。

將本發明之液晶組成物之黏度保持在低值、反應速度為快速的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。此外，將本發明之液晶組成物之Tni保持在高值、溫度安定性優良的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。又，為了將驅動電壓保持在低值而欲變大介電各向異性時，將上述之下限值作成高值，並將上限值作成高值為較佳。

又，通式(M)所表示的化合物係例如選自通式(IX)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁹¹ 及X⁹² 各自獨立表示為氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ ，U⁹ 表示單鍵、-COO-或-CF₂ O-)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所欲性能來組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。又此外，本發明之其他實施形態為4種類。又，本發明之其他實施形態為5種類。又，本發明之其他實施形態為6種類以上。

於本發明之液晶組成物，通式(IX)所表示的化合物之含量，有必要因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率、製程適合性、滴注痕跡、殘像、介電各向異性等之所冀求的性能加以適宜調整。

較佳含量之下限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為3%。又，例如作為本發明之其他實施形態為5%。例如，就本發明之又其他之實施形態而言為8%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為10%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為12%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為15%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為17%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為20%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為24%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為28%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為30%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為34%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為39%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為40%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為42%。例如就本發明之又其他之實施形態而言為45%。

又，就較佳含量之上限值，相對於本發明之液晶組成物之總量，例如作為本發明之一個之實施形態為70%。又，作為本發明之其他實施形態為60%。就本發明之又其他之實施形態而言為55%。就本發明之又其他之實施形態而言為50%。就本發明之又其他之實施形態而言為45%。就本發明之又其他之實施形態而言為40%。就本發明之又其他之實施形態而言為35%。就本發明之又其他之實施形態而言為30%。就本發明之又其他之實施形態而言為25%。就本發明之又其他之實施形態而言為20%。就本發明之又其他之實施形態而言為15%。就本發明之又其他之實施形態而言為10%。

將本發明之液晶組成物之黏度保持在低值、反應速度為快速的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。此外，將本發明之液晶組成物之Tni保持在高值，難以發生殘影的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。又，為了將驅動電壓保持在低值而欲變大介電各向異性時，將上述之下限值作成高值，將上限值作成高值為較佳。

再者，通式(IX)所表示的化合物係通式(IX-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁹² 表示氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所欲性能來組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類。又此外，本發明之其他實施形態為4種類以上。

再者，通式(IX-1)所表示的化合物係通式(IX-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但因應低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之所欲性能來組合使用。使用的化合物之種類，例如作為本發明之一個之實施形態為1種類。或者本發明之其他實施形態為2種類。又，本發明之其他實施形態為3種類以上。

通式(IX-1-1)所表示的化合物之含量係考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而因應實施形態而有較佳上限值及下限值。含量之下限值，較佳例如為相對於本發明之液晶組成物之總量，一個之實施形態為1%，其他實施形態為2%，再其他實施形態為4%，又再其他實施形態為10%，又再其他實施形態為14%、又再其他實施形態為16%、又再其他實施形態為21%。

又，含量之上限值，較佳為例如，一個之實施形態為40%，其他之實施形態為35%，再其他實施形態為30%、又再其他實施形態為25%、又再其他實施形態為10%、又再其他實施形態為7%、又再其他實施形態為5%。

再者，通式(IX-1-1)所表示的化合物係式(28.1)至式(28.5)所表示的化合物為較佳，式(28.3)或/及式(28.5)所表示的化合物為較佳。

於本發明之液晶組成物，式(28.3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，5質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，10質量%以上為更佳，14質量%以上為更佳，16質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，將最大比率限於30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，22質量%以下為更佳，低於20質量%為特佳。

於本發明之液晶組成物，式(28.5)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係3質量%以上為較佳，7質量%以上為更佳，10質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，最大比率限於25質量%以下為較佳，低於20質量%為更佳，15質量%以下為更佳，低於13質量%為特佳。

再者，通式(IX-1)所表示的化合物係通式(IX-1-2)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而組合1種至3種類為較佳，組合1種至4種類組為更佳。

通式(IX-1-2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，5質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，10質量%以上為更佳，14質量%以上為更佳，16質量%以上為特佳。又，考率低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等，最大比率限於30質量%以下為較佳，25質量%以下為更佳，22質量%以下為更佳，低於20質量%為特佳。

再者，通式(IX-1-2)所表示的化合物係式(29.1)至式(29.4)所表示的化合物為較佳，式(29.2)或/及式(29.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(IX)所表示的化合物係通式(IX-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X⁹¹ 及X⁹² 各自獨立表示為氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而於各實施形態適宜組合來使用。例如，本發明之一個之實施形態為1種類、其他之實施形態為2種類、又其他之實施形態為3種類、再又其他之實施形態為4種類、再又其他之實施形態為5種類、再又其他之實施形態為6種類以上來組合。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-1)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至3種類組合為較佳。

通式(IX-2-1)所表示的化合物之含量係考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有較佳上限值及下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為1%。其他之實施形態為2%、再其他實施形態為4%、又再其他實施形態為10%、又再其他實施形態為14%、又再其他實施形態為16%、又再其他實施形態為21%。又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為40%、其他之實施形態為35%、再其他實施形態為30%、又再其他實施形態為25%、又再其他實施形態為22%、又再其他實施形態為20%、又再其他實施形態為10%、又再其他實施形態為7%、又再其他實施形態為5%。

再者，通式(IX-2-1)所表示的化合物係式(30.1)至式(30.4)所表示的化合物為較佳，式(30.1)至式(30.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-2)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至3種類組合為較佳，使1種至4種類組合為更佳。

通式(IX-2-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性，於各實施形態有上限值及下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為1%、其他之實施形態為2%、又其他之實施形態為4%、再又其他之實施形態為10%、再又其他之實施形態為14%、再又其他之實施形態為16%、再又其他之實施形態為21%。又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為40%、其他之實施形態為35%、再其他實施形態為30%、又再其他實施形態為25%、又再其他實施形態為22%、又再其他實施形態為15%、又再其他實施形態為12%、又再其他實施形態為8%、又再其他實施形態為4%。

再者，通式(IX-2-2)所表示的化合物係式(31.1)至式(31.4)所表示的化合物為較佳，式(31.1)至式(31.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-3)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至2種類組合為較佳。

通式(IX-2-3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，3質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳，8質量%以上為更佳，15質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於30質量%以下為較佳，低於20質量%為更佳，15質量%以下為更佳，低於10質量%為特佳。

再者，通式(IX-2-3)所表示的化合物係式(32.1)至式(32.4)所表示的化合物為較佳，式(32.2)及/或式(32.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-4)所表示的化合物為較佳。

通式(IX-2-4)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，3質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳，8質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於30質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳，15質量%以下為更佳，低於10質量%為特佳。

再者，通式(IX-2-4)所表示的化合物係式(33.1)至式(33.5)所表示的化合物為較佳，式(33.1)及/或式(33.3)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係通式(IX-2-5)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而於各實施形態使適宜組合來使用。例如，本發明之一個之實施形態為1種類、其他之實施形態為2種類、又其他之實施形態為3種類、再又其他之實施形態為4種類以上。

通式(IX-2-5)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值及下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為4%、其他之實施形態為8%、又其他之實施形態為12%、再又其他之實施形態為21%、再又其他之實施形態為30%、再又其他之實施形態為31%、再又其他之實施形態為34%。又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為45%、其他之實施形態為40%、再其他實施形態為35%、又再其他實施形態為32%、又再其他實施形態為22%、又再其他實施形態為13%、又再其他實施形態為9%、又再其他實施形態為8%、又再其他實施形態為5%。

將本發明之液晶組成物之黏度保持在低值、反應速度為快速的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。此外，將本發明之液晶組成物之Tni保持在高值，而殘影之發生難的液晶組成物有必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。又，為了將驅動電壓保持在低值而欲變大介電各向異性時，將上述之下限值作成高值，將上限值作成高值為較佳。

再者，通式(IX-2-5)所表示的化合物係式(34.1)至式(34.5)所表示的化合物為較佳，式(34.1)、式(34.2)、式(34.3)及/或式(34.5)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(IX)所表示的化合物係通式(IX-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，X⁹¹ 及X⁹² 各自獨立表示為氫原子或氟原子，Y⁹ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ )。

再者，通式(IX-3)所表示的化合物係通式(IX-3-1)所表示的化合物為較佳。

通式(IX-3-1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係3質量%以上為較佳，7質量%以上為更佳，13質量%以上為更佳，15質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於30質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳，18%以下為更佳，低於10質量%為特佳。

再者，通式(IX-3-1)所表示的化合物係式(35.1)至式(35.4)所表示的化合物為較佳，式(35.1)及/或式(35.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係通式(X)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰¹ 至X¹⁰⁴ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁰ 表示氟原子、氯原子、-OCF₃ ，Q¹⁰ 表示單鍵或-CF₂ O-，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A¹⁰¹ 及A¹⁰² 各自獨立表示為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、或 1,4-伸苯基上之氫原子可經氟原子取代。惟，通式(i)所表示的化合物及通式(ii)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而於實施形態使適宜組合。例如，本發明之一個之實施形態為1種。又，本發明之其他實施形態為2種類。又其他之實施形態為3種類。此外又其他之實施形態為4種類。此外又其他之實施形態為5種類以上。

通式(X)所表示的化合物之含量係考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值及下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為2%、其他之實施形態為3%、又其他之實施形態為6%、再又其他之實施形態為8%、再又其他之實施形態為9%、再又其他之實施形態為11%、再又其他之實施形態為12%。再又其他之實施形態為18%。再又其他之實施形態為19%。再又其他之實施形態為23%。再又其他之實施形態為25%。又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為45%、其他之實施形態為35%、再其他實施形態為30%、又再其他實施形態為25%、又再其他實施形態為20%、又再其他實施形態為13%、又再其他實施形態為9%、又再其他實施形態為6%、又再其他實施形態為3%。

將本發明之液晶組成物之黏度保持在低值、反應速度為快速的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。此外，殘像之發生難的液晶組成物為必要的情形，將上述之下限值作成低值、將上限值作成低值為較佳。又，為了將驅動電壓保持在低值而欲變大介電各向異性時，將上述之下限值作成高值，將上限值作成高值為較佳。

本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係通式(X-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰¹ 至X¹⁰³ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基；惟，通式(i)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而於各實施形態使適宜組合。例如，本發明之一個之實施形態為1種。又，本發明之其他實施形態為2種類。又其他之實施形態為3種類。此外又其他之實施形態為4種類。此外又其他之實施形態為5種類以上。

通式(X-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值及下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為2%、其他之實施形態為3%、又其他之實施形態為5%、再又其他之實施形態為6%、再又其他之實施形態為7%、再又其他之實施形態為8%、再又其他之實施形態為9%。再又其他之實施形態為13%。再又其他之實施形態為18%。再又其他之實施形態為23%。

又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為40%、其他之實施形態為30%、再其他實施形態為25%、又再其他實施形態為20%、又再其他實施形態為15%、又再其他實施形態為10%、又再其他實施形態為6%、又再其他實施形態為4%、又再其他實施形態為2%。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-1)所表示的化合物係通式(X-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而於各實施形態使適宜組合。例如，本發明之一個之實施形態為1種。又，本發明之其他實施形態為2種類。又其他之實施形態為3種類。此外又其他之實施形態為4種類以上。

通式(X-1-1)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值及下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為3%、其他之實施形態為4%、又其他之實施形態為6%、再又其他之實施形態為9%、再又其他之實施形態為12%、再又其他之實施形態為15%、再又其他之實施形態為18%。再又其他之實施形態為21%。

又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為30%、其他之實施形態為20%、再其他實施形態為13%、又再其他實施形態為10%、又再其他實施形態為7%、又再其他實施形態為3%。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-1-1)所表示的化合物，具體而言係式(36.1)至式(36.4)所表示的化合物為較佳，其中以含有式(36.1)及/或式(36.2)所表示的化合物為較佳。

本發明之液晶組成物所使用的通式(X)所表示的化合物係通式(X-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰² 至X¹⁰³ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁰ 表示氟原子、氯原子、-OCF₃ ，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基；惟，通式(i)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至2種類以上組合為較佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-2)所表示的化合物係通式(X-2-1)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至2種類以上組合為較佳，1種至3種類以上組合為更佳。

相對於本發明之液晶組成物之總量，通式(X-2-1)所表示的化合物之含量係3質量%以上為較佳，6質量%以上為更佳，9質量%以上為又更佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於20質量%以下為較佳，16質量%以下為更佳，12質量%以下為更佳，10質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-2-1)所表示的化合物，具體而言，係式(39.1)至式(39.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(39.1)或式(39.2)所表示的化合物為較佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-2)所表示的化合物係通式(X-2-2)所表示的化合物為較佳。

通式(X-2-2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係3質量%以上為較佳，6質量%以上為更佳，9質量%以上為又更佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於20質量%以下為較佳，16質量%以下為更佳，12質量%以下為更佳，10質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-2-2)所表示的化合物，具體而言，式(40.1)至式(40.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(40.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係通式(X-3)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰² 至X¹⁰³ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基；惟，通式(i)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至2 種類以上組合為較佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係通式(X-4)所表示的化合物為較佳。

(式中，X¹⁰² 表示氟原子或氫原子，R¹⁰ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至2種類以上組合為較佳，使1種至3種類以上組合為更佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-4)所表示的化合物係通式(X-4-1)所表示的化合物為較佳。

通式(X-4-1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係2質量%以上為較佳，4質量%以上為更佳，6質量%以上為又更佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於20質量%以下為較佳，17質量%以下為更佳，15質量%以下為更佳，13質量%以下為更佳，10質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-4-1)所表示的化合物，具體而言，係式(42.1)至式(42.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(42.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係通式(X-5)所表示的化合物為較佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-5)所表示的化合物係通式(X-5-1)所表示的化合物為較佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-5-1)所表示的化合物，具體而言，係式(43.1)至式(43.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(43.2)所表示的化合物為較佳。

本發明之液晶組成物所使用的通式(X)所表示的化合物係通式(X-6)所表示的化合物為較佳。

通式(X-6)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值與下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為4%、其他之實施形態為5%、又其他之實施形態為6%、再又其他之實施形態為8%、再又其他之實施形態為9%、再又其他之實施形態為11%、再又其他之實施形態為14%。再又其他之實施形態為18%。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(X-6)所表示的化合物，具體而言，係式(44.1)至式(44.4)所表示的化合物為較佳，其中以含有式(44.1)及/或式(44.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(L)所表示的化合物或通式(X)所表示的化合物係選自通式(XI)所表示的群的化合物為較佳。

(式中，X¹¹¹ 至X¹¹⁷ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，X¹¹¹ 至X¹¹⁷ 之至少一者表示氟原子，R¹¹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y¹¹ 表示氟原子或-OCF₃ ；惟，通式(ii)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至3種類以上組合為較佳。

通式(XI)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值與下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為2%、其他之實施形態為4%、又其他之實施形態為5%、再又其他之實施形態為7%、再又其他之實施形態為9%、再又其他之實施形態為10%、再又其他之實施形態為12%。再又其他之實施形態為13%。再又其他之實施形態為15%。再又其他之實施形態為18%。

又，含量上限值，例如，本發明之一個之實施形態為30%、其他之實施形態為25%、再其他實施形態為20%、又再其他實施形態為15%、又再其他實施形態為10%、又再其他實施形態為5%。

本發明之液晶組成物係使用於晶胞間隙小的液晶顯示元件的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。使用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又，於低溫環境所使用的液晶顯示元件用所使用的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。使用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XI)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

再者，通式(L)所表示的化合物或通式(X)所表示的化合物係選自通式(XII)所表示的群組的化合物為較佳。

(式中，X¹²¹ 至X¹²⁶ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹² 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y¹² 表示氟原子或-OCF₃ )。

可組合的化合物並未特別限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使1種至3種類以上組合為較佳，使1種至4種類以上組合為更佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(XII)所表示的化合物係通式(XII-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹² 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

通式(XII-1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，2質量%以上為更佳，3質量%以上為更佳，4質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於15質量%以下為較佳，10質量%以下為更佳，8質量%以下為更佳，6質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(XII-1)所表示的化合物，具體而言，係式(46.1)至式(46.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(46.2)至式(46.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(XII)所表示的化合物係通式(XII-2)所表示的化合物為較佳。

通式(XII-2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，3質量%以上為更佳，4質量%以上為更佳，6質量%以上為更佳，9質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於20質量%以下為較佳，17質量%以下為更佳，15質量%以下為更佳，13質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物所使用的通式(XII-2)所表示的化合物，具體而言，式(47.1)至式(47.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(47.2)至式(47.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係選自通式(XIII)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，X¹³¹ 至X¹³⁵ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，R¹³ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y¹³ 表示氟原子或-OCF₃ ；惟，通式(i)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類並未特別限制，但含有來自此等之化合物之中1種~2種類為較佳，含有1種~3種類為更佳，含有1種~4種類為更佳。

通式(XIII)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值與下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為2%、其他之實施形態為4%、又其他之實施形態為5%、再又其他之實施形態為7%、再又其他之實施形態為9%、再又其他之實施形態為11%、再又其他之實施形態為13%。再又其他之實施形態為14%。再又其他之實施形態為16%。再又其他之實施形態為20%。

本發明之液晶組成物係用於晶胞間隙小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。使用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又，用於低溫環境所使用的液晶顯示元件的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIII)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

再者，通式(XIII)所表示的化合物係通式(XIII-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹³ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)。

相對於本發明之液晶組成物之總量，含有1質量%以上通式(XIII-1)所表示的化合物為較佳，含有3質量%以上為更佳，含有5質量%以上為更佳，含有10質量%以上為特佳。又，就可最大地含有的比率而言，25質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳，15質量%以下為又更佳。

再者，通式(XIII-1)所表示的化合物係式(48.1)式(48.4)所表示的化合物為較佳，式(48.2)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係選自通式(XIV)所表示的化合物群的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹⁴¹ 至X¹⁴⁴ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁴ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ ，Q¹⁴ 表示單鍵、-COO-或-CF₂ O-，m¹⁴ 為0或1；惟通式(i)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而使於各實施形態適宜組合。例如，本發明之一個之實施形態為1種。又，本發明之其他實施形態為2種類。或者、本發明之又其他之實施形態為3種類。又，本發明之又其他之實施形態為4種類。或者、本發明之又其他之實施形態為5種類。或者、本發明之又其他之實施形態為6種類以上。

通式(XIV)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值與下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為3%、其他之實施形態為7%、又其他之實施形態為8%、再又其他之實施形態為11%、再又其他之實施形態為12%、再又其他之實施形態為16%、再又其他之實施形態為18%。再又其他之實施形態為19%。再又其他之實施形態為22%。再又其他之實施形態為25%。

又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為40%、其他之實施形態為35%、再其他實施形態為30%、又再其他實施形態為25%、又再其他實施形態為20%、又再其他實施形態為15%。

本發明之液晶組成物係使用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIV)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIV)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

再者，通式(XIV)所表示的化合物係通式(XIV-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴ 表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基，Y¹⁴ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ )。

再者，通式(XIV-1)所表示的化合物係通式(XIV-1-1)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴ 表示碳原子數1~7之烷基、碳原子數2~7之烯基或碳原子數1~7之烷氧基)。

通式(XIV-1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係2質量%以上為較佳，4質量%以上為更佳，7質量%以上為更佳，10質量%以上為更佳，18質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於30質量%以下為較佳，27質量%以下為更佳，24質量%以下為更佳，低於21質量%為特佳。

再者，通式(XIV-1-1)所表示的化合物，具體而言，係式(51.1)至式(51.4)所表示的化合物為較佳，含有式(51.1)所表示的化合物者為更佳。

又，通式(XIV)所表示的化合物係通式(XIV-1-2)所表示的化合物為較佳。

通式(XIV-1-2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，3質量%以上為更佳，5質量%以上為更佳，7質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於15質量%以下為較佳，13質量%以下為更佳，11質量%以下為更佳，低於9質量%為特佳。

再者，通式(XIV-1-2)所表示的化合物，具體而言，係式(52.1)至式(52.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(52.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(XIV)所表示的化合物係通式(XIV-2)所表示的化合物為較佳。

(式中，R¹⁴ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X¹⁴¹ 至X¹⁴⁴ 各自獨立表示為氟原子或氫原子，Y¹⁴ 表示氟原子、氯原子或-OCF₃ ；惟，通式(i)所表示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而於各實施形態適宜組合。例如，本發明之一個之實施形態為1種。又，本發明之其他實施形態為2種類。或者，本發明之又其他之實施形態為3種類。又，本發明之又其他之實施形態為4種類。或者，本發明之又其他之實施形態為5種類以上。

通式(XIV-2)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值與下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為3%、其他之實施形態為7%、又其他之實施形態為8%、再又其他之實施形態為10%、再又其他之實施形態為11%、再又其他之實施形態為12%、再又其他之實施形態為18%。再又其他之實施形態為19%。再又其他之實施形態為21%。再又其他之實施形態為22%。

又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為40%、其他之實施形態為35%、再其他實施形態為 25%、又再其他實施形態為20%、又再其他實施形態為15%、又再其他實施形態為10%。

本發明之液晶組成物係用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIV-2)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIV-2)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-1)所表示的化合物為較佳。

通式(XIV-2-1)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，3質量%以上為更佳，5質量%以上為更佳，7質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於15質量%以下為較佳，13質量%以下為更佳，11質量%以下為更佳，低於9質量%為特佳。

再者，通式(XIV-2-1)所表示的化合物，具體而言，係式(53.1)至式(53.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(53.4)所表示的化合物者為較佳。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-2)所表示的化合物為較佳。

通式(XIV-2-2)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係3質量%以上為較佳，6質量%以上為更佳，9質量%以上為更佳，12質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於20質量%以下為較佳，17質量%以下為更佳，15質量%以下為更佳，14質量%以下為特佳。

再者，通式(XIV-2-2)所表示的化合物，具體而言，係式(54.1)式(54.4)所表示的化合物為較佳，其中以含有式(54.2)及/或式(54.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-3) 所表示的化合物為較佳。

通式(XIV-2-3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係5質量%以上為較佳，9質量%以上為更佳，12質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於30質量%以下為較佳，低於27質量%為更佳，24質量%以下為更佳，低於20質量%為特佳。

再者，通式(XIV-2-3)所表示的化合物，具體而言，式(55.1)至式(55.4)所表示的化合物為較佳，其中以含有式(55.2)及/或式(55.4)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係通式(XIV-2-4)所表示的化合物為較佳。

可組合的化合物之種類並無限制，但考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等而於各實施形態使適宜組合。例如，本發明之一個之實施形態為1種。又，本發明之其他實施形態為2種類。或者、本發明之又其他之實施形態為3種類以上。

通式(XIV-2-4)所表示的化合物之含量，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性、複折射率等之特性而於各實施形態有上限值及下限值。含量之下限值，例如，相對於本發明之液晶組成物之總量，本發明之一個之實施形態為2%、其他之實施形態為5%、又其他之實施形態為8%、再又其他之實施形態為9%、再又其他之實施形態為10%、再又其他之實施形態為18%、再又其他之實施形態為21%。再又其他之實施形態為22%。再又其他之實施形態為24%。

又，含量之上限值，例如，本發明之一個之實施形態為35%、其他之實施形態為30%、再其他實施形態為25%、又再其他實施形態為20%、又再其他實施形態為15%、又再其他實施形態為10%。

本發明之液晶組成物於使用於驅動電壓小的液晶顯示元件的情形，將通式(XIV-2-4)所表示的化合物之含量作成多者為適合的。又用於反應速度快速的液晶顯示元件的液晶組成物的情形，將通式(XIV-2-4)所表示的化合物之含量作成少者為適合的。

再者，通式(XIV-2-4)所表示的化合物，具體而言，係式(56.1)至式(56.4)所表示的化合物為較佳，其中含有式(56.1)、式(56.2)及式(56.4)所表示的化合物者為較佳。

再者，通式(XIV)所表示的化合物係通式(XIV-3)所表示的化合物為較佳。

通式(XIV-1-3)所表示的化合物之含量，相對於本發明之液晶組成物之總量，係1質量%以上為較佳，3質量%以上為更佳，5質量%以上為更佳，7質量%以上為特佳。又，考慮低溫之溶解性、轉移溫度、電氣的信賴性等而將最大比率限於15質量%以下為較佳，13質量%以下為更佳，11質量%以下為更佳，低於9質量%為特佳。

再者，通式(XIV-1-3)所表示的化合物，具體而言，係式(60.1)至式(60.6)所表示的化合物為較佳，其中含有式(60.1)所表示的化合物者為較佳。

本案發明所使用的化合物，係分子內不具有過酸(-CO-OO-)構造。又，重視液晶組成物之信賴性及長期安定性的情形，不使用具有羰基的化合物為較佳。又，重視經UV照射的安定性的情形，不使用氯原子為取代的化合物者所欲的。僅分子內之環構造全為6員環的化合物者亦較佳。

本發明之液晶組成物，為了製作PS模式、橫向電場型PSA模式或橫向電場型PSVA模式等之液晶顯示元件，可含有聚合性化合物。就可使用的聚合性化合物而言，可舉例藉由光等之能量線而聚合進行的光聚合性單體等，就構造而言，例如，聯苯基衍生物、聯三苯基(terphenyl)衍生物等之具有六員環為複數鍵連的液晶骨架的聚合性化合物等。更具體而言，通式(XX)所表示的二官能單體為較佳， (式中，X²⁰¹ 及X²⁰² 各自獨立表示為氫原子或甲基，Sp²⁰¹ 及Sp²⁰² 各自獨立表示為單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂ )_s -(式中，s表示2至7之整數，氧原子成為與芳香環鍵結者)；Z²⁰¹ 表示-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH₂ CH₂ -、-OCO-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -COO-、-CH₂ CH₂ -OCO-、-COO-CH₂ -、-OCO-CH₂ -、-CH₂ -COO-、-CH₂ -OCO-、-CY¹ =CY² -(式中，Y¹ 及Y² 各自獨立表示為氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵； M²⁰¹ 表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中之全部之1,4-伸苯基係任意之氫原子可經氟原子取代)。

X²⁰¹ 及X²⁰² 係任一者皆表示氫原子的二丙烯酸酯衍生物，任一者具有甲基的二甲基丙烯酸酯的衍生物之任一者為較佳，一方表示氫原子而另一方表示甲基的化合物亦較佳。此等之化合物之聚合速度係二丙烯酸酯衍生物為最快，二甲基丙烯酸酯衍生物為慢、非對稱化合物為中間值，由其用途可使用較佳態樣。於PSA顯示元件，二甲基丙烯酸酯衍生物為特佳。

Sp²⁰¹ 及Sp²⁰² 各自獨立表示為單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂ )_s -，但於PSA顯示元件，至少一者為單鍵為較佳，同時表示單鍵的化合物或一方為單鍵而另一方表示為碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂ )_s -的態樣為較佳。此情形以1~4之烷基為較佳，s係1~4為較佳。

Z²⁰¹ 係-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-CF₂ CF₂ -或單鍵為較佳，-COO-、-OCO-或單鍵為更佳，單鍵為特佳。

M²⁰¹ 係表示任意之氫原子可經氟原子取代的1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，但1,4-伸苯基或單鍵為較佳。C表示單鍵以外的環構造的情形，Z²⁰¹ 係單鍵以外的連結基亦較佳，M²⁰¹ 係單鍵的情形，Z²⁰¹ 係單鍵為較佳。

由此等之觀點，於通式(XX)，Sp²⁰¹ 及Sp²⁰² 之間的環構造，具體而言，如以下記載的構造為較佳。

於通式(XX)，M²⁰¹ 表示單鍵，環構造以二個環所形成的情形，表示如下之式(XXa-1)至式(XXa-5)為較佳，表示式(XXa-1)至式(XXa-3)為更佳，表示式(XXa-1)為特佳。

(式中，兩端係成為與Sp²⁰¹ 或Sp²⁰² 鍵結者)。

包含此等骨架的聚合性化合物係最適合聚合後的配向規制力為PSA型的液晶顯示元件，由於可獲得良好的配向狀態，顯示不均會被抑制、或完全不會發生。

由以上的內容，就聚合性單體而言，通式(XX-1)~通式(XX-4)為特佳，其中以通式(XX-2)為最佳。

(式中，Sp²⁰ 表示碳原子數2至5之伸烷基)。

於本發明之液晶組成物中添加單體的情形，即使聚合起始劑不存在的情形，聚合亦會進行，但為了促進聚合，亦可含有聚合起始劑。就聚合起始劑而言，可舉例苯偶姻醚(benzoin ether)類、二苯甲酮(benzophenone)類、苯乙酮(acetophenone)類、二苯甲醯縮酮(benzil ketal)類、醯基膦氧化物(acylphosphine oxide)類等。

本發明中的液晶組成物又可含有通式(Q)所表示的化合物。

(式中，R^Q 表示碳原子數1至22之直鏈烷基或分枝鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上之CH₂ 基係可以氧原子並非直接鄰接的方式而經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -取代，M^Q 表示反式-1,4-伸環烷己基、1,4-伸苯基或單鍵)。

R^Q 表示碳原子數1至22之直鏈烷基或分枝鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上之CH₂ 基係可以氧原子並非直接鄰接的方式而經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO- 、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -取代，但碳原子數1至10之直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個之CH₂ 基被取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、分枝鏈烷基、分枝烷氧基、1個之CH₂ 基被取代為-OCO-或-COO-的分枝鏈烷基為較佳，碳原子數1至20之直鏈烷基、1個之CH₂ 基被取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、分枝鏈烷基、分枝烷氧基、1個之CH₂ 基被取代為-OCO-或-COO-的分枝鏈烷基為更佳。M^Q 表示反式-1,4-伸環烷己基、1,4-伸苯基或單鍵，但反式-1,4-伸環烷己基或1,4-伸苯基為較佳。

通式(Q)所表示的化合物，更具體而言，係下述之通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物為較佳。

式中，R^Q1 係碳原子數1至10之直鏈烷基或分枝鏈烷基為較佳，R^Q2 係碳原子數1至20之直鏈烷基或分枝鏈烷基為較佳，R^Q3 係碳原子數1至8之直鏈烷基、分枝鏈烷基、直鏈烷氧基或分枝鏈烷氧基為較佳，L^Q 係碳原子數1至8之直鏈伸烷基或分枝鏈伸烷基為較佳。通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物中，通式(Q-c)及通式(Q-d)所表示的化合物為更佳。

於本案發明之液晶組成物，含有1種或2種之通式(Q)所表示的化合物為較佳，含有1種至5種為更佳，其含量係0.001至1質量%為較佳，0.001至0.1質量%為更佳，0.001至0.05質量%為特佳。

本發明之含有聚合性化合物的液晶組成物係用於藉由其所含的聚合性化合物經紫外線照射來聚合而賦與液晶配向能力，且利用液晶組成物之雙折射(birefringence)而控制光之透射光量的液晶顯示元件。有用於為液晶顯示元件之AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列型液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭轉向列型液晶顯示元件)、OCB-LCD及IPS-LCD(平面轉換(In Plane Switching)液晶顯示元件)，但特別有用於AM-LCD，可使用於透過型或者反射型之液晶顯示元件。

液晶顯示元件所使用的液晶胞的2片基板可使用玻璃或如塑膠之具有柔軟性的透明材料，一方面也可以為矽等之不透明的材料。具有透明電極層的透明基板係例如，藉由於玻璃板等之透明基板上噴濺氧化銦錫(ITO)而可獲得。

彩色濾光片可藉由例如，顏料分散法、印刷法、電沉積法或染色法等而作成。以由顏料分散法之彩色濾光片的作成方法作為一例來說明時，將彩色濾光片用之硬化性著色組成物塗布於該透明基板上，圖案成形處理，而且藉由加熱或光照射而使硬化。此步驟於紅、綠、藍之3色各別進行時，可作成彩色濾光片用之畫素部。此外，於該基板上，亦可設置設有TFT、薄膜二極體、金屬絕緣體金屬比電阻元件等之主動元件的畫素電極。

將前述基板使透明電極層成為內側的方式而為對向。此時，介隔間隔物，亦可調整基板之間隔。此時，調整所獲得的調光層之厚度成為1~100μm的方式為較佳。1.5至10μm為更佳，使用偏光板的情形，使對比成為最大來調整液晶之折射率各向異性△n與液晶胞厚度d之積者為較佳。又，有二片偏光板的情形，調整各偏光板之偏光軸亦可使視野角或對比成為良好的方式來調整。再者，亦可使用為了擴大視野角的位相差膜。就間隔物而言，例如，可舉例包含玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等的柱狀間隔物等。之後，將環氧系熱硬化性組成物等之密封劑，以設有液晶注入口的形狀，於該基板上加以網版印刷，使該基板彼此貼合，加熱而使密封劑熱硬化。

於2片基板間包夾含有聚合性化合物的液晶組成物的方法係可使用通常之真空注入法或ODF法等，但於真空注入法雖不會發生滴注痕跡，但有注入的痕跡會殘留的課題，於本案發明，可較佳使用於使用ODF法來製造的顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造程序，於背板(backplane)或前板(frontplane)任一者之基板，將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑，使用分配器(dispenser) 而以閉迴路擋土狀地描繪，其中於脫氣下滴下所定量之液晶組成物後，藉由接合前板與背板，可製造液晶顯示元件。本發明之液晶組成物因於ODF步驟中的液晶組成物的滴下為安定地進行，可較佳地使用。

就使聚合性化合物聚合的方法而言，為了獲得液晶之良好配向性能，適度的聚合速度為所欲的緣故，藉由單一或併用或依序照射紫外線或電子線等之活性能量線而使聚合的方法為較佳。使用紫外線的情形，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，含有聚合性化合物液晶組成物使胞使包夾於2片基板間的狀態下進行聚合的情形，至少照射面側的基板必須對活性能量線為適當透明性被賦與的。又，光照射時使用光罩而使僅特定部分聚合後，藉由使電場或磁場或溫度等之條件變化，而使未聚合部分的配向狀態變化，進一步亦可使用所謂照射活性能量線而使聚合的手段。尤其，紫外線曝光之際，於含有聚合性化合物之液晶組成物一邊施加交流電場一邊進行紫外線曝光為較佳。施加的交流電場係頻率數10Hz至10kHz之交流為較佳，頻率數60Hz至10kHz為更佳，電壓係依據液晶顯示元件之所欲預傾角(pre-tilt angle)來選取。即，可藉由施加的電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA模式之液晶顯示元件，由配向安定性及對比的觀點，將預傾角控制在80度至89.9度為較佳。

照射時溫度係於本發明之液晶組成物之液晶狀態被保持的溫度範圍內為較佳。於接近室溫的溫度，即，典型地為15~35℃之溫度下使聚合者為較佳。就使紫外線發生的燈而言，可使用金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，就照射的紫外線之波長而言，照射照非射液晶組成物之吸收波長域的波長領域的紫外線為較佳，因應必要，切斷紫外線來使用為較佳。照射的紫外線之強度係0.1mW/cm² ~100W/cm² 為較佳，2mW/cm² ~50W/cm² 為更佳。照射的紫外線之能量量可適宜調整，但10mJ/cm² 至500J/cm² 為較佳，100mJ/cm² 至200J/cm² 為更佳。照射紫外線之際，可使強度變化。照射紫外線的時間可依照射的紫外線強度來適宜選擇，但10秒至3600秒為較佳，10秒至600秒為更佳。

使用本發明之液晶組成物的液晶顯示元件係有用於使高速反應與顯示不良的抑制兼具者，尤其，有用於主動矩陣驅動用液晶顯示元件，且可適用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS模式、FFS模式或ECB模式用液晶顯示元件。

以下，一邊參照圖面一邊詳細說明本發明之液晶顯示裝置之較佳實施形態。

第1圖係呈現具備彼此對向的二個基板、設於前述基板間之密封材、及封入前述密封材所包圍的密封區域的液晶的液晶顯示元件的剖面圖。

具體而言，呈現於第1基板100上設置TFT層102、畫素電極103，自其上設置設有鈍化膜(passivation film)104及第1配向膜105的背板，於第2基板200上設置黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜(外套層(overcoat layer))201、透明電極204，自其上設有第2配向膜205、與前述背板對向的前板、設於前述基板間的密封材301、被封入前述密封材所包圍的密封區域的液晶層303，且前述密封材301所鄰接的基板面設有突起(柱狀間隔物)302、304的液晶顯示元件之具體的態樣。

前述第1基板或前述第2基板只要為實質上透明者即可，材質並未特別限制，可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。就塑膠基板而言，可使用纖維素、三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素等之纖維素衍生物、聚環烯烴衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯、聚丙烯、聚乙烯等之聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯化乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺纖胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚碸、聚芳酯化合物，又可使用玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等之無機-有機複合材料等。

又使用塑膠基板之際，設有障壁膜者為較佳。障壁膜之機能有使塑膠基板所具有的透濕性降低，並提升液晶顯示元件之電氣特性之信賴性。就障壁膜而言，各自為透明性高且水蒸氣透過性小者即可，並未特別限定，一般而言，使用氧化矽等之無機材料而藉由蒸著或噴濺、化學蒸氣沉積法(CVD法)所形成的薄膜。

於本發明，可使用與前述第1基板或前述第2基板相同素材者，亦可使用相異素材，並未特別限定。若使用玻璃基板，可製作耐熱性或尺寸安定性優異的液晶顯示元件而為較佳。又若為塑膠基板，適合經由卷對卷法 (roll-to-roll process)的製造方法且適合輕量化或者柔性化而為較佳。又，若以平坦性及耐熱性的賦與為目的，組合塑膠基板與玻璃基板時可獲得良好的結果。

又於後述之實施例，使用呈第1基板100或第2基板200之材質的基板。

背板係於第1基板100上設有TFT層102及畫素電極103。此等係以通常之陣列步驟被製造。於其上設有鈍化膜104及第1配向膜105而獲得背板。

鈍化膜104(亦稱為無機保護膜)係為用以保護TFT層的膜，通常藉由化學氣相成長(CVD)技術等而形成氮化膜(SiNx)、氧化膜(SiOx)等。

又，第1配向膜105係具有使液晶配向的機能的膜，大多使用如通常聚醯亞胺的高分子材料。塗布液係可使用包含高分子材料及溶劑的配向劑溶液。配向膜因有抑制與密封材之接著力的可能性，而圖案塗布於密封區域內。塗布係使用柔版印刷法之類的印刷法、噴墨之類的液滴吐出法。經塗布的配向劑溶液係藉由暫時乾燥而溶劑蒸發後，經烘烤而使交聯硬化。之後，為了作出配向機能而進行配向處理。

配向處理係以通常摩擦法來進行。將如前述所形成的高分子膜上，使用如嫘縈的纖維而成的平磨用布而於一方向上摩擦而液晶配向能力會產生。

又，亦有使用光配向法者。光配向法係於含具有光感受性的有機材料的配向膜上照射偏光，而使配向能力發生的方法，由於摩擦法所致的基板損傷或塵埃的發生不會產生。就光配向法中的有機材料之例而言，有含有二色性染料的材料。就二色性染料而言，可使用具有起因於光二色性的Weigert效果所致的分子配向誘發或異性化反應(例：偶氮苯基)、二聚物化反應(例：桂皮醯基)、光交聯反應(例：二苯甲酮基)、或者光分解反應(例：聚醯亞胺基)之類的產生成為液晶配向能力起源的光反應的基(以下，略稱為光配向性基)。經塗布的配向劑溶液係藉由暫時乾燥而溶劑被蒸發後，照射具有任意偏向的光(偏光)下，可獲得於任意方向具有配向能力的配向膜。

一面之前板係於第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。

黑色矩陣202係以例如，顏料分散法來製作。具體而言，於設有障壁膜201的第2基板200上，塗布使黑色矩陣形成用黑色之著色劑均一分散的彩色樹脂液，而形成著色層。接著，烘烤著色層而硬化。於其上塗布光阻，將其預烘烤。於光阻通過光罩圖案而曝光後，進行顯影而圖案成形著色層。之後，剝離光阻，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。

或者，亦可使用光阻型之顏料分散液。於此情形，塗布光阻型之顏料分散液，預烘烤後，通過光罩圖案而曝光後，進行顯影而圖案成形著色層。之後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。

彩色濾光片203係以顏料分散法、電沉積法、印刷法或者染色法等作成。以顏料分散法為例時，將使顏料(例如紅色顏料)均一分散的彩色樹脂液塗布於第2基板200上，烘烤硬化後，該上面塗布光阻並加以預烘烤。以光阻通過光罩圖案而曝光後，進行顯影，而圖案成形。之後剝離光阻層，再度烘烤而完成(紅色之)彩色濾光片203(203a)。作成的顏色順序並未特別限定。同樣地，形成綠色濾光片203(203b)、藍色濾光片203(203c)。

透明電極204係於前述彩色濾光片203上(因應必要，為了表面平坦化，於前述彩色濾光片203上設有外套層(201))。透明電極204係透光率高者為較佳，電氣電阻小者為較佳。透明電極204係藉由噴濺法形成ITO等之氧化膜。

又，以保護前述透明電極204為目的，亦有於透明電極204之上設有鈍化膜的情形。

第2配向膜205係為與前述之第1配向膜105相同者。

以上雖陳述本發明所使用的前述背板及前述前板之具體態樣，但本案並未限於該具體態樣，因應所欲液晶顯示元件的態樣之變更為自由的。

前述柱狀間隔物形狀並未特別限定，此水平剖面可作成圓形、四角形等之多角形等各式各樣形狀，但考慮步驟時之排列不當邊際(misaligned margin)，將水平剖面作成圓形或正多角形者為特佳。又該突起形狀係圓錐台或角錐台為較佳。

前述柱狀間隔物之材質只要為密封材或不會溶解於密封材所使用的有機溶劑或者液晶的材質即可，並未特別限定，但由加工及輕量化的面向來看，合成樹脂(硬化性樹脂)為較佳。另一方面，前述突起係可能藉由照相凹版印刷的方法或溶液滴吐出法而設置於第一基板上之密封材所鄰接的面上。由如此理由，使用適合藉由照相凹版印刷的方法或溶液滴吐出法的光硬化性樹脂者為較佳。

以藉由照相凹版印刷法獲得前述柱狀間隔物的情形作為一例加以說明。第2圖係使用於作為光罩圖案之黑色矩陣上形成的柱狀間隔物作成用圖案的曝光處理步驟的圖。

於前述前板之透明電極204上，塗布柱狀間隔物形成用之(不含著色劑)樹脂液。接著，烘烤此樹脂層402而加以硬化。於其上塗布光阻，將其預烘烤。於光阻通過光罩圖案401而曝光後，進行顯影而將樹脂層加以圖案成形。之後，剝離光阻層，烘烤樹脂層而完成柱狀間隔物(第1圖之302、0304)。

柱狀間隔物之形成位置係可依光罩圖案決定所欲位置。因此，可同時作成液晶顯示元件之密封區域內與密封區域外(密封材塗布部分)兩者。又柱狀間隔物係以不會降低密封區域的品質的方式，使形成位於黑色矩陣上者為較佳。如此藉由照相凹版印刷法所製作的柱狀間隔物有時稱為柱間隔物或光間隔物。

前述間隔物之材質係使用PVA-芪偶氮(stilbazo)感光性樹脂等之負型水溶性樹脂或多官能丙烯酸系單體、丙烯酸共聚物、三唑系起始劑等之混合物。或者亦有使用使著色劑分散於聚醯亞胺樹脂的彩色樹脂的方法。於本發明並未特別限定，可依據與使用的液晶或密封材之相性而以周知材質來獲得間隔物。

如此，於前板上之成為密封區域的面上設置柱狀間隔物後，於該背板之密封材所鄰接的面上塗布密封材(第1圖中的301)。

密封材之材質並未特別限定，可使用於環氧系或丙烯酸系之光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性之樹脂中添加聚合起始劑的硬化性樹脂組成物。又，為了控制透濕性或彈性率、黏度等，有時添加由無機物或有機物而成的填充劑類。此等填充劑類之形狀並未特別限定，有球形、纖維狀、無定形等。此外，為了良好地控制晶胞間隙，可混合具有單分散徑的球形或纖維狀之間隔材，為了更強化與基板之接著力，亦可混合容易與基板上突起纏繞的纖維狀物質。此時使用的纖維狀物質之直徑為晶胞間隙之1/5~1/10以下左右為所欲的，纖維狀物質之長度較密封塗布寬更短者為所欲的。

又，纖維狀物質之材質只要可獲得指定形狀者即可，並未特別限定，可適宜地選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等之合成纖維或玻璃、碳等之無機材料。

就塗布密封材的方法而言，有印刷法或分配法，但以密封材之使用量為少的分配法為較佳。密封材塗布位置係以對密封區域無不良影響的方式，通常作成於黑色矩陣上。為了形成下一步驟之液晶滴下區域(以液晶不會漏的方式)，密封材塗布形狀係作成封閉迴路形狀。

於塗布前述密封材的前板之閉迴路形狀(密封區域)中滴入液晶。通常使用分配器。滴下的液晶量為了使與液晶胞容積一致，將與柱狀間隔物之高度和密封塗布面積之乘積的體積為同量作為基本。然而，為了於液晶胞貼合的步驟中的液晶滲漏或顯示特性的最適化，可適宜調整滴下的液晶量，亦或使液晶滴下位置分散。

其次，於塗布前述密封材並滴下液晶的前板，使與背板貼合。具體而言，於具有使如靜電夾具(electrostatic chuck)的基板吸附的機構的台上使前述前板與前述背板吸附，使前板之第2配向膜與背板之第1配向膜對向，配置於密封材與另一方的基板未鄰接的位置(距離)。以此狀態下將系統內減壓。減壓結束後，一邊確認前板與背板之貼合位置，一邊調整兩基板位置(校準操作)。貼合位置的調整結束時，使基板接近至前板上之密封材與背板鄰接的位置。於此狀態下於系統內填充不活性氣體，一邊緩緩地開放減壓一邊回到常壓。此時，藉由大氣壓使前板與背板貼合，並於柱狀間隔物之高度位置而使晶胞間隙形成。於此狀態下對密封材照射紫外線並藉由硬化密封材來形成液晶胞。之後，依場合加入加熱步驟，並促進密封材硬化。為了密封材之接著力強化或電氣特性信賴性之向上，一般會加上加熱步驟。

[實施例]

以下列舉實施例以進一步詳述本發明，但本發明並未限於此等之實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中的「%」意指『質量%』。

實施例中，測定的特性係如以下所示。

Tni：向列相-各向同性液體相轉移溫度(℃)

△n：295K中的折射率各向異性(別名：複折射率)

△ε：295K中的介電各向異性

η：295K中的黏度(mPa‧s)

γ1：295K中的回轉黏性(mPa‧s)

VHR：頻率數60Hz，施加電壓5V之條件下，313K中的電壓保持率(%)

殘像：液晶顯示元件之殘像評價係於顯示區域內使指定固定圖案顯示1440小時後，進行全畫面均一顯示時之固定圖案的殘像程度，以目視進行以下列4階段評價。

◎ 無殘像

○ 僅有些許殘像亦為可容許的程度

△ 有殘像且為無法容許的程度

× 有殘像且為極差

揮發性/製造裝置污染性：液晶材料之揮發性評價係藉由一邊以閃頻儀(stroboscope)照射真空攪拌脫泡混合器之運轉狀態，一邊觀察，藉由目視液晶材料之發泡來進行。具體而言，於容量2.0L之真空攪拌脫泡混合器之專用容器中投入0.8kg液晶組成物，並於4kPa之脫氣下，於公轉速度15S^-1 、自轉速度7.5S^-1 ，運轉真空攪拌脫泡混合器，經由至發泡開始的時間，以下列4階段進行評價。

◎ 至發泡為3分鐘以上。經由揮發而污染裝置的可能性低。

○ 至發泡為1分鐘以上且低於3分鐘。有經由揮發而輕微裝置污染的疑慮。

△ 至發泡為30秒以上且低於1分鐘。經由揮發而裝置污染會發生。

× 至發泡為30秒以內。有經揮發而有重大裝置污染的疑慮。

製程適合性：於ODF製程，使用定積計量泵，每1次各滴加40pL的液晶並進行100000次，接著以「0~200次、201~400次、401~600次、‧‧‧‧99801~100000次」之各200次滴加的液晶量的變化，以下列4階段評價製程適合性。

◎ 變化極小(可安定地製造液晶顯示元件)

○ 僅有些許變化亦為可容許的程度

△ 有變化且為無法容許的程度(由於斑發生而良率惡化)

× 有變化且極差(液晶滲漏或真空氣泡發生)

低溫之溶解性：調製液晶組成物後，於1mL之樣品瓶中秤量0.5g液晶組成物，其於溫度控制式試驗槽中，其次為繼續給予1循環「-20℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→-20℃」之溫度變化，目視觀察由液晶組成物之析出物之發生，以下列4階段評價進行低溫之溶解性評價。

◎ 600小時以上未觀察到析出物。

○ 300小時以上未觀察到析出物。

△ 150小時以內觀察到析出物。

× 75小時以內觀察到析出物。

(實施例1)

調製以下所示的組成物。實施例1之組成物之物性值示於表1。

(比較例1)

調製未含有前述通式(i)所表示的化合物之以下所示的組成物。比較例1之組成物之物性值示於表2。

未含有前述通式(i)所表示的化合物的比較例1之組成物，與含有前述通式(i)所表示的化合物的實施例1之組成物相比，呈現Tni降低。

(比較例2)

調製不含有前述通式(ii)所表示的化合物之以下所示的組成物。比較例2之組成物之物性值示於表3。

未含有前述通式(ii)所表示的化合物的比較例2之組成物，與含有前述通式(ii)所表示的化合物的實施例1之組成物相比，呈現△ε降低、黏度上升。

(比較例3)

調製不含有前述通式(i)所表示的化合物及前述通式(ii)所表示的化合物之以下所示的組成物。比較例3之組成物之物性值示於表4。

不含有前述通式(i)所表示的化合物及前述通式(ii)所表示的化合物的比較例3之組成物，與含有前述通式(i)所表示的化合物及前述通式(ii)所表示的化合物的實施例1之組成物相比，呈現雖然Tni上升，但△ε大幅降低。

(實施例2)

調製以下所示的組成物。實施例2之組成物之物性值示於表5。

(比較例4)

調製不含有前述通式(ii)所表示的化合物之以下所示的組成物。比較例4之組成物之物性值示於表6。

不含有前述通式(ii)所表示的化合物的比較例4之組成物，與含有前述通式(ii)所表示的化合物的實施例2之組成物相比，呈現△ε降低。

(比較例5)

調製不含有前述通式(i)所表示的化合物之以下所示的組成物。比較例5之組成物之物性值示於表7。

不含有前述通式(I)所表示的化合物的比較例5之組成物係調整為與含有前述通式(i)所表示的化合物的實施例2之組成物大約相同的△n，但呈現TNI及△ε降低。

(實施例3)

調製以下所示的組成物。實施例3之組成物之物性值示於表8。

(實施例4)

調製以下所示的組成物。實施例4之組成物之物性值示於表9。

(實施例5)

調製以下所示的組成物。實施例5之組成物之物性值示於表10。

(實施例6)

調製以下所示的組成物。實施例6之組成物之物性值示於表11。

(實施例7)

調製以下所示的組成物。實施例7之組成物之物性值示於表12。

(實施例8)

調製以下所示的組成物。實施例8之組成物之物性值示於表13。

(實施例9)

調製以下所示的組成物。實施例9之組成物之物性值示於表14。

(實施例10)

調製以下所示的組成物。實施例10之組成物之物性值示於表15。

(實施例11)

調製以下所示的組成物。實施例11之組成物之物性值示於表16。

(實施例12)

調製以下所示的組成物。實施例12之組成物之物性值示於表17。

(實施例13)

調製以下所示的組成物。實施例13之組成物之物性值示於表18。

(實施例14)

調製以下所示的組成物。實施例14之組成物之物性值示於表19。

(實施例15)

調製以下所示的組成物。實施例15之組成物之物性值示於表20。

(實施例16)

調製以下所示的組成物。實施例16之組成物之物性值示於表21。

(實施例17)

調製以下所示的組成物。實施例17之組成物之物性值示於表22。

(實施例18)

調製以下所示的組成物。實施例18之組成物之物性值示於表23。

(實施例19)

調製以下所示的組成物。實施例19之組成物之物性值示於表24。

(實施例20)

調製以下所示的組成物。實施例20之組成物之物性值示於表25。

(實施例21)

調製以下所示的組成物。實施例21之組成物之物性值示於表26。

(實施例22)

調製以下所示的組成物。實施例22之組成物之物性值示於表27。

(實施例23)

調製以下所示的組成物。實施例23之組成物之物性值示於表28。

(實施例24)

調製以下所示的組成物。實施例24之組成物之物性值示於表29。

(實施例25)

調製以下所示的組成物。實施例25之組成物之物性值示於表30。

(實施例26)

調製以下所示的組成物。實施例26之組成物之物性值示於表31。

(實施例27)

調製以下所示的組成物。實施例27之組成物之物性值示於表32。

(實施例28)

調製以下所示的組成物。實施例28之組成物之物性值示於表33。

(實施例29)

調製以下所示的組成物。實施例29之組成物之物性值示於表34。

(液晶顯示裝置之實施例)

使用實施例1~7、比較例1~5記載的液晶組成物，作成第1圖及第2圖所示構造之IPS型之液晶顯示裝置。此液晶顯示裝置具有優異的顯示特性(參照表35及表36)，保持歷經長期的安定顯示特性。

[產業上之可利用性]

可提供呈現△ε為正的液晶組成物值，且對熱或光為安定的組成物。

100‧‧‧第1基板

102‧‧‧TFT層

103‧‧‧畫素電極

104‧‧‧鈍化膜

105‧‧‧第1配向膜

200‧‧‧第2基板

201‧‧‧平坦化膜(外套層)

202‧‧‧黑色矩陣

203‧‧‧彩色濾光片

203a‧‧‧紅色濾光片

203b‧‧‧綠色濾光片

203c‧‧‧藍色濾光片

204‧‧‧透明電極

205‧‧‧第2配向膜

301‧‧‧密封材

302‧‧‧突起(柱狀間隔物)

303‧‧‧液晶層

304‧‧‧突起(柱狀間隔物)

401‧‧‧光罩圖案

402‧‧‧樹脂層

第1圖為本發明之液晶顯示元件之剖面圖。具備100~105的基板稱為「背板」；具備200~205的基板稱為「前板」。

第2圖為使用於作為光罩圖案之黑色矩陣上形成的柱狀間隔物作成用圖案的曝光處理步驟之圖。

Claims

一種液晶顯示元件用組成物，其含有1種或2種以上之下述通式(i)所表示的化合物，且含有1種或2種以上之下述通式(ii)所表示的化合物，其中，至少含有下述通式(i-1.10)所表示的化合物作為該通式(i)所表示的化合物，至少含有下述通式(ii.1)所表示的化合物作為該通式(ii)所表示的化合物，其更含有1種或2種以上之下述通式(IX-1-1)所表示的化合物、及2種以上之下述通式(I-1)所表示的化合物，相對於組成物之總量，含有2質量%以上40質量%以下之通式(i)所表示的化合物、3質量%以上30質量%以下之通式(ii)所表示的化合物、1質量%以上40質量%以下之通式(IX-1-1)所表示的化合物、40質量%以上之通式(I-1)所表示的化合物，至少含有下述通式(2.2)所表示的化合物作為該通式(I-1)所表示的化合物，且不含有具有存在於1,4-伸環己基中之未鄰接的2個以上之-CH₂ -可經-O-取代之基的化合物，式中，Rⁱ¹ 及Rⁱⁱ¹ 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，mⁱ¹ 表示0、1或2，Aⁱ¹ 表示1,4-伸環己基或氫原子可經氟原子或氯原子取代的1,4-伸苯基，但mⁱ¹ 為2的情形，Aⁱ¹ 可相同亦可相異，Zⁱ¹ 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH₂ CH₂ -、-COO-或-OCO-，但mⁱ¹ 為2的情形，Zⁱ¹ 可相同亦可相異，Xⁱ¹ 、Xⁱⁱ¹ ~Xⁱⁱ⁵ 各自獨立表示為氫原子、氟原子或氯原子，mⁱⁱ¹ 表示1或2，但mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ¹ 為複數存在的情形，Xⁱⁱ¹ 可相同亦可相異，mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ² 為複數存在的情形，Xⁱⁱ² 可相同亦可相異，式中，R⁹ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，式中，R¹¹ 及R¹² 各自獨立表示為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯基。
如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件用組成物，其中進一步含有選自下述通式(i-1)所表示的化合物、下述通式(i-2)所表示的化合物、及下述通式(i-3)所表示的化合物所組成之群組的至少1種作為該通式(i)所表示的化合物，式中，Rⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Rⁱ¹ 同意義，Xⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Xⁱ¹ 同意義，但該通式(i-1.10)所表示的化合物除外；式中，Rⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Rⁱ¹ 同意義，Xⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Xⁱ¹ 同意義；式中，Rⁱ¹ 表示與前述通式(i)中的Rⁱ¹ 同意義，Xⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Xⁱ¹ 同意義。
如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件用組成物，其進一步含有下述通式(ii.2)所表示的化合物作為該通式(ii)所表示的化合物，
如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件用組成物，其含有下述通式(L)所表示的化合物：式中，R^L1 及R^L2 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1 、B^L2 及B^L3 各自獨立表示為選自下列組成之群組之基：(a)1,4-伸環己基，此基中存在的1個之-CH₂ -可被取代為-O-；及(b)1,4-伸苯基，此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=，上述之基(a)、基(b)各自獨立可經氰基、氟原子或氯原子取代；L^L1 及L^L2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-；OL為2或3而L^L2 為複數存在的情形，L^L2 彼等可相同亦可為相異，OL為2或3而B^L3 為複數存在的情形，B^L3 彼等可相同亦可為相異，惟，通式(I-1)所表示的化合物除外。
如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件用組成物，其含有下述通式(M)所表示的化合物，式中，R^M1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1 及C^M2 各自獨立表示為選自下列組成之群組之基：(d)1,4-伸環己基，此基中存在的1個之-CH₂ -可被取代為-O-或-S-；及(e)1,4-伸苯基，此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=，上述之基(d)、基(e)各自獨立可經氰基、氟原子或氯原子取代；K^M1 及K^M2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-；PM為2、3或4而K^M1 為複數存在的情形，K^M1 彼等可相同亦可為相異，PM為2、3或4而C^M2 為複數存在的情形，C^M2 彼等可相同亦可為相異；X^M1 及X^M3 各自獨立表示為氫原子、氯原子或氟原子； X^M2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(i)所表示的化合物、通式(ii)所表示的化合物及通式(IX-1-1)所表示的化合物除外。
一種液晶顯示元件用組成物，其含有1種或2種以上之下述通式(i)所表示的化合物，且含有1種或2種以上之下述通式(ii)所表示的化合物，其中，至少含有選自式(ii.3)、式(ii.4)、及式(ii.5)所表示的化合物群組之化合物作為該通式(ii)所表示的化合物，更含有選自由下述通式(XIV-2-2)所表示的化合物群組之化合物1種或2種以上、下述式(1.3)所表示的化合物及下述式(2.2)所表示的化合物所構成群組之化合物，式中，Rⁱ¹ 及Rⁱⁱ¹ 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，mⁱ¹ 表示0、1或2，Aⁱ¹ 表示1,4-伸環己基或氫原子可經氟原子或氯原子取代的1,4-伸苯基，但mⁱ¹ 為2的情形，Aⁱ¹ 可相同亦可相異，Zⁱ¹ 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C- 、-CH₂ CH₂ -、-COO-或-OCO-，但mⁱ¹ 為2的情形，Zⁱ¹ 可相同亦可相異，Xⁱ¹ 、Xⁱⁱ¹ ~Xⁱⁱ⁵ 各自獨立表示為氫原子、氟原子或氯原子，mⁱⁱ¹ 表示1或2，但mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ¹ 為複數存在的情形，Xⁱⁱ¹ 可相同亦可相異，mⁱⁱ¹ 為2而Xⁱⁱ² 為複數存在的情形，Xⁱⁱ² 可相同亦可相異，式中，R¹⁴ 表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，
如申請專利範圍第6項之液晶顯示元件用組成物，其中該通式(i)所表示的化合物係選自下述通式(i-1)所表示的化合物、下述通式(i-2)所表示的化合物、及下述通式(i-3)所表示的化合物所組成之群組的至少1種，式中，Rⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Rⁱ¹ 同意義，Xⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Xⁱ¹ 同意義；式中，Rⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Rⁱ¹ 同意義，Xⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Xⁱ¹ 同意義；式中，Rⁱ¹ 表示與前述通式(i)中的Rⁱ¹ 同意義，Xⁱ¹ 表示與該通式(i)中的Xⁱ¹ 同意義。
如申請專利範圍第6項之液晶顯示元件用組成物，其含有下述通式(L)所表示的化合物：式中，R^L1 及R^L2 各自獨立表示為碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1 、B^L2 及B^L3 各自獨立表示為選自下列組成之群組之基：(a)1,4-伸環己基，此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-；及(b)1,4-伸苯基，此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=，上述之基(a)、基(b)各自獨立可經氰基、氟原子或氯原子取代；L^L1 及L^L2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-；OL為2或3而L^L2 為複數存在的情形，L^L2 彼等可相同亦可為相異，OL為2或3而B^L3 為複數存在的情形，B^L3 彼等可相同亦可為相異，惟，通式(1.3)所表示的化合物及通式(2.2)所表示的化合物除外。
如申請專利範圍第6項之液晶顯示元件用組成物，其含有下述通式(M)所表示的化合物，式中，R^M1 表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂ -各自獨立可經-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1 及C^M2 各自獨立表示為選自下列組成之群組之基：(d)1,4-伸環己基，此基中存在的1個之-CH₂ -或未鄰接的2個以上之-CH₂ -可被取代為-O-或-S-；及(e)1,4-伸苯基，此基中存在的1個之-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被取代為-N=，上述之基(d)、基(e)各自獨立可經氰基、氟原子或氯原子取代； K^M1 及K^M2 各自獨立表示為單鍵、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-；PM為2、3或4而K^M1 為複數存在的情形，K^M1 彼等可相同亦可為相異，PM為2、3或4而C^M2 為複數存在的情形，C^M2 彼等可相同亦可為相異；X^M1 及X^M3 各自獨立表示為氫原子、氯原子或氟原子；X^M2 表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(i)所表示的化合物及、通式(ii)所表示的化合物、及通式(XIV-2-2)所表示的化合物除外。
一種液晶顯示元件，其使用如申請專利範圍第1或6項之液晶顯示元件用組成物。
一種IPS元件，其使用如申請專利範圍第1或6項之液晶顯示元件用組成物。
一種FFS元件，其使用如申請專利範圍第1或6項之液晶顯示元件用組成物。