JP4534287B2

JP4534287B2 - 液晶組成物および液晶表示素子

Info

Publication number: JP4534287B2
Application number: JP2000009396A
Authority: JP
Inventors: 房幸竹下; 悦男中川; 恭宏久保
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1999-04-19
Filing date: 2000-01-18
Publication date: 2010-09-01
Anticipated expiration: 2020-01-18
Also published as: DE60001868D1; EP1046694A1; US6315922B1; JP2001003053A; EP1046694B1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ネマチック液晶組成物に関する。さらに詳しくは、アクティブ・マトリクス（ＡＭ）方式用の液晶組成物およびこの液晶組成物を用いた液晶表示素子（ＬＣＤ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブ・マトリクス方式の液晶表示素子（ＡＭ−ＬＣＤ）は、高精細な表示が可能なため、ＬＣＤの本命として注目を集めており、、モニター、ノート型パソコン、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどの表示画面に応用されている。ＡＭ−ＬＣＤ用の液晶組成物に要求される特性は、下記の（１）〜（５）が挙げられる。
【０００３】
（１）液晶表示素子を使用できる温度範囲を広げるために、液晶組成物は、極力広い温度範囲でネマチック相を示すこと（ネマチック相の上限温度を極力高くし、かつ、ネマチック相の下限温度を極力低くすること）。
（２）液晶表示素子の応答速度を速くするために、液晶組成物の粘度を極力小さくすること。
（３）液晶表示素子のコントラストを高くするために、液晶組成物の屈折率異方性値（Δｎ）は、液晶表示素子のセル厚（ｄ）に応じて適度な値をとり得ること。
（４）液晶組成物のコントラストを高くするために、液晶組成物の比抵抗値を高くすること、および液晶組成物を注入したセルの電圧保持率を高くすること。特に高温領域での電圧保持率を高くすること。高温領域での電圧保持率測定は、液晶組成物の耐久性を見極めるための加速試験に相当する。
（５）液晶表示素子の駆動電源であるバッテリーを小型化するために、液晶組成物のしきい値電圧を低くすること。
【０００４】
このような背景にしたがって、特開平８−７３８５７号には、高い電圧保持率を有し、しきい値電圧が低く、かつ、屈折率異方性が適度に大きい液晶組成物が開示されている。また、特開平９−３１４６０号には、ＡＭ−ＬＣＤ用液晶組成物に求められる種々の特性を満たしながら、特に、しきい値電圧の小さく、かつ低温相溶性に優れ、ネマティック相温度範囲の広い液晶組成物が開示されている。さらに国際公開ＷＯ９６／１１８９７には、ＡＭ方式およびＳＴＮ方式をはじめ種々のモードにおける低電圧駆動用液晶化合物として、大きな誘電異方性を有すると共に著しく低粘性である新規な液晶化合物、およびこれを含有する液晶組成物が開示されている。特開平１０−２５１１８６には、本発明の一般式（１−１）と類似する化合物を用いた液晶組成物が開示されている。
ノート型パソコン、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどの駆動電源は、バッテリーによるものである。これらのバッテリーを１回の充電で長時間使用するためには、ＬＣＤの消費電力を小さくする必要がある。近年、このバッテリーをさらに小型化し、さらに、１回の充電で使用時間を長くするようになってきた。このため、液晶組成物には、上記（１）〜（４）の特性を維持しながら、しきい値電圧を小さくすることが望まれるようになってきた。
液晶組成物のしきい値電圧を小さくするためには、誘電率異方性の大きな液晶化合物を使用する必要がある。誘電率異方性の大きな液晶化合物を使用して、液晶組成物を作製すると、液晶組成物の粘度が大きくなる。従って、しきい値電圧の低い液晶組成物を使用した液晶表示素子は、応答速度も遅くなってしまう。
Ｅ．Ｊａｋｅｍａｎなど（Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ａ，３９（１９７２）６９によって提唱されているように、応答速度がセルギャップの二乗に比例することによるもので、応答速度を速くするためには、液晶表示素子を構成するセルのセルギャップを薄くすれば良い。しかしながら、上記（３）の項目で示したように、ＴＮモードのファースト・ミニマム条件では、高コントラストを得るために、液晶表示素子を構成するセルのセルギャップと液晶組成物の屈折率異方性の積（Δｎ・ｄ）で表される値を約０．４から０．５程度に設定するため、セルギャップを薄くすると、必然的に、液晶組成物の屈折率異方性を大きくしなければならない。
【０００５】
上記の特開平８−７３８５７に開示してある組成物は、本願発明の比較例で示すように、しきい値電圧が低く、屈折率異方性が適度に大きいもののネマチック相の上限温度が低すぎることや、高温領域における電圧保持率が低いという欠点があったり、屈折率異方性が適度に大きく、ネマチック相の上限温度が高いもののしきい値電圧が高すぎたり、高温領域での電圧保持率が低いという欠点を有している。
特開平９−３１４６０に開示してある組成物は、本願発明の比較例で示すように、屈折率異方性が小さかったり、しきい値電圧が高かったり、ネマチック相の上限温度が低いという欠点を有している。通常シアノ基を有する化合物は電圧保持率が低いためＡＭ−ＬＣＤ用の液晶組成物として使用することはできない。
国際公開ＷＯ９６／１１８９７には末端にシアノ基を有する化合物を含まないＡＭ−ＬＣＤ用の液晶組成物が開示されている。この組成物は本願の比較例で示すように、しきい値電圧が十分に低くなかったり、屈折率異方性が小さいという欠点を有している。
特開平１０−２５１１８６には、分子中に３個のフェニレン環と１個の−ＣＦ₂Ｏ−結合基を有する化合物が開示されているが、その実施例に記載されている物性値は、保持率が高いＦ系化合物からなる組成物の中で、しきい値電圧の範囲は１．２９Ｖから２．３７Ｖであり比較的高くなっている。
このように、液晶組成物について種々検討されているが、ＡＭ−ＬＣＤ用として満足すべき液晶組成物が得られていない。すなわち、上記（１）〜（２）の特性を維持しながら、高温領域での電圧保持率を高く維持したまま低消費電力とするのに必要な低いしきい値電圧を有し、かつ応答速度を速くするために、セルの狭ギャップ化が必要となるに伴い大きい屈折率異方性値を有するようなＡＭ−ＬＣＤ用液晶組成物が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たし、特に、高温領域において電圧保持率が高く、しきい値電圧の十分に低い、かつ屈折率異方性の大きい液晶組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、従来の−ＣＦ₂Ｏ−結合基を有する化合物とは、Ｆの置換数や置換位置の異なる特定の液晶化合物を組み合わせることにより本発明の目的を達成できる液晶組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明の液晶組成物は、つぎの１〜２項で示される。
１．一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる成分Ａ、ならびに一般式（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）および（２−５）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる成分Ｂを含有する液晶組成物
【化３】

【化４】

｛式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ_5、Ｒ₆およびＲ₇は、各々独立して１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基または２〜１０個炭素原子を有するアルケニル基もしくはアルコキシメチル基であり；Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃、Ａ₄、Ａ₅およびＡ₆は各々独立して単結合、−Ｃ₂Ｈ₄−、−ＣＯＯ−であり；Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｘ₅およびＸ₆は各々独立してＨまたはＦであり；Ｂ₁およびＢ₂は、各々独立して単結合、シクロヘキシレン、トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または基中のＨがＦで置換されてもよい１，４−フェニレンであり；Ｂ₃は基中のＨがＦで置換されてもよい１，４−フェニレンまたはシクロヘキシレンであり；Ｙ₁およびＹ₂は各々独立してＦ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＣＦ₂ＨまたはＣｌであり；ｎは０または１である。｝。
２．液晶組成物の全重量に対して、前記成分Ａの５〜９５重量％および前記成分Ｂの５〜９５重量％を含有する前記１項に記載の液晶組成物。
【０００９】
本発明の液晶素子は、つぎの３項で示される。
３．前記１、２項のいずれか１項に記載した液晶組成物を含むことからなる液晶表示素子。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の液晶組成物の一般式（１−１）で表される化合物として、以下の一般式（１−１−１）〜（１−１−３１）で表される化合物が好ましく用いられる。。
これらの式中、Ｒは各々独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルコキシメチル基もしくはアルケニル基を示す。
【００１１】
【化５】

【００１２】
【化６】

【００１３】
【化７】

【００１４】
本発明の一般式（１−２）で表される化合物として、以下の一般式（１−２−１）〜（１−２−２１）で表される化合物が好ましく用いられる。
これらの式中、Ｒは各々独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルコキシメチル基もしくはアルケニル基を示す。
【００１５】
【化８】

【００１６】
【化９】

【００１７】
本発明の一般式（２−１）で表される化合物として、以下の一般式（２−１−１）〜（２−１−３）で表される化合物が好ましく用いられる。
これらの式中、Ｒは各々独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルコキシメチル基もしくはアルケニル基を示す。
【００１８】
【化１０】

【００１９】
本発明の一般式（２−２）で表される化合物として、以下の一般式（２−２−１）〜（２−２−７）で表される化合物が好ましく用いられる。
これらの式中、Ｒは各々独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルコキシメチル基もしくはアルケニル基を示す。
【００２０】
【化１１】

【００２１】
本発明の一般式（２−３）で表される化合物として、以下の一般式（２−３−１），（２−３−２）で表される化合物が好ましく用いられる。
これらの式中、Ｒは各々独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルコキシメチル基もしくはアルケニル基を示す。
【００２２】
【化１２】

【００２３】
本発明の一般式（２−４）で表される化合物として、以下の一般式（２−４−１）〜（２−４−３）で表される化合物が好ましく用いられる。
これらの式中、Ｒは各々独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルコキシメチル基もしくはアルケニル基を示す。
【００２４】
【化１３】

【００２５】
本発明の一般式（２−５）で表される化合物として、以下の一般式（２−５−１）または（２−５−２）で表される化合物が好ましく用いられる。
これらの式中、Ｒは各々独立して、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルコキシメチル基もしくはアルケニル基を示す。
【００２６】
【化１４】

【００２７】
本発明の液晶組成物を構成する化合物の機能、役割について説明する。
本発明の液晶組成物の成分Ａは、液晶組成物の高温領域における電圧保持率を高く維持しながら、粘度を比較的小さく保ち、屈折率異方性を大きくし、しきい値電圧をかなり低くする効果を有する。また、成分Ａの中で４環化合物は、ほとんどのものが、８０〜１８０゜Ｃの非常に高いＴ_NI（液晶の上限温度）を有するので、この４環化合物を用いることにより、Ｔ_NIの高い液晶組成物とすることができる。
このような効果は、成分Ａである一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物が、−ＣＦ₂Ｏ−基の炭素原子に結合するフェニル環の３位と５位がフッ素原子によって置換されているので、誘電率異方性が約２０以上と非常に大きく、また、粘度が比較的小さく、屈折率異方性が大きく、比抵抗値が高いためと考えられる。
【００２８】
本発明の液晶組成物における成分Ｂの一般式（２−１）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域における電圧保持率を高く維持しながら、特に低温での粘度を小さくし、Ｔ_NIおよびしきい値電圧を調整し、また屈折率異方性を調整する効果がある。この一般式（２−１）で表される化合物は、２環化合物であり、誘電率異方性値は前記成分Ａの化合物ほどの大きさを示さないが、６〜８程度の正の値を示す。また、前記成分Ａの化合物よりも粘度が小さく、Ｔ_NI（液晶の上限温度）が０℃以下と非常に低く、屈折率異方性が小さいという特徴がある。
【００２９】
本発明の一般式（２−２）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域における電圧保持率を高く維持しながら、液晶組成物の上限温度を高くし、粘度を小さくし、しきい値電圧を調整し、屈折率異方性を調整する効果がある。本発明の一般式（２−２）で表される化合物は３環化合物であり、本発明の成分Ａの化合物ほどの誘電率異方性を示さないが９〜１３程度の正の値を示し、比較的Ｔ_NIが５０〜１２０℃と高く、また、成分Ａの化合物よりも粘度が小さく、比抵抗値が高いという特徴がある。さらに、成分Ａの化合物よりも比較的小さい屈折率異方性を示す。
【００３０】
本発明の一般式（２−３）または（２−４）で表される化合物は、液晶組成物の誘電率異方性を大きくし、しきい値電圧を低くし、屈折率異方性を調整する効果がある。本発明の一般式（２−３）または（２−４）で表される化合物は、３環化合物であり、本発明の成分Ａの化合物ほどの誘電率異方性を示さないが一般式（２−１）または（２−４）で表される化合物よりも大きな値を示し、また成分Ａよりも非常に小さい０．０４〜０．０７程度の屈折率異方性を示す。
【００３１】
本発明の一般式（２−５）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域における電圧保持率を高く維持しながら、上限温度を高くし、しきい値電圧を調整する効果がある。本発明の一般式（２−５）で表される化合物は４環化合物であり、本発明の成分Ａの化合物ほどの誘電率異方性を示さないが正の値を示し、Ｔ_NI点が１８０℃以上と非常に高く、比抵抗値が高い。
【００３２】
本発明の液晶組成物を構成する成分の好ましい含有比率について説明する。
本発明の液晶組成物における成分Ａの含有量は、液晶組成物の全重量に対して５〜９５重量％であり、成分Ｂの含有量は、液晶組成物の全重量に対して５〜９５重量％であることが好ましい。成分Ａによって、しきい値電圧を非常に低下し、成分Ｂによりさらにネマチック相範囲、屈折率異方性、しきい値電圧が調整される。さらに詳しく説明すると、成分Ａである一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物は、組成物中へできるだけ多く混合することにより、しきい値電圧を低下することができるが、多量に含有させると液晶組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまうことがあるので、成分Ａの好ましい含有量は液晶組成物の全重量に対して９５重量％以下である。また、液晶組成物の高温領域での電圧保持率を高く維持しながら、しきい値電圧をかなり小さくするためには、成分Ａの含有量は、液晶組成物の全重量に対して５重量％以上好ましくは１５重量％以上である。
さらに成分Ａとして３環化合物の含有量が多い場合は、３環化合物のＴ_NIが比較的低く５０℃以下のものが多いので、組成物のＴ_NIを実用的な温度にするためには、組成物の全重量に対して７０重量％以下であることがより好ましい。
【００３３】
本発明の液晶組成物における成分Ｂの含有量は、好ましくは５〜９５重量％より好ましくは３０〜９５重量％である。５重量％未満の場合には、特にネマチック相範囲、屈折率異方性の調整に支障をきたすことがあり、９５重量％を超えるとしきい値電圧が低いという本願の効果が少なくなる。
成分Ｂを構成する一般式（２−１）〜（２−５）の化合物それぞれのより好ましい含有量の範囲は、つぎのとおりである。
【００３４】
本発明の一般式（２−１）で表される化合物の含有量は、液晶組成物の全重量に対して３０重量％以下が好ましく、より好ましくは２５重量％以下である。この一般式（２−１）の化合物はＴ_NIが非常に低いので、組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物のネマチック相下限温度を低くしてしまう。
【００３５】
本発明の液晶組成物の一般式（２−２）で表される化合物の含有量は、組成物の全重量に対して９５重量％以下が好ましく、より好ましくは８５〜５重量％である。この一般式（２−２）で表される化合物は、比較的Ｔ_NIが高いので、組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまう。また、含有量が非常に少ないと、液晶組成物の高温領域での高い電圧保持率と、低いしきい値電圧を維持しながら、粘度を小さくする効果は低下し、またネマチック相の上限温度を高くなる効果は低下する。
【００３６】
本発明の液晶組成物の一般式（２−３）または（２−４）で表わされる化合物の含有量は、好ましくは５０重量％以下である。この化合物を多量に含有させると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くなり、比抵抗値が低下する。
【００３７】
本発明の液晶組成物の一般式（２−５）で表される化合物の含有量は、組成物全重量に対して２０重量％以下が好ましい。この化合物の含有量多いと液晶組成物のネマチック相下限温度を高くなる。
【００３８】
本願発明の一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物の合成法は、例えば、一般式（１−１−１）、（１−１−１６）、（１−２−１２）で示される化合物について特開平１０−２５１１８６に記載されている。本願発明の一般式（２−１−３）、（２−２−１）または（２−２−４）で表される化合物の合成法は、特開平２−２３３６２６に記載されている。本発明の一般式（２−４−１）で表される化合物の合成法に関しては、特開平９−１４１２０６に記載されている。このように、本願発明の組成物を構成する各成分の化合物は、先行技術によって合成し得られるものである。
【００３９】
本発明の液晶組成物には、本発明の目的を害さない範囲で、前記に示した成分Ａおよび成分Ｂ以外の液晶化合物を混合して使用することもできる。
本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法で調製される。一般には、種々の化合物を混合し、高い温度で互いに溶解させる方法をとる。本発明の液晶組成物には、液晶分子のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整するためにコレステリルノナノエート（ＣＮ）や以下のＣＭ−４３Ｌなどのキラルドープ材を添加して使用してもよい。
【化１５】

また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系の二色性色素を添加してゲストホストモードの液晶組成物としても使用することができるし、ポリマー分散型液晶表示素子、複屈折制御モードおよび動的散乱モードの液晶組成物としても使用することができる。イン・プレイン・スイッチング方式の液晶組成物としても使用することができる。
【００４０】
【実施例】
以下に、実施例により本発明を詳細に説明する。
本発明は、以下に示す実施例に限定されるもではない。実施例および比較例に示した組成比は全て重量％で表した。実施例および比較例で用いる化合物は、表１に示した定義に基づき記号で表した。
液晶組成物の特性は、ネマチック液晶相の上限温度をＴ_NI、ネマチック液晶相の下限温度をＴＣ、粘度をη、屈折率異方性をΔｎ、しきい値電圧をＶｔｈ、２５℃における電圧保持率をＶＨＲ（２５℃）、１００℃における電圧保持率をＶＨＲ（１００℃）、応答速度をτで表した。
Ｔ_NIは、偏光顕微鏡を用い、昇温過程において、ネマチック相から等方相液体に変化するときの温度を測定することにより求めた。
ＴＣは、１０℃、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、−４０℃の各々のフリーザー中に、液晶組成物を３０日間放置し、液晶相で判断した（例えば、一つの液晶組成物について、−２０℃でネマチック状態をとり、−３０℃で結晶化またはスメクチック状態となった場合には、その液晶組成物のＴＣは、＜−２０℃と表現した）。
ηは、２０℃で測定した。
Δｎは、５８９ｎｍの波長を有する光源ランプを使用し、２５℃で測定した。Ｖｔｈは、２５℃で測定した。なお、Ｖｔｈは、セルギャップが（０．５／Δｎ）μｍ、ツイスト角が８０°のセルを用い、ノーマリーホワイトモードで、周波数が３２Ｈｚの矩形波を印加し、セルを通過する光の透過率が９０％になったときに印加されている電圧の値とした。電圧保持率は、面積法にて求めた。
τは、液晶組成物にコレステリックノナノエートをねじれのピッチが８０μｍになるように添加し、調整したものをセルギャップが（０．５／Δｎ）μｍ、ツイスト角が９０°のセルに入れ、これを周波数が１ＫＨｚの５Ｖ矩形波を印加し、液晶が立ち上がるときの応答速度（τｏｎ）と液晶が立ち下がるときの応答速度（τｏｆｆ）とし、τはτｏｎとτｏｆｆの和の値と定義した。このときの測定温度は２５℃である。
【００４１】
【表１】

【００４２】
特開平１０−２５１１８６の実施例（３２〜４２，４４，４５）に示される組成物に使用される化合物は、本発明の一般式（１−１）と類似するが同一の化合物ではない。
本発明の一般式（１−１）で示される化合物とこの特開平１０−２５１１８６の化合物との相違をつぎに示す。
つぎの組成と特性を有する母液晶を調製し、
３−ＨＢ−Ｃ２４％Ｔ_NI＝７１．７℃
５−ＨＢ−Ｃ３６％ △ε＝１１．０
７−ＨＢ−Ｃ２５％ Δｎ＝０．１３７
３−ＨＢＢ−Ｃ１５％ η ＝２７．０ｍＰa・ｓ
この母液晶に以下の化合物ａ、ｂ、ｃ
ａ：３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
＜本発明の式（１−１−３）のＲ＝Ｃ₃Ｈ₇＞
ｂ：３−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
＜本発明の式（１−２−４）のＲ＝Ｃ₃Ｈ₇＞
ｃ：３−Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
＜特開平１０−２５１１８６（実施例３４に記載化合物）＞
をそれぞれ１５％混合したものを調製した。それらのの物性値を測定し、その測定値と母液晶の物性値から外そうして得られた化合物ａ、ｂ、ｃの物性値を次の表２に示す。
【００４３】
【表２】

この表２から、本発明の式（１−１）で表される化合物ａまたはｂは特開平１０−２５１１８６の実施例３４に記載の化合物ｃよりも、Δｎ，△εが大きく、ηが低いことが明らかである。さらに４環化合物についても同様の傾向であった。
さらに、以下の実施例、比較例にて詳細に説明する。
【００４４】
実施例Ａ
成分Ａとして、
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１４％
成分Ｂとして、
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
からなる組成物を調製した。組成物の特性は、表３に示す。
【００４５】
比較例Ａ
成分Ａを、つぎの成分Ｄ｛特願平１０−２５１１８６に記載の式（１）の化合物｝に替える以外は実施例Ａと同様に行ない、液晶組成物を調製した。組成物の特性を表３に示す。
成分Ｄ
２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１４％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１４％
【００４６】
【表３】

表３で明らかなように、実施例Ａの組成物は比較例Ａの組成物に比べて、屈折率異方性を大きく、Δεが大きく、しきい値電圧を低く、応答速度が速い、これは実施例Ａの成分Ａの化合物は比較例の成分Ｄの化合物と比べて、フェニレン環の数が多いことによると考えられる。
【００４７】
実施例１
成分Ａとして、
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
成分Ｂとして、
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１３％
４−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
からなる組成物を調製した。上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝７４．５℃
ＴＣ＜ −２０℃
η ＝２７．８ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．０８６
Ｖｔｈ＝１．２１Ｖ
Δε ＝１０．７
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．１％
この組成物は、後述の比較例の組成物と比べて、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが非常に小さく、粘性も小さい。比較例２の組成物と比較してＴ_NIが高く、保持率が高く、粘性は低い。
【００４８】
実施例２
成分Ａとして、
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１１％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
成分Ｂとして、
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
からなる組成物を調製した。上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝７３．５℃
ＴＣ＜ −３０℃
η ＝３４．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．１０５
Ｖｔｈ＝１．０１Ｖ
Δε ＝１３．６
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．３％
この組成物は、後述の比較例の組成物と比べて高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが非常に小さい。
【００４９】
実施例３
成分Ａとして、
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３％
２−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
成分Ｂとして、
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
からなる組成物を調製した。上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝７８．７℃
ＴＣ＜ −２０℃
Δｎ＝０．１３９
Ｖｔｈ＝１．００Ｖ
Δε ＝１６．４
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．２％
この組成物は、比較例の組成物と比べて、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが非常に小さい。
【００５０】
実施例４
成分Ａとして、
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ）−Ｆ９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ）−Ｆ９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３７％
成分Ｂとして、
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
からなる組成物を調製した。上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝７６．１℃
ＴＣ＜ −２０℃
Δｎ＝０．１３２
Ｖｔｈ＝０．９６Ｖ
Δε ＝１７．７
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．０％
この組成物は、比較例の組成物と比べて、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが非常に小さい。
【００５１】
実施例５
成分Ａとして、
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ５％
成分Ｂとして、
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
からなる組成物を調製した。上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝８０．０℃
ＴＣ＜ −２０℃
η ＝２８．８ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．０９１
Ｖｔｈ＝１．２３Ｖ
Δε ＝１０．７
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．３％
【００５２】
実施例６
成分Ａとして、
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
成分Ｂとして、
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
その他の成分として
３−ＨＢ−Ｏ２３％
３−ＨＨ−４１０％
３−ＨＨ−５５％
３−ＨＨＢ−１２％
４−ＨＨＢ−ＣＬ４％
２−ＨＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２％
３−ＨＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２％
からなる組成物を調製した。上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝７２．９℃
ＴＣ＜ −２０℃
η ＝２０．８ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．０８２
Ｖｔｈ＝１．２３Ｖ
Δε ＝８．０
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．３％
【００５３】
実施例７
成分Ａとして、
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
成分Ｂとして、
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
２−ＨＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２％
３−ＨＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
からなる組成物を調製した。上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝９０．２℃
ＴＣ＜ −２０℃
η ＝３２．８ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．１０３
Ｖｔｈ＝１．２６Ｖ
Δε ＝１０．２
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．２％
【００５４】
実施例８
成分Ａとして、
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ４％
３−ＤＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−Ｂ（Ｆ）ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＬ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
成分Ｂとして、
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
その他の成分
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
ＣＭ−４３Ｌ０．２３％
【００５５】
実施例９
成分Ａとして、
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３７％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−Ｂ（Ｆ）ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５％
成分Ｂとして、
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
その他の成分
ＣＭ−４３Ｌ０．２１％
【００５６】
比較例１
特開平８−７３８５７に開示してある組成物の中で△ｎが最も大きいの実施例７に記載のつぎの組成物を調製した。
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
４−ＨＨＢ−ＣＬ１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
４−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＶＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
４−ＨＶＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
３−Ｈ２ＢＶＢ−２３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−４１０％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝１０１．５℃
η ＝３６．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．１３８
Ｖｔｈ＝１．７３Ｖ
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．５％
ＶＨＲ（１００℃）＝９１．０％
τ ＝３７ｍｓ
この組成物は、Ｔ_NIが高く、応答速度が比較的速いものの、Ｖｔｈが高く、この組成物には、エステル基を有する化合物が使用されており、高温でのＶＨＲが低いという欠点を有している。
【００５７】
比較例２
特開平８−７３８５７に開示してある組成物の中でＶｔｈが最も低い実施例２に記載のつぎの組成物を調製した。
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
４−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
４−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
４−ＨＢ−ＣＬ１０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ３％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１３％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝４６．１℃
ＴＣ＜ −１０℃
η ＝３６．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．０９６
Ｖｔｈ＝０．９１Ｖ
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．３％
ＶＨＲ（１００℃）＝９２．３％
この組成物は、Ｖｔｈが低いもののＴ_NIが低く、比較例１と同様にエステル基を有する化合物が使用されており、高温でのＶＨＲが低いという欠点を有している。
【００５８】
比較例３
特開平９−３１４６０に開示してある組成物の中でＶｔｈが最も低い実施例７に記載のつぎの組成物を調製した。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２１％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝６１．４℃
ＴＣ＜ −３０℃
η ＝３０．７ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．０９４
Ｖｔｈ＝１．０５Ｖ
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．３％
ＶＨＲ（１００℃）＝９２．５％
この組成物は、Ｖｔｈが低いものの、Ｔ_NIが低く、高温におけるＶＨＲが低いという欠点を有している。
【００５９】
比較例４
特開平９−３１４６０に開示してある組成物の中で最もΔｎが大きい実施例１２に記載のつぎの組成物を調製した。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１８％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１８％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
５−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝７８．３℃
ＴＣ＜ −３０℃
η ＝３０．２ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．１０３
Ｖｔｈ＝１．２１Ｖ
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．４％
ＶＨＲ（１００℃）＝９１．５％
この組成物は、Ｖｔｈが高く、高温におけるＶＨＲが低いという欠点を有している。
【００６０】
比較例５
ＷＯ９６／１１８９７に開示してある組成物の中で最もＶｔｈが低い実施例３６に記載のつぎの組成物を調製した。
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＣＦ３５％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＯＣＦ３５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝６１．８℃
ＴＣ＜ −２０℃
η ＝２３．６ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．０８３
Ｖｔｈ＝１．５０Ｖ
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．７％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．６％
この組成物は、粘性が低く、Ｖｔｈが低く、高温でのＶＨＲは高いものの、Ｔ_NIが低いという欠点を有している。
【００６１】
比較例６
ＷＯ９６／１１８９７に開示してある組成物の中で最もΔｎが大きい実施例３７に記載してあるつぎの組成物を調製した。
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＯＣＦ３５％
３−ＨＢ−ＣＬ４％
５−ＨＢ−ＣＬ４％
７−ＨＢ−ＣＬ５％
２−ＨＨＢ−ＣＬ６％
３−ＨＨＢ−ＣＬ７％
５−ＨＨＢ−ＣＬ６％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１２％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１３％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２２％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝８９．３℃
ＴＣ＜ −２０℃
η ＝２１．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．１２８
Ｖｔｈ＝２．０８Ｖ
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．４％
ＶＨＲ（１００℃）＝９３．５％
この組成物は、粘性が低く、Ｔ_NIは高いものの、Ｖｔｈが高く、高温におけるＶＨＲが若干低いという欠点を有している。
【００６２】
比較例７
特開平１０−２５１１８６に開示してある組成物の中で最もΔｎが大きい実施例４１に記載のつぎの組成物を調製した。
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＢＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ９％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１９％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５５％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
Ｔ_NI ＝９５．８℃
η ＝３５．５ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．１３２
Ｖｔｈ＝１．７２Ｖ
ＶＨＲ（２５℃）＝９８．２％
ＶＨＲ（１００℃）＝９５．１％
この組成物は、高温でのＶＨＲは高いものの、Ｖｔｈが高いという欠点を有している。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によって、アクティブ・マトリクス方式の液晶表示素子（ＡＭ−ＬＣＤ）に求められる一般的な特性を満たしながら、特に、高温領域において電圧保持率の高い、しきい値電圧の十分に低い、屈折率異方性の大きい液晶組成物を提供することができる。

Claims

一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる成分Ａ、ならびに一般式（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）および（２−５）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる成分Ｂを含有する液晶組成物

｛式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７は、各々独立して１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基もしくはアルコキシ基または２〜１０個炭素原子を有するアルケニル基もしくはアルコキシメチル基であり；Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４、Ａ_５およびＡ_６は各々独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−であり；Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_３、Ｘ_４、Ｘ_５およびＸ_６は各々独立してＨまたはＦであり；Ｂ _１は、単結合、シクロヘキシレン、トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または基中のＨがＦで置換されてもよい１，４−フェニレンであり；Ｂ _２は、単結合、シクロヘキシレン、または基中のＨがＦで置換されてもよい１，４−フェニレンであり；Ｂ_３は基中のＨがＦで置換されてもよい１，４−フェニレンまたはシクロヘキシレンであり；Ｙ_１およびＹ_２は各々独立してＦ、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、ＣＦ_２ＨまたはＣｌであり；ｎは０または１である。｝。
液晶組成物の全重量に対して、前記成分Ａの５〜９５重量％および前記成分Ｂの５〜９５重量％を含有する請求項１に記載の液晶組成物。
請求項１、２のいずれか１項に記載した液晶組成物を含むことからなる液晶表示素子。