KR20090068709A - 액정조성물과 이를 포함하는 액정표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정조성물과 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 액정조성물은 유전율이방성이 크면서도 회전점도가 작아 저전압구동과 고속응답이 가능하다.
Description
본 발명은 액정조성물과 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 TN(twisted nematic) 모드의 액정조성물과 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다.
액정표시장치에는 전계를 형성하는 제1기판 및 제2기판이 마련되어 있으며, 액정층은 양 기판 사이에 위치한다. 액정층은 액정조성물과 선택적으로 추가되는 첨가제로 이루어진다.
최근 텔레비전과 같은 대형 디스플레이 장치에 액정표시장치가 적용되고 있다. 이는 액정표시장치의 시야각, 색재현성, 휘도 등의 특성이 크게 향상된 것을 나타내지만, 액정표시장치의 응답시간은 여전히 개선이 요구되고 있다.
또한 액정표시장치는 노트북과 같은 휴대용 전자기기에 사용되고 있기 때문에 저전압구동 역시 요구되고 있다.
액정표시장치의 응답시간은 액정조성물의 회전점도와 밀접한 관련이 있다. 즉, 액정조성물의 회전점도가 낮으면 응답시간이 빨라진다. 한편, 액정표시장치에 요구되는 구동전압은 액정조성물의 유전율이방성과 밀접한 관련이 있다. 즉, 액정조성물의 유전율이방성이 크면 저전압 구동이 가능하다.
따라서 액정표시장치의 응답시간을 개선하고 저전압구동을 실현시키기 위해서는 회전점도가 낮으며 유전율이방성이 큰 액정조성물을 사용하면 된다.
그런데 액정조성물을 구성하는 액정분자는 일반적으로 유전율이방성이 크면 회전점도도 크기 때문에 액정표시장치의 응답시간 개선과 저전압구동을 동시에 구현하기 어렵다.
따라서 본 발명의 목적은 유전율이방성이 크면서 회전점도가 낮은 액정조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 응답시간이 개선되고 동시에 저전압구동이 가능한 액정표시장치를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적은, 하나 이상의 하기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 15%, 하나 이상의 하기 화학식 2의 화합물 2 : 30 내지 50%, 하나 이상의 하기 화학식 3의 화합물 3 : 5 내지 20%, 하나 이상의 하기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 12%, 하나 이상의 하기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 20%, 하나 이상의 하기 화학식 6의 화합물 6 : 0 내지 20%, 하나 이상의 하기 화학식 7의 화합물 7 : 4 내지 20%를 포함하는 액정조성물에 의하여 달성된다.
화학식 1
화학식 2
화학식 3
화학식 4
화학식 5
화학식 6
화학식 7
상기 식에서,
X는 각 화합물에 독립적으로 탄소수가 3 내지 5인 알리파틱 그룹이며, Y는 탄소수가 1 또는 2인 알리파틱 그룹이다.
상기 액정조성물의 상전이 온도는 70℃ 내지 80℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 7 내지 9, 회전점도는 55mPa·s 내지 70mPa·s일 수 있 다.
상기 액정조성물은 하나 이상의 상기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 5%, 하나 이상의 상기 화학식 2의 화합물 2 : 35 내지 45%, 하나 이상의 상기 화학식 3의 화합물 3 : 14 내지 18%, 하나 이상의 상기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 8%, 하나 이상의 상기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 15%, 하나 이상의 상기 화학식 6의 화합물 6 : 10 내지 18%, 하나 이상의 상기 화학식 7의 화합물 7 : 8 내지 10%를 포함할 수 있다.
상기 액정조성물의 상전이 온도는 74.0℃ 내지 76.0℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 8.0 내지 8.5, 회전점도는 60mPa·s 내지 65mPa·s일 수 있다.
상기 본 발명의 다른 목적은 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 제1기판과; 상기 제1기판과 마주하며 공통전극을 포함하는 제2기판과; 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하며, 상기 액정층의 액정조성물은 하나 이상의 상기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 15%, 하나 이상의 상기 화학식 2의 화합물 2 : 30 내지 50%, 하나 이상의 상기 화학식 3의 화합물 3 : 5 내지 20%, 하나 이상의 상기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 12%, 하나 이상의 상기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 20%, 하나 이상의 상기 화학식 6의 화합물 6 : 0 내지 20%, 하나 이상의 상기 화학식 7의 화합물 7 : 4 내지 20%를 포함하는 액정표시장치에 의해 달성된다.
상기 액정조성물의 상전이 온도는 70℃ 내지 80℃, 굴절율이방성은 0.11 내 지 0.12, 유전율이방성은 7 내지 9, 회전점도는 55mPa·s 내지 70mPa·s일 수 있다.
상기 액정표시장치의 셀갭은 2.5㎛ 내지 3.7㎛일 수 있다.
상기 액정표시장치의 구동전압(AVDD)은 8.0V 내지 13.0V일 수 있다.
상기 액정조성물은, 하나 이상의 상기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 5%, 하나 이상의 상기 화학식 2의 화합물 2 : 35 내지 45%, 하나 이상의 상기 화학식 3의 화합물 3 : 14 내지 18%, 하나 이상의 상기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 8%, 하나 이상의 상기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 15%, 하나 이상의 상기 화학식 6의 화합물 6 : 10 내지 18%, 하나 이상의 상기 화학식 7의 화합물 7 : 8 내지 10%를 포함할 수 있다.
상기 액정조성물의 상전이 온도는 74.0℃ 내지 76.0℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 8.0 내지 8.5, 회전점도는 60mPa·s 내지 65mPa·s일 수 있다.
상기 액정표시장치의 셀갭은 3.5㎛ 내지 3.7㎛일 수 있다.
상기 액정표시장치의 구동전압(AVDD)은 8.3V 내지 8.8V일 수 있다.
상기 액정표시장치의 블랙전압은 8.0V 내지 8.5V이고, 화이트 전압은 0.5V 내지 0.7V일 수 있다.
상기 액정층의 응답시간은 8ms 내지 9ms일 수 있다.
상기 액정층의 지연값은 390nm 내지 440nm일 수 있다.
상기 액정표시장치의 대비비(contrast ratio)는 1000:1 내지 1200:1일 수 있 다.
본 발명에 따르면 유전율이방성이 크면서 회전점도가 낮은 액정조성물이 제공된다.
또한 응답시간이 개선되고 동시에 저전압구동이 가능한 액정표시장치가 제공된다.
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하겠다. 이하에서 어떤 막(층)이 다른 막(층)의 '상에' 형성되어(위치하고) 있다는 것은, 두 막(층)이 접해 있는 경우 뿐 아니라 두 막(층) 사이에 다른 막(층)이 존재하는 경우도 포함한다.
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치를 설명한다.
액정표시장치(1)는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있는 제1기판(100), 제1기판(100)과 대향하는 제2기판(200), 양 기판(100, 200) 사이에 위치하는 액정층(300)을 포함한다.
먼저 제1 기판(100)에 대하여 설명한다.
제1절연기판(111) 상에 게이트 배선(121, 122)이 형성되어 있다. 게이트 배선(121, 122)은 금속 단일층 또는 다중층일 수 있다. 게이트 배선(121, 122)은 표시영역 내에 위치하며 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121), 게이트선(121)에서 연결되어 있는 게이트 전극(122)을 포함한다.
제1절연기판(111)위에는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(131)이 게이트 배선(121, 122)을 덮고 있다.
게이트 전극(122)의 게이트 절연막(131) 상부에는 비정질 실리콘 등의 반도체로 이루어진 반도체층(132)이 형성되어 있으며, 반도체층(132)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘 등의 물질로 만들어진 저항 접촉층(133)이 형성되어 있다. 소스 전극(142)과 드레인 전극(143) 사이의 채널부에서는 저항 접촉층(133)이 제거되어 있다.
저항 접촉층(133) 및 게이트 절연막(131) 위에는 데이터 배선(141, 142, 143)이 형성되어 있다. 데이터 배선(141, 142, 143) 역시 금속층으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다.
데이터 배선(141, 142, 143)은 세로방향으로 형성되어 게이트선(121)과 교차하여 화소를 형성하는 데이터선(141), 데이터선(141)의 분지이며 저항 접촉층(133)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(142), 소스전극(142)과 분리되어 있으며 소스전극(142)의 반대쪽 저항 접촉층(133) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(143)을 포함한다.
데이터 배선(141, 142, 143) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(132)의 상부에는 보호막(151)이 형성되어 있다. 보호막(151)에는 드레인 전극(143)을 드러내는 접촉구(152)가 형성되어 있다.
보호막(151)의 상부에는 화소전극(161)이 형성되어 있다. 화소전극(161)은 통상 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어진다.
본 발명에 따른 제1기판(100)의 형태는 이상의 설명에 한정되지 않는다. 제1기판(100)은, 예를 들어, 반도체층(132)으로 폴리실리콘을 사용하거나 탑-게이트(top gate) 형식의 박막트랜지스터를 사용하는 등 다양하게 변형될 수 있다.
이어 제2기판(200)에 대하여 설명한다.
제2절연기판(211) 위에 블랙매트릭스(221)가 형성되어 있다. 블랙매트릭스(221)는 일반적으로 적색, 녹색 및 청색 필터 사이를 구분하며, 제1기판(100)에 위치하는 박막트랜지스터로의 직접적인 광조사를 차단하는 역할을 한다. 블랙매트릭스(221)는 통상 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있다. 상기 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용한다.
컬러필터(231)는 블랙매트릭스(221)를 경계로 하여 적색, 녹색 및 청색 필터가 반복되어 형성된다. 컬러필터(231)는 백라이트 유닛(도시하지 않음)으로부터 조사되어 액정층(300)을 통과한 빛에 색상을 부여하는 역할을 한다. 컬러필터(231)는 통상 감광성 유기물질로 이루어져 있다.
컬러필터(231)와 컬러필터(231)가 덮고 있지 않은 블랙매트릭스(221)의 상부에는 오버코트층(241)이 형성되어 있다. 오버코트층(241)은 컬러필터(231)를 평탄화하면서, 컬러필터(231)를 보호하는 역할을 한다. 오버코트층(241)은 감광성 아크릴계 수지일 수 있다.
오버코트층(241)의 상부에는 공통전극(251)이 형성되어 있다. 공통전극(251)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이 루어진다. 공통전극(251)은 박막트랜지스터 기판의 화소전극(161)과 함께 액정층(300)에 직접 전압을 인가한다.
제1기판(100)과 제2기판(200)의 사이에는 액정층(300)이 위치한다. 액정층(300)은 TN(twisted nematic)모드로서, 액정분자는 제1기판(100) 및 제2기판(200)에 형성된 배향막(도시하지 않음)에 의해 90도 비틀려 있다. 제1기판(100)과 제2기판(200) 사이에 수직전계가 형성되면 액정분자는 장축이 수직방향이 되도록 정렬된다.
본 실시예에서 액정표시장치(1)는 전압이 가해지지 않은 상태에서 빛을 통과시켜 화이트를 표시하고 제1기판(100)과 제2기판(200) 사이에 수직전계가 형성되는 경우 빛을 차단하여 블랙을 표시하는 노말리 화이트 모드(normally white mode)이다.
본 발명의 액정층(300)은 다음에 설명하는 액정조성물을 포함하며, 필요에 따라 공지의 부가제를 함유할 수 있다. 부가제로는 염료, UV안정제 그리고/또는 항산화제를 사용할 수 있다. 이하에서는 액정조성물의 물성과 액정층(300)의 물성은 일치하는 것으로 본다.
액정조성물은 다음과 같이 이루어져 있다. 이하에서 언급하는 %는 중량%를 의미한다.
하나 이상의 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 15%,
하나 이상의 화학식 2의 화합물 2 : 30 내지 50%,
하나 이상의 화학식 3의 화합물 3 : 5 내지 20%,
하나 이상의 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 12%,
하나 이상의 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 20%,
하나 이상의 화학식 6의 화합물 6 : 0 내지 20%,
하나 이상의 화학식 7의 화합물 7 : 4 내지 20%
다만 화합물 7이 15%보다 많아지면 저온 안정성이 저하될 수 있으므로, 필요에 따라 화합물 7의 사용량은 4 내지 15%로 제한될 수 있다.
화합물 1 내지 화합물 3은 비극성물질이며, 화합물 4 내지 화합물 7은 극성물질이다.
여기서 화합물 2는 회전점도가 매우 낮은 반면 유전율이방성은 낮다. 반면 화합물 7은 유전율이방성이 20 내지 40정도로 매우 높다. 따라서 화합물 7을 사용하면 화합물 2의 양을 증가시켜도 액정조성물의 유전율이방성을 높게 유지할 수 있다. 또한 화합물 2의 양이 증가하기 때문에 액정조성물은 낮은 회전점도를 가질 수 있다.
화합물 2와 화합물 7의 작용으로 액정조성물은 높은 유전율이방성과 낮은 회전점도를 가지고, 이에 의해 저전압구동과 빠른 응답시간을 동시에 구현할 수 있다.
한편 화합물 7의 상전이온도는 70℃ 내지 160℃정도로 매우 높아 액정조성물도 높은 상전이온도를 갖게 된다.
이상 설명한 액정조성물의 상전이 온도는 70℃ 내지 80℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 7 내지 9, 회전점도는 55mPa·s 내지 70mPa·s이 다. 액정표시장치(1)의 셀갭(도 2의 d)은 2.5㎛ 내지 3.7㎛이다.
액정조성물의 유전율이방성이 크기 때문에 액정표시장치(1)의 구동전압(AVDD)은 낮게 유지할 수 있는데, 구동전압은 8.0V 내지 13.0V, 더 자세하게는 8.0V 내지 10.0V일 수 있다.
한편 이상 설명한 액정조성물, 셀갭 및 구동전압에서 액정조성물은 7.0ms 내지 10.0ms의 비교적 빠른 응답속도를 가진다.
실험을 통해 다양한 조성의 액정조성물에 대하여 물성과 응답시간을 측정하였다.
실험에 사용된 액정조성물은 실시예 1 내지 실시예 3의 3가지이다. 실시예 1 내지 실시예 3의 조성은 다음과 표 1과 같다.
<표 1>
단위 : %
실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | |
화합물 1 | 4 | 2 | 13 |
화합물 2 | 39 | 41 | 43 |
화합물 3 | 15 | 16 | 10 |
화합물 4 | 9 | 6 | 6 |
화합물 5 | 16 | 12 | 13 |
화합물 6 | 11 | 14 | 0 |
화합물 7 | 6 | 9 | 15 |
각 실시예에 따른 액정조성물의 물성은 다음 표 2와 같다.
<표 2>
실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | |
상전이온도 (Tni, ℃) | 74.9 | 75.0 | 75.2 |
Δn | 0.114 | 0.115 | 0.114 |
Δε | 8.5 | 8.3 | 8.3 |
γ1 (mPa·s) | 63.6 | 63.0 | 59.7 |
응답시간 (ms) | 8.4 | 8.3 | 7.9 |
여기서 <표 1>에서 응답시간은 구동전압은 8V, 셀갭은 3.6㎛ 조건에서 얻었다.
액정조성물의 응답시간은 라이징 타임(rising time. Ton)과 폴링 타임(falling time, Toff)을 합하여 정한다. 액정의 응답시간이 느리면 동영상 번짐(motion blur) 현상이 발생하여 디스플레이 품질이 저하된다.
한편 최근 요청되고 있는 응답시간 9ms이하와 구동전압 9V이하를 만족시키기 위한 구체적인 액정조성물, 셀갭 및 구동조건을 찾는 실험을 실시하였다.
먼저 본 발명에 따른 액정조성물을 다양한 회전점도를 갖도록 마련하여 셀갭 및 구동조건에 대한 실험을 실시하였다.
<셀갭 실험>
도 3은 구동전압(AVDD)을 8.5V 사용한 경우, 셀갭에 따른 응답시간을 측정한 결과이다.
셀갭이 3.5㎛일 때 가장 낮은 응답시간을 나타내었으며, 셀갭이 3.75㎛일 경우 9ms이하의 응답시간을 얻기 어려움을 확인할 수 있다. 셀갭이 3.5㎛보다 작게 되면 생산수율이 떨어질 수 있기 때문에 셀갭은 3.5㎛이상인 것이 바람직하다.
<구동전압 실험>
도 4는 셀갭이 3.5㎛인 경우 구동전압에 따른 응답시간을 측정한 결과이다.
구동전압이 7.8V로 낮은 경우 9ms이하의 응답시간을 얻기 어려움을 확인하였다.
다음으로 실시예 2의 액정조성물에 대하여 Vw(화이트 전압) 및 Vb(블랙 전압)를 구하는 실험을 실시하였다.
<화이트 전압 실험>
도 5는 셀갭이 3.5㎛인 경우 화이트 전압에 따른 응답시간을 측정한 결과이다. 화이트 전압이 0.6V로 낮을 경우 빠른 응답시간을 얻을 수 있음을 확인 할 수 있다.
<블랙 전압 실험>
셀갭이 3.5㎛인 경우 블랙전압에 따른 응답시간을 측정하였다. 블랙전압을 7.8V 사용하면 응답시간은 8.72ms로 비교적 높게 나오며, 블랙전압을 8.0V사용하면 응답시간이 8.44ms가 나옴을 확인하였다.
이상의 실험결과에 따라 응답시간 9ms이하와 구동전압 9V이하를 동시에 안정적으로 만족시키는 액정조성물, 셀갭, 구동조건 등에 대한 최적조건을 다음과 같이 설정하였다.
<최적조건>
액정조성물 : 실시예 2의 액정조성물
셀갭 : 3.6㎛
셀 지연값(Δnd) : 414nm
AVDD : 8.5V
블랙전압 : 8.0V
화이트 전압 : 0.6V
이상의 조건에서 측정한 결과 응답시간은 8.39ms가 되며, 대비비는 약 1100:1이 되었다. 또한 고온신뢰성테스트, 저온신뢰성테스트, 잔상테스트에서도 기준을 통과함을 확인하였다.
이상 설명한 최적조건은 응답시간 8ms 내지 9ms를 만족하는 한 실제적용에 있어 다소 변경될 수 있다. 구체적인 변경범위는 다음과 같다.
실시예 2에 따른 액정조성물은,
하나 이상의 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 5%,
하나 이상의 화학식 2의 화합물 2 : 35 내지 45%,
하나 이상의 화학식 3의 화합물 3 : 14 내지 18%,
하나 이상의 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 8%,
하나 이상의 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 15%,
하나 이상의 화학식 6의 화합물 6 : 10 내지 18%,
하나 이상의 화학식 7의 화합물 7 : 8 내지 10%을 포함할 수 있으며,
셀갭 : 3.5㎛ 내지 3.7㎛
셀 지연값 : 390nm 내지 440nm
AVDD : 8.3V 내지 8.8V
블랙전압 : 8.0 내지 8.5V
화이트 전압 : 0.5V 내지 0.7V
이 때 액정조성물은 상전이 온도는 74.0℃ 내지 76.0℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 8 내지 8.5, 회전점도는 60mPa·s 내지 65mPa·s일 수 있다.
비록 본 발명의 실시예가 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치에서 제1기판의 배치도이고,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따른 단면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 액정조성물에서 셀갭에 따른 응답시간을 측정한 결과를 나타내는 그래프이고,
도 4는 본 발명에 따른 액정조성물에서 구동전압에 따른 응답시간을 측정한 결과를 나타내는 그래프이고,
도 5는 본 발명에 따른 액정조성물에서 화이트 전압에 따른 응답시간을 특정한 결과를 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *
100 : 제1기판 161 : 화소전극
200 : 제2기판 251 : 공통전극
300 : 액정층
Claims (16)
- 하나 이상의 하기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 15%,하나 이상의 하기 화학식 2의 화합물 2 : 30 내지 50%,하나 이상의 하기 화학식 3의 화합물 3 : 5 내지 20%,하나 이상의 하기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 12%,하나 이상의 하기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 20%,하나 이상의 하기 화학식 6의 화합물 6 : 0 내지 20%,하나 이상의 하기 화학식 7의 화합물 7 : 4 내지 20%를 포함하는 액정조성물.화학식 1화학식 2화학식 3화학식 4화학식 5화학식 6화학식 7상기 식에서,X는 각 화합물에 독립적으로 탄소수가 3 내지 5인 알리파틱 그룹이며, Y는 탄소수가 1 또는 2인 알리파틱 그룹이다.
- 제1항에 있어서,상기 액정조성물의 상전이 온도는 70℃ 내지 80℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 7 내지 9, 회전점도는 55mPa·s 내지 70mPa·s인 것을 특징으로 하는 액정조성물.
- 제1항에 있어서,하나 이상의 상기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 5%,하나 이상의 상기 화학식 2의 화합물 2 : 35 내지 45%,하나 이상의 상기 화학식 3의 화합물 3 : 14 내지 18%,하나 이상의 상기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 8%,하나 이상의 상기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 15%,하나 이상의 상기 화학식 6의 화합물 6 : 10 내지 18%,하나 이상의 상기 화학식 7의 화합물 7 : 8 내지 10%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정조성물.
- 제3항에 있어서,상기 액정조성물의 상전이 온도는 74.0℃ 내지 76.0℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 8.0 내지 8.5, 회전점도는 60mPa·s 내지 65mPa·s인 것을 특징으로 하는 액정조성물.
- 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 제1기판과;상기 제1기판과 마주하며 공통전극을 포함하는 제2기판과;상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하며,상기 액정층의 액정조성물은하나 이상의 하기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 15%,하나 이상의 하기 화학식 2의 화합물 2 : 30 내지 50%,하나 이상의 하기 화학식 3의 화합물 3 : 5 내지 20%,하나 이상의 하기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 12%,하나 이상의 하기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 20%,하나 이상의 하기 화학식 6의 화합물 6 : 0 내지 20%,하나 이상의 하기 화학식 7의 화합물 7 : 4 내지 20%를 포함하는 액정표시장치.화학식 1화학식 2화학식 3화학식 4화학식 5화학식 6화학식 7상기 식에서,X는 각 화합물에 독립적으로 탄소수가 3 내지 5인 알리파틱 그룹이며, Y는 탄소수가 1 또는 2인 알리파틱 그룹이다.
- 제5항에 있어서,상기 액정조성물의 상전이 온도는 70℃ 내지 80℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 7 내지 9, 회전점도는 55mPa·s 내지 70mPa·s인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제5항에 있어서,상기 액정표시장치의 셀갭은 2.5㎛ 내지 3.7㎛인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제7항에 있어서,상기 액정표시장치의 구동전압(AVDD)은 8.0V 내지 13.0V인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제5항에 있어서,상기 액정조성물은,하나 이상의 상기 화학식 1의 화합물 1 : 1 내지 5%,하나 이상의 상기 화학식 2의 화합물 2 : 35 내지 45%,하나 이상의 상기 화학식 3의 화합물 3 : 14 내지 18%,하나 이상의 상기 화학식 4의 화합물 4 : 4 내지 8%,하나 이상의 상기 화학식 5의 화합물 5 : 10 내지 15%,하나 이상의 상기 화학식 6의 화합물 6 : 10 내지 18%,하나 이상의 상기 화학식 7의 화합물 7 : 8 내지 10%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제9항에 있어서,상기 액정조성물의 상전이 온도는 74.0℃ 내지 76.0℃, 굴절율이방성은 0.11 내지 0.12, 유전율이방성은 8.0 내지 8.5, 회전점도는 60mPa·s 내지 65mPa·s인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제9항에 있어서,상기 액정표시장치의 셀갭은 3.5㎛ 내지 3.7㎛인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제11항에 있어서,상기 액정표시장치의 구동전압(AVDD)은 8.3V 내지 8.8V인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제12항에 있어서,상기 액정표시장치의 블랙전압은 8.0V 내지 8.5V이고, 화이트 전압은 0.5V 내지 0.7V인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제13항에 있어서,상기 액정층의 응답시간은 8ms 내지 9ms인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제13항에 있어서,상기 액정층의 지연값은 390nm 내지 440nm인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제13항에 있어서,상기 액정표시장치의 대비비(contrast ratio)는 1000:1 내지 1200:1인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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