JP2012079691A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、発光素子と、が設けられた第１の基板と、
   前記トランジスタ及び前記発光素子を囲むように設けられたシール材により、前記第１の基板に固定された第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、水素イオン及び／または水素分子を吸着する機能を有する層と、を有し、
   前記発光素子は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極と重なる領域を有する第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された発光物質を含む有機層を有することを特徴とする半導体装置。
2. チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、発光素子と、が設けられた第１の基板と、
   前記トランジスタ及び前記発光素子を囲むように設けられたシール材により、前記第１の基板に固定された第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、ゼオライト及び／またはパラジウムを含む層と、を有し、
   前記発光素子は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極と重なる領域を有する第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された発光物質を含む有機層を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の電極は、開口部を有することを特徴とする半導体装置。