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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5897834B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-30 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
KR101926694B1 (ko) * 2012-05-30 2018-12-07 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법
KR101926678B1 (ko) * 2012-05-31 2018-12-11 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법
KR101897062B1 (ko) * 2012-05-31 2018-09-12 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법
JP6037671B2 (ja) 2012-06-19 2016-12-07 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
US8860040B2 (en) 2012-09-11 2014-10-14 Dow Corning Corporation High voltage power semiconductor devices on SiC
US9018639B2 (en) 2012-10-26 2015-04-28 Dow Corning Corporation Flat SiC semiconductor substrate
KR102131245B1 (ko) * 2013-06-28 2020-08-05 엘지이노텍 주식회사 에피택셜 웨이퍼
US9797064B2 (en) 2013-02-05 2017-10-24 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion
US9738991B2 (en) 2013-02-05 2017-08-22 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion
JP6122704B2 (ja) * 2013-06-13 2017-04-26 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
KR102165615B1 (ko) * 2013-06-24 2020-10-14 엘지이노텍 주식회사 에피택셜 웨이퍼
JP6136772B2 (ja) * 2013-08-30 2017-05-31 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法
JP6315579B2 (ja) 2014-07-28 2018-04-25 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
US9279192B2 (en) 2014-07-29 2016-03-08 Dow Corning Corporation Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology
WO2017090285A1 (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 住友電気工業株式会社 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6762484B2 (ja) * 2017-01-10 2020-09-30 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
WO2018211737A1 (ja) * 2017-05-17 2018-11-22 三菱電機株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP7125252B2 (ja) * 2017-08-30 2022-08-24 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP7239432B2 (ja) * 2019-09-27 2023-03-14 東海カーボン株式会社 多結晶ＳｉＣ成形体の製造方法
JP7610934B2 (ja) * 2020-07-21 2025-01-09 三菱電機株式会社 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法
JP2025078072A (ja) * 2023-11-07 2025-05-19 株式会社レゾナック ＳｉＣエピタキシャルウェハ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5285202B2 (ja) * 2004-03-26 2013-09-11 一般財団法人電力中央研究所 バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
JP2007182330A (ja) * 2004-08-24 2007-07-19 Bridgestone Corp 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法
JP2006321707A (ja) * 2005-04-22 2006-11-30 Bridgestone Corp 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法
JP4946202B2 (ja) * 2006-06-26 2012-06-06 日立金属株式会社 炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
JP4523935B2 (ja) * 2006-12-27 2010-08-11 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。
EP2196566A4 (en) * 2007-09-12 2011-11-30 Showa Denko Kk EPITACTIC SIC-INCREDIBLE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING EPICTIC SIC-INCREDIBLE SUBSTRATE
JP4959763B2 (ja) * 2009-08-28 2012-06-27 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法

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