JP6136772B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。まず、図1を参照して、本実施形態のSiC単結晶の製造に用いられるSiC単結晶の製造装置について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してスリット3dの形状を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対してスリット3dのレイアウトを変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対してスリット3dのレイアウトを変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
1c 台座
2 SiC原料粉末
3 種結晶
3a 螺旋転位発生可能領域
3b 低密度螺旋転位領域
3d スリット
4 SiC単結晶
4b c面ファセット
4c 螺旋転位
Claims (9)
- c面{0001}面に第1オフ角を有する炭化珪素基板にて構成され、該炭化珪素基板の一部が螺旋転位発生可能領域(3a)となり、前記螺旋転位発生可能領域ではない部分が低密度螺旋転位領域(3b)となった種結晶(3)を用意する工程と、
前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガスを供給することにより、前記種結晶上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる工程と、を含み、
前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、該種結晶のオフ方向のうち前記炭化珪素結晶に形成されるc面ファセットと対応する側を上流側とし、前記オフ方向の上流側に、前記炭化珪素基板に対して前記第1オフ角よりも小さな第2オフ角となる底面を有するスリット(3d)にて前記螺旋転位発生可能領域が構成され、かつ、前記スリットを該スリットの幅に対する深さの比であるアスペクト比を1以下として形成したものを用意することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記種結晶を用意する工程では、a面方向に少なくとも1回成長させた炭化珪素単結晶を切り出すことで種結晶を作製することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、前記スリットを複数本形成したものを用意することを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、複数本の前記スリットが同じ幅で形成されたものを用意することを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、前記スリットが該種結晶のオフ方向に対して斜めに形成されたものを用意することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、前記スリットが前記オフ方向において複数に分離されていると共に、分離された複数の前記スリットそれぞれが該種結晶のオフ方向に対して斜めにされる方向が交互に逆方向とされているものを用意することを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、前記第1オフ角の方向が<11−20>方向であるものを用意することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、前記第1オフ角の方向が<1−100>方向であるものを用意することを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、四角形もしくは円形のものを用意し、該四角形もしくは円形の外縁部に前記スリットが形成されたものを用意することを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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