JP7194407B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
(1) SiC(s) → Si(v)I + C(s)I
(2) 2SiC(s) → Si(v)II + SiC2(v)
(3) SiC(s) + Si(v)I+II → Si2C(v)
40 SiC基板
41 長尺片
42 単結晶SiC
Claims (6)
- 六方晶系の結晶構造を有する基板の(0001)面又は(000-1)面の一部を除去するか一部を成長させることで、c軸方向に突出するとともにc軸方向で見たときに長尺状となる長尺片を間隔を空けて複数形成するパターン形成工程と、
前記基板に対してc軸に垂直な方向及びc軸方向の結晶成長を行うことで、前記長尺片から成長させた単結晶同士を接続する結晶成長工程と、
を含む処理を行い、
前記基板がSiC基板であり、前記単結晶が単結晶SiCであり、
前記パターン形成工程で形成する前記長尺片には、c軸方向で見たときの長手方向と、前記基板の[11-20]方向と、がなす角の絶対値が、nをゼロ以上の整数として30°+60n°±15°の範囲内であるものが含まれており、
前記パターン形成工程で形成される前記長尺片は、前記基板の[11-20]方向に対してなす角が正の部分と、負の部分とが接続された折曲げ状であることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 請求項1に記載の単結晶の製造方法であって、
前記パターン形成工程で形成する前記長尺片には、c軸方向で見たときの長手方向と、前記基板の[11-20]方向と、がなす角の絶対値が、30°+60n°±10°の範囲内であることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の単結晶の製造方法であって、
隣り合う前記長尺片同士は、前記基板の<11-20>方向の何れかに移動させることで互いに重なる位置に形成されていることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 請求項1から3までの何れか一項に記載の単結晶の製造方法であって、
前記パターン形成工程で前記長尺片のパターンを形成するパターン形成領域において、少なくとも1つの前記長尺片は、当該パターン形成領域の一端から他端まで形成されていることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 請求項1から4までの何れか一項に記載の単結晶の製造方法であって、
前記パターン形成工程では、前記基板にレーザを照射することで複数の前記長尺片を形成することを特徴とする単結晶の製造方法。 - 六方晶系の結晶構造を有する基板の(0001)面又は(000-1)面の一部を除去するか一部を成長させることで、c軸方向に突出するとともにc軸方向で見たときに長尺状となる長尺片を間隔を空けて複数形成するパターン形成工程と、
前記基板に対してc軸に垂直な方向及びc軸方向の結晶成長を行うことで、前記長尺片から成長させた単結晶同士を接続する結晶成長工程と、
を含む処理を行い、
前記基板がSiC基板であり、前記単結晶が単結晶SiCであり、
前記パターン形成工程で形成する前記長尺片には、c軸方向で見たときの長手方向と、前記基板の[11-20]方向と、がなす角の絶対値が、nをゼロ以上の整数として30°+60n°±15°の範囲内であるものが含まれており、
前記結晶成長工程では、前記SiC基板と、当該SiC基板よりも自由エネルギーが高く、少なくともCを供給するフィード材と、の間にSi融液が存在する状態で加熱することで、前記SiC基板の表面に前記単結晶SiCを成長させる準安定溶媒エピタキシー法を行うことを特徴とする単結晶の製造方法。
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