JP2012038819A - 半導体レーザ装置および光装置 - Google Patents

半導体レーザ装置および光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012038819A
JP2012038819A JP2010175698A JP2010175698A JP2012038819A JP 2012038819 A JP2012038819 A JP 2012038819A JP 2010175698 A JP2010175698 A JP 2010175698A JP 2010175698 A JP2010175698 A JP 2010175698A JP 2012038819 A JP2012038819 A JP 2012038819A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
laser device
base
sealing
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010175698A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiko Hayashi
伸彦 林
Hideki Yoshikawa
秀樹 吉川
Keiichi Kuramoto
慶一 蔵本
Takenori Goto
壮謙 後藤
Yoshihisa Okayama
芳央 岡山
Seiichi Tokunaga
誠一 徳永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2010175698A priority Critical patent/JP2012038819A/ja
Priority to US13/191,847 priority patent/US20120033696A1/en
Priority to US13/191,683 priority patent/US20120033695A1/en
Priority to CN2011102266311A priority patent/CN102377106A/zh
Priority to CN2011102266241A priority patent/CN102377105A/zh
Publication of JP2012038819A publication Critical patent/JP2012038819A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02235—Getter material for absorbing contamination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232—Lead-frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】レーザ出射端面の付着物に起因して半導体レーザ素子が劣化することを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、ベース本体１０ａと封止用部材３０とからなり、内部に封止空間を有するパッケージ９０と、前記封止空間内に配置された青紫色半導体レーザ素子２０とを備える。パッケージ９０の封止空間内に位置するベース本体１０ａの表面、ＰＤ４２の外周部およびリード端子１１〜１３の表面がエチレン−ポリビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）からなる被覆剤１６により完全に覆われている。また、上記封止空間内に位置する封止用部材３０の内表面３０ｃがＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５により覆われている。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザ装置および光装置に関し、特に、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置およびこれを用いた光装置に関する。
従来、半導体レーザ素子は、光ディスクシステムや光通信システムなどの光源として広く用いられている。たとえば、約７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子は、ＣＤの再生用の光源として実用化されているとともに、約６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子は、ＤＶＤの記録・再生用の光源として実用化されている。また、約４０５ｎｍの波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子は、ブルーレイディスクの光源として実用化されている。
このような光源装置を実現するために、従来、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１〜３参照）。
上記特許文献１には、フランジ面が形成された樹脂成型品からなるヘッダと、ヘッダに取り付けられた半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の周囲を覆う樹脂製の透明キャップとを備えた半導体レーザのプラスチックモールド装置が開示されている。このプラスチックモールド装置では、透明キャップの開口縁部をエポキシ樹脂系材料を含有する接着剤を介してヘッダのフランジ面に接合することにより、半導体レーザ素子が気密封止されている。
また、上記特許文献２には、樹脂成型品からなるヘッダと、ヘッダの素子設置部に取り付けられた半導体レーザ素子と、断面がＬ字形状に形成された樹脂製の透明キャップ（蓋部材）とを備えた半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、透明キャップの外縁部を光硬化性接着剤などを介してヘッダの素子設置部に接合することにより、半導体レーザ素子が気密封止されている。
また、上記特許文献３には、金属材料からなる基板と、基板の上面上に取り付けられた面発光レーザ素子と、レーザ光源の周囲の空間を封止するパッケージ部材（封止用部材）とを備えた光モジュールが開示されている。この光モジュールにおけるパッケージ部材は、金属系材料や、金属系材料以外の樹脂系材料を用いて構成されている。このような樹脂系材料の１つとして、たとえば、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ樹脂）が例示されている。
特開平９−２０５２５１号公報 特開平１０−２０９５５１号公報 特開２００９−１３５３４７号公報
しかしながら、上記特許文献１および２に開示された半導体装置では、ヘッダと透明キャップとの接合にエポキシ樹脂系接着剤または光硬化性接着剤などが用いられている。これらの接着剤は、特に硬化前の状態において、有機ガスなどの揮発性のガス成分を多く含む場合には、接合後には上記揮発性のガスがパッケージ内に充満する虞がある。また、ヘッダおよび透明キャップが樹脂材料からなるため、半導体装置の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどが樹脂材料中を透過してパッケージ内に浸入する虞がある。この場合、特に青紫色半導体レーザ素子が封止されている場合には、低分子シロキサンや揮発性のガスが、発振波長が短く高エネルギーのレーザ光により励起・分解されることに起因して、半導体レーザ素子のレーザ出射端面に付着物が形成されやすい。この場合、付着物によってレーザ光が吸収されるので、レーザ出射端面の温度が上昇しやすい。その結果、半導体レーザ素子が劣化するという問題点がある。
また、上記特許文献３に開示された光モジュール（半導体装置）では、パッケージ部材に樹脂系材料を用いた場合、光モジュールの外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどが樹脂材料を中を透過してパッケージ内に浸入する虞がある。この際、ガスバリア性に優れるＥＶＯＨ樹脂を用いたとしても、パッケージ部材を形成する程度に厚みが増されたＥＶＯＨ樹脂では、外部からの衝撃力などに起因して部材中に容易にクラックが生じやすい。この場合、外部の低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがクラックの隙間を透過してパッケージ内に浸入する虞がある。この場合、レーザ出射端面に形成された付着物によってレーザ光が吸収されるので、レーザ出射端面の温度が上昇しやすく、半導体レーザ素子が劣化するという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、レーザ出射端面の付着物に起因して半導体レーザ素子が劣化することを抑制することが可能な半導体レーザ装置および光装置を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、複数の部材からなり、内部に封止空間を有するパッケージと、封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを備え、部材の封止空間内に位置する表面は、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる被覆剤により覆われている。
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、パッケージを構成する部材の封止空間内に位置する表面が、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）からなる被覆剤により覆われている。このように、ＥＶＯＨは、ガスバリア性に優れた樹脂材料であるので、パッケージの封止空間内に位置する部材から揮発性の有機ガスが発生する場合であっても、この被覆剤によって揮発性の有機ガスがパッケージの封止空間内に漏れ出るのを遮断することができる。また、半導体レーザ装置の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがパッケージの構成部材を透過したとしても、この被覆剤によってパッケージ内に浸入することを抑制することができる。さらに、ＥＶＯＨからは上記揮発成分が発生しにくいので、パッケージ内の半導体レーザ素子は、有機ガスなどに曝されない。この結果、レーザ出射端面に付着物が形成されることを抑制することができるので、半導体レーザ素子の劣化を抑制することができる。なお、ＥＶＯＨを、本発明の被覆剤として用いる点については、本願発明者が鋭意検討した結果、見い出した構成である。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、パッケージは、揮発性成分を含有する樹脂部材を含み、樹脂部材の封止空間内に位置する表面が、被覆剤により覆われている。このように構成すれば、樹脂部材中の揮発性の有機ガスがパッケージの封止空間内に漏れ出ることを有効に遮断することができる。また、パッケージに樹脂部材を用いることができるので、従来の金属材料を用いてパッケージを形成する場合と比較して、製造プロセスを簡素化することができる。このように製造プロセスが簡素化されるので、半導体レーザ装置を安価に製造することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられる樹脂製のベースを含み、ベースの封止空間内に位置する表面が、被覆剤により覆われている。このように構成すれば、ベースが含有する揮発性の有機ガスがパッケージの封止空間内に漏れ出ることを有効に遮断することができる。また、ベースを樹脂製とすることができるので、半導体レーザ装置を安価に製造することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられるベースと、ベースに取り付けられる封止用部材とを含み、封止用部材の封止空間内に位置する表面が、被覆剤により覆われている。このように構成すれば、封止用部材の封止空間側の表面に付着している汚染物質などが被覆剤により覆われるので、このような汚染物質から発生される有機ガスがパッケージの封止空間内に充満したり、汚染物質自体が封止用部材の表面から離脱して封止空間内を漂うことを抑制することができる。また、封止用部材の表面（片面）上に設けられた被覆剤によって、封止用部材の強度（剛性）を向上させることができる。この結果、安価な部材を用いても所定の剛性を有する封止用部材を容易に形成することができる。
この発明の第２の局面による光装置は、複数の部材からなり、内部に封止空間を有するパッケージと、封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを含む半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、部材の封止空間内に位置する表面は、ＥＶＯＨからなる被覆剤により覆われている。
この発明の第２の局面による光装置では、半導体レーザ装置が上記のように構成されているので、半導体レーザ素子が劣化することが抑制された半導体レーザ装置を搭載した光装置を得ることができる。
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置のベースと封止用部材とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のベースと封止用部材とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置のベースとキャップとが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置のキャップとベースとが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置におけるキャップの製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置におけるキャップの製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置におけるキャップの製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した縦断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した上面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第６実施形態による３波長半導体レーザ装置の封止用部材を外した状態を示した上面図である。 本発明の第６実施形態による３波長半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００は、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ９０とを備えている。パッケージ９０は、青紫色半導体レーザ素子２０が取り付けられるベース１０と、ベース１０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を上方（Ｃ２側）および前方（Ａ１側）の２方向から覆う封止用部材３０とを有している。なお、青紫色半導体レーザ素子２０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。
ベース１０は、図１に示すように、ポリアミド樹脂により形成された厚みｔ１（Ｃ方向）を有する平板状のベース本体１０ａを有している。また、ベース本体１０ａの前方の約半分の領域には、下方（Ｃ１側）に向かって厚みｔ１の約半分の深さに窪む凹部１０ｂが形成されている。また、ベース本体１０ａの前方の前壁部１０ｃには、幅方向（Ｂ方向）の中央部に幅Ｗ３を有する略矩形状の開口部１０ｄが設けられている。したがって、凹部１０ｂには、上面１０ｉに開口する略矩形状の開口部１０ｅと、前方に開口する開口部１０ｄとが配置されている。また、凹部１０ｂは、前壁部１０ｃと、前壁部１０ｃの両側端部から後方（Ａ２側）に略平行に延びる一対の側壁部１０ｆと、側壁部１０ｆの後方側（Ａ２側）の端部を繋ぐ内壁部１０ｇと、前壁部１０ｃ、一対の側壁部１０ｆおよび内壁部１０ｇが下部で繋がる底面とによって構成されている。
また、ベース１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、１２および１３が、互いに絶縁された状態でベース本体１０ａを前方から後方に貫通するように配置されている。また、平面的に見て、リード端子１１は、ベース本体１０ａのＢ方向の略中心を貫通するとともに、リード端子１１の幅方向の外側（Ｂ２側およびＢ１側）には、それぞれリード端子１２および１３が配置されている。また、リード端子１１、１２および１３は、各々の後方に延びた後端領域が、ベース本体１０ａの後方の後壁部１０ｈからそれぞれ露出している。
また、リード端子１１、１２および１３の前方の前端領域１１ａ、１２ａおよび１３ａは、ベース本体１０ａの内壁部１０ｇからそれぞれ露出しており、前端領域１１ａ〜１３ａは、共に凹部１０ｂの底面上に配置されている。また、リード端子１１の前端領域１１ａは、凹部１０ｂの底面上でＢ方向に広がっている。
また、リード端子１１には、前端領域１１ａに接続される一対の放熱部１１ｄが一体的に形成されている。一対の放熱部１１ｄは、リード端子１１を中心としてＢ方向の両側に略対称に配置されている。また、放熱部１１ｄは、前端領域１１ａから延びるとともにベース本体１０ａの側面からＢ１方向およびＢ２方向に貫通してベース１０の外部に露出している。したがって、動作する青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱が、サブマウント４０および両側の放熱部１１ｄに伝達されて半導体レーザ装置１００の外部に放熱されるように構成されている。
封止用部材３０は、アルミ箔により形成されている。封止用部材３０は、図１に示すように、約５０μｍの厚みｔ２および幅Ｗ１（Ｂ方向）を有する天面部３０ａと、天面部３０ａの一方側（Ａ１側）の端部において折り曲げられて下方に延びる厚みｔ２および幅Ｗ２（Ｗ２≦Ｗ１）を有する前面部３０ｂとを有する。また、天面部３０ａと前面部３０ｂとは互いに略直交した状態で形成されることにより、封止用部材３０はＡ方向の側断面が略Ｌ字形状を有する。なお、前面部３０ｂの幅Ｗ２は、開口部１０ｄのＢ方向の開口長さＷ３よりも大きい（Ｗ２＞Ｗ３）。
また、図２に示すように、封止用部材３０の裏面（内表面３０ｃ）上の略全ての領域に約０．２ｍｍの厚みを有する封止剤１５が塗布されている。なお、封止剤１５には、ＥＶＯＨ樹脂であるエバール（登録商標、クラレ製：エバールＦ１０４Ｂ）を用いている。ＥＶＯＨ樹脂は、ガスバリア性に優れた材料であり、主に多層フィルムとして食品包装材などに使用される。
また、前面部３０ｂの略中央部には、封止用部材３０を厚み方向に貫通する１つの孔部３４（窓部）が設けられている。そして、前面部３０ｂの外側（Ａ１側）から孔部３４を覆うように約０．２５ｍｍの厚みを有する硼珪酸ガラスからなる透光性を有する光透過部３５が設けられている。この際、光透過部３５は、孔部３４の周りに塗布された約０．１ｍｍの厚みを有する封止剤１５を介して前面部３０ｂに貼り付けられている。したがって、孔部３４は、封止剤１５を介して取り付けられた光透過部３５により完全に塞がれている。また、光透過部３５のＡ１側およびＡ２側の表面上には、Ａｌ２Ｏ３からなる誘電体膜３１が形成されている。
この状態で、封止用部材３０とベース１０とは、封止剤１５を介して接合されている。すなわち、封止用部材３０は、上面１０ｉにおける開口部１０ｅの周辺（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆおよび前壁部１０ｃの各々の上面）と、前面（前壁部１０ｃの外側面（Ａ１側））における開口部１０ｄの周辺とにおいて封止剤１５を介してベース１０に取り付けられている。また、上記した封止剤１５による接合領域は、環状に形成されている。これにより、開口部１０ｄおよび１０ｅは、封止用部材３０により完全に塞がれており、青紫色半導体レーザ素子２０をパッケージ９０によって封止している。したがって、半導体レーザ装置１００では、パッケージ９０の内部の光出射面に揮発成分による付着物などが生じないかまたは生じにくいように構成されている。
また、リード端子１１の前端領域１１ａの上面略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０が、導電性を有するサブマウント４０を介して取り付けられている。
ここで、青紫色半導体レーザ素子２０は、光出射面を前方に向けてジャンクションアップ方式で取り付けられている。なお、青紫色半導体レーザ素子２０に形成されている一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面、相対的に小さい方の端面が光反射面であって、レーザ光は、Ａ１方向に出射される。また、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面および光反射面には、製造プロセスにおける端面コート処理により、ＡｌＮ膜やＡｌ２Ｏ３膜などからなる誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。
また、青紫色半導体レーザ素子２０の上面に形成されたｐ側電極２１には、Ａｕなどからなる金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、前端領域１２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極２２は、サブマウント４０を介して前端領域１１ａに電気的に接続されている。
また、サブマウント４０の後方の青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面側には、レーザ光強度をモニタするために用いられるフォトダイオード（ＰＤ）４２が受光面を上方に向けて配置されている。そして、平板状のＰＤ４２の下面（ｎ型領域）をＡｇペーストなどからなる導電性接着層５を介して前端領域１１ａに電気的に接続するとともに、ＰＤ４２の上面（ｐ型領域）には、Ａｕなどからなる金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、前端領域１３ａに接続されている。
また、図１および図２に示すように、パッケージ９０の封止空間（ベース１０と封止用部材３０とによって囲まれた閉空間）内に位置する各部材の表面には、ＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤１６が所定厚みを有して塗布されている。詳細に説明すると、被覆剤１６は、凹部１０ｂの内側面（前壁部１０ｃ、一対の側壁部１０ｆおよび内壁部１０ｇの内側面および凹部１０ｂの底面）と、サブマウント４０およびＰＤ４２が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、前端領域１２ａおよび１３ａの表面とを連続的に覆っている。この際、導電性接着層５がＰＤ４２の下部からはみ出た部分の表面も被覆剤１６により覆われている。また、内表面３０ｃ上に塗布された封止剤１５のうち、パッケージ９０の封止空間内に露出する封止剤１５は、本発明の「被覆剤」としての役割を兼ねている。したがって、パッケージ９０の封止空間内に位置する樹脂製のベース本体１０ａ、リード端子１１〜１３、および封止用部材３０の表面が、本発明の「被覆剤」により完全に覆われている。
また、図１に示すように、パッケージ９０内のサブマウント４０の側方（Ｂ１側）における前端領域１１ａ上に、被覆剤１６を介してシリカゲルからなるガス吸収剤４９が設けられている。また、ガス吸収剤４９は、底面を下にした略半球状に形成されており、底面から球面の頂部までの高さが凹部１０ｂの深さ（ｔ１／２）よりも若干小さく設定されている。これにより、後述するように、ガス吸収剤４９は、前端領域１１ａと封止用部材３０の裏面（内表面３０ｃ）の封止剤１５に接着した状態で、凹部１０ｂ内に固定されている。このようにして、半導体レーザ装置１００が構成されている。
次に、図１〜図７を参照して、第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。
まず、図３に示すように、鉄や銅などの帯状の薄板からなる金属板をエッチングすることにより、放熱部１１ｄが前端領域１１ａと一体的に形成されたリード端子１１と、リード端子１１の両側に配置されたリード端子１２および１３とが、横方向（Ｂ方向）に繰り返しパターニングされたリードフレーム１０４を形成する。この際、各リード端子１２および１３は、横方向に延びる連結部１０１および１０２により連結された状態でパターニングされる。また、各放熱部１１ｄは、横方向に延びる連結部１０３により連結された状態でパターニングされる。
その後、図４に示すように、一組のリード端子１１〜１３が貫通するベース本体１０ａと、各端子の前端領域１１ａ〜１３ａが底面上に露出するような凹部１０ｂとを有するベース１０（図１参照）を、樹脂成型装置を用いてリードフレーム１０４に成型する。この際、ベース本体１０ａは、各リード端子１１〜１３の前端領域１１ａ〜１３ａが、共に凹部１０ｂ内に配置されるようにモールド成型される。
また、所定の製造プロセスを用いて、青紫色半導体レーザ素子２０、ＰＤ４２およびサブマウント４０を作製する。そして、サブマウント４０の一方の表面（上面）上に、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のチップを接合する。この際、ｎ側電極２２側がサブマウント４０の上面に接合される。
その後、図４に示すように、導電性接着層（図示せず）を介して、前端領域１１ａの上面略中央（横方向）の上面上に、サブマウント４０を接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０が接合されていないサブマウント４０の下面側が前端領域１１ａの上面に接合される。続いて、サブマウント４０の後方であり、かつ、前端領域１１ａと内壁部１０ｇとの間に、導電性接着層５を用いてＰＤ４２の下面を接合する。この際、ＰＤ４２は、ｎ型領域側がリード端子１１に接合される。
その後、図１に示すように、金属線９１を用いてｐ側電極２１と前端領域１２ａとを接続する。また、金属線９２を用いてＰＤ４２のｐ型領域（上面）と前端領域１３ａとを接続する。
その後、ベース１０を約２３０℃に加熱した状態で、凹部１０ｂの内側面（前壁部１０ｃ、一対の側壁部１０ｆおよび内壁部１０ｇの内側面および凹部１０ｂの底面）と、サブマウント４０およびＰＤ４２が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、前端領域１２ａおよび１３ａの表面とを連続的に覆うように被覆剤１６を塗布する。これにより、金属線９１および９２のリード端子側の端部近傍にも被覆剤１６が塗布される。
ベース１０を冷却した後、図４に示すように、分離線１８０および１９０に沿って切断することにより、連結部１０１、１０２および１０３を切断除去する。その後、ガス吸収剤４９を、サブマウント４０の側方（Ｂ１側）における前端領域１１ａ上に載置する。この際、ガス吸収剤４９の平坦な底面を下にして載置するとともに、球面の頂部が開口部１０ｅ（上面１０ｉ）よりも若干小さい状態で載置する。
一方、図５に示すように、約１７μｍの厚みを有するシート状のアルミ箔１３０を約２２０℃に加熱した状態で、裏面１３０ｂ上の全面に封止剤１５を約０．２ｍｍの厚みで塗布する。その後、アルミ箔１３０の所定領域に孔部３４を所定の間隔を隔てて複数形成する。
その後、図６に示すように、約２２０℃に加熱したアルミ箔１３０の上面１３０ａ上の各々の孔部３４の周囲に、封止剤１５を円環状に塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、誘電体膜３１が形成されている略円盤状の光透過部３５を孔部３４上を塞ぐように圧着する。その後、アルミ箔１３０を冷却することにより、光透過部３５を封止剤１５を介してアルミ箔１３０に貼り付ける。なお、冷却により、裏面１３０ｂ上に塗布されている封止剤１５も硬化するので、板状となった封止用部材３０には所定の大きさの剛性が生じる。その後、図７に示すように、アルミ箔１３０を、封止用部材３０を平面上に展開した形状に切り抜く。
その後、ベース１０を約２２０℃に加熱した状態で、折り曲げられていない状態の封止用部材３０をベース１０の上面に熱圧着するとともに、前面部３０ｂを天面部３０ａに対して垂直な方向になるように前壁部１０ｃに沿って封止用部材３０を折り曲げながら前壁部１０ｃの前面に熱圧着する。なお、封止用部材３０は、周囲の熱によって封止剤１５が溶融し始めるのでアルミ箔１３０が変形可能な状態となる。その後、ベース１０を冷却することにより、ベース１０に対して封止用部材３０が取り付けられる。この封止用部材３０の取り付け時、前端領域１１ａと封止用部材３０の裏面の封止剤１５が溶融した状態でガス吸収剤４９と接触するため、冷却後、前端領域１１ａと封止用部材３０の裏面の封止剤１５にガス吸収剤４９が固着することができる。これにより、封止用部材３０が図２に示した形状に形成される。このようにして、半導体レーザ装置１００が形成される。
上記のように、パッケージ９０の封止空間（ベース１０と封止用部材３０とによって囲まれた閉空間）内に位置する樹脂製のベース本体１０ａ、ＰＤ４２の外周部、および、金属製のリード端子１１〜１３などの表面が、ＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤１６により完全に覆われている。これにより、ベース１０の材料（ポリアミド樹脂）や導電性接着剤５（Ａｇペースト）などから揮発性の有機ガスが発生する場合であっても、被覆剤１６によって揮発性の有機ガスがパッケージ９０の封止空間内に漏れ出るのを遮断することができる。また、半導体レーザ装置１００の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがパッケージ９０の構成部材を透過したとしても、被覆剤１６によってパッケージ９０内に浸入することを抑制することができる。さらに、ＥＶＯＨ樹脂からは上記揮発成分が発生しにくいので、パッケージ９０内の半導体レーザ素子２０は、有機ガスなどに曝されない。この結果、レーザ出射端面に付着物が形成されることを抑制することができるので、半導体レーザ素子２０の劣化を抑制することができる。
また、ポリアミド樹脂を用いてベース１０を形成することによって、従来の金属材料を用いてパッケージを形成する場合などと比較して、製造プロセスを簡素化することができる。材料コストおよび製造プロセスが簡素化される点で、半導体レーザ装置１００を安価に製造することができる。
また、ＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５が内表面３０ｃ上全体に形成されている。これにより、封止用部材３０の封止空間側の表面（内表面３０ｃ）に付着している汚染物質などが封止剤１５により覆われるので、このような汚染物質から発生される有機ガスがパッケージ９０の封止空間内に充満したり、汚染物質自体が封止用部材３０の表面から離脱して封止空間内を漂うことを抑制することができる。また、封止用部材３０を、薄膜状であるために通常ではパッケージ９０の構成部材としての強度に満たないアルミ箔１３０により形成しても、内表面３０ｃ上全体に設けられた封止剤１５によって、物理的強度（剛性）を高められる。この結果、安価な金属箔を用いても所定の剛性を有する封止用部材３０を容易に構成することができる。また、剛性を高めることにより、製造工程上での不要な変形を防止することができる。さらには、製造工程上での取り扱いも容易になる。
また、ベース１０、封止用部材３０および光透過部３５の各々が、互いに、ＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５を介して接合されている。このガスバリア性に優れた樹脂材料により、半導体レーザ装置１００の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどが、封止剤１５を透過してパッケージ９０内に浸入することを抑制することができる。この結果、青紫色半導体レーザ素子２０の劣化をさらに抑制することができる。
また、光透過部３５は、封止剤１５を介して封止用部材３０に取り付けられている。すなわち、封止剤１５を用いることにより、光透過部３５と封止用部材３０とは、アクリル樹脂系接着剤やエポキシ樹脂系接着剤などの接着剤を使用することなく接合されるので、パッケージ９０内に封止された青紫色半導体レーザ素子２０は、接着剤が発する有機ガスに曝されない。したがって、青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することを有効に抑制することができる。
また、上記したＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５は、加熱（約２２０℃）により溶融する性質を有する樹脂材料であるので、封止用部材３０と光透過部３５との接合部分や、封止用部材３０とベース１０との接合部分に容易に塗布することができる。また、除温（冷却）に伴う封止剤１５の硬化により上記した部材同士の接合を容易に行うことができる。これにより、複雑な製造プロセスを必要とすることなく、ベース１０、封止用部材３０および光透過部３５を互いに接合してパッケージ９０を封止することができる。
ここで、封止剤１５および被覆剤１６としてＥＶＯＨ樹脂を用いることの有用性を確認するため、以下の実験を行った。まず、９ｍｍの直径（外径）を有する金属製のステム（ベース）に青紫色半導体レーザ素子２０を取り付けるとともに、金属製のキャップ（ガラス窓付き）の内側面に約５ｍｇにカットしたＥＶＯＨ樹脂のペレットを入れた状態でキャップを被せて封止を行った。そして、７０℃の条件で、青紫色半導体レーザ素子２０から、自動光量制御（ＡＰＣ）により、１０ｍＷの出力に調整されたレーザ光を２５０時間出射して動作試験を行った。この結果、２５０時間経過後においても半導体レーザ装置の動作電流に顕著な変化は生じなかった。なお、比較例として、ＥＶＯＨ樹脂を入れない状態で封止した半導体レーザ装置における動作試験を行った。２５０時間経過後の比較例と比較しても、動作電流に顕著な差異が見られなかった。この結果から、ＥＶＯＨ樹脂からは、有機ガスなどが極めて発生しにくいことが確認され、封止剤１５および被覆剤１６にＥＶＯＨ樹脂を用いることの有用性が確認された。
また、封止用部材３０は、半導体レーザ素子を覆うようにベース１０に取り付けられており、封止用部材３０と光透過部３５とは、封止剤１５を介して接合されている。これにより、封止用部材３０と光透過部３５とを封止剤１５により接合する際に、透光性を有する光透過部３５を通して封止剤１５の接合状態を確認することができるので、封止剤１５中に気泡などを混入させることなく封止用部材３０と光透過部３５とを確実に接合することができる。この結果、接合箇所における封止用部材３０と光透過部３５との密着性を高めることができる。また、光透過部３５は、金属製９１および９２とは離間された位置に設けられるので、金属製９１および９２の半田溶融時の熱の影響を受けにくい。ＥＶＯＨ樹脂が熱可塑性を有する点を考慮すると、本発明の封止剤１５を、熱の影響を受けにくい光透過部３５の接合に用いる点で有効である。
また、封止用部材３０と光透過部３５とを封止剤１５により熱圧着して接合し、その後、封止用部材３０とベース１０とを封止剤１５により熱圧着して接合している。すなわち、半導体レーザ装置１００の製造プロセスでは、製造工程上での取り扱いが容易なＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５を用いるので、複雑な製造プロセスを必要とすることなく、ベース１０、封止用部材３０および光透過部３５を互いに接合してパッケージ９０を封止することができる。
また、パッケージ９０内にガス吸収剤４９を設けることによって、ガス吸収剤４９に、ベース本体１０ａが発生する揮発性の有機ガスを吸収させることができる。これにより、パッケージ９０内の有機ガス濃度を小さくすることができる。その結果、青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することをより確実に抑制することができる。
（第１実施形態の変形例）
次に、第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置１０５について説明する。この半導体レーザ装置１０５では、図８に示すように、約５０μｍの厚みを有するアルミ箔を用いて封止用部材３０を形成している。この際、パッケージ９０の封止空間内に位置する封止用部材３０の内表面３０ｃ上には、封止剤１５が塗布されておらず、アルミ箔の表面が封止空間内に露出している。一方、図１に示した開口部１０ｅおよび１０ｄの周囲を囲むように、ベース本体１０ａの上面１０ｉにおける開口部１０ｅの周辺領域（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆおよび前壁部１０ｃの各々の上面）と、前面（前壁部１０ｃの外側面（Ａ１側））における開口部１０ｄの周辺領域上とに、封止剤１５が所定厚みを有して塗布されている。この状態で、封止用部材３０が、天面部３０ａおよび前面部３０ｂの内表面３０ｃの外縁部近傍を封止剤１５に密着させてベース１０に取り付けられている。なお、第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置１０５のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、半導体レーザ装置１０５の製造プロセスでは、下面１３０ｂ上に封止剤１５が塗布されていないアルミ箔１３０（図５参照）に対して、第１実施形態と同様に光透過部３５を貼り付ける。第１実施形態と同様の封止用部材３０を作製した後、光透過部３５が外側になるように前面部３０ｂの部分を天面部３０ａに対して垂直な方向に折り曲げる。これにより、封止用部材３０は、第１実施形態と異なり、ベース１０に熱圧着される前に予め図８に示した形状に成形される。
その後、ベース１０を約２２０℃に加熱した状態で、ベース１０の開口部１０ｅおよび１０ｄの周囲を囲むように、上面１０ｉにおける開口部１０ｅの周辺（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆおよび前壁部１０ｃの各々の上面）と、前面（前壁部１０ｃの外側面）における開口部１０ｄの周辺上とを連続的に覆うように封止剤１５を塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、封止用部材３０をベース１０に対して熱圧着する。その後、ベース１０を冷却することにより、ベース１０に対して封止用部材３０が取り付けられる。
なお、その他のプロセスは、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。また、第１実施形態の変形例の効果は、第１実施形態と同様である。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００について説明する。この半導体レーザ装置２００では、図９および図１０に示すように、パッケージ９０は、ベース１０と、ベース１０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を上方（Ｃ２側）および前方（Ａ１側）からそれぞれ覆う封止用部材４５および窓用部材４６とを有している。なお、半導体レーザ装置２００では、凹部１０ｂ内にガス吸収剤４９（図１参照）は設けられていないが、凹部１０ｂ内にガス吸収剤４９を設けてもよい。
封止用部材４５は、約１５μｍの厚みｔ３を有する洋白などのＣｕ合金箔シートからなる。また、封止用部材４５は、ベース本体１０ａの平面形状と略同一の平面形状を有しており、後方の幅はＷ２１、前方の幅はＷ２２である。また、封止用部材４５の裏面４５ｃ上の略全ての領域に約０．２ｍｍの厚みを有する封止剤１５が塗布されている。
窓用部材４６は、硼珪酸ガラス（硬質ガラス）からなる平板状のガラス板からなる。また、窓用部材４６は、約０．２５ｍｍの厚みｔ４（Ａ方向）、幅Ｗ２（Ｂ方向）および凹部１０ｂの深さ（ｔ１／２）と略等しい高さＷ２３（Ｃ方向）を有しており、開口部１０ｄ内に取り付けられている。この際、窓用部材４６とベース本体１０ａとの間には、開口部１０ｄの内側面（開口部１０ｄにおけるリード端子１１の前端領域１１ａの上面、および、一対の側壁部１０ｆの各々の内側面）を連続的に覆う封止剤１５が、所定厚みを有して塗布されている。この状態で、窓用部材４６は、下面４６ａおよび両側面４６ｃを封止剤１５に密着させた状態で取り付けられている。また、窓用部材４６の表面（Ａ１側およびＡ２側）上には、誘電体膜３１が形成されている。
そして、封止用部材４５が、開口部１０ｅの上方からベース１０に取り付けられている。すなわち、封止用部材４５は、ベース本体１０ａの上面１０ｉ上（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆの各々の上面上）と、封止用部材４６の上面４６ｂ上とにおいて、封止剤１５を介してベース１０に取り付けられている。また、放熱部２１１ｄが、ベース本体１０ａの後方領域に設けられている。
また、サブマウント４０の後方（Ａ２側）の青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面側には、ＰＤ４２が受光面を上方（Ｃ２方向）に向けて配置されている。そして、ＰＤ４２の下面（ｎ型領域）がサブマウント４０に電気的に接続されている。なお、半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、半導体レーザ装置２００の製造プロセスでは、まず、放熱部２１１ｄがリード端子１１〜１３とともに繰り返しパターニングされたリードフレームを形成した後、樹脂成型装置を用いて、ベース本体１０ａをモールド成型する。また、ベース本体１０ａは、前端部２１０ｃがリード端子１１の前端領域１１ａの前端面２１１ｅと同一面上に揃うように成型される。
その後、ベース１０を約２２０℃に加熱した状態で、開口部１０ｄの内側面（開口部１０ｄにおける前端領域１１ａの上面および一対の側壁部１０ｆの各々の内側面）上に、封止剤１５（図９参照）を塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、開口部１０ｄに嵌め込むようにして窓用部材４６を熱圧着しながら取り付ける。これにより、窓用部材４６が、下面４６ａおよび両側面４６ｃを封止剤１５を介して前端領域１１ａの上面および側壁部１０ｆの内側面に密着させた状態でベース本体１０ａに取り付けられる。
その後、ベース１０に対して、ＵＶクリーニング処理または真空中における約２００℃の加温処理を行う。これにより、凹部１０ｂに付着する製造プロセス中の汚れや、ポリアミド樹脂に含まれる水分や溶剤を蒸発して除去する。
その後、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０およびＰＤ４２が接合されたサブマウント４０を、前端領域１１ａの上面略中央（横方向）に接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面を窓用部材４６側に向けるとともに、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面およびＰＤ４２を内壁部１０ｇ側に向けて配置する。
その後、金属線９１を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２１とリード端子１２の前端領域１２ａとを接続する。また、金属線９２を用いてＰＤ４２の上面とリード端子１３の前端領域１３ａとを接続する。
また、封止用部材４５については、約２２０℃に加熱した状態で、裏面４５ｃ上の全面に封止剤１５（ＥＶＯＨ樹脂）を約０．２ｍｍの厚みで塗布し、冷却後、ベース本体１０ａの平面形状と略同一の平面形状（図９参照）を有するように洋白シートを切り抜くことにより形成される。
その後、ベース１０を約２２０℃に加熱した状態で、封止用部材４５を、開口部１０ｄを覆うように上面１０ｉ上および上面４６ｂ上に熱圧着する。これにより、封止用部材４５が、裏面４５ｃを封止剤１５を介して上面１０ｉ上および上面４６ｂ上に密着させた状態でベース本体１０ａに取り付けられる。なお、その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと略同様である。
第２実施形態では、上記のように、ベース本体１０ａの開口部１０ｄを、封止剤１５を介して窓用部材４６により封止するとともに、ベース本体１０ａの開口部１０ｅを、封止剤１５を介して封止用部材４５により封止している。封止剤１５を用いて、ベース本体１０ａと窓用部材４６および封止用部材４５とをさらに隙間なく強固に取り付けることができるので、パッケージ９０を確実に封止することができる。これにより、パッケージ９０内部の青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することを抑制することができる。
また、ベース本体１０ａの上面１０ｉから前端部２１０ｃにかけて開口する開口部１０ｄおよび１０ｅを、封止用部材４５および窓用部材４６によりそれぞれ封止しているので、開口部１０ｅの上面１０ｉ側と開口部１０ｄの前端部２１０ｃ側との境界部分に隙間が生じにくい。これにより、パッケージ９０を確実に封止することができる。ので、パッケージ９０内部の青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することを確実に抑制することができる。
また、封止剤１５を介して窓用部材４６および封止用部材４５をベース本体１０ａに取り付けることによって、製造コストを増加させることなく既存の製造設備を用いて半導体レーザ装置２００を容易に製造することができる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置３００について説明する。この半導体レーザ装置３００では、図１１および図１２に示すように、金属製のベース３１０と金属製のキャップ３３０とによってパッケージ９０が構成されている。なお、キャップ３３０は、本発明の「封止用部材」の一例である。
ベース３１０は、表面にＮｉ−Ａｕめっきを施したＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であるコバールからなる。ベース３１０は、所定の厚み（Ａ方向）を有して略円盤状に形成されたステム部３１０ａと、ステム部３１０ａの前面３１０ｃの下部領域（Ｃ１側）に形成され、断面（幅方向（Ｂ方向））が半月形状を有した状態で前方（レーザ光出射方向（Ａ１方向））に突出する台座部３１０ｂとを有する。
また、ベース３１０には、ステム部３１０ａと導通するリード端子１１と、各々がリード端子１１とコバールガラスなどの低融点ガラス３１９により密閉されて絶縁された状態でステム部３１０ａを前方から後方（Ａ２側）に貫通するように配置されたリード端子１２および１３とが設けられている。また、リード端子１１〜１３は、各々の後方に延びた後端領域が、ステム部３１０ａの後方の後面３１０ｈからそれぞれ露出している。
また、台座部３１０ｂの上面略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０がサブマウント４０を介して取り付けられている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面（Ａ２側）と対向する位置におけるステム部３１０ａの前面３１０ｃ上には、ＰＤ４２が受光面を前方に向けて配置されている。また、ＰＤ４２の下面（ｎ型領域）が導電性接着層５を介してステム部３１０ａに電気的に接続されている。また、ＰＤ４２の受光面を除く外周部と、この外周部に沿ってはみ出た導電性接着層５の表面と、導電性接着層５の周囲におけるステム部３１０ａの表面を覆うように、被覆剤１６が周状に塗布されている。
キャップ３３０は、本体が表面にＮｉめっきを施したコバールにより形成されており、略円筒状に形成された側壁部３３０ａと、側壁部３３０ａの一方（Ａ１側）を塞ぐ底部３３０ｂとを有する。また、キャップ３３０の側壁部３３０ａが開口する側（Ａ２側）には、取付部３３０ｇが周状に形成されている。また、取付部３３０ｇの端面３３０ｈには、抵抗溶接時に使用される突起部３３０ｉが形成されている。
また、キャップ３３０の底部３３０ｂの略中央部には、孔部３４が設けられている。そして、底部３３０ｂの外側（Ａ１側）から孔部３４を覆うように矩形状に形成された硼珪酸ガラス製の光透過部３５が設けられている。この際、光透過部３５は、孔部３４の周りに塗布された約０．１ｍｍの厚みを有する封止剤１５を介して底部３３０ｂに貼り付けられている。
また、図１２に示すように、光透過部３５の外縁部に沿って、底部３３０ｂと封止剤１５と光透過部３５とに接触するように被覆剤１８が周状に盛り付けられている。すなわち、底部３３０ｂと光透過部３５とを接合する封止剤１５の側面（外側面）は、封止剤１５よりも透湿度が小さい材料からなる被覆剤１８により覆われている。この被覆剤１８には、エポキシ樹脂などからなる光硬化または熱硬化性樹脂のうち透湿度が低い材料を選んで用いている。なお、被覆剤１８は、本発明の「透湿度が小さい材料からなる樹脂」の一例である。したがって、したがって、被覆剤１８により、封止剤１５が外気と直接接触することが防止されている。なお、キャップ３３０の内表面３３０ｃには、被覆剤１６は塗布されていない。
なお、半導体レーザ装置３００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、半導体レーザ装置３００の製造プロセスでは、まず、図１１に示すように、リード端子１１〜１３が設けられたベース３１０の台座部３１０ｂ上に、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０が接合されたサブマウント４０を接合する。続いて、サブマウント４０の後方であり、かつ、台座部３１０ｂの上方の前面３１０ｃ上に、導電性接着層５を用いてＰＤ４２の下面（ｎ型領域）を接合する。
その後、ＰＤ４２の外周部を覆うように予め枠状にカットされた被覆剤１６（ＥＶＯＨ樹脂）のフィルムを受光面に接触しないようにＰＤ４２の上方から被せる。この状態で、ベース３１０を約２００℃に加熱することにより、被覆剤１６が溶融して、ＰＤ４２の受光面を除く外周部と、この外周部に沿ってはみ出た導電性接着層５の表面と、導電性接着層５の周囲におけるステム部３１０ａの表面とを周状に覆う。ステム部３１０ａを冷却した後、金属線９１および９２のワイヤボンディングを行う。
その後、キャップ３３０を約２２０℃に加熱した状態で、底部３３０ｂの外側から孔部３４の周囲に封止剤１５を塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、孔部３４上を覆うように光透過部３５を封止剤１５を介して圧着した後、キャップ３３０を冷却する。その後、光透過部３５の外縁部に沿って露出する封止剤１５を覆うように被覆剤１８を盛り付ける。このようにして、キャップ３３０が形成される。
最後に、図１１に示した矢印Ｐ（Ａ２方向）に沿って、キャップ３３０をベース３１０に取り付ける。この際、キャップシール機を用いて、取付部３３０ｇの端面３３０ｈをステム部３１０ａの外縁部近傍に周状に当接させた状態で抵抗溶接により取り付ける。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止される。なお、その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと略同様である。このようにして、半導体レーザ装置３００が形成される。
第３実施形態では、上記のように、キャップ３３０は、底部３３０ｂを有する筒状に形成されているので、キャップ３３０の長手方向（筒形状が延びる方向（Ａ方向））に延びた側壁部３３０ａの内側面により青紫色半導体レーザ素子２０を周状に取り囲んだ状態でパッケージ９０を封止することができる。
また、キャップ３３０（底部３３０ｂ）と光透過部３５とを接合する封止剤１５の側面（外側面）が、封止剤１５よりも透湿度が小さい材料からなる被覆剤１８により覆われている。これにより、被覆剤１８により、外部（大気中）に存在する湿気（水分）などが底部３３０ｂと光透過部３５との接合箇所から封止剤１５を介してパッケージ９０内部に浸入することを確実に抑制することができる。
また、光透過部を低融点ガラスで取り付けた通常のキャップと同じく、キャップシール機を用いて、キャップ３３０を抵抗溶接によりステム部３１０ａに取り付けることができるので、製造コストを増加させることなく既存の製造設備を用いて半導体レーザ装置３００を容易に製造することができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
（第３実施形態の変形例）
次に、第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置３０５について説明する。この半導体レーザ装置３０５では、図１３に示すように、キャップ３３０の底部３３０ｂの内側（Ａ２側）から孔部３４を覆うように光透過部３５が封止剤１５を介して貼り付けられている。また、光透過部３５が内側から取り付けられた孔部３４の内側面近傍において、孔部３４と封止剤１５と光透過部３５とに接触するように被覆剤１８が周状に盛り付けられている。すなわち、底部３３０ｂと光透過部３５とを接合する封止剤１５の側面（内側面）が、被覆剤１８により覆われている。なお、第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置３０５のその他の構成は、第３実施形態と略同様であって、図中において、第３実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置３０５の製造プロセスでは、キャップ３３０の内側から封止剤１５を介して光透過部３５を熱圧着した後、孔部３４の内側面側に露出する封止剤１５を覆うように被覆剤１８を盛り付ける。なお、その他のプロセスは、第３実施形態の製造プロセスと略同様である。また、第３実施形態の変形例の効果は、第３実施形態と同様である。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置４００について説明する。この半導体レーザ装置４００では、図１４に示すように、共にポリアミド樹脂からなるベース４１０およびキャップ４３０によってパッケージ９０が構成されている。なお、キャップ４３０は、本発明の「封止用部材」の一例である。
ベース４１０は、外径Ｄ１を有する略円柱状のヘッダ部４１０ａと、ヘッダ部４１０ａの前面４１０ｃの下側約半分が前方（Ａ１方向）に延びる台座部４１０ｂとを有する。また、図１５に示すように、ベース４１０の外周面４１０ｋと前面４１０ｃおよび４１０ｅとが交わる縁部４１０ｇには、周状に面取り加工が施されている。
また、リード端子１１には、前端領域１１ａに接続される一対の放熱部４１１ｄが一体的に形成されている。詳細に説明すると、リード端子１１には、前端領域１１ａの幅方向（Ｂ２側およびＢ１側）の両端部からそれぞれ後方（Ａ２方向）に延びる接続部４１１ｃが形成されている。また、接続部４１１ｃは、それぞれ、前端領域１１ａからリード端子１２および１３よりも外側（Ｂ２側またはＢ１側）を後方に延びるとともに、ベース４１０の前面４１０ｃからヘッダ部４１０ａ内に隠れた後、後面４１０ｈを貫通している。そして、放熱部４１１ｄは、ベース４１０の後面４１０ｈから露出した接続部４１１ｃの後端領域に接続されている。また、放熱部４１１ｄは、接続部４１１ｃに接続された位置から前方（Ａ１方向）に延びている。したがって、図１４に示すように、一対の放熱部４１１ｄは、それぞれ、ベース４１０の外周面４１０ｋに対して幅Ｗ６の間隔を隔てて外周面４１０ｋと略平行に延びている。
キャップ４３０は、内径Ｄ２および外径Ｄ３を有する略円筒状に形成された側壁部４３０ａと、側壁部４３０ａの一方側（Ａ１側）を塞ぐ底部４３０ｂとを有する。側壁部４３０ａは、約０．５ｍｍの厚み（肉厚）ｔ１を有するとともに、底部４３０ｂは、厚みｔ１よりも若干大きな厚みｔ２（ｔ２≧ｔ１）を有する。また、キャップ４３０の内径Ｄ２は、ヘッダ部４１０ａの外径Ｄ１よりも若干小さい。なお、側壁部４３０ａが開口する側（Ａ２側）には、第３実施形態のような取付部３３０ｇは形成されていない。また、キャップ４３０は、孔部３４を除く内表面４３０ｃの略全ての領域上に、封止剤１５が約０．３ｍｍの厚みで塗布されている。
この状態で、半導体レーザ装置４００では、図１５に示すように、ヘッダ部４１０ａがキャップ４３０に対してＡ２側からＡ１側に向かってスライドして嵌め込まれるように構成されている。すなわち、ヘッダ部４１０ａの外周面４１０ｋとキャップ４３０の内表面４３０ｃとが、封止剤１５を介して周状に嵌合されている。これにより、パッケージ９０内に青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止されている。
また、パッケージ９０の封止空間（ベース４１０とキャップ４３０とによって囲まれた閉空間）内に位置する各部材の表面には、被覆剤１６が塗布されている。具体的には、被覆剤１６は、ヘッダ部４１０ａの台座部４１０ｂ、前面４１０ｃ、前面４１０ｅおよび縁部４１０ｇと、サブマウント４０が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、金属線がワイヤボンディングされた前端領域１２ａおよび１３ａの表面とを連続的に覆っている。したがって、パッケージ９０の封止空間内に位置する樹脂製のベース４１０および金属線がワイヤボンディングされた前端領域１２ａおよび１３ａの表面が、被覆剤１６により完全に覆われている。なお、前述のキャップ４３０の内表面４３０ｃ上に塗布された封止剤１５のうち、パッケージ９０の封止空間内に露出する封止剤１５は、本発明の「被覆剤」としての役割を兼ねている。ただし、金属部材の表面を必ずしも被覆剤１６により覆う必要はない。
また、ベース４１０の外周面４１０ｋとその両側の放熱部４１１ｄとの間には、キャップ４３０の側壁部４３０ａの厚みｔ１よりも大きな幅Ｗ６を有する隙間（切り欠き部）が形成されている。したがって、キャップ４３０をベース４１０に嵌合した状態では、放熱部４１１ｄは、キャップ４３０の側壁部４３０ａと干渉（接触）することなくキャップ４３０の外側に配置されている。なお、第４実施形態による半導体レーザ装置４００のその他の構成は、第３実施形態と略同様であって、図中において、第３実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、第４実施形態による半導体レーザ装置４００の製造プロセスでは、まず、第２実施形態と同様の製造プロセスを用いて、上記した形状を有するベース４１０を成型する。その後、リード端子１１〜１３が設けられたベース４１０の台座部４１０ｂ上に、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０およびＰＤ４２が接合されたサブマウント４０を接合する。
金属線９１および９２をワイヤボンディングした後、ベース１０を約２３０℃に加熱した状態で、ベース４１０の台座部４１０ｂ、前面４１０ｃ、前面４１０ｅおよび縁部４１０ｇと、サブマウント４０が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、金属線がワイヤボンディングされた前端領域１２ａおよび１３ａの表面とを連続的に覆うように被覆剤１６を塗布する。
一方、ポリアミド樹脂を所定の形状を有する第１の型（図示せず）に流し込み硬化させる。これにより、底部４３１ｂに孔部３４を有するキャップ４３０の元となる凹状の枠体４３１（図１６参照）を成型する。また、約２２０℃に加熱された条件下でＥＶＯＨ樹脂を所定の形状を有する第２の型（図示せず）に流し込んだ後、冷却することにより、ＥＶＯＨ樹脂からなる凹状の枠体３１５（図１６参照）を成型する。この際、枠体３１５の底部３１５ｂにも孔部３４が形成される。
底部４３１ｂと３１５ｂとを対向させた状態で枠体３１５の上（Ｃ２側）から枠体４３１を被せたものを、可動上型４０１と固定下型４０２との間にセットする。その後、図１７に示すように、金型を約２２０℃に加熱した状態で、可動上型４０１を固定下型４０２に対して嵌め込む。この際、固定下型４０２の上面（Ｃ２側）上に略円盤状に形成されたガラス製の光透過部３５を載置した状態で熱圧着を行う。その後、金型を冷却することにより、キャップ４３０を成型する。なお、可動上型４０１の内側面および固定下型４０２の外側面には抜き勾配が設けられている。これにより、成型後のキャップ４３０は、底部４３０ｂ近傍の側壁部４３０ａの外径（内表面４３０ｃの内径）よりも、側壁部４３０ａが開口する側（Ａ２側）での外径（内表面４３０ｃ内径）が若干大きくなる。
その後、ベース４１０を約２００℃に加熱した状態で、ベース４１０をキャップ４３０に向かって直線的にスライドして嵌め合わせてパッケージ９０を封止する。なお、その他のプロセスは、第３実施形態における製造プロセスと略同様である。
第４実施形態では、上記のように、封止剤１５がキャップ４３０の裏面（内表面４３０ｃ）上全体に形成されているので、キャップ４３０の樹脂材料から揮発性の有機ガスが発生する場合であっても、封止剤１５によって揮発性の有機ガスがパッケージ９０の封止空間内に漏れ出るのを有効に抑制することができる。
また、封止剤１５がキャップ４３０の内表面４３０ｃ上全体に形成されているので、成型後のポリアミド樹脂の厚みが小さい場合であっても、封止剤１５によって物理的強度（剛性）を高められる。この結果、所定の剛性を有するキャップ４３０を容易に構成することができる。
また、青紫色半導体レーザ素子２０を、ベース４１０とキャップ４３０とが嵌合することにより封止することによって、キャップ４３０の内表面４３０ｃをベース４１０の外周面４１０ｋに容易に密着させることができるので、パッケージ９０内を容易に封止することができる。すなわち、封止のための接着剤などをさらに使用する必要がないので、有機ガスの発生を抑制することができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、第３実施形態と同様である。
（第４実施形態の変形例）
次に、第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置４０５について説明する。この半導体レーザ装置４０５では、キャップ４３０をアルミ箔を用いて形成している。なお、第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置４０５のその他の構成は、第４実施形態と略同様であって、図中において、第４実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置４０５の製造プロセスでは、図１８に示すように、約２０μｍの厚みを有するシート状のアルミ箔１３０を約２２０℃に加熱した状態で、下面（裏面）１３１ｂ上の全面に封止剤１５を約０．２ｍｍの厚みで塗布して冷却した後、孔部３４を形成する。その後、可動上型４０１と固定下型４０２との間に封止剤１５が下面（Ｃ１側）となるようにアルミ箔１３０をセットした状態で、可動上型４０１を固定下型４０２に対して嵌め込む。このようにしてキャップ４３０を成型する。また、キャップ４３０の成型により、略筒状となったアルミ箔１３０の側壁部４３０ａの外側面（内側面）には、皺が形成される。なお、その他のプロセスは、第４実施形態の製造プロセスと略同様である。また、第４実施形態の変形例の効果は、第４実施形態と同様である。
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置５００について説明する。この半導体レーザ装置５００では、図１９に示すように、パッケージ９０は、ベース５５０と、ベース５５０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を側方（Ａ方向およびＢ方向）から取り囲むＳｉ（１００）基板５１０と、Ｓｉ（１００）基板５１０に取り付けられ青紫色半導体レーザ素子２０を上方（Ｃ２側）から覆う封止ガラス５６０とを有している。なお、Ｓｉ（１００）基板５１０および封止ガラス５６０は、それぞれ、本発明の「封止用部材」および「窓用部材」の一例である。なお、図１９は、図２０の５９０−５９０線に沿った断面図である。
ベース５５０は、絶縁体であるフォトソルダーレジストからなる。ここで、フォトソルダーレジストとは、感光した部分だけを構造変化させて溶媒などに溶けなくする感光性樹脂を使用した絶縁用被膜のことである。また、ベース５５０は、厚み方向（Ｃ方向）に貫通する貫通孔５０１（図２１参照）を有するＳｉ（１００）基板５１０の一方（Ｃ１側）の開口部５０１ｂ（図２１参照）を塞いでいる。この際、ベース５５０は、Ｓｉ（１００）基板５１０の下面５１０ｂに設けられた接着樹脂５５１を介して接合されている。これにより、ベース５５０とＳｉ（１００）基板５１０とによって上方に開口する開口部５１１ａを有する凹部５１１が構成されている。そして、青紫色半導体レーザ素子２０は、上面２０ｂが、Ｓｉ（１００）基板５１０の上面５１０ａよりも下方（Ｃ１側）に下げられた状態でサブマウント４０上に載置されている。
また、板状（平板状）の封止ガラス５６０は、約５００μｍの厚みを有する硼珪酸ガラス（硬質ガラス）からなる。そして、封止ガラス５６０は、Ｓｉ（１００）基板５１０の上面５１０ａ上に、封止剤１５を介して取り付けられている。すなわち、封止ガラス５６０は、上面５１０ａ上から被せられて凹部５１１の開口部５１１ａを塞いでおり、凹部５１１の底面５１６上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０が、パッケージ９０内に気密封止されている。なお、封止ガラス５６０の平面形状は、Ｓｉ（１００）基板５１０と略同じであるように構成されている。
また、図１９に示すように、後述する製造プロセスにおいて、略（１００）面に対して約９．７°傾斜した主表面（上面５１０ａ）を有するＳｉ（１００）基板５１０に対して異方性エッチングを行うことにより、Ｓｉ（１００）基板５１０にＳｉ（１１１）面からなる４つの内側面５１２、５１３、５１４および５１５が形成されている。この約９．７°傾斜した主表面を有するＳｉ（１００）基板５１０を用いることにより、内側面５１２は、ベース５５０の上面５５０ａ（底面５１６）に対して略４５°の傾斜角度αを有して傾斜するとともに、内側面５１３は、上面５５０ａ（底面５１６）に対して略６４．４°の傾斜角度βを有して傾斜して形成されている。また、内側面５１４および５１５（図２０参照）は、共に上面５５０ａ（底面５１６）に対して略５４．７°の傾斜角度を有して傾斜するように形成されている。
また、４つの内側面５１２、５１３、５１４および５１５と、ベース５５０の上面（Ｃ２側の表面）上に形成されている接着樹脂５５１とによって、凹部５１１が構成されている。なお、接着樹脂５５１は、Ｓｉ（１００）基板５１０とベース５５０とを接合するために用いられており、図１９に示すように、凹部５１１の底面５１６は、実質的に接着樹脂５５１の上面の一部によって構成されている。また、Ｓｉ（１００）基板５１０は、高抵抗率（絶縁性）を有しており、上面５１０ａから下面５１０ｂまでが、約５００μｍの厚みを有している。
また、ベース５５０（接着樹脂５５１）の上面のうちの凹部５１１内に露出する領域（凹部５１１の底面５１６となる領域）には、サブマウント４０をダイボンディング（接合）するためのＣｕなどからなる配線電極５３１が形成されている。これにより、サブマウント４０の裏面（Ｃ２側の表面）は、凹部５１１内の略中央からＡ１側（内側面５１２側）に寄せられた位置において導電性接着層（図示せず）を介して配線電極５３１の表面に接合されている。なお、凹部５１１内に露出する配線電極５３１はサブマウント４０よりも大きな平面積を有しており、サブマウント４０は、配線電極５３１が形成された領域内に載置されている。また、配線電極５３１は、サブマウント４０が載置された位置からＡ１方向に沿って延びる引き出し配線部５３１ａを有している。
また、内側面５１２のうちの光出射面と対向する領域には、内側面５１２の表面上に金属反射膜５６１が形成されている。これにより、半導体レーザ装置５００では、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面からＡ１方向に出射されたレーザ光が、凹部５１１の内側面５１２（金属反射膜５６１）において上方に反射された後、封止ガラス５６０を透過して外部に出射されるように構成されている。なお、内側面５１２と金属反射膜５６１とによって、レーザ光を外部に向けて反射させるための反射手段が構成されている。
また、図２０に示すように、凹部５１１の底面５１６のうちの配線電極５３１が形成されていない領域には、矩形形状（約１００μｍ×約１００μｍの大きさ）を有するワイヤボンディング用の配線電極５３２および５３３が形成されている。すなわち、サブマウント４０と内側面５１３とに挟まれた領域のうちの内側面５１４寄り（Ｂ２側）の領域に配線電極５３２が露出するとともに、内側面５１５寄り（Ｂ１側）の領域に配線電極５３３が露出して形成されている。また、配線電極５３２および５３３は、Ａ２方向に沿って延びる引き出し配線部５３２ａおよび５３３ａを有している。
したがって、青紫色半導体レーザ素子２０の上面に形成されたｐ側電極２１には、金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、配線電極５３２に接続されている。また、ＰＤ４２の上面（ｐ型領域）には、金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、配線電極５３３に接続されている。また、ＰＤ４２は、サブマウント４０を上下方向（Ｃ方向）に貫通する電極３６によって、下面（ｎ型領域）と配線電極５３１とが導通するように構成されている。また、引き出し配線部５３１ａ、５３２ａおよび５３３ａの各々の端部には、Ａｕ−Ｓｎ半田からなる半田ボール５２４が形成されている。
また、パッケージ９０の封止空間（ベース５５０、Ｓｉ（１００）基板５１０の内側面および封止ガラス５６０によって囲まれた閉空間）内に位置する部材の表面には、被覆剤１６が所定厚みを有して塗布されている。具体的には、被覆剤１６は、凹部５１１内の接着樹脂５５１の表面と、サブマウント４０およびＰＤ４２が接合されている部分以外の配線電極５３１の表面と、配線電極５３２および５３３の表面とを連続的に覆っている。したがって、パッケージ９０の封止空間内に位置するベース５５０および配線電極５３１〜５３３などの表面が、被覆剤１６により完全に覆われている。なお、第５実施形態のその他の構成は、第１実施形態と略同様である。
次に、図１９〜図２３を参照して、第５実施形態による半導体レーザ装置５００の製造プロセスについて説明する。
まず、図２１に示すように、約５００μｍの厚みＤ３を有するとともに、略（１００）面に対して約９．７°傾斜した主表面（上面５１０ａ）を有するウェハ状態のＳｉ（１００）基板５１０を準備する。そして、上面５１０ａ上に所定のマスクパターンを有するエッチングマスク（図示せず）が形成されたＳｉ（１００）基板５１０に対してＴＭＡＨなどのエッチング液を用いたウェットエッチング（異方性エッチング）を行うことにより、上面５１０ａから下面５１０ｂに向かって貫通する貫通孔５０１を形成する。これにより、ウェハ状態のＳｉ（１００）基板５１０には、開口部５０１ａおよび５０１ｂを有する貫通孔５０１が複数形成される。
この際、Ｓｉの結晶方位に応じたエッチングの進行によって、貫通孔５０１には、４つの異なる内側面５１２、５１３、５１４および５１５が形成される。なお、内側面５１２は、上面５１０ａに対して略４５°（角度α）傾斜したエッチング面（傾斜面）となり、内側面５１３は、上面５１０ａに対して略６４．４°（角度β）傾斜したエッチング面（傾斜面）となる。また、内側面５１４および５１５（図２０参照）は、共にＳｉ（１００）基板５１０の上面５１０ａに対して略５４．７°傾斜したエッチング面となる。
その後、内側面５１２のうちの青紫色半導体レーザ素子２０が載置された状態における光出射面（図１９参照）と対向する領域上に、蒸着法やスパッタ法などを用いて金属反射膜５６１を形成する。
一方、図２２に示すように、約１００μｍの厚みを有する平板状の銅板５０３を準備する。銅板５０３の上面上に所定のマスクパターンを有するエッチングマスク（図示せず）を形成した後、銅板５０３に対して塩化第二鉄溶液などのエッチング液を用いたウェットエッチングを行う。これにより、銅板５０３は、上面および下面からエッチングされて、平坦部が約６０μｍの厚みを有するとともに、上面（Ｃ２側の表面）に約２０μｍの突起高さを有する突起部５０３ａが形成される。
その後、ロールラミネータやホットプレス機を用いたラミネート加工により、熱硬化性のエポキシ樹脂系の接着樹脂５５１を銅板５０３の上面上に貼り付ける。この際、接着樹脂５５１が完全に硬化しない約１００℃以下の温度にて貼り付ける。その後、突起部５０３ａを覆う接着樹脂５５１の部分を、Ｏ２プラズマ処理や研磨処理などにより除去する。
その後、図２２に示すように、貫通孔５０１を有するＳｉ（１００）基板５１０の下面５１０ｂに接着樹脂５５１を介して銅板５０３を貼り付けた後、Ｓｉ（１００）基板５１０と銅板５０３とを、約２００℃および約１ＭＰａの温度圧力条件下で、約５分間、加熱圧着して接合する。これにより、Ｓｉ（１００）基板５１０の開口部５０１ｂ（図２１参照）が塞がれて、凹部５１１が形成される。また、Ｓｉ（１００）基板５１０の開口部５０１ａは、凹部５１１の上方の開口部５１１ａとして残される。
その後、青紫色半導体レーザ素子２０が予め接合されたサブマウント４０を配線電極５３１の表面上に接合する。その後、金属線９１を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２１と配線電極５３２とを接続するとともに、金属線９２を用いてＰＤ４２のｐ型領域３５ｂと配線電極５３３とを接続する。また、金属線９３を用いてパッド電極３２とパッド電極３１とを接続する（図２０参照）。なお、金属線９１および９２を配線電極５３２および５３３にワイヤボンドする前に、配線電極５３２および５３３の表面上にＡｕなどからなる金属膜を形成していてもよい。
その後、Ｓｉ（１００）基板５１０を約２３０℃に加熱した状態で、凹部５１１内の接着樹脂５５１の表面上と、サブマウント４０およびＰＤ４２が接合されている部分以外の配線電極５３１の表面上と、配線電極５３２および５３３の表面上に被覆剤１６を塗布する。
その後、図２３に示すように、Ｓｉ（１００）基板５１０の凹部５１１に対して上方から約５００μｍの厚みを有する封止ガラス５６０を熱圧着により貼り付ける。この際、Ｓｉ（１００）基板５１０と封止ガラス５６０とを封止剤１５を用いて約２００℃以上約２２０°以下の温度条件下で接合する。これにより、凹部５１１の開口部５１１ａを取り囲む上面５１０ａにおいて、封止ガラス５６０が封止剤１５を介してＳｉ（１００）基板５１０と接合されるので、凹部５１１内部が気密封止される。
その後、配線パターンを形成するために、銅板５０３の下面側をエッチングする。これにより、突起部５０３ａ以外の銅板５０３の厚みが約２０μｍとなる。さらに、銅板５０３の下面上に所定のマスクパターンを有するエッチングマスク（図示せず）を形成した後、銅板５０３に対して塩化第二鉄を用いたウェットエッチングを行うことにより、引き出し配線部５３１ａ、５３２ａおよび５３３ａからなる所定の配線パターンを有する配線電極５３１〜５３３を形成する（図２３参照）。また、この際、除去された銅板５０３の下から接着樹脂５５１が一部露出する。
その後、図２３に示すように、配線電極５３１〜５３３の下面を被覆するために、配線電極５３１〜５３３および露出した接着樹脂５５１の下面側に、約３０μｍの厚みを有するフォトソルダーレジストを形成する。この際、フォトソルダーレジストは、フィルム状のものをラミネート処理して貼り付けてもよいし、液状タイプのものを塗布するようにしてもよい。その後、フォトソルダーレジストの下面側の一部を除去して、フォトソルダーレジストから露出する引き出し配線部５３１ａ、５３２ａおよび５３３ａ（図２０参照）の端部に、半田ボール５２４を形成する。このようにして、ベース５５０を形成する。
最後に、凹部５１１が形成された領域の外側の領域において、ダイヤモンドブレードを用いて、図２３に示した分離線５９５に沿って封止ガラス５６０およびＳｉ（１００）基板５１０を、共に厚み方向（Ｃ方向）に沿って切断する（ダイシングを行う）。このようにして、図２０に示すような第５実施形態による半導体レーザ装置５００が形成される。
第５実施形態では、上記のように、厚み方向に貫通する貫通孔５０１が形成されたＳｉ（１００）基板５１０と、Ｓｉ（１００）基板５１０の上面５１０ａに取り付けられ、貫通孔５０１の開口部５０１ａ（５１１ａ）を封止する封止ガラス５６０と、Ｓｉ（１００）基板５１０の下面５１０ｂに取り付けられ、貫通孔５０１の開口部５０１ｂを封止するベース５５０と、開口部５０１ｂ内に露出するベース５５０に形成されている配線電極５３１の表面上にサブマウント４０を介して載置された青紫色半導体レーザ素子２０とを備えている。これにより、開口部５０１ｂ内に露出する配線電極５３１の表面上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０の上面２０ｂは、貫通孔５０１の開口部５０１ａ（５１１ａ）よりも外側（図１９のＣ２側）に突出しないので、青紫色半導体レーザ素子２０を、ベース５５０と封止ガラス５６０とによって貫通孔５０１の内部に気密封止した状況下で作動させることができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０は、大気中の水分や半導体レーザ装置５００周辺に存在する有機物の影響を受けないので、青紫色半導体レーザ素子２０の信頼性が低下することを抑制することができる。
また、青紫色半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光を、貫通孔５０１の内側面５１２上に形成された金属反射膜５６１により反射した後、封止ガラス５６０を透過して外部に出射する。これにより、サブマウント４０を介して青紫色半導体レーザ素子２０を載置するベース５５０に固定されているＳｉ（１００）基板５１０の貫通孔５０１の一部である内側面５１２を、レーザ光の反射手段として兼用することができる。すなわち、内側面５１２上に形成された金属反射膜５６１により反射されるレーザ光の光軸精度は、青紫色半導体レーザ素子２０をベース５５０に形成されている配線電極５３１の表面上にサブマウント４０を介して載置する際の取り付け誤差にのみ依存するので、光軸ずれを引き起こす要因が少なくなる分、光軸ずれの大きさを低減することができる。
また、貫通孔５０１が形成されたＳｉ（１００）基板５１０と、Ｓｉ（１００）基板５１０の下面５１０ｂに取り付けられ、貫通孔５０１の開口部５０１ｂを封止するベース５５０と、開口部５０１ｂ内に露出する配線電極５３１の表面上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０とを備えている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０を載置する支持基体を、Ｓｉ（１００）基板５１０とは異なる材料を用いて別部材として形成することができるので、半導体レーザ装置５００の強度をより確保することができる。また、製造プロセスにおいて、貫通孔５０１が形成されたＳｉ（１００）基板５１０と平板状のベース５５０とを接着樹脂５５１を介して接合することによって、青紫色半導体レーザ素子２０を内部に載置するためのパッケージ９０を容易に形成することができる。
また、Ｓｉ（１００）基板５１０にウェットエッチングを行う際に、Ｓｉ（１００）基板５１０を貫通する貫通孔５０１を形成して内側面５１２、５１３、５１４および５１５を形成しているので、ウェットエッチングを基板内部で停止した場合に生じるエッチング深さのばらつきなどが生じない。また、ベース５５０（銅板５０３）上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０を、取り付け精度が良好な状態で凹部３３１内部に載置することができる。これにより、製造プロセス上、青紫色半導体レーザ素子２０の載置角度（共振器方向または幅方向に対する上下方向の角度）に起因して、レーザ光の光軸がずれたり、光出射面から金属反射膜５６１までの距離がばらつくのを効果的に抑制することができる。
また、熱伝導率の良好な配線電極５３１（銅板５０３）上にサブマウント４０を介して青紫色半導体レーザ素子２０を載置しているので、青紫色半導体レーザ素子２０の発熱を、配線電極５３１（銅板５０３）を介して効率よく放熱させることができる。
また、略（１００）面に対して約９．７°傾斜した主表面を有するＳｉ（１００）基板５１０を用いることによって、ウェットエッチングによりＳｉ（１００）基板５１０に貫通孔５０１を形成する際、エッチングと同時に４つの内側面５１２〜５１５を形成することができる。この結果、製造プロセスが簡素化されるので、半導体レーザ装置５００を効率よく製造することができる。
また、ウェハ状態のＳｉ（１００）基板５１０に対して複数の貫通孔５０１を同時に形成することによって、１回のエッチングにより複数の貫通孔５０１を同時に形成することができるので、その分、半導体レーザ装置５００を効率よく製造することができる。
また、青紫色半導体レーザ素子２０が複数の凹部５１１の各々の底面５１６上に載置された状態にあるウェハ（Ｓｉ（１００）基板５１０にベース５５０が接合されたウェハ）に対して、ウェハ状態の封止ガラス５６０を熱圧着により接合して凹部５１１を封止することによって、１枚の封止ガラス５６０の接合工程により複数の凹部５１１を同時に気密封止することができるので、その分、半導体レーザ装置５００を効率よく製造することができる。なお、第５実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態による光ピックアップ装置６００について説明する。なお、光ピックアップ装置６００は、本発明の「光装置」の一例である。
光ピックアップ装置６００は、図２５に示すように、３波長半導体レーザ装置６０５と、３波長半導体レーザ装置６０５から出射されたレーザ光を調整する光学系６２０と、レーザ光を受光する光検出部６３０とを備えている。
３波長半導体レーザ装置６０５では、図２４に示すように、パッケージ９０内のサブマウント４０上に、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０に隣接して約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子５０および約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子５５がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６０とが搭載されている。なお、３波長半導体レーザ装置６０５は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例であり、赤色半導体レーザ素子５０、赤外半導体レーザ素子５５および２波長半導体レーザ素子６０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。
また、ベース１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、７２、７３、７４および７５が設けられている。このリード端子１１およびリード端子７２〜７５は、樹脂モールド成型によって、互いに絶縁された状態でベース１０を前方（Ａ１方向）から後方（Ａ２方向）に貫通するように配置されている。そして、ベース１０の外部（Ａ２側）に延びる後端領域が、それぞれ図示しない駆動回路に接続されている。また、リード端子１１およびリード端子７２〜７５の前方（Ａ１側）に延びた前端領域１１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａは、内壁部１０ｇからそれぞれ露出しており、共に凹部１０ｄの底面上に配置されている。
また、ｐ側電極２１には、金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、リード端子７４の前端領域７４ａに接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０の上面に形成されているｐ側電極５１には、金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、リード端子７３の前端領域７３ａに接続されている。また、赤外半導体レーザ素子５５の上面に形成されているｐ側電極５６には、金属線９３の一端がワイヤボンディングされており、金属線９３の他端は、リード端子７２の前端領域７２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）および２波長半導体レーザ素子６０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）は、サブマウント４０を介してリード端子１１の前端領域１１ａに電気的に接続されている。
また、ＰＤ４２の上面には、金属線９４の一端がワイヤボンディングされており、金属線９４の他端は、リード端子７５の前端領域７５ａに接続されている。
また、上記第１実施形態における半導体レーザ装置１００と比べて、ベース１０は、断面が幅方向（Ｂ方向）に引き延ばされることにより、ベース本体１０ａが最大幅Ｗ６１（Ｗ６１＞Ｗ１）を有している。これにより、前方側の凹部１０ｂも開口部１０ｄがＢ方向に広げられている。なお、３波長半導体レーザ装置６０５のその他の構造は、第１実施形態と略同様であり、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。
また、３波長半導体レーザ装置６０５の製造プロセスについては、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０を横方向（図２４のＢ方向）に並べてサブマウント４０を介して接合する。その後、各レーザ素子２０および６０のｐ側電極２１、５４および５６、および、ＰＤ４２の上面と、リード端子７２、７３、７４および７５の前端領域７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａとを、それぞれ、ワイヤボンディングする。その他のプロセスについては、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。
また、光学系６２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）６２１、コリメータレンズ６２２、ビームエキスパンダ６２３、λ／４板６２４、対物レンズ６２５、シリンドリカルレンズ６２６および光軸補正素子６２７を有している。
また、ＰＢＳ６２１は、３波長半導体レーザ装置６０５から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク６３５から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ６２２は、ＰＢＳ６２１を透過した３波長半導体レーザ装置６０５からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ６２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、３波長半導体レーザ装置６０５から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。
また、λ／４板６２４は、コリメータレンズ６２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板６２４は光ディスク６３５から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、３波長半導体レーザ装置６０５から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク６３５から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ６２１によって略全反射される。対物レンズ６２５は、λ／４板６２４を透過したレーザ光を光ディスク６３５の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ６２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能にされている。
また、ＰＢＳ６２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ６２６、光軸補正素子６２７および光検出部６３０が配置されている。シリンドリカルレンズ６２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子６２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ６２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部６３０の検出領域上で一致するように配置されている。
また、光検出部６３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部６３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、３波長半導体レーザ装置６０５を備えた光ピックアップ装置６００が構成される。
この光ピックアップ装置６００では、３波長半導体レーザ装置６０５は、リード端子１１と、リード端子７２〜７４との間に、それぞれ、独立して電圧を印加することによって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能である。また、３波長半導体レーザ装置６０５から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ６２１、コリメータレンズ６２２、ビームエキスパンダ６２３、λ／４板６２４、対物レンズ６２５、シリンドリカルレンズ６２６および光軸補正素子６２７により調整された後、光検出部６３０の検出領域上に照射される。
ここで、光ディスク６３５に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク６３５の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部６３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ６２３のアクチュエータと対物レンズ６２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
また、光ディスク６３５に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子５０（赤外半導体レーザ素子５５）から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク６３５にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク６３５の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部６３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ６２３のアクチュエータと対物レンズ６２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
このようにして、３波長半導体レーザ装置６０５を備えた光ピックアップ装置６００を用いて、光ディスク６３５への記録および再生を行うことができる。
光ピックアップ装置６００では、上記３波長半導体レーザ装置６０５を備えている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０がパッケージ９０内部に確実に封止されている。これにより半導体レーザ素子が劣化しにくく、長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光ピックアップ装置６００を得ることができる。なお、３波長半導体レーザ装置６０５の効果については、第１実施形態と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第１、第２および第４実施形態では、ベースの封止空間内に配置されたリード端子の表面上についても被覆剤１６を覆うように構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、リード端子（金属部分）以外のベース（樹脂材料）の表面上のみに被覆剤１６を塗布するようにしてもよい。
また、上記第２実施形態では、封止用部材４５の裏面４５ｃの略全面に封止剤１５を塗布した例について示したが、本発明はこれに限らず、第１実施形態の変形例と同様にパッケージ９０の封止空間内に位置する封止用部材４５の裏面４５ｃ上に封止剤１５を塗布せず、洋白板の表面が封止空間内に露出していてもよい。
また、上記第２〜第５実施形態では、パッケージ９０内にガス吸収剤４９を設けていないが、本発明はこれに限らず、上記第１実施形態と同様に、ガス吸収剤４９を設けてもよい。この場合、ガス吸収剤４９としてシリカゲルを用いてもよいし、シリカゲル以外の、たとえば、合成ゼオライト、酸化カルシウム系吸収材または活性炭などを用いてもよい。合成ゼオライトは、ペレット状（円柱状）のものを所定の大きさに切断した上で、パッケージ９０の封止空間内に固定すればよい。
また、上記第１、第３および第４実施形態の製造プロセスでは、封止用部材の孔部（窓部）の周囲に封止剤１５を塗布した後に光透過部３５を熱圧着した例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、予め薄膜状（フィルム状）に形成されたＥＶＯＨ樹脂をカットしたものを用いてこれを孔部３４の周囲に載置した後、光透過部３５を熱圧着してもよい。
また、上記第１実施形態では、アルミ箔を用いて本発明の「封止用部材」を構成した例について示したが、本発明では、アルミ箔以外の金属箔として、たとえば、Ｃｕ箔、洋白などのＣｕ合金箔、Ｓｎ箔またはステンレス箔などを用いて封止用部材を形成してもよい。
また、上記第４実施形態では、ベース４１０およびキャップ４３０に共にポリアミド樹脂を用いたが、ポリアミド樹脂以外に、透湿度の低い樹脂を用いてもよく、水分の透過を十分に抑えることができる。
また、上記第１実施形態では、アルミ箔からなる本発明の「封止用部材」の裏面にＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５を形成した状態でベースを封止した例について示したが、本発明では、金属以外の、たとえば、エポキシ樹脂などを用いて封止用部材を形成し、裏面に配置された封止剤１５を介してベースに取り付けてもよい。封止用部材に上記した樹脂材料を用いる場合、ガスバリア性に富むＥＶＯＨ樹脂（封止剤１５）により、低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがパッケージ９０の内部に浸入することをより効果的に抑制することができる。
また、上記第２実施形態では、洋白（Ｃｕ合金）板を用いて本発明の「封止用部材」を構成した例について示したが、本発明では、洋白以外の、たとえば、アルミ板、Ｃｕ板、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇなどの合金板またはステンレス板などを用いて封止用部材を形成してもよい。
また、上記第３〜第５実施形態においても、光透過部（封止ガラス）の表面上に、上記したガスバリア層としてのＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２やＺｒＯ２などの多層の金属酸化膜（誘電体膜）を形成してもよい。
また、上記第１、第２、第４および第５実施形態における製造プロセスでは、約２２０℃に加熱した状態で封止剤１５を封止用部材の片面上に塗布した例について示したが、本発明では、溶剤にＥＶＯＨ樹脂を溶かした状態で溶剤とＥＶＯＨ樹脂との混合物を封止用部材に塗布した後、封止用部材を加熱して溶剤を除去するようにしてもよい。
また、上記第１および第２実施形態では、ポリアミド樹脂（ＰＡ）を用いてベース本体１０ａを形成した例について示したが、本発明では、エポキシ樹脂やポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）や液晶ポリマ（ＬＣＰ）などを用いてベースを形成してもよい。また、この際、樹脂材料にガス吸収剤を所定の割合で混入した混合物の状態でベース本体１０ａを成型することができる。ここで、ガス吸収剤は、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有する粒子状のものを用いるのが好ましい。
また、上記第１および第２実施形態では、ベース１０の凹部１０ｂの深さを、ベース本体１０ａの厚みｔ１の約半分とした例について示したが、これに限定されることなく、たとえば、凹部１０ｂの深さを厚みｔ１／２よりも深く形成してもよいし、厚みｔ１／２よりも浅く形成してもよい。
また、上記第３実施形態およびその変形例では、キャップ３３０と光透過部３５とを接合する封止剤１５の側面（外側面または内側面）を被覆剤１８により覆う例について示したが、本発明はこれに限らず、この被覆剤１８を、他の実施形態における封止用部材と窓用部材とを接合する封止剤１５の側面を覆うようにしてもよい。また、被覆剤１８としては、樹脂以外に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などの酸化膜、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉなどの金属薄膜を用いてもよく、樹脂中にＳｉＯ２など無機材料などのバインダーを多く含ませてもよい。また、封止剤１５の側面に限らず、ＰＡ、ＰＰＳ、ＬＣＰなどの樹脂表面を覆うようにしてもよく、ＰＡ、ＰＰＳ、ＬＣＰを透過する水分を抑えることができる。
また、上記第６実施形態では、本発明の「半導体レーザ装置」を備えた光ピックアップ装置８００について示したが、本発明はこれに限らず、本発明の半導体レーザ装置を、ＣＤ、ＤＶＤまたはＢＤなどの光ディスクの記録または再生を行う光ディスク装置に適用してもよい。さらには、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を用いて本発明の「半導体レーザ装置」としてのＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成してもよく、このＲＧＢ３波長半導体レーザ装置をプロジェクタ装置などの光装置に適用してもよい。
１０、３１０、４１０、５５０ ベース
１１ リード端子
１５ 封止剤（被覆剤）
１６ 被覆剤
２０ 青紫色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
３０、４５、４６ 封止用部材
５０ 赤色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
５５ 赤外半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
６０ ２波長半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
９０ パッケージ
１００、１０５、２００、２０５、３００、３０５、４００、４０５、５００ 半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
１３０ アルミ箔（金属箔）
１３１ 洋白シート（金属箔）
３３０、４３０ キャップ（封止用部材）
５６０ 封止ガラス（窓用部材）
６００ 光ピックアップ装置（光装置）
６０５ ３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
６２０ 光学系

Claims (5)

  1. 複数の部材からなり、内部に封止空間を有するパッケージと、
    前記封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを備え、
    前記部材の前記封止空間内に位置する表面は、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる被覆剤により覆われている、半導体レーザ装置。
  2. 前記パッケージは、揮発性成分を含有する樹脂部材を含み、
    前記樹脂部材の前記封止空間内に位置する表面が、前記被覆剤により覆われている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記パッケージは、前記半導体レーザ素子が取り付けられる樹脂製のベースを含み、
    前記ベースの前記封止空間内に位置する表面が、前記被覆剤により覆われている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記パッケージは、ベースと、前記ベースに取り付けられる封止用部材とを含み、
    前記封止用部材の前記封止空間内に位置する表面が、前記被覆剤により覆われている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
  5. 複数の部材からなり、内部に封止空間を有するパッケージと、前記封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを含む半導体レーザ装置と、
    前記半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、
    前記部材の前記封止空間内に位置する表面は、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる被覆剤により覆われている、光装置。
JP2010175698A 2010-08-04 2010-08-04 半導体レーザ装置および光装置 Pending JP2012038819A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010175698A JP2012038819A (ja) 2010-08-04 2010-08-04 半導体レーザ装置および光装置
US13/191,847 US20120033696A1 (en) 2010-08-04 2011-07-27 Semiconductor laser apparatus and optical apparatus
US13/191,683 US20120033695A1 (en) 2010-08-04 2011-07-27 Semiconductor laser apparatus and optical apparatus
CN2011102266311A CN102377106A (zh) 2010-08-04 2011-08-04 半导体激光装置及光装置
CN2011102266241A CN102377105A (zh) 2010-08-04 2011-08-04 半导体激光装置和光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010175698A JP2012038819A (ja) 2010-08-04 2010-08-04 半導体レーザ装置および光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012038819A true JP2012038819A (ja) 2012-02-23

Family

ID=45556144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010175698A Pending JP2012038819A (ja) 2010-08-04 2010-08-04 半導体レーザ装置および光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120033695A1 (ja)
JP (1) JP2012038819A (ja)
CN (1) CN102377105A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014209206A (ja) * 2013-03-25 2014-11-06 日本碍子株式会社 光入力部材の保持部品と光導波路部品との接続構造およびその製造方法
JP2016532306A (ja) * 2013-09-05 2016-10-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス部品、オプトエレクトロニクス装置、および、オプトエレクトロニクス装置の製造方法
JP2019192832A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 株式会社デンソー 光学装置およびその製造方法
JP2019192442A (ja) * 2018-04-23 2019-10-31 セイコーエプソン株式会社 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法
US10700487B2 (en) 2017-03-29 2020-06-30 Nichia Corporation Light source device
JPWO2020255611A1 (ja) * 2019-06-17 2020-12-24
CN112868146A (zh) * 2018-10-17 2021-05-28 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 激光设备和用于制造激光设备的方法

Families Citing this family (317)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
DE102013205594A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2015010061A2 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Materion Corporation A metal cap assembly for optical communications
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
USD793352S1 (en) * 2016-07-11 2017-08-01 Asm Ip Holding B.V. Getter plate
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
CN108169989A (zh) * 2016-12-07 2018-06-15 深圳市光峰光电技术有限公司 密封结构的光学模组及投影设备
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
JP6445100B1 (ja) * 2017-07-06 2018-12-26 株式会社フジクラ 光モジュール及びその製造方法
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
JP2019204878A (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 セイコーエプソン株式会社 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
WO2020125646A1 (zh) * 2018-12-17 2020-06-25 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光学次模块及光模块
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014209206A (ja) * 2013-03-25 2014-11-06 日本碍子株式会社 光入力部材の保持部品と光導波路部品との接続構造およびその製造方法
JP2016532306A (ja) * 2013-09-05 2016-10-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス部品、オプトエレクトロニクス装置、および、オプトエレクトロニクス装置の製造方法
US10700487B2 (en) 2017-03-29 2020-06-30 Nichia Corporation Light source device
JP2019192442A (ja) * 2018-04-23 2019-10-31 セイコーエプソン株式会社 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法
JP7052532B2 (ja) 2018-04-26 2022-04-12 株式会社デンソー 光学装置およびその製造方法
JP2019192832A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 株式会社デンソー 光学装置およびその製造方法
CN112868146A (zh) * 2018-10-17 2021-05-28 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 激光设备和用于制造激光设备的方法
JP2022503768A (ja) * 2018-10-17 2022-01-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング レーザ装置およびレーザ装置の製造方法
JP7124214B2 (ja) 2018-10-17 2022-08-23 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー レーザ装置およびレーザ装置の製造方法
CN112868146B (zh) * 2018-10-17 2024-06-04 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 激光设备和用于制造激光设备的方法
US12009633B2 (en) 2018-10-17 2024-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser device and method for manufacturing a laser device
JPWO2020255611A1 (ja) * 2019-06-17 2020-12-24
WO2020255611A1 (ja) * 2019-06-17 2020-12-24 住友電気工業株式会社 レーザモジュール
JP7363898B2 (ja) 2019-06-17 2023-10-18 住友電気工業株式会社 レーザモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN102377105A (zh) 2012-03-14
US20120033695A1 (en) 2012-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012038819A (ja) 半導体レーザ装置および光装置
US20110280266A1 (en) Semiconductor laser apparatus, method of manufacturing semiconductor laser apparatus and optical apparatus
US8471289B2 (en) Semiconductor laser device, optical pickup device and semiconductor device
JP2012054527A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光装置
JP6624899B2 (ja) 光モジュール及び光モジュールの製造方法
US20120033696A1 (en) Semiconductor laser apparatus and optical apparatus
JP2011138953A (ja) 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JP2011243642A (ja) 半導体レーザ装置および光装置
WO2010119830A1 (ja) 発光ダイオード
JP2019192442A (ja) 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法
JP2009289775A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2017138566A (ja) 光源装置、光源装置の製造方法およびプロジェクター
JP2011204983A (ja) 集積型半導体レーザ装置の製造方法
JP2012060039A (ja) 半導体レーザ装置及び光装置
CN102255237A (zh) 半导体激光装置和光学装置
JP2011249714A (ja) 半導体レーザ装置および光装置
JP2011018761A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法及び光ピックアップ並びに光学装置
JP2020113695A (ja) 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ
JP2011159928A (ja) 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置
WO2011096512A1 (ja) 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置
JP2008098194A (ja) サブマウント、半導体レーザ装置およびその製造方法、ホログラムレーザ装置、並びに光ピックアップ装置
JP2012015223A (ja) 半導体レーザ装置および光装置
US20080237455A1 (en) Light receiving apparatus
KR20190046119A (ko) 광디바이스 패키지 및 광디바이스용 원판
JP2002203336A (ja) 光ピックアップ及びその製造方法