WO2011096512A1

WO2011096512A1 - 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置

Info

Publication number: WO2011096512A1
Application number: PCT/JP2011/052356
Authority: WO
Inventors: 林　伸彦; 畑　雅幸
Original assignee: 三洋電機株式会社
Priority date: 2010-02-04
Filing date: 2011-02-04
Publication date: 2011-08-11
Also published as: CN102782967A; US20120299052A1

Abstract

　半導体発光素子が劣化するのを抑制することが可能で、かつ、パッケージのサイズが大きくなるのを抑制することが可能な半導体発光装置が得られる。この半導体発光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子を封止するパッケージとを備え、パッケージは、半導体発光素子が取り付けられるベース部と、ベース部に取り付けられ、半導体発光素子を覆うキャップ部とを含み、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方は、樹脂とガス吸収剤との混合物により形成されている。

Description

半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置

　本発明は、半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置に関し、特に、半導体発光素子が取り付けられるベース部と、半導体発光素子を覆うキャップ部とを備えた半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置に関する。

　従来、半導体発光素子は、光ディスクシステムや光通信システムなどの光源として広く用いられている。たとえば、約７８０ｎｍのレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子は、ＣＤの再生用の光源として実用化されている。約６５０ｎｍのレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子は、ＤＶＤの記録・再生用の光源として実用化されている。また、約４０５ｎｍのレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子は、ブルーレイディスクの光源として実用化されている。

　このような光源装置を実現するために、従来、半導体発光素子が取り付けられるベース部と、半導体発光素子を覆うキャップ部とを有するパッケージを備えた半導体発光装置が知られている。たとえば、特開平９－２０５２５１号公報に開示されている。

　特開平９－２０５２５１号公報には、フランジ面が形成された樹脂成型品からなるヘッダ（ベース部）と、ヘッダに一体的に形成された素子設置部上にＳｉサブマウント（基台）を介して取り付けられた半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の周囲を覆う樹脂製の透明キャップとを備えた半導体レーザのプラスチックモールド装置が開示されている。この特開平９－２０５２５１号公報に記載の半導体レーザのプラスチックモールド装置では、透明キャップの開口端部が、エポキシ系材料を含有する接着剤を介してヘッダのフランジ面に接合されることにより、半導体レーザ素子が、ヘッダと透明キャップとによって取り囲まれたパッケージ内に気密封止されている。

　また、半導体発光素子を封止するパッケージ内に、活性炭やゼオライトなどを用いた吸収剤が別途設置されている半導体発光装置も知られている。たとえば、特開２００８－１４７２０５号公報に開示されている。

特開平９－２０５２５１号公報特開２００８－１４７２０５号公報

　しかしながら、特開平９－２０５２５１号公報に開示された半導体レーザのプラスチックモールド装置では、ヘッダおよび透明キャップが樹脂材料により形成されているため、樹脂材料から揮発性の有機ガスが発生した場合、有機ガスがパッケージ内に充満すると考えられる。また、ヘッダと透明キャップとの接合にエポキシ系接着剤が用いられているため、この接着剤からも多量の有機ガスが発生すると考えられる。そして、多量の有機ガスがパッケージ内に充満した状態で青紫色半導体レーザ素子を動作させた場合、有機ガスが、レーザ出射端面から出射されるレーザ光により励起されるとともにレーザ出射端面近傍で分解されることに起因して、レーザ出射端面にの付着物を形成してしまう虞がある。この場合、付着物がレーザ光を吸収してレーザ出射端面の温度上昇を引き起こしてしまい、レーザ素子が劣化するという不都合がある。

　また、特開２００８－１４７２０５号公報に開示された半導体発光装置では、パッケージ内の限られた空間に吸収剤を設置するため、吸収剤の大きさに合わせてパッケージの内容積を大きく構成する必要がある。したがって、半導体発光装置のサイズが大きくなるという問題点がある。

　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、半導体発光素子が劣化するのを抑制することが可能で、かつ、パッケージのサイズが大きくなるのを抑制することが可能な半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置を提供することである。

　この発明の第１の局面による半導体発光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子を封止するパッケージとを備え、パッケージは、半導体発光素子が取り付けられるベース部と、ベース部に取り付けられ、半導体発光素子を覆うキャップ部とを含み、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方は、樹脂とガス吸収剤との混合物により形成されている。

　この発明の第１の局面による半導体発光装置では、上記のように、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方を、樹脂とガス吸収剤との混合物により形成することによって、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方の構成材料に樹脂を用いた場合であっても、樹脂から発生する揮発性の有機ガスを、樹脂中に混入されているガス吸収剤によって吸収することができる。これにより、半導体発光素子を封止するパッケージ内に有機ガスが充満することを抑制することができるので、半導体発光素子から出射される光により励起あるいは分解されて半導体発光素子の光出射端面に固体の付着物として形成されることを抑制することができる。その結果、半導体発光素子が劣化することを抑制することができる。

　また、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方に、ガス吸収剤が混入されているので、ガス吸収剤を含む部材をパッケージ内部に別途設置する必要がない。これにより、パッケージの内容積を大きくする必要がないので、パッケージのサイズが大きくなることを抑制することができる。

　上記第１の局面による半導体発光装置において、好ましくは、キャップ部は、混合物により形成され、半導体発光素子から出射された光が外部に向けて透過する光透過部を有し、樹脂は、透光性を有し、ガス吸収剤は、光透過部以外のキャップ部を構成する混合物中に混入されている。このように構成すれば、光透過部を有するキャップ部を、透光性を有する同じ樹脂を使用して形成することができるので、キャップ部を容易に製造することができるとともに、キャップ部の構造を簡素化することができる。また、ガス吸収剤は、光透過部以外のキャップ部を構成する樹脂中に混入されているので、光透過部において、ガス吸収剤による光吸収あるいは光散乱が生じることがない。これにより、光透過部から出射光を確実に出射させることができるとともに、光透過部を含むキャップ部の樹脂から発生する有機ガスがパッケージ内に充満することを抑制することができる。

　上記第１の局面による半導体発光装置において、好ましくは、ガス吸収剤は、合成ゼオライト、シリカゲルおよび活性炭の少なくともいずれかである。このように構成すれば、樹脂から発生する有機ガスを十分吸収することができるとともに、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方を、樹脂と上記材料からなるガス吸収剤との混合物により容易に形成することができる。

　上記第１の局面による半導体発光装置において、好ましくは、混合物により形成されているベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方の表面に、ガスバリア層が形成されている。なお、本発明において、ガスバリア層とは、ベース部およびキャップ部を構成する樹脂よりもガス透過性の低い材料からなる層を意味している。このように構成すれば、半導体発光装置の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがベース部またはキャップ部の材料中を透過してパッケージ内に浸入することを抑制することができるので、半導体発光素子の劣化をさらに抑制することができる。

　上記第１の局面による半導体発光装置において、好ましくは、ベース部に取り付けられ、同一平面上に配置された複数のリード端子と、半導体発光素子が載置される素子設置部と一体的に形成された放熱部とをさらに備え、放熱部は、複数のリード端子の外側に配置されている。即ち、複数のリード端子が配置された平面に平行な方向において、複数のリード端子のうちの最外側に位置するリード端子は、放熱部と他のリード端子との間に挟み込まれて配置されており、放熱部は、複数のリード端子の間には配置されていない。このように構成すれば、半導体発光素子からの発熱を放熱する放熱部を、第１リード端子と第２リード端子との間の限られたスペースに配置する必要がないので、放熱部の表面積を大きくすることができる。これにより、放熱部における放熱特性を向上させることができる。

　この場合、好ましくは、放熱部は、同一平面上に配置されている。このように構成すれば、たとえば、各リード端子と放熱部とをリードフレームなどで容易に形成することができる。さらに、この半導体発光装置を、たとえば光ピックアップ装置などの筐体に取り付ける際にも、放熱部と筐体とを容易に固定することができるので、半導体発光素子が発する熱を、筐体に容易に放熱することができる。

　上記放熱部をさらに備える構成において、好ましくは、放熱部と素子設置部とは、ベース部の前面側から後面側に延びる接続部によって接続されており、放熱部と接続部との接続領域は、ベース部の後面側に配置されている。このように構成すれば、放熱面積を十分に確保することができるので、半導体レーザ素子が発する熱を放熱部を介して十分に放熱することができる。また、ベース部の後面で、放熱部と接続部とが接続されているので、ベース部の前面側に放熱部と干渉することなく半導体レーザ素子を封止するためのキャップを取り付けることができる。

　上記接続領域がベース部の後面側に配置される構成において、好ましくは、接続領域は、少なくとも一部がベース部の後面から露出している。このように構成すれば、放熱部をベース部の外部に容易に露出させることができるので、放熱部における放熱特性を向上させることができる。

　上記接続領域がベース部の後面側に配置される構成において、好ましくは、放熱部は、キャップ部の外側に配置されている。このように構成すれば、放熱性を維持した状態で半導体レーザ素子の封止を容易に行うことができる。

　上記放熱部をさらに備える構成において、好ましくは、放熱部は、ベース部の両側方のうちの少なくとも一方側方において、複数のリード端子の外側に配置されている。即ち、放熱部は、ベース部の一方側面と複数のリード端子のうちの最外側に位置するリード端子との間に挟み込まれて配置されており、放熱部は、複数のリード端子の間には配置されていない。このように構成すれば、ベース部の一方側方にのみ放熱部を備えていても、半導体発光素子が発する熱を接続部を介して放熱部から外部に放熱することができる。これにより、半導体発光装置の幅を容易に小さくすることができる。

　上記放熱部をさらに備える構成において、好ましくは、リード端子は、ベース部の後面に取り付けられた第１リード端子を含み、素子設置部は、第１リード端子と一体的に形成されている。このように構成すれば、第１リード端子にも放熱機能の役割を兼用させることができる。これにより、半導体レーザ装置の放熱性をさらに向上させることができる。

　上記放熱部をさらに備える構成において、好ましくは、リード端子は、ベース部の後面に取り付けられた第２リード端子を含み、素子設置部と第２リード端子とは、異なる平面上に配置されている。このように構成すれば、リード端子の幅を小さくすることなく、リード端子の数を容易に増やすことができる。また、リード端子の数を増やした場合でも、接続部の幅（断面積）を適切に確保することができるので、接続部を介して素子設置部から放熱部に放熱する際に放熱（伝熱）特性が低下することを抑制することができる。

　上記放熱部をさらに備える構成において、好ましくは、接続部および放熱部の少なくとも一部が折り曲げられている。このように構成すれば、放熱部の表面積をさらに大きくすることができる。これにより、折り曲げられた方向にも放熱部を延ばして配置することができるので、放熱特性をさらに向上させることができる。

　この場合、好ましくは、接続部および放熱部の少なくとも一部は、ベース部の後面と平行な方向に折り曲げられている。このように構成すれば、折り曲げられた後の放熱部をベース部の後面と平行な方向に延ばすことができるので、リード端子が取り付けられたベース部の寸法が増大することを抑制しつつ、放熱特性を効果的に向上させることができる。

　上記放熱部をさらに備える構成において、好ましくは、放熱部の幅は、リード端子の幅よりも大きい。このように構成すれば、半導体発光素子が発する熱を、リード端子よりも放熱部の方に優先的に伝達（熱伝導）させることができる。これにより、半導体発光素子の熱を、放熱部を介して半導体発光装置の外部に確実に放熱させることができる。

　上記第１の局面による半導体発光装置において、好ましくは、樹脂は、伸縮性を有し、半導体発光素子は、ベース部とキャップ部とが嵌合することにより、封止されている。このように構成すれば、ベース部とキャップ部とを容易に密着させることができるので、パッケージ内を容易に封止することができる。すなわち、封止を行うための接着剤などをさらに使用する必要がないので、有機ガスの発生を抑制することができる。

　上記ベース部とキャップ部とが嵌合する構成において、好ましくは、ベース部およびキャップ部は、共に樹脂とガス吸収剤との混合物により形成されており、キャップ部を構成する樹脂に混入されるガス吸収剤の樹脂に対する割合は、ベース部を構成する樹脂に混入されるガス吸収剤の樹脂に対する割合よりも小さい。このように構成すれば、キャップ部における樹脂による伸縮性を容易に維持することができるので、ベース部とキャップ部とを確実に嵌合させることができる。

　上記ベース部とキャップ部とが嵌合する構成において、好ましくは、ベース部は、ベース部の後面側から前面側に向かって先細りする外周面を有し、キャップ部は、ベース部の先細りする外周面に嵌合する。このように構成すれば、ベース部の外周面に対してキャップ部がより嵌合しやすくなる。この際、外周面の先細り（テーパ）形状に合わせてキャップ部が伸縮しながら嵌合する。これにより、半導体発光素子が載置されるパッケージ内部をより確実に気密封止することができる。

　この発明の第２の局面による半導体発光装置の製造方法は、ベース部およびキャップ部を形成する工程と、半導体発光素子をベース部に取り付ける工程と、ベース部とキャップ部とを嵌合することにより、半導体発光素子を封止する工程とを備え、ベース部およびキャップ部を形成する工程は、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方を、樹脂とガス吸収剤との混合物を成型することにより形成する工程を含む。

　この発明の第２の局面による半導体発光装置の製造方法では、上記のように、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方を、樹脂とガス吸収剤との混合物を成型することにより形成することによって、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方の構成材料に樹脂を用いた場合であっても、樹脂から発生する揮発性の有機ガスを、樹脂中に混入されているガス吸収剤によって吸収することができる。これにより、半導体発光素子を封止するパッケージ内に有機ガスが充満することを抑制することができるので、半導体発光素子から出射される光により励起あるいは分解されて半導体発光素子の光出射端面に固体の付着物として形成されることを抑制することができる。その結果、半導体発光素子が劣化することを抑制することが可能な半導体発光装置を得ることができる。

　上記第２の局面による半導体発光装置の製造方法において、好ましくは、ベース部およびキャップ部は、共に樹脂とガス吸収剤との混合物により形成されており、キャップ部を構成する樹脂に混入されるガス吸収剤の樹脂に対する割合は、ベース部を構成する樹脂に混入されるガス吸収剤の樹脂に対する割合よりも小さい。このように構成すれば、樹脂による伸縮性が容易に維持されたキャップ部を形成することができるので、ベース部とキャップ部とを確実に嵌合させてパッケージを封止することができる。

　この発明の第３の局面による光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子を封止するパッケージとを含む半導体発光装置と、半導体発光装置の出射光を制御する光学系とを備え、パッケージは、半導体発光素子が取り付けられるベース部と、ベース部に取り付けられ、半導体発光素子を覆うキャップ部とを有し、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方は、樹脂とガス吸収剤との混合物により形成されている。

　この発明の第３の局面による光装置では、上記のように、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方を、樹脂とガス吸収剤との混合物により形成することによって、ベース部およびキャップ部の少なくともいずれか一方の構成材料に樹脂を用いた場合であっても、樹脂から発生する揮発性の有機ガスを、樹脂中に混入されているガス吸収剤によって吸収することができる。これにより、半導体発光素子を封止するパッケージ内に有機ガスが充満することを抑制することができるので、半導体発光素子から出射される光により励起あるいは分解されて半導体発光素子の光出射端面に固体の付着物として形成されることを抑制することができる。その結果、半導体発光素子が劣化することを抑制することができる。

本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部とベース部とが分離された状態を示した分解斜視図である。本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。本発明の樹脂とガス吸収剤との混合物の拡大断面図である。本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の上面図である。本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置を、キャップ部を外した状態でレーザ光の出射方向から見たときの正面図である。本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。本発明の第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。本発明の第１実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置の上面図である。本発明の第１実施形態の第３変形例による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した斜視図である。本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した斜視図である。本発明の第２実施形態の変形例による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した斜視図である。本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した斜視図である。本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した斜視図である。本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置を、キャップ部を外した状態でレーザ光の出射方向から見たときの断面図である。本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した斜視図である。本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した上面図である。本発明の第５実施形態の変形例による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した上面図である。本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部とベース部とが分離された状態を示した分解斜視図である。本発明の第７実施形態による３波長半導体レーザ装置を、キャップ部を外した状態でレーザ光の出射方向から見たときの正面図である。本発明の第７実施形態による３波長半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した上面図である。本発明の第７実施形態の変形例による３波長半導体レーザ装置のキャップ部とベース部とが分離された状態を示した分解斜視図である。本発明の第８実施形態による３波長半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。本発明の第９実施形態による３波長半導体レーザ装置が実装された光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置の構成図である。本発明の第１０実施形態によるＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を、キャップ部を外した状態でレーザ光の出射方向から見たときの正面図である。本発明の第１０実施形態によるＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を備えたプロジェクタ装置の構成図である。本発明の第１１実施形態によるＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を備えたプロジェクタ装置の構成図である。本発明の第１１実施形態によるＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を備えたプロジェクタ装置において、制御部が時系列的に信号を発信する状態を示したタイミングチャートである。本発明の第１実施形態の第４変形例による半導体レーザ装置を構成するベース部の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。本発明の第１実施形態の第５変形例による半導体レーザ装置を構成するベース部の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。本発明の第１実施形態の第６変形例による半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した上面図である。

　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

　（第１実施形態）
　まず、図１～図５を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。なお、半導体レーザ装置１００は、本発明の「半導体発光装置」の一例である。

　半導体レーザ装置１００は、図１および図２に示すように、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ５０とを備えている。また、パッケージ５０は、青紫色半導体レーザ素子２０が取り付けられるベース部１０と、ベース部１０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を覆うキャップ部３０とを有している。なお、青紫色半導体レーザ素子２０は、本発明の「半導体発光素子」の一例である。

　また、図１および図５に示すように、ベース部１０は、外径Ｄ１を有する略円柱状のヘッダ部１０ａと、ヘッダ部１０ａの前面１０ｃの下側約半分（全面１０ｈ）が前方（レーザ光出射方向（Ａ１方向））に延びる台座部１０ｂとを有する。また、図３に示すように、ベース部１０は、エポキシ樹脂１５に対して所定の割合で混入された粒子状のガス吸収剤１６（合成ゼオライト）の混合物により形成されている。また、ガス吸収剤１６は、個々の粒子が、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有した状態で存在している。この粒子状のガス吸収剤１６は、樹脂１５が発生する揮発性の有機ガスを吸収する役割を有する。なお、エポキシ樹脂と合成ゼオライトは、それぞれ、本発明の「樹脂」および「ガス吸収剤」の一例である。

　また、幅Ｗ５を有する金属製のリードフレームからなるリード端子１１、１２および１３が、互いに絶縁された状態でベース部１０の前面１０ｃ側（Ａ１側）から後面１０ｄ側（Ａ２側）に貫通して配置されている。リード端子１１は、ベース部１０のヘッダ部１０ａ（前面１０ｃ）の略中心を貫通している。リード端子１２および１３は、リード端子１１の幅方向（Ｂ方向）の外側（Ｂ２側およびＢ１側）の同一平面上にそれぞれ配置されている。また、リード端子１１、１２および１３は、後方（Ａ２側）に延びた後端領域１１ａ、１２ａおよび１３ａをそれぞれ有する。後端領域１１ａ、１２ａおよび１３ａは、ベース部１０の後面１０ｄから露出している。なお、リード端子１１は、本発明の「第１リード端子」の一例である。

　また、図４および図５に示すように、リード端子１１、１２および１３は、前方（Ａ１側）の前端領域１１ｂ、１２ｂおよび１３ｂをそれぞれ有する。前端領域１１ｂ、１２ｂおよび１３ｂは、ヘッダ部１０ａの前面１０ｃから露出するとともに、台座部１０ｂの上面１０ｅ上に配置されている。また、リード端子１１の前端領域１１ｂは、台座部１０ｂ上におけるリード端子１２、１３の前端領域１２ｂおよび１３ｂよりも前方側でＢ方向に広がっており、幅Ｗ１（Ｗ１＜Ｄ１）を有する。また、前端領域１１ｂの略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０が固定されている。なお、前端領域１１ｂは、本発明の「素子設置部」の一例である。

　ここで、図４に示すように、リード端子１１の前端領域１１ｂには、リード端子１１を中心としてＢ方向の両側（リード端子１２および１３のリード端子１１とは反対側（外側））に略対称に配置された一対の放熱部１１ｄが接続されている。詳細に説明すると、リード端子１１の前端領域１１ｂの幅方向（Ｂ２側およびＢ１側）の両端部から後方（Ａ２方向）に延びる接続部１１ｃが形成されている。この接続部１１ｃは、幅Ｗ２を有している。また、接続部１１ｃは、前端領域１１ｂからリード端子１２および１３よりも外側（Ｂ２側およびＢ１側）を後方に延びるとともに、ベース部１０の前面１０ｃから後面１０ｄに貫通している。そして、放熱部１１ｄは、ベース部１０の後面１０ｄから露出した接続部１１ｃの後端領域１１ｈに接続されている。なお、接続部１１ｃの後端領域１１ｈは、本発明の「接続領域」の一例である。また、放熱部１１ｄは、一端が接続部１１ｃの後端領域１１ｈに接続される幅Ｗ３を有する第１放熱部１１ｆと、第１放熱部１１ｆの他端に接続される幅Ｗ４を有する第２放熱部１１ｇとを含んでいる。この際、第１放熱部１１ｆが、ベース部１０の外周面１０ｆよりも外側（Ｂ２方向またはＢ１方向）に距離Ｗ６だけ延びた後、第２放熱部１１ｇが、第１放熱部１１ｆの他端から前方（Ａ１方向）に向きを変えて延びている。したがって、図４に示すように、第２放熱部１１ｇは、ベース部１０の外周面１０ｆに対して距離Ｗ６の間隔を隔てて外周面１０ｆと略平行に延びている。つまり、接続部１１ｃおよび放熱部１１ｄは、平面的に見て略Ｕ字形状を有しており、台座部１０ｂの上面１０ｅと同一平面上に形成されている。

　また、接続部１１ｃの幅Ｗ２および第２放熱部１１ｇの幅Ｗ４は、共にリード端子１１のベース部１０を貫通する部分の幅Ｗ５よりも広い（Ｗ２＞Ｗ５かつＷ４＞Ｗ５）。したがって、パッケージ５０内で動作する青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱が、サブマウント４０、前端領域１１ｂ、両側の放熱部１１ｄを介して、半導体レーザ装置１００の外部に放熱される。

　また、キャップ部３０は、合成ゼオライトからなるガス吸収剤と、透光性および伸縮性を有するシリコン樹脂（ｓｉｌｉｃｏｎｅ　ｒｅｓｉｎ）との混合物により形成されており、図１に示すように、内径Ｄ２および外径Ｄ３を有する略円筒状に形成された側壁部３０ａと、側壁部３０ａの一方側（Ａ１側）を塞ぐ底面部３０ｂとによって構成されている。なお、シリコン樹脂は、本発明の「樹脂」の一例である。また、側壁部３０ａは、約０．５ｍｍの厚み（肉厚）ｔ１を有する。底面部３０ｂは、厚みｔ１よりも若干大きな厚みｔ２（ｔ２≧ｔ１）を有している。また、略円形状を有する底面部３０ｂの中央部には、青紫色半導体レーザ素子２０から出射されたレーザ光が外部に向けて透過可能である光透過部３５が形成されている。ここで、光透過部３５は、ガス吸収剤を含有していないので透光性を有しているのに対して、側壁部３０ａおよび底面部３０ｂは、ガス吸収剤を含有しているので透光性を有していない。

　ここで、図３に示すように、ベース部１０およびキャップ部３０は、樹脂（エポキシ樹脂、シリコン樹脂）１５に対して所定の割合で粒子状のガス吸収剤（合成ゼオライト）１６が混入された混合物により形成されている。また、ガス吸収剤１６は、個々の粒子が、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有した状態で存在している。この粒子状のガス吸収剤１６は、樹脂１５が発生する揮発性の有機ガスを吸収する役割を有する。ここで、ベース部１０においては、ガス吸収剤１６は、樹脂（エポキシ樹脂）１５に対して約７０重量％以上約９０重量％以下の範囲で混入されるのが好ましい。これにより、ベース部１０に占めるエポキシ樹脂の割合が低下してエポキシ樹脂から発生する有機ガスの発生量が抑制されるのと同時に、ベース部１０に占める割合が相対的に増加されたガス吸収剤によって、有機ガスを確実に吸収することが可能となる。また、キャップ部３０においては、ガス吸収剤１６は、樹脂（シリコン樹脂）１５に対して約４０重量％以上約７０重量％以下の範囲で混入されるのが好ましい。これにより、ベース部１０と同様に、シリコン樹脂から発生する有機ガスの発生量が抑制されるのと同時に、有機ガスを確実に吸収することが可能となる。なお、キャップ部３０に混入されるガス吸収剤１６の割合が、ベース部１０に混入されるガス吸収剤１６よりも少ないので、キャップ部３０におけるシリコン樹脂による伸縮性を維持することができる。また、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂは、ガス吸収剤が混入されているので透光性を有しない一方、光透過部３５は、ガス吸収剤が混入されていないので透光性を有している。

　また、図２に示すように、サブマウント４０の上面上には、青紫色半導体レーザ素子２０およびモニタ用ＰＤ（フォトダイオード）４２をダイボンディングするためのパッド電極４１が形成されている。なお、パッド電極４１の前方（Ａ１側）の上面の所定領域に青紫色半導体レーザ素子２０が接合される。パッド電極４１の後方（Ａ２側）の上面の所定領域にモニタ用ＰＤ４２が接合されている。また、サブマウント４０は、下面がＡｕ－Ｓｎ半田からなる導電性接着層５を介してリード端子１１の前端領域１１ｂの表面に接合されている。

　また、図２に示すように、モニタ用ＰＤ４２は、ｐ型領域４２ｂとｎ型領域４２ｃとを有しており、ｎ型領域４２ｃの側がサブマウント４０に接合されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面２０ｂ側に出射されたレーザ光が、モニタ用ＰＤ４２のｐ型領域４２ｂの上面（受光面４２ａ）に入射する。また、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面２０ａは、サブマウント４０のＡ１側の端面４０ａ、リード端子１１の前端領域１１ｂおよびベース部１０の台座部１０ｂの前面１０ｈと同一面上に揃っている。

　ここで、光出射面２０ａおよび光反射面２０ｂは、青紫色半導体レーザ素子２０に形成されている一対の共振器端面に対して、それぞれの端面から出射されるレーザ光の光強度の大小関係により区別される。すなわち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面２０ａであり、相対的に小さい方の端面が光反射面２０ｂである。

　また、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０は、約２５０μｍ以上約４００μｍ以下の共振器長（Ａ方向）を有するとともに、約１００μｍ以上約２００μｍ以下の素子幅（Ｂ方向）を有している。また、青紫色半導体レーザ素子２０は、約１００μｍの厚み（最大厚み）を有している。

　また、図５に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０は、ｎ型ＧａＮ基板２１の上面上に、Ｓｉドープのｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層２２、Ｉｎ組成の高いＩｎＧａＮからなる量子井戸層とＧａＮからなる障壁層とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層２３、および、Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層２４がこの順に形成されている。

　また、ｐ型クラッド層２４には、図５の紙面に対して垂直な方向（図１のＡ方向）に沿って延びる約１．５μｍの幅を有するリッジ（凸部）２５が形成されることにより導波路構造が形成されている。また、ｐ型クラッド層２４のリッジ２５以外の上面とリッジ２５の両側面とを覆うＳｉＯ_２からなる電流ブロック層２６が形成されている。また、ｐ型クラッド層２４のリッジ２５および電流ブロック層２６の上面上には、Ａｕなどからなるｐ側電極２７が形成されている。

　また、ｎ型ＧａＮ基板２１の下面上の略全領域には、ｎ型ＧａＮ基板２１に近い側から順に、Ａｌ層、Ｐｔ層およびＡｕ層の順に積層されたｎ側電極２８が形成されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面２０ａと光反射面２０ｂ（図２参照）とには、それぞれ、低反射率および高反射率の誘電体多層膜が形成されている。

　青紫色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２８とパッド電極４１とが、導電性接着層（図示せず）を介して接合されることにより、青紫色半導体レーザ素子２０は、ジャンクションアップ方式によりサブマウント４０上に接合されている（図５参照）。

　また、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０は、ｐ側電極２７にワイヤボンディングされたＡｕなどからなる金属線９１を介してリード端子１２の前端面１２ｂに接続されている。また、モニタ用ＰＤ４２は、ｐ型領域４２ｂにワイヤボンディングされたＡｕなどからなる金属線９２を介してリード端子１３の前端面１３ｂに接続されている。青紫色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２８およびモニタ用ＰＤ４２のｎ型領域４２ｃは、共に、サブマウント４０を介してリード端子１１に電気的に接続されている。

　図２に示すように、キャップ部３０の側壁部３０ａが、ヘッダ部１０ａにＡ１側からＡ２側に向かってスライドして嵌め込まれることにより、台座部１０ｂ上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０が、パッケージ５０内に気密封止されている。なお、キャップ部３０とヘッダ部１０ａとを嵌合しない状態では、ヘッダ部１０ａの外径Ｄ１（図１参照）よりもキャップ部３０の内径Ｄ２（図１参照）が、約１％程度小さくなるのが好ましい。これにより、ベース部１０の外周面１０ｆに対してキャップ部３０の側壁部３０ａの内側面３０ｃを略完全に密着させた状態で嵌合させることが可能となる。なお、ベース部１０の外周面１０ｆと前面１０ｃとが交わる縁部１０ｇには、周状に面取り加工が施されている。これにより、キャップ部３０がヘッダ部１０ａに嵌め込まれる際、ベース部１０の外周面１０ｆに対してキャップ部３０の内側面３０ｃが滑らかに嵌合する。

　ここで、キャップ部３０の側壁部３０ａは、ベース部１０と放熱部１１ｄとの間に挿入されるように嵌合されるので、キャップ部３０がヘッダ部１０ａに嵌合した状態（図２参照）では、キャップ部３０（側壁部３０ａ）の外側にリード端子１１の放熱部１１ｄが配置される。

　また、図２に示すように、ベース部１０の外周面１０ｆ上と、ヘッダ部１０ａの後面１０ｄ上とに、ＳｉＯ_２からなるガスバリア層１７が連続して形成されている。また、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの外表面３０ｄ上に、ＳｉＯ_２からなるガスバリア層３３が連続して形成されている。すなわち、エポキシ樹脂やシリコン樹脂は、非結晶構造のためガス透過性が高いので、ガスバリア層１７や３３を設けていない場合、ヘッダ部１０ａに対してキャップ部３０を嵌合させてパッケージ５０を封止しても、半導体レーザ装置１００の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスが、エポキシ樹脂中やシリコン樹脂中を透過してパッケージ５０内に浸入する虞がある。これに対して、ガスバリア層１７や３３を設けて、有機ガスの外部からの浸入を防止することができる。なお、ガスバリア層１７および３３は、数十ｎｍの厚みを有していればよい。また、ベース部１０やキャップ部３０は、樹脂中にガス吸収剤を含有しており、内部構造が多孔質の状態となるため、ガスバリア層１７や３３を設けることは、有機ガスなどの外部からの浸入を遮断する上で非常に有効である。なお、キャップ部３０の外表面３０ｄに形成されるガスバリア層３３は、光透過部３５の外側の表面上にも形成されている。

　次に、図１～図７を参照して、半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。

　まず、図６に示すように、鉄や銅などの帯状の薄板からなる金属板をエッチングすることにより、放熱部１１ｄおよび接続部１１ｃが前端領域１１ｂと一体的に形成されたリード端子１１と、リード端子１１の両側に配置されたリード端子１２および１３とが、横方向（Ｂ方向）に繰り返しパターニングされたリードフレーム１０５を形成する。この際、各リード端子１２および１３は、横方向（Ｂ方向）に延びる連結部１０１および１０２により連結された状態でパターニングされる。また、各放熱部１１ｄは、横方向に延びる連結部１０３により連結された状態でパターニングされる。

　その後、エポキシ樹脂とガス吸収剤との混合物を用いて、図１および図７に示すように、一組のリード端子１１～１３を固定するベース部１０をモールド成型する。この際、各リード端子１１～１３は、ベース部１０を貫通するとともに、各前端領域１１ｂ～１３ｂおよび後端領域１１ａ～１３ａがベース部１０から露出するように固定される。また、ベース部１０は、リード端子１１～１３の前端領域１１ｂ～１３ｂ側に形成され、接続部１１ｃも内部に含む。また、リード端子１１～１３の前端領域１１ｂ～１３ｂの下側（図２のＣ１側）には、ベース部１０の前面１０ｃの下側約半分が前方に延びる台座部１０ｂも形成される。

　その後、真空蒸着法を用いて、ベース部１０のヘッダ部１０ａおよび台座部１０ｂの外周面１０ｆ上と、ヘッダ部１０ａの後面１０ｄ上とに、ＳｉＯ_２からなるガスバリア層１７（図２参照）を形成する。

　一方、シリコン樹脂と硬化剤とを約１０対１の割合で混ぜ合わせた硬化前のシリコン樹脂と、ガス吸収剤との混合物を所定の形状を有する型（図示せず）に流し込み、約１５０℃の温度条件下で約３０分間加熱することにより硬化させる。これにより、キャップ部３０の側壁部３０ａ、および、略中央部に開口部が形成される底面部３０ｂ（図２参照）が成型される。この際、合成ゼオライトをシリコン樹脂に混合する前に、合成ゼオライトに対して熱処理を行うことがより好ましい。これにより、合成ゼオライトの吸収能力を向上させることができる。

　その後、ガス吸収剤が混入されていない硬化前のシリコン樹脂と、上記工程で成型されたキャップ部３０（側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの部分）とを、再度、所定の形状を有する型（図示せず）に入れて、約１５０℃の温度条件下で約３０分間加熱する。これにより、底面部３０ｂの略中央部に形成されていた開口部に、透光性を有する光透過部３５（図２参照）を成型する。

　その後、型からキャップ部３０を取り出し、オイルフリーポンプにより減圧状態にしたオーブン内で、約２４０℃の温度条件下で約２日間加熱することにより、シリコン樹脂中に含有している低分子シロキサンを除去する。なお、約２日間加熱しても、シリコン樹脂中の低分子シロキサンは完全には除去できない。しかし、残留する低分子シロキサンは、キャップ部３０に混入されているガス吸収剤によって吸収可能な量にまで減じられている。

　その後、真空蒸着法を用いて、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの外表面３０ｄ上に、ＳｉＯ_２からなるガスバリア層３３（図２参照）を形成する。このようにして、キャップ部３０が形成される。

　また、所定の製造プロセスを用いて、青紫色半導体レーザ素子２０およびモニタ用ＰＤ４２のチップを作製する。そして、一方の表面上にパッド電極４１が形成されたサブマウント４０に対して、青紫色半導体レーザ素子２０およびモニタ用ＰＤ４２のチップを接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２８側と、モニタ用ＰＤ４２のｎ型領域４２ｃ側とが、パッド電極４１に接合される。

　その後、図７に示すように、導電性接着層５（図５参照）を介して、リード端子１１の前端領域１１ｂ（図４参照）の上面略中央（横方向）に、サブマウント４０を接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０およびモニタ用ＰＤ４２が接合されていないサブマウント４０の下面側が前端領域１１ｂの上面に接合される。また、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面２０ｂがベース部１０の前面１０ｃと対向するようにサブマウント４０が接合される。

　その後、図１に示すように、金属線９１を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２７とリード端子１２の前端領域１２ｂとを接続する。また、金属線９２を用いてモニタ用ＰＤ４２のｐ型領域４２ｂとリード端子１３の前端領域１３ｂとを接続する。なお、図７では、金属線９１および９２の記載を省略している。

　その後、図７に示すように、分離線１８０および１９０に沿って切断することにより、連結部１０１、１０２および１０３を切断除去する。最後に、分離された個々のベース部１０のヘッダ部１０ａに対してキャップ部３０を嵌合しながら被せる。このようにして、半導体レーザ装置１００（図２参照）が形成される。

　ベース部１０およびキャップ部３０を、エポキシ樹脂およびシリコン樹脂と、ガス吸収剤との混合物により形成することによって、ベース部１０およびキャップ部３０の樹脂から発生する揮発性の有機ガスを、ガス吸収剤によって吸収することができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ５０内に有機ガスが充満することを抑制することができるので、パッケージ５０内の有機ガス濃度を小さくすることができる。その結果、青紫色半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光により励起あるいは分解されて光出射面２０ａに固体の付着物として形成されることを抑制することができるので、青紫色半導体レーザ素子２０が劣化するのを抑制することができる。

　また、ベース部１０およびキャップ部３０を、ガス吸収剤１６が混入された樹脂１５により形成しているので、ガス吸収剤を含む部材を、パッケージ５０内に別途設置する必要がない。これにより、パッケージ５０の内容積を大きくする必要がないので、半導体レーザ装置１００のサイズが大きくなることを抑制することができる。

　また、パッケージ５０のサイズを、ガス吸収剤１６を含有せずに形成した場合のパッケージサイズと略等しくしているので、ガス吸収剤１６を含有している分、パッケージ５０中に占める樹脂１５の体積を減らすことができる。これにより、有機ガスの発生を抑制することができるので、青紫色半導体レーザ素子２０が劣化するのを抑制することができる。

　また、光透過部３５を含むキャップ部３０を、透光性を有するシリコン樹脂を使用しているので、キャップ部３０を容易に製造することができるとともに、キャップ部３０の構造を簡素化することができる。

　ここで、光透過部３５にシリコン樹脂を用いることの有用性を確認するため、以下の実験を行った。まず、約１ｍｍの厚みを有する板状のポリジメチルシロキサンからなるシリコン樹脂（信越化学製：ＫＥ－１０６）により光透過部３５を形成し、これを光出射面２０ａから１ｍｍの距離を隔てて配置した。次に、７０℃の条件で、青紫色半導体レーザ素子２０から、Ａｕｔｏ　Ｐｏｗｅｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌ（ＡＰＣ）により、１０ｍＷの出力に調整されたレーザ光を光透過部３５に１０００時間照射した。この結果、光透過部３５の透過率に変化がないことを確認した。なお、比較例として、１ｍｍの厚みを有するＰＭＭＡ（透明アクリル樹脂）で形成した光透過部に対して同じ条件でレーザ光を照射した場合には、レーザ光の照射領域が劣化により不透明になった。この結果から、キャップ部３０にシリコン樹脂を用いることの有用性が確認された。

　また、樹脂１５が透光性を有し、ガス吸収剤１６を光透過部３５以外のキャップ部３０を構成する混合物中に混入することによって、光透過部３５を有するキャップ部３０を、透光性を有する同じ樹脂１５を使用して形成することができるので、キャップ部３０を容易に製造することができるとともに、キャップ部３０の構造を簡素化することができる。また、ガス吸収剤１６は、光透過部３５以外のキャップ部３０を構成する樹脂１５中に混入されているので、光透過部３５において、ガス吸収剤１６による光吸収あるいは光散乱が生じることがない。これにより、光透過部３５から出射光を確実に出射させることができるとともに、光透過部３５を含むキャップ部３０の樹脂１５から発生する有機ガスがパッケージ５０内に充満することを抑制することができる。

　また、ガス吸収剤１６に合成ゼオライトを用いることによって、樹脂１５から発生する有機ガスを十分吸収することができるとともに、ベース部１０およびキャップ部３０を、共に、樹脂１５とガス吸収剤１６との混合物により容易に形成することができる。

　また、混合物により形成されているベース部１０の外周面１０ｆと、ヘッダ部１０ａの後面１０ｄとに、ガスバリア層１７を形成するとともに、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの外表面３０ｄ上に、ガスバリア層３３を形成することによって、半導体レーザ装置１００の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがベース部１０またはキャップ部３０の材料中を透過してパッケージ５０内に浸入することを抑制することができるので、青紫色半導体レーザ素子２０の劣化をさらに抑制することができる。

　また、ベース部１０の外周面１０ｆよりも外側の領域を延びる放熱部１１ｄを備えることによって、放熱面積を十分に確保することができるので、青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱を放熱部１１ｄを介して十分に放熱することができる。また、ベース部１０の後面１０ｄで、放熱部１１ｄと接続部１１ｃとが接続されているので、ベース部１０の前面１０ｃ側に放熱部１１ｄと干渉することなく青紫色半導体レーザ素子２０を封止するためのキャップ部３０を取り付けることができる。

　また、接続部１１ｃの後端領域１１ｈを、ベース部１０の後面１０ｄから露出させることによって、放熱部１１ｄをベース部１０の外部に容易に露出させることができるので、放熱部１１ｄにおける放熱特性を向上させることができる。

　また、放熱部１１ｄを、ベース部１０の同一平面上に配置された複数のリード端子１１～１３の外側に配置する。即ち、ベース部１０の同一平面に平行な方向において、リード端子１１～１３のうちの最外側に位置するリード端子１２または１３は、放熱部１１ｄと他のリード端子１１との間に挟みこまれて配置されており、放熱部１１ｄは、リード端子１１～１３の間には配置されていない。このように構成することによって、青紫色半導体レーザ素子２０からの発熱を放熱する放熱部１１ｄを、リード端子１１およびリード端子１２（１３）の間の限られたスペースに配置する必要がないので、放熱部１１ｄの表面積を大きくすることができる。これにより、放熱部１１ｄにおける放熱特性を向上させることができる。また、リード端子１１～１３と放熱部１１ｄとが同一平面内に配置されていることにより、たとえば、各リード端子と放熱部１１ｄとをリードフレームなどで容易に形成することができる。さらに、この半導体レーザ装置１００を、たとえば光ピックアップ装置などの筐体に取り付ける際にも、放熱部１１ｄと筐体とを容易に固定することができるので、青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱を、筐体に容易に放熱することができる。

　また、前端領域１１ｂをリード端子１１と一体的に形成することによって、リード端子１１にも放熱機能の役割を兼用させることができる。これにより、半導体レーザ装置１００の放熱性をさらに向上させることができる。なお、接続部１１ｃの幅Ｗ２および第２放熱部１１ｇの幅Ｗ４は、共にリード端子１１のベース部１０を貫通する部分の幅Ｗ５よりも広く（Ｗ２＞Ｗ５、Ｗ４＞Ｗ５）形成されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱は、サブマウント４０を介してリード端子１１の前端領域１１ｂへ伝わった後、リード端子１１よりも接続部１１ｃおよび放熱部１１ｄの方に伝達（熱伝導）されやすい。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０の熱を、接続部１１ｃに繋がる各々の放熱部１１ｄに伝達されて半導体レーザ装置１００の外部に確実に放熱させることができる。

　また、樹脂１５が伸縮性を有し、青紫色半導体レーザ素子２０を、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合することにより封止することによって、キャップ部３０の内側面３０ｃをベース部１０の外周面１０ｆに容易に密着させることができるので、パッケージ５０内を容易に封止することができる。すなわち、封止のための接着剤などをさらに使用する必要がないので、有機ガスの発生を抑制することができる。

　また、キャップ部３０を構成する樹脂（シリコン樹脂）１５に混入されるガス吸収剤１６のシリコン樹脂に対する割合は、ベース部１０を構成する樹脂（エポキシ樹脂）１５に混入されるガス吸収剤１６のエポキシ樹脂に対する割合よりも小さい。これにより、キャップ部３０におけるシリコン樹脂による伸縮性を容易に維持することができるので、ベース部１０とキャップ部３０とを確実に嵌合させることができる。

　（第１実施形態の第１変形例）
　図８を参照して、第１実施形態の第１変形例について説明する。この第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置１００ａでは、第１実施形態と異なり、キャップ部１３０と嵌合する部分のベース部１１０の外周面１１０ｆが、後方から前方に向かって先細りするテーパ形状を有している。また、図中において、第１実施形態と同様の構成には、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。

　ベース部１１０は、図８に示すように、ヘッダ部１１０ａの後面１１０ｄから台座部１１０ｂの前面１１０ｃ（１１０ｈ）に向かって外周面１１０ｆの外径Ｄ１が徐々に小さくなることによってベース部１１０の外形が先細りするように樹脂成型されている。また、キャップ部１３０の側壁部１３０ａの開口部には、側壁部１３０ａの内側面１３０ｃから内側に突出する爪部１３０ｅが周状に形成されるとともに、キャップ部１３０の底面部１３０ｂの内側であって、台座部１１０ｂと対向する領域には、キャップ部１３０の開口部に向かって突出する突出部１３０ｆが形成されている。

　なお、半導体レーザ装置１００ａのその他の構成は、第１実施形態と同様である。また、半導体レーザ装置１００ａの製造プロセスについては、ベース部１１０の外周面１１０ｆが図８に示すようなテーパ形状を有するように樹脂成型する点と、爪部１３０ｅおよび突出部１３０ｆを有するようにキャップ部１３０を樹脂成型する点とを除いて、第１実施形態の製造プロセスと同様である。

　ベース部１１０の外周面１１０ｆが、後方から前方に向かって先細りするテーパ形状を有しているので、ベース部１１０（ヘッダ部１１０ａ）の外周面１１０ｆに対してキャップ部１３０の内側面１３０ｃがより嵌め込みやすくなる。また、外周面１１０ｆのテーパ形状に合わせてキャップ部１３０の側壁部１３０ａを伸縮させながら嵌合することができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０が載置されるパッケージ内部をより確実に気密封止することができる。

　また、キャップ部１３０の底面部１３０ｂの内側にキャップ部１３０の開口部に向かって突出する突出部１３０ｆが形成されているので、キャップ部１３０がベース部１１０に嵌め込まれた際、突出部１３０ｆが台座部１１０ｂの前面１１０ｃに当接することにより、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面２０ａとキャップ部１３０の光透過部１３５との間に所定の間隔を有する隙間を確実に形成することができる。また、この状態で、キャップ部１３０の爪部１３０ｅは、ヘッダ部１１０ａの後面１１０ｄの縁部に弾性変形しながら係合することができるので、キャップ部１３０がベース部１１０から前方（Ａ１方向）に抜け落ちることを抑制することができる。なお、第１実施形態の第１変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

　（第１実施形態の第２変形例）
　次に、第１実施形態の第２変形例について説明する。この第１実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置１００ｂでは、図９に示すように、第１実施形態と異なり、前端領域１１ｂとリード端子１１とが分離されている。なお、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。

　半導体レーザ装置１００ｂでは、リード端子１１と前端領域１１ｂとは、分離している。また、前端領域１１ｂとリード端子１１の前端部２１１ｂとは、Ａｕなどからなる金属線９３を介して電気的に接続されている。なお、半導体レーザ装置１００ｂのその他の構成は、第１実施形態と同様である。

　また、半導体レーザ装置１００ｂの製造プロセスについては、図６において前端領域１１ｂがリード端子１１と分離されるようにパターニングされたリードフレームを用いる点と、金属線９１および９２のボンディングの際に、金属線９３を用いて前端領域１１ｂとリード端子１１の前端部２１１ｂ（図９参照）とを接続する工程を含む点とを除いて、第１実施形態の第１変形例における製造プロセスと同様である。なお、第１実施形態の第２変形例の効果は、第１実施形態の第１変形例と同様である。

　（第１実施形態の第３変形例）
　次に、第１実施形態の第３変形例について説明する。この第１実施形態の第３変形例による半導体レーザ装置１００ｃでは、図１０に示すように、第１実施形態と異なり、前端領域１１ｂの両側に配置された放熱部１１ｄが前方に延びた第２放熱部１１ｇを有していない。なお、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。また、ベース部１０に嵌合するキャップ部３０の図示を省略している。

　すなわち、接続部１１ｃの後端領域１１ｈに接続される放熱部１１ｄは、ベース部１０の外側に延びる幅Ｗ２１を有する第１放熱部２１１ｆのみから構成されている。ここで、幅Ｗ２１は、第１実施形態の第１放熱部１１ｆの幅Ｗ３（図４参照）よりも大きい（Ｗ２１＞Ｗ３）。なお、第１実施形態の第３変形例による半導体レーザ装置１００ｃのその他の構成は、第１実施形態と同様である。

　また、半導体レーザ装置１００ｃの製造プロセスについては、図６のようなリードフレームを作製する際、第１実施形態における第２放熱部１１ｇを形成することなく、第１放熱部２１１ｆ（図１０参照）を直接連結部１０３によって連結するようにパターニングする。なお、上記以外の製造プロセスについては、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。

　半導体レーザ装置１００ｃでは、第２放熱部１１ｇを有しない場合であっても、第１放熱部２１１ｆが幅Ｗ２１を有しているので、放熱部１１ｄの放熱効率を容易に維持することができる。また、半導体レーザ装置１００ｃでは、第２放熱部１１ｇが形成されていないので、ベース部１０の側方が広く開放されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するキャップ部３０（図１参照）のような構成をより自由に組み合わせることができる。なお、第１実施形態の第３変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

　（第２実施形態）
　次に、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００について説明する。この半導体レーザ装置２００では、図１１に示すように、ベース部１０の後面１０ｄから露出した接続部１１ｃの後端領域１１ｈが、後面１０ｄと略平行な方向である上方（Ｃ２方向）に折り曲げられて配置されている。また、半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態の第３変形例と同様であって、図中において、第１実施形態の第３変形例と同様の構成には同じ符号を付して図示している。

　また、半導体レーザ装置２００の製造プロセスについては、第１放熱部２１１ｆを有するリードフレームに対して、図示しないプレス機などを用いて、第１放熱部２１１ｆの部分をリードフレームの上面に対して略垂直な上方に折り曲げる工程が加わる以外は、第１実施形態の第３変形例の製造プロセスと略同様である。

　接続部１１ｃの後端領域１１ｈが上方（Ｃ２方向）に折り曲げられているので、上方向（Ｃ方向）にも放熱部１１ｄ（第１放熱部２１１ｆ）を容易に延ばして配置することができる。これにより、放熱部１１ｄ（第１放熱部２１１ｆ）の表面積を容易に増加させることができる。したがって、放熱部１１ｄの放熱効率を容易に維持することができるので、放熱特性をさらに向上させることができる。

　また、後端領域１１ｈが上方に折り曲げられることにより、放熱部１１ｄが後面１０ｄと略平行に延びている。つまり、半導体レーザ装置２００の全長方向（Ａ方向）の長さを変更することなく、放熱部１１ｄ（第１放熱部２１１ｆ）の表面積を容易に増加させることができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

　（第２実施形態の変形例）
　次に、第２実施形態の変形例による半導体レーザ装置２００ａについて説明する。この半導体レーザ装置２００ａでは、図１２に示すように、第２実施形態の半導体レーザ装置２００と比べて、上方に折り曲げられた第１放熱部２１１ｆから前方に延びる第２放熱部２１１ｇが形成されている以外は、同様の構成を備えている。なお、図中において、第２実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。

　すなわち、放熱部１１ｄの第１放熱部２１１ｆと、第１放熱部２１１ｆには、幅Ｗ４を有する第２放熱部２１１ｇが接続されている。この第２放熱部２１１ｇは、接続部１１ｃが接続されている側とは反対側の第１放熱部２１１ｆの端部に接続されている。また、第２放熱部２１１ｇは、第１放熱部２１１ｆとの接続領域で前方（Ａ１方向）に折り曲げられている。さらに、第２放熱部２１１ｇは、ベース部１０の外周面１０ｆから距離Ｗ６だけ隔てられるように、リード端子１１の前端領域１１ｂおよび接続部１１ｃと同一平面上において、前方（Ａ１方向）に延びるように配置されている。

　また、半導体レーザ装置２００ａの製造プロセスについては、上記第１実施形態の製造プロセスにおいて、第１放熱部２１１ｆの幅をＷ２１に大きくするとともに、図６のようなリードフレームを作製した後に、図示しないプレス機などを用いて、第１放熱部２１１ｆの部分をリードフレームの上面に対して上方に折り曲げる工程が加わる以外は、第２実施形態の製造プロセスと略同様である。

　上方に延びる第１放熱部２１１ｆに加えて前方に延びる第２放熱部２１１ｇが形成されることによって、放熱部１１ｄの表面積が上記第２実施形態の場合よりもさらに増加される。したがって、放熱部１１ｄの放熱効率をより一層向上させることができる。なお、第２実施形態の変形例のその他の効果は、第２実施形態と同様である。

　（第３実施形態）
　次に、第３実施形態による半導体レーザ装置３００について説明する。この半導体レーザ装置３００では、図１３に示すように、接続部３１１ｃの端部領域が上方（Ｃ２方向）に折り曲げられている以外は、半導体レーザ装置１００と同様の構成を備えており、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。

　半導体レーザ装置３００では、リード端子１１の前端領域１１ｂと各々の放熱部１１ｄとの間に、第１実施形態における接続部１１ｃよりも大きな幅を有する接続部３１１ｃが設けられている。具体的には、接続部３１１ｃのＢ方向に沿った端部領域（各々の接続部３１１ｃのＢ２側またはＢ１側の領域）が、前端領域１１ｂの上面と略直交する方向（青紫色半導体レーザ素子２０の高さ方向（Ｃ２方向））に折り曲げられている。この際、接続部３１１ｃが接続されている前端領域１１ｂの端部（Ｂ２側およびＢ１側）もＣ２方向に折り曲げられている。また、接続部３１１ｃは、端部領域がＣ２方向に折り曲げられた状態でベース部１０をＡ２方向に完全に貫通している。

　したがって、接続部３１１ｃは、第１実施形態の接続部１１ｃの幅Ｗ２（図４参照）に加えて、上方に延びる端部領域の幅Ｗ３１を有することにより、合計でＷ２＋Ｗ３１の幅（接続部３１１ｃの上面に沿った周長）を有している。これにより、接続部３１１ｃを図１３においてＡ２方向に沿って見た場合、その断面積は、接続部１１ｃ（図１参照）よりも増加している。

　また、半導体レーザ装置３００の製造プロセスについては、図１４に示すように、接続部３１１ｃと放熱部１１ｄとの間に略Ｌ字状の切り欠き線３９０を形成したリードフレーム３０５を形成するとともに、図示しないプレス機などを用いて、前端領域１１ｂおよび接続部３１１ｃの端部領域をリードフレームの上面に対して上方に折り曲げる工程が加わる。なお、これ以外の製造プロセスについては、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。

　半導体レーザ装置３００では、接続部３１１ｃの端部領域はＣ２方向に折り曲げられている。これにより、接続部３１１ｃの延びるＡ方向に垂直な断面積を容易に増加することができるので、接続部３１１ｃ内部の熱抵抗が減少することにより、熱を伝達しやすくすることができる。この結果、放熱部１１ｄの放熱効率をより向上させることができる。

　また、接続部３１１ｃの端部領域が上方に折り曲げられているので、接続部３１１ｃの剛性を向上させることができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

　（第４実施形態）
　図１５～図１７を参照して、第４実施形態について説明する。この第４実施形態による半導体レーザ装置４００では、第１実施形態と異なり、リード端子１１とリード端子１２および１３とが異なる高さ位置に形成されている場合について説明する。なお、図１５では、リードフレームの詳細な構造を説明するために、ベース部１０（図１６参照）の外形形状を破線で示している。また、図１６は、図１５の４９０－４９０線に沿った断面においてベース部１０を見た図である。なお、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。なお、リード端子１２および１３は、本発明の「第２リード端子」の一例である。

　半導体レーザ装置４００では、図１を参照して、第１実施形態で示したリード端子１１、接続部１１ｃおよび前端領域１１ｂで囲まれた切り欠き部が形成されていない。すなわち、半導体レーザ装置４００のリード端子１１には、図１５に示すように、前端領域１１ｂと接続部１１ｃとを含む略矩形状の平面部４０１が形成されている。また、平面部４０１の後方（Ａ２方向）において、放熱部１１ｄが平面部４０１に接続されている。また、図１６に示すように、リード端子１２および１３は、平面部４０１上に形成されたエポキシ樹脂からなる絶縁膜４０２を介してリード端子１１（前端領域１１ｂ）とは異なる高さ方向（Ｃ方向）の平面上に形成されている。したがって、平面部４０１（リード端子１１）とリード端子１２および１３とは、互いに絶縁された状態かつ高さ方向にも異なった位置で、ベース部１０を前方（Ａ１側）から後方（Ａ２側）に貫通している。なお、半導体レーザ装置４００のその他の構成は、第１実施形態と同様である。

　また、半導体レーザ装置４００の製造プロセスでは、まず、図１７に示すように、第１実施形態と同様に、帯状の金属板をエッチングすることにより、リード端子１１が横方向（Ｂ方向）に繰り返しパターニングされたリードフレーム１０６を形成する。この際、図６を参照して、リード端子１２および１３についてはパターニングを行わない。また、リード端子１１、接続部１１ｃおよび前端領域１１ｂで囲まれた切り欠き部を形成せずに、平面部４０１の後方に第１放熱部１１ｆが直接接続された状態にパターニングされる。また、図６を参照して、リード端子１２および１３が横方向（Ｂ方向）に繰り返しパターニングされたリードフレーム１０７を別途形成する。

　その後、平面部４０１の、リード端子１２および１３が配置される所定領域上に、エポキシ樹脂からなる絶縁膜４０２（図１６参照）を塗布する。そして、絶縁膜４０２の表面上に、リード端子１２および１３が重なるようにリードフレーム１０７をリードフレーム１０６上に配置した状態でエポキシ樹脂を硬化させる。これにより、リードフレーム１０６とリードフレーム１０７とを接着する（図１７参照）。その後、図１５および図１６に示すように、リード端子１１、１２および１３を固定するようにベース部１０をモールド成型する。なお、第４実施形態のその他の製造プロセスについては、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。

　前端領域１１ｂとリード端子１２および１３とが、異なる平面上に配置されている。これにより、リード端子の幅を小さくすることなく、リード端子の数を容易に増やすことができる。また、リード端子の数を増やした場合でも、平面部４０１の幅（断面積）を適切に確保することができるので、平面部４０１を介して前端領域１１ｂから放熱部１１ｄに放熱する際に放熱（伝熱）特性が低下することを抑制することができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

　（第５実施形態）
　図１８および図１９を参照して、第５実施形態について説明する。この第５実施形態による半導体レーザ装置５００では、第１実施形態と異なり、一方の接続部５１１ｃがリード端子５１１を兼用している。なお、図１８では、リードフレームの詳細な構造を説明するために、前端領域１１ｂが取り付けられるベース部１０（図１９参照）の外形形状を破線で示している。また、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。なお、リード端子５１１は、本発明の「第１リード端子」の一例である。

　半導体レーザ装置５００では、図１８および図１９に示すように、一方（Ｂ２側）の幅Ｗ２を有する接続部５１１ｃの後端部（Ａ２側）から、幅Ｗ５を有するリード端子５１１が後方に延びている。また、接続部５１１ｃの後端部には、放熱部５１１ｄが接続されている。そして、他方（Ｂ１側）の幅Ｗ５２を有する接続部５２１ｃと、接続部５１１ｃとの間に、リード端子１２および１３が設けられている。

　また、図１９に示すように、接続部５２１ｃの幅Ｗ５２は、接続部５１１ｃの幅Ｗ２よりも大きい（Ｗ５２＞Ｗ２）。すなわち、図１９に示すように、平面的に見て、青紫色半導体レーザ素子２０を中心として、接続部５１１ｃ側（Ｂ２側）の構造と接続部５２１ｃ側（Ｂ１側）の構造とが非対称である。なお、半導体レーザ装置５００のその他の構成は、第１実施形態と同様である。

　また、半導体レーザ装置５００の製造プロセスについては、前端領域１１ｂの略中心に対して横方向に非対称に配置された接続部５１１ｃおよび５２１ｃを有するリード端子５１１と、接続部５１１ｃおよび５２１ｃの間の領域にリード端子１２および１３とが配置されるようにパターニングされたリードフレームを形成する点を除いて、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。

　片側（Ｂ２側）の接続部５１１ｃとリード端子５１１とが兼用して形成されているので、他方（Ｂ１側）の放熱部５２１ｄの接続部５２１ｃの幅Ｗ５２をより広く構成することができる。この結果、放熱部５２１ｄの放熱効率を向上させることができる。なお、第５実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

　（第５実施形態の変形例）
　次に、第５実施形態の変形例について説明する。この第５実施形態の変形例による半導体レーザ装置５００ａでは、図２０に示すように、第５実施形態の半導体レーザ装置５００と比べて放熱部５１１ｄが形成されていない以外は同様の構成を備えており、図中において、第５実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。

　図２０に示すように、リード端子５１１には第５実施形態で示した放熱部５１１ｄ（図１８参照）が形成されずに、放熱部５２１ｄのみが片側（Ｂ１側）に形成されている。なお、半導体レーザ装置５００ａのその他の構成は、第５実施形態と同様である。また、半導体レーザ装置５００ａの製造プロセスについては、片側に接続部５２１ｃ、第１放熱部１１ｆおよび第２放熱部１１ｇのみからなる放熱部５２１ｄが形成されたリードフレームを作製する点を除いて、第５実施形態の製造プロセスと略同様である。

　半導体レーザ装置５００ａのように、リード端子５１１の片側（Ｂ１側）にのみ放熱部５２１ｄを備えていても、青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱は、接続部５２１ｃを介して放熱部５２１ｄから外部に放熱することができる。これにより、半導体レーザ装置５００ａの幅（Ｂ方向）を容易に小さくすることができる。この場合、放熱部５２１ｄが接続されている接続部５２１ｃの幅（Ｂ方向の幅）を第１実施形態の接続部１１ｃよりも広く構成することにより、片側にのみ放熱部５２１ｄを形成していても十分放熱することができる。なお、第５実施形態の変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

　（第６実施形態）
　図２１を参照して、第６実施形態について説明する。この第６実施形態による半導体レーザ装置６００では、第１実施形態と異なり、ヘッダ部６１０ａおよび台座部６１０ｂの断面が幅方向（Ｂ方向）に引き延ばされた長丸形状を有するベース部６１０を有し、ベース部６１０のＢ方向の両端部における外周面６１０ｆには、エッジ（角部）などが形成されていない。また、キャップ部６３０についても、底面部６３０ｂおよび底面部６３０ｂから筒状に延びる側壁部６３０ａの内周が、ベース部６１０（ヘッダ部６１０ａ）の断面形状（長丸形状）に対応した断面を有するように樹脂成型されている。これにより、キャップ部６３０の内側面６３０ｃが、ベース部６１０の外周面６１０ｆを完全に取り囲んだ状態で嵌合する。また、図中において、第１実施形態と同様の構成には、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。

　また、キャップ部６３０は、粒子状の合成ゼオライトからなるガス吸収剤と、伸縮性を有する熱可塑性フッ素樹脂との混合物により形成されている。なお、ガス吸収剤は、熱可塑性フッ素樹脂に対して約４０重量％以上約７０重量％以下の範囲で混入されるのが好ましい。なお、熱可塑性フッ素樹脂は、本発明の「樹脂」の一例である。

　また、長丸形状を有する底面部６３０ｂの中央部には、青紫色半導体レーザ素子２０から出射されたレーザ光が外部に向けて透過可能である光透過部６３５がキャップ部６３０と一体的に形成されている。また、光透過部６３５は、ガス吸収剤を含有していないので透光性を有しているのに対して、側壁部６３０ａおよび底面部６３０ｂは、ガス吸収剤を含有しているので透光性を有しない。

　なお、第６実施形態においても、ベース部６１０の外周面６１０ｆ上と後面６１０ｄ上とに、外部からのガスの浸入を遮断するためのガスバリア層１７（図２参照）が形成されており、キャップ部６３０の側壁部６３０ａおよび底面部６３０ｂの外表面６３０ｄに、ガスバリア層３３が形成されている。

　また、キャップ部６３０の製造プロセスについて説明すると、ペレット（約３～５ｍｍ程度の長さを有する円柱状の粒子）状の熱可塑性フッ素樹脂に対して、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有するように粉砕した合成ゼオライトからなるガス吸収剤を混合する。熱可塑性フッ素樹脂とガス吸収剤の混合物を、混練機を用いて約１７０℃の温度条件下で加熱しながら混練する。この際、熱可塑性フッ素樹脂に対するガス吸収剤の割合を約４０％以上約７０％以下にするのが好ましい。

　その後、熱可塑性フッ素樹脂とガス吸収剤との混練物を所定の形状を有する型（図示せず）に流し込んで除温することにより硬化させる。これにより、キャップ部６３０の側壁部６３０ａ、および、略中央部に開口部が形成された底面部６３０ｂ（図２１参照）が成型される。この際、ガス吸収剤を熱可塑性フッ素樹脂に混合する前に、ガス吸収剤に対して熱処理を行うことがより好ましい。これにより、ガス吸収剤の吸収能力が向上される。

　その後、ガス吸収剤が混入されていない熱可塑性フッ素樹脂と、上記工程で成型されたキャップ部６３０（側壁部６３０ａおよび底面部６３０ｂの部分）とを、再度、所定の形状を有する型（図示せず）に入れて、約１７０℃の温度条件下で加熱する。これにより、上記底面部６３０ｂの略中央部に形成されていた開口部に、透光性を有する光透過部６３５（図２１参照）を成型する。なお、熱可塑性フッ素樹脂からの揮発性ガスは端面に付着物を形成しないので、第１実施形態のキャップ部３０の製造プロセスで行った脱ガス処理を行う必要はない。

　なお、半導体レーザ装置６００のその他の構成については、第１実施形態と同様である。また、半導体レーザ装置６００のその他の製造プロセスについては、キャップ部６３０の断面形状（長丸形状）に対応するようにヘッダ部６１０ａおよび台座部６１０ｂを幅方向（Ｂ方向）に引き延ばしたベース部６１０を樹脂成型する点を除いて、第１実施形態と略同様である。

　ベース部６１０およびキャップ部６３０を、それぞれ、エポキシ樹脂および熱可塑性フッ素樹脂と、ガス吸収剤との混合物により形成している。これにより、ベース部６１０およびキャップ部６３０の樹脂から発生する揮発性の有機ガスを、ガス吸収剤によって吸収することができる。

　ここで、キャップ部に熱可塑性フッ素樹脂を用いることの有用性を確認するため、以下の実験を行った。まず、約１ｍｍの厚みを有するテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンおよびビニリデンフロライドからなる熱可塑性フッ素樹脂（３Ｍ製：ＴＨＶ５００Ｇ）により光透過部６３５を形成し、これを光出射面２０ａから１ｍｍの距離を隔てて配置した。次に、７０℃の条件で、青紫色半導体レーザ素子２０から、ＡＰＣにより、１０ｍＷの出力に調整されたレーザ光を上記光透過部６３５に１０００時間照射したところ、光透過部６３５の透過率に変化がないことを確認した。この結果から、キャップ部６３０に熱可塑性フッ素樹脂を用いることの有用性が確認された。

　また、９ｍｍの直径（外径）を有する金属製のステム（ベース部）に青紫色半導体レーザ素子２０のみを取り付けた。金属製のキャップ部（ガラス窓付き）を被せて封止を行う際に、パッケージ内に２ｍｍ×２ｍｍ×０．１ｍｍ（縦×横×厚み）のサイズにカットした熱可塑性フッ素樹脂（３Ｍ製：ＴＨＶ５００Ｇ）を入れて封止した。そして、７０℃の条件で、青紫色半導体レーザ素子２０から、ＡＰＣにより、１０ｍＷの出力に調整されたレーザ光を２５０時間出射して動作試験を行った。この結果、２５０時間経過後においても動作電流に顕著な変化は生じなかった。なお、比較例として、同じパッケージ内に上記と同じサイズにカットしたアクリル板を入れて封止した後に動作試験を行った。この場合、１４０時間で動作電流が上昇し始め、レーザ素子が破損した。

　熱可塑性フッ素樹脂からの揮発性ガスによっては、光出射端面に付着物は形成されないので、この熱可塑性フッ素樹脂を用いてキャップ部６３０を形成した半導体レーザ装置６００では、青紫色半導体レーザ素子２０の劣化をさらに抑制することができる。また、熱可塑性フッ素樹脂については、脱ガス処理を行う必要がないので、優れた特性を備えた半導体レーザ装置６００を容易に製造することができる。なお、第６実施形態による半導体レーザ装置６００のその他の効果については、第１実施形態と同様である。

　（第７実施形態）
　まず、図２２および図２３を参照して、第７実施形態について説明する。この第７実施形態による３波長半導体レーザ装置７００では、第６実施形態と異なり、互いに異なる波長のレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子を搭載して集積型の半導体レーザ装置を構成している。また、図中において、第６実施形態と同様の構成には、第６実施形態と同じ符号を付して図示している。

　３波長半導体レーザ装置７００は、図２２に示すように、第１実施形態の青紫色半導体レーザ素子２０と、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子７０と約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子８０とがモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６０とが、横方向（Ｂ方向）に隣接した状態で、各々がパッド電極７４１を介してＡｌＮからなる導電性のサブマウント７４０の表面上に接合された構造を有している。また、サブマウント７４０は、ベース部６１０から露出するリード端子７１１（前端領域７１１ｂ）の表面上に導電性接着層５を介して接合されている。そして、キャップ部６３０がベース部６１０に嵌合されて被せられてパッケージが気密封止されるように構成されている。なお、３波長半導体レーザ装置７００は、本発明の「半導体発光装置」の一例である。また、２波長半導体レーザ素子６０、赤色半導体レーザ素子７０および赤外半導体レーザ素子８０は、本発明の「半導体発光素子」の一例である。

　また、図２３に示すように、ベース部６１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子７１１、７１２、７１３、７１４および７１５が、互いに絶縁された状態でヘッダ部６１０ａを貫通するように同一平面上に配置されている。また、リード端子７１１は、ヘッダ部６１０ａの略中心を貫通する。リード端子７１１の幅方向（Ｂ方向）の外側（Ｂ２側およびＢ１側）に、それぞれ、リード端子７１２および７１３、および、リード端子７１４および７１５が配置されている。また、リード端子７１１～７１５は、前方（Ａ１側）の前端領域７１１ｂ～７１５ｂをそれぞれ有する。前端領域７１１ｂ～７１５ｂは、ヘッダ部６１０ａの前面６１０ｃから露出するとともに、台座部６１０ｂの上面６１０ｅ上に配置されている。また、リード端子７１１の前端領域７１１ｂは、台座部６１０ｂ上でＢ方向に広がっている。また、前端領域７１１ｂの略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０が固定されている。なお、前端領域７１１ｂは、本発明の「素子設置部」の一例である。

　また、リード端子７１１には、前端領域７１１ｂのＢ方向の両端部から、リード端子７１１～７１５と同一平面上において、リード端子７１２および７１５の外側（Ｂ２側およびＢ１側）でヘッダ部６１０ａを後方（Ａ２方向）に貫通し、さらに、Ｂ２側およびＢ１側に延びてベース部６１０の外周面６１０ｆから離れた後、再度前方（Ａ１方向）に向かって延びる一対の放熱部７１１ｄが形成されている。また、放熱部７１１ｄのＢ方向の幅は、リード端子７１１のヘッダ部６１０ａを貫通する部分のＢ方向の幅よりも広く形成されている。したがって、パッケージ内で動作する青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０が発する熱が、サブマウント７４０、前端領域７１１ｂ、両側の放熱部７１１ｄを介して、３波長半導体レーザ装置７００の外部に放熱する。

　また、２波長半導体レーザ素子６０は、図２２に示すように、赤色半導体レーザ素子７０と赤外半導体レーザ素子８０とが所定の溝幅を有する凹部６５を隔てて共通のｎ型ＧａＡｓ基板７１の表面上に形成されている。

　具体的には、赤色半導体レーザ素子７０は、ｎ型ＧａＡｓ基板７１の上面上に、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層７２と、ＧａＩｎＰからなる量子井戸層とＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層７３と、ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層７４とが形成されている。また、ｐ型クラッド層７４のリッジ７５以外の上面とリッジ７５の両側面とを覆うＳｉＯ_２からなる電流ブロック層７６が形成されている。また、リッジ７５および電流ブロック層７６の上面上に、約２００ｎｍの厚みを有するＰｔ層と約３μｍの厚みを有するＡｕ層とが積層されたｐ側電極７７が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板７１の下面上に、ｎ型ＧａＡｓ基板７１から近い順に、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層およびＡｕ層の順に積層されたｎ側電極７８が形成されている。また、ｎ側電極７８は、赤色半導体レーザ素子７０と赤外半導体レーザ素子８０とに共通のｎ側電極として設けられている。

　また、赤外半導体レーザ素子８０は、ｎ型ＧａＡｓ基板７１の上面上に、ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層８２と、Ａｌ組成の低いＡｌＧａＡｓからなる量子井戸層とＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓからなる障壁層とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層８３と、ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層８４とが形成されている。また、ｐ型クラッド層８４のリッジ８５以外の上面とリッジ８５の両側面とを覆うＳｉＯ_２からなる電流ブロック層８６が形成されている。また、リッジ８５および電流ブロック層８６の上面上に、ｐ側電極８７が形成されている。

　また、図２３に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０は、ｐ側電極２７にワイヤボンディングされた金属線７９１を介してリード端子７１４の前端領域７１４ｂに接続されている。また、赤色半導体レーザ素子７０は、ｐ側電極７７にワイヤボンディングされた金属線７９２を介してリード端子７１３の前端領域７１３ｂに接続される。赤外半導体レーザ素子８０は、ｐ側電極８７にワイヤボンディングされた金属線７９３を介してリード端子７１２の前端領域７１２ｂに接続されている。また、各々のレーザ素子の光反射面からのレーザ光を受光可能に形成されたモニタ用ＰＤ７４２は、ｐ型領域７４２ｂにワイヤボンディングされた金属線７９４を介してリード端子７１５の前端領域７１５ｂに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２８、２波長半導体レーザ素子６０のｎ側電極７８、および、モニタ用ＰＤ７４２のｎ型領域（図示せず）は、共に、サブマウント７４０を介してリード端子７１１に電気的に接続されている。

　なお、３波長半導体レーザ装置７００のその他の構造および製造プロセスについては、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０を横方向（図２３のＢ方向）に並べた状態でサブマウント７４０上に接合する点を除いて、第６実施形態と略同様である。また、３波長半導体レーザ装置７００の効果については、第６実施形態と同様である。

　（第７実施形態の変形例）
　図２２および図２４を参照して、第７実施形態の変形例について説明する。この第７実施形態の変形例による３波長半導体レーザ装置７０５では、第７実施形態と異なり、リード端子７１１とリード端子７１２～７１５とが異なる高さ位置に形成されている。つまり、リード端子７１２～７１５は、平面部４０１上に形成されたエポキシ樹脂からなる絶縁膜４０２を介してリード端子７１１（前端領域７１１ｂ）とは異なる高さ方向（Ｃ方向）の平面上に形成されている。したがって、平面部４０１（リード端子７１１）とリード端子７１２～７１５とは、互いに絶縁された状態で、かつ、高さ方向にも異なった位置で、ベース部６１０を前方（Ａ１側）から後方（Ａ２側）に貫通している。なお、リード端子７１２～７１５は、本発明の「第２リード端子」の一例である。

　また、図２４に示すように、一方（Ｂ２側）の接続部７１１ｃがリード端子７１１を兼用している。ここで、図２４では、リードフレーム上に接着されたリード端子の詳細な構造を説明するために、前端領域７１１ｂが取り付けられるベース部６１０の外形形状を破線で示している。なお、半導体レーザ装置７０５のその他の構成は、第７実施形態と同様である。

　また、第７実施形態の変形例における製造プロセスについては、第７実施形態の製造プロセスと略同様である。

　前端領域７１１ｂとリード端子７１２～７１５とが、異なる平面上に配置されている。これにより、リード端子の幅を小さくすることなく、リード端子の数を容易に増やすことが可能な３波長半導体レーザ装置７０５を得ることができる。なお、第７実施形態の変形例のその他の効果は、第７実施形態と同様である。

　（第８実施形態）
　図２３および図２５を参照して、本発明の第８実施形態による光ピックアップ装置８５０について説明する。なお、光ピックアップ装置８５０は、本発明の「光装置」の一例である。

　光ピックアップ装置８５０は、図２５に示すように、第７実施形態による３波長半導体レーザ装置７００（図２３参照）と、３波長半導体レーザ装置７００から出射されたレーザ光を調整する光学系８２０と、レーザ光を受光する光検出部８３０とを備えている。

　また、光学系８２０は、図２５に示すように、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）８２１、コリメータレンズ８２２、ビームエキスパンダ８２３、λ／４板８２４、対物レンズ８２５、シリンドリカルレンズ８２６および光軸補正素子８２７を有している。

　また、ＰＢＳ８２１は、３波長半導体レーザ装置７００から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク８３５から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ８２２は、ＰＢＳ８２１を透過した３波長半導体レーザ装置７００からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ８２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、３波長半導体レーザ装置７００から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。

　また、λ／４板８２４は、コリメータレンズ８２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板８２４は光ディスク８３５から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、３波長半導体レーザ装置７００から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク８３５から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ８２１によって略全反射される。対物レンズ８２５は、λ／４板８２４を透過したレーザ光を光ディスク８３５の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ８２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能にされている。

　また、ＰＢＳ８２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ８２６、光軸補正素子８２７および光検出部８３０が配置されている。シリンドリカルレンズ８２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子８２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ８２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部８３０の検出領域上で一致するように配置されている。

　また、光検出部８３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部８３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、３波長半導体レーザ装置７００を備えた光ピックアップ装置８５０が構成される。

　この光ピックアップ装置８５０では、３波長半導体レーザ装置７００は、リード端子７１１と、リード端子７１２～７１４との間に、独立して電圧を印加することによって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子７０および赤外半導体レーザ素子８０から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能に構成されている。また、３波長半導体レーザ装置７００から出射されたレーザ光は、ＰＢＳ８２１、コリメータレンズ８２２、ビームエキスパンダ８２３、λ／４板８２４、対物レンズ８２５、シリンドリカルレンズ８２６および光軸補正素子８２７により調整された後、光検出部８３０の検出領域上に照射される。

　ここで、光ディスク８３５に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子７０および赤外半導体レーザ素子８０から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク８３５の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部８３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ８２３のアクチュエータと対物レンズ８２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、フィードバック制御することができる。

　また、光ディスク８３５に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子７０（赤外半導体レーザ素子８０）から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク８３５にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク８３５の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部８３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ８２３のアクチュエータと対物レンズ８２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、フィードバック制御することができる。

　このようにして、３波長半導体レーザ装置７００を備えた光ピックアップ装置８５０を用いて、光ディスク８３５への記録および再生を行うことができる。

　光ピックアップ装置８５０では、第７実施形態における３波長半導体レーザ装置７００を備えているので、３波長半導体レーザ装置７００が有する良好な放熱性によって、３波長半導体レーザ装置７００に搭載された個々の半導体レーザ素子が劣化するのが抑制された長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光ピックアップ装置８５０を得ることができる。加えて、３波長半導体レーザ装置７００のサイズが大きくなるのが抑制された光ピックアップ装置８５０を得ることができる。

　（第９実施形態）
　図２５および図２６を参照して、本発明の第９実施形態による光ディスク装置９００について説明する。なお、光ディスク装置９００は、本発明の「光装置」の一例である。

　光ディスク装置９００は、図２６に示すように、第８実施形態による光ピックアップ装置８５０と、コントローラ９０１と、レーザ駆動回路９０２と、信号生成回路９０３と、サーボ回路９０４と、ディスク駆動モータ９０５とを備えている。

　コントローラ９０１には、光ディスク８３５に記録すべき情報に基づいて生成された記録データＳ１が入力される。また、コントローラ９０１は、記録データＳ１および後述する信号生成回路９０３からの信号Ｓ５に応じて、レーザ駆動回路９０２とサーボ回路９０４に向けて、それぞれ、信号Ｓ２とＳ７を出力する。また、コントローラ９０１は、後述するように、信号Ｓ５を基に再生データＳ１０を出力する。また、レーザ駆動回路９０２は、信号Ｓ２に応じて、光ピックアップ装置８５０内の３波長半導体レーザ装置７００から出射されるレーザパワーを制御する信号Ｓ３を出力する。すなわち、コントローラ９０１およびレーザ駆動回路９０２が、３波長半導体レーザ装置７００を駆動する。

　光ピックアップ装置８５０では、図２６に示すように、信号Ｓ３に応じて制御されたレーザ光を光ディスク８３５に照射する。また、光ピックアップ装置８５０内の光検出部８３０から、信号生成回路９０３に向けて信号Ｓ４が出力される。また、後述するサーボ回路９０４からのサーボ信号Ｓ８により、光ピックアップ装置８５０内の光学系８２０（ビームエキスパンダ８２３のアクチュエータおよび対物レンズ８２５を駆動する対物レンズアクチュエータ）が制御される。信号生成回路９０３は、光ピックアップ装置８５０から出力された信号Ｓ４を増幅および演算処理して、再生信号を含む第１出力信号Ｓ５をコントローラ９０１に向けて出力するとともに、光ピックアップ装置８５０のフィードバック制御および後述する光ディスク８３５の回転制御を行う第２出力信号Ｓ６をサーボ回路９０４に向けて出力する。

　サーボ回路９０４は、図２６に示すように、信号生成回路９０３およびコントローラ９０１からの第２出力信号Ｓ６および信号Ｓ７に応じて、光ピックアップ装置８５０内の光学系８２０を制御するサーボ信号Ｓ８およびディスク駆動モータ９０５を制御するモータサーボ信号Ｓ９を出力する。また、ディスク駆動モータ９０５は、モータサーボ信号Ｓ９に応じて、光ディスク８３５の回転速度を制御する。

　ここで、光ディスク８３５に記録されている情報を再生する場合には、まず、ここでは説明を省略する光ディスク８３５の種類（ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤなど）を識別する手段により、照射すべき波長のレーザ光が選択される。次に、光ピックアップ装置８５０内の３波長半導体レーザ装置７００から出射されるべき波長のレーザ光強度が一定になるように、コントローラ９０１からレーザ駆動回路９０２に向けて信号Ｓ２が出力される。さらに、光ピックアップ装置８５０の３波長半導体レーザ装置７００、光学系８２０および光検出部８３０が機能することにより、光検出部８３０から再生信号を含む信号Ｓ４が信号生成回路９０３に向けて出力され、信号生成回路９０３は、再生信号を含む信号Ｓ５をコントローラ９０１に向けて出力する。コントローラ９０１は、信号Ｓ５を処理することにより、光ディスク８３５に記録されていた再生信号を抽出し、再生データＳ１０として出力する。この再生データＳ１０を用いて、たとええば、光ディスク８３５に記録されている映像、音声などの情報を、モニタやスピーカなどに出力することができる。また、光検出部８３０からの信号Ｓ４を基に、各部のフィードバック制御も行う。

　また、光ディスク８３５に情報を記録する場合には、まず、光ディスク８３５の種類（ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤなど）を識別する手段により、照射すべき波長のレーザ光が選択される。次に、記録される情報に応じた記録データＳ１に応じて、コントローラ９０１からレーザ駆動回路９０２に向けて信号Ｓ２が出力される。さらに、光ピックアップ装置８５０の３波長半導体レーザ装置７００、光学系８２０および光検出部８３０が機能することにより、光ディスク８３５に情報を記録するとともに、光検出部８３０からの信号Ｓ４を基に、各部のフィードバック制御を行う。

　このようにして、光ディスク装置９００を用いて、光ディスク８３５への記録および再生を行うことができる。

　光ディスク装置９００では、第８実施形態における光ピックアップ装置８５０を備えているので、３波長半導体レーザ装置７００が有する良好な放熱性によって、光ピックアップ装置８５０に搭載された個々の半導体レーザ素子が劣化するのが抑制された長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光ディスク装置９００を得ることができる。加えて、光ピックアップ装置８５０のサイズが大きくなるのが抑制された光ディスク装置９００を得ることができる。

　（第１０実施形態）
　図２３、図２７および図２８を参照して、本発明の第１０実施形態によるプロジェクタ装置９５０の構成について説明する。なお、プロジェクタ装置９５０では、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０を構成する個々の半導体レーザ素子が略同時に点灯される例について説明する。なお、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０は、本発明の「半導体発光装置」の一例であり、プロジェクタ装置９５０は、本発明の「光装置」の一例である。

　プロジェクタ装置９５０は、図２８に示すように、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０と、複数の光学部品からなる光学系９２０と、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０および光学系９２０を制御する制御部９９０とを備えている。これにより、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０から出射されたレーザ光が、光学系９２０により変調された後、外部のスクリーン９９５などに投影される。

　また、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０は、図２７に示すように、約５３０ｎｍの緑色（Ｇ）の発振波長を有する緑色半導体レーザ素子６６０および約４８０ｎｍの青色（Ｂ）の波長を有する青色半導体レーザ素子６６５がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６５０に対して、約６５５ｎｍの赤色（Ｒ）の発振波長を有する赤色半導体レーザ素子６７０が接合され、ＲＧＢの３つの波長を有するレーザ光を出射することができるＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０を備えている。

　ここで、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０は、図２４に示す第７実施形態の変形例の３波長半導体レーザ装置７０５を参照して、青紫色半導体レーザ素子２０の代わりにｎ型ＧａＡｓ基板７１の上面上に形成された赤色半導体レーザ素子６７０（図２７参照）を備え、赤色半導体レーザ素子７０および赤外半導体レーザ素子８０がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６０の代わりに緑色半導体レーザ素子６６０および青色半導体レーザ素子６６５がｎ型ＧａＮ基板２１の下面上にモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６５０（図２７参照）を備えている。また、各々の半導体レーザ素子は、パッド電極７４１を介してサブマウント７４０の表面上に接合されている。

　また、図２７に示すように、赤色半導体レーザ素子６７０は、ｐ側電極７７にワイヤボンディングされた金属線７９１を介してリード端子７１４の前端領域７１４ｂ（図２４参照）に接続されている。また、青色半導体レーザ素子６６５は、ｐ側パッド電極６６６にワイヤボンディングされた金属線７９２を介してリード端子７１３の前端領域７１３ｂ（図２４参照）に接続される。緑色半導体レーザ素子６６０は、ｐ側パッド電極６６１にワイヤボンディングされた金属線７９３を介してリード端子７１２の前端領域７１２ｂ（図２４参照）に接続されている。また、各々のレーザ素子の光反射面からのレーザ光を受光可能に形成されたモニタ用ＰＤ７４２は、ｐ型領域７４２ｂ（図２３参照）にワイヤボンディングされた金属線７９４を介してリード端子７１５の前端領域７１５ｂ（図２４参照）に接続されている。また、赤色半導体レーザ素子６７０のｎ側電極６７８、２波長半導体レーザ素子６５０のｎ側電極６５８、および、モニタ用ＰＤ７４２のｎ型領域（図示せず）は、共に、サブマウント７４０を介してリード端子７１１に電気的に接続されることにより、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０では、カソードコモンの結線が実現されている。

　なお、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０のその他の構成および製造プロセスは、第７実施形態の３波長半導体レーザ装置７００の場合と同様である。

　また、図２８に示すように、光学系９２０において、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０から出射されたレーザ光は、凹レンズと凸レンズとからなる分散角制御レンズ９２２により所定ビーム径を有する平行光に変換された後、フライアイインテグレータ９２３に入射される。また、フライアイインテグレータ９２３では、蝿の目状のレンズ群からなる２つのフライアイレンズが向き合っており、液晶パネル９２９、９３３および９４０に入射する際の光量分布が均一となるように分散角制御レンズ９２２から入射される光に対してレンズ作用を付与する。すなわち、フライアイインテグレータ９２３を透過した光は、液晶パネル９２９、９３３および９４０のサイズに対応したアスペクト比（たとえば１６：９）の広がりをもって入射できるように調整されている。

　また、フライアイインテグレータ９２３を透過した光は、コンデンサレンズ９２４によって集光される。また、コンデンサレンズ９２４を透過した光のうち、赤色光のみがダイクロイックミラー９２５によって反射される一方、緑色光および青色光はダイクロイックミラー９２５を透過する。

　そして、赤色光は、ミラー９２６を経てレンズ９２７による平行化の後に入射側偏光板９２８を介して液晶パネル９２９に入射される。この液晶パネル９２９は、赤色用の画像信号（Ｒ画像信号）に応じて駆動されることにより赤色光を変調する。

　また、ダイクロイックミラー９３０では、ダイクロイックミラー９２５を透過した光のうちの緑色光のみが反射される一方、青色光はダイクロイックミラー９３０を透過する。

　そして、緑色光は、レンズ９３１による平行化の後に入射側偏光板９３２を介して液晶パネル９３３に入射される。この液晶パネル９３３は、緑色用の画像信号（Ｇ画像信号）に応じて駆動されることにより緑色光を変調する。

　また、ダイクロイックミラー９３０を透過した青色光は、レンズ９３４、ミラー９３５、レンズ９３６およびミラー９３７を経て、さらにレンズ９３８によって平行化がなされた後、入射側偏光板９３９を介して液晶パネル９４０に入射される。この液晶パネル９４０は、青色用の画像信号（Ｂ画像信号）に応じて駆動されることにより青色光を変調する。

　その後、液晶パネル９２９、９３３および９４０によって変調された赤色光、緑色光および青色光は、ダイクロイックプリズム９４１により合成された後、出射側偏光板９４２を介して投写レンズ９４３へと入射される。また、投写レンズ９４３は、投写光を被投写面（スクリーン９９５）上に結像させるためのレンズ群と、レンズ群の一部を光軸方向に変位させて投写画像のズームおよびフォーカスを調整するためのアクチュエータを内蔵している。

　また、プロジェクタ装置９５０では、制御部９９０によって赤色半導体レーザ素子６７０の駆動に関するＲ信号、緑色半導体レーザ素子６６０の駆動に関するＧ信号および青色半導体レーザ素子６６５の駆動に関するＢ信号としての定常的な電圧が、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０の各レーザ素子に供給されるように制御される。これによって、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０の赤色半導体レーザ素子６７０、緑色半導体レーザ素子６６０および青色半導体レーザ素子６６５は、実質的に同時に発振する。また、制御部９９０によって赤色半導体レーザ素子６７０、緑色半導体レーザ素子６６０および青色半導体レーザ素子６６５の各々の光の強度を制御することによって、スクリーン９９５に投写される画素の色相や輝度などが制御される。これにより、制御部９９０によって所望の画像がスクリーン９９５に投写される。

　このようにして、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０が搭載されたプロジェクタ装置９５０が構成されている。

　（第１１実施形態）
　図２７、図２９および図３０を参照して、本発明の第１１実施形態によるプロジェクタ装置９８０の構成について説明する。なお、プロジェクタ装置９８０では、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０を構成する個々の半導体レーザ素子が時系列的に点灯される例について説明する。なお、プロジェクタ装置９８０は、本発明の「光装置」の一例である。

　プロジェクタ装置９８０は、図２９に示すように、第１０実施形態で用いたＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０と光学系９７０と、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０および光学系９７０を制御する制御部９９１とを備えている。これにより、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０からのレーザ光が、光学系９７０により変調された後、スクリーン９９５などに投影される。

　また、光学系９７０において、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０から出射されたレーザ光は、各々、レンズ９７２により平行光に変換された後、ライトパイプ９７４に入射される。

　ライトパイプ９７４は内面が鏡面となっており、レーザ光は、ライトパイプ９７４の内面で反射を繰り返しながらライトパイプ９７４内を進行する。この際、ライトパイプ９７４内での多重反射作用によって、ライトパイプ９７４から出射される各色のレーザ光の強度分布が均一化される。また、ライトパイプ９７４から出射されたレーザ光は、リレー光学系９７５を介してデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）９７６に入射される。

　ＤＭＤ９７６は、マトリクス状に配置された微小なミラー群からなる。また、ＤＭＤ９７６は、各画素位置の光の反射方向を、投写レンズ９８０に向かう第１の方向Ａと投写レンズ９８０から逸れる第２の方向Ｂとに切り替えることにより各画素の階調を表現（変調）する機能を有している。各画素位置に入射されるレーザ光のうち第１の方向Ａに反射された光（ＯＮ光）は、投写レンズ９８０に入射されて被投写面（スクリーン９９５）に投写される。また、ＤＭＤ９７６によって第２の方向Ｂに反射された光（ＯＦＦ光）は、投写レンズ９８０には入射されずに光吸収体９７７によって吸収される。

　また、プロジェクタ装置９８０では、制御部９９１によりパルス電源がＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０に供給されるように制御されることによって、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０の赤色半導体レーザ素子６７０、緑色半導体レーザ素子６６０および青色半導体レーザ素子６６５は、時系列的に分割されて１素子ずつ周期的に駆動されるように構成されている。また、制御部９９１によって、光学系９７０のＤＭＤ９７６は、赤色半導体レーザ素子６７０、緑色半導体レーザ素子６６０および青色半導体レーザ素子６６５の駆動状態とそれぞれ同期しながら、各画素（Ｒ、ＧおよびＢ）の階調に合わせて光を変調する。

　具体的には、図３０に示すように、赤色半導体レーザ素子６７０（図２７参照）の駆動に関するＲ信号、緑色半導体レーザ素子６６０（図２７参照）の駆動に関するＧ信号、および青色半導体レーザ素子６６５（図２７参照）の駆動に関するＢ信号が、互いに重ならないように時系列的に分割された状態で、制御部９９１（図２９参照）によって、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０の各レーザ素子に供給される。また、このＢ信号、Ｇ信号およびＲ信号に同期して、制御部９９１からＢ画像信号、Ｇ画像信号、Ｒ画像信号がそれぞれＤＭＤ９７６に出力される。

　これにより、図３０に示したタイミングチャートにおけるＢ信号に基づいて、青色半導体レーザ素子６６５の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ９７６により青色光が変調される。また、Ｂ信号の次に出力されるＧ信号に基づいて、緑色半導体レーザ素子６６０の緑色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｇ画像信号に基づいて、ＤＭＤ９７６により緑色光が変調される。さらに、Ｇ信号の次に出力されるＲ信号に基づいて、赤色半導体レーザ素子６７０の赤色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｒ画像信号に基づいて、ＤＭＤ９７６により赤色光が変調される。その後、Ｒ信号の次に出力されるＢ信号に基づいて、青色半導体レーザ素子６６５の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、再度、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ９７６により青色光が変調される。上記の動作が繰り返されることによって、Ｂ画像信号、Ｇ画像信号およびＲ画像信号に基づいたレーザ光照射による画像が、被投写面（スクリーン９９５）に投写される。

　このようにして、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０が搭載されたプロジェクタ装置９８０が構成されている。

　第１０実施形態および第１１実施形態におけるプロジェクタ装置９５０および９８０では、プロジェクタ装置の内部にＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０（図２７参照）が実装されているので、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０が有する良好な放熱性によって、赤色半導体レーザ素子６７０、緑色半導体レーザ素子６６０および青色半導体レーザ素子６６５が劣化するのが抑制された長時間の使用にも耐え得る信頼性の高いプロジェクタ装置９５０および９８０を容易に得ることができる。加えて、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置９１０のサイズが大きくなるのが抑制されたプロジェクタ装置９５０および９８０を得ることができる。

　なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

　たとえば、第１～第１１実施形態では、ベース部およびキャップ部の各々に対してガス吸収剤が混入された樹脂材料を用いた例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、本発明では、ベース部にのみガス吸収剤が混入された樹脂材料を用いるとともに、キャップ部にガス吸収剤が混入されていない樹脂材料を用いて半導体レーザ装置を構成してもよい。あるいは、キャップ部にのみガス吸収剤が混入された樹脂材料を用いるとともに、ベース部にガス吸収剤が混入されていない樹脂材料を用いて半導体レーザ装置のパッケージを構成してもよい。

　また、第１～第１１実施形態では、ガス吸収剤として合成ゼオライトを用いた例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有するように粉砕された粒子状のシリカゲルや活性炭を、ガス吸収剤として用いてもよく、合成ゼオライト、シリカゲルおよび活性炭のいずれを用いてもよい。

　また、第１～第１１実施形態では、キャップ部を、伸縮性を有するシリコン樹脂または熱可塑性フッ素樹脂により形成し、かつ、キャップ部をベース部に嵌合させて半導体レーザ装置のパッケージを構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、リードフレームのベース部を、伸縮性を有するシリコン樹脂または熱可塑性フッ素樹脂などを用いて形成し、かつ、ベース部をキャップ部に嵌合させて半導体レーザ装置のパッケージを構成してもよい。

　また、第１～第１１実施形態では、ベース部およびキャップ部を、共に樹脂とガス吸収剤との混合物により形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ベース部およびキャップ部の一方を金属材料を用いて形成し、他方を樹脂とガス吸収剤との混合物により形成してもよい。

　また、第１～第１１実施形態では、樹脂（エポキシ樹脂）に粒子状に粉砕されたガス吸収剤（合成ゼオライト）を混入してベース部を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図３１に示す第１実施形態の第４変形例のように、複数のペレット状（円柱状）のガス吸収剤１１６を粉砕することなくベース部１１５に埋め込んで形成してもよい。この場合、ペレット状のガス吸収剤１１６のほとんどの部分が樹脂１５（たとえばエポキシ樹脂など）中に埋め込まれるとともに、埋め込まれた複数のペレットの一方端部１１６ａがベース部１１５の端面（前面１１５ｃ）から露出する。この第４変形例のように構成すれば、樹脂１５内部において発生した有機ガスが、ベース部１１５に埋め込まれたガス吸収剤１１６により吸収されるとともに、パッケージ内に漏れた有機ガスについても、ベース部１１５の端面（前面１１５ｃおよび１１５ｈ）に露出する一方端部１１６ａにより吸収される。また、図２に示したベース部１０の内部構造と比較して、ベース部１１５の外周面１１５ｆの近傍は、ガス吸収剤１１６が存在せずに樹脂１５のみによって構成される領域を有するので、その分、外部（大気中）からの低分子シロキサンや揮発性の有機ガスが樹脂１５中に浸入することを抑制することができる。なお、外周面１１５ｆにガスバリア層を形成することにより、外部からのガス浸入に対する抑制効果をさらに高めることができる。

　また、第１～第１１実施形態では、樹脂（エポキシ樹脂）に粒子状に粉砕されたガス吸収剤（合成ゼオライト）を一様に混入してベース部を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図３２に示す第１実施形態の第５変形例のように、ベース部１２０の外周面１２０ｆの近傍に、エポキシ樹脂に粒子状に粉砕されたガス吸収剤が混入されない領域Ｐを有するようにベース部１２０をモールド成型してもよい。この第５変形例のように構成しても、図２に示したベース部１０の内部構造と比較して、ベース部１２０の外周面１２０ｆの近傍は、ガス吸収剤が存在せずに樹脂１５のみによって形成される領域Ｐを有するので、外部（大気中）からの低分子シロキサンや揮発性の有機ガスが樹脂１５中に浸入するのが抑制される。なお、外周面１２０ｆに、上記第１実施形態と同様にガスバリア層を形成することによって、パッケージ外部からのガス浸入抑制効果をさらに高めることができる。

　また、第１～第１１実施形態では、ベース部およびキャップ部の各々に対してガスバリア層を設けた例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、本発明では、ベース部またはキャップ部のいずれか一方にのみガスバリア層を設けてもよい。

　また、第１～第１１実施形態では、ベース部の外表面にガスバリア層１７を設けた例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、本発明では、パッケージ内の空間に接する側のベース部の表面（ヘッダ部の前面と台座部の前面および上面と）にガスバリア層を設けてもよい。また、キャップ部についても同様に、パッケージ内の空間に接する側のキャップ部の表面（キャップ部の内面）にガスバリア層を設けてもよい。

　また、第１～第１１実施形態では、ガスバリア層を、ＳｉＯ_２からなる例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、Ａｌ_２Ｏ_３やＺｒＯ_２などの誘電体膜を用いてガスバリア層を形成してもよい。なお、キャップ部に形成されるガスバリア層３３を、Ａｌ_２Ｏ_３やＺｒＯ_２などからなる多層の金属酸化膜によって構成する場合、このガスバリア層３３を兼ねる金属酸化膜が、反射防止層の役割を有する。なお、ガスバリア層３３を反射防止層としての金属酸化膜により構成する場合、図２に示したキャップ部３０の光透過部３５の内表面および外表面の両方の表面上に形成されるのが好ましい。

　また、第１～第１１実施形態では、樹脂にガス吸収剤を混入したベース部およびキャップ部を用いてパッケージを構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、樹脂にガス吸収剤を混入したベース部およびキャップ部を用いることに加えて、パッケージ内の空いたスペースに、ガス吸収剤を設置してもよい。

　また、第１実施形態では、放熱部１１ｄにおける第１放熱部１１ｆをベース部１０の後面１０ｄよりも若干後方の位置から外側に延びる例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図３３に示す第６変形例の半導体レーザ装置１００ｆのように、第１放熱部１１ｆの一部分（前端側）がベース部１０の外周面１０ｆから外側（Ｂ２側またはＢ１側）に突出して延びていてもよい。この場合、第１放熱部１１ｆの幅はＷ９（Ｗ９＞Ｗ３（図４参照））である。さらに、本発明では、第１放熱部１１ｆが後面１０ｄの後方に露出することなく、全ての部分がベース部１０内から外周面１０ｆを横方向（Ｂ方向）に貫通して外側に延びていてもよい。この場合、ベース部１０の外周面１０ｆの前方側に放熱部が形成されていない領域を残しておくことによって、上記第１実施形態のように、キャップ部３０を嵌合させることができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０を封止することができる。

　また、第２実施形態では、第１放熱部２１１ｆを上方（図１１のＣ２方向）に折り曲げた例について示したが、本発明では、第１放熱部２１１ｆを下方（Ｃ１方向）に折り曲げて放熱部１１ｄを構成してもよい。

　また、第３実施形態では、接続部３１１ｃの端部を上方（図１３のＣ２方向）に折り曲げた例について示したが、本発明では、接続部３１１ｃの端部領域を下方（Ｃ１方向）に折り曲げて接続部を構成してもよい。

　また、第２実施形態では、接続部を折り曲げて放熱部を上方に延ばしたが、本発明では、放熱部を折り曲げて放熱部を折り曲げた方向に延ばしてもよい。

　また、第７実施形態の変形例では、リード端子７１１を有するリードフレーム（平面部４０１）の表面上にリード端子７１２～７１５を同一面上に横に並べて配置した例について示したが、本発明では、たとえば、リード端子７１４および７１５を、リード端子７１２および７１３の上にさらに積層してもよい。これにより、複数のリード端子が半導体レーザ装置の幅方向に広がって配置されないので、３波長半導体レーザ装置の幅を小さくすることができる。

　また、上記各実施形態では、ベース部１０には前方に突出する台座部１０ｂが形成されている例について示したが、本発明では、ベース部１０は、台座部１０ｂが突出していない略円板状の形状を有していてもよい。

　また、第１～第１１実施形態では、ベース部とキャップ部とを嵌合してパッケージ５０を封止した例について示したが、これに限られない。参考例として、ベース部にキャップ部を被せることなく半導体レーザ装置を構成してもよい。

Claims

　半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子を封止するパッケージとを備え、
　前記パッケージは、前記半導体発光素子が取り付けられるベース部と、前記ベース部に取り付けられ、前記半導体発光素子を覆うキャップ部とを含み、
　前記ベース部および前記キャップ部の少なくともいずれか一方は、樹脂とガス吸収剤との混合物により形成されている、半導体発光装置。
　前記キャップ部は、前記混合物により形成され、前記半導体発光素子から出射された光が外部に向けて透過する光透過部を有し、
　前記樹脂は、透光性を有し、
　前記ガス吸収剤は、前記光透過部以外の前記キャップ部を構成する前記混合物中に混入されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記ガス吸収剤は、合成ゼオライト、シリカゲルおよび活性炭の少なくともいずれかである、請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記混合物により形成されている前記ベース部および前記キャップ部の少なくともいずれか一方の表面に、ガスバリア層が形成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記ベース部に取り付けられ、同一平面上に配置された複数のリード端子と、
　前記半導体発光素子が載置される素子設置部と一体的に形成された放熱部とをさらに備え、
　前記放熱部は、前記複数のリード端子の外側に配置されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記放熱部は、前記同一平面上に配置されている、請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記放熱部と前記素子設置部とは、前記ベース部の前面側から後面側に延びる接続部によって接続されており、
　前記放熱部と前記接続部との接続領域は、前記ベース部の後面側に配置されている、請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記接続領域は、少なくとも一部が前記ベース部の後面から露出している、請求項７に記載の半導体発光装置。
　前記放熱部は、前記キャップ部の外側に配置されている、請求項７に記載の半導体発光装置。
　前記放熱部は、前記ベース部の両側方のうちの少なくとも一方側方において、前記複数のリード端子の外側に配置されている、請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記リード端子は、前記ベース部の後面に取り付けられた第１リード端子を含み、
　前記素子設置部は、前記第１リード端子と一体的に形成されている、請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記リード端子は、前記ベース部の後面に取り付けられた第２リード端子を含み、
　前記素子設置部と前記第２リード端子とは、異なる平面上に配置されている、請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記接続部および前記放熱部の少なくとも一部が折り曲げられている、請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記接続部および前記放熱部の少なくとも一部は、前記ベース部の後面と平行な方向に折り曲げられている、請求項１３に記載の半導体発光装置。
　前記放熱部の幅は、前記リード端子の幅よりも大きい、請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記樹脂は、伸縮性を有し、
　前記半導体発光素子は、前記ベース部と前記キャップ部とが嵌合することにより、封止されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記ベース部および前記キャップ部は、共に前記樹脂と前記ガス吸収剤との混合物により形成されており、
　前記キャップ部を構成する樹脂に混入される前記ガス吸収剤の前記樹脂に対する割合は、前記ベース部を構成する樹脂に混入される前記ガス吸収剤の前記樹脂に対する割合よりも小さい、請求項１６に記載の半導体発光装置。
　前記ベース部は、前記ベース部の後面側から前面側に向かって先細りする外周面を有し、
　前記キャップ部は、前記ベース部の先細りする前記外周面に嵌合する、請求項１６に記載の半導体発光装置。
　ベース部およびキャップ部を形成する工程と、
　半導体発光素子を前記ベース部に取り付ける工程と、
　前記ベース部と前記キャップ部とを嵌合することにより、前記半導体発光素子を封止する工程とを備え、
　前記ベース部および前記キャップ部を形成する工程は、前記ベース部および前記キャップ部の少なくともいずれか一方を、樹脂とガス吸収剤との混合物を成型することにより形成する工程を含む、半導体発光装置の製造方法。
　半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止するパッケージとを含む半導体発光装置と、
　前記半導体発光装置の出射光を制御する光学系とを備え、
　前記パッケージは、前記半導体発光素子が取り付けられるベース部と、前記ベース部に取り付けられ、前記半導体発光素子を覆うキャップ部とを有し、
　前記ベース部および前記キャップ部の少なくともいずれか一方は、樹脂とガス吸収剤との混合物により形成されている、光装置。