JP2012054527A - 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造プロセスが複雑になることが抑制され、かつ、半導体レーザ素子が劣化することを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ９０とを備える。パッケージ９０は、青紫色半導体レーザ素子２０が取り付けられるベース部１０と、青紫色半導体レーザ素子２０をベース部１０とともに封止する封止用部材３０と、青紫色半導体レーザ素子２０から出射された光を外部に透過する光透過部３５とを含む。そして、ベース部１０、封止用部材３０および光透過部３５は、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤１５を介して接合されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光装置に関し、特に、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法およびこれを用いた光装置に関する。

従来、半導体レーザ素子は、光ディスクシステムや光通信システムなどの光源として広く用いられている。たとえば、約７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子は、ＣＤの再生用の光源として実用化されているとともに、約６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子は、ＤＶＤの記録・再生用の光源として実用化されている。また、約４０５ｎｍの波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子は、ブルーレイディスクの光源として実用化されている。

このような光源装置を実現するために、従来、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１〜３参照）。

上記特許文献１には、フランジ面が形成された樹脂成型品からなるヘッダと、ヘッダに取り付けられた半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の周囲を覆う樹脂製の透明キャップとを備えた半導体レーザのプラスチックモールド装置が開示されている。このプラスチックモールド装置では、透明キャップの開口縁部をエポキシ樹脂系材料を含有する接着剤を介してヘッダのフランジ面に接合することにより、半導体レーザ素子が気密封止されている。

また、上記特許文献２には、樹脂成型品からなるヘッダと、ヘッダの素子設置部に取り付けられた半導体レーザ素子と、断面がＬ字形状に形成された樹脂製の透明キャップ（蓋部材）とを備えた半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、透明キャップの外縁部を光硬化性接着剤などを介してヘッダの素子設置部に接合することにより、半導体レーザ素子が気密封止されている。

また、上記特許文献３には、金属材料からなる基板と、基板の上面上に取り付けられた面発光レーザ素子と、金属系材料を主材として構成され、レーザ光源の周囲の空間を封止するパッケージ部材（封止用部材）とを備えた光モジュールが開示されている。この光モジュールでは、パッケージ部材の開口縁部を接合膜を介して基板の上面に接合することにより、面発光レーザ素子が気密封止されている。なお、接合膜は、たとえば、インジムウ錫酸化物（ＩＴＯ）やインジムウ亜鉛酸化物（ＩＺＯ）やアンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）などの金属酸化物に脱離基として水素原子などを導入する特殊な製造プロセスにより成膜される。

特開平９−２０５２５１号公報 特開平１０−２０９５５１号公報 特開２００９−１３５３４７号公報

しかしながら、上記特許文献１および２に開示された半導体装置では、ヘッダと透明キャップとの接合にエポキシ樹脂系接着剤または光硬化性接着剤などが用いられている。これらの接着剤は、特に硬化前の状態において、有機ガスなどの揮発性のガス成分を多く含んでいる場合には、接合後には上記揮発性のガスがパッケージ内に充満する虞がある。この場合、特に青紫色半導体レーザ素子が封止されている場合には、揮発性のガスが、発振波長が短く高エネルギーのレーザ光により励起・分解されることに起因して、半導体レーザ素子のレーザ出射端面に付着物が形成されやすい。この場合、付着物によってレーザ光が吸収されるので、レーザ出射端面の温度が上昇しやすい。その結果、半導体レーザ素子が劣化するという問題点がある。

また、上記特許文献３に開示された光モジュール（半導体装置）では、脱離基を有する金属酸化物からなる接合膜を所定の製造プロセスにより成膜した後に、この接合膜を用いてパッケージと基板とを接合するため、製造プロセスが複雑になるという問題点がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、製造プロセスが複雑になることが抑制され、かつ、半導体レーザ素子が劣化することを抑制することが可能な半導体レーザ装置および光装置を提供することである。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を封止するパッケージとを備え、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、半導体レーザ素子をベース部とともに封止する封止用部材と、半導体レーザ素子から出射された光を外部に透過する窓用部材とを含み、ベース部、封止用部材および窓用部材のうちの少なくとも２つの部材は、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤を介して接合されている。

この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、ベース部、封止用部材および窓用部材のうちの少なくとも２つの部材が、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤を介して接合されている。ここで、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体は、外気を遮断するガスバリア性に優れた樹脂材料であるので、半導体レーザ装置の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどが、封止剤を透過してパッケージ内に浸入することを抑制することができる。さらに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からは上記揮発成分が発生しにくいので、レーザ出射端面に付着物が形成されることが抑制される。その結果、半導体レーザ素子の劣化を抑制することができる。また、上記したエチレン−ポリビニルアルコール共重合体は、熱圧着により部材同士の接合を容易に行うことができる樹脂材料であるので、複雑な製造プロセスを必要とすることなく、ベース部、封止用部材および窓用部材を互いに接合してパッケージを封止することができる。なお、本発明の封止剤として、製造工程上での取り扱いが容易であり、ガスバリア性に優れ、かつ、レーザ出射端面に付着物を形成する揮発成分を発生しにくい材料として上記したエチレン−ポリビニルアルコール共重合体を用いる点については、本願発明者が鋭意検討した結果、見い出した構成である。

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、封止用部材と窓用部材とは、封止剤を介して接合されている。このように構成すれば、封止用部材と窓用部材とを封止剤により接合する際に、透光性を有する窓用部材を通して封止剤の接合状態を確認することができる。これにより、封止剤中に気泡などを混入させることなく封止用部材と窓用部材とを確実に接合することができる。この結果、接合部における封止用部材と窓用部材との密着性を高めることができる。また、窓用部材は、リード線とは離間された位置に設けられるので、リード線の半田溶融時の熱の影響を受けにくい。エチレン−ポリビニルアルコール共重合体が熱可塑性を有する点を考慮すると、本発明の封止剤を、熱の影響を受けにくい窓用部材の接合に用いる点で有効である。

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、封止用部材は、金属製であり、窓用部材は、ガラス製である。このように構成すれば、本発明の封止剤は、金属表面に対してもガラス表面に対しても高い密着性を有しているので、接合箇所における封止用部材と窓用部材との密着性を高めることができる。また、ガラス部材と金属部材とを接合する際に、ガラスを通して封止剤の接合状態を確認しながら封止用部材と窓用部材とを確実に接合することができる。また、本発明の封止剤は、柔軟性にも富むので、接合箇所に加わる不意な衝撃力を吸収することができる。これにより、ガラス製の窓用部材が割れやすくなることを抑制することができる。

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、封止用部材は、金属箔からなり、封止剤は、ベース部との接合部以外の封止用部材の表面上にまで延びて設けられている。このように構成すれば、金属箔の強度（剛性）を向上させることができるので、安価な金属箔を用いても所定の剛性を有する封止用部材を容易に構成することができる。

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、封止剤の側面は、封止剤よりも透湿度が小さい材料からなる樹脂により覆われている。このように構成すれば、上記した透湿度が小さい樹脂により、外部（大気中）に存在する湿気（水分）などが封止用部材と窓用部材との接合部から封止剤を介してパッケージ内部に浸入することを確実に抑制することができる。

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、封止用部材は、底部を有する筒状に形成されている。このように構成すれば、封止用部材の長手方向（筒形状が延びる方向）に延びた内側面により半導体レーザ素子を周状に取り囲んだ状態でパッケージを封止することができる。

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、ベース部は、金属板からなるとともにリード端子を含み、ベース部は、リード端子以外の部分が折り曲げられて形成された凹部を有し、凹部の内底面に半導体レーザ素子が取り付けられている。このように構成すれば、従来のように樹脂を使用することなくベース部の側面を設けることができるので、揮発性の有機ガスなどがパッケージ内に充満しない。これにより、半導体レーザ素子の劣化を確実に抑制することができる。また、ベース部とリード端子とを一体的に形成することができるので、部品点数が少なく、容易に半導体レーザ装置を製造することができる。

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、封止剤の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下である。このように構成すれば、パッケージの封止性（気密性）を損うことなく、パッケージ全体の高さ（厚み）をより低く（薄く）形成することができる。また、使用する封止剤の量を少なくすることができるので、たとえば、接合後のベース部と封止用部材との接合部以外にはみ出す封止剤の量を減少させることができる。

この発明の第２の局面による半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子をベース部に取り付ける工程と、半導体レーザ素子を封止するように、ベース部、封止用部材および窓用部材のうちの少なくとも２つの部材を、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤により熱圧着することにより接合する工程とを備える。

この発明の第２の局面による半導体レーザ装置の製造方法では、上記のように、ベース部、封止用部材および窓用部材のうちの少なくとも２つの部材を、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤により熱圧着することにより接合する工程を備えている。本発明では、封止剤として製造工程上での取り扱いが容易な原材料を用いているので、複雑な製造プロセスを必要とすることなく、ベース部、封止用部材および窓用部材を互いに接合してパッケージを封止することができる。さらには、封止剤にエチレン−ポリビニルアルコール共重合体を用いるので、半導体レーザ素子の劣化が抑制された半導体レーザ装置を得ることができる。

この発明の第３の局面による光装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を封止するパッケージとを含む半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、半導体レーザ素子をベース部とともに封止する封止用部材と、半導体レーザ素子から出射された光を外部に透過する窓用部材とを有し、ベース部、封止用部材および窓用部材のうちの少なくとも２つの部材は、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤を介して接合されている。

この発明の第３の局面による光装置では、半導体レーザ装置が上記のように構成されているので、複雑な製造プロセスを必要とせずにパッケージが封止され、かつ、半導体レーザ素子が劣化することが抑制された半導体レーザ装置を搭載した光装置を得ることができる。

本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置のベース部と封止用部材とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のベース部と封止用部材とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置のベース部と封止用部材とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための斜視図である。 本発明の第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置のベース部と封止用部材とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置のベース部とキャップ部とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置におけるキャップ部の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置におけるキャップ部の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部とベース部とが分離された状態を示した分解斜視図である。 本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。 本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した縦断面図である。 本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した上面図である。 本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第８実施形態による３波長半導体レーザ装置の封止用部材を外した状態を示した上面図である。 本発明の第８実施形態による３波長半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。 本発明の変形例による半導体レーザ装置において、封止用部材をフィルム状の封止剤を挟んだ状態でベース部に接合する様子を示した斜視図である。 図３２に示した半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１実施形態）
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。

本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００は、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ９０とを備えている。パッケージ９０は、青紫色半導体レーザ素子２０が取り付けられるベース部１０と、ベース部１０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を上方（Ｃ２側）および前方（Ａ１側）の２方向から覆う封止用部材３０とを有している。なお、青紫色半導体レーザ素子２０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。

ベース部１０は、図１に示すように、ポリアミド樹脂により形成された厚みｔ１（Ｃ方向）を有する平板状のベース本体１０ａを有している。また、平板状のベース本体１０ａの前方の約半分の領域には、下方（Ｃ１側）に向かって厚みｔ１の約半分の深さに窪む凹部１０ｂが形成されている。また、ベース本体１０ａの前方の前壁部１０ｃには、幅方向（Ｂ方向）の中央部に幅Ｗ３を有する略矩形状の開口部１０ｄが設けられている。したがって、凹部１０ｂには、上面１０ｉに開口する略矩形状の開口部１０ｅと、前方に開口する開口部１０ｄとが配置されている。また、凹部１０ｂは、前壁部１０ｃと、前壁部１０ｃの両側端部から後方（Ａ２側）に略平行に延びる一対の側壁部１０ｆと、側壁部１０ｆの後方側（Ａ２側）の端部を繋ぐ内壁部１０ｇと、前壁部１０ｃ、一対の側壁部１０ｆおよび内壁部１０ｇが下部で繋がる底面とによって構成されている。

また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、１２および１３が、互いに絶縁された状態でベース本体１０ａを前方から後方に貫通するように配置されている。また、平面的に見て、リード端子１１は、ベース本体１０ａのＢ方向の略中心を貫通するとともに、リード端子１１の幅方向の外側（Ｂ２側およびＢ１側）には、それぞれリード端子１２および１３が配置されている。また、リード端子１１、１２および１３は、各々の後方に延びた後端領域が、ベース本体１０ａの後方の後壁部１０ｈからそれぞれ露出している。

また、リード端子１１、１２および１３の前方の前端領域１１ａ、１２ａおよび１３ａは、ベース本体１０ａの内壁部１０ｇからそれぞれ露出しており、前端領域１１ａ〜１３ａは、共に凹部１０ｂの底面上に配置されている。また、リード端子１１の前端領域１１ａは、凹部１０ｂの底面上でＢ方向に広がっている。

また、リード端子１１には、前端領域１１ａに接続される一対の放熱部１１ｄが一体的に形成されている。一対の放熱部１１ｄは、リード端子１１を中心としてＢ方向の両側に略対称に配置されている。また、放熱部１１ｄは、前端領域１１ａから延びるとともにベース本体１０ａの側面からＢ１方向およびＢ２方向に貫通してベース部１０の外部に露出している。したがって、動作する青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱が、サブマウント４０および両側の放熱部１１ｄに伝達されて半導体レーザ装置１００の外部に放熱されるように構成されている。

封止用部材３０は、アルミ箔により形成されている。封止用部材３０は、図１に示すように、約５０μｍの厚みｔ２および幅Ｗ１（Ｂ方向）を有する天面部３０ａと、天面部３０ａの一方側（Ａ１側）の端部において折り曲げられて下方に延びる厚みｔ２および幅Ｗ２（Ｗ２≦Ｗ１）を有する前面部３０ｂとを有する。また、天面部３０ａと前面部３０ｂとは互いに略直交した状態で形成されることにより、封止用部材３０はＡ方向の側断面が略Ｌ字形状を有する。なお、前面部３０ｂの幅Ｗ２は、開口部１０ｄのＢ方向の開口長さＷ３よりも大きい（Ｗ２＞Ｗ３）。

また、図２に示すように、封止用部材３０の裏面（内表面３０ｃ）上の略全ての領域に約０．２ｍｍの厚みｔ３を有する封止剤１５が塗布されている。なお、封止剤１５には、ＥＶＯＨ樹脂であるエバール（登録商標、クラレ製：エバールＦ１０４Ｂ）を用いている。ＥＶＯＨ樹脂は、ガスバリア性に優れた材料であり、主に多層フィルムとして食品包装材などに使用される。

また、前面部３０ｂの略中央部には、封止用部材３０を厚み方向に貫通する１つの孔部３４（窓部）が設けられている。そして、前面部３０ｂの外側（Ａ１側）から孔部３４を覆うように約０．２５ｍｍの厚みを有する硼珪酸ガラスからなる透光性を有する光透過部３５が設けられている。この際、光透過部３５は、孔部３４の周りに塗布された約０．１ｍｍの厚みを有する封止剤１５を介して前面部３０ｂに貼り付けられている。したがって、孔部３４は、封止剤１５を介して取り付けられた光透過部３５により完全に塞がれている。また、光透過部３５のＡ１側およびＡ２側の表面上には、反射防止層の役割を有するＡｌ_２Ｏ_３からなる誘電体膜３１が形成されている。なお、光透過部３５は、本発明の「窓用部材」の一例である。

この状態で、封止用部材３０とベース部１０とは、封止剤１５を介して接合されている。すなわち、封止用部材３０は、上面１０ｉにおける開口部１０ｅの周辺（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆおよび前壁部１０ｃの各々の上面）と、前面（前壁部１０ｃの外側面（Ａ１側））における開口部１０ｄの周辺とにおいて封止剤１５を介してベース部１０に取り付けられている。また、上記した封止剤１５による接合領域は、環状に形成されている。これにより、開口部１０ｄおよび１０ｅは、封止用部材３０により完全に塞がれており、青紫色半導体レーザ素子２０をパッケージ９０によって封止している。したがって、半導体レーザ装置１００では、パッケージ９０の内部の光出射面に揮発成分による付着物などが生じないかまたは生じにくいように構成されている。なお、図２に示すように、封止用部材３０は、所定の圧着力によりベース部１０に接合されているので、天面部３０ａの内表面３０ｃとベース本体１０ａの上面１０ｉとの接合領域における封止剤１５の厚みｔ４は、接合領域以外の封止剤１５の厚みｔ３よりも小さい。また、例えば、接合後の封止剤１５のうち、接合領域（厚みｔ４）よりも若干内側（パッケージ９０の内部側）の部分では、厚みｔ５（ｔ５＞ｔ４）を有してフィレット状に盛り上がる場合もある。また、このような盛り上がり形状は、封止用部材３０とベース部１０との接合領域の内側および外側に沿って形成される場合がある。

また、リード端子１１の前端領域１１ａの上面略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０が、導電性を有するサブマウント４０を介して取り付けられている。また、青紫色半導体レーザ素子２０は、約１００μｍの厚み（高さ（Ｃ方向））を有している。

ここで、青紫色半導体レーザ素子２０は、光出射面を前方に向けてジャンクションアップ方式で取り付けられている。なお、青紫色半導体レーザ素子２０に形成されている一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面、相対的に小さい方の端面が光反射面であって、レーザ光は、Ａ１方向に出射される。また、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面および光反射面には、製造プロセスにおける端面コート処理により、ＡｌＮ膜やＡｌ_２Ｏ_３膜などからなる誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。

また、青紫色半導体レーザ素子２０の上面に形成されたｐ側電極２１には、Ａｕなどからなる金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、前端領域１２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極２２は、サブマウント４０を介して前端領域１１ａに電気的に接続されている。

また、サブマウント４０の後方の青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面側には、レーザ光強度をモニタするために用いられるフォトダイオード（ＰＤ）４２が受光面を上方に向けて配置されている。そして、平板状のＰＤ４２の下面（ｎ型領域）をＡｇペーストなどからなる導電性接着層５を介して前端領域１１ａに電気的に接続するとともに、ＰＤ４２の上面（ｐ型領域）には、Ａｕなどからなる金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、前端領域１３ａに接続されている。

また、図１および図２に示すように、パッケージ９０の封止空間内に位置する各部材の表面には、ＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤１６が所定の厚みを有して塗布されている。詳細に説明すると、被覆剤１６は、凹部１０ｂの内側面（前壁部１０ｃ、一対の側壁部１０ｆおよび内壁部１０ｇの内側面および凹部１０ｂの底面）と、サブマウント４０およびＰＤ４２が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、前端領域１２ａおよび１３ａの表面とを連続的に覆っている。この際、導電性接着層５がＰＤ４２の下部からはみ出た部分の表面も、被覆剤１６により覆われている。したがって、パッケージ９０の封止空間内に位置する樹脂製のベース本体１０ａおよびリード端子１１〜１３などの表面が、被覆剤１６により完全に覆われている。

また、図１に示すように、パッケージ９０内のサブマウント４０の側方（Ｂ１側）における前端領域１１ａ上に、被覆剤１６を介してシリカゲルからなるガス吸収剤４９が設けられている。また、ガス吸収剤４９は、底面を下にした略半球状に形成されており、球面の頂部が、封止用部材３０の裏面（内表面３０ｃ）の封止剤１５に接触するように固定されている。このようにして、半導体レーザ装置１００が構成されている。

次に、図１〜図７を参照して、第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。

まず、図３に示すように、鉄や銅などの帯状の薄板からなる金属板をエッチングすることにより、放熱部１１ｄが前端領域１１ａと一体的に形成されたリード端子１１と、リード端子１１の両側に配置されたリード端子１２および１３とが、横方向に繰り返しパターニングされたリードフレーム１０４を形成する。この際、各リード端子１２および１３は、横方向に延びる連結部１０１および１０２により連結された状態でパターニングされる。また、各放熱部１１ｄは、横方向に延びる連結部１０３により連結された状態でパターニングされる。

その後、図４に示すように、一組のリード端子１１〜１３が貫通するベース本体１０ａと、各端子の前端領域１１ａ〜１３ａが底面上に露出するような凹部１０ｂとを有するベース部１０（図１参照）を、樹脂成型装置を用いてリードフレーム１０４に成型する。この際、ベース本体１０ａは、各リード端子１１〜１３の前端領域１１ａ〜１３ａが、共に凹部１０ｂ内に配置されるようにモールド成型される。

また、所定の製造プロセスを用いて、青紫色半導体レーザ素子２０、ＰＤ４２およびサブマウント４０を作製する。そして、サブマウント４０の一方の表面（上面）上に、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のチップを接合する。この際、ｎ側電極２２側がサブマウント４０の上面に接合される。

その後、図４に示すように、導電性接着層（図示せず）を介して、前端領域１１ａの上面略中央（横方向）の上面上に、サブマウント４０を接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０が接合されていないサブマウント４０の下面側が前端領域１１ａの上面に接合される。続いて、サブマウント４０の後方であり、かつ、前端領域１１ａと内壁部１０ｇとの間に、導電性接着層５を用いてＰＤ４２の下面を接合する。この際、ＰＤ４２は、ｎ型領域側がリード端子１１に接合される。

その後、図１に示すように、金属線９１を用いてｐ側電極２１と前端領域１２ａとを接続する。また、金属線９２を用いてＰＤ４２のｐ型領域（上面）と前端領域１３ａとを接続する。

その後、ベース部１０を約２３０℃に加熱した状態で、凹部１０ｂの内側面（前壁部１０ｃ、一対の側壁部１０ｆおよび内壁部１０ｇの内側面および凹部１０ｂの底面）と、サブマウント４０およびＰＤ４２が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、前端領域１２ａおよび１３ａの表面とを連続的に覆うように被覆剤１６を塗布する。これにより、金属線９１および９２のリード端子側の端部近傍にも被覆剤１６が塗布される。

ベース部１０を冷却した後、図４に示すように、分離線１８０および１９０に沿って切断することにより、連結部１０１、１０２および１０３を切断除去する。その後、ガス吸収剤４９をサブマウント４０の側方（Ｂ１側）における前端領域１１ａ上に載置する。

一方、図５に示すように、約１７μｍの厚みｔ２を有するシート状のアルミ箔１３０を約２２０℃に加熱した状態で、裏面１３０ｂ上の全面に封止剤１５を約０．２ｍｍの厚みｔ３で塗布する。その後、アルミ箔１３０の所定領域に孔部３４を所定の間隔を隔てて複数形成する。なお、アルミ箔１３０は、本発明の「金属箔」の一例である。

その後、図６に示すように、約２２０℃に加熱したアルミ箔１３０の上面１３０ａ上の各々の孔部３４の周囲に、封止剤１５を円環状に塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、誘電体膜３１が形成されている略円盤状の光透過部３５を孔部３４上を塞ぐように圧着する。その後、アルミ箔１３０を冷却することにより、光透過部３５を封止剤１５を介してアルミ箔１３０に貼り付ける。なお、冷却により、裏面１３０ｂ上に塗布されている封止剤１５も硬化するので、板状となった封止用部材３０には所定の大きさの剛性が生じる。その後、図７に示すように、アルミ箔１３０を、封止用部材３０を平面上に展開した形状に切り抜く。

その後、ベース部１０を約２２０℃に加熱した状態で、折り曲げられていない状態の封止用部材３０をベース部１０の上面に熱圧着するとともに、前面部３０ｂを天面部３０ａに対して垂直な方向になるように前壁部１０ｃに沿って封止用部材３０を折り曲げながら前壁部１０ｃの前面に熱圧着する。なお、封止用部材３０は、周囲の熱によって封止剤１５が溶融し始めるのでアルミ箔１３０が変形可能な状態となる。その後、ベース部１０を冷却することにより、ベース部１０に対して封止用部材３０が取り付けられる。この封止用部材３０の取り付け時、前端領域１１ａと封止用部材３０の裏面の封止剤１５が溶融した状態でガス吸収剤４９と接触するため、冷却後、前端領域１１ａと封止用部材３０の裏面の封止剤１５にガス吸収剤４９が固着することができる。これにより、封止用部材３０が図２に示した形状に形成される。このようにして、半導体レーザ装置１００が形成される。

上記のように、ベース部１０、封止用部材３０および光透過部３５の各々が、互いに、ＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５を介して接合されているので、半導体レーザ装置１００の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどが、封止剤１５を透過してパッケージ９０内に浸入することを抑制することができる。さらに、ＥＶＯＨ樹脂からは上記揮発成分が発生しにくいので、レーザ出射端面に付着物が形成されることが抑制される。その結果、青紫色半導体レーザ素子２０の劣化を抑制することができる。

また、上記したＥＶＯＨ樹脂は、加熱（約２２０℃）により溶融する性質を有しているので、封止用部材３０と光透過部３５との接合部分や、封止用部材３０とベース部１０（ベース本体１０ａ）との接合部分に容易に塗布することができる。また、除温（冷却）に伴う封止剤１５の硬化により上記した部材同士の接合を容易に行うことができる。これにより、複雑な製造プロセスを必要とすることなく、ベース部１０、封止用部材３０および光透過部３５を互いに接合してパッケージ９０を封止することができる。

また、パッケージ９０の封止空間（ベース部１０と封止用部材３０とによって囲まれた閉空間）内に位置する樹脂製のベース本体１０ａ、ＰＤ４２の外周部、および、金属製のリード端子１１〜１３などの表面が、被覆剤１６により完全に覆われている。これにより、ベース部１０の材料（ポリアミド樹脂）や導電性接着剤５（Ａｇペースト）などから揮発性の有機ガスが発生する場合であっても、被覆剤１６によって揮発性の有機ガスがパッケージ９０の封止空間内に漏れ出るのを遮断することができる。また、半導体レーザ装置１００の外部（大気中）に存在する低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがパッケージ９０の構成部材を透過したとしても、被覆剤１６によってパッケージ９０内に浸入することを抑制することができる。さらに、ＥＶＯＨ樹脂からは上記揮発成分が発生しにくいので、パッケージ９０内の半導体レーザ素子２０は、有機ガスなどに曝されない。この結果、レーザ出射端面に付着物が形成されることを抑制することができるので、半導体レーザ素子２０が劣化することをさらに有効にを抑制することができる。

また、ポリアミド樹脂を用いてベース部１０を形成することによって、従来の金属材料を用いてパッケージを形成する場合などと比較して、製造プロセスを簡素化することができる。材料コストおよび製造プロセスが簡素化される点で、半導体レーザ装置１００を安価に製造することができる。

ここで、封止剤１５および被覆剤１６としてＥＶＯＨ樹脂を用いることの有用性を確認するため、以下の実験を行った。まず、９ｍｍの直径（外径）を有する金属製のステム（ベース部）に青紫色半導体レーザ素子２０を取り付けるとともに、金属製のキャップ部（ガラス窓付き）の内側面に約５ｍｇにカットしたＥＶＯＨ樹脂のペレットを入れた状態でキャップ部を被せて封止を行った。そして、７０℃の条件で、青紫色半導体レーザ素子２０から、自動光量制御（ＡＰＣ）により、１０ｍＷの出力に調整されたレーザ光を２５０時間出射して動作試験を行った。この結果、２５０時間経過後においても半導体レーザ装置の動作電流に顕著な変化は生じなかった。なお、比較例として、ＥＶＯＨ樹脂を入れない状態で封止した半導体レーザ装置における動作試験を行った。２５０時間経過後の比較例と比較しても、動作電流に顕著な差異が見られなかった。この結果から、ＥＶＯＨ樹脂からは、有機ガスなどが極めて発生しにくいことが確認され、封止剤１５および被覆剤１６にＥＶＯＨ樹脂を用いることの有用性が確認された。

また、封止用部材３０は、半導体レーザ素子を覆うようにベース部１０に取り付けられており、封止用部材３０と光透過部３５とは、封止剤１５を介して接合されている。これにより、封止用部材３０と光透過部３５とを封止剤１５により接合する際に、透光性を有する光透過部３５を通して封止剤１５の接合状態を確認することができるので、封止剤１５中に気泡などを混入させることなく封止用部材３０と光透過部３５とを確実に接合することができる。この結果、接合箇所における封止用部材３０と光透過部３５との密着性を高めることができる。また、光透過部３５は、金属製９１および９２とは離間された位置に設けられるので、金属製９１および９２の半田溶融時の熱の影響を受けにくい。ＥＶＯＨ樹脂が熱可塑性を有する点を考慮すると、本発明の封止剤１５を、熱の影響を受けにくい光透過部３５の接合に用いる点で有効である。

また、ＥＶＯＨ樹脂からなる封止剤１５が封止用部材３０の内表面３０ｃ上全体に形成されているので、薄膜状であるために通常ではパッケージ９０の構成部材としての強度に満たないアルミ箔１３０であっても、内表面３０ｃ上全体に設けられた封止剤１５によって、物理的強度（剛性）を高められる。この結果、安価な金属箔を用いても所定の剛性を有する封止用部材３０を容易に構成することができる。また、剛性を高めることにより、製造工程上での不要な変形を防止することができる。さらには、予め封止用部材３０に封止剤１５を形成しておけば、加熱したベース部１０に押し当てて冷却するだけで封止できるので、製造工程上での取り扱いも容易になる。

また、パッケージ９０内にガス吸収剤４９を設けることによって、ガス吸収剤４９に、ベース本体１０ａが発生する揮発性の有機ガスを吸収させることができる。これにより、パッケージ９０内の有機ガス濃度を小さくすることができる。その結果、青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することをより確実に抑制することができる。

（第１実施形態の変形例）
次に、第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置１０５について説明する。この半導体レーザ装置１０５では、図８に示すように、約５０μｍの厚みを有するアルミ箔を用いて封止用部材３０を形成している。この際、パッケージ９０の封止空間内に位置する封止用部材３０の内表面３０ｃ上には、封止剤１５が塗布されておらず、アルミ箔の表面が封止空間内に露出している。一方、図１に示した開口部１０ｅおよび１０ｄの周囲を囲むように、ベース本体１０ａの上面１０ｉにおける開口部１０ｅの周辺領域（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆおよび前壁部１０ｃの各々の上面）と、前面（前壁部１０ｃの外側面（Ａ１側））における開口部１０ｄの周辺領域上とに、封止剤１５が所定厚みを有して塗布されている。この状態で、封止用部材３０が、天面部３０ａおよび前面部３０ｂの内表面３０ｃの外縁部近傍を封止剤１５に密着させてベース部１０に取り付けられている。なお、ベース本体１０ａの接合領域にのみ封止剤１５が塗布されているので、封止用部材３０が所定の圧着力によりベース部１０に接合された場合には、封止剤１５の一部が、パッケージ９０の内部側にはみ出している。なお、第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置１０５のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。

また、半導体レーザ装置１０５の製造プロセスでは、下面１３０ｂ上に封止剤１５が塗布されていないアルミ箔１３０（図５参照）に対して、第１実施形態と同様に光透過部３５を貼り付ける。第１実施形態と同様の封止用部材３０を作製した後、光透過部３５が外側になるように前面部３０ｂの部分を天面部３０ａに対して垂直な方向に折り曲げる。これにより、封止用部材３０は、第１実施形態と異なり、ベース部１０に熱圧着される前に予め図８に示した形状に成形される。

その後、ベース部１０を約２２０℃に加熱した状態で、ベース部１０の開口部１０ｅおよび１０ｄの周囲を囲むように、上面１０ｉにおける開口部１０ｅの周辺（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆおよび前壁部１０ｃの各々の上面）と、前面（前壁部１０ｃの外側面）における開口部１０ｄの周辺上とを連続的に覆うように封止剤１５を塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、封止用部材３０をベース部１０に対して熱圧着する。その後、ベース部１０を冷却することにより、ベース部１０に対して封止用部材３０が取り付けられる。

なお、その他のプロセスは、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。また、第１実施形態の変形例の効果は、第１実施形態と同様である。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００について説明する。この半導体レーザ装置２００では、図９および図１０に示すように、パッケージ９０は、ベース部１０と、ベース部１０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を上方（Ｃ２側）および前方（Ａ１側）からそれぞれ覆う封止用部材４５および窓用部材４６とを有している。なお、半導体レーザ装置２００では、凹部１０ｂ内にガス吸収剤４９（図１参照）は設けられていないが、凹部１０ｂ内にガス吸収剤４９を設けてもよい。

ベース本体１０ａは、上面１０ｉ側から見て、後方（Ａ２方向）から前端部２１０ｃに向かって幅（Ｂ方向）が小さくなるように先細りする外形形状を有している。

封止用部材４５は、約１５μｍの厚みｔ６を有する洋白などのＣｕ合金箔シートからなる。また、封止用部材４５は、ベース本体１０ａの平面形状と略同一の平面形状を有しており、後方の幅はＷ２１、前方の幅はＷ２２である。また、封止用部材４５の裏面４５ｃ上の略全ての領域に約０．２ｍｍの厚みｔ３を有する封止剤１５が塗布されている。

窓用部材４６は、硼珪酸ガラス（硬質ガラス）からなる平板状のガラス板からなる。また、窓用部材４６は、約０．２５ｍｍの厚みｔ５（Ａ方向）、幅Ｗ２（Ｂ方向）および凹部１０ｂの深さ（ｔ１／２）と略等しい高さＷ２３（Ｃ方向）を有しており、開口部１０ｄ内に取り付けられている。この際、窓用部材４６とベース本体１０ａとの間には、開口部１０ｄの内側面（開口部１０ｄにおけるリード端子１１の前端領域１１ａの上面、および、一対の側壁部１０ｆの各々の内側面）を連続的に覆う封止剤１５が、所定厚みを有して塗布されている。この状態で、窓用部材４６は、下面４６ａおよび両側面４６ｃを封止剤１５に密着させた状態で取り付けられている。また、窓用部材４６の表面（Ａ１側およびＡ２側）上には、誘電体膜３１が形成されている。

そして、封止用部材４５が、開口部１０ｅの上方からベース部１０に取り付けられている。すなわち、封止用部材４５は、ベース本体１０ａの上面１０ｉ上（内壁部１０ｇの近傍領域、および、一対の側壁部１０ｆの各々の上面上）と、封止用部材４６の上面４６ｂ上とにおいて、封止剤１５を介してベース部１０に取り付けられている。

また、サブマウント４０の後方（Ａ２側）の青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面側には、ＰＤ４２が受光面を上方（Ｃ２方向）に向けて配置されている。そして、ＰＤ４２の下面（ｎ型領域）がサブマウント４０に電気的に接続されている。なお、半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。

また、半導体レーザ装置２００の製造プロセスでは、まず、放熱部１１ｄよりも長さ（Ａ方向）の小さな放熱部２１１ｄがリード端子１１〜１３とともに繰り返しパターニングされたリードフレームを形成した後、樹脂成型装置を用いて、ベース本体１０ａをモールド成型する。また、ベース本体１０ａは、前端部２１０ｃがリード端子１１の前端領域１１ａの前端面２１１ｅと同一面上に揃うように成型される。

その後、ベース部１０を約２２０℃に加熱した状態で、開口部１０ｄの内側面（開口部１０ｄにおける前端領域１１ａの上面および一対の側壁部１０ｆの各々の内側面）上に、封止剤１５（図９参照）を塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、開口部１０ｄに嵌め込むようにして窓用部材４６を熱圧着しながら取り付ける。これにより、窓用部材４６が、下面４６ａおよび両側面４６ｃを封止剤１５を介して前端領域１１ａの上面および側壁部１０ｆの内側面に密着させた状態でベース本体１０ａに取り付けられる。

その後、ベース部１０に対して、ＵＶクリーニング処理または真空中における約２００℃の加温処理を行う。これにより、凹部１０ｂに付着する製造プロセス中の汚れや、ポリアミド樹脂に含まれる水分や溶剤を蒸発して除去する。

その後、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０およびＰＤ４２が接合されたサブマウント４０を、前端領域１１ａの上面略中央（横方向）に接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面を窓用部材４６側に向けるとともに、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面およびＰＤ４２を内壁部１０ｇ側に向けて配置する。

その後、金属線９１を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２１とリード端子１２の前端領域１２ａとを接続する。また、金属線９２を用いてＰＤ４２の上面とリード端子１３の前端領域１３ａとを接続する。

また、封止用部材４５については、約２２０℃に加熱した状態で、裏面４５ｃ上の全面に封止剤１５（ＥＶＯＨ樹脂）を約０．２ｍｍの厚みで塗布し、冷却後、ベース本体１０ａの平面形状と略同一の平面形状（図９参照）を有するように洋白シートを切り抜くことにより形成される。

その後、ベース部１０を約２２０℃に加熱した状態で、封止用部材４５を、開口部１０ｄを覆うように上面１０ｉ上および上面４６ｂ上に熱圧着する。これにより、封止用部材４５が、裏面４５ｃを封止剤１５を介して上面１０ｉ上および上面４６ｂ上に密着させた状態でベース本体１０ａに取り付けられる。なお、その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと略同様である。

第２実施形態では、上記のように、ベース本体１０ａの開口部１０ｄを、封止剤１５を介して窓用部材４６により封止するとともに、ベース本体１０ａの開口部１０ｅを、封止剤１５を介して封止用部材４５により封止している。封止剤１５を用いて、ベース本体１０ａと窓用部材４６および封止用部材４５とをさらに隙間なく強固に取り付けることができるので、パッケージ９０を確実に封止することができる。これにより、パッケージ９０内部の青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することを抑制することができる。

また、ベース本体１０ａの上面１０ｉから前端部２１０ｃにかけて開口する開口部１０ｄおよび１０ｅを、封止用部材４５および窓用部材４６によりそれぞれ封止しているので、開口部１０ｅの上面１０ｉ側と開口部１０ｄの前端部２１０ｃ側との境界部分に隙間が生じにくい。これにより、パッケージ９０を確実に封止することができるので、パッケージ９０内部の青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することを確実に抑制することができる。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置３００について説明する。この半導体レーザ装置３００では、図１１および図１２に示すように、第２実施形態の半導体レーザ装置２００における樹脂製のベース部１０の代わりに、金属製のベース部３１０を備えている。なお、図１２では、半導体レーザ装置３００の幅方向（Ｂ方向）の中心線に沿った縦断面図の一部に、リード端子１２（１３）とベース部３１０との取付構造を示した断面図を併記している。

ベース部３１０には、約０．４ｍｍの厚みを有するリン青銅からなる金属板を用いている。また、ベース部３１０は、幅方向（Ｂ方向）に拡大されたリード端子１１の前端領域１１ａを長さ方向（Ａ方向）に沿って折り曲げられており、溝状の凹部３１０ｂが形成されている。凹部３１０ｂの内底面３１０ｃ上には、サブマウント４０が固定される。なお、ベース部３１０の凹部３１０ｂの内側面には、被覆剤１６は塗布されておらず、パッケージ９０の封止空間内に金属表面が露出している。

また、凹部３１０ｂは、ベース部３１０の上面１０ｉに開口する開口部３１０ｅと、前方（Ａ１側）に開口する開口部３１０ｄとを有する。また、ベース部３１０は、凹部３１０ｂの内底面３１０ｃの幅方向の両側（Ｂ２側およびＢ１側）において開口部３１０ｄから後方に略平行に延びる一対の側壁部３１０ｆと、各々の側壁部３１０ｆの上端部において幅方向（Ｂ１側およびＢ２側）に延びる取付部３１０ｋとによって構成されている。また、ベース部３１０の後方の略矩形状の開口を塞ぐようにエポキシ樹脂からなる封止用部材１７が設けられている。また、封止用部材１７の凹部３１０ｂ側（Ａ１側）の内表面１７ａ上には、約０．５ｍｍの厚みを有する封止剤１５が塗布されている。

また、図１１に示すように、リード端子１２および１３は、互いに絶縁された状態で封止剤１５および封止用部材１７を前方から後方に貫通するように配置されている。この際、リード端子１２および１３は、リード端子１１（前端領域１１ａ）とは異なる高さ方向（Ｃ方向）の平面上に保持されている。

窓用部材４６は、第２実施形態と同様に、開口部３１０ｄ内に塗布された封止剤１５を介して固定されている。また、封止用部材４５が、ベース部３１０の取付部３１０ｋの上面、窓用部材４６の上面４６ｂ、および、封止用部材１７の上面１７ｂに取り付けられている。

なお、半導体レーザ装置３００のその他の構成は、第２実施形態と略同様であって、図中において、第２実施形態と同じ符号を付して図示している。

また、半導体レーザ装置３００の製造プロセスでは、まず、第１実施形態と同様に、リン青銅からなる帯状の金属板をエッチングすることにより、リード端子１１が横方向に繰り返しパターニングされたリードフレームを形成する。この際、図３を参照して、リード端子１２および１３、および、放熱部１１ｄについてはパターニングを行わない。

その後、図１３に示すように、リード端子１１を中心として所定距離だけ離れた幅方向（Ｂ方向）の両側において前端領域１１ａを前後方向（Ａ方向）に沿って切断することにより、折り曲げ形成前の平板状のリードフレームを得る。そして、図示しないプレス機などを用いて、前端領域１１ａの一部をリードフレームの上面に対して上方に折り曲げる。これにより、リード端子１１と同一平面で接続される内底面３１０ｃと、内底面３１０ｃの両端において上方に折り曲げられた側壁部３１０ｆと、側壁部３１０ｆの端部（Ｂ２側およびＢ１側）から再度横方向（Ｂ方向）に折り曲げられた取付部３１０ｋとを有するベース部３１０が形成される。

その後、図示しない樹脂成型装置を用いて、図１４に示すように、凹部３１０ｂのリード端子１１側（Ａ２側）の開口をエポキシ樹脂からなる封止用部材１７により塞ぐ。この際、リード端子１１の上方においてリード端子１２および１３が封止用部材１７を貫通するようにリード端子１２および１３を配置した状態でエポキシ樹脂を硬化させる。その後、ベース部３１０を約２２０℃に加熱した状態で、封止用部材１７の内表面１７ａ上に封止剤１５を塗布する。

その後、半導体レーザ装置２００の製造プロセスと略同様に、ベース部３１０の開口部３１０ｄを塞ぐように窓用部材４６を封止剤１５を介して熱圧着しながら取り付ける。その後、ベース部３１０の開口部３１０ｅを塞ぐように封止用部材４５を封止剤１５を介して熱圧着しながら取り付ける。なお、その他のプロセスは、第２実施形態における製造プロセスと略同様である。

第３実施形態では、上記のように、ベース部３１０は、金属板で構成されているので、ベース部３１０からは揮発性の有機ガスが発生しない。これにより、揮発性の有機ガスなどがパッケージ９０内に充満しないので、青紫色半導体レーザ素子２０の劣化を確実に抑制することができる。

また、封止用部材１７の内表面１７ａ上に封止剤１５が塗布されているので、エポキシ樹脂からなる封止用部材１７が発生する揮発性の有機ガスが、封止剤１５を透過してパッケージ９０内に浸入することを抑制することができる。その結果、青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することをより確実に抑制することができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

（第３実施形態の変形例）
次に、第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置３０５について説明する。この半導体レーザ装置３０５では、図１５に示すように、プレス加工により略矩形形状の平坦な金属板に凹部３１５ｂが形成されたベース部３１５を備えている。なお、図１６では、半導体レーザ装置３０５の幅方向（Ｂ方向）の中心線に沿った縦断面図の一部に、リード端子１２（１３）とベース部３１５との取付構造を示した断面図を併記している。

凹部３１５ｂは、青紫色半導体レーザ素子２０の周囲を取り囲む４つの側壁部３１６、３１７、３１８および３１９と、サブマウント４０を取り付けるための内底面３１０ｃとによって構成されている。また、凹部３１５ｂは、ベース部３１５の上面１０ｉ側に開口する開口部３１５ｅを有する。そして、ベース部３１５には、開口部３１５ｅの外縁部に沿って外方向（Ａ方向およびＢ方向）に延びる枠状の取付部３１５ｋが設けられている。

また、青紫色半導体レーザ素子２０の前方（Ａ１側）の側壁部３１６の略中央部には、孔部３４が設けられている。そして、側壁部３１６の外側（Ａ１側）から孔部３４を覆うように封止剤１５を介して窓用部材４６が貼り付けられている。

また、図１６に示すように、リード端子１１は、青紫色半導体レーザ素子２０の後方（Ａ２側）の側壁部３１７の下端部近傍において側壁部３１７に導通するように取り付けられている。また、リード端子１２および１３は、それぞれ、側壁部３１７に形成された孔部３６を貫通している。この際、孔部３６の内周面とリード端子１２または１３との隙間と側壁部３１７の外側（Ａ２側）の表面上とには、エポキシ樹脂からなる封止用部材１７ａが設けられている。また、リード端子１２および１３が露出する側壁部３１７の内側（Ａ１側）の表面上には、孔部３６の縁部、および、リード端子１２または１３の外周面を覆うように封止剤１５が設けられている。これにより、リード端子１２および１３の各々とベース部３１５との絶縁が図られている。

また、ベース部３１５と封止用部材４５とが封止剤１５により接合される側面（取付部３１５ｋと封止用部材４５との外縁部）、および、ベース部３１５と窓用部材４６とが封止剤１５により接合される側面（取付部３１５ｋの下面の一部および凹部３１５ｂの裏面側の一部）が、封止剤１５よりも透湿度が小さい材料からなる被覆剤１８により覆われている。この被覆剤１８には、透湿度が低くエポキシ樹脂などからなる光硬化または熱硬化性樹脂を用いている。なお、被覆剤１８は、本発明の「透湿度が小さい材料からなる樹脂」の一例である。

なお、第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置３０５のその他の構成は、第３実施形態と略同様であって、図中において、第３実施形態と同じ符号を付して図示している。

また、半導体レーザ装置３０５の製造プロセスでは、リン青銅からなる略矩形形状の金属板にプレス加工を施して、凹部３１５ｂを有するベース部３１５を形成する。その後、側壁部３１６に１つの孔部３４を設けるとともに、側壁部３１７に２つの孔部３６を設ける。そして、リード端子１１を側壁部３１７の下端部に取り付けるとともに、リード端子１１の上方（Ｃ２側）においてリード端子１２および１３が各々に対応する孔部３６を貫通した状態で封止用部材１７ａにより固定する。その後、側壁部３１７の内側において、リード端子１２および１３が孔部３６を貫通する部分に封止剤１５を盛り付ける。その後、ベース部３１５と封止用部材４５とが封止剤１５により接合される側面、および、ベース部３１５と窓用部材４６とが封止剤１５により接合される側面に被覆剤１８を盛り付ける。なお、その他のプロセスは、第３実施形態の製造プロセスと略同様である。

第３実施形態の変形例では、上記のように、リード端子１２および１３が露出する側壁部３１７の内側の表面上に、孔部３６の縁部、および、リード端子１２または１３の外周面を覆うように封止剤１５が設けられている。これにより、エポキシ樹脂からなる封止用部材１７ａが発生する揮発性の有機ガスが、封止剤１５を透過してパッケージ９０内に浸入することを抑制することができる。

また、ベース部３１５と封止用部材４５とが封止剤１５により接合される側面、および、ベース部３１５と窓用部材４６とが封止剤１５により接合される側面が、被覆剤１８により覆われている。これにより、被覆剤１８により、外部（大気中）に存在する湿気（水分）などが上記接合部から封止剤１５を介してパッケージ９０内部に侵入することを確実に抑制することができる。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置４００について説明する。この半導体レーザ装置４００では、図１７および図１８に示すように、金属製のベース部４１０と金属製のキャップ部４３０とによってパッケージ９０が構成されている。なお、キャップ部４３０は、本発明の「封止用部材」の一例である。

ベース部４１０は、表面にＡｕめっきを施したコバールからなる。ベース部４１０は、所定の厚み（Ａ方向）を有して略円盤状に形成されたステム部４１０ａと、ステム部４１０ａの前面４１０ｃの下部領域（Ｃ１側）に形成され、断面（幅方向（Ｂ方向））が半月形状を有した状態で前方（レーザ光出射方向（Ａ１方向））に突出する台座部４１０ｂとを有する。

また、ベース部４１０には、ステム部４１０ａと導通するリード端子１１と、各々がリード端子１１とコバールガラスなどの低融点ガラス４１９により密閉されて絶縁された状態でステム部４１０ａを前方から後方（Ａ２側）に貫通するように配置されたリード端子１２および１３とが設けられている。また、リード端子１１〜１３は、各々の後方に延びた後端領域が、ステム部４１０ａの後方の後面４１０ｈからそれぞれ露出している。

また、台座部４１０ｂの上面略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０がサブマウント４０を介して取り付けられている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面（Ａ２側）と対向する位置におけるステム部４１０ａの前面４１０ｃ上には、ＰＤ４２が受光面を前方に向けて配置されている。また、ＰＤ４２の下面（ｎ型領域）が導電性接着層５を介してステム部４１０ａに電気的に接続されている。また、ＰＤ４２の受光面を除く外周部と、この外周部に沿ってはみ出た導電性接着層５の表面と、導電性接着層５の周囲におけるステム部４１０ａの表面を覆うように、被覆剤１６が周状に塗布されている。

キャップ部４３０は、本体が表面にＮｉめっきを施したコバールにより形成されており、略円筒状に形成された側壁部４３０ａと、側壁部４３０ａの一方（Ａ１側）を塞ぐ底部４３０ｂとを有する。また、キャップ部４３０の側壁部４３０ａが開口する側（Ａ２側）には、取付部４３０ｇが周状に形成されている。また、取付部４３０ｇの端面４３０ｈには、抵抗溶接時に使用される突起部４３０ｉが形成されている。

また、キャップ部４３０の底部４３０ｂの略中央部には、孔部３４が設けられている。そして、底部４３０ｂの外側（Ａ１側）から孔部３４を覆うように矩形状に形成された硼珪酸ガラス製の光透過部３５が設けられている。この際、光透過部３５は、孔部３４の周りに塗布された約０．１ｍｍの厚みを有する封止剤１５を介して底部４３０ｂに貼り付けられている。

また、図１８に示すように、光透過部３５の外縁部に沿って、底部４３０ｂと封止剤１５と光透過部３５とに接触するように被覆剤１８が周状に盛り付けられている。すなわち、底部４３０ｂと光透過部３５とを接合する封止剤１５の側面（外側面）は、被覆剤１８により覆われており、封止剤１５が外気と直接接触することが防止されている。なお、キャップ部４３０の内表面４３０ｃには、被覆材１６は塗布されていない。

なお、半導体レーザ装置４００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。

また、半導体レーザ装置４００の製造プロセスでは、まず、図１７に示すように、リード端子１１〜１３が設けられたベース部４１０の台座部４１０ｂ上に、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０が接合されたサブマウント４０を接合する。続いて、サブマウント４０の後方であり、かつ、台座部４１０ｂの上方の前面４１０ｃ上に、導電性接着層５を用いてＰＤ４２の下面（ｎ型領域）を接合する。

その後、ＰＤ４２の外周部を覆うように予め枠状にカットされた被覆材１６（ＥＶＯＨ樹脂）のフィルムを受光面に接触しないようにＰＤ４２の上方から被せる。この状態で、ベース部４１０を約２００℃に加熱することにより、被覆材１６が溶融して、ＰＤ４２の受光面を除く外周部と、この外周部に沿ってはみ出た導電性接着層５の表面と、導電性接着層５の周囲におけるステム部４１０ａの表面とを周状に覆う。ステム部４１０ａを冷却した後、金属線９１および９２のワイヤボンディングを行う。

一方、所定の金型プレス装置を用いて底部４３０ｂの略中心部に孔部３４を有するキャップ部４３０を成型する。その後、キャップ部４３０を約２２０℃に加熱した状態で、底部４３０ｂの外側から孔部３４の周囲に封止剤１５を塗布する。加熱により封止剤１５が溶融している状態で、孔部３４上を覆うように光透過部３５を封止剤１５を介して圧着した後、キャップ部４３０を冷却する。その後、光透過部３５の外縁部に沿って露出する封止剤１５を覆うように被覆剤１８を盛り付ける。このようにして、キャップ部４３０が形成される。

最後に、図１７に示した矢印Ｐ（Ａ２方向）に沿って、キャップ部４３０をベース部４１０に取り付ける。この際、キャップシール機を用いて、取付部４３０ｇの端面４３０ｈをステム部４１０ａの外縁部近傍に周状に当接させた状態で抵抗溶接により取り付ける。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止される。なお、その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと略同様である。このようにして、半導体レーザ装置４００が形成される。

第４実施形態では、上記のように、キャップ部４３０は、底部４３０ｂを有する筒状に形成されているので、キャップ部４３０の長手方向（筒形状が延びる方向（Ａ方向））に延びた側壁部４３０ａの内側面により青紫色半導体レーザ素子２０を周状に取り囲んだ状態でパッケージ９０を封止することができる。

また、上記方法により製造したキャップ部４３０を用いても、従来用いているキャップシール機を用いて、キャップ部４３０を抵抗溶接によりステム部４１０ａに取り付けることができるので、製造コストを増加させることなく既存の製造設備を用いて半導体レーザ装置４００を容易に製造することができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

（第４実施形態の変形例）
次に、第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置４０５について説明する。この半導体レーザ装置４０５では、図１９に示すように、キャップ部４３０の底部４３０ｂの内側（Ａ２側）から孔部３４を覆うように光透過部３５が封止剤１５を介して貼り付けられている。また、光透過部３５が内側から取り付けられた孔部３４の内側面近傍において、孔部３４と封止剤１５と光透過部３５とに接触するように被覆剤１８が周状に盛り付けられている。すなわち、底部４３０ｂと光透過部３５とを接合する封止剤１５の側面（内側面）が、被覆剤１８により覆われている。なお、第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置４０５のその他の構成は、第４実施形態と略同様であって、図中において、第４実施形態と同じ符号を付して図示している。

また、第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置４０５の製造プロセスでは、プレス成型されたキャップ部４３０の内側から封止剤１５を介して光透過部３５を熱圧着した後、孔部３４の内側面側に露出する封止剤１５を覆うように被覆剤１８を盛り付ける。なお、その他のプロセスは、第４実施形態の製造プロセスと略同様である。また、第４実施形態の変形例の効果は、第４実施形態と同様である。

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置５００について説明する。この半導体レーザ装置５００では、図２０に示すように、約２０μｍの厚みを有する洋白シートを用いて成型したキャップ部５３０によりパッケージ９０を封止している。なお、第５実施形態による半導体レーザ装置５００のその他の構成は、第４実施形態と略同様であって、図中において、第４実施形態の変形例と同じ符号を付して図示している。なお、キャップ部５３０は、本発明の「封止用部材」の一例である。

キャップ部５３０は、本体が洋白シートにより形成されており、孔部３４を除く内表面５３０ｃの略全ての領域および取付部４３０ｇの端面４３０ｈ上に、封止剤１５が約０．３ｍｍの厚みで塗布されている。この状態で、キャップ部５３０とステム部４１０ａとが、取付部４３０ｇにおいて封止剤１５を介して接合されている。

また、第５実施形態による半導体レーザ装置５００の製造プロセスでは、まず、図２１に示すように、孔部３４が形成された洋白シート１３１を準備する。そして、洋白シート１３１を約２２０℃に加熱した状態で、下面（裏面）１３１ｂ上の全面に封止剤１５を約０．２ｍｍの厚みで塗布して冷却した後、孔部３４を形成する。その後、可動上型５０１と固定下型５０２との間に封止剤１５が下面（Ｃ１側）となるように洋白シート１３１をセットした状態で、可動上型５０１を固定下型５０２に対して嵌め込む。この際、固定下型５０２の上面（Ｃ２側）上に略円盤状に形成されたガラス製の光透過部３５を載置した状態で洋白シート１３１の成型を行う。なお、可動上型５０１の内側面および固定下型５０２の外側面には抜き勾配が設けられている。これにより、成型後のキャップ部５３０は、底部４３０ｂ近傍の側壁部４３０ａの外径（内表面５３０ｃの内径）よりも、取付部４３０ｇ近傍での外径（内表面５３０ｃ内径）が若干大きくなる。また、キャップ部５３０の成型により、底部を有する略筒状となった洋白シート１３１（側壁部４３０ａおよび取付部４３０ｇ）の外側面（内側面）には、皺（図示せず）が形成される。

その後、図２２に示すように、取付部４３０ｇが残るように金型から露出する洋白シート１３１の部分を分離線５９０に沿って周状に切断する。このようにして、キャップ部５３０が形成される。なお、洋白シート１３１は、本発明の「金属箔」の一例である。

最後に、図２０に示した方向（Ａ２方向）に沿って、キャップ部５３０をベース部４１０に取り付ける。この際、ステム部４１０ａを約２００℃に過熱した状態で、取付部４３０ｇの端面４３０ｈをステム部４１０ａの外縁部近傍に周状に当接させながら熱圧着する。なお、その他のプロセスは、第４実施形態における製造プロセスと略同様である。

第５実施形態では、上記のように、洋白シート１３１と封止剤１５とを組み合わせてキャップ部５３０を成型している。すなわち、製造プロセス上、部材が容易に所定の形状に折れ曲がることを利用して、キャップ部５３０の側壁部４３０ａと底部４３０ｂとを同時に作製することができる。なお、第５実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置６００について説明する。この半導体レーザ装置６００では、図２３に示すように、樹脂製のベース部６１０とアルミ箔を用いて成型したキャップ部６３０とによってパッケージ９０が構成されている。なお、キャップ部６３０は、本発明の「封止用部材」の一例である。

ベース部６１０は、エポキシ樹脂により形成されている。ベース部６１０は、外径Ｄ１を有する略円柱状のヘッダ部６１０ａと、ヘッダ部６１０ａの前面６１０ｃの下側約半分が前方（Ａ１方向）に延びる台座部６１０ｂとを有する。また、図２４に示すように、ベース部６１０の外周面６１０ｋと前面６１０ｃおよび６１０ｅとが交わる縁部６１０ｇには、周状に面取り加工が施されている。

また、リード端子１１には、前端領域１１ａに接続される一対の放熱部６１１ｄが一体的に形成されている。詳細に説明すると、リード端子１１には、前端領域１１ａの幅方向（Ｂ２側およびＢ１側）の両端部からそれぞれ後方（Ａ２方向）に延びる接続部６１１ｃが形成されている。また、接続部６１１ｃは、それぞれ、前端領域１１ａからリード端子１２および１３よりも外側（Ｂ２側またはＢ１側）を後方に延びるとともに、ベース部６１０の前面６１０ｃからヘッダ部６１０ａ内に隠れた後、後面６１０ｈを貫通している。そして、放熱部６１１ｄは、ベース部６１０の後面６１０ｈから露出した接続部６１１ｃの後端領域に接続されている。また、放熱部６１１ｄは、接続部６１１ｃに接続された位置から前方（Ａ１方向）に延びている。したがって、図２３に示すように、一対の放熱部６１１ｄは、それぞれ、ベース部６１０の外周面６１０ｋに対して幅Ｗ６の間隔を隔てて外周面６１０ｋと略平行に延びている。

キャップ部６３０は、第５実施形態のキャップ部５３０から取付部４３０ｇが取り除かれている。なお、キャップ部６３０の内径Ｄ２は、ヘッダ部６１０ａの外径Ｄ１よりも等しいか若干小さい。

この状態で、半導体レーザ装置６００では、図２４に示すように、ヘッダ部６１０ａがキャップ部６３０に対してＡ２側からＡ１側に向かってスライドして嵌め込まれるように構成されている。すなわち、ヘッダ部６１０ａの外周面６１０ｋとキャップ部６３０の内表面５３０ｃとが、封止剤１５を介して周状に嵌合されている。これにより、パッケージ９０内に青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止されている。

また、パッケージ９０の封止空間内に位置する各部材の表面には、被覆剤１６が塗布されている。具体的には、被覆剤１６は、ヘッダ部６１０ａの台座部６１０ｂ、前面６１０ｃ、前面６１０ｅおよび縁部６１０ｇと、サブマウント４０が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、前端領域１２ａおよび１３ａの表面とを連続的に覆っている。したがって、パッケージ９０の封止空間（ベース部６１０とキャップ部６３０とによって囲まれた閉空間）内に位置する樹脂製のベース部６１０金属線がワイヤボンディングされた前端領域１２ａおよび１３ａの表面が、被覆剤１６により完全に覆われている。ただし、金属部材の表面を必ずしも被覆剤１６により覆う必要はない。

また、ベース部６１０の外周面６１０ｋとその両側の放熱部６１１ｄとの間には、キャップ部６３０の側壁部５３０ａの厚みｔ１よりも大きな幅Ｗ６を有する隙間（切り欠き部）が形成されている。したがって、キャップ部６３０をベース部６１０に嵌合した状態では、放熱部６１１ｄは、キャップ部６３０の側壁部５３０ａと干渉（接触）することなくキャップ部６３０の外側に配置されている。なお、第６実施形態による半導体レーザ装置６００のその他の構成は、第５実施形態と略同様であって、図中において、第５実施形態と同じ符号を付して図示している。

また、第６実施形態による半導体レーザ装置６００の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部６１０ａおよびキャップ部６３０を成型した後、ベース部６１０を約２００℃に加熱した状態で、ベース部６１０をキャップ部６３０に向かって直線的にスライドして嵌め合わせてパッケージ９０を封止する。なお、パッケージ９０を封止する前に、ベース部６１０の台座部６１０ｂ、前面６１０ｃ、前面６１０ｅおよび縁部６１０ｇと、サブマウント４０が接合されている部分以外の前端領域１１ａの表面と、前端領域１２ａおよび１３ａの表面に被覆剤１６を塗布する。なお、その他のプロセスは、第５実施形態における製造プロセスと略同様である。

第６実施形態では、上記のように、青紫色半導体レーザ素子２０を、ベース部６１０とキャップ部６３０とが嵌合することにより封止することによって、キャップ部６３０の内表面５３０ｃをベース部６１０の外周面６１０ｋに容易に密着させることができるので、パッケージ９０内を容易に封止することができる。すなわち、封止のための接着剤などをさらに使用する必要がないので、有機ガスの発生を抑制することができる。なお、第６実施形態のその他の効果は、第５実施形態と同様である。

（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置７００について説明する。この半導体レーザ装置７００では、図２５に示すように、パッケージ９０は、ベース部７５０と、ベース部７５０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を側方（Ａ方向およびＢ方向）から取り囲むＳｉ（１００）基板７１０と、Ｓｉ（１００）基板７１０に取り付けられ青紫色半導体レーザ素子２０を上方（Ｃ２側）から覆う封止ガラス７６０とを有している。なお、Ｓｉ（１００）基板７１０および封止ガラス７６０は、それぞれ、本発明の「封止用部材」および「窓用部材」の一例である。なお、図２５は、図２６の７９０−７９０線に沿った断面図である。

ベース部７５０は、絶縁体であるフォトソルダーレジストからなる。ここで、フォトソルダーレジストとは、感光した部分だけを構造変化させて溶媒などに溶けなくする感光性樹脂を使用した絶縁用被膜のことである。また、ベース部７５０は、厚み方向（Ｃ方向）に貫通する貫通孔７０１（図２７参照）を有するＳｉ（１００）基板７１０の一方（Ｃ１側）の開口部７０１ｂ（図２７参照）を塞いでいる。この際、ベース部７５０は、Ｓｉ（１００）基板７１０の下面７１０ｂに設けられた接着樹脂７５１を介して接合されている。これにより、ベース部７５０とＳｉ（１００）基板７１０とによって上方に開口する開口部７１１ａを有する凹部７１１が構成されている。そして、青紫色半導体レーザ素子２０は、上面２０ｂが、Ｓｉ（１００）基板７１０の上面７１０ａよりも下方（Ｃ１側）に下げられた状態でサブマウント４０上に載置されている。

また、板状（平板状）の封止ガラス７６０は、約５００μｍの厚みを有する硼珪酸ガラス（硬質ガラス）からなる。そして、封止ガラス７６０は、Ｓｉ（１００）基板７１０の上面７１０ａ上に、封止剤１５を介して取り付けられている。すなわち、封止ガラス７６０は、上面７１０ａ上から被せられて凹部７１１の開口部７１１ａを塞いでおり、凹部７１１の底面７１６上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０が、パッケージ９０内に気密封止されている。なお、封止ガラス７６０の平面形状は、Ｓｉ（１００）基板７１０と略同じであるように構成されている。

また、図２５に示すように、後述する製造プロセスにおいて、略（１００）面に対して約９．７°傾斜した主表面（上面７１０ａ）を有するＳｉ（１００）基板７１０に対して異方性エッチングを行うことにより、Ｓｉ（１００）基板７１０にＳｉ（１１１）面からなる４つの内側面７１２、７１３、７１４および７１５が形成されている。この約９．７°傾斜した主表面を有するＳｉ（１００）基板７１０を用いることにより、内側面７１２は、ベース部７５０の上面７５０ａ（底面７１６）に対して略４５°の傾斜角度αを有して傾斜するとともに、内側面７１３は、上面７５０ａ（底面７１６）に対して略６４．４°の傾斜角度βを有して傾斜して形成されている。また、内側面７１４および７１５（図２６参照）は、共に上面７５０ａ（底面７１６）に対して略５４．７°の傾斜角度を有して傾斜するように形成されている。

また、４つの内側面７１２、７１３、７１４および７１５と、ベース部７５０の上面（Ｃ２側の表面）上に形成されている接着樹脂７５１とによって、凹部７１１が構成されている。なお、接着樹脂７５１は、Ｓｉ（１００）基板７１０とベース部７５０とを接合するために用いられており、図２５に示すように、凹部７１１の底面７１６は、実質的に接着樹脂７５１の上面の一部によって構成されている。また、Ｓｉ（１００）基板７１０は、高抵抗率（絶縁性）を有しており、上面７１０ａから下面７１０ｂまでが、約５００μｍの厚みを有している。

また、ベース部７５０（接着樹脂７５１）の上面のうちの凹部７１１内に露出する領域（凹部７１１の底面７１６となる領域）には、サブマウント４０をダイボンディング（接合）するためのＣｕなどからなる配線電極７３１が形成されている。これにより、サブマウント４０の裏面（Ｃ２側の表面）は、凹部７１１内の略中央からＡ１側（内側面７１２側）に寄せられた位置において導電性接着層（図示せず）を介して配線電極７３１の表面に接合されている。なお、凹部７１１内に露出する配線電極７３１はサブマウント４０よりも大きな平面積を有しており、サブマウント４０は、配線電極７３１が形成された領域内に載置されている。また、配線電極７３１は、サブマウント４０が載置された位置からＡ１方向に沿って延びる引き出し配線部７３１ａを有している。

また、内側面７１２のうちの光出射面と対向する領域には、内側面７１２の表面上に金属反射膜７６１が形成されている。これにより、半導体レーザ装置７００では、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面からＡ１方向に出射されたレーザ光が、凹部７１１の内側面７１２（金属反射膜７６１）において上方に反射された後、封止ガラス７６０を透過して外部に出射されるように構成されている。なお、内側面７１２と金属反射膜７６１とによって、レーザ光を外部に向けて反射させるための反射手段が構成されている。

また、図２６に示すように、凹部７１１の底面７１６のうちの配線電極７３１が形成されていない領域には、矩形形状（約１００μｍ×約１００μｍの大きさ）を有するワイヤボンディング用の配線電極７３２および７３３が形成されている。すなわち、サブマウント４０と内側面７１３とに挟まれた領域のうちの内側面７１４寄り（Ｂ２側）の領域に配線電極７３２が露出するとともに、内側面７１５寄り（Ｂ１側）の領域に配線電極７３３が露出して形成されている。また、配線電極７３２および７３３は、Ａ２方向に沿って延びる引き出し配線部７３２ａおよび７３３ａを有している。

したがって、青紫色半導体レーザ素子２０の上面に形成されたｐ側電極２１には、金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、配線電極７３２に接続されている。また、ＰＤ４２の上面（ｐ型領域）には、金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、配線電極７３３に接続されている。また、ＰＤ４２は、サブマウント４０を上下方向（Ｃ方向）に貫通する電極３６によって、下面（ｎ型領域）と配線電極７３１とが導通するように構成されている。また、引き出し配線部７３１ａ、７３２ａおよび７３３ａの各々の端部には、Ａｕ−Ｓｎ半田からなる半田ボール７２４が形成されている。

また、パッケージ９０の封止空間内に位置する各部材の表面には、被覆剤１６が所定厚みを有して塗布されている。具体的には、被覆剤１６は、凹部７１１内の接着樹脂７５１の表面と、サブマウント４０およびＰＤ４２が接合されている部分以外の配線電極７３１の表面と、配線電極７３２および７３３の表面とを連続的に覆っている。したがって、パッケージ９０の封止空間内に位置するベース部７５０および配線電極７３１〜７３３などの表面が、被覆剤１６により完全に覆われている。なお、第７実施形態のその他の構成は、第１実施形態と略同様である。

次に、図２５〜図２９を参照して、第７実施形態による半導体レーザ装置７００の製造プロセスについて説明する。

まず、図２７に示すように、約５００μｍの厚みＤ３を有するとともに、略（１００）面に対して約９．７°傾斜した主表面（上面７１０ａ）を有するウェハ状態のＳｉ（１００）基板７１０を準備する。そして、上面７１０ａ上に所定のマスクパターンを有するエッチングマスク（図示せず）が形成されたＳｉ（１００）基板７１０に対してＴＭＡＨなどのエッチング液を用いたウェットエッチング（異方性エッチング）を行うことにより、上面７１０ａから下面７１０ｂに向かって貫通する貫通孔７０１を形成する。これにより、ウェハ状態のＳｉ（１００）基板７１０には、開口部７０１ａおよび７０１ｂを有する貫通孔７０１が複数形成される。

この際、Ｓｉの結晶方位に応じたエッチングの進行によって、貫通孔７０１には、４つの異なる内側面７１２、７１３、７１４および７１５が形成される。なお、内側面７１２は、上面７１０ａに対して略４５°（角度α）傾斜したエッチング面（傾斜面）となり、内側面７１３は、上面７１０ａに対して略６４．４°（角度β）傾斜したエッチング面（傾斜面）となる。また、内側面７１４および７１５（図２６参照）は、共にＳｉ（１００）基板７１０の上面７１０ａに対して略５４．７°傾斜したエッチング面となる。

その後、内側面７１２のうちの青紫色半導体レーザ素子２０が載置された状態における光出射面（図２５参照）と対向する領域上に、蒸着法やスパッタ法などを用いて金属反射膜７６１を形成する。

一方、図２８に示すように、約１００μｍの厚みを有する平板状の銅板７０３を準備する。銅板７０３の上面上に所定のマスクパターンを有するエッチングマスク（図示せず）を形成した後、銅板７０３に対して塩化第二鉄溶液などのエッチング液を用いたウェットエッチングを行う。これにより、銅板７０３は、上面および下面からエッチングされて、平坦部が約６０μｍの厚みを有するとともに、上面（Ｃ２側の表面）に約２０μｍの突起高さを有する突起部７０３ａが形成される。

その後、ロールラミネータやホットプレス機を用いたラミネート加工により、熱硬化性のエポキシ樹脂系の接着樹脂７５１を銅板７０３の上面上に貼り付ける。この際、接着樹脂７５１が完全に硬化しない約１００℃以下の温度にて貼り付ける。その後、突起部７０３ａを覆う接着樹脂７５１の部分を、Ｏ_２プラズマ処理や研磨処理などにより除去する。

その後、図２８に示すように、貫通孔７０１を有するＳｉ（１００）基板７１０の下面７１０ｂに接着樹脂７５１を介して銅板７０３を貼り付けた後、Ｓｉ（１００）基板７１０と銅板７０３とを、約２００℃および約１ＭＰａの温度圧力条件下で、約５分間、加熱圧着して接合する。これにより、Ｓｉ（１００）基板７１０の開口部７０１ｂ（図２７参照）が塞がれて、凹部７１１が形成される。また、Ｓｉ（１００）基板７１０の開口部７０１ａは、凹部７１１の上方の開口部７１１ａとして残される。

その後、青紫色半導体レーザ素子２０が予め接合されたサブマウント４０を配線電極７３１の表面上に接合する。その後、金属線９１を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２１と配線電極７３２とを接続するとともに、金属線９２を用いてＰＤ４２のｐ型領域３５ｂと配線電極７３３とを接続する。また、金属線９３を用いてパッド電極３２とパッド電極３１とを接続する（図２６参照）。なお、金属線９１および９２を配線電極７３２および７３３にワイヤボンドする前に、配線電極７３２および７３３の表面上にＡｕなどからなる金属膜を形成していてもよい。その後、Ｓｉ（１００）基板７１０を約２３０℃に加熱した状態で、凹部７１１内の上記説明した部材の表面に被覆剤１６を塗布する。

その後、図２９に示すように、Ｓｉ（１００）基板７１０の凹部７１１に対して上方から約５００μｍの厚みを有する封止ガラス７６０を熱圧着により貼り付ける。この際、Ｓｉ（１００）基板７１０と封止ガラス７６０とを封止剤１５を用いて約２００℃以上約２２０°以下の温度条件下で接合する。これにより、凹部７１１の開口部７１１ａを取り囲む上面７１０ａにおいて、封止ガラス７６０が封止剤１５を介してＳｉ（１００）基板７１０と接合されるので、凹部７１１内部が気密封止される。

その後、配線パターンを形成するために、銅板７０３の下面側をエッチングする。これにより、突起部７０３ａ以外の銅板７０３の厚みが約２０μｍとなる。さらに、銅板７０３の下面上に所定のマスクパターンを有するエッチングマスク（図示せず）を形成した後、銅板７０３に対して塩化第二鉄を用いたウェットエッチングを行うことにより、引き出し配線部７３１ａ、７３２ａおよび７３３ａからなる所定の配線パターンを有する配線電極７３１〜７３３を形成する（図２９参照）。また、この際、除去された銅板７０３の下から接着樹脂７５１が一部露出する。

その後、図２９に示すように、配線電極７３１〜７３３の下面を被覆するために、配線電極７３１〜７３３および露出した接着樹脂７５１の下面側に、約３０μｍの厚みを有するフォトソルダーレジストを形成する。この際、フォトソルダーレジストは、フィルム状のものをラミネート処理して貼り付けてもよいし、液状タイプのものを塗布するようにしてもよい。その後、フォトソルダーレジストの下面側の一部を除去して、フォトソルダーレジストから露出する引き出し配線部７３１ａ、７３２ａおよび７３３ａ（図２６参照）の端部に、半田ボール７２４を形成する。このようにして、ベース部７５０を形成する。

最後に、凹部７１１が形成された領域の外側の領域において、ダイヤモンドブレードを用いて、図２９に示した分離線７９０に沿って封止ガラス７６０およびＳｉ（１００）基板７１０を、共に厚み方向（Ｃ方向）に沿って切断する（ダイシングを行う）。このようにして、図２６に示すような第７実施形態による半導体レーザ装置７００が形成される。

第７実施形態では、上記のように、厚み方向に貫通する貫通孔７０１が形成されたＳｉ（１００）基板７１０と、Ｓｉ（１００）基板７１０の上面７１０ａに取り付けられ、貫通孔７０１の開口部７０１ａ（７１１ａ）を封止する封止ガラス７６０と、Ｓｉ（１００）基板７１０の下面７１０ｂに取り付けられ、貫通孔７０１の開口部７０１ｂを封止するベース部７５０と、開口部７０１ｂ内に露出するベース部７５０に形成されている配線電極７３１の表面上にサブマウント４０を介して載置された青紫色半導体レーザ素子２０とを備えている。これにより、開口部７０１ｂ内に露出する配線電極７３１の表面上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０の上面２０ｂは、貫通孔７０１の開口部７０１ａ（７１１ａ）よりも外側（図２５のＣ２側）に突出しないので、青紫色半導体レーザ素子２０を、ベース部７５０と封止ガラス７６０とによって貫通孔７０１の内部に気密封止した状況下で作動させることができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０は、大気中の水分や半導体レーザ装置７００周辺に存在する有機物の影響を受けないので、青紫色半導体レーザ素子２０の信頼性が低下することを抑制することができる。

また、青紫色半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光を、貫通孔７０１の内側面７１２上に形成された金属反射膜７６１により反射した後、封止ガラス７６０を透過して外部に出射する。これにより、サブマウント４０を介して青紫色半導体レーザ素子２０を載置するベース部７５０に固定されているＳｉ（１００）基板７１０の貫通孔７０１の一部である内側面７１２を、レーザ光の反射手段として兼用することができる。すなわち、内側面７１２上に形成された金属反射膜７６１により反射されるレーザ光の光軸精度は、青紫色半導体レーザ素子２０をベース部７５０に形成されている配線電極７３１の表面上にサブマウント４０を介して載置する際の取り付け誤差にのみ依存するので、光軸ずれを引き起こす要因が少なくなる分、光軸ずれの大きさを低減することができる。

また、貫通孔７０１が形成されたＳｉ（１００）基板７１０と、Ｓｉ（１００）基板７１０の下面７１０ｂに取り付けられ、貫通孔７０１の開口部７０１ｂを封止するベース部７５０と、開口部７０１ｂ内に露出する配線電極７３１の表面上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０とを備えている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０を載置する支持基体を、Ｓｉ（１００）基板７１０とは異なる材料を用いて別部材として形成することができるので、半導体レーザ装置７００の強度をより確保することができる。また、製造プロセスにおいて、貫通孔７０１が形成されたＳｉ（１００）基板７１０と平板状のベース部７５０とを接着樹脂７５１を介して接合することによって、青紫色半導体レーザ素子２０を内部に載置するためのパッケージ９０を容易に形成することができる。

また、Ｓｉ（１００）基板７１０にウェットエッチングを行う際に、Ｓｉ（１００）基板７１０を貫通する貫通孔７０１を形成して内側面７１２、７１３、７１４および７１５を形成しているので、ウェットエッチングを基板内部で停止した場合に生じるエッチング深さのばらつきなどが生じない。また、ベース部７５０（銅板７０３）上に載置された青紫色半導体レーザ素子２０を、取り付け精度が良好な状態で凹部３３１内部に載置することができる。これにより、製造プロセス上、青紫色半導体レーザ素子２０の載置角度（共振器方向または幅方向に対する上下方向の角度）に起因して、レーザ光の光軸がずれたり、光出射面から金属反射膜７６１までの距離がばらつくのを効果的に抑制することができる。

また、熱伝導率の良好な配線電極７３１（銅板７０３）上にサブマウント４０を介して青紫色半導体レーザ素子２０を載置しているので、青紫色半導体レーザ素子２０の発熱を、配線電極７３１（銅板７０３）を介して効率よく放熱させることができる。

また、略（１００）面に対して約９．７°傾斜した主表面を有するＳｉ（１００）基板７１０を用いることによって、ウェットエッチングによりＳｉ（１００）基板７１０に貫通孔７０１を形成する際、エッチングと同時に４つの内側面７１２〜７１５を形成することができる。この結果、製造プロセスが簡素化されるので、半導体レーザ装置７００を効率よく製造することができる。

また、ウェハ状態のＳｉ（１００）基板７１０に対して複数の貫通孔７０１を同時に形成することによって、１回のエッチングにより複数の貫通孔７０１を同時に形成することができるので、その分、半導体レーザ装置７００を効率よく製造することができる。

また、青紫色半導体レーザ素子２０が複数の凹部７１１の各々の底面７１６上に載置された状態にあるウェハ（Ｓｉ（１００）基板７１０にベース部７５０が接合されたウェハ）に対して、ウェハ状態の封止ガラス７６０を熱圧着により接合して凹部７１１を封止することによって、１枚の封止ガラス７６０の接合工程により複数の凹部７１１を同時に気密封止することができるので、その分、半導体レーザ装置７００を効率よく製造することができる。なお、第７実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態による光ピックアップ装置８００について説明する。なお、光ピックアップ装置８００は、本発明の「光装置」の一例である。

光ピックアップ装置８００は、図３１に示すように、３波長半導体レーザ装置８０５と、３波長半導体レーザ装置８０５から出射されたレーザ光を調整する光学系８２０と、レーザ光を受光する光検出部８３０とを備えている。

３波長半導体レーザ装置８０５では、図３０に示すように、パッケージ９０内のサブマウント４０上に、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０に隣接して約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子５０および約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子５５がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６０とが搭載されている。なお、３波長半導体レーザ装置８０５は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例であり、赤色半導体レーザ素子５０、赤外半導体レーザ素子５５および２波長半導体レーザ素子６０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。

また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、７２、７３、７４および７５が設けられている。このリード端子１１およびリード端子７２〜７５は、樹脂モールド成型によって、互いに絶縁された状態でベース部１０を前方（Ａ１方向）から後方（Ａ２方向）に貫通するように配置されている。そして、ベース部１０の外部（Ａ２側）に延びる後端領域が、それぞれ図示しない駆動回路に接続されている。また、リード端子１１およびリード端子７２〜７５の前方に延びた前端領域１１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａは、内壁部１０ｇからそれぞれ露出しており、共に凹部１０ｄの底面上に配置されている。

また、ｐ側電極２１には、金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、リード端子７４の前端領域７４ａに接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０の上面に形成されているｐ側電極５１には、金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、リード端子７３の前端領域７３ａに接続されている。また、赤外半導体レーザ素子５５の上面に形成されているｐ側電極５６には、金属線９３の一端がワイヤボンディングされており、金属線９３の他端は、リード端子７２の前端領域７２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）および２波長半導体レーザ素子６０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）は、サブマウント４０を介してリード端子１１の前端領域１１ａに電気的に接続されている。

また、ＰＤ４２の上面には、金属線９４の一端がワイヤボンディングされており、金属線９４の他端は、リード端子７５の前端領域７５ａに接続されている。

また、上記第１実施形態における半導体レーザ装置１００と比べて、ベース部１０は、断面が幅方向（Ｂ方向）に引き延ばされることにより、ベース本体１０ａが最大幅Ｗ８１（Ｗ８１＞Ｗ１）を有している。これにより、前方側の凹部１０ｂも開口部１０ｄがＢ方向に広げられている。なお、３波長半導体レーザ装置８０５のその他の構造は、第１実施形態と略同様であり、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。

また、３波長半導体レーザ装置８０５の製造プロセスについては、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０を横方向（図３０のＢ方向）に並べてサブマウント４０を介して接合する。その後、各レーザ素子２０および６０のｐ側電極２１、５４および５６、および、ＰＤ４２の上面と、リード端子７２、７３、７４および７５の前端領域７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａとを、それぞれ、ワイヤボンディングする。その他のプロセスについては、第１実施形態の製造プロセスと略同様である。

また、光学系８２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）８２１、コリメータレンズ８２２、ビームエキスパンダ８２３、λ／４板８２４、対物レンズ８２５、シリンドリカルレンズ８２６および光軸補正素子８２７を有している。

また、ＰＢＳ８２１は、３波長半導体レーザ装置８０５から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク８３５から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ８２２は、ＰＢＳ８２１を透過した３波長半導体レーザ装置８０５からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ８２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、３波長半導体レーザ装置８０５から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。

また、λ／４板８２４は、コリメータレンズ８２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板８２４は光ディスク８３５から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、３波長半導体レーザ装置８０５から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク８３５から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ８２１によって略全反射される。対物レンズ８２５は、λ／４板８２４を透過したレーザ光を光ディスク８３５の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ８２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能にされている。

また、ＰＢＳ８２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ８２６、光軸補正素子８２７および光検出部８３０が配置されている。シリンドリカルレンズ８２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子８２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ８２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部８３０の検出領域上で一致するように配置されている。

また、光検出部８３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部８３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、３波長半導体レーザ装置８０５を備えた光ピックアップ装置８００が構成される。

この光ピックアップ装置８００では、３波長半導体レーザ装置８０５は、リード端子１１と、リード端子７２〜７４との間に、それぞれ、独立して電圧を印加することによって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能である。また、３波長半導体レーザ装置８０５から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ８２１、コリメータレンズ８２２、ビームエキスパンダ８２３、λ／４板８２４、対物レンズ８２５、シリンドリカルレンズ８２６および光軸補正素子８２７により調整された後、光検出部８３０の検出領域上に照射される。

ここで、光ディスク８３５に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク８３５の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部８３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ８２３のアクチュエータと対物レンズ８２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。

また、光ディスク８３５に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子５０（赤外半導体レーザ素子５５）から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク８３５にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク８３５の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部８３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ８２３のアクチュエータと対物レンズ８２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。

このようにして、３波長半導体レーザ装置８０５を備えた光ピックアップ装置８００を用いて、光ディスク８３５への記録および再生を行うことができる。

光ピックアップ装置８００では、上記３波長半導体レーザ装置８０５を備えている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０がパッケージ９０内部に確実に封止されている。これにより半導体レーザ素子が劣化しにくく、長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光ピックアップ装置８００を得ることができる。なお、３波長半導体レーザ装置８０５の効果については、第１実施形態と同様である。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記第１〜第３および第５〜第７実施形態の製造プロセスでは、本発明の「封止用部材」または「ベース部」のいずれか一方の表面に厚みｔ３（約０．２ｍｍ）を有する封止剤１５を塗布した後、他方の部材を熱圧着してパッケージを封止した例について示したが、本発明はこれに限られない。封止剤１５を塗布する代わりに、予め薄膜状（フィルム状）に形成された封止剤１５ａを、「封止用部材」と「ベース部」との接合領域のサイズにカットしたものを用いて接合してもよい。たとえば、図３２に示す変形例ように、半導体レーザ装置１０５ａでは、製造プロセスにおいて、封止剤１５が塗布されていない状態の封止用部材３０の裏面（下面）と、ベース部１０の上面１０ｉとの間に、封止用部材３０の外形形状にカットされたフィルム状の封止剤１５ａを挟んだ状態で熱圧着する。この際、封止剤１５ａは、封止用部材３０とベース部１０との接合領域にのみ配置されればよい。したがって、接合後に封止用部材３０が封止空間内に露出する部分については、予め切り抜いておくのが好ましい。このようにして、図３３に示すように、封止用部材３０は、まず、開口部１０ｅの周辺領域において封止剤１５ａを介して接合された後、前面部３０ｂの部分が矢印Ｐ方向に折り曲げられて開口部１０ｄの周辺領域に接合される。

なお、フィルム状の封止剤１５ａの厚みｔ７は、溶融した封止剤１５を塗布した場合の厚みｔ３（図２参照）よりも小さい（ｔ７＜ｔ３）。ここで、接合後の接合領域における封止剤１５ａの厚みｔ８は、より薄い方が封止性（気密性）が良好であり、かつ、パッケージ９０全体の高さ（厚み）も抑制することができる。ただし、薄くしすぎた場合には、被接合部材が有する反りや接合面の凹凸の影響を受けやすく均一な接合状態が得られにくい。また、フィルムの成形性（押し出し成形性）が良好に行われることを考慮しても、封止剤１５ａの厚みｔ７には適切な範囲が存在する。この場合、接合後の封止剤１５ａの接合領域の厚みｔ８は、約５μｍ以上約５０μｍ以下であることが好ましく、さらに、約５μｍ以上約３０μｍ以下であるのがより好ましい。この場合、フィルム状の封止剤１５ａの熱圧着前の厚みｔ７は、約５μｍ以上約５０μｍ以下であることが好ましく、さらに、約５μｍ以上約３０μｍ以下であるのがより好ましい。

また、フィルム状の封止剤１５ａを用いて接合した場合にも、図３３に示すように、半導体レーザ装置１００（図２参照）と同様に、封止剤１５ａの接合領域の内側および外側にフィレット形状に盛り上がる場合がある。ただし、このフィレット形状に盛り上がった部分の厚みｔ９は、半導体レーザ装置１００において封止剤１５の盛り上がった部分の厚みｔ５（図２参照）よりもはるかに小さい（ｔ９＜ｔ５）。また、接合領域からはみ出した部分の封止剤１５ａは、加熱により凝集して若干縮むので、パッケージ９０の封止空間内へのはみ出し量は減少する。

また、フィルム状の封止剤１５ａについては、上記した封止用部材３０とベース部１０との接合のみならず、封止用部材３０と孔部３４を封止する光透過部３５との接合にも用いることが可能である。すなわち、孔部３４の周囲に対応した封止用部材３０の前面部３０ｂと略円盤状の光透過部３５との間に、円環状にカットされた封止剤１５ａを挟んだ状態で部材同士を熱圧着することにより、孔部３４を光透過部３５で塞ぐことができる。

なお、フィルム状の封止剤１５ａを用いることの有用性を確認するため、半導体レーザ装置１０５ａに対して、半導体レーザ装置１００と同様の上述の条件で、ＡＰＣによる動作試験を行った。この結果、レーザ素子の動作電流の経時変化については、動作開始後１５００時間を経過しても、実施例と比較例とに顕著な差は生じなかった。したがって、塗布形成する代わりに、フィルム状の封止剤１５ａを用いて部材同士を接合することができることが確認された。

なお、上記した封止剤１５ａには、封止用部材３０とベース部１０との接合領域に忠実に対応させて切り抜いたフィルムを用いているが、これに限られず、レーザ光が透過する窓用部材が配置される部分を除いて、フィルムの内側を切り抜かなくてもよい。

また、上記第２実施形態では、封止用部材４５の裏面４５ｃの略全面に封止剤１５を塗布した例について示したが、本発明はこれに限らず、第１実施形態の変形例と同様にパッケージ９０の封止空間内に位置する封止用部材４５の裏面４５ｃ上に封止剤１５を塗布せず、洋白板の表面が封止空間内に露出していてもよい。

また、上記第２〜第７実施形態では、パッケージ９０内にガス吸収剤４９を設けていないが、本発明はこれに限らず、上記第１実施形態と同様にガス吸収剤４９を設けてもよい。ガス吸収剤４９には、シリカゲル以外の、たとえば、合成ゼオライト、酸化カルシウム系吸収材または活性炭などを用いてもよい。合成ゼオライトは、ペレット状（円柱状）のものを所定の大きさに切断した上で、パッケージ９０の封止空間内に固定すればよい。

また、上記第１、第５および第６実施形態では、アルミ箔を用いて封止用部材を構成した例について示したが、本発明では、アルミ箔以外の金属箔として、たとえば、Ｃｕ箔、洋白などのＣｕ合金箔、Ｓｎ箔またはステンレス箔などを用いて封止用部材を形成してもよい。なお、封止用部材については、半導体レーザ素子からの発熱を外部に放熱しやすくするために、放熱性の高い金属板を用いる方がよい。

また、上記第１および第６実施形態では、封止用部材の裏面に封止剤１５を形成した状態でベース部を封止した例について示したが、本発明では、金属以外の、たとえば、ポリアミド樹脂やエポキシ樹脂などを用いて封止用部材を形成し、裏面に配置された封止剤１５を介してベース部に取り付けてもよい。封止用部材に上記した樹脂材料を用いる場合、ガスバリア性に富むＥＶＯＨ樹脂（封止剤１５）により、低分子シロキサンや揮発性の有機ガスなどがパッケージ９０の内部に浸入することをより効果的に抑制することができる。

また、上記第２および第３実施形態では、洋白板を用いて封止用部材を構成した例について示したが、本発明では、洋白以外の、たとえば、アルミ板、Ｃｕ板、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇなどの合金板またはステンレス板やセラミック板などを用いて封止用部材を形成してもよい。

また、上記第４実施形態では、表面にＮｉめっきを施したコバールを用いてキャップ部４３０を形成したが、本発明はこれに限らず、表面にＮｉめっきを施したＦｅなどを用いてキャップ部を形成してもよい。

また、上記第４〜第６実施形態においても、窓用部材の表面上にガスバリア層としてのＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２やＺｒＯ_２などの多層の金属酸化膜（誘電体膜）を形成してもよい。また、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属膜を形成してもよい。また、第１、第２および第６実施形態のリードフレーム樹脂部材の表面上に金属膜を形成してもよい。

また、上記第１、第２、第３、第５および第６実施形態における製造プロセスでは、約２２０℃に加熱した状態で封止剤１５を封止用部材の片面上に塗布した例について示したが、本発明では、溶剤にＥＶＯＨ樹脂を溶かした状態で溶剤とＥＶＯＨ樹脂との混合物を封止用部材に塗布した後、封止用部材を加熱して溶剤を除去するようにしてもよい。

また、上記第１および第２実施形態では、ポリアミド樹脂を用いてベース本体１０ａを形成した例について示したが、本発明では、エポキシ樹脂やポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）や液晶ポリマ（ＬＣＰ）などを用いてベース部を形成してもよい。なお、ＬＣＰは、上記した他の樹脂よりも吸水率が小さい点でベース部用のモールド樹脂材料に適している。また、この際、樹脂材料にガス吸収剤を所定の割合で混入した混合物の状態でベース本体１０ａを成型することができる。ここで、ガス吸収剤は、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有する粒子状のものを用いるのが好ましい。

また、上記第１および第２実施形態では、ベース部１０の凹部１０ｂの深さを、ベース本体１０ａの厚みｔ１の約半分とした例について示したが、これに限定されることなく、たとえば、凹部１０ｂの深さを厚みｔ１／２よりも深く形成してもよいし、厚みｔ１／２よりも浅く形成してもよい。

また、上記第３実施形態の変形例では、ベース部３１５と封止用部材４５および窓用部材４６とを接合する封止剤１５の側面を被覆剤１８により覆い、また、上記第４実施形態およびその変形例では、キャップ部４３０と光透過部３５とを接合する封止剤１５の側面を被覆剤１８により覆う例について示したが、本発明はこれに限らず、この被覆剤１８を、他の実施形態における封止用部材と窓用部材とを接合する封止剤１５の側面を覆うようにしてもよい。なお、透湿度が小さい材料としては、エポキシ樹脂以外の、たとえば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの酸化膜や、Ａｌ、Ｎｉ、ＰｂまたはＡｕなどの金属薄膜を用いることができる。

また、上記第１、第２、第４〜第７実施形態では、パッケージ９０の封止空間内に位置する部材の表面に被覆剤１６を塗布した例について示したが、本発明では、被覆剤１６を塗布しなくてもよい。

また、上記第８実施形態では、光ピックアップ装置８００について示したが、本発明はこれに限らず、本発明の半導体レーザ装置を、ＣＤ、ＤＶＤまたはＢＤなどの光ディスクの記録または再生を行う光ディスク装置に適用してもよい。さらには、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を用いてＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成してもよく、このＲＧＢ３波長半導体レーザ装置をプロジェクタ装置などの光装置に適用してもよい。

１０、３１０、４１０、６１０、７５０ ベース部
１１ リード端子
１５、１５ａ 封止剤
１８ 被覆剤（樹脂）
２０ 青紫色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
３０、４５ 封止用部材
３５ 光透過部（窓用部材）
４６ 封止用部材（窓用部材）
５０ 赤色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
５５ 赤外半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
６０ ２波長半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
９０ パッケージ
１００、１０５、１０５ａ、２００、３００、３０５、４００、４０５、５００、６００、７００ 半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
１３０ アルミ箔（金属箔）
１３１ 洋白シート（金属箔）
３１０ｂ、３１５ｂ 凹部
３１０ｃ 内底面
４３０、５３０、６３０ キャップ部（封止用部材）
７６０ 封止ガラス（窓用部材）
８００ 光ピックアップ装置（光装置）
８０５ ３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
８２０ 光学系

Claims (10)

1. 半導体レーザ素子と、
   前記半導体レーザ素子を封止するパッケージとを備え、
   前記パッケージは、前記半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、前記半導体レーザ素子を前記ベース部とともに封止する封止用部材と、前記半導体レーザ素子から出射された光を外部に透過する窓用部材とを含み、
   前記ベース部、前記封止用部材および前記窓用部材のうちの少なくとも２つの部材は、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤を介して接合されている、半導体レーザ装置。
2. 前記封止用部材と前記窓用部材とは、前記封止剤を介して接合されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 前記封止用部材は、金属製であり、前記窓用部材は、ガラス製である、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記封止用部材は、金属箔からなり、
   前記封止剤は、前記ベース部との前記接合領域以外の前記封止用部材の表面上にまで延びて設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
5. 前記封止剤の側面は、前記封止剤よりも透湿度が小さい材料からなる樹脂により覆われている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
6. 前記封止用部材は、底部を有する筒状に形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
7. 前記ベース部は、金属板からなるとともにリード端子を含み、
   前記ベース部は、前記リード端子以外の部分が折り曲げられて形成された凹部を有し、
   前記凹部の内底面に前記半導体レーザ素子が取り付けられている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
8. 前記封止剤の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
9. 半導体レーザ素子をベース部に取り付ける工程と、
   前記半導体レーザ素子を封止するように、ベース部、封止用部材および窓用部材のうちの少なくとも２つの部材を、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤により熱圧着することにより接合する工程とを備える、半導体レーザ装置の製造方法。
10. 半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を封止するパッケージとを含む半導体レーザ装置と、
    前記半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、
    前記パッケージは、前記半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、前記半導体レーザ素子を前記ベース部とともに封止する封止用部材と、前記半導体レーザ素子から出射された光を外部に透過する窓用部材とを有し、
    前記ベース部、前記封止用部材および前記窓用部材のうちの少なくとも２つの部材は、互いに、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体からなる封止剤を介して接合されている、光装置。

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