JP7493649B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体レーザ装置に関する。
特許文献１は、半導体層と、半導体層の上に形成された絶縁層と、絶縁層の上に形成された電極と、を含む、半導体レーザ装置を開示している。半導体層は、レーザ光が生成される発光領域および発光領域外の非発光領域を有している。絶縁層は、発光領域および非発光領域を被覆している。電極は、絶縁層を挟んで発光領域および非発光領域を被覆し、絶縁層を貫通して発光領域に電気的に接続されている。電極において発光領域を被覆する部分には、ボンディングワイヤ（導線）が外部接続される。
特開２０１２－２２７３１３号公報
発光領域を縮小する事によって、レーザ光の指向性を向上できる。しかし、この場合には、発光領域の上において導線の接続領域を確保することが困難となる。また、導線の接続時の外力や応力に起因して、発光領域に不具合が生じる可能性もある。
本発明の一実施形態は、導線によるデザイン制限を受けずに、発光領域の縮小を適切に図ることができる半導体レーザ装置を提供する。
本発明の一実施形態は、第１幅を有する発光領域、および、前記発光領域外の領域に形成され、前記第１幅を超える第２幅を有するパッド領域を含む半導体層と、前記発光領域および前記パッド領域を被覆する絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記発光領域に電気的に接続された内部接続領域、および、前記絶縁層を挟んで前記パッド領域を被覆し、導線に外部接続される外部接続領域を有する配線電極と、を含む、半導体レーザ装置を提供する。
この半導体レーザ装置によれば、導線によるデザイン制限を受けずに、発光領域の縮小を適切に図ることができる。
本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を、当該半導体レーザ装置に接続される導線と共に示す斜視図である。 図２は、図１に示す半導体レーザ装置の平面図である。 図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。 図４は、図３に示す発光領域の拡大断面図である。 図５は、図３に示すパッド領域の拡大断面図である。 図６は、図３に示す外側領域の拡大断面図である。 図７は、発光ユニット層の一構造例を説明するための図である。 図８は、トンネル接合層の一構造例を説明するための図である。 図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を、当該半導体レーザ装置に接続される導線と共に示す斜視図である。 図１０は、図９に示す半導体レーザ装置の平面図である。 図１１は、図１０に示すXI-XI線に沿う断面図である。 図１２は、本発明の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を、当該半導体レーザ装置に接続される導線と共に示す斜視図である。 図１３は、第１形態例に係るパッケージを示す分離斜視図である。 図１４は、第２形態例に係るパッケージを示す平面図である。 図１５は、図１４に示すXV-XV線に沿う断面図である。 図１６は、第３形態例に係るパッケージを示す平面図である。 図１７は、図１６に示すパッケージの底面図である。 図１８は、図１７に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１を、当該半導体レーザ装置１に接続される導線３４と共に示す斜視図である。図２は、図１に示す半導体レーザ装置１の平面図である。図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。
図４は、図３に示す発光領域３１の拡大断面図である。図５は、図３に示すパッド領域３２の拡大断面図である。図６は、図３に示す外側領域３３の拡大断面図である。図７は、発光ユニット層１３の一構造例を説明するための図である。図８は、トンネル接合層１４の一構造例を説明するための図である。
図１～図３を参照して、半導体レーザ装置１は、直方体形状に形成された基板２を含む。基板２は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＧａＡｓ（ガリウム－砒素）基板からなる。ｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含んでいてもよい。
基板２は、一方側の第１基板主面３、他方側の第２基板主面４、ならびに、第１基板主面３および第２基板主面４を接続する基板側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを含む。第１基板主面３および第２基板主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では、長方形状）に形成されている。
基板側面５Ａ～５Ｄは、第１基板側面５Ａ、第２基板側面５Ｂ、第３基板側面５Ｃおよび第４基板側面５Ｄを含む。第１基板側面５Ａおよび第２基板側面５Ｂは、基板２の長辺を形成している。第１基板側面５Ａおよび第２基板側面５Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに互いに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。
第３基板側面５Ｃおよび第４基板側面５Ｄは、基板２の短辺を形成している。第３基板側面５Ｃおよび第４基板側面５Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに互いに対向している。基板側面５Ａ～５Ｄのうちの少なくとも基板側面５Ｃおよび基板側面５Ｄは、鏡面化されていることが好ましい。基板側面５Ａ～５Ｄの全てが、鏡面化されていてもよい。基板側面５Ａ～５Ｄは、劈開面であってもよい。
基板２の厚さは、５０μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。厚さは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、または、３００μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。
第１基板側面５Ａ（第２基板側面５Ｂ）の長さＬ１は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。長さＬ１は、２００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上８００μｍ以下、または、８００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。長さＬ１は、この形態では、５００μｍ以上７００μｍ以下である。
第３基板側面５Ｃ（第４基板側面５Ｄ）の長さＬ２は、５０μｍ以上６００μｍ以下であってもよい。長さＬ２は、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、または、５００μｍ以上６００μｍ以下であってもよい。長さＬ２は、この形態では、３００μｍ以上５００μｍ以下である。
半導体レーザ装置１は、第１基板主面３の上に形成された半導体層６をさらに含む。半導体層６は、エピタキシャル成長法によって、第１基板主面３の上に形成されている。半導体層６は、レーザ光を生成する。半導体層６は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲にピーク発光波長を有するレーザ光を生成する。つまり、半導体層６は、赤外領域のレーザ光を生成する。
半導体層６は、半導体主面７、および、半導体側面８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄを含む。半導体主面７は、平面視において四角形状（この形態では、長方形状）に形成されている。半導体側面８Ａ～８Ｄは、第１半導体側面８Ａ、第２半導体側面８Ｂ、第３半導体側面８Ｃおよび第４半導体側面８Ｄを含む。半導体側面８Ａ～８Ｄは、基板側面５Ａ～５Ｄに連なっている。半導体側面８Ａ～８Ｄは、より具体的には、基板側面５Ａ～５Ｄに対して面一に形成されている。
図３～図６を参照して、半導体層６は、ｎ型バッファ層１０、発光層１１およびｐ型コンタクト層１２を含む積層構造を有している。ｎ型バッファ層１０は、発光層１１に電子を供給する。ｐ型コンタクト層１２は、発光層１１に正孔を供給する。発光層１１は、正孔および電子の結合によってレーザ光を生成する。
ｎ型バッファ層１０は、第１基板主面３の上に積層されている。ｎ型バッファ層１０は、ｎ型不純物が添加されたＧａＡｓ（ガリウム－砒素）を含む。ｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含んでいてもよい。ｎ型バッファ層１０のｎ型不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。
発光層１１は、ｎ型バッファ層１０の上に積層されている。発光層１１は、この形態では、複数（この形態では３個）の発光ユニット層１３、および、複数（この形態では２個）のトンネル接合層１４を含む。発光ユニット層１３は、正孔および電子の結合によって光を生成する。トンネル接合層１４は、トンネル効果に起因するトンネル電流を生成し、当該トンネル電流を複数の発光ユニット層１３に供給する。
複数の発光ユニット層１３は、ｎ型バッファ層１０側からこの順に積層された第１発光ユニット層１３Ａ、第２発光ユニット層１３Ｂおよび第３発光ユニット層１３Ｃを含む。
図７を参照して、第１発光ユニット層１３Ａ、第２発光ユニット層１３Ｂおよび第３発光ユニット層１３Ｃは、基板２側からこの順に積層されたｎ型クラッド層１５（第１半導体層）、第１ガイド層１６、活性層１７、第２ガイド層１８、および、ｐ型クラッド層１９（第２半導体層）を含む積層構造をそれぞれ有している。
ｎ型クラッド層１５は、ｎ型不純物が添加されたＡｌＧａＡｓ（アルミニウム－ガリウム－砒素）を含む。ｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含んでいてもよい。ｎ型クラッド層１５のｎ型不純物濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以上１×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。ｎ型クラッド層１５は、この形態では、基板２側からこの順に積層された第１ｎ型クラッド層２０および第２ｎ型クラッド層２１を含む。
第１ｎ型クラッド層２０は、第１Ａｌ組成Ａを有するＡｌＡＧａ（１－Ａ）Ａｓを含む。第１Ａｌ組成Ａは、０．４以上０．６以下であってもよい。第１Ａｌ組成Ａは、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、または、０．５５以上０．６以下であってもよい。第１ｎ型クラッド層２０のｎ型不純物濃度は、５×１０１７ｃｍ－３以上１×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。
第１ｎ型クラッド層２０の厚さは、５０００Å以上１００００Å以下であってもよい。第１ｎ型クラッド層２０の厚さは、５０００Å以上６０００Å以下、６０００Å以上７０００Å以下、７０００Å以上８０００Å以下、８０００Å以上９０００Å以下、または、９０００Å以上１００００Å以下であってもよい。
第２ｎ型クラッド層２１は、第１ｎ型クラッド層２０の第１Ａｌ組成Ａとは異なる第２Ａｌ組成Ｂを有するＡｌＢＧａ（１－Ｂ）Ａｓを含む。第２Ａｌ組成Ｂは、より具体的には、第１Ａｌ組成Ａ未満（Ｂ＜Ａ）である。第２Ａｌ組成Ｂは、０．２以上０．４以下であってもよい。第２Ａｌ組成Ｂは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、または、０．３５以上０．４以下であってもよい。
第２ｎ型クラッド層２１は、第１ｎ型クラッド層２０のｎ型不純物濃度とは異なるｎ型不純物濃度を有している。第２ｎ型クラッド層２１のｎ型不純物濃度は、より具体的には、第１ｎ型クラッド層２０のｎ型不純物濃度未満である。第２ｎ型クラッド層２１のｎ型不純物濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以上５×１０１８ｃｍ－３以下であってもよい。
第２ｎ型クラッド層２１は、第１ｎ型クラッド層２０の厚さとは異なる厚さを有していてもよい。第２ｎ型クラッド層２１は、第１ｎ型クラッド層２０の厚さを超える厚さを有していてもよい。
第２ｎ型クラッド層２１の厚さは、７０００Å以上１３０００Å以下であってもよい。第２ｎ型クラッド層２１の厚さは、７０００Å以上８０００Å以下、８０００Å以上９０００Å以下、９０００Å以上１００００Å以下、１００００Å以上１１０００Å以下、１１０００Å以上１２０００Å以下、または、１２０００Å以上１３０００Å以下であってもよい。
第１ガイド層１６は、ｎ型クラッド層１５のＡｌ組成（第１Ａｌ組成Ａおよび第２Ａｌ組成Ｂ）とは異なる第３Ａｌ組成Ｃを有するＡｌＣＧａ（１－Ｃ）Ａｓを含む。第３Ａｌ組成Ｃは、より具体的には、ｎ型クラッド層１５のＡｌ組成未満（Ｃ＜Ｂ＜Ａ）である。
第３Ａｌ組成Ｃは、０を超えて０．２以下であってもよい。第３Ａｌ組成Ｃは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。第１ガイド層１６は、不純物無添加であってもよい。
第１ガイド層１６の厚さは、第１ｎ型クラッド層２０の厚さ未満である。第１ガイド層１６の厚さは、５０Å以上２５０Å以下であってもよい。第１ガイド層１６の厚さは、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、１５０Å以上２００Å以下、または、２００Å以上２５０Å以下、であってもよい。
活性層１７は、ウェル層２２およびバリア層２３を含む多重量子井戸構造を有している。活性層１７は、この形態では、基板２側からこの順に積層されたウェル層２２、バリア層２３およびウェル層２２を含む３層構造を有している。
活性層１７は、複数周期（２周期以上）に亘って交互に積層されたウェル層２２およびバリア層２３を含む多重量子井戸構造を有していてもよい。この場合、基板２側を基準とする活性層１７の最下層は、ウェル層２２であってもよいし、バリア層２３であってもよい。活性層１７の最上層は、ウェル層２２であってもよいし、バリア層２３であってもよい。
ウェル層２２は、Ｉｎ組成αを有するＩｎαＧａ（１－α）Ａｓを含む。Ｉｎ組成αは、０を超えて０．２以下であってもよい。Ｉｎ組成αは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。ウェル層２２は、不純物無添加であってもよい。
ウェル層２２の厚さは、第１ガイド層１６の厚さ未満であってもよい。ウェル層２２の厚さは、１０Å以上１５０Å以下であってもよい。ウェル層２２の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、または、１００Å以上１５０Å以下であってもよい。
バリア層２３は、ｎ型クラッド層１５のＡｌ組成（第１Ａｌ組成Ａおよび第２Ａｌ組成Ｂ）とは異なる第４Ａｌ組成Ｄを有するＡｌＤＧａ（１－Ｄ）Ａｓを含む。第４Ａｌ組成Ｄは、より具体的には、ｎ型クラッド層１５のＡｌ組成未満（Ｄ＜Ｂ＜Ａ）である。
第４Ａｌ組成Ｄは、０を超えて０．２以下であってもよい。第４Ａｌ組成Ｄは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。バリア層２３は、不純物無添加であってもよい。
バリア層２３は、ウェル層２２とは異なる厚さを有していてもよい。バリア層２３の厚さは、ウェル層２２の厚さを超え、第１ガイド層１６の厚さ未満であってもよい。バリア層２３の厚さは、２０Å以上２００Å以下であってもよい。バリア層２３の厚さは、２０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。
第２ガイド層１８は、ｎ型クラッド層１５のＡｌ組成（第１Ａｌ組成Ａおよび第２Ａｌ組成Ｂ）とは異なる第５Ａｌ組成Ｅを有するＡｌＥＧａ（１－Ｅ）Ａｓを含む。第５Ａｌ組成Ｅは、より具体的には、ｎ型クラッド層１５のＡｌ組成未満（Ｅ＜Ｂ＜Ａ）である。第５Ａｌ組成Ｅは、０を超えて０．２以下であってもよい。
第５Ａｌ組成Ｅは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。第２ガイド層１８は、不純物無添加であってもよい。
第２ガイド層１８の厚さは、バリア層２３の厚さを超えていてもよい。第２ガイド層１８の厚さは、５０Å以上２５０Å以下であってもよい。第２ガイド層１８の厚さは、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、１５０Å以上２００Å以下、または、２００Å以上２５０Å以下であってもよい。
ｐ型クラッド層１９は、ｐ型不純物が添加されたＡｌＧａＡｓを含む。ｐ型不純物は、Ｃ（炭素）を含んでいてもよい。ｐ型クラッド層１９のｐ型不純物濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以上１×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。ｐ型クラッド層１９は、この形態では、活性層１７側からこの順に積層された第１ｐ型クラッド層２４および第２ｐ型クラッド層２５を含む。
第１ｐ型クラッド層２４は、第６Ａｌ組成Ｆを有するＡｌＦＧａ（１－Ｆ）Ａｓを含む。第６Ａｌ組成Ｆは、０．２以上０．４以下であってもよい。第６Ａｌ組成Ｆは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、または、０．３５以上０．４以下であってもよい。第１ｐ型クラッド層２４のｐ型不純物濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以上５×１０１８ｃｍ－３以下であってもよい。
第１ｐ型クラッド層２４の厚さは、８０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。第１ｐ型クラッド層２４の厚さは、８０００Å以上９０００Å以下、９０００Å以上１００００Å以下、１００００Å以上１１０００Å以下、１１０００Å以上１２０００Å以下、１２０００Å以上１３０００Å以下、１３０００Å以上１４０００Å以下、または、１４０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。
第２ｐ型クラッド層２５は、第１ｐ型クラッド層２４の第６Ａｌ組成Ｆとは異なる第７Ａｌ組成Ｇを有するＡｌＧＧａ（１－Ｇ）Ａｓを含む。第７Ａｌ組成Ｇは、より具体的には、第６Ａｌ組成Ｆを超えている（Ｆ＜Ｇ）。第７Ａｌ組成Ｇは、０．４以上０．６以下であってもよい。第７Ａｌ組成Ｇは、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、または、０．５５以上０．６以下であってもよい。
第２ｐ型クラッド層２５は、第１ｐ型クラッド層２４のｐ型不純物濃度とは異なるｐ型不純物濃度を有している。第２ｐ型クラッド層２５のｐ型不純物濃度は、より具体的には、第１ｐ型クラッド層２４のｐ型不純物濃度を超えている。第２ｐ型クラッド層２５のｐ型不純物濃度は、５×１０１７ｃｍ－３以上１×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。
第２ｐ型クラッド層２５は、第１ｐ型クラッド層２４の厚さとは異なる厚さを有していてもよい。第２ｐ型クラッド層２５は、第１ｐ型クラッド層２４の厚さ未満の厚さを有していてもよい。
第２ｐ型クラッド層２５の厚さは、４０００Å以上１００００Å以下であってもよい。第２ｐ型クラッド層２５の厚さは、４０００Å以上５０００Å以下、５０００Å以上６０００Å以下、６０００Å以上７０００Å以下、７０００Å以上８０００Å以下、８０００Å以上９０００Å以下、または、９０００Å以上１００００Å以下であってもよい。
図８を参照して、複数のトンネル接合層１４は、第１トンネル接合層１４Ａおよび第２トンネル接合層１４Ｂを含む。第１トンネル接合層１４Ａは、第１発光ユニット層１３Ａおよび第２発光ユニット層１３Ｂの間の領域に介在されている。第２トンネル接合層１４Ｂは、第２発光ユニット層１３Ｂおよび第３発光ユニット層１３Ｃの間の領域に介在されている。
第１トンネル接合層１４Ａおよび第２トンネル接合層１４Ｂは、基板２側からこの順に積層されたｐ型トンネル接合層２６およびｎ型トンネル接合層２７をそれぞれ有している。第１トンネル接合層１４Ａおよび第２トンネル接合層１４Ｂは、ｐ型トンネル接合層２６がｐ型クラッド層１９に電気的に接続され、ｎ型トンネル接合層２７がｎ型クラッド層１５に電気的に接続される態様で、複数の発光ユニット層１３Ａ～１３Ｃの間の領域に介在される。
ｐ型トンネル接合層２６は、ｐ型不純物が添加されたＧａＡｓを含む。ｐ型不純物は、Ｃ（炭素）を含んでいてもよい。ｐ型トンネル接合層２６は、ｐ型クラッド層１９のｐ型不純物濃度とは異なるｐ型不純物濃度を有している。ｐ型トンネル接合層２６のｐ型不純物濃度は、より具体的には、ｐ型クラッド層１９のｐ型不純物濃度を超えている。ｐ型トンネル接合層２６のｐ型不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下であってもよい。
ｐ型トンネル接合層２６の厚さは、１００Å以上１０００Å以下であってもよい。ｐ型トンネル接合層２６の厚さは、１００Å以上２００Å以下、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上１０００Å以下であってもよい。
ｎ型トンネル接合層２７は、ｎ型不純物が添加されたＧａＡｓを含む。ｎ型不純物は、Ｓｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含んでいてもよい。ｎ型トンネル接合層２７は、ｎ型クラッド層１５のｎ型不純物濃度とは異なるｎ型不純物濃度を有している。ｎ型トンネル接合層２７のｎ型不純物濃度は、より具体的には、ｎ型クラッド層１５のｎ型不純物濃度を超えている。ｎ型トンネル接合層２７のｎ型不純物濃度は、５×１０１７ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。
ｎ型トンネル接合層２７の厚さは、１００Å以上１０００Å以下であってもよい。ｎ型トンネル接合層２７の厚さは、１００Å以上２００Å以下、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上１０００Å以下であってもよい。
図３～図６を参照して、ｐ型コンタクト層１２は、発光層１１の上に形成されている。半導体層６の半導体主面７は、ｐ型コンタクト層１２によって形成されている。ｐ型コンタクト層１２は、ｐ型不純物が添加されたＧａＡｓを含む。ｐ型不純物は、Ｃ（炭素）であってもよい。
ｐ型コンタクト層１２は、ｐ型クラッド層１９のｐ型不純物濃度とは異なるｐ型不純物濃度を有している。ｐ型コンタクト層１２のｐ型不純物濃度は、より具体的には、ｐ型クラッド層１９のｐ型不純物濃度を超えている。ｐ型コンタクト層１２のｐ型不純物濃度は、５×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下であってもよい。
ｐ型コンタクト層１２の厚さは、１０００Å以上５０００Å以下であってもよい。ｐ型コンタクト層１２の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。
図１～図６を参照して、半導体層６は、発光領域３１、パッド領域３２および外側領域３３を含む。発光領域３１は、レーザ光が生成される領域である。パッド領域３２および外側領域３３は、レーザ光が生成されない領域である。パッド領域３２は、導線３４が接続される領域である。外側領域３３は、導線３４が接続されない領域である。
発光領域３１は、第１方向Ｘに沿って延びる帯状に形成されている。発光領域３１は、平面視において基板２の中心に対して第２方向Ｙにずれて形成されている。発光領域３１は、この形態では、平面視において基板２の中心から第２基板側面５Ｂ側に偏在している。
発光領域３１は、第２方向Ｙに関して第１幅Ｗ１を有している。発光領域３１は、平面視において第１面積Ｓ１を有している。第１面積Ｓ１は、第１基板側面５Ａの長さＬ１に第１幅Ｗ１を乗じた値（Ｌ１×Ｗ１）を有している。
第１幅Ｗ１は、４０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第１幅Ｗ１は、４０μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上６０μｍ以下、６０μｍ以上７０μｍ以下、７０μｍ以上８０μｍ以下、８０μｍ以上９０μｍ以下、または、９０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第１幅Ｗ１は、５０μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。
パッド領域３２は、発光領域３１に対して第１基板側面５Ａ側の領域に形成されている。パッド領域３２は、第１方向Ｘに沿って延びる帯状に形成されている。パッド領域３２は、第２方向Ｙに関して、第１幅Ｗ１を超える第２幅Ｗ２（Ｗ１＜Ｗ２）を有している。パッド領域３２は、平面視において第１面積Ｓ１を超える第２面積Ｓ２（Ｓ１＜Ｓ２）を有している。第２面積Ｓ２は、第１基板側面５Ａの長さＬ１に第２幅Ｗ２を乗じた値（Ｌ１×Ｗ２）を有している。
第２幅Ｗ２は、第３基板側面５Ｃの長さＬ２の１／４以上２／３以下であることが好ましい。第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１の１．５倍以上４倍以下であることが好ましい。第２幅Ｗ２は、１５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。第２幅Ｗ２は、１５０μｍ以上１７５μｍ以下、１７５μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２２５μｍ以下、２２５μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上２７５μｍ以下、または、２７５μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。第２幅Ｗ２は、１５０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましい。
外側領域３３は、発光領域３１に対して第２基板側面５Ｂ側の領域に形成されている。外側領域３３は、第１方向Ｘに沿って延びる帯状に形成されている。外側領域３３は、第２方向Ｙに関して、第３幅Ｗ３を有している。第３幅Ｗ３の大きさは任意であり、第１幅Ｗ１の大きさおよび第２幅Ｗ２の大きさに応じて調節される。
パッド領域３２を確保する観点から、第３幅Ｗ３は第２幅Ｗ２未満（Ｗ３＜Ｗ２）であることが好ましい。第３幅Ｗ３は第１幅Ｗ１以上（Ｗ１≦Ｗ３）であってもよいし、第１幅Ｗ１未満（Ｗ３＜Ｗ１）であってもよい。第３幅Ｗ３は、この形態では、第１幅Ｗ１以上で第２幅Ｗ２未満（Ｗ１≦Ｗ３＜Ｗ２）に調節されている。
外側領域３３は、平面視において第１面積Ｓ１以上で第２面積Ｓ２未満の第３面積Ｓ３（Ｓ１≦Ｓ３＜Ｓ２）を有している。第３面積Ｓ３は、第１基板側面５Ａの長さＬ１に第３幅Ｗ３を乗じた値（Ｌ１×Ｗ３）を有している。
第３幅Ｗ３は、２５μｍ以上１５０μｍ未満であってもよい。第３幅Ｗ３は、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１２５μｍ以下、または、１２５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。第３幅Ｗ３は、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
発光領域３１、パッド領域３２および外側領域３３は、半導体層６の半導体主面７に形成された第１トレンチ４１および第２トレンチ４２によってそれぞれ区画されている。第１トレンチ４１は、発光領域３１およびパッド領域３２の間の領域に形成されている。第２トレンチ４２は、発光領域３１および外側領域３３の間の領域に形成されている。
第１トレンチ４１および第２トレンチ４２は、レジストマスクを介するエッチング法によって、半導体層６の不要な部分を除去することによって形成されている。エッチング法は、ウエットエッチング法であってもよいし、ドライエッチング法であってもよい。
第１トレンチ４１は、平面視において第１方向Ｘに沿って延びる帯状に形成されている。第１トレンチ４１は、第３半導体側面８Ｃおよび第４半導体側面８Ｄに連通している。第１トレンチ４１は、少なくとも最下の発光ユニット層１３（第１発光ユニット層１３Ａ）の第２ｎ型クラッド層２１に至るように、ｐ型コンタクト層１２および発光層１１を貫通していている。第１トレンチ４１は、この形態では、ｐ型コンタクト層１２、発光層１１およびｎ型バッファ層１０を貫通し、基板２に至っている。
第１トレンチ４１は、発光領域３１側の第１側壁４３、パッド領域３２側の第２側壁４４、ならびに、第１側壁４３および第２側壁４４を接続する底壁４５を有している。第１側壁４３および第２側壁４４からは、ｐ型コンタクト層１２、発光層１１、ｎ型バッファ層１０および基板２が露出している。底壁４５からは、基板２が露出している。第１トレンチ４１は、半導体主面７から底壁４５に向かって開口幅が狭まる先細り形状に形成されている。
第２トレンチ４２は、平面視において第１方向Ｘに沿って延びる帯状に形成されている。第２トレンチ４２は、第３半導体側面８Ｃおよび第４半導体側面８Ｄに連通している。第２トレンチ４２は、少なくとも最下の発光ユニット層１３（第１発光ユニット層１３Ａ）の第２ｎ型クラッド層２１に至るように、ｐ型コンタクト層１２および発光層１１を貫通している。第２トレンチ４２は、この形態では、ｐ型コンタクト層１２、発光層１１およびｎ型バッファ層１０を貫通し、基板２に至っている。
第２トレンチ４２は、外側領域３３側の第１側壁４６、発光領域３１側の第２側壁４７、ならびに、第１側壁４６および第２側壁４７を接続する底壁４８を有している。第１側壁４６および第２側壁４７からは、ｐ型コンタクト層１２、発光層１１、ｎ型バッファ層１０および基板２が露出している。底壁４８からは、基板２が露出している。第２トレンチ４２は、半導体主面７から底壁４８に向かって開口幅が狭まる先細り形状に形成されている。
発光領域３１の第１幅Ｗ１は、第２方向Ｙに関して、第１トレンチ４１の底壁４５および第２トレンチ４２の底壁４８の間の幅によって定義される。パッド領域３２の第２幅Ｗ２は、第２方向Ｙに関して、第１トレンチ４１の底壁４５および第１半導体側面８Ａ（第１基板側面５Ａ）の間の幅によって定義される。
外側領域３３の第３幅Ｗ３は、第２方向Ｙに関して、第２トレンチ４２の底壁４８および第２半導体側面８Ｂ（第２基板側面５Ｂ）の間の幅によって定義される。発光領域３１、パッド領域３２および外側領域３３は、以下の構造によって具体的に特定される。
発光領域３１は、第１基板主面３から第２基板主面４とは反対側に向けて突出した台地状（リッジ状）のメサ構造５１を有している。メサ構造５１は、第１トレンチ４１および第２トレンチ４２によって区画されている。メサ構造５１は、頂部５２、基部５３、パッド領域３２側の第１側壁５４および外側領域３３側の第２側壁５５を含む。
頂部５２は、半導体主面７の一部によって形成されている。つまり、頂部５２は、ｐ型コンタクト層１２によって形成されている。頂部５２は、基板２の第１基板主面３に対して平行に形成されている。基部５３は、少なくとも発光層１１に対して基板２側に位置していることが好ましい。基部５３は、この形態では、基板２によって形成されている。基部５３は、ｎ型バッファ層１０によって形成されていてもよい。
第１側壁５４は、第１トレンチ４１の第１側壁４３によって形成されている。第２側壁５５は、第２トレンチ４２の第２側壁４７によって形成されている。第１側壁５４および第２側壁５５は、頂部５２および基部５３をそれぞれ接続している。第１側壁５４および第２側壁５５は、ｐ型コンタクト層１２、発光層１１、ｎ型バッファ層１０および基板２によってそれぞれ形成されている。
メサ構造５１は、さらに、第１端面５６および第２端面５７を含む。第１端面５６は、第３基板側面５Ｃから露出している。第１端面５６は、より具体的には、第３基板側面５Ｃに対して面一に形成されている。第１端面５６は、鏡面化されている。第１端面５６は、この形態では、第３基板側面５Ｃとの間で一つの劈開面を形成している。
第２端面５７は、第４基板側面５Ｄから露出している。第２端面５７は、より具体的には、第４基板側面５Ｄに対して面一に形成されている。第２端面５７は、鏡面化されている。第２端面５７は、この形態では、第４基板側面５Ｄとの間で一つの劈開面を形成している。
第１端面５６および第２端面５７は、共振器端面を形成している。発光層１１で生成された光は、第１端面５６および第２端面５７の間を往復し、誘導放出によって増幅される。増幅された光は、第１端面５６および第２端面５７のいずれか一方からレーザ光として半導体層６外に取り出される。
平面視において、頂部５２の周縁は、基部５３の周縁よりも内方に位置している。つまり、頂部５２の周縁に取り囲まれた領域の平面面積は、基部５３の周縁に取り囲まれた領域の平面面積未満である。第１側壁５４および第２側壁５５は、この形態では、頂部５２から基部５３に向けて下り傾斜している。第１側壁５４および第２側壁５５は、頂部５２に対して垂直に形成されていてもよい。
メサ構造５１内において第１側壁５４が第１基板主面３との間で成す角度θ１は、５０°以上９０°以下であってもよい。角度θ１は、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、７０°以上８０°以下、または、８０°以上９０°以下であってもよい。角度θ１が８０°未満である場合、メサ構造５１の第１側壁５４から光が漏出する。
したがって、角度θ１は、８０°以上であることが好ましい。この場合、角度θ１は、８０°以上８２．５°以下、８２．５°以上８５°以下、８５°以上８７．５°以下、または、８７．５°以上９０°以下であることが好ましい。第１側壁５４は、角度θ１が５０°以上９０°以下の範囲において頂部５２から基部５３に向けて漸増する態様で、形成されていてもよい。
同様に、メサ構造５１内において第２側壁５５が第１基板主面３との間で成す角度θ２は、５０°以上９０°以下であってもよい。角度θ２は、５０°以上６０°以下、６０°以上７０°以下、７０°以上８０°以下、または、８０°以上９０°以下であってもよい。角度θ２は、８０°以上８２．５°以下、８２．５°以上８５°以下、８５°以上８７．５°以下、または、８７．５°以上９０°以下であることが好ましい。第２側壁５５は、角度θ２が５０°以上９０°以下の範囲において頂部５２から基部５３に向けて漸増する態様で、形成されていてもよい。
頂部５２の第２方向Ｙの幅は、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。頂部５２の幅は、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上４０μｍ以下、４０μｍ以上６０μｍ以下６０μｍ以上８０μｍ以下、または、８０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。頂部５２の第２方向Ｙの幅は、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。基部５３の第２方向Ｙの幅は、発光領域３１の第１幅Ｗ１である。
パッド領域３２は、第１基板主面３から第２基板主面４とは反対側に向けて突出した台地状（リッジ状）のパッドメサ構造６１を有している。パッドメサ構造６１は、第１トレンチ４１および半導体側面８Ａ，８Ｃ，８Ｄによって区画されている。パッドメサ構造６１は、パッド頂部６２、パッド基部６３およびパッド側壁６４を含む。
パッド頂部６２は、半導体主面７の一部によって形成されている。つまり、パッドメサ構造６１のパッド頂部６２は、メサ構造５１の頂部５２と同一平面上に位置している。また、パッド頂部６２は、ｐ型コンタクト層１２によって形成されている。パッド頂部６２は、基板２の第１基板主面３に対して平行に形成されている。
パッド基部６３は、少なくとも発光層１１に対して基板２側に位置していることが好ましい。パッド基部６３は、この形態では、基板２によって形成されている。パッド基部６３は、ｎ型バッファ層１０によって形成されていてもよい。
パッド側壁６４は、第１トレンチ４１の第２側壁４４によって形成されている。パッド側壁６４は、パッド頂部６２およびパッド基部６３を接続している。パッド側壁６４は、ｐ型コンタクト層１２、発光層１１、ｎ型バッファ層１０および基板２によってそれぞれ形成されている。
平面視において、パッド頂部６２の周縁は、パッド基部６３の周縁よりも内方に位置している。つまり、パッド頂部６２の周縁に取り囲まれた領域の平面面積は、パッド基部６３の周縁に取り囲まれた領域の平面面積未満である。パッド側壁６４は、この形態では、パッド頂部６２からパッド基部６３に向けて下り傾斜している。パッド側壁６４は、パッド頂部６２に対して垂直に形成されていてもよい。
パッドメサ構造６１内においてパッド側壁６４が第１基板主面３との間で成す角度θ３は、８０°以上９０°以下であってもよい。角度θ３は、８０°以上８２．５°以下、８２．５°以上８５°以下、８５°以上８７．５°以下、または、８７．５°以上９０°以下であってもよい。
パッド頂部６２の第２方向Ｙの幅は、１２０μｍ以上２８０μｍ以下であってもよい。パッド頂部６２の幅は、１２０μｍ以上１４０μｍ以下、１４０μｍ以上１６０μｍ以下、１６０μｍ以上１８０μｍ以下、１８０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２２０μｍ以下、２２０μｍ以上２４０μｍ以下、２４０μｍ以上２６０μｍ以下、または、２６０μｍ以上２８０μｍ以下であってもよい。パッド基部６３の第２方向Ｙの幅は、パッド領域３２の第２幅Ｗ２である。
外側領域３３は、第１基板主面３から第２基板主面４とは反対側に向けて突出した台地状（リッジ状）の外側メサ構造７１を有している。外側メサ構造７１は、第２トレンチ４２および半導体側面８Ｂ，８Ｃ，８Ｄによって区画されている。外側メサ構造７１は、外側頂部７２、外側基部７３および外側側壁７４を含む。
外側頂部７２は、半導体主面７の一部によって形成されている。つまり、外側メサ構造７１の外側頂部７２は、メサ構造５１の頂部５２と同一平面上に位置している。また、外側頂部７２は、ｐ型コンタクト層１２によって形成されている。外側頂部７２は、基板２の第１基板主面３に対して平行に形成されている。
外側基部７３は、少なくとも発光層１１に対して基板２側に位置していることが好ましい。外側基部７３は、この形態では、基板２によって形成されている。外側基部７３は、ｎ型バッファ層１０によって形成されていてもよい。
外側側壁７４は、第２トレンチ４２の第１側壁４６によって形成されている。外側側壁７４は、外側頂部７２および外側基部７３を接続している。外側側壁７４は、ｐ型コンタクト層１２、発光層１１、ｎ型バッファ層１０および基板２によってそれぞれ形成されている。
平面視において、外側頂部７２の周縁は、外側基部７３の周縁よりも内方に位置している。つまり、外側頂部７２の周縁に取り囲まれた領域の平面面積は、外側基部７３の周縁に取り囲まれた領域の平面面積未満である。外側側壁７４は、この形態では、外側頂部７２から外側基部７３に向けて下り傾斜している。外側側壁７４は、外側頂部７２に対して垂直に形成されていてもよい。
外側メサ構造７１内において外側側壁７４が第１基板主面３との間で成す角度θ４は、８０°以上９０°以下であってもよい。角度θ４は、８０°以上８２．５°以下、８２．５°以上８５°以下、８５°以上８７．５°以下、または、８７．５°以上９０°以下であってもよい。
外側頂部７２の第２方向Ｙの幅は、１０μｍ以上１２５μｍ未満であってもよい。外側頂部７２の第２方向Ｙの幅は、１０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、または、１００μｍ以上１２５μｍ以下であってもよい。外側基部７３の第２方向Ｙの幅は、外側領域３３の第３幅Ｗ３である。
図４を参照して、メサ構造５１は、頂部５２に形成されたコンタクト孔７９を含む。コンタクト孔７９は、ｐ型コンタクト層１２の表層部に形成されている。コンタクト孔７９は、頂部５２において基部５３に向けて窪んでいる。コンタクト孔７９は、この形態では、頂部５２の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。
コンタクト孔７９は、平面視において第２方向Ｙに沿って帯状に延びている。コンタクト孔７９は、第１端面５６および第２端面５７に連通していてもよい。コンタクト孔７９は、第１端面５６および第２端面５７に連通しないように頂部５２の周縁によって取り囲まれた領域内に形成されていてもよい。
コンタクト孔７９は、１Å以上２０００Å以下の深さを有していてもよい。深さは、１Å以上５００Å以下、５００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１５００Å以下、または、１５００Å以上２０００Å以下であってもよい。深さは、１０Å以上１０００Å以下であることが好ましい。
半導体レーザ装置１は、半導体主面７を被覆する絶縁層８０をさらに含む。図２では、明瞭化のため、絶縁層８０がハッチングによって示されている。絶縁層８０は、半導体主面７の上において膜状に形成されている。絶縁層８０は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含んでいてもよい。絶縁層８０は、この形態では、窒化シリコンを含む。
絶縁層８０は、第１領域８１、第２領域８２および第３領域８３を一体的に含む。第１領域８１は、発光領域３１を被覆している。第２領域８２は、パッド領域３２を被覆している。第３領域８３は、外側領域３３を被覆している。
第１領域８１は、メサ構造５１の頂部５２、基部５３、第１側壁５４および第２側壁５５を被覆している。第２領域８２は、パッドメサ構造６１のパッド頂部６２、パッド基部６３およびパッド側壁６４を被覆している。第２領域８２においてパッドメサ構造６１のパッド頂部６２を被覆する部分は、第１半導体側面８Ａから内方に間隔を空けて形成されている。これにより、半導体主面７において第１半導体側面８Ａ側の周縁が絶縁層８０（第２領域８２）から露出している。
第３領域８３は、外側メサ構造７１の外側頂部７２、外側基部７３および外側側壁７４を被覆している。第３領域８３において外側頂部７２を被覆する部分は、第２半導体側面８Ｂから内方に間隔を空けて形成されている。これにより、半導体主面７において第２半導体側面８Ｂ側の周縁が絶縁層８０（第３領域８３）から露出している。
絶縁層８０（第１領域８１）においてメサ構造５１の頂部５２を被覆する部分には、コンタクト開口８４が形成されている。コンタクト開口８４は、コンタクト孔７９に連通している。コンタクト開口８４は、コンタクト孔７９の内壁を露出させている。コンタクト開口８４の内壁は、コンタクト孔７９の内壁に沿って延びている。絶縁層８０は、コンタクト孔７９の内壁を露出させていてもよい。絶縁層８０は、コンタクト孔７９の内壁を被覆していてもよい。
半導体レーザ装置１は、絶縁層８０の上に形成された配線電極８８をさらに含む。配線電極８８は、絶縁層８０の上において膜状に形成されている。配線電極８８は、絶縁層８０を貫通して発光領域３１に電気的に接続された内部接続領域８９、および、絶縁層８０を挟んでパッド領域３２を被覆し、導線３４に外部接続される外部接続領域９０を含む。
配線電極８８は、より具体的には、発光領域３１を被覆する第１配線領域９１、パッド領域３２を被覆する第２配線領域９２、および、外側領域３３を被覆する第３配線領域９３を一体的に含む。
第１配線領域９１は、絶縁層８０の第１領域８１を挟んで、メサ構造５１の頂部５２、基部５３、第１側壁５４および第２側壁５５を被覆している。第１配線領域９１は、メサ構造５１の頂部５２において、絶縁層８０のコンタクト開口８４内に入り込み、発光領域３１に電気的に接続されている。
第１配線領域９１は、より具体的には、コンタクト孔７９内においてｐ型コンタクト層１２に電気的に接続されている。第１配線領域９１においてｐ型コンタクト層１２に接続された部分によって内部接続領域８９が形成されている。
第２配線領域９２は、絶縁層８０の第２領域８２を挟んで、パッドメサ構造６１のパッド頂部６２、パッド基部６３およびパッド側壁６４を被覆している。第２配線領域９２において第２領域８２を被覆する部分は、第２領域８２の周縁から発光領域３１側に間隔を空けて形成されている。
これにより、第２領域８２の周縁が第２配線領域９２から露出している。第２配線領域９２においてパッドメサ構造６１のパッド頂部６２を被覆する部分によって、導線３４に外部接続される外部接続領域９０が形成されている。
第３配線領域９３は、絶縁層８０の第３領域８３を挟んで、外側メサ構造７１の外側頂部７２、外側基部７３および外側側壁７４を被覆している。第３配線領域９３において外側頂部７２を被覆する部分は、第３領域８３の周縁から発光領域３１側に間隔を空けて形成されている。これにより、第３領域８３の周縁が第３配線領域９３から露出している。
第３配線領域９３は、除かれてもよい。ただし、発光領域３１に加わる応力を鑑みると、発光領域３１は、第２配線領域９２および第３配線領域９３によって挟み込まれた構造を有していることが好ましい。この場合、第２配線領域９２に起因して発光領域３１に加わる応力、および、第３配線領域９３に起因して発光領域３１に加わる応力の間でバランスを取ることができる。
配線電極８８は、複数の電極層が積層された積層構造を有していてもよい。配線電極８８は、この形態では、絶縁層８０側からこの順に積層された第１電極９５および第２電極９６を含む。
第１電極９５は、Ｐｔ（白金）層、Ｔｉ（チタン）層、および、ＴｉＮ（窒化チタン）層のうちの少なくとも１つを含むバリア電極層であってもよい。第１電極９５の厚さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。第１電極９５の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、または、１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。
第２電極９６は、Ａｕ（金）層を含む低抵抗電極層であってもよい。第２電極９６の厚さは、第１電極９５の厚さを超えている。第２電極９６の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２電極９６の厚さは、１μｍ以上１．５μｍ以下、１．５μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上２．５μｍ以下、２．５μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上３．５μｍ以下、３．５μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上４．５μｍ以下、または、４．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
半導体レーザ装置１は、第２基板主面４の上に形成された電極９７をさらに含む。電極９７は、基板２に電気的に接続されている。電極９７は、この形態では、第２基板主面４の全面を被覆している。電極９７は、第２基板主面４の周縁部を露出させるように第２基板主面４の上に形成されていてもよい。電極９７は、複数の電極層を含む積層構造を有していてもよい。
電極９７は、Ｎｉ（ニッケル）層、ＡｕＧｅ（金－ゲルマニウム合金）層、Ｔｉ（チタン）層、および、Ａｕ（金）層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。電極９７は、Ｎｉ層、ＡｕＧｅ層、Ｔｉ層、および、Ａｕ層のうちの少なくとも２つを任意の態様で積層させた積層構造を有していてもよい。電極９７は、第２基板主面４側からこの順に積層されたＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ｔｉ層、および、Ａｕ層を含んでいてもよい。
図１～図３を参照して、配線電極８８の外部接続領域９０（第２配線領域９２）には、１つまたは複数の導線３４が接続される。導線３４の個数は任意であり、特定の個数に限定されない。この形態では、３つの導線３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃが、外部接続領域９０（第２配線領域９２）に接続された例が示されている。
各導線３４は、ボンディングワイヤまたはクリップワイヤを含んでいてもよい。各導線３４は、この形態では、ボンディングワイヤからなる。クリップワイヤは、比較的幅広の金属板によって形成されている点を除いて、ボンディングワイヤと同一の形態を有している。
各導線３４は、ボンディングワイヤの一例としての金ワイヤ、銀ワイヤ、アルミニウムワイヤ、および、銅ワイヤのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。各導線３４は、金ワイヤからなることが好ましい。
各導線３４は、接合部９８およびワイヤ部９９を含む。接合部９８は、外部接続領域９０に接続される部分である。各導線３４がボンディングワイヤからなる場合、接合部９８は、「ワイヤボール」、「スタッドバンプ」等と称されることがある。ワイヤ部９９は、接合部９８から他の接続対象に向けてライン状に延びる部分である。
図２を参照して、接合部９８は、第２方向Ｙに関して、発光領域３１の第１幅Ｗ１を超える接続幅ＷＣ（Ｗ１＜ＷＣ）を有している。接続幅ＷＣは、パッド領域３２の第２幅Ｗ２未満（ＷＣ＜Ｗ２）である。接続幅ＷＣは、この形態では、外側領域３３の第３幅Ｗ３以上（Ｗ３≦ＷＣ）である。接続幅ＷＣは、より具体的には、第３幅Ｗ３を超えている（Ｗ３＜ＷＣ）。
接続幅ＷＣは、５０μｍ以上３００μｍ未満であってもよい。接続幅ＷＣは、５０μｍ以上７５μｍ以下、７５μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１２５μｍ以下、１２５μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、または、２５０μｍ以上３００μｍ未満であってもよい。接続幅ＷＣは、この形態では、８０μｍ以上１５０μｍ以下である。
発光領域３１の上に導線３４Ａ～３４Ｃを接続することも考えられる。しかし、この場合、接合部９８は、発光領域３１の第１幅Ｗ１を超える接続幅ＷＣ（Ｗ１＜ＷＣ）を有しているので、発光領域３１に対する接合部９８の接続面積が不足し、導線３４Ａ～３４Ｃを発光領域３１に適切に電気的に接続させることができない。また、導線３４Ａ～３４Ｃの接続時の外力や応力に起因して、発光領域３１に不具合が生じる可能性もある。
そこで、半導体レーザ装置１では、導線３４Ａ～３４Ｃが接続されるパッド領域３２を発光領域３１外の領域に形成している。これにより、導線３４Ａ～３４Ｃによるデザイン制限を受けずに、発光領域３１の縮小を適切に図ることができる。よって、メサ構造５１内における電流の不所望な拡散を抑制できるから、レーザ光の指向性を高めることができる。
図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置１０１を、当該半導体レーザ装置１０１に接続される導線３４と共に示す斜視図である。図１０は、図９に示す半導体レーザ装置１０１の平面図である。図１１は、図１０に示すXI-XI線に沿う断面図である。以下では、半導体レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
半導体レーザ装置１０１では、パッド領域３２がパッドメサ構造６１を有していない。パッド領域３２は、発光領域３１のメサ構造５１の頂部５２に対して基部５３側に形成されている。パッド領域３２は、より具体的には、基板２の第１基板主面３に形成されている。第１基板主面３においてパッド領域３２を形成する部分は、第１基板主面３においてメサ構造５１内に位置する部分に対して第２基板主面４側に位置していてもよい。
また、半導体レーザ装置１０１では、外側領域３３が外側メサ構造７１を有していない。外側領域３３は、発光領域３１のメサ構造５１の頂部５２に対して基部５３側に形成されている。外側領域３３は、より具体的には、基板２の第１基板主面３に形成されている。第１基板主面３において外側領域３３を形成する部分は、第１基板主面３においてメサ構造５１内に位置する部分に対して第２基板主面４側に位置していてもよい。外側領域３３は、パッド領域３２と同一平面上に位置していてもよい。
絶縁層８０の第２領域８２は、パッド領域３２において第１基板主面３を被覆している。絶縁層８０の第３領域８３は、外側領域３３において第１基板主面３を被覆している。配線電極８８の第２配線領域９２は、絶縁層８０の第２領域８２を挟んで、第１基板主面３を被覆している。配線電極８８の第３配線領域９３は、絶縁層８０の第３領域８３を挟んで第１基板主面３を被覆している。
以上、半導体レーザ装置１０１によっても、半導体レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。この形態では、パッド領域３２および外側領域３３が第１基板主面３によって形成された例について説明した。しかし、パッド領域３２および外側領域３３は、ｎ型バッファ層１０によってそれぞれ形成されていてもよい。
図１２は、本発明の第３実施形態に係る半導体レーザ装置１１１を、当該半導体レーザ装置１１１に接続される導線３４と共に示す斜視図である。以下では、半導体レーザ装置１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
前述の半導体レーザ装置１では、外側領域３３が導線３４に接続されない構造を有していた。これに対して、半導体レーザ装置１１１では、外側領域３３がパッド領域３２と同様の構造を有している。つまり、半導体レーザ装置１１１では、外側領域３３が導線３４に接続される第２パッド領域１２１として形成されている。
外側領域３３の第３幅Ｗ３は、発光領域３１の第１幅Ｗ１を超えている（Ｗ１＜Ｗ３）。第３幅Ｗ３は、第３基板側面５Ｃの長さＬ２の１／４以上２／３以下であることが好ましい。第３幅Ｗ３は、第１幅Ｗ１の１．５倍以上４倍以下であることが好ましい。外側領域３３の第３面積Ｓ３は、平面視において第１面積Ｓ１を超えている（Ｓ１＜Ｓ３）。
第３幅Ｗ３は、１５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。第３幅Ｗ３は、１５０μｍ以上１７５μｍ以下、１７５μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２２５μｍ以下、２２５μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上２７５μｍ以下、または、２７５μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。第３幅Ｗ３は、１５０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましい。
外側領域３３の第３幅Ｗ３は、パッド領域３２の第２幅Ｗ２以上（Ｗ２≦Ｗ３）であってもよいし、パッド領域３２の第２幅Ｗ２未満（Ｗ３＜Ｗ２）であってもよい。第３幅Ｗ３は、この形態では、第２幅Ｗ２に等しい（Ｗ２＝Ｗ３）。
配線電極８８の第３配線領域９３において外側メサ構造７１の外側頂部７２を被覆する部分は、この形態では、第２配線領域９２と同様に、導線３４に外部接続される第２外部接続領域１１３を形成している。
外部接続領域９０（第２配線領域９２）および第２外部接続領域１１３（第３配線領域９３）には、１つまたは複数の導線３４がそれぞれ接続される。導線３４の個数は任意であり、特定の個数に限定されない。この形態では、３つの導線３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃが、外部接続領域９０（第２配線領域９２）に接続され、３つの導線３４Ｄ，３４Ｅ，３４Ｆが、第２外部接続領域１１３（第３配線領域９３）に接続された例が示されている。
以上、半導体レーザ装置１１１によっても、半導体レーザ装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。第２外部接続領域１１３（第３配線領域９３）に導線３４が接続される構造は、前述の第２実施形態にも適用できる。
図１３は、第１形態例に係るパッケージ２０１を示す分離斜視図である。以下では、パッケージ２０１に半導体レーザ装置１が搭載された例について説明する。しかし、半導体レーザ装置１に代えて半導体レーザ装置１０１または半導体レーザ装置１１１が、パッケージ２０１に搭載されてもよい。
図１３を参照して、パッケージ２０１は、金属製の筐体内に半導体レーザ装置１が収容された半導体ステムである。パッケージ２０１は、半導体レーザ装置１、ステムベース２０２、第１リード端子２０３、第２リード端子２０４、第３リード端子２０５、第１絶縁体２０６、第２絶縁体２０７、ヒートシンク２０８、フォトダイオード２０９、第１導線２１０、第２導線２１１、キャップ２１２および閉塞部材２１３を含む。
ステムベース２０２は、金属製（たとえば鉄製）の板状部材を含む。ステムベース２０２は、この形態では、円板状に形成されている。ステムベース２０２は、一方側の第１面２１４、他方側の第２面２１５、ならびに、第１面２１４および第２面２１５を接続する側面２１６を有している。
ステムベース２０２の側面２１６において任意の領域には、複数（この形態では３つ）の切欠部が間隔を空けて形成されている。複数の切欠部は、第１切欠部２１７、第２切欠部２１８および第３切欠部２１９を含む。
第１切欠部２１７は、ステムベース２０２の中央部に向かって四角形状に窪んでいる。第２切欠部２１８および第３切欠部２１９は、それぞれ、ステムベース２０２の中央部に向かって三角形状に窪んでいる。第２切欠部２１８および第３切欠部２１９は、ステムベース２０２の中央部を挟んで互いに対向している。第１切欠部２１７、第２切欠部２１８および第３切欠部２１９は、第１リード端子２０３、第２リード端子２０４および第３リード端子２０５の配置を示していてもよい。
第１リード端子２０３、第２リード端子２０４および第３リード端子２０５は、互いに間隔を空けてステムベース２０２の第２面２１５に設けられている。第１リード端子２０３、第２リード端子２０４および第３リード端子２０５は、第２面２１５の法線方向に沿って棒状、柱状または軸状にそれぞれ延びている。
第１リード端子２０３は、ステムベース２０２の第２面２１５に接続されている。これにより、第１リード端子２０３は、ステムベース２０２に電気的に接続されている。
第２リード端子２０４は、ステムベース２０２の第２面２１５側からステムベース２０２の第１面２１４側に引き出された引き出し部２２０を含む。第２リード端子２０４の引き出し部２２０は、ステムベース２０２に形成された第１貫通孔２２１を介して引き出されている。
第３リード端子２０５は、ステムベース２０２の第２面２１５側からステムベース２０２の第１面２１４側に引き出された引き出し部２２２を含む。第３リード端子２０５の引き出し部２２２は、ステムベース２０２に形成された第２貫通孔２２３を介して引き出されている。
第１絶縁体２０６は、第１貫通孔２２１内において、第２リード端子２０４およびステムベース２０２の間に介在している。第１絶縁体２０６は、ステムベース２０２から第２リード端子２０４を電気的に絶縁させる。第１絶縁体２０６は、第２リード端子２０４を支持している。
第２絶縁体２０７は、第２貫通孔２２３内において、第３リード端子２０５およびステムベース２０２の間に介在している。第２絶縁体２０７は、ステムベース２０２から第３リード端子２０５を電気的に絶縁させる。第２絶縁体２０７は、第３リード端子２０５を支持している。
ヒートシンク２０８は、ステムベース２０２の第１面２１４に設けられている。ヒートシンク２０８は、シリコン製、窒化アルミニウム製または金属製（たとえば鉄製）のブロック状または板状の部材を含む。ヒートシンク２０８は、第１面２１４に対して一体的に形成されていてもよい。
ヒートシンク２０８は、第１面２１４の法線方向から見た平面視において、ステムベース２０２の中央部に対してステムベース２０２の周縁部側に配置されていてもよい。ヒートシンク２０８は、第１実装面２２４を有している。第１実装面２２４は、第１面２１４の法線方向に沿って延びている。第１実装面２２４は、ステムベース２０２の中央部に方向付けられている。
半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２０８の第１実装面２２４に実装されている。半導体レーザ装置１およびヒートシンク２０８の間には、サブマウントが介在されていてもよい。半導体レーザ装置１は、第１面２１４の法線方向に向けてレーザ光を照射する。半導体レーザ装置１は、ステムベース２０２を介して第１リード端子２０３に電気的に接続されている。
フォトダイオード２０９は、ステムベース２０２の第１面２１４に実装されている。フォトダイオード２０９は、第１面２１４において、ステムベース２０２の中央部を挟んでヒートシンク２０８に対向する領域に実装されている。
フォトダイオード２０９は、より具体的には、第１面２１４に形成されたリセス部２２５内に実装されている。リセス部２２５は、底部に形成された第２実装面２２６を有している。フォトダイオード２０９は、第２実装面２２６に実装されている。フォトダイオード２０９は、ステムベース２０２を介して第１リード端子２０３に電気的に接続されている。
第１導線２１０は、前述の導線３４に対応している。第１導線２１０は、半導体レーザ装置１および第２リード端子２０４を電気的に接続する。第１導線２１０は、より具体的には、半導体レーザ装置１の外部接続領域９０および第２リード端子２０４の引き出し部２２０に接続されている。これにより、半導体レーザ装置１は、第１導線２１０を介して第２リード端子２０４に電気的に接続されている。
これにより、半導体レーザ装置１は、カソードが第１リード端子２０３に電気的に接続され、アノードが第２リード端子２０４に電気的に接続される態様でステムベース２０２の上に搭載されている。
第２導線２１１は、ボンディングワイヤであってもよい。第２導線２１１は、フォトダイオード２０９および第３リード端子２０５を電気的に接続する。第２導線２１１は、より具体的には、第３リード端子２０５の引き出し部２２２に接続されている。これにより、フォトダイオード２０９は、第２導線２１１を介して第３リード端子２０５に電気的に接続されている。
フォトダイオード２０９は、カソードが第３リード端子２０５に電気的に接続され、アノードが第１リード端子２０３に電気的に接続される態様でステムベース２０２の上に搭載されている。これにより、フォトダイオード２０９のアノードは、ステムベース２０２を介して半導体レーザ装置１のカソードに電気的に接続されている。
キャップ２１２は、金属製（たとえば鉄製）の筒状部材を含む。キャップ２１２は、ステムベース２０２の第１面２１４の上に取り付けられる。キャップ２１２は、ヒートシンク２０８、半導体レーザ装置１、フォトダイオード２０９、第２リード端子２０４の引き出し部２２０、第３リード端子２０５の引き出し部２２２、第１導線２１０および第２導線２１１を収容する。
キャップ２１２は、対向壁２２７、側壁２２８およびフランジ２２９を含む。対向壁２２７は、板状（この形態では円板状）に形成されている。対向壁２２７は、ステムベース２０２の第１面２１４に対向している。側壁２２８は、筒状（この形態では円筒状）に形成され、対向壁２２７の周縁に連なっている。側壁２２８は、対向壁２２７とは反対側において開口２３０を区画している。
フランジ２２９は、開口２３０の開口端において開口２３０とは反対側に張り出している。フランジ２２９は、開口２３０の開口端に沿って環状（この形態では円環状）に形成されている。キャップ２１２は、フランジ２２９が第１面２１４に取り付けられることによって、ステムベース２０２に固定される。
キャップ２１２には、光取り出し窓２３１が形成されている。光取り出し窓２３１は、対向壁２２７に形成されている。光取り出し窓２３１は、半導体レーザ装置１によって生成されたレーザ光をキャップ２１２内からキャップ２１２外に導く。
閉塞部材２１３は、光取り出し窓２３１を閉塞する部材である。閉塞部材２１３は、透光性を有する絶縁体または透明な絶縁体からなることが好ましい。閉塞部材２１３は、この形態では、ガラスからなる。閉塞部材２１３は、レーザ光の指向性を高めるためのレンズであってもよい。閉塞部材２１３は、この形態では、キャップ２１２の内側から光取り出し窓２３１を閉塞している。閉塞部材２１３は、キャップ２１２の外側から光取り出し窓２３１を閉塞していてもよい。
この形態では、パッケージ２０１が、フォトダイオード２０９を含む例について説明した。しかし、フォトダイオード２０９を備えないパッケージ２０１が採用されてもよい。この場合、第３リード端子２０５は取り除かれてもよいし、開放端子として残存されてもよい。
図１４は、第２形態例に係るパッケージ３０１を示す平面図である。図１５は、図１４に示すXV-XV線に沿う断面図である。図１４では、内部構造の明瞭化のためパッケージ本体３０２を透過して示している。
以下では、パッケージ３０１に半導体レーザ装置１が搭載された例について説明する。しかし、半導体レーザ装置１に代えて半導体レーザ装置１０１または半導体レーザ装置１１１が、パッケージ３０１に搭載されてもよい。
図１４および図１５を参照して、パッケージ３０１は、半導体レーザ装置１が封止樹脂によって封止された半導体パッケージである。パッケージ３０１は、半導体レーザ装置１、パッケージ本体３０２、端子電極３０３および導線３０４を含む。図１４では、半導体レーザ装置１の配線電極８８および端子電極３０３が、ハッチングによって示されている。
パッケージ本体３０２は、透明樹脂または透光性樹脂を含む。パッケージ本体３０２は、透明樹脂または透光性樹脂の一例としてのエポキシ樹脂を含んでいてもよい。パッケージ本体３０２は、直方体形状に形成されている。
パッケージ本体３０２は、一方側の第１面３０５、他方側の第２面３０６、ならびに、第１面３０５および第２面３０６を接続する複数の側面３０７Ａ，３０７Ｂ，３０７Ｃ，３０７Ｄを含む。複数の側面３０７Ａ～３０７Ｄは、より具体的には、第１側面３０７Ａ、第２側面３０７Ｂ、第３側面３０７Ｃおよび第４側面３０７Ｄを含む。
第１面３０５および第２面３０６は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。複数の側面３０７Ａ～３０７Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。
第１側面３０７Ａおよび第２側面３０７Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに対向している。第１側面３０７Ａおよび第２側面３０７Ｂは、パッケージ本体３０２の長辺を形成している。第３側面３０７Ｃおよび第４側面３０７Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面３０７Ｃおよび第４側面３０７Ｄは、パッケージ本体３０２の短辺を形成している。
端子電極３０３は、パッケージ本体３０２内に配置されている。端子電極３０３は、この形態では、パッケージ本体３０２内において第４側面３０７Ｄ側の領域に配置されている。端子電極３０３は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属を含んでいてもよい。
端子電極３０３の外面には、めっき層が形成されていてもよい。めっき層は、単一のめっき層を含む単層構造を有していてもよい。めっき層は、複数のめっき層を含む積層構造を有していてもよい。めっき層は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、および、Ｓｎのうちの少なくとも１つの金属を含んでいてもよい。
端子電極３０３は、この形態では、端子本体３０８および複数の延出部３０９Ａ，３０９Ｂ，３０９Ｃを一体的に含む。複数の延出部３０９Ａ～３０９Ｃは、より具体的には、第１延出部３０９Ａ、第２延出部３０９Ｂおよび第３延出部３０９Ｃを含む。
端子本体３０８は、側面３０７Ａ～３０７Ｄから間隔を空けてパッケージ本体３０２内に配置されている。端子本体３０８は、直方体形状に形成されている。端子本体３０８は、第１面３０５側の第１端子面３１０、第２面３０６側の第２端子面３１１、ならびに、第１端子面３１０および第２端子面３１１を接続する複数の端子側面３１２Ａ，３１２Ｂ，３１２Ｃ，３１２Ｄを含む。複数の端子側面３１２Ａ～３１２Ｄは、より具体的には、第１端子側面３１２Ａ、第２端子側面３１２Ｂ、第３端子側面３１２Ｃおよび第４端子側面３１２Ｄを含む。
第１端子面３１０および第２端子面３１１は、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状）に形成されている。第２端子面３１１は、パッケージ本体３０２の第２面３０６から露出している。第２端子面３１１は、接続対象物に外部接続される外部端子として形成されている。第２端子面３１１は、第２面３０６に対して面一に形成されていてもよい。
複数の端子側面３１２Ａ～３１２Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。第１端子側面３１２Ａは、パッケージ本体３０２の第１側面３０７Ａに対向している。第２端子側面３１２Ｂは、パッケージ本体３０２の第２側面３０７Ｂに対向している。第３端子側面３１２Ｃは、パッケージ本体３０２の第３側面３０７Ｃに対向している。第４端子側面３１２Ｄは、パッケージ本体３０２の第４側面３０７Ｄに対向している。
端子側面３１２Ａおよび第２端子側面３１２Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに対向している。端子側面３１２Ａおよび第２端子側面３１２Ｂは、端子本体３０８の短辺を形成している。第３端子側面３１２Ｃおよび第４端子側面３１２Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３端子側面３１２Ｃおよび第４端子側面３１２Ｄは、端子本体３０８の長辺を形成している。
第１延出部３０９Ａは、第１端子側面３１２Ａから第１側面３０７Ａに向けて帯状に引き出されている。第１延出部３０９Ａは、第１側面３０７Ａから露出する第１露出部３１３Ａを有している。第１露出部３１３Ａは、第１側面３０７Ａに対して面一に形成されていてもよい。
第２延出部３０９Ｂは、第２端子側面３１２Ｂから第２側面３０７Ｂに向けて帯状に引き出されている。第２延出部３０９Ｂは、第２側面３０７Ｂから露出する第２露出部３１３Ｂを有している。第２露出部３１３Ｂは、第２側面３０７Ｂに対して面一に形成されていてもよい。
第３延出部３０９Ｃは、第３端子側面３１２Ｃから第４側面３０７Ｄに向けて帯状に引き出されている。第３延出部３０９Ｃは、第４側面３０７Ｄから露出する第３露出部３１３Ｃを有している。第３露出部３１３Ｃは、第４側面３０７Ｄに対して面一に形成されていてもよい。
複数の延出部３０９Ａ～３０９Ｃは、第１端子面３１０の一部をそれぞれ形成している。複数の延出部３０９Ａ～３０９Ｃは、この形態では、端子側面３１２Ａ～３１２Ｄにおいて第２端子面３１１から第１端子面３１０側に間隔を空けて形成されている。
これにより、複数の延出部３０９Ａ～３０９Ｃは、対応する端子側面３１２Ａ～３１２Ｄとの間で段差部３１４を区画している。段差部３１４は、端子本体３０８に向かう湾曲状に形成されている。パッケージ本体３０２の一部は、段差部３１４に入り込んでいる。これにより、パッケージ本体３０２からの端子電極３０３の抜け落ちが抑制されている。
半導体レーザ装置１は、端子電極３０３から第３側面３０７Ｃ側に間隔を空けてパッケージ本体３０２内に配置されている。半導体レーザ装置１は、基板２の第１基板主面３をパッケージ本体３０２の第１面３０５に対向させた姿勢でパッケージ本体３０２内に配置されている。
基板２の長辺（第１基板側面５Ａおよび第２基板側面５Ｂ）は、パッケージ本体３０２の第１側面３０７Ａおよび第２側面３０７Ｂに対向している。基板２の短辺（第３基板側面５Ｃおよび第４基板側面５Ｄ）は、パッケージ本体３０２の第３側面３０７Ｃおよび第４側面３０７Ｄに対向している。
半導体レーザ装置１は、平面視において発光領域３１が第３側面３０７Ｃの中心および第４側面３０７Ｄの中心を結ぶラインの上に位置するように配置されている。これにより、半導体レーザ装置１は、平面視において第１側面３０７Ａ側に偏在している。半導体レーザ装置１に代えて半導体レーザ装置１１１が搭載される場合、半導体レーザ装置１１１は、偏在することなくパッケージ本体３０２内に封止されていてもよい。半導体レーザ装置１で生成されたレーザ光は、パッケージ本体３０２の第３側面３０７Ｃから取り出される。
半導体レーザ装置１の電極９７は、パッケージ本体３０２の第２面３０６から露出している。電極９７は、接続対象物に外部接続される外部端子として形成されている。電極９７は、パッケージ本体３０２の第２面３０６に対して面一に形成されていてもよい。
複数の導線３０４は、前述の導線３４Ａ～３４Ｃに対応している。導線３０４の個数は任意であり、特定の個数に限定されない。複数の導線３０４は、パッケージ本体３０２内において、半導体レーザ装置１の外部接続領域９０（配線電極８８）および端子電極３０３の第１端子面３１０に電気的にそれぞれ接続されている。
複数の導線３０４は、第１接合部３１５、第２接合部３１６およびワイヤ部３１７をそれぞれ含む。第１接合部３１５は、半導体レーザ装置１の外部接続領域９０（配線電極８８）に接続されている。第２接合部３１６は、端子電極３０３の第１端子面３１０に接続されている。ワイヤ部３１７は、第１接合部３１５から第２接合部３１６に向けてライン状に延びている。
この形態では、半導体レーザ装置１の電極９７がパッケージ本体３０２の第２面３０６から露出している例について説明した。しかし、半導体レーザ装置１は、パッケージ本体３０２の第２面３０６から露出し、端子電極３０３とは別の外部端子を形成する第２の端子電極の上に配置されていてもよい。この場合、半導体レーザ装置１の電極９７は、第２の端子電極に電気的に接続される。
図１６は、第３形態例に係るパッケージ４０１を示す平面図である。図１７は、図１６に示すパッケージ４０１の底面図である。図１８は、図１７に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。
以下では、パッケージ４０１に半導体レーザ装置１が搭載された例について説明する。しかし、半導体レーザ装置１に代えて半導体レーザ装置１０１または半導体レーザ装置１１１が、パッケージ４０１に搭載されてもよい。
図１６～図１８を参照して、パッケージ４０１は、絶縁材料製のケース内に半導体レーザ装置１が収容された半導体パッケージである。パッケージ４０１は、筐体４０２、半導体レーザ装置１、第１配線４０３および第２配線４０４を含む。筐体４０２は、内部空間４０５および光取り出し窓４０６を有している。半導体レーザ装置１は、内部空間４０５に収容されている。半導体レーザ装置１の光は、光取り出し窓４０６から取り出される。
第１配線４０３は、内部空間４０５の内外に引き回されている。第１配線４０３は、内部空間４０５内に位置する第１端部４０７および内部空間４０５外に位置する第２端部４０８を有している。第１配線４０３の第１端部４０７は、内部空間４０５内において半導体レーザ装置１の配線電極８８に電気的に接続されている。第１配線４０３の第２端部４０８は、接続対象に外部接続される外部端子として形成されている。
第２配線４０４は、内部空間４０５の内外に引き回されている。第２配線４０４は、内部空間４０５内に位置する第１端部４０９および内部空間４０５外に位置する第２端部４１０を有している。第２配線４０４の第１端部４０９は、内部空間４０５内において半導体レーザ装置１の電極９７に電気的に接続されている。第２配線４０４の第２端部４１０は、接続対象に外部接続される外部端子として形成されている。以下、パッケージ４０１の具体的な構造について説明する。
筐体４０２は、直方体形状に形成されている。筐体４０２は、この形態では、絶縁体によって形成されている。筐体４０２は、一方側の第１主面４１１、他方側の第２主面４１２、ならびに、第１主面４１１および第２主面４１２を接続する複数の側面４１３Ａ，４１３Ｂ，４１３Ｃ，４１３Ｄを有している。複数の側面４１３Ａ～４１３Ｄは、より具体的には、第１側面４１３Ａ、第２側面４１３Ｂ、第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄを含む。
第１主面４１１および第２主面４１２は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。複数の側面４１３Ａ～４１３Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。
第１側面４１３Ａおよび第２側面４１３Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに対向している。第１側面４１３Ａおよび第２側面４１３Ｂは、筐体４０２の長辺を形成している。第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄは、筐体４０２の短辺を形成している。
筐体４０２の内部には、半導体レーザ装置１を収容するための内部空間４０５が区画されている。内部空間４０５は、この形態では、平面視において四角形状に区画されている。内部空間４０５の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。
第３側面４１３Ｃには、内部空間４０５に連通する第１窓４１５が区画されている。第１窓４１５は、半導体レーザ装置１の光を取り出す光取り出し窓４０６として形成されている。第１窓４１５は、第３側面４１３Ｃを正面から見た正面視において、四角形状に区画されている。第１窓４１５は、この形態では、第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に区画されている。つまり、第３側面４１３Ｃは、第１窓４１５によって正面視において四角環状（この形態では長方形環状）に形成されている。
第１主面４１１には、内部空間４０５に連通する第２窓４１６が区画されている。半導体レーザ装置１は、第２窓４１６を介して内部空間４０５に収容される。第２窓４１６は、この形態では、平面視において四角形状に区画されている。
つまり、第１主面４１１は、第２窓４１６によって平面視において四角環状（この形態では長方形環状）に形成されている。第２窓４１６の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２窓４１６の平面形状は、必ずしも内部空間４０５の平面形状に一致（整合）している必要はない。
パッケージ４０１は、第１窓４１５（内部空間４０５）を閉塞する第１閉塞部材４１７を含む。第１閉塞部材４１７は、板状部材からなる。第１閉塞部材４１７は、半導体レーザ装置１の光を透過させる部材からなることが好ましい。第１閉塞部材４１７は、透光性を有する絶縁体または透明な絶縁体からなることが好ましい。
第１閉塞部材４１７は、筐体４０２の第３側面４１３Ｃに取り付けられている。第１閉塞部材４１７は、より具体的には、第１窓４１５の周囲に形成された第１支持部４１８の上に取り付けられている。第１支持部４１８は、この形態では、第１窓４１５に連通するように第３側面４１３Ｃの表層部に形成されたリセスによって区画されている。第１支持部４１８（リセス）は、この形態では、平面視において第１窓４１５を取り囲む四角環状（この形態では長方形環状）に区画されている。
第１閉塞部材４１７は、第３側面４１３Ｃ側の第１板面４１９および第４側面４１３Ｄ側の第２板面４２０を有している。第１板面４１９および第２板面４２０は、第３側面４１３Ｃに平行な平坦面を有している。第１板面４１９は、第３側面４１３Ｃよりも側方に突出していてもよい。第１板面４１９は、第３側面４１３Ｃに対して第４側面４１３Ｄ側に位置していてもよい。第１板面４１９は、第３側面４１３Ｃと同一平面上に位置していてもよい。
第２板面４２０は、第３側面４１３Ｃに対して第４側面４１３Ｄ側の領域において第１支持部４１８に取り付けられている。第２板面４２０は、接着剤を介して第１支持部４１８に取り付けられていてもよい。接着剤は、樹脂（たとえば赤外線硬化樹脂）を含んでいてもよい。
パッケージ４０１は、第２窓４１６（内部空間４０５）を閉塞する第２閉塞部材４２１を含む。第２閉塞部材４２１は、板状部材からなる。第２閉塞部材４２１の材質は特に制限されないが、絶縁体を含むことが好ましい。絶縁体は、無機絶縁体または有機絶縁体であってもよい。第２閉塞部材４２１は、遮光性を有していてもよい。
第２閉塞部材４２１は、筐体４０２の第１主面４１１に取り付けられている。第２閉塞部材４２１は、より具体的には、第２窓４１６の周囲に形成された第２支持部４２２の上に取り付けられている。第２支持部４２２は、この形態では、第２窓４１６に連通するように第１主面４１１の表層部に形成されたリセスによって区画されている。第２支持部４２２（リセス）は、この形態では、平面視において第２窓４１６を取り囲む四角環状に区画されている。
第２閉塞部材４２１は、第１主面４１１側の第１板面４２３および第２主面４１２側の第２板面４２４を有している。第１板面４２３および第２板面４２４は、第１主面４１１に平行な平坦面を有している。第１板面４２３は、第１主面４１１よりも上方に突出していてもよい。第１板面４２３は、第１主面４１１に対して第２主面４１２側に位置していてもよい。第１板面４２３は、第１主面４１１と同一平面上に位置していてもよい。
第２板面４２４は、第１主面４１１に対して第２主面４１２側の領域において第２支持部４２２に取り付けられている。第２板面４２４は、接着剤を介して第２支持部４２２に取り付けられていてもよい。接着剤は、樹脂（たとえば赤外線硬化樹脂）を含んでいてもよい。
筐体４０２は、より具体的には、ベース層４３１およびフレーム層４３２を含む。筐体４０２の第１主面４１１は、フレーム層４３２によって形成されている。筐体４０２の第２主面４１２は、ベース層４３１によって形成されている。筐体４０２の側面４１３Ａ～４１３Ｄは、ベース層４３１およびフレーム層４３２によって形成されている。
ベース層４３１は、直方体形状の板状部材からなる。ベース層４３１は、第１主面４１１側の第１面４３３、第２主面４１２側の第２面４３４、ならびに、第１面４３３および第２面４３４を接続する複数の側面４３５Ａ，４３５Ｂ，４３５Ｃ，４３５Ｄを含む。複数の側面４３５Ａ～４３５Ｄは、より具体的には、第１側面４３５Ａ、第２側面４３５Ｂ、第３側面４３５Ｃおよび第４側面４３５Ｄを含む。
第１面４３３は、内部空間４０５の一部を形成している。第２面４３４は、筐体４０２の第２主面４１２を形成している。側面４３５Ａ～４３５Ｄは、筐体４０２の側面４１３Ａ～４１３Ｄの一部をそれぞれ形成している。
ベース層４３１は、無機絶縁体および有機絶縁体のいずれか一方または双方を含む。ベース層４３１は、無機絶縁体の一例としての酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、および、窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
ベース層４３１は、有機絶縁体の一例としての感光性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。ベース層４３１は、有機絶縁体の一例としてのエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、および、シリコーン樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。ベース層４３１は、この形態では、ガラス繊維にエポキシ樹脂が浸透されたガラスエポキシ基板からなる。
フレーム層４３２は、平面視においてベース層４３１の内方領域を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成され、ベース層４３１の第１面４３３との間で内部空間４０５を区画する。フレーム層４３２は、第１主面４１１側の第１面４４３、第２主面４１２側の第２面４４４、第１面４４３および第２面４４４を接続する複数の内壁４４５Ａ，４４５Ｂ，４４５Ｃ，４４５Ｄ、ならびに、第１面４４３および第２面４４４を接続する複数の外壁４４６Ａ，４４６Ｂ，４４６Ｃ，４４６Ｄを含む。
複数の内壁４４５Ａ～４４５Ｄは、より具体的には、第１内壁４４５Ａ、第２内壁４４５Ｂ、第３内壁４４５Ｃおよび第４内壁４４５Ｄを含む。内壁４４５Ａ～４４５Ｄは、ベース層４３１の第１面４３３との間で内部空間４０５を区画している。
複数の外壁４４６Ａ～４４６Ｄは、より具体的には、第１外壁４４６Ａ、第２外壁４４６Ｂ、第３外壁４４６Ｃおよび第４外壁４４６Ｄを含む。外壁４４６Ａ～４４６Ｄは、筐体４０２の側面４１３Ａ～４１３Ｄの一部をそれぞれ形成している。
前述の第１窓４１５および第１支持部４１８（リセス）は、フレーム層４３２において筐体４０２の第３側面４１３Ｃを形成する部分に形成されている。前述の第２窓４１６および第２支持部４２２（リセス）は、フレーム層４３２の第１面４４３に形成されている。
フレーム層４３２は、無機絶縁体および有機絶縁体のいずれか一方または双方を含む。フレーム層４３２は、無機絶縁体の一例としての酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、および、窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
フレーム層４３２は、有機絶縁体の一例としての感光性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。フレーム層４３２は、有機絶縁体の一例としてのエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、および、シリコーン樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。フレーム層４３２は、この形態では、金型成形されたエポキシ樹脂からなる。
第１配線４０３は、内部空間４０５から筐体４０２を貫通して第２主面４１２に引き出されている。第１配線４０３は、より具体的には、ベース層４３１の第１面４３３の上からベース層４３１の内部を通過して、ベース層４３１の第２面４３４の上に引き出されている。
第１配線４０３は、第１接続部４５１、第１貫通部４５２および第１外部端子部４５３を含む。第１接続部４５１は、第１配線４０３の第１端部４０７を形成している。第１外部端子部４５３は、第１配線４０３の第２端部４０８を形成している。
第１接続部４５１は、ベース層４３１の第１面４３３において筐体４０２の第４側面４１３Ｄ側の領域に形成されている。第１接続部４５１は、膜状に形成されている。第１接続部４５１は、平面視において四角形状に形成されている。第１接続部４５１の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第１接続部４５１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
第１貫通部４５２は、ベース層４３１を第１面４３３から第２面４３４に貫通し、第１面４３３および第２面４３４から露出している。第１貫通部４５２は、平面視において第１接続部４５１に重なっている。第１貫通部４５２は、ベース層４３１の第１面４３３から露出する部分において第１接続部４５１に電気的に接続されている。
第１貫通部４５２は、平面視において円形状に形成されている。第１貫通部４５２の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第１貫通部４５２は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
第１外部端子部４５３は、ベース層４３１の第２面４３４において筐体４０２の第４側面４１３Ｄ側の領域に形成されている。第１外部端子部４５３は、膜状に形成されている。第１外部端子部４５３は、第１貫通部４５２を被覆している。第１外部端子部４５３は、第１貫通部４５２に電気的に接続されている。
第１外部端子部４５３は、平面視において四角形状に形成されている。第１外部端子部４５３の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第１外部端子部４５３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
第２配線４０４は、内部空間４０５から筐体４０２を貫通して第２主面４１２に引き出されている。第２配線４０４は、より具体的には、ベース層４３１の第１面４３３の上からベース層４３１の内部を通過して、ベース層４３１の第２面４３４の上に引き出されている。
第２配線４０４は、第２接続部４６１、複数の第２貫通部４６２および第２外部端子部４６３を含む。第２接続部４６１は、第２配線４０４の第１端部４０９を形成している。第２外部端子部４６３は、第２配線４０４の第２端部４１０を形成している。
第２接続部４６１は、ベース層４３１の第１面４３３において第１接続部４５１から間隔を空けて筐体４０２の第３側面４１３Ｃ側の領域に形成されている。第２接続部４６１は、膜状に形成されている。第２接続部４６１は、平面視において四角形状に形成されている。第２接続部４６１の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２接続部４６１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
複数の第２貫通部４６２は、ベース層４３１を第１面４３３から第２面４３４に貫通し、第１面４３３および第２面４３４から露出している。複数の第２貫通部４６２は、この形態では、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成されている。第２貫通部４６２の個数および配置は任意であり、特定の個数および配置に限定されない。
複数の第２貫通部４６２は、平面視において第２接続部４６１に重なっている。複数の第２貫通部４６２は、ベース層４３１の第２面４３４から露出する部分において第２接続部４６１に電気的に接続されている。
第２貫通部４６２は、平面視において円形状に形成されている。第２貫通部４６２の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２貫通部４６２は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
第２外部端子部４６３は、ベース層４３１の第２面４３４において第１外部端子部４５３から間隔を空けて筐体４０２の第３側面４１３Ｃ側の領域に形成されている。第２外部端子部４６３は、膜状に形成されている。第２外部端子部４６３は、複数の第２貫通部４６２を被覆している。第２外部端子部４６３は、複数の第２貫通部４６２に電気的に接続されている。
第２外部端子部４６３は、平面視において四角形状に形成されている。第２外部端子部４６３の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２外部端子部４６３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
パッケージ４０１は、この形態では、サブマウント４７１をさらに含む。サブマウント４７１は、直方体形状に形成された板状部材からなる。サブマウント４７１は、第１主面４１１側の第１面４７２、第２主面４１２側の第２面４７３、ならびに、第１面４７２および第２面４７３を接続する側面４７４を含む。サブマウント４７１の第２面４７３は、第２配線４０４の第２接続部４６１に接続されている。サブマウント４７１は、Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ、および、ＡｌＮのうちの少なくとも１種の材料を含んでいてもよい。
サブマウント４７１は、１つまたは複数の貫通配線４７５を含む。貫通配線４７５は、サブマウント４７１を第１面４７２から第２面４７３に貫通し、第１面４７２および第２面４７３から露出している。貫通配線４７５は、第２面４７３において第２配線４０４の第２接続部４６１に電気的に接続されている。
貫通配線４７５は、平面視において円形状に形成されている。貫通配線４７５の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。貫通配線４７５は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。
半導体レーザ装置１は、基板２の第１基板主面３を筐体４０２の第１主面４１１に対向させた姿勢でサブマウント４７１の第１面４７２の上に配置されている。基板２の長辺（第１基板側面５Ａおよび第２基板側面５Ｂ）は、筐体４０２の第１側面４１３Ａおよび第２側面４１３Ｂに対向している。基板２の短辺（第３基板側面５Ｃおよび第４基板側面５Ｄ）は、筐体４０２の第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄに対向している。
半導体レーザ装置１の電極９７は、サブマウント４７１の貫通配線４７５に電気的に接続されている。これにより、半導体レーザ装置１は、貫通配線４７５を介して第２配線４０４に電気的に接続されている。電極９７は、導電性接合材を介して貫通配線４７５に接続されていてもよい。導電性接合材は、金属ペーストまたは半田であってもよい。
半導体レーザ装置１の光取り出し面（この形態では、第３基板側面５Ｃ（第１端面５６））は、平面視においてサブマウント４７１から筐体４０２の第３側面４１３Ｃに突出している。基板２の第１基板主面３は、法線方向Ｚにベース層４３１の第１面４３３に対向している。
この構造によれば、半導体レーザ装置１のレーザ光が、サブマウント４７１外の領域から取り出される。したがって、レーザ光に対するサブマウント４７１の干渉（光の反射や吸収等）を抑制できる。むろん、半導体レーザ装置１の全域が、サブマウント４７１の上に位置していてもよい。
半導体レーザ装置１は、平面視において発光領域３１が第３側面４１３Ｃの中心および第４側面４１３Ｄの中心を結ぶラインの上に位置するように配置されている。これにより、半導体レーザ装置１は、平面視において第１側面４１３Ａ側に偏在している。半導体レーザ装置１に代えて半導体レーザ装置１１１が搭載される場合、半導体レーザ装置１１１は、偏在することなく筐体４０２内に配置されていてもよい。
パッケージ４０１は、１つまたは複数（この形態では３個）の導線４８０をさらに含む。複数の導線４８０は、前述の導線３４Ａ～３４Ｃに対応している。導線４８０の個数は任意であり、特定の個数に限定されない。複数の導線４８０は、半導体レーザ装置１の外部接続領域９０（配線電極８８）および第１配線４０３の第１接続部４５１に電気的にそれぞれ接続されている。
複数の導線４８０は、より具体的には、第１接合部４８１、第２接合部４８２およびワイヤ部４８３をそれぞれ含む。第１接合部４８１は、半導体レーザ装置１の外部接続領域９０（配線電極８８）に接続されている。第２接合部４８２は、第１配線４０３の第１接続部４５１に接続されている。ワイヤ部４８３は、第１接合部４８１から第２接合部４８２に向けてライン状に延びている。これにより、半導体レーザ装置１は、導線４８０を介して第１配線４０３に電気的に接続されている。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はさらに他の形態で実施できる。
前述の実施形態では、半導体層６が、３個の発光ユニット層１３および２個のトンネル接合層１４を含む例について説明した。しかし、発光ユニット層１３の個数は、任意であり、３個に限定されない。１個、２個もしくは３個、または、３個を超える発光ユニット層１３が形成されていてもよい。また、トンネル接合層１４の個数は、発光ユニット層１３の個数に応じて調整されるものであり、２個に限定されるものではない。
前述の実施形態において、各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまり、ｐ型の部分がｎ型とされ、ｎ型の部分がｐ型とされてもよい。
この出願は、２０１９年３月８日に日本国特許庁に提出された特願２０１９－０４２８９０号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
１ 半導体レーザ装置
６ 半導体層
１０ ｎ型バッファ層
１１ 発光層
１２ ｐ型コンタクト層
１３ 発光ユニット層
１３Ａ 第１発光ユニット層
１３Ｂ 第２発光ユニット層
１３Ｃ 第３発光ユニット層
１４ トンネル接合層
１４Ａ 第１トンネル接合層
１４Ｂ 第２トンネル接合層
３１ 発光領域
３２ パッド領域
３４ 導線
３４Ａ 導線
３４Ｂ 導線
３４Ｃ 導線
５１ メサ構造
５２ 頂部
５３ 基部
５４ 第１側壁
５５ 第２側壁
６１ パッドメサ構造
６２ パッド頂部
６３ パッド基部
６４ パッド側壁
８８ 配線電極
８９ 内部接続領域
９０ 外部接続領域
１０１ 半導体レーザ装置
１１１ 半導体レーザ装置
２０１ パッケージ（半導体ステム）
３０１ パッケージ（半導体パッケージ）
４０１ パッケージ（半導体パッケージ）
Ｗ１ 第１幅
Ｗ２ 第２幅
Ｗ３ 第３幅
ＷＣ 接続幅

Claims (19)

  1. 平面視が長方形状の基板の第１主面上に形成され、前記長方形状の長辺方向に延びる上面側の幅が下面側の第１幅よりも狭い幅をしたリッジ状のメサ構造を有する発光領域と、
    平面視が長方形状の基板の第１主面上に、前記発光領域の一方側面側全体に沿って延びるように形成され、上面側の幅が下面側の第２幅よりも狭い幅をし、前記下面側の前記第２幅が前記発光領域の前記第１幅よりも大きい幅をし、前記上面の高さが前記発光領域の上面の高さと等しくされたリッジ状のパッドメサ構造を有するパッド領域と、
    平面視が長方形状の基板の第１主面上に、前記発光領域の他方側面側全体に沿って延びるように形成され、上面側の幅が下面側の第３幅よりも狭い幅をし、前記上面の高さが前記発光領域の上面の高さと等しくされたリッジ状の外側メサ構造を有する外側領域とを含み、
    前記発光領域と前記パッド領域との間は、上面側から底壁側に向かって開口が狭まる先細り形状の第１トレンチによって区画されており、
    前記発光領域と前記外側領域との間は、上面側から底壁側に向かって開口が狭まる先細り形状の第２トレンチによって区画されており、
    前記発光領域の表面、前記第１トレンチの内側底面、前記パッド領域の表面、前記第２トレンチの内側底面、および前記外側領域を一体的に被覆する絶縁層と、
    前記発光領域の前記メサ構造の頂面を覆う前記絶縁層に形成されたコンタクト孔と、
    前記絶縁層を挟んで前記発光領域の表面、前記第１トレンチの内側底面、前記パッド領域の表面、前記第２トレンチの内側底面、および前記外側領域を連続的に被覆する配線電極と、を有し、
    前記配線電極が前記コンタクト孔を被覆する領域では、前記配線電極は前記発光領域の表面に電気的に接続された内部接続領域とされ、
    前記配線電極が前記パッド領域を被覆する領域では、導線に外部接続される外部接続領域として必要な表面積を有している、半導体レーザ装置。
  2. 前記絶縁層の上には、前記配線電極以外の配線電極は形成されていない、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記基板は、一方側の前記第１主面および他方側の第２主面を有し、
    前記第２主面の上に形成された電極をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記発光領域は、平面視において前記基板の中心からずれて形成されている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記外側領域の前記第３幅は前記第１幅よりも大きい、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
  6. 前記外側領域は、第２のパッド領域として形成され、
    前記配線電極は、前記絶縁層を挟んで前記外側領域を被覆し、導線に外部接続される第２の外部接続領域を有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
  7. 前記外部接続領域は、前記第１幅を超える接続幅を有する導線に外部接続される、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
  8. 前記パッド領域は、前記発光領域のリッジ状の前記メサ構造から電気的に分離して形成され、
    前記配線電極の前記内部接続領域は、前記メサ構造の前記頂面に電気的に接続されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
  9. 前記メサ構造の側壁は、前記メサ構造の前記頂面から前記基板に向けて下り傾斜している、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
  10. 前記メサ構造は、前記基板側に形成された第１導電型の第１半導体層、前記頂面側に形成された第２導電型の第２半導体層、ならびに、前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する活性層を含む発光ユニット層を含み、
    前記配線電極の前記内部接続領域は、前記第２半導体層に電気的に接続されている、請求項８または９に記載の半導体レーザ装置。
  11. 前記メサ構造は、前記基板側から前記頂面側に向けて積層された複数の前記発光ユニット層、および、複数の前記発光ユニット層の間に介在するトンネル接合層を含む、請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
  12. 前記パッド領域は、パッド頂部、パッド基部、ならびに、前記パッド頂部および前記パッド基部を接続するパッド側壁を有し、リッジ状に区画されたパッドメサ構造を含み、
    前記配線電極の前記外部接続領域は、前記パッドメサ構造の前記パッド頂部を被覆している、請求項８～１１のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
  13. 前記パッドメサ構造の前記パッド側壁は、前記パッド頂部から前記パッド基部に向けて下り傾斜している、請求項１２に記載の半導体レーザ装置。
  14. 前記パッド領域は、前記メサ構造の前記頂面に対して前記基板側に形成されている、請求項８～１３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
  15. 一方側の第１面および他方側の第２面を有する金属製のステムベースと、
    前記ステムベースの前記第２面に接続された第１端子と、
    前記ステムベースの前記第２面から前記ステムベースを貫通して前記第１面に引き出された第２端子と、
    前記ステムベースの前記第１面の上に配置され、前記ステムベースを介して前記第１端子に電気的に接続された請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    前記第２端子および前記半導体レーザ装置の前記配線電極の前記外部接続領域に接続された導線と、を含む、半導体ステム。
  16. 透明樹脂または透光性樹脂を含むパッケージ本体と、
    前記パッケージ本体内に封止された端子電極と、
    前記端子電極から間隔を空けて前記パッケージ本体内に封止された請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    前記パッケージ本体内に封止され、前記端子電極および前記半導体レーザ装置の前記配線電極の前記外部接続領域に接続された導線と、を含む、半導体パッケージ。
  17. 前記半導体レーザ装置は、平面視において前記パッケージ本体の中心からずれて配置されている、請求項１６に記載の半導体パッケージ。
  18. 内部空間を有する筐体と、
    前記筐体の内外に引き回された第１配線と、
    前記第１配線から電気的に絶縁された状態で前記筐体の内外に引き回された第２配線と、
    前記内部空間内において前記第２配線の上に配置され、前記第２配線に電気的に接続された請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    前記第１配線および前記半導体レーザ装置の前記配線電極の前記外部接続領域に接続された導線と、を含む、半導体パッケージ。
  19. 前記半導体レーザ装置は、平面視において前記筐体の中心からずれて配置されている、
    請求項１８に記載の半導体パッケージ。
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