JP7348570B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7348570B2 JP7348570B2 JP2022154726A JP2022154726A JP7348570B2 JP 7348570 B2 JP7348570 B2 JP 7348570B2 JP 2022154726 A JP2022154726 A JP 2022154726A JP 2022154726 A JP2022154726 A JP 2022154726A JP 7348570 B2 JP7348570 B2 JP 7348570B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- package
- emitting device
- light
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
前記凹部内に配置される発光素子と、
下面の一部が前記パッケージの上面に接合され、前記凹部の開口を塞ぐ透光性部材と、
前記透光性部材の下面側に設けられ、前記透光性部材の下面の一部が前記パッケージの上面に接合される領域においては、前記透光性部材の下面と前記パッケージの上面の間に介在する反射防止膜と、を備える発光装置であって、
前記透光性部材の下面と前記パッケージの上面の間に介在する前記反射防止膜が露出する領域を含む前記発光装置の外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜を備える発光装置。
前記凹部内に配置される発光素子と、
開口を有し、前記パッケージの上面側に配置され、前記パッケージの凹部の一部を塞ぐ保持部材と、
下面の一部が前記保持部材の上面に接合され、前記保持部材の開口を塞ぐ透光性部材と、
前記透光性部材の下面側に設けられ、前記透光性部材の下面の一部が前記保持部材の上面に接合される領域においては、前記透光性部材の下面と前記保持部材の上面の間に介在する反射防止膜と、を備える発光装置であって、
前記透光性部材の下面と前記保持部材の上面の間に介在する前記反射防止膜が露出する領域を含む前記発光装置の外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜を備える発光装置。
前記透光性部材の下面と前記パッケージの上面の間に介在する前記反射防止膜が露出する領域を含む前記発光素子パッケージの外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜を形成する工程と、を有する発光装置の製造方法。
前記透光性部材の下面と前記保持部材の上面の間に介在する前記反射防止膜が露出する領域を含む前記発光素子パッケージの外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜を形成する工程と、を有する発光装置の製造方法。
図1Aは実施形態1に係る発光装置を説明する模式的斜視図であり、図1Bは図1A中の1B-1B断面を示す模式図である。図1Aにおいては、理解を容易にするため、被覆膜の図示を省略している。図1A、図1Bに示すように、上面と、上面の一部に開口を有する凹部Xと、を備えたパッケージ10と、凹部X内に配置される発光素子20と、下面の一部がパッケージ10の上面に接合され、凹部Xの開口を塞ぐ透光性部材30と、透光性部材30の下面側に設けられ、透光性部材30の下面の一部がパッケージ10の上面に接合される領域においては、透光性部材30の下面とパッケージ10の上面の間に介在する反射防止膜40と、を備え、透光性部材30の下面とパッケージ10の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域を含む発光装置1の外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜50を備える発光装置である。以下、順に説明する。
パッケージ10は、発光素子20を収容するためのものであり、上面と、上面の一部に開口を有する凹部Xと、を備えている。凹部Xは例えば上面視円形の形状を有する。パッケージ10は平板状の基部12と壁部14を有していてもよい。基部12の上面は凹部Xの底面となり、壁部14の上面はパッケージ10の上面となる。基部12と壁部14は射出成形などで一体的に形成されていてもよいし、接着材などを用いて接合されていてもよい。
発光素子20は、凹部X内に配置される。発光素子20としては発光ダイオードや半導体レーザ素子などを用いることができ、特に、半導体レーザ素子を好ましく用いることができる。
透光性部材30は、凹部X内を気密に封止する役割を有する。透光性部材30は、下面の一部がパッケージ10の上面に接合されており、凹部Xの開口を塞いでいる。透光性部材30とパッケージ10の接合には、例えば接着材100やAuSnなどによる接合が含まれる。接着材100としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素系エラストマー、ガラス、Au、Ag、Bi、Cu、In、Pb、SnおよびZnから選択された少なくとも一種を含む共晶材(例えば、Au-Sn)、ホットメルト系樹脂、変性シリコーンおよび有機無機ハイブリッド樹脂から選択された少なくとも一種を含む材料を例示することができる。
反射防止膜40は、発光素子20からの光、および発光素子20から出た光がさらに凹部Xの内部で反射された光を効率よく外部に放出させる機能を有する。反射防止膜40は、ARコート層やAR膜などと呼ばれることもある。ARは、Anti Reflectionの略である。
被覆膜50は、大気中の不純物が反射防止膜40中の微小な欠陥からパッケージ10の凹部X内に侵入することを抑制する機能を有する。被覆膜50が、発光装置1の外表面の少なくとも一部を被覆することにより、パッケージ10の凹部X内における気密が保たれ、透光性部材30がパッケージ10から剥離してしまうことを抑制することができる。被覆膜50に被覆される発光装置1の外表面の少なくとも一部には、透光性部材30の下面とパッケージ10の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域が含まれる。反射防止膜40が露出する領域とは、反射防止膜40における一部領域であって、被覆膜50が存在しなければ大気に曝されてしまう領域をいう。換言すると、被覆膜50は、反射防止膜40が大気に曝されないようにする部材である。
配線電極60と外部電極70は、例えば同じ導電部材(例:リード電極)の一部であり、互いに電気的に接続されている。つまり、例えば、導電部材のある領域が配線電極60であり、当該導電部材の他の領域が外部電極70である。発光素子20は、例えば、配線電極60を介して外部電極70に電気的に接続される。
これに対し、実施形態1に係る発光装置1によれば、発光装置1の外表面の少なくとも一部(透光性部材30の下面とパッケージ10の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域を含む。)が被覆膜50により被覆されるため、大気中の不純物が反射防止膜40中の微小な欠陥からパッケージ10の凹部X内に侵入することを抑制できる。したがって、透光性部材30の剥離が抑制された、信頼性の高い発光装置1を提供することができる。なお、発光装置1の外表面の少なくとも一部に、透光性部材30の下面とパッケージ10の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域だけでなく、他の領域(例:接着材100が大気に露出する領域)も含まれる場合には、当該他の領域から不純物がパッケージ10の凹部X内に侵入することを抑制することもできる。
図2は実施形態1に係る発光装置の製造方法を説明する模式的断面図である。以下、図2を参照しつつ、実施形態1に係る発光装置1の製造方法の一例を説明する。
まず、図2(A)に示すように、上面と、上面の一部に開口を有する凹部Xと、を備えたパッケージ10と、凹部X内に配置される発光素子20と、下面の一部がパッケージ10の上面に接合され、凹部Xの開口を塞ぐ透光性部材30と、透光性部材30の下面側に設けられ、透光性部材30の下面の一部がパッケージ10の上面に接合される領域においては、透光性部材30の下面とパッケージ10の上面の間に介在する反射防止膜40と、を備える発光素子パッケージ200を準備する。本工程は、発光素子パッケージ200をチャンバ内等に設置することにより準備を行ってもよいし、チャンバ内において発光素子パッケージ200を製造することにより準備を行ってもよい。
次に、図2(B)に示すように、透光性部材30の下面とパッケージ10の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域を含む発光素子パッケージ200の外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜50を形成する。被覆膜50は、図2(B)に示すように、発光素子パッケージ200の外表面の一部を被覆するよう形成されてもよいが、図2(C)に示すように、発光装置1の下面を除く外表面の実質的に全部を被覆するよう形成することが好ましい。発光素子パッケージ200の外表面の一部に被覆膜50を形成するためには、発光素子パッケージ200の外表面の残りの部分をマスクなどする必要があるが、発光素子パッケージ200の下面を除く外表面の実質的に全部を被覆するように被覆膜50を形成すれば、そのようなマスクなどを設ける工程を削減することができるため、より容易に実施形態1に係る発光装置1を製造することができる。なお、発光装置1の下面に被覆膜50が形成されないのは、発光装置1の下面がチャンバ内などの基台の上に載置されているからである。
図3Aは実施形態2に係る発光装置を説明する模式的斜視図であり、図3Bは図3A中の2B-2B断面を示す模式図である。図3A、図3Bに示すように、実施形態2に係る発光装置2は、凹部Xを備えたパッケージ10と、凹部X内に配置される発光素子20と、開口を有し、パッケージ10の上面側に配置され、パッケージ10の凹部Xの一部を塞ぐ保持部材90と、下面の一部が保持部材90の上面に接合され、保持部材90の開口を塞ぐ透光性部材30と、透光性部材30の下面側に設けられ、透光性部材30の下面の一部が保持部材90の上面に接合される領域においては、透光性部材30の下面と保持部材90の上面の間に介在する反射防止膜40と、を備え、透光性部材30の下面と保持部材90の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域を含む発光装置2の外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜50を備える発光装置である。以下、詳細に説明する。
保持部材90は、透光性部材30を保持する機能を有する。保持部材90は、パッケージ10の上面側に配置され、パッケージ10の凹部Xの一部を塞ぐ。保持部材90は、開口を有している。保持部材90は、例えば凹部Xを有しており、この凹部Xの底面に保持部材90の開口を有している。保持部材90の開口は、透光性部材30により塞がれる。保持部材90は、例えば溶接によりパッケージ10の上面に接合される。透光性部材30は、例えば融着により保持部材90に接合される。
その他の部材は、実施形態1と同じであるので、説明を省略する。ただし、透光性部材30は、下面の一部が保持部材90の上面に接合され、保持部材90の開口を塞ぐ。また、反射防止膜40は、透光性部材30の下面の一部が保持部材90の上面に接合される領域において、透光性部材30の下面と保持部材90の上面の間に介在する。また、被覆膜50は、発光装置1の外表面の少なくとも一部を被覆する。被覆膜50により被覆される発光装置1の外表面の少なくとも一部には、透光性部材30の下面と保持部材90の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域が含まれる。被覆膜50は、図3Bに示すように、発光装置1の外表面の一部を被覆するよう設けられていてもよいが、図3Cに示すように、発光装置1の下面を除く外表面の実質的に全部を被覆していることが好ましい。このようにすれば、被覆膜50が発光装置1の外表面から剥離する虞を抑制することができる。
図4は実施形態2に係る発光装置の製造方法を説明する模式的断面図である。
まず、図4(A)に示すように、凹部Xを備えたパッケージ10と、凹部X内に配置される発光素子20と、開口を有し、パッケージ10の上面側に配置され、パッケージ10の凹部Xの一部を塞ぐ保持部材90と、下面の一部が保持部材90の上面に接合され、保持部材90の開口を塞ぐ透光性部材30と、透光性部材30の下面側に設けられ、透光性部材30の下面の一部が保持部材90の上面に接合される領域においては、透光性部材30の下面と保持部材90の上面の間に介在する反射防止膜40と、を備える発光素子パッケージ300を準備する。実施形態1の場合と同様に、本工程は、発光素子パッケージ300をチャンバ内等に設置することにより準備を行ってもよいし、チャンバ内において発光素子パッケージ300を製造することにより準備を行ってもよい。
次に、図4(B)に示すように、透光性部材30の下面と保持部材90の上面の間に介在する反射防止膜40が露出する領域を含む発光素子パッケージ300の外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜50を形成する。被覆膜50は、図4(B)に示すように、発光素子パッケージ300の外表面の一部を被覆するよう形成されてもよいが、図4(C)に示すように、発光装置1の下面を除く外表面の実質的に全部を被覆するよう形成することが好ましい。発光素子パッケージ300の下面に被覆膜50が形成されないのは、実施形態1の場合と同様に、発光素子パッケージ300の下面がチャンバ内などの基台の上に載置されているからである。被覆膜50の形成方法は、実施形態1の場合と同様であるので説明を省略する。
10 パッケージ
12 基部
14 壁部
20 発光素子
30 透光性部材
40 反射防止膜
50 被覆膜
60 配線電極
70 外部電極
80 ワイヤ
90 保持部材
100 接着材
200、300 発光素子パッケージ
X 凹部
Claims (5)
- 上面と、前記上面の一部に開口を有する凹部と、を備えたパッケージと、
前記凹部内に配置される発光素子と、
下面の一部が前記パッケージの上面に接合され、前記凹部の開口を塞ぐ透光性部材と、
前記透光性部材の下面側に設けられ、前記透光性部材の下面の一部が前記パッケージの上面に接合される領域においては、前記透光性部材の下面と前記パッケージの上面の間に介在する反射防止膜と、
前記反射防止膜の下面側に設けられ、前記透光性部材と前記パッケージの上面とを接合する接着材と、を備える発光装置であって、
前記透光性部材の下面と前記パッケージの上面の間に介在する前記反射防止膜及び前記接着材が露出する領域を含む前記発光装置の外表面の少なくとも一部を被覆する被覆膜を備える発光装置。 - 前記反射防止膜は、誘電体多層膜である請求項1に記載の発光装置。
- 前記接着材は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素系エラストマー、ガラス、Au、Ag、Bi、Cu、In、Pb、SnおよびZnから選択された少なくとも一種を含む共晶材、ホットメルト系樹脂、変性シリコーンおよび有機無機ハイブリッド樹脂から選択された少なくとも一種を含む請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、250nm以上410nm以下の範囲にピーク波長を有する請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、少なくともAlを含む窒化物半導体層を含む半導体積層構造を有する請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022154726A JP7348570B2 (ja) | 2019-03-08 | 2022-09-28 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019043176A JP7152666B2 (ja) | 2019-03-08 | 2019-03-08 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2022154726A JP7348570B2 (ja) | 2019-03-08 | 2022-09-28 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019043176A Division JP7152666B2 (ja) | 2019-03-08 | 2019-03-08 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022179560A JP2022179560A (ja) | 2022-12-02 |
JP7348570B2 true JP7348570B2 (ja) | 2023-09-21 |
Family
ID=72334704
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019043176A Active JP7152666B2 (ja) | 2019-03-08 | 2019-03-08 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2022154726A Active JP7348570B2 (ja) | 2019-03-08 | 2022-09-28 | 発光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019043176A Active JP7152666B2 (ja) | 2019-03-08 | 2019-03-08 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11264541B2 (ja) |
JP (2) | JP7152666B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11551963B2 (en) * | 2020-02-14 | 2023-01-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and method of manufacturing the same |
JP7387978B2 (ja) * | 2021-04-20 | 2023-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2023062928A (ja) * | 2021-10-22 | 2023-05-09 | 日本電気硝子株式会社 | 保護キャップ、電子装置及び保護キャップの製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071407A (ja) | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Sharp Corp | 発光素子および照明装置 |
JP2011165445A (ja) | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2012054527A (ja) | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光装置 |
JP2015230983A (ja) | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 旭硝子株式会社 | 紫外線発光装置用透光性部材、紫外線発光装置およびその製造方法 |
JP2016014757A (ja) | 2014-07-02 | 2016-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
JP2017073489A (ja) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | メタル−ガラスリッドおよびそれを利用したduv−led装置 |
JP2018093136A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日機装株式会社 | 光半導体装置 |
JP2018109657A (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-12 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜および深紫外発光デバイス |
JP2018137428A (ja) | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 京セラ株式会社 | 紫外線発光装置用部材および紫外線発光装置 |
US20180342656A1 (en) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Cover for light emitter |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0548361U (ja) | 1991-11-29 | 1993-06-25 | ホーヤ株式会社 | 光電変換装置 |
JP2002359314A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Kyocera Corp | 撮像素子収納用パッケージ |
US7348193B2 (en) | 2005-06-30 | 2008-03-25 | Corning Incorporated | Hermetic seals for micro-electromechanical system devices |
JP4686400B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | 光学デバイス、光学デバイス装置、カメラモジュールおよび光学デバイスの製造方法 |
JP5354706B2 (ja) | 2006-02-01 | 2013-11-27 | アズビル株式会社 | レーザ測長器 |
US20090261708A1 (en) * | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Motorola, Inc. | Glass-phosphor capping structure for leds |
JP2011124541A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-23 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置、並びに光デバイスの製造方法 |
JP6221387B2 (ja) | 2013-06-18 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
KR102237112B1 (ko) * | 2014-07-30 | 2021-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈 |
US9716212B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-07-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP3038173B1 (en) * | 2014-12-23 | 2019-05-22 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP6225976B2 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-11-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6985286B2 (ja) * | 2016-03-22 | 2021-12-22 | スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光素子およびこれを備えた発光モジュール |
JP6747101B2 (ja) | 2016-06-29 | 2020-08-26 | 日本電気硝子株式会社 | 気密パッケージ及びその製造方法 |
JP6432575B2 (ja) | 2016-08-30 | 2018-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6637002B2 (ja) | 2017-09-04 | 2020-01-29 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリの製造方法 |
KR102401826B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-05-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 |
US11532771B2 (en) * | 2018-03-13 | 2022-12-20 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device package |
US10811581B2 (en) * | 2018-06-15 | 2020-10-20 | Nichia Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
JP7417029B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2024-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2019
- 2019-03-08 JP JP2019043176A patent/JP7152666B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-06 US US16/811,965 patent/US11264541B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-20 US US17/579,998 patent/US11764334B2/en active Active
- 2022-09-28 JP JP2022154726A patent/JP7348570B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071407A (ja) | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Sharp Corp | 発光素子および照明装置 |
JP2011165445A (ja) | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2012054527A (ja) | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光装置 |
JP2015230983A (ja) | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 旭硝子株式会社 | 紫外線発光装置用透光性部材、紫外線発光装置およびその製造方法 |
JP2016014757A (ja) | 2014-07-02 | 2016-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
JP2017073489A (ja) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | メタル−ガラスリッドおよびそれを利用したduv−led装置 |
JP2018093136A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日機装株式会社 | 光半導体装置 |
JP2018109657A (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-12 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜および深紫外発光デバイス |
JP2018137428A (ja) | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 京セラ株式会社 | 紫外線発光装置用部材および紫外線発光装置 |
US20180342656A1 (en) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Cover for light emitter |
JP2018200946A (ja) | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 新光電気工業株式会社 | 発光装置用蓋体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022179560A (ja) | 2022-12-02 |
JP7152666B2 (ja) | 2022-10-13 |
US20220140202A1 (en) | 2022-05-05 |
US11764334B2 (en) | 2023-09-19 |
US11264541B2 (en) | 2022-03-01 |
US20200287092A1 (en) | 2020-09-10 |
JP2020145390A (ja) | 2020-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7348570B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI689112B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
JP6758044B2 (ja) | 発光素子及び照明システム | |
US10883680B2 (en) | Light-emitting module and method of manufacturing light-emitting module | |
JP5374150B2 (ja) | 超小型電気機械システムデバイスのための気密封止 | |
US8735920B2 (en) | Light emitting diode package with optical element | |
KR101501795B1 (ko) | 광전 반도체 모듈 및 그 제조 방법 | |
US9799808B2 (en) | Light emitting element and light emitting element package | |
JP2008504699A (ja) | Iii族/v族化合物半導体材料上に被着される複数の層を備えた反射層列 | |
US10622523B2 (en) | Light-emitting diode and method of producing a light-emitting diode | |
JP7053252B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
EP3553836B1 (en) | Optical semiconductor device | |
JP6019977B2 (ja) | 発光装置 | |
US10749084B2 (en) | Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component | |
CN111146323B (zh) | 发光装置及其制作方法 | |
US10615314B2 (en) | Light-emitting device | |
KR20180020829A (ko) | 자외선 발광 다이오드 패키지 | |
CN114287066A (zh) | 光电器件和用于制造光电器件的方法 | |
JP7262644B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US20220224072A1 (en) | Laser module | |
KR102233268B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR102412620B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비한 발광 장치 | |
KR102256630B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101172555B1 (ko) | Ⅲ-ⅴ 화합물 반도체 재료 위에 도포될 다수의 층을포함하는 반사성 층 시스템 | |
KR20210019897A (ko) | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221027 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230821 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7348570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |