JP2012023346A5 - 光の測定方法 - Google Patents

Claims (3)

1. 酸化物半導体層と、
   第１の電極と、
   前記酸化物半導体層と、前記第１の電極とに挟まれた絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
   前記第２の電極の電位を基準として負の電圧を前記第１の電極にパルス状に印加することで、前記第１の電極に流れた電流値から、前記酸化物半導体層に当たる光の照度を測定することを特徴とする光の測定方法。
2. 請求項１において、
   前記第２の電極の電位を基準として−１０Ｖ以上−２Ｖ以下の電圧を前記第１の電極にパルス状に印加することを特徴とする光の測定方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記パルス状の電圧は、１ｍｓ以上２ｍｓ以下の期間印加することを特徴とする光の測定方法。