JP2012004443A - 固体撮像装置、電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012004443A JP2012004443A JP2010139689A JP2010139689A JP2012004443A JP 2012004443 A JP2012004443 A JP 2012004443A JP 2010139689 A JP2010139689 A JP 2010139689A JP 2010139689 A JP2010139689 A JP 2010139689A JP 2012004443 A JP2012004443 A JP 2012004443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion film
- solid
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 510
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 197
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 176
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 175
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 175
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 141
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 172
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 125
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 70
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 26
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 26
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 18
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 483
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 98
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 50
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 31
- 230000006870 function Effects 0.000 description 22
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 18
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 18
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006585 β-FeSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical class O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- QNZRVYCYEMYQMD-UHFFFAOYSA-N copper;pentane-2,4-dione Chemical compound [Cu].CC(=O)CC(C)=O QNZRVYCYEMYQMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfide Chemical compound CCSCC LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N dimethylselenide Chemical compound C[Se]C RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229960000901 mepacrine Drugs 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- GPKJTRJOBQGKQK-UHFFFAOYSA-N quinacrine Chemical compound C1=C(OC)C=C2C(NC(C)CCCN(CC)CC)=C(C=CC(Cl)=C3)C3=NC2=C1 GPKJTRJOBQGKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 229910016066 BaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010010144 Completed suicide Diseases 0.000 description 1
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021140 PdSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 229910008812 WSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- MRWJFTYCMVOTPR-UHFFFAOYSA-N [Cu]C1=CC=CC1.CCP(CC)CC Chemical compound [Cu]C1=CC=CC1.CCP(CC)CC MRWJFTYCMVOTPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIBQNZGTWHYTMV-UHFFFAOYSA-N [Cu]C1C=CC=C1.CCP(CC)CC Chemical compound [Cu]C1C=CC=C1.CCP(CC)CC LIBQNZGTWHYTMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- ALCDAWARCQFJBA-UHFFFAOYSA-N ethylselanylethane Chemical compound CC[Se]CC ALCDAWARCQFJBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000171 gas-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 235000021251 pulses Nutrition 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
【解決手段】入射光Hを遮光するように形成された光電変換膜13を、シリコン基板11において、読出し回路51,n型不純物領域12,411よりも入射光Hが入射する側に設ける。これにより、読出し回路51,n型不純物領域12,411へ入射する入射光Hを光電変換膜13で遮光させる。
【選択図】図3
Description
1.実施形態1(裏面照射型)
2.実施形態2(画素分離部あり(その1))
3.実施形態3(画素分離部あり(その2))
4.実施形態4(画素分離部あり(その3))
5.実施形態5(光電変換膜の下に電極あり)
6.実施形態6(光電変換膜の下に電極あり(表面照射型))
7.実施形態7(オフ基板を用いる場合)
8.実施形態8(光電変換膜を積層する場合(その1))
9.実施形態9(光電変換膜を積層する場合(その2))
10.実施形態10(光電変換膜を積層する場合(その3))
11.実施形態11(光電変換膜とカラーフィルタとの組み合わせで遮光(その1))
12.実施形態12(光電変換膜とカラーフィルタとの組み合わせで遮光(その2))
13.その他
(A)装置構成
(A−1)カメラの要部構成
図1は、本発明に係る実施形態1において、カメラ40の構成を示す構成図である。
固体撮像装置1の全体構成について説明する。
本実施形態にかかる固体撮像装置の詳細構成について説明する。
固体撮像装置1において、光電変換膜13は、図3に示すように、たとえば、p型シリコン半導体であるシリコン基板11の一方の面(上面)に設けられている。光電変換膜13は、図2に示した複数の画素Pの間において一体になるように形成されている。
固体撮像装置1において、ゲートMOS41,42は、図4に示すように、図2に示した複数の画素Pごとに設けられている。
固体撮像装置1において、読出し回路51は、図2に示した複数の画素Pに対応するように複数が配置されている。
この他に、図3に示すように、シリコン基板11の上面(裏面)側においては、カラーフィルタCFとオンチップレンズMLとが、画素Pに対応して設けられている。
上記の固体撮像装置1を製造する製造方法の要部について説明する。
まず、図9(a)に示すように、光電変換膜13について形成する。
つぎに、図9(b)に示すように、透明電極14について形成する。
上記の固体撮像装置1の動作について説明する。
以上のように、本実施形態では、画素Pは、光電変換膜13が入射光Hを受光して光電変換することで信号電荷を生成する。そして、その光電変換膜13で生成された信号電荷を読出し回路51が読み出す。また、その光電変換膜13で生成された信号電荷を、(蓄積部であるn型不純物領域12,411が蓄積する。ここでは、光電変換膜13は、シリコン基板11において、読出し回路51,n型不純物領域12,411よりも入射光Hが入射する側に設けられており、読出し回路51,n型不純物領域12,411へ入射する入射光Hを遮光する。
つまり、臨界膜厚以内であれば、完全に格子整合(Δa/a=0)しなくても、ミスフィット転位が入らない結晶性の良好な状態が可能となる。
また、「臨界膜厚」の定義は、「MatthewsとBlakesleeの式」(1)(たとえば、参考文献1を参照)または「PeopleとBeanの式」(2)(たとえば、参考文献2を参照)で規定される。なお、下記式において、aは格子定数、bは転位のバーガースベクトル、vはポワソン比、fは格子不整|Δa/a|を示している。
J.W. Mathews and A.E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27 (1974)118−125.
(参考文献2)
R. People and J.C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47 (1985) 322−324.
(E−1)変形例1−1
上記においては、カルコパイライト材料で光電変換膜13を形成する場合について説明したが、これに限定されない。
[参考文献]H.Katsumata,et al.,J.Appl.Phys.80(10),5955(1996)
[参考文献]John E.Mahan,et al.,Appl.Phys.Lett.56(21),2126(1990)
上記の実施形態1においては、上述したように、kTCノイズが信号に含まれるが、下記に示すように、kTCノイズを除去するように構成しても良い。
図19は、本発明に係る実施形態1の変形例1−3において、固体撮像装置を構成する画素の回路構成を示す図である。
上記の変形例1−2においては、上述したように、n型不純物領域411(FD兼蓄積部2)が、直接、シリコン基板11の表面に接しているために、表面準位で暗電流が発生する。
図25は、本発明に係る実施形態1の変形例1−5において、固体撮像装置の要部を示す図である。図25は、図12と同様に、画素Pの断面を示している。
図31は、本発明に係る実施形態1の変形例1−6において、固体撮像装置のバンド構造を示す図である。
・材料(組成):CuGa0.64In0.36S2
・膜厚:5nm
なお、中間層ITは、臨界膜厚以内であれば、必ずしもシリコン基板11と格子整合させる必要はない。
たとえば、この中間層IT(CuGa0.64In0.36S2)の場合、Si基板との格子不整はΔa/a=5.12×10−3となる。このとき、膜厚5nmであれば、「MatthewsとBlakesleeの式」(参考文献1)または「People と Beanの式」(参考文献2)で規定される臨界膜厚より小さくなる。
(A)装置構成など
図32は、本発明に係る実施形態2において、固体撮像装置の要部を示す図である。
上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
まず、図34に示すように、光電変換膜13,p+層14pについて形成する。
つぎに、図35に示すように、レジストパターンPRについて形成する。
つぎに、図36に示すように、イオン注入を実施する。
つぎに、図37に示すように、画素分離部PBを形成する。
本実施形態においては、実施形態1と同様に、光電変換膜13は、シリコン基板11において、n型不純物領域12,411などの各部よりも入射光Hが入射する側に設けられており、n型不純物領域12,411などへ入射する入射光Hを遮光する(図32参照)。このため、本実施形態では、実施形態1と同様に、小型化を実現可能であると共に、ノイズの発生を防止して撮像画像の画像品質を向上させることができる。
(A)装置構成など
図38は、本発明に係る実施形態3において、固体撮像装置の要部を示す図である。
上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
まず、図39に示すように、絶縁膜80を形成する。
たとえば、膜厚が50〜100nmになるように、この絶縁膜80を形成する。
つぎに、図40に示すように、光電変換膜13を形成する。
つぎに、図41に示すように、画素分離部PB,p+層14pを形成する。
以上のように、本実施形態においては、実施形態2と同様に、光電変換膜13は、シリコン基板11において、n型不純物領域12,411などの各部よりも入射光Hが入射する側に設けられており、n型不純物領域12,411などへ入射する入射光Hを遮光する(図38参照)。このため、本実施形態では、実施形態2と同様に、小型化を実現可能であると共に、ノイズの発生を防止して撮像画像の画像品質を向上させることができる。
(A)装置構成など
図42は、本発明に係る実施形態4において、固体撮像装置の要部を示す図である。
上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
まず、図43に示すように、画素分離部PBcを形成する。
つまり、CuAl0.36Ga0.64S1.28Se0.72、あるいは、CuAl0.24Ga0.23In0.53S2になるように、画素分離部PBcを形成する。
つぎに、図44に示すように、p+層14pを形成する。
以上のように、本実施形態においては、実施形態2と同様に、光電変換膜13は、シリコン基板11において、n型不純物領域12,411などの各部よりも入射光Hが入射する側に設けられており、n型不純物領域12,411などへ入射する入射光Hを遮光する(図42参照)。このため、本実施形態では、実施形態2と同様に、小型化を実現可能であると共に、ノイズの発生を防止して撮像画像の画像品質を向上させることができる。
(A)装置構成など
図45は、本発明に係る実施形態5において、固体撮像装置の要部を示す図である。
本実施形態においては、実施形態1と同様に、光電変換膜13は、シリコン基板11において、n型不純物領域12,411などの各部よりも入射光Hが入射する側に設けられており、n型不純物領域12,411などへ入射する入射光Hを遮光する(図45参照)。また、光電変換膜13の下方に、金属で形成された電極511,531を下部電極として設けており、電極511,531がn型不純物領域12,411などへ入射する入射光Hを遮光する(図45参照)。つまり、本実施形態では、光電変換膜13と下部電極531との組み合わせによって、入射光Hを遮光するように形成されている。
(A)装置構成など
図46は、本発明に係る実施形態6において、固体撮像装置の要部を示す図である。
本実施形態においては、実施形態5と同様に、光電変換膜13は、シリコン基板11において、n型不純物領域12,411などの各部よりも入射光Hが入射する側に設けられており、n型不純物領域12,411などへ入射する入射光Hを遮光する(図46参照)。また、光電変換膜13の下方に、金属で形成された電極511,531を下部電極として設けており、電極511,531がn型不純物領域12,411などへ入射する入射光Hを遮光する(図46参照)。つまり、本実施形態では、光電変換膜13と下部電極531との組み合わせによって、入射光Hを遮光するように形成されている。
(A)構成など
上記の実施形態では、主面が(100)面であるシリコン基板を用いており、その主面に上記の化合物半導体をエピタキシャル成長させて、光電変換膜を形成する場合について示している。つまり、{100}基板を用いる場合について説明している。しかし、これに限定されない。
川辺光央,高杉英利,上田登志雄,横山 新,板東義雄:GaAs on Si の初期成長過程;応用物理学会結晶工学分科会第4回結晶工学シンポジウムテキスト(1987.7.17) pp.1−8.
たとえば、領域Bの三角形の高さが約5nmとなる。現在、光電変換膜として必要な厚みは、吸収係数〜105cm−1から約120nm以上である(このとき70%以上の光を吸収)。傾斜角度θ1=2°の場合、この領域Bの三角形の高さは15nm程度で収まる。この場合、アンチフェーズドメインの欠陥のない領域が、最低でも表面から100nm以上存在するために、暗電流低減の効果が十分となる。
さらに上限値としては、階段状の基板構造が維持できるまでの角度となる。具体的にはθ1=90°までとなる。
以上のように、本実施形態においては、他の実施形態と異なり、オフ基板であるシリコン基板11kに、上記の化合物半導体をエピタキシャル成長させることで、光電変換膜13kを形成している。このため、上記したように、アンチフェーズドメインの発生を抑制可能である。
(A)構成など
図51は、本発明に係る実施形態8において、固体撮像装置の要部を示す図である。
以上のように、本実施形態では、吸収スペクトルが異なる複数の光電変換膜13B,13G,13Rを含み、この複数の光電変換膜13B,13G,13Rが積層している。そして、この積層された複数の光電変換膜13B,13G,13Rの組み合わせによって、シリコン基板11へ入射する入射光Hを遮光するように形成されている。
(A)構成など
図54は、本発明に係る実施形態9において、固体撮像装置の要部を示す図である。
以上のように、本実施形態では、吸収スペクトルが異なる複数の光電変換膜13B,13G,13Rを含み、この複数の光電変換膜13B,13G,13Rが積層している。そして、この積層された複数の光電変換膜13B,13G,13Rの組み合わせによって、シリコン基板11へ入射する入射光Hを遮光するように形成されている。
(A)構成など
図56は、本発明に係る実施形態10において、固体撮像装置の要部を示す図である。
以上のように、本実施形態では、実施形態9と同様に、吸収スペクトルが異なる複数の光電変換膜13B,13G,13Rを含み、この複数の光電変換膜13B,13G,13Rが積層している。そして、この積層された複数の光電変換膜13B,13G,13Rの組み合わせによって、シリコン基板11へ入射する入射光Hを遮光するように形成されている。
(A)構成など
図57は、本発明に係る実施形態11において、固体撮像装置の要部を示す図である。
以上のように、本実施形態では、光電変換膜13は、赤色光電変換膜13R,緑色光電変換膜13G,青色光電変換膜13Bと、赤色フィルタ層CFR、緑色フィルタ層CFG、青色フィルタ層CFBとの組み合わせによって、入射光Hを遮光するように形成されている。
(A)構成など
図59は、本発明に係る実施形態12において、固体撮像装置の要部を示す図である。
以上のように、本実施形態では、光電変換膜13は、赤色光電変換膜13R,緑色光電変換膜13G,青色光電変換膜13Bと、赤色フィルタ層CFR、緑色フィルタ層CFG、青色フィルタ層CFBとの組み合わせによって、入射光Hを遮光するように形成されている。
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
具体的には、まず、電荷排出動作を全ての画素Pについて同時に実行し、同時に露光を開始する。これにより、発生した光電荷がn型不純物領域12(本願の図12などを参照)に蓄積される。そして、全ての画素Pについて同時にゲートMOS41をONとし、その蓄積された光電荷をn型不純物領域411へ転送する。そして、リセットトランジスタをONとし、FDとして機能するn型不純物領域421の電荷を排出する。そして、そのn型不純物領域421からリセットレベルの信号を、増幅トランジスタを介して読み出す(P期間)。つぎに、ゲートMOS42をオンとして、その電荷をFDとして機能するn型不純物領域421へ転送する。そして、FDの電荷Qpdに応じた信号レベルVpdを、増幅トランジスタを介して読み出す(D期間)。相関二重サンプリング(CDS)処理の実施によって、リセットレベルVrstと信号レベルVpdとの間で差分することで、信号レベルVpdに含まれるノイズが除去される。このとき、信号レベルに含まれるリセットノイズは、リセットレベルの読み出しで読み出されたリセットノイズと一致するため、kTCノイズも含めたノイズ低減処理が可能となる。
Claims (17)
- 複数の画素が配列されている画素領域
を具備し、
前記画素は、
入射光を受光して光電変換することで信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部で生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、
前記光電変換部で生成された信号電荷を蓄積する蓄積部と
を有し、
前記光電変換部は、前記読出し回路および前記蓄積部よりも前記入射光が入射する側に設けられており、前記読出し回路および前記蓄積部へ入射する前記入射光を遮光するように形成されている、
固体撮像装置。 - 前記複数の画素の全てにおいて同時に前記光電変換部での信号電荷の蓄積を開始させた後に同時に終了する露光を、グローバルシャッター方式で実施する、
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、カルコパイライト構造の化合物半導体で形成された光電変換膜を有する、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換膜は、銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−イオウ−セレン系混晶からなるカルコパイライト構造の化合物半導体で形成されている、
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、シリサイド系材料で形成された光電変換膜を有する、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換膜は、シリコン基板上において、当該シリコン基板に格子整合するように形成されている、
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記シリコン基板は、オフ基板である、
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換膜と前記シリコン基板との間に介在する中間層
を更に有し、
前記光電変換膜は、前記シリコン基板よりも電子親和力が大きく、
前記中間層は、電子親和力が前記シリコン基板の電子親和力と前記光電変換膜の電子親和力の間になるように形成されている、
請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、有機材料で形成された光電変換膜を有する、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記読出し回路に電気的に接続されており、フローティングディフュージョンとして機能する浮遊拡散層
を有し、
前記光電変換部は、前記浮遊拡散層よりも前記入射光が入射する側に設けられており、前記浮遊拡散層へ入射する前記入射光を遮光するように形成されている、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記蓄積部は、当該蓄積部と異なる導電型の不純物拡散層が、シリコン基板の表層に設けられている、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記画素領域において前記複数の画素の間を分離するように、前記複数の画素の間に介在している画素分離部
を含み、
前記画素分離部は、前記複数の画素に対応して形成された前記光電変換部の間においてポテンシャル障壁になるように、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成されている
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、光電変換膜と、下部電極とを含み、前記下部電極を介して、前記読出し回路が前記光電変換膜から信号電荷を読み出すように設けられており、当該光電変換膜と当該下部電極との組み合わせによって、前記入射光を遮光するように形成されている、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、吸収スペクトルが異なる複数の光電変換膜を含み、当該複数の光電変換膜が積層しており、当該複数の光電変換膜の組み合わせによって、前記入射光を遮光するように形成されている、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、カラーフィルタを介して入射する前記入射光を受光する光電変換膜を含み、当該光電変換膜と当該カラーフィルタとの組み合わせによって、前記入射光を遮光するように形成されている、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記読出し回路は、シリコン基板の表面側に形成されており、
前記光電変換部は、前記シリコン基板において前記読出し回路が設けられた表面側とは反対の裏面側から入射する前記入射光を受光して光電変換するように設けられている、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 複数の画素が配列されている画素領域
を具備し、
前記画素は、
入射光を受光して光電変換することで信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部で生成された信号電荷を読み出す読出し回路と、
前記光電変換部で生成された信号電荷を蓄積する蓄積部と
を有し、
前記光電変換部は、前記読出し回路および前記蓄積部よりも前記入射光が入射する側に設けられており、前記読出し回路および前記蓄積部へ入射する前記入射光を遮光するように形成されている、
電子機器。
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010139689A JP5585232B2 (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 固体撮像装置、電子機器 |
US13/155,060 US9570495B2 (en) | 2010-06-18 | 2011-06-07 | Solid-state imaging device with photoelectric conversion region that is not transparent |
EP17198102.0A EP3301719B1 (en) | 2010-06-18 | 2011-06-10 | Solid-state imaging device and electronic device |
KR1020110056114A KR101947173B1 (ko) | 2010-06-18 | 2011-06-10 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
TW100120447A TWI601275B (zh) | 2010-06-18 | 2011-06-10 | 固態成像裝置、其製造方法及電子裝置 |
EP11169615.9A EP2398054B1 (en) | 2010-06-18 | 2011-06-10 | Solid-state imaging device and its method of fabrication |
CN201110167128.3A CN102290424B (zh) | 2010-06-18 | 2011-06-20 | 固态成像装置和电子装置 |
US15/048,741 US9679928B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-02-19 | Imaging device |
US15/489,243 US10497727B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-04-17 | Solid-state imaging device and electronic device with first and second charge accumulation regions |
KR1020190011760A KR102091966B1 (ko) | 2010-06-18 | 2019-01-30 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
US16/675,084 US11037969B2 (en) | 2010-06-18 | 2019-11-05 | Solid-state imaging device having an impurity region on an upper surface of a photoelectric conversion film |
KR1020200031212A KR102237320B1 (ko) | 2010-06-18 | 2020-03-13 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
KR1020210041979A KR102383187B1 (ko) | 2010-06-18 | 2021-03-31 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010139689A JP5585232B2 (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 固体撮像装置、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012004443A true JP2012004443A (ja) | 2012-01-05 |
JP5585232B2 JP5585232B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=44763702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010139689A Expired - Fee Related JP5585232B2 (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 固体撮像装置、電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9570495B2 (ja) |
EP (2) | EP2398054B1 (ja) |
JP (1) | JP5585232B2 (ja) |
KR (4) | KR101947173B1 (ja) |
CN (1) | CN102290424B (ja) |
TW (1) | TWI601275B (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013111637A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
WO2014050647A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
JP2014165399A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2015037154A (ja) * | 2013-08-15 | 2015-02-23 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
WO2015125611A1 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP2015162632A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び電子機器 |
US9191637B2 (en) | 2013-09-10 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging apparatus |
US9209217B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-12-08 | Sony Corporation | Image pickup element and image pickup device |
KR20160019722A (ko) * | 2014-08-12 | 2016-02-22 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
WO2018043140A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP2018056589A (ja) * | 2017-12-12 | 2018-04-05 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
US10009564B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-06-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image capturing element, manufacturing method therefor, and electronic device |
JP2018148220A (ja) * | 2018-04-20 | 2018-09-20 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
WO2018173754A1 (ja) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
JP2021073722A (ja) * | 2015-02-09 | 2021-05-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、および電子装置 |
WO2021095494A1 (ja) * | 2019-11-15 | 2021-05-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2021261093A1 (ja) * | 2020-06-24 | 2021-12-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
US11322533B2 (en) | 2013-03-14 | 2022-05-03 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid state image sensor tolerant to misalignment and having a high photoelectric conversion efficiency |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4984634B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-07-25 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
JP6026102B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2016-11-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2014011304A (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2014127519A (ja) | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Sony Corp | 固体撮像素子、及び、電子機器 |
JP2014203961A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
JP2015012059A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 |
CN103442185B (zh) * | 2013-09-02 | 2018-06-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像像素阵列 |
KR20150055663A (ko) | 2013-11-13 | 2015-05-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지센서 및 그의 제조 방법 |
JP2015106621A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP2015119018A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
TWI676280B (zh) * | 2014-04-18 | 2019-11-01 | 日商新力股份有限公司 | 固體攝像裝置及具備其之電子機器 |
JP6777074B2 (ja) * | 2015-04-14 | 2020-10-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、撮像システムおよび距離計測方法 |
WO2016194337A1 (en) * | 2015-06-05 | 2016-12-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic photoelectric conversion element, optical area sensor, imaging device, and imaging apparatus |
JP6530664B2 (ja) * | 2015-07-22 | 2019-06-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及びその製造方法 |
CN105979177A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-28 | 努比亚技术有限公司 | 一种实现全局曝光的cmos装置及其终端、曝光控制方法 |
WO2019102887A1 (ja) | 2017-11-22 | 2019-05-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
KR102666282B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2024-05-14 | 르파운드리 에스.알.엘. | 가시광선 및 자외선 검출을 위한 반도체 광학 센서 및 그 제조 공정 |
WO2020026851A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
JP7176917B2 (ja) * | 2018-10-02 | 2022-11-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
US11152421B2 (en) * | 2018-11-06 | 2021-10-19 | Omnivision Technologies, Inc. | Small-pitch image sensor |
KR102611171B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2023-12-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직 판형 캐패시터 및 이를 포함하는 이미지 센싱 장치 |
CN111479209B (zh) * | 2020-03-16 | 2021-06-25 | 东莞市古川胶带有限公司 | 一种扬声器振膜复合材料 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08139997A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-05-31 | Nikon Corp | 冷却固体撮像装置システム |
JP2005268477A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
JP2006245088A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Sony Corp | 物理情報取得装置 |
JP2006526885A (ja) * | 2003-04-15 | 2006-11-24 | ハーン−マイトネル−インスチツート ベルリン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板にナノ構造化可能な材料を直接堆積する電気化学的方法および前記方法により製造される半導体部品 |
JP2007123720A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Rohm Co Ltd | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP2008252004A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法 |
WO2009078299A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Rohm Co., Ltd. | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2010212668A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 遮光部を含む画素センサ・セルおよび製造方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5213984A (en) * | 1975-07-23 | 1977-02-02 | Kataoka Kikai Seisakusho:Kk | Method and device for packing the end of rolls |
JPS6118183A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体光検出デバイス |
JPH07118527B2 (ja) * | 1990-10-18 | 1995-12-18 | 富士ゼロックス株式会社 | イメージセンサの製造方法 |
JP4123415B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4304927B2 (ja) | 2002-07-16 | 2009-07-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US7038288B2 (en) * | 2002-09-25 | 2006-05-02 | Microsemi Corporation | Front side illuminated photodiode with backside bump |
JP4470364B2 (ja) | 2002-10-17 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びカメラ装置 |
JP4046067B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
US20050205879A1 (en) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photoelectric converting film stack type solid-state image pickup device |
JP2005268479A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
JP4379295B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法 |
TW201101476A (en) * | 2005-06-02 | 2011-01-01 | Sony Corp | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
JP4911445B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機と無機のハイブリッド光電変換素子 |
JP4992446B2 (ja) | 2006-02-24 | 2012-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
JP4130211B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2008-08-06 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
JP2008182142A (ja) | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 |
WO2008093834A1 (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Rohm Co., Ltd. | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4637196B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4609497B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
US7875949B2 (en) | 2008-02-28 | 2011-01-25 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor device with submicron structure |
JP5155696B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2013-03-06 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子 |
JP5173496B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP5568880B2 (ja) | 2008-04-03 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
TWI504256B (zh) * | 2008-04-07 | 2015-10-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,其訊號處理方法,及電子設備 |
JP2009259872A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Rohm Co Ltd | 光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置 |
JP5444899B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法、および固体撮像装置の製造基板 |
JP2010092988A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Toshiba Corp | 半導体基板およびその製造方法、固体撮像装置の製造方法 |
JP5521312B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR20100064699A (ko) * | 2008-12-05 | 2010-06-15 | 삼성전자주식회사 | 후면 조명 구조의 이미지 센서 |
JP5239811B2 (ja) | 2008-12-11 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ装置の駆動方法 |
JP2010161321A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法 |
TWI416716B (zh) | 2009-01-21 | 2013-11-21 | Sony Corp | 固態影像裝置,其製造方法,及攝像設備 |
JP5251736B2 (ja) | 2009-06-05 | 2013-07-31 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
US8916947B2 (en) * | 2010-06-08 | 2014-12-23 | Invisage Technologies, Inc. | Photodetector comprising a pinned photodiode that is formed by an optically sensitive layer and a silicon diode |
-
2010
- 2010-06-18 JP JP2010139689A patent/JP5585232B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-07 US US13/155,060 patent/US9570495B2/en active Active
- 2011-06-10 EP EP11169615.9A patent/EP2398054B1/en not_active Not-in-force
- 2011-06-10 KR KR1020110056114A patent/KR101947173B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-10 TW TW100120447A patent/TWI601275B/zh active
- 2011-06-10 EP EP17198102.0A patent/EP3301719B1/en active Active
- 2011-06-20 CN CN201110167128.3A patent/CN102290424B/zh active Active
-
2016
- 2016-02-19 US US15/048,741 patent/US9679928B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-17 US US15/489,243 patent/US10497727B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-30 KR KR1020190011760A patent/KR102091966B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-05 US US16/675,084 patent/US11037969B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-13 KR KR1020200031212A patent/KR102237320B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-03-31 KR KR1020210041979A patent/KR102383187B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08139997A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-05-31 | Nikon Corp | 冷却固体撮像装置システム |
JP2006526885A (ja) * | 2003-04-15 | 2006-11-24 | ハーン−マイトネル−インスチツート ベルリン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板にナノ構造化可能な材料を直接堆積する電気化学的方法および前記方法により製造される半導体部品 |
JP2005268477A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
JP2006245088A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Sony Corp | 物理情報取得装置 |
JP2007123720A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Rohm Co Ltd | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP2008252004A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法 |
WO2009078299A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Rohm Co., Ltd. | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2010212668A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 遮光部を含む画素センサ・セルおよび製造方法 |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9893101B2 (en) | 2012-01-23 | 2018-02-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup unit, method of manufacturing solid-state image pickup unit, and electronic apparatus |
WO2013111637A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
WO2014050647A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
KR20150058155A (ko) | 2012-09-25 | 2015-05-28 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 전자기기 |
US9728579B2 (en) | 2012-09-25 | 2017-08-08 | Sony Corporation | Solid-state image pickup unit and electronic apparatus for achieving high sensitivity and high saturation charge amount |
JP2014165399A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US9219096B2 (en) | 2013-02-26 | 2015-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
US11322533B2 (en) | 2013-03-14 | 2022-05-03 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid state image sensor tolerant to misalignment and having a high photoelectric conversion efficiency |
US9391103B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-07-12 | Sony Corporation | Image pickup element and image pickup device |
JP2015037154A (ja) * | 2013-08-15 | 2015-02-23 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
US9209217B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-12-08 | Sony Corporation | Image pickup element and image pickup device |
US9191637B2 (en) | 2013-09-10 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging apparatus |
US10536659B2 (en) | 2013-11-29 | 2020-01-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image capturing element, manufacturing method therefor, and electronic device |
US10009564B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-06-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image capturing element, manufacturing method therefor, and electronic device |
US9947703B2 (en) | 2014-02-18 | 2018-04-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
WO2015125611A1 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP2015162632A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び電子機器 |
KR20160019722A (ko) * | 2014-08-12 | 2016-02-22 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102282493B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2021-07-26 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
JP2016040823A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | イメージセンサー及びこれを含む電子装置 |
US11849219B2 (en) | 2015-02-09 | 2023-12-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image pickup device and electronic apparatus with an image plane phase difference detection pixel |
US11363186B2 (en) | 2015-02-09 | 2022-06-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image pickup device and electronic apparatus with an image plane phase difference detection pixel |
JP2021073722A (ja) * | 2015-02-09 | 2021-05-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、および電子装置 |
WO2018043140A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
US11404483B2 (en) | 2016-08-30 | 2022-08-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image sensor and electronic apparatus |
US11044387B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-06-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Stacked imaging device and solid-state imaging apparatus |
WO2018173754A1 (ja) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
JP2018056589A (ja) * | 2017-12-12 | 2018-04-05 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
JP2018148220A (ja) * | 2018-04-20 | 2018-09-20 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
WO2021095494A1 (ja) * | 2019-11-15 | 2021-05-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2021261093A1 (ja) * | 2020-06-24 | 2021-12-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110138159A (ko) | 2011-12-26 |
EP3301719A1 (en) | 2018-04-04 |
US10497727B2 (en) | 2019-12-03 |
KR102383187B1 (ko) | 2022-04-08 |
CN102290424A (zh) | 2011-12-21 |
EP3301719B1 (en) | 2022-07-27 |
KR101947173B1 (ko) | 2019-02-12 |
KR20200031589A (ko) | 2020-03-24 |
TW201210004A (en) | 2012-03-01 |
US9679928B2 (en) | 2017-06-13 |
EP2398054A3 (en) | 2013-06-12 |
US20160172395A1 (en) | 2016-06-16 |
CN102290424B (zh) | 2015-11-25 |
KR102237320B1 (ko) | 2021-04-07 |
US20200144317A1 (en) | 2020-05-07 |
US9570495B2 (en) | 2017-02-14 |
US20180097026A1 (en) | 2018-04-05 |
TWI601275B (zh) | 2017-10-01 |
KR102091966B1 (ko) | 2020-03-20 |
US20110310282A1 (en) | 2011-12-22 |
EP2398054B1 (en) | 2017-10-25 |
US11037969B2 (en) | 2021-06-15 |
JP5585232B2 (ja) | 2014-09-10 |
KR20190015435A (ko) | 2019-02-13 |
EP2398054A2 (en) | 2011-12-21 |
KR20210040336A (ko) | 2021-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102237320B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
US10903257B2 (en) | Solid-state imaging device, driving method for solid-state imaging device, and electronic appliance | |
TWI596747B (zh) | Solid-state imaging device and electronic equipment | |
TWI495094B (zh) | 固態成像元件,製造固態成像元件之方法,及電子裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140624 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140707 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5585232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |