JP2021073722A - 撮像素子、および電子装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本開示を適用した撮像素子の第1の構成例の断面図を示している。
図2は、本開示を適用した撮像素子の第2の構成例の断面図を示している。
図3は、本開示を適用した撮像素子の第3の構成例の断面図を示している。
図4は、本開示を適用した撮像素子の第4の構成例の断面図を示している。
図5は、本開示を適用した撮像素子の第5の構成例の断面図を示している。
図6は、本開示を適用した撮像素子の第6の構成例の断面図を示している。
図7は、図1に示された撮像素子10の変形例を示している。すなわち、該変形例は、図1の撮像素子10に相当するセンサ部71と、ADC(Analog Digital Converter)などを含むロジック部72と、メモリ部73とを積層して構成したイメージセンサの構成例を示している。該イメージセンサによれば、フレームメモリCDS(Correlated Double. Sampling)による高速動作対応が可能となる。また、ロジック部72およびメモリ部73を像面位相差AFに利用することにより高速なAFが可能となる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備える撮像素子において、
像面位相差検出画素は、
入射光に応じて電荷を発生する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成された上部電極部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成され、前記入射光の中心を避けた位置で複数に分割されている下部電極部と
を備える撮像素子。
(2)
前記下部電極部は、前記入射光の中心を避けた位置で不均一に2分割された第1の下部電極部と第2の下部電極部から成る
前記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記上部電極部は、光を透過する部材から成り、
前記下部電極部は、光を反射する部材から成る
前記(1)または(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記第1または第2の下部電極部の一方の出力は、像面位相差AF用の位相差信号として用いられる
前記(2)に記載の撮像素子。
(5)
前記第1および第2の下部電極部の出力は、加算されて画像信号として用いられる
前記(2)に記載の撮像素子。
(6)
画像信号を得るための通常画素を
さらに備える前記(1)から(5)のいずれかに記載の撮像素子。
(7)
像面位相差検出画素は、
前記入射光を前記第1の光電変換部に集光させる集光部をさらに備え、
前記下部電極部は、前記集光部の光学中心を避けた位置で不均一に2分割されている
前記(1)から(6)のいずれかに記載の撮像素子。
(8)
像面位相差検出画素は、
画素単位で着色され、前記入射光のうちの特定の波長成分だけを透過させて前記第1の光電変換部に入射させるカラーフィルタを
さらに備える前記(1)から(7)のいずれかに記載の撮像素子。
(9)
前記第1の光電変換部は、前記入射光のうちの特定の波長成分だけに対応して電荷を発生する
前記(1)から(8)のいずれかに記載の撮像素子。
(10)
前記下部電極部は、前記入射光を透過する部材から成り、
像面位相差検出画素は、
前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した光に応じて電荷を発生する第2の光電変換部をさらに備える
前記(1),(2),(4)から(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(11)
前記第1または第2の光電変換部の少なくとも一方は有機光電変換膜である
前記(10)に記載の撮像素子。
(12)
像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備えた撮像素子が搭載されている電子装置であって、
像面位相差検出画素は、
入射光に応じて電荷を発生する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成された上部電極部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成され、前記入射光の中心を避けた位置で複数に分割されている下部電極部とを備える
電子装置。
(13)
像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備える撮像素子において、
像面位相差検出画素は、
画像信号として用いられる電荷を入射光に応じて発生する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成された上部電極部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成された下部電極部と、
前記位相検出信号として用いられる電荷を前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した光に応じて発生する第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した前記光の中心を覆うようにして前記下部電極部と前記第2の光電変換部の間に形成された遮光部と
を備える撮像素子。
(14)
前記遮光部は、光を反射する部材から成る
前記(13)に記載の撮像素子。
(15)
像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備えた撮像素子が搭載されている電子装置であって、
像面位相差検出画素は、
画像信号として用いられる電荷を入射光に応じて発生する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成された上部電極部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成された下部電極部と、
前記位相検出信号として用いられる電荷を前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した光に応じて発生する第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した前記光の中心を覆うようにして前記下部電極部と前記第2の光電変換部の間に形成された遮光部とを備える
電子装置。
Claims (7)
- 像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備える撮像素子において、
前記像面位相差検出画素は、
画像信号として用いられる電荷を入射光のうちの特定の波長成分だけに応じて発生する第1の光電変換部と、
前記入射光を前記第1の光電変換部に集光させる集光部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成され、光を透過する部材から成る上部電極部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成され、光を透過する部材から成る下部電極部と、
前記位相差信号として用いられる電荷を前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した光に応じて発生する第2の光電変換部と、
光を反射する部材から成り、前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した前記光の中心を覆うようにして前記下部電極部と前記第2の光電変換部の間に形成された遮光部と
を備える撮像素子。 - 前記像面位相差検出画素は、
画素単位で着色され、前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した光のうちの特定の波長成分だけを透過させて前記第2の光電変換部に入射させるカラーフィルタをさらに備える
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記カラーフィルタは、前記下部電極部と前記第2の光電変換部の間に形成される
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記像面位相差検出画素は、
画素単位で着色され、前記入射光のうちの特定の波長成分だけを透過させて前記第1の光電変換部に入射させるカラーフィルタをさらに備える
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の光電変換部は有機光電変換膜である
請求項1に記載の撮像素子。 - 画像信号を得るための通常画素をさらに備える
請求項1に記載の撮像素子。 - 像面位相差AF用の位相差信号を得るための像面位相差検出画素を備えた撮像素子が搭載されている電子装置であって、
前記像面位相差検出画素は、
画像信号として用いられる電荷を入射光のうちの特定の波長成分だけに応じて発生する第1の光電変換部と、
前記入射光を前記第1の光電変換部に集光させる集光部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の一方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側に形成され、光を透過する部材から成る上部電極部と、
前記第1の光電変換部を挟むように対向して配置された電極の他方であって、前記第1の光電変換部に対する前記入射光の入射側の反対側に形成され、光を透過する部材から成る下部電極部と、
前記位相差信号として用いられる電荷を前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した光に応じて発生する第2の光電変換部と、
光を反射する部材から成り、前記第1の光電変換部および前記下部電極部を透過した前記光の中心を覆うようにして前記下部電極部と前記第2の光電変換部の間に形成された遮光部とを備える
電子装置。
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JP6595804B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2019-10-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
KR102491504B1 (ko) * | 2015-11-17 | 2023-01-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102547655B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2023-06-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
JP6707061B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2020-06-10 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
JP2019040897A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
US11011583B2 (en) * | 2018-02-05 | 2021-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and electronic devices |
JPWO2020195825A1 (ja) | 2019-03-25 | 2020-10-01 | ||
JP2020161648A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
DE102020124766A1 (de) * | 2019-09-30 | 2021-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Eingebettete lichtabschirmungsstruktur für cmos-bildsensor |
JP2021089978A (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子および電子機器 |
KR20210070800A (ko) * | 2019-12-05 | 2021-06-15 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US20230073737A1 (en) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state image sensor |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269923A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型カラー固体撮像素子 |
JP2007065330A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Canon Inc | カメラ |
JP2008028105A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2009049525A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び信号処理方法 |
JP2009099817A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2011103335A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2011176714A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | カメラおよび画像処理プログラム |
JP2012004443A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器 |
US20120310451A1 (en) * | 2009-12-15 | 2012-12-06 | Universite D'aix-Marseille | Method and device for measuring the angular velocity of a luminance transition zone and steering aid system for fixation and tracking a target comprising at least one such luminance transition zone |
JP2012242530A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Canon Inc | 撮像素子、それを具備した撮像装置及びカメラシステム |
JP2013118335A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Sony Corp | 有機光電変換材料、光電変換素子、撮像装置、太陽電池 |
JP2013145292A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置および電子カメラ |
JP2013187475A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Olympus Corp | 固体撮像装置およびカメラシステム |
JP2014022415A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、電子機器 |
WO2014208047A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1970959A3 (en) * | 2007-03-12 | 2013-07-31 | FUJIFILM Corporation | Photoelectric conversion element and solid-state imaging device |
JP5270114B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2013-08-21 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
JP5235348B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮像素子 |
US7875949B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-01-25 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor device with submicron structure |
JP2009277798A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2010067827A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5478043B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2014-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2010282992A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP5270642B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2013-08-21 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子及び撮像素子 |
JP5585339B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法並びに電子機器 |
JPWO2013001809A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5730265B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子 |
JP6112312B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2017-04-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6108172B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016035543A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | オリンパス株式会社 | 撮像装置及びその像ブレ補正方法 |
TWI700824B (zh) | 2015-02-09 | 2020-08-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件及電子裝置 |
JP7067907B2 (ja) * | 2017-12-01 | 2022-05-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び信号処理装置 |
-
2016
- 2016-01-07 TW TW105100435A patent/TWI700824B/zh not_active IP Right Cessation
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-
2019
- 2019-08-14 US US16/540,827 patent/US10827112B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-18 US US17/025,975 patent/US11363186B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-28 JP JP2021012043A patent/JP2021073722A/ja active Pending
-
2022
- 2022-05-12 US US17/743,255 patent/US11849219B2/en active Active
-
2023
- 2023-03-27 JP JP2023049827A patent/JP2023076563A/ja active Pending
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269923A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型カラー固体撮像素子 |
JP2007065330A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Canon Inc | カメラ |
JP2008028105A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2009049525A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び信号処理方法 |
JP2009099817A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2011103335A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
US20120310451A1 (en) * | 2009-12-15 | 2012-12-06 | Universite D'aix-Marseille | Method and device for measuring the angular velocity of a luminance transition zone and steering aid system for fixation and tracking a target comprising at least one such luminance transition zone |
JP2011176714A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | カメラおよび画像処理プログラム |
JP2012004443A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器 |
JP2012242530A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Canon Inc | 撮像素子、それを具備した撮像装置及びカメラシステム |
JP2013118335A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Sony Corp | 有機光電変換材料、光電変換素子、撮像装置、太陽電池 |
JP2013145292A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置および電子カメラ |
JP2013187475A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Olympus Corp | 固体撮像装置およびカメラシステム |
JP2014022415A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、電子機器 |
WO2014208047A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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