TW201630175A - 攝像元件及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭示係關於一種可抑制混色或雜訊之產生之攝像元件及電子裝置。 本揭示之攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素，且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；及下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側，並於避開上述入射光之中心之位置被分割為複數個。本揭示可應用於影像感測器。

Description

攝像元件及電子裝置
本揭示係關於一種攝像元件及電子裝置，尤其關於一種具備用於獲得圖像信號之常規像素及用於獲得像面相位差AF(自動聚焦)用之相位差信號之像面相位差檢測像素之攝像元件及電子裝置。
先前，提出一種具備常規像素與像面相位差檢測像素，且於PD(光電二極體)追加而設置有有機光電轉換膜作為其光電轉換部之攝像元件(例如參照專利文獻1)。
該攝像元件係自光之入射側依序形成晶載透鏡、透明之上部電極、有機光電轉換膜、透明之下部電極、及PD作為主要構成要件而構成。尤其於像面相位差檢測像素之有機光電轉換膜之下部電極，於入射光之強度最強之晶載透鏡之光學中心設置有狹縫。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-145292號公報
於專利文獻1所記載之該攝像元件中，如上述般，因於有機光電轉換膜之下部電極設置有狹縫，故未經有機光電轉換膜光電轉換而通過下部電極之狹縫，由PD光電轉換而成為混色之光亦較多。
又，即使於假設為自該攝像元件省略PD之構成之情形時，因入 射光會自狹縫洩漏至下層側，故亦可能成為雜訊產生之原因。
本揭示係鑑於此種狀況而完成者，係可抑制由像素內之入射光之洩漏引起之雜訊之產生者。
本揭示之第1態樣之攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素，且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；及下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側，並於避開上述入射光之中心之位置被分割為複數個。
上述下部電極部可包含於避開上述入射光之中心之位置被不均一地分成2個部分之第1下部電極部與第2下部電極部。
上述上部電極部可包含使光透過之構件，上述下部電極部可包含反射光之構件。
上述第1或第2下部電極部之一者之輸出可作為像面相位差AF用之相位差信號使用。
上述第1及第2下部電極部之輸出可經相加而作為圖像信號使用。
本揭示之第1態樣之攝像元件可進而包含用於獲得圖像信號之常規像素。
像面相位差檢測像素可進而包含聚光部，該聚光部使上述入射光聚光於上述第1光電轉換部，上述下部電極部可於避開上述聚光部之光學中心之位置被不均一地分成2個部分。
像面相位差檢測像素可進而包含彩色濾光片，該彩色濾光片係 以像素單位被著色，且僅使上述入射光中之特定之波長成分透過而入射至上述第1光電轉換部。
上述第1光電轉換部可僅與上述入射光中之特定之波長成分對應而產生電荷。
上述下部電極部可包含透過上述入射光之構件，像面相位差檢測像素可進而包含第2光電轉換部，該第2光電轉換部係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生電荷。
上述第1或第2光電轉換部之至少一者可設為有機光電轉換膜。
本揭示之第2態樣之電子裝置係搭載有攝像元件者，該攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；及下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側，並於避開上述入射光之中心之位置被分割為複數個。
本揭示之第3態樣之攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生作為圖像信號使用之電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側；第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生作為上述相位檢測信號使用之電荷；及遮光 部，其係以覆蓋透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之上述光之中心之方式，形成於上述下部電極部與上述第2光電轉換部之間。
上述遮光部可包含反射光之構件。
本揭示之第4態樣之電子裝置係搭載有攝像元件者，該攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素，且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生作為圖像信號使用之電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側；第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生作為上述相位檢測信號使用之電荷；及遮光部，其係以覆蓋透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之上述光之中心之方式，形成於上述下部電極部與上述第2光電轉換部之間。
根據本揭示之第1至第4態樣，可抑制混色或雜訊之產生。
10‧‧‧攝像元件
11‧‧‧常規像素
12‧‧‧像面相位差檢測像素
13‧‧‧晶載透鏡
14‧‧‧彩色濾光片
15‧‧‧上部電極
16‧‧‧有機光電轉換膜
17‧‧‧下部電極
17-1‧‧‧下部電極
17-2‧‧‧下部電極
20‧‧‧攝像元件
30‧‧‧攝像元件
31‧‧‧常規像素
32‧‧‧像面相位差檢測像素
33‧‧‧特定波長限定有機光電轉換膜
40‧‧‧攝像元件
41‧‧‧常規像素
42‧‧‧像面相位差檢測像素
43‧‧‧特定波長限定有機光電轉換膜
44‧‧‧下部電極
45‧‧‧彩色濾光片
46‧‧‧PD
50‧‧‧攝像元件
51‧‧‧常規像素
52‧‧‧像面相位差檢測像素
53‧‧‧彩色濾光片
54‧‧‧下部電極
55‧‧‧遮光膜
60‧‧‧攝像元件
61‧‧‧常規像素
62‧‧‧像面相位差檢測像素
63‧‧‧彩色濾光片
64‧‧‧PD
71‧‧‧感測器部
72‧‧‧邏輯部
73‧‧‧記憶體部
B‧‧‧藍色
Cy‧‧‧青色
G‧‧‧綠色
Mg‧‧‧品紅
R‧‧‧紅色
W‧‧‧白色
Ye‧‧‧黃色
圖1係顯示應用本揭示之攝像元件之第1構成例之剖視圖。
圖2係顯示應用本揭示之攝像元件之第2構成例之剖視圖。
圖3係顯示應用本揭示之攝像元件之第3構成例之剖視圖。
圖4係顯示應用本揭示之攝像元件之第4構成例之剖視圖。
圖5係顯示應用本揭示之攝像元件之第5構成例之剖視圖。
圖6係顯示應用本揭示之攝像元件之第6構成例之剖視圖。
圖7係顯示應用本揭示之攝像元件之第7構成例之剖視圖。
圖8係顯示應用本揭示之電子裝置之使用例之圖。
以下，對用於實施本揭示之最佳之形態(以下，稱為實施形態)，一面參照圖式一面詳細地進行說明。
<應用本揭示之攝像元件之第1構成例>
圖1顯示有應用本揭示之攝像元件之第1構成例之剖視圖。
該攝像元件10係具備常規像素11與像面相位差檢測像素12者，自光之入射側依序形成有晶載透鏡(OCL)13、彩色濾光片(CF)14、上部電極15、有機光電轉換膜16、及下部電極17作為主要構成要件而構成。再者，於下部電極17之下層側，形成有各種像素電晶體或FD(浮動擴散)等(省略符號)。
晶載透鏡13形成於每個像素，使入射光聚光於有機光電轉換膜16。另，作為使入射光聚光之聚光部，亦可使用晶載透鏡13以外之構成。彩色濾光片14其顏色於常規像素11中設為R(Red：紅色)或B(Blue：藍色)。另一方面，於像面相位差檢測像素12中設為G(Green：綠色)。對R、G、B之配置，可應用例如拜耳排列。又，對R、G、B之配置，亦可應用例如清除位排列。該情形時，因彩色濾光片14之顏色為G之像面相位差檢測像素12鄰接，故可獲得像面相位差檢測像素12彼此之距離較近之相位差信號。但，像面相位差檢測像素12之彩色濾光片14之顏色並非限定於G，亦可為R或B。
上部電極15係由使利用晶載透鏡13聚光後之入射光透過之透明之材料形成。有機光電轉換膜16係與R、G、B之波長之光對應者，產生與入射光之光量相應之電荷。
下部電極17包含反射光之金屬材料等。藉此，因可藉由將透過有機光電轉換膜16之光反射而延長入射光之光路長度，故可提高有機光電轉換膜16之光電轉換效率。又，可將有機光電轉換膜16之厚度薄化。
另，下部電極17於各常規像素11中以1像素大小之面積未被分割地形成。另一方面，於像面相位差檢測像素12中，1像素大小之面積由避開晶載透鏡13之光學中心而設置之狹縫而被不均一地分割。藉此，因於入射光之強度最強之位置形成有下部電極17，故可抑制入射光洩漏至較下部電極17更為下層側。因此，可抑制雜訊或混色之產生。
該圖之情形時，像面相位差檢測像素12之下部電極17係由較長之下部電極17-1與較短之下部電極17-2構成。惟像面相位差檢測像素12之下部電極17之分割數並非限定為2個。
較長之下部電極17-1可獲得與較短之下部電極17-2感度相比較高之像素輸出。另一方面，較短之下部電極17-2可獲得與較長之下部電極17-1相比分離比較佳之像素輸出。因此，只要使用下部電極17-1或17-2之一者之像素輸出，即可實現精度較高之像面相位差AF。
於攝像元件10中，常規像素11及像面相位差檢測像素12皆為將藉由晶載透鏡13聚光後之入射光經由彩色濾光片14及上部電極15入射至有機光電轉換膜16而轉換為電荷。轉換後之電荷係經由下部電極17而輸出至後段(FD等)。
於後段，來自常規像素11之輸出係作為圖像信號利用。至於來自像面相位差檢測像素12，雖自下部電極17-1與17-2獲得複數個輸出，但其等之一者係作為像面相位差AF用之相位差信號使用。亦可藉由將來自像面相位差檢測像素12之複數個輸出相加，而獲得與常規像素11同等之輸出。
另，亦可自圖1所示之攝像元件10之構成要件中省略晶載透鏡13。該情形時，雖無法期待抑制雜訊或混色之產生之效果，但因可獲得感度較高之像素輸出、與分離比較佳之像素輸出，故只要使用其等之一者，即可實現精度較高之像面相位差AF。
<應用本揭示之攝像元件之第2構成例>
圖2顯示有應用本揭示之攝像元件之第2構成例之剖視圖。
該攝像元件20係未設置常規像素，而對所有像素採用圖1所示之攝像元件10之像面相位差檢測像素12之構造(彩色濾光片之顏色除外)者。另，對攝像元件20之構成要件中與已出現之攝像元件10與構成要件共通者附加相同之符號，因而適當省略其說明。關於以下所說明之構成例，亦為相同。
亦即，攝像元件20係所有像素皆為像面相位差檢測像素12，且採用R、G、B之任一者作為彩色濾光片14之顏色。另，R、G、B之配置可應用例如拜耳排列。又，攝像元件20之所有像素其下部電極17皆被分割為複數個。
於攝像元件20中，於所有像素使藉由晶載透鏡13聚光後之入射光經由彩色濾光片14及上部電極15入射至有機光電轉換膜16而轉換為電荷。轉換後之電荷係經由下部電極17而輸出至後段(FD等)。
於後段，可藉由於每個像素將複數個輸出(下部電極17-1與17-2之輸出)相加而獲得圖像信號。又，可選擇所有像素中之任意像素，將其複數個像素輸出作為像面相位差AF用之相位差信號而使用。
另，亦可自圖2所示之攝像元件20之構成要件省略晶載透鏡13。該情形時，雖無法期待抑制雜訊或混色之產生之效果，但因可獲得感度較高之像素輸出、與分離比較佳之像素輸出，故只要使用其等之一者，即可實現精度較高之像面相位差AF。
<應用本揭示之攝像元件之第3構成例>
圖3顯示有應用本揭示之攝像元件之第3構成例之剖視圖。
該攝像元件30係具備常規像素31與像面相位差檢測像素32者，自光之入射側依序形成有晶載透鏡13、上部電極15、特定波長限定有機光電轉換膜33、及下部電極17作為主要構成要件而構成。再者，於 下部電極17之下層側，形成有各種像素電晶體或FD等(省略符號)。
特定波長限定有機光電轉換膜33與R、G、B之任一者之波長之光對應，產生與其光量相應之電荷。亦即，圖中之左端之常規像素31之特定波長限定有機光電轉換膜33與R之波長之光對應。圖中之中央之像面相位差檢測像素32之特定波長限定有機光電轉換膜33與G之波長之光對應。圖中之右端之常規像素31之特定波長限定有機光電轉換膜33與R之波長之光對應。
於攝像元件30中，常規像素31及像面相位差檢測像素32皆為將藉由晶載透鏡13聚光後之入射光經由上部電極15入射至特定波長限定有機光電轉換膜16而轉換為電荷。轉換後之電荷係經由下部電極17而輸出至後段(FD等)。
於後段，來自常規像素31之像素輸出係作為圖像信號利用。至於來自像面相位差檢測像素32，雖自下部電極17-1與17-2獲得複數個輸出，但其等之一者係作為像面相位差AF用之相位差信號使用。亦可藉由將來自像面相位差檢測像素32之複數個輸出相加，而獲得與常規像素31同等之像素輸出。
另，亦可自圖3所示之攝像元件30之構成要件省略晶載透鏡13。該情形時，雖無法期待抑制雜訊或混色之產生之效果，但因可獲得感度較高之像素輸出、與分離比較佳之像素輸出，故只要使用其等之一者，即可實現精度較高之像面相位差AF。
<應用本揭示之攝像元件之第4構成例>
圖4顯示有應用本揭示之攝像元件之第4構成例之剖視圖。
該攝像元件40係具備於每個像素形成有2個光電轉換部(特定波長限定有機光電轉換膜43及PD46)之常規像素41與像面相位差檢測像素42者。攝像元件40係自光之入射側依序形成有晶載透鏡13、上部電極15、特定波長限定有機光電轉換膜43、下部電極44、彩色濾光片 (CF)45、及PD46作為主要構成要件而構成。
特定波長限定有機光電轉換膜43與G之波長之光對應，產生與其光量相應之電荷。
下部電極44係由使光透過之透明之構件形成，將由特定波長限定有機光電轉換膜43轉換後之電荷輸出至後段。又，下部電極44係與攝像元件10等之下部電極17等相同，於常規像素41中以1像素大小之面積未被分割地形成。
另一方面，於像面相位差檢測像素42中，下部電極44係1像素大小之面積因避開晶載透鏡13之光學中心而設置之狹縫而被分割為不均一。藉此，像面相位差檢測像素42之較長之下部電極44-1可獲得相較於較短之下部電極44-2感度更高之像素輸出。另一方面，較短之下部電極44-2可獲得相較於較長之下部電極44-1分離比更佳之像素輸出。因此，只要使用下部電極44-1或44-2之一者之像素輸出，即可實現精度較高之像面相位差AF。
彩色濾光片45其顏色於常規像素41中設為R或B，於像面相位差檢測像素42中設為W(White：白色)。另，彩色濾光片45之顏色配置並非限定於上述之例。
PD46係於自圖中之左端起第1個與第3個常規像素41中，與透過特定波長限定有機光電轉換膜43及R或B之彩色濾光片44而來之R或B之光對應而產生電荷。於自圖中之左端起第2個及第4個像面相位差檢測像素42中，與透過特定波長限定有機光電轉換膜43及W之彩色濾光片44而來之Mg(Magenta：品紅)之光對應而產生電荷。另，亦可替代PD46而配置光電轉換膜。
於攝像元件40中，常規像素41及像面相位差檢測像素42皆為將藉由晶載透鏡13聚光後之入射光經由上部電極15入射至特定波長限定有機光電轉換膜43，並將其G成分轉換為電荷。再者，透過特定波長 限定有機光電轉換膜43之G成分以外之光係經由下部電極44及彩色濾光片45入射至PD46而被轉換為電荷。
於常規像素41之特定波長限定有機光電轉換膜43所產生之電荷係經由下部電極44輸出至後段，並作為圖像信號之G成分利用。又，於常規像素41之PD46所產生之電荷係經由電極(未圖示)輸出至後段，並作為圖像信號之R或B成分利用。
另一方面，於像面相位差檢測像素42之特定波長限定有機光電轉換膜43所產生之電荷係自下部電極44-1與44-2輸出至後段，其一者作為像面相位差AF用之相位差信號使用。另，可藉由將來自下部電極44-1與44-2之輸出相加，而作為與常規像素41同等之G成分之像素信號利用。又，於像面相位差檢測像素42之PD46所產生之電荷係經由電極(未圖示)輸出至後段，並作為圖像信號之Mg成分利用。
另，亦可自圖4所示之攝像元件40之構成要件省略晶載透鏡13。該情形時，雖無法期待抑制雜訊或混色之產生之效果，但因可獲得感度較高之像素輸出、與分離比較佳之像素輸出，故只要使用其等之一者，即可實現精度較高之像面相位差AF。
<應用本揭示之攝像元件之第5構成例>
圖5顯示有應用本揭示之攝像元件之第5構成例之剖視圖。
該攝像元件50係具備於每個像素形成有2個光電轉換部(特定波長限定有機光電轉換膜43及PD46)之常規像素51與像面相位差檢測像素52者。攝像元件50係自光之入射側依序形成有晶載透鏡13、彩色濾光片53、上部電極15、特定波長限定有機光電轉換膜43、下部電極54、及PD46作為主要構成要件而構成。再者，於像面相位差檢測像素52中，於下部電極54與PD46之間形成有遮光膜55。
彩色濾光片53其顏色於常規像素51中設為Ye(Yellow：黃色)或Cy(Cyan：青色)，於像面相位差檢測像素52中設為W(White)。另，彩 色濾光片45之顏色配置並非限定於上述之例。
特定波長限定有機光電轉換膜43僅與G之波長之光對應，產生與其光量相應之電荷。
下部電極54包含使光透過之透明之構件，於常規像素51及像面相位差檢測像素52中皆以1像素大小之面積未被分割地形成。
僅於像面相位差檢測像素52中具備之遮光膜55包含反射光之金屬等之構件，以覆蓋晶載透鏡13之光學中心之方式形成。另，藉由調整遮光膜55之橫向長度，可調整特定波長限定有機光電轉換膜43之對G之波長之光之感度，且可調整入射至產生成為相位差信號之基元的電荷之PD46的光量。
PD46係於自圖中之左端起第1個與第3個常規像素51中，與透過Ye或Cy之彩色濾光片53及特定波長限定有機光電轉換膜43而來之R或B之光對應而產生電荷。於自圖中之左端起第2個及第4個像面相位差檢測像素52中，與透過W之彩色濾光片44及特定波長限定有機光電轉換膜43而來之Mg之光對應而產生電荷。
於攝像元件50中，常規像素51及像面相位差檢測像素52皆為將藉由晶載透鏡13聚光後之入射光經由彩色濾光片53、及上部電極15而入射至特定波長限定有機光電轉換膜43，並將其G成分轉換為電荷。再者，透過特定波長限定有機光電轉換膜43之光係經由下部電極54入射至PD46而轉換為電荷。惟於像面相位差檢測像素52中，藉由遮光膜55限制對PD46之光之入射。
於常規像素51及像面相位差檢測像素52之特定波長限定有機光電轉換膜43所產生之電荷係經由下部電極54被輸出至後段，並作為圖像信號之G成分利用。又，於常規像素51之PD46所產生之電荷係經由電極(未圖示)被輸出至後段，並作為圖像信號之R或B成分利用。
另一方面，於像面相位差檢測像素52之PD46與Mg之波長之光對 應而產生之電荷係經由電極(未圖示)被輸出至後段，其一者作為像面相位差AF用之相位差信號使用。
<應用本揭示之攝像元件之第6構成例>
圖6顯示有應用本揭示之攝像元件之第6構成例之剖視圖。
該攝像元件60係具備於每個像素形成有2個光電轉換部(特定波長限定有機光電轉換膜43及PD64)之常規像素61與像面相位差檢測像素62者。攝像元件60係自光之入射側依序形成有晶載透鏡13、上部電極15、特定波長限定有機光電轉換膜43、下部電極54、彩色濾光片63、及PD64作為主要構成要件而構成。再者，於像面相位差檢測像素62中，於下部電極54與彩色濾光片63之間形成有遮光膜55。
彩色濾光片63其顏色設為R或B。該圖之情形時，於常規像素61中設為B，於像面相位差檢測像素62中設為R。另，彩色濾光片45之顏色配置並非限定於上述之例。
PD64係於自圖中之左端起第1個與第3個像面相位差檢測像素62中，與透過特定波長限定有機光電轉換膜43及R之彩色濾光片63而來之R之波長之光對應而產生電荷。於自圖中之左端起第2個及第4個常規像素61中，與透過特定波長限定有機光電轉換膜43及B之彩色濾光片63而來之B之波長之光對應而產生電荷。
於攝像元件60中，常規像素61及像面相位差檢測像素62皆為將藉由晶載透鏡13聚光後之入射光經由上部電極15入射至特定波長限定有機光電轉換膜43，並將其G成分轉換為電荷。再者，透過特定波長限定有機光電轉換膜43之光係經由下部電極54及彩色濾光片63入射至PD64而轉換為電荷。但，於像面相位差檢測像素62中，藉由遮光膜55限制對PD64之光之入射。
於常規像素61及像面相位差檢測像素62之特定波長限定有機光電轉換膜43所產生之電荷係經由下部電極54輸出至後段，並作為圖像 信號之G成分利用。又，於常規像素61之PD64所產生之電荷係經由電極(未圖示)輸出至後段，並作為圖像信號之R成分利用。
另一方面，於像面相位差檢測像素62之PD64所產生之電荷係經由電極(未圖示)輸出至後段，並作為像面相位差AF用之相位差信號使用。
<應用本揭示之攝像元件之變化例>
圖7顯示有圖1所示之攝像元件10之變化例。亦即，該變化例顯示有積層相當於圖1之攝像元件10之感測器部71、包含ADC(Analog Digital Converter：類比數位轉換器)等之邏輯部72、及記憶體部73而構成之影像感測器之構成例。根據該影像感測器，可實現藉由訊框記憶體CDS(Correlated Double Sampling：相關雙取樣)進行之高速動作對應。又，可藉由將邏輯部72及記憶體部73利用於像面相位差AF而實現高速之AF。
另，對如圖7所示之積層型之影像感測器，不僅可採用攝像元件10，亦可採用上述之攝像元件20至60。
<攝像元件之使用例>
圖8顯示有使用上述攝像元件10至60之電子裝置之使用例。
上述攝像元件10至60可例如如以下般，使用於感測可見光、或紅外光、紫外光、X射線等光之各種實例中。
‧數位相機、或附相機功能之可攜式機器等之、拍攝供鑑賞用之圖像之裝置
‧為了進行自動停止等之安全駕駛、或駕駛者之狀態之識別等，而拍攝汽車之前方或後方、周圍、車內等之車載用感測器、監視行駛車輛或道路之監視相機、進行車輛間等之測距之測距感測器等之、供交通用之裝置
‧為了拍攝使用者之手勢，進行遵循該手勢之機器操作，而供 於TV、或冰箱、空調等家電之裝置
‧內視鏡、或藉由紅外光之接收而進行血管拍攝之裝置等之、供醫療或保健用之裝置
‧防範用途之監視相機、或人物認證用途之相機等之、供安全用之裝置
‧拍攝肌膚之肌膚測定器、或拍攝頭皮之顯微鏡等之、供美容用之裝置
‧面向運動用途等之行動相機或穿戴式相機等之、供運動用之裝置
‧用於監視農田或作物之狀態之相機等之、供農業用之裝置
另，本揭示之實施形態並非限定於上述實施形態，可於不脫離本揭示之主旨之範圍內進行各種變更。
本揭示亦可採取如以下之構成。
(1)
一種攝像元件，其包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；及下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側，並於避開上述入射光之中心之位置被分割為複數個。
(2)
如上述技術方案(1)之攝像元件，其中 上述下部電極部包含於避開上述入射光之中心之位置被不均一地分成2個部分後之第1下部電極部與第2下部電極部。
(3)
如上述技術方案(1)或(2)之攝像元件，其中上述上部電極部包含透過光之構件；且上述下部電極部包含反射光之構件。
(4)
如上述技術方案(2)之攝像元件，其中上述第1或第2下部電極部之一者之輸出係作為像面相位差AF用之相位差信號使用。
(5)
如上述技術方案(2)之攝像元件，其中上述第1及第2下部電極部之輸出係經相加而作為圖像信號使用。
(6)
如上述技術方案(1)至(5)中任一項之攝像元件，其進而包含：用於獲得圖像信號之常規像素。
(7)
如上述技術方案(1)至(6)中任一項之攝像元件，其中像面相位差檢測像素進而包含：聚光部，其使上述入射光聚光於上述第1光電轉換部；且上述下部電極部於避開上述聚光部之光學中心之位置被不均一地分成2個部分。
(8)
如上述技術方案(1)至(7)中任一項之攝像元件，其中像面相位差檢測像素進而包含： 彩色濾光片，其係以像素單位被著色，且僅使上述入射光中之特定之波長成分透過而入射至上述第1光電轉換部。
(9)
如上述技術方案(1)至(8)中任一項之攝像元件，其中上述第1光電轉換部僅與上述入射光中之特定之波長成分對應而產生電荷。
(10)
如上述技術方案(1)、(2)、(4)至(9)中任一項之攝像元件，其中上述下部電極部包含透過上述入射光之構件；且像面相位差檢測像素進而包含：第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生電荷。
(11)
如上述技術方案(10)之攝像元件，其中上述第1或第2光電轉換部之至少一者係有機光電轉換膜。
(12)
一種電子裝置，其係搭載有攝像元件者，該攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；及下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側，並於避開上述入射光之中心之位置被分割為複數個。
(13)
一種攝像元件，其包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生作為圖像信號使用之電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側；第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生作為上述相位檢測信號使用之電荷；及遮光部，其係以覆蓋透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之上述光之中心之方式，形成於上述下部電極部與上述第2光電轉換部之間。
(14)
如上述技術方案(13)之攝像元件，其中上述遮光部包含反射光之構件。
(15)
一種電子裝置，其係搭載有攝像元件者，該攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生作為圖像信號使用之電荷； 上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側；第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生作為上述相位檢測信號使用之電荷；及遮光部，其係以覆蓋透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之上述光之中心之方式，形成於上述下部電極部與上述第2光電轉換部之間。
10‧‧‧攝像元件
11‧‧‧常規像素
12‧‧‧像面相位差檢測像素
13‧‧‧晶載透鏡
14‧‧‧彩色濾光片
15‧‧‧上部電極
16‧‧‧有機光電轉換膜
17‧‧‧下部電極
17-1‧‧‧下部電極
17-2‧‧‧下部電極
B‧‧‧藍色
G‧‧‧綠色
R‧‧‧紅色

Claims (15)

  1. 一種攝像元件，其包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；及下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側，並於避開上述入射光之中心之位置被分割為複數個。
  2. 如請求項1之攝像元件，其中上述下部電極部包含於避開上述入射光之中心之位置被不均一地分成2個部分後之第1下部電極部與第2下部電極部。
  3. 如請求項2之攝像元件，其中上述上部電極部包含透過光之構件；且上述下部電極部包含反射光之構件。
  4. 如請求項2之攝像元件，其中上述第1或第2下部電極部之一者之輸出係作為像面相位差AF用之相位差信號使用。
  5. 如請求項2之攝像元件，其中上述第1及第2下部電極部之輸出係經相加而作為圖像信號使用。
  6. 如請求項2之攝像元件，其進而包含： 用於獲得圖像信號之常規像素。
  7. 如請求項2之攝像元件，其中像面相位差檢測像素進而包含：聚光部，其使上述入射光聚光於上述第1光電轉換部；且上述下部電極部係於避開上述聚光部之光學中心之位置被不均一地分成2個部分。
  8. 如請求項2之攝像元件，其中像面相位差檢測像素進而包含：彩色濾光片，其係以像素單位被著色，且僅使上述入射光中之特定之波長成分透過而入射至上述第1光電轉換部。
  9. 如請求項2之攝像元件，其中上述第1光電轉換部係僅與上述入射光中之特定之波長成分對應而產生電荷。
  10. 如請求項2之攝像元件，其中上述下部電極部包含透過上述入射光之構件；且像面相位差檢測像素進而包含：第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生電荷。
  11. 如請求項10之攝像元件，其中上述第1或第2光電轉換部之至少一者係有機光電轉換膜。
  12. 一種電子裝置，其係搭載有攝像元件者，該攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換 部之入射側；及下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側，並於避開上述入射光之中心之位置被分割為複數個。
  13. 一種攝像元件，其包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含：第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生作為圖像信號使用之電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側；第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生作為上述相位檢測信號使用之電荷；及遮光部，其係以覆蓋透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之上述光之中心之方式，形成於上述下部電極部與上述第2光電轉換部之間。
  14. 如請求項13之攝像元件，其中上述遮光部包含反射光之構件。
  15. 一種電子裝置，其係搭載有攝像元件者，該攝像元件包含用於獲得像面相位差AF用之相位差信號之像面相位差檢測像素；且像面相位差檢測像素包含： 第1光電轉換部，其係與入射光相應而產生作為圖像信號使用之電荷；上部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側；下部電極部，其係以隔著上述第1光電轉換部之方式對向配置之電極之另一者，且形成於上述入射光相對於上述第1光電轉換部之入射側之相反側；第2光電轉換部，其係與透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之光相應而產生作為上述相位檢測信號使用之電荷；及遮光部，其係以覆蓋透過上述第1光電轉換部及上述下部電極部之上述光之中心之方式，形成於上述下部電極部與上述第2光電轉換部之間。
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