JP2010212668A - 遮光部を含む画素センサ・セルおよび製造方法 - Google Patents
遮光部を含む画素センサ・セルおよび製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010212668A JP2010212668A JP2010025483A JP2010025483A JP2010212668A JP 2010212668 A JP2010212668 A JP 2010212668A JP 2010025483 A JP2010025483 A JP 2010025483A JP 2010025483 A JP2010025483 A JP 2010025483A JP 2010212668 A JP2010212668 A JP 2010212668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- pixel sensor
- layer
- sensor cell
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 191
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 45
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 38
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXQKVSDUCKWEKE-UHFFFAOYSA-N [C].[Ge].[Si] Chemical compound [C].[Ge].[Si] AXQKVSDUCKWEKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021483 silicon-carbon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】 画素センサ・セル内の少なくとも1つのトランジスタの裏面照射からの遮光を提供することによって、グローバルシャッタ方式における裏面照射を可能にするように設計される。第1の特定の一般化された実施形態において、光ブロッキング層は、光活性領域を含む第1の半導体層と、光ブロッキング層によって遮蔽された少なくとも第2のトランジスタ又は浮遊拡散部を含む第2の半導体層との間に挿入されて配置及び形成される。第2の一般化された実施形態において、薄膜トランジスタ及び金属−絶縁体−金属キャパシタが浮遊拡散部の代わりに用いられ、キャリア基板の上の誘電体分離金属スタック内に遮蔽された状態で配置される。
【選択図】 図9
Description
12、14、30、34:誘電体層
16、16’、16’’、32:半導体層
18、18’:分離領域
20、:フォトダイオード
22、22’、32’’:コンタクト
23a、23b:メサ
24、24’:ライナ層
25、27:スペーサ
26、26’、26’’:光ブロッキング層
32’:チャネル
36:ゲート誘電体
38:ゲート
40:誘電体分離金属スタック
42:キャリア基板
44:カラーフィルタ層
FD:浮遊拡散領域
T:トランジスタ
M:金属(メタライゼーション)層
TFT:薄膜トランジスタ
MIM:金属−絶縁体−金属キャパシタ
Claims (19)
- キャリア基板の上に配置された第2の半導体層内に配置された第2のトランジスタと、
前記第2の半導体層と前記キャリア基板との上に配置された第1の半導体層内に配置された光活性領域と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に挿入されて配置され、前記第2のトランジスタを裏面照射から遮蔽する光ブロッキング層と
を含む画素センサ・セル。 - 前記第1の半導体層内に配置され、かつ前記光ブロッキング層によって遮蔽されない第1のトランジスタをさらに含む、請求項1に記載の画素センサ・セル。
- 前記光ブロッキング層は、前記第1のトランジスタのためのゲートを構成する、請求項2に記載の画素センサ・セル。
- 同様に前記第2の半導体層内に配置され、かつ前記光ブロッキング層によって遮蔽された浮遊拡散領域をさらに含む、請求項1に記載の画素センサ・セル。
- キャリア基板の上に配置され、かつ光ブロッキング層によって遮蔽された薄膜トランジスタ及び金属−絶縁体−金属キャパシタを含む誘電体分離金属スタックと、
前記誘電体分離金属スタックと前記キャリア基板との上に配置され、かつ光活性領域を含む半導体層と
を含む画素センサ・セル。 - 前記光ブロッキング層は、前記誘電体分離金属スタック内のメタライゼーション層を構成する、請求項5に記載の画素センサ・セル。
- 前記半導体層は、前記光活性領域に加えて、少なくとも1つのトランジスタを含む、請求項5に記載の画素センサ・セル。
- 前記画素センサ・セルは、前記光活性領域から前記薄膜トランジスタを通して前記金属−絶縁体−金属キャパシタ上に電荷を転送するように設計される、請求項5に記載の画素センサ・セル。
- 犠牲基板上に、光活性領域を含む第1の半導体層を形成するステップと、
前記第1の半導体層上に光ブロッキング層を形成するステップと、
前記光ブロッキング層上に前記光ブロッキング層によって遮蔽された第2のトランジスタを少なくとも部分的に含む第2の半導体層を形成するステップと、
前記第2の半導体層上にキャリア基板を取り付けるステップと、
前記犠牲基板を除去するステップと
を含む、画素センサ・セルを製造するための方法。 - 前記第1の半導体層を形成する前記ステップは、前記第1の半導体層内に少なくとも部分的に第1のトランジスタを形成することを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記第1のトランジスタは、前記光ブロッキング層によって遮蔽されない、請求項10に記載の方法。
- 前記光ブロッキング層は、前記第1のトランジスタのためのゲートとして機能する、請求項10に記載の方法。
- 前記第2の半導体層を形成する前記ステップは、前記第2の半導体層内に浮遊拡散領域を形成することを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記浮遊拡散領域は、前記光ブロッキング層によって遮蔽される、請求項13に記載の方法。
- 犠牲基板上に、光活性領域を含む第1の半導体層を形成するステップと、
前記第1の半導体層上に、光ブロッキング層によって遮蔽された薄膜トランジスタ及び金属−絶縁体−金属キャパシタを含む、誘電体分離金属スタックを形成するステップと、
前記誘電体分離金属スタック上にキャリア基板を取り付けるステップと、
前記犠牲基板を除去するステップと
を含む、画素センサ・セルを製造するための方法。 - 前記光ブロッキング層は、前記誘電体分離金属スタック内の金属層を構成する、請求項15に記載の方法。
- 前記第1の半導体層は、前記光活性領域に加えて、少なくとも1つのトランジスタを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記画素センサ・セルは、前記光活性領域から前記薄膜トランジスタを通して前記金属−絶縁体−金属キャパシタ上に電荷を転送するように設計される、請求項15に記載の方法。
- 集積回路を設計し、製造し、又は検査するために機械可読媒体内に記録される設計構造体であって、
キャリア基板の上に配置された第2の半導体層内に配置された第2のトランジスタと、
前記第2の半導体層と前記キャリア基板との上に配置された第1の半導体層内に配置された光活性領域と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に挿入されて配置され、前記第2のトランジスタを裏面照射から遮蔽する光ブロッキング層と
を含む画素センサ・セルを含む、設計構造体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15876909P | 2009-03-10 | 2009-03-10 | |
US12/538,194 US9543356B2 (en) | 2009-03-10 | 2009-08-10 | Pixel sensor cell including light shield |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010212668A true JP2010212668A (ja) | 2010-09-24 |
Family
ID=42718212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010025483A Pending JP2010212668A (ja) | 2009-03-10 | 2010-02-08 | 遮光部を含む画素センサ・セルおよび製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9543356B2 (ja) |
JP (1) | JP2010212668A (ja) |
KR (1) | KR20100102043A (ja) |
CN (1) | CN101834194A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012004443A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器 |
WO2013065569A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JP2014033106A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Olympus Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
WO2014141898A1 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
WO2014196216A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 株式会社 東芝 | イメージセンサ装置及びその製造方法 |
JP2016506620A (ja) * | 2012-12-13 | 2016-03-03 | シーブライト・インコーポレイテッドCbrite Inc. | Motfetを有するピクセル化されたイメージャおよびその製造方法 |
JP2016511539A (ja) * | 2013-01-31 | 2016-04-14 | アップル インコーポレイテッド | 垂直積層型画像センサ |
US9324753B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing a solid-state imaging device, and electronic apparatus |
KR20160048066A (ko) | 2013-08-28 | 2016-05-03 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 제조 방법 및 전자 기기 |
US9484375B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-11-01 | Siliconfile Technologies Inc. | Image sensor with 3D stack structure |
JP2016534557A (ja) * | 2013-08-05 | 2016-11-04 | アップル インコーポレイテッド | 埋込み型光シールド及び垂直ゲートを有する画像センサ |
WO2017057277A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2017057278A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2017157859A (ja) * | 2017-05-22 | 2017-09-07 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP2020061561A (ja) * | 2015-09-30 | 2020-04-16 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2021001719A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
WO2021165781A1 (ja) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、電子機器および移動体 |
WO2023017650A1 (ja) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び電子機器 |
WO2024116633A1 (ja) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101062333B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2011-09-05 | (주)실리콘화일 | 칩 사이즈가 감소된 배면광 이미지센서 및 그 제조방법 |
EP2395333B1 (en) * | 2010-06-09 | 2017-09-13 | Nxp B.V. | Light sensor |
US8405182B2 (en) * | 2011-05-02 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Back side illuminated image sensor with improved stress immunity |
FR2975529B1 (fr) * | 2011-05-20 | 2013-09-27 | Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir | Circuit de detection a faible flux et faible bruit |
US8884241B2 (en) * | 2011-09-08 | 2014-11-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Incident capacitive sensor |
TWI526706B (zh) * | 2011-10-05 | 2016-03-21 | 原相科技股份有限公司 | 影像系統 |
US20140339614A1 (en) * | 2011-12-30 | 2014-11-20 | Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Aca- Demy Of Sciences | Image sensor and method of fabricating the same |
US8629038B2 (en) * | 2012-01-05 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFETs with vertical fins and methods for forming the same |
US9490373B2 (en) * | 2012-02-02 | 2016-11-08 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus with improved storage portion |
US8803271B2 (en) * | 2012-03-23 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structures for grounding metal shields in backside illumination image sensor chips |
US8698217B2 (en) * | 2012-03-23 | 2014-04-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shield structures in backside illumination image sensor chips |
US20130334637A1 (en) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | Honeywell International Inc. Doing Business As (D.B.A.) Honeywell Scanning And Mobility | Cmos sensor with backside illumination electronic global shutter control |
US9786702B2 (en) * | 2012-09-20 | 2017-10-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Backside illuminated image sensors having buried light shields with absorptive antireflective coating |
CN103730455B (zh) * | 2012-10-16 | 2017-04-12 | 豪威科技股份有限公司 | 底部芯片上具有光敏电路元件的堆叠芯片图像传感器 |
US9478579B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-10-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Stacked chip image sensor with light-sensitive circuit elements on the bottom chip |
JP6055270B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、およびカメラ |
JP2014199898A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器 |
CN103367381B (zh) * | 2013-07-15 | 2016-12-28 | 格科微电子(上海)有限公司 | 背照式图像传感器及其制作方法 |
US9153717B2 (en) * | 2013-08-09 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside illuminated photo-sensitive device with gradated buffer layer |
US9054007B2 (en) * | 2013-08-15 | 2015-06-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure |
US9496304B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-11-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure |
KR101334213B1 (ko) | 2013-09-02 | 2013-11-29 | (주)실리콘화일 | 칩 적층 이미지 센서 |
US9689825B1 (en) * | 2013-09-09 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Testing a layer positioned over a capacitive sensing device |
US9281338B2 (en) | 2014-04-25 | 2016-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters |
US9553118B2 (en) * | 2014-06-18 | 2017-01-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Formation of buried color filters in a back side illuminated image sensor using an etching-stop layer |
CN104637968B (zh) * | 2015-02-15 | 2019-06-11 | 格科微电子(上海)有限公司 | 采用深沟槽隔离的图像传感器及其制作方法 |
US9497366B1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with integrated light shield structures |
CN105489625B (zh) * | 2015-11-26 | 2018-08-28 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法 |
US10070079B2 (en) | 2017-01-30 | 2018-09-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | High dynamic range global shutter image sensors having high shutter efficiency |
US10211794B1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-02-19 | Nxp Usa, Inc. | Silicon shielding for baseband termination and RF performance enhancement |
CN108288626B (zh) * | 2018-01-30 | 2019-07-02 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及形成图像传感器的方法 |
JP2019169668A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および撮像装置の製造方法 |
TWI675467B (zh) * | 2018-08-29 | 2019-10-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 影像感測器及其製造方法 |
US20230215767A1 (en) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | International Business Machines Corporation | Two-dimensional self-aligned backside via-to-backside power rail (vbpr) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02194558A (ja) * | 1989-01-21 | 1990-08-01 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
JP2007228460A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
JP2008042825A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP2008060195A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nikon Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2009049117A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子のカラーフィルタ形成方法及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子用パターンマスクセット |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4507674A (en) * | 1982-06-07 | 1985-03-26 | Hughes Aircraft Company | Backside illuminated blocked impurity band infrared detector |
US5244817A (en) * | 1992-08-03 | 1993-09-14 | Eastman Kodak Company | Method of making backside illuminated image sensors |
ATE313857T1 (de) * | 1995-05-19 | 2006-01-15 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Strahlungsempfindliches detektorelement |
US5880777A (en) * | 1996-04-15 | 1999-03-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-light-level imaging and image processing |
US6285018B1 (en) * | 1999-07-20 | 2001-09-04 | Intevac, Inc. | Electron bombarded active pixel sensor |
US6168965B1 (en) * | 1999-08-12 | 2001-01-02 | Tower Semiconductor Ltd. | Method for making backside illuminated image sensor |
US7005637B2 (en) * | 2003-01-31 | 2006-02-28 | Intevac, Inc. | Backside thinning of image array devices |
US7221413B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-05-22 | Au Optronics Corporation | Thin film transistor array substrate and repairing method thereof |
KR100614653B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 백점 및 오버플로우의 문제없이 글로벌 노출이 가능한씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US8039875B2 (en) * | 2005-08-08 | 2011-10-18 | International Business Machines Corporation | Structure for pixel sensor cell that collects electrons and holes |
KR100775058B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-11-08 | 삼성전자주식회사 | 픽셀 및 이를 이용한 이미지 센서, 그리고 상기 이미지센서를 포함하는 이미지 처리 시스템 |
FR2904143A1 (fr) * | 2006-07-24 | 2008-01-25 | St Microelectronics Sa | Capteur d'images eclaire par la face arriere a temperature de substrat uniforme |
US7482646B2 (en) * | 2006-10-18 | 2009-01-27 | Hejian Technology (Suzhou) Co., Ltd. | Image sensor |
US7838956B2 (en) * | 2008-12-17 | 2010-11-23 | Eastman Kodak Company | Back illuminated sensor with low crosstalk |
-
2009
- 2009-08-10 US US12/538,194 patent/US9543356B2/en active Active
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010025483A patent/JP2010212668A/ja active Pending
- 2010-02-23 KR KR1020100016426A patent/KR20100102043A/ko active IP Right Grant
- 2010-03-09 CN CN201010129964A patent/CN101834194A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02194558A (ja) * | 1989-01-21 | 1990-08-01 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
JP2007228460A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
JP2008042825A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP2008060195A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nikon Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2009049117A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子のカラーフィルタ形成方法及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子用パターンマスクセット |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012004443A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器 |
US9570495B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-02-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device with photoelectric conversion region that is not transparent |
WO2013065569A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JP2014033106A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Olympus Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2016506620A (ja) * | 2012-12-13 | 2016-03-03 | シーブライト・インコーポレイテッドCbrite Inc. | Motfetを有するピクセル化されたイメージャおよびその製造方法 |
KR20170033909A (ko) * | 2013-01-31 | 2017-03-27 | 애플 인크. | 수직 적층형 이미지 센서 |
JP2016511539A (ja) * | 2013-01-31 | 2016-04-14 | アップル インコーポレイテッド | 垂直積層型画像センサ |
US10462402B2 (en) | 2013-01-31 | 2019-10-29 | Apple Inc. | Image sensor having full well capacity beyond photodiode capacity |
US10003759B2 (en) | 2013-01-31 | 2018-06-19 | Apple Inc. | Vertically stacked image sensor |
KR101895938B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2018-09-07 | 애플 인크. | 수직 적층형 이미지 센서 |
WO2014141898A1 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
TWI617014B (zh) * | 2013-03-12 | 2018-03-01 | Sony Semiconductor Solutions Corp | Solid-state imaging device, manufacturing method, and electronic device |
WO2014196216A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 株式会社 東芝 | イメージセンサ装置及びその製造方法 |
US9787924B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image sensor device, image processing device and method for manufacturing image sensor device |
JP2016534557A (ja) * | 2013-08-05 | 2016-11-04 | アップル インコーポレイテッド | 埋込み型光シールド及び垂直ゲートを有する画像センサ |
JP2019050424A (ja) * | 2013-08-05 | 2019-03-28 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 埋込み型光シールド及び垂直ゲートを有する画像センサ |
US9842875B2 (en) | 2013-08-05 | 2017-12-12 | Apple Inc. | Image sensor with buried light shield and vertical gate |
US9484375B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-11-01 | Siliconfile Technologies Inc. | Image sensor with 3D stack structure |
KR20160048066A (ko) | 2013-08-28 | 2016-05-03 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 제조 방법 및 전자 기기 |
US9324753B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing a solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US10686001B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-06-16 | Nikon Corporation | Image sensor and image-capturing device |
JP7006673B2 (ja) | 2015-09-30 | 2022-01-24 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JPWO2017057277A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JPWO2017057278A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2017057277A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
CN108174619A (zh) * | 2015-09-30 | 2018-06-15 | 株式会社尼康 | 摄像元件及摄像装置 |
CN108040502A (zh) * | 2015-09-30 | 2018-05-15 | 株式会社尼康 | 摄像元件及摄像装置 |
JP2020061561A (ja) * | 2015-09-30 | 2020-04-16 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US11658192B2 (en) | 2015-09-30 | 2023-05-23 | Nikon Corporation | Image sensor and image-capturing device |
CN108174619B (zh) * | 2015-09-30 | 2022-09-20 | 株式会社尼康 | 摄像元件及摄像装置 |
JP2021044571A (ja) * | 2015-09-30 | 2021-03-18 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
JP2021044572A (ja) * | 2015-09-30 | 2021-03-18 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2017057278A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2017157859A (ja) * | 2017-05-22 | 2017-09-07 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
WO2021001719A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
WO2021165781A1 (ja) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、電子機器および移動体 |
WO2023017650A1 (ja) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び電子機器 |
WO2024116633A1 (ja) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9543356B2 (en) | 2017-01-10 |
CN101834194A (zh) | 2010-09-15 |
KR20100102043A (ko) | 2010-09-20 |
US20100230729A1 (en) | 2010-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010212668A (ja) | 遮光部を含む画素センサ・セルおよび製造方法 | |
TWI332262B (en) | Method for manufacturing cmos image sensor using spacer etching barrier film | |
US8507962B2 (en) | Isolation structures for global shutter imager pixel, methods of manufacture and design structures | |
JP5710179B2 (ja) | イメージ・センサ及びその製造方法 | |
US8227844B2 (en) | Low lag transfer gate device | |
JP5096483B2 (ja) | 撮像素子トランスファゲートデバイスにおけるシリサイドストラップ | |
US7696597B2 (en) | Split transfer gate for dark current suppression in an imager pixel | |
NL1014309C2 (nl) | CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
US7883916B2 (en) | Optical sensor including stacked photosensitive diodes | |
US6908839B2 (en) | Method of producing an imaging device | |
US8743247B2 (en) | Low lag transfer gate device | |
JP3584196B2 (ja) | 受光素子及びそれを有する光電変換装置 | |
US7732845B2 (en) | Pixel sensor with reduced image lag | |
JP2011138905A (ja) | 固体撮像装置 | |
US8298853B2 (en) | CMOS pixel sensor cells with poly spacer transfer gates and methods of manufacture | |
JP5535261B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2004312039A (ja) | 光電変換素子 | |
US8580601B2 (en) | Pixel sensor cell with a dual work function gate electrode | |
US20150179701A1 (en) | Image sensor with doped transfer gate | |
US7563637B2 (en) | Image sensor | |
US7661077B2 (en) | Structure for imagers having electrically active optical elements | |
JP2004281579A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH10257394A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140128 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141027 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141104 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150109 |